【課題】耐食性及びガスバリア性を高めたガスバリア性シート及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材２と、その基材２上に設けられたガスバリア膜３とを少なくとも有し、基材２とガスバリア膜３との間に耐食合金又は耐食合金の化合物４が存在するように構成したガスバリア性シート１により、上記課題を解決した。耐食合金が、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｚｒ、及びＭｎの少なくとも１種の元素を含有することが好ましく、耐食合金又は耐食合金の化合物４が、基材２上に散布状若しくは島状又は薄膜状に存在させることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】本発明の主な目的は、相変化材料層を形成する方法を提供することにより、従来の技術でのウエハの表面の汚染、歩留まりの減少という問題を克服することができる。
【解決手段】ケイ素又は他の半導体、或いは、ケイ素系や他の半導体系の添加剤を有する相変化材料層が、ケイ素や他の半導体及び相変化材料を含む複合スパッタターゲットを使用することによって形成される。その複合スパッタターゲットのケイ素または他の半導体の濃度は、形成される前記層におけるケイ素または他の半導体の特定された濃度よりも５倍以上大きい。GST型の相変化材料のケイ素系添加剤に対し、スパッタターゲットは４０原子％以上のケイ素を含むことができる。ケイ素系又は他の半導体系の添加剤は、成膜時のスパッタチャンバー内に、酸素や窒素のような反応ガスの流れを伴なう複合スパッタターゲットを用いて形成され得る。 （もっと読む）

【課題】スループットの優れた成膜装置、および製造装置を提供する。
【解決手段】一対をなすスパッタリングターゲット１１，１２の間に複数の基板１３を配置して一括に成膜する。ＥＬ層は蒸着装置で形成し、その後の電極層や保護層をスパッタ装置で一括に成膜する。少なくとも一方のスパッタリングターゲット表面に対し、概略垂直に複数の基板表面がセットされた状態で成膜を行う。なお、少なくとも基板の周縁にはスパッタ成膜を行わないようにマスクを用いて電極層や保護層を選択的に形成することもできる。 （もっと読む）

【課題】イオン液体代替の、より環境負荷が小さく安定的に金属微粒子を製造する方法を提供する。
【解決手段】微粒子の製造方法は、液体高分子ポリエチレングリコールに貴金属、Ｓｉ及びＣｄの少なくともいずれかをスパッタリングする。また、この手段において、貴金属は、金、銀、銅、白金の少なくともいずれかを含むことが好ましい。また、この手段において、高分子ポリエチレングリコールの数平均分子量は、２００以上８００以下の範囲にあることが好ましい。また、本手段において、スパッタリングの後、加熱処理を行うことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】
ターゲット材料の使用効率を良くできると共に形成される膜の均一性に優れたスパッタ成膜装置を提供する。
【解決手段】
本発明によるスパッタ成膜装置では、基板ホルダを回転させかつターゲットに対する距離を変えるため垂直方向に移動させる基板駆動装置と、カソード電極を基板の表面に平行に移動させるカソード電極水平方向駆動装置と、基板駆動装置及びカソード電極水平方向駆動装置に接続され、基板駆動装置による基板の回転及び垂直方向移動、並びにカソード電極水平方向駆動装置によるターゲットの水平移動を制御して、基板の表面形状に応じて基板とターゲットとの距離及び基板に対するターゲットの位置を調整する制御装置とが設けられる。 （もっと読む）

【課題】表面延設方向における電気絶縁性を示す絶縁物品およびその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁物品は、電気絶縁性をもつ材料で形成された基部２と、基部２の表面の上に積層されクロムを母材とすると共に網目状クラックが形成された金属光沢をもち且つ網目状クラックにより膜延設方向における電気絶縁性が高められたクロム膜３とを有する。網目状クラックによりクロム膜３の膜延設方向（Ａ１方向）における電気絶縁性が高められている。 （もっと読む）

【課題】配線形成時に配線形成用溝の間口を閉塞させないで配線形成用溝内に連続したＣｕ膜を形成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】配線形成用溝形成工程では、層間絶縁膜１０に配線形成用溝３１を形成する。バリアメタル膜形成工程では、配線形成用溝３１が形成された層間絶縁膜１０上の全面にバリアメタル膜１４を形成する。Ｃｕ膜形成工程では、配線形成用溝３１間の層間絶縁膜１０上の膜厚に比して配線形成用溝３１内の底部の方が厚くなるように、バリアメタル膜１４上にＣｕ膜１５を形成する。リフロー工程では、バリアメタル膜１４上のＣｕ膜１５をリフローさせ、配線形成用溝３１内に埋め込む。そして、除去工程では、少なくとも配線形成用溝３１間の層間絶縁膜１０上のバリアメタル膜１４をＣＭＰ法によって除去する。 （もっと読む）

【課題】複数種の成膜材料に対しても安定した剥離防止機能を確保することができる成膜装置用シート及びその製造方法を提供する。
【解決手段】上記成膜装置用シートＳは、金属製のシート基材１と、複数の突出部２１と、凹凸部２２とを具備する。シート基材１は、任意の形状に折り曲げ可能である。突出部２１は、シート基材１の表面に形成され、その面内に島状に分布する。凹凸部２２は、シート基材１の表面及び突出部２２の表面に形成される。突出部２２は、成膜材料の所定以上の膜応力によって変形可能であり、例えば膜応力の比較的高い酸化物材料等の成膜材料の剥離を抑制する。一方、凹凸部２２は、突出部２１よりも微細に形成され、成膜材料との高い密着性を確保することで、硬度の比較的高い金属膜等の成膜材料の剥離を抑制する。 （もっと読む）

【課題】局所的なそりあがりが軽減または解消された、酸化亜鉛を含有する焼結体を製造する方法を提供する。
【解決手段】セッター３に載置されている成形体２と、左右それぞれのヒーター１との間に、アルミナ、マグネシアまたはジルコニア質等からなる遮蔽物４が設置される。成形体２と遮蔽物４との間隔ｄは１０［ｍｍ］以上に調節されることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】均一な面内膜厚を有した薄膜を堆積させるとともに、使用効率の良いスパッタができるスパッタリング用ターゲットを提供すること。
【解決手段】実施形態のスパッタリング用ターゲットは、薄膜形成に用いられるターゲット原子を含んで構成されている。また、スパッタリング用ターゲットは、前記ターゲット原子がスパッタされるスパッタ面側の表面にスパッタ面の中心からの距離に応じた同心円状の厚みを持たせることによって前記スパッタ面が湾曲させられるとともに、湾曲させられた前記スパッタ面の表面に複数の凹凸形状部が形成されている。そして、前記凹凸形状部は、前記スパッタ面の凹部位置から所定の角度で斜め方向に叩き出されたターゲット原子を前記凹凸形状部の側壁に衝突させることで、前記斜め方向に叩き出されたターゲット原子が前記スパッタ面から放出されることを防いでいる。 （もっと読む）

【課題】非晶質磁性膜上に形成される薄膜の結晶配向性を高めることが可能なスパッタ成膜装置を提供する。
【解決手段】非晶質磁性膜を有した基板Ｓが収容されて希ガスが供給される真空槽１１と、前記真空槽１１に設けられた接地電極であるシャッタ２２と、前記真空槽１１内に配置されたＭｇＯターゲットＴに接続されたターゲット電極を内蔵するカソード１８と、高周波電力を前記ターゲット電極に出力する高周波電源ＧＥと、前記ＭｇＯターゲットＴと前記高周波電源ＧＥとの間に直列に接続されたインピーダンス整合器２０とを備えるスパッタ成膜装置１０であって、前記シャッタ２２に流れる電流値を変更する可変キャパシタ２６が、前記インピーダンス整合器２０に対する前記ＭｇＯターゲットＴ側に、前記ＭｇＯターゲットＴと前記シャッタ２２とから構成される負荷２５に対して並列に接続されている。 （もっと読む）

【課題】高速動作可能な半導体装置を提供する。また、短チャネル効果による電気特性の変動が生じにくい半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタの半導体層に結晶性を有する酸化物半導体を用い、該半導体層にチャネル形成領域とソース領域とドレイン領域を形成する。ソース領域及びドレイン領域は、ゲート電極をマスクとして、半導体層に第１５族元素のうち一種類または複数種類の元素を添加する自己整合プロセスにより形成する。ソース領域及びドレイン領域に、ウルツ鉱型の結晶構造を付与することができる。 （もっと読む）

【課題】長尺樹脂フィルムの取り付けおよび取り出しを効率よく行えるロール・トゥ・ロール方式真空両面成膜装置を提供する。
【解決手段】巻出しロール室内の巻出しロールから巻き出された長尺樹脂フィルムをロール・トゥ・ロール方式により搬送し、巻取りロール室内の巻取りロールに巻き取ると共に、成膜室の長尺樹脂フィルムの搬送路上の前記成膜室には、真空成膜手段に対向しかつ内部に冷媒が循環する２つ以上のキャンロールを備えるロール・トゥ・ロール方式真空両面成膜装置が、前記巻出し室と前記巻取り室が、前記成膜室の一方の側の外壁にのみ配されることと、且つ成膜室の鉛直方向では前記巻出し室が前記巻取り室の上若しくは下に配されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体用銅合金配線自体に自己拡散抑制機能を有せしめ、活性なＣｕの拡散による配線周囲の汚染を効果的に防止することができ、またエレクトロマイグレーション（ＥＭ）耐性、耐食性等を向上させ、バリア層が任意に形成可能かつ容易であり、さらに半導体用銅合金配線の成膜工程の簡素化が可能である半導体用銅合金配線及び同配線を形成するためのスパッタリングターゲット並びに半導体用銅合金配線の形成方法を提供する。
【解決手段】Ｍｎ０．０５〜２０ｗｔ％を含有し、Ｂｅ，Ｂ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｂａ，Ｌａ，Ｃｅの総計が５００ｗｔｐｐｍ以下、残部がＣｕ及び不可避的不純物であることを特徴とするＣｕ−Ｍｎ合金スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットに用いた場合に異常放電の発生を抑制し、生産効率の優れた比抵抗の小さな透明電極を得ることが出来る程度に緻密な酸化亜鉛系焼結体を提供する。
【解決手段】実質的に亜鉛、チタンおよび酸素からなり、相対密度が９５％以上で、かつ結晶相が酸化亜鉛相、導電性複合酸化物相および低原子価化チタン相からなる酸化亜鉛系焼結体であり、酸化チタン粉と酸化亜鉛粉または水酸化亜鉛粉との混合粉、および／またはチタン酸亜鉛化合物粉を含む原料粉末を成形し、次いで還元雰囲気または不活性雰囲気中６００〜１５００℃の温度で焼結を行うことによって得られる。 （もっと読む）

【課題】波状の磁気トラックを十分な磁場強度でターゲット上に出すことができる磁石ユニットを提供することを目的とする。
【解決手段】ヨーク板に直立して設けられた第１の磁石と、ヨーク板に直立して設けられ第１の磁石と反発する磁極を有する第２の磁石と、第１の磁石と第２の磁石との間に斜めに設けられ第３の磁石とを備えた第１の磁石エレメントと、ヨーク板直立して設けられた第４の磁石と、ヨーク板に直立して設けられ第４の磁石と反発する磁極を有する第５の磁石と、第４の磁石と第５の磁石の間に斜めに設けられ第６の磁石とを備えた第２の磁石エレメントとから構成され、第１の磁石エレメントと第２の磁石エレメントとを、無終端状の形状に沿って交互に配置した磁石ユニット。 （もっと読む）

【課題】安定した膜質で薄膜を形成し得るバイアススパッタリング方法及びそれを利用した弾性波装置の製造方法を提供する。
【解決手段】供給された電力の総和である積算電力の異なる複数種類のターゲット１２ａ〜１２ｃを用いてバイアススパッタリングすることにより薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線層に含まれるＣｕの周囲への拡散を抑制すると共に密着性および動作特性に優れた半導体装置およびその製造方法、並びに、その半導体装置の製造に用いるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】実施の形態に係るスパッタリングターゲットは、１．５原子％以上５．０原子％以下のＭｎと、（Ｍｇの原子％）／（Ｍｎの原子％）で示される比率が０．３以上２．１以下となるＭｇと、１０ｗｔｐｐｍ以下のＣと、２ｗｔｐｐｍ以下のＯ_２と、を含むＣｕ合金を用いて形成される。 （もっと読む）

【課題】可視域から赤外域まで高反射率な光学特性を有するとともに、折り曲げても剥離を抑制できる密着性を有し、耐性が高く、スパッタリングによる成膜のための設備を簡易なものにすることができるＡｇリフレクタとその製造方法を提供する。
【解決手段】ステンレス基板と、その表面に設けられたＮｉＷ膜からなる密着層と、その表面に設けられたＡｇ膜からなる反射層と、その表面に設けられた第１のＩＴＯ膜と、その表面に設けられた第２のＩＴＯ膜と、その表面に順に設けられたＳｉＯ₂膜およびＮｂ₂Ｏ₅膜からなる増反射層とを備えることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 一般的な基材であるガラスに成膜され、且つ良好なパターン形状と優れた発光特性の両方を兼ね備えた薄膜蛍光体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 基材と結晶性の薄膜蛍光体からなり、前記薄膜蛍光体は、前記基材上に成膜されて薄膜蛍光体層が形成されており、前記薄膜蛍光体層にパターンが形成されており、前記結晶がナノ構造であることを特徴とするパターン形成された薄膜蛍光体とする。 （もっと読む）