【課題】ターゲット材料をインジウムで全面接着することなく、冷却不足を解消できるバッキングプレート、ターゲット装置及びスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】バッキングプレートの基体部２１の片側表面にはリング状に蓋板部２３が密着固定され、その内側に形成された溝部２４には外部から冷却媒体が送液される。冷却媒体は蓋板部２３の裏面に接触し、蓋板部２３表面上に保持されたターゲット材料２２を冷却する。基体部２１の内部には圧縮変形された弾性部材２６が配置され、蓋板部２３の裏面に裏面側から表面側に向く膨出力を印加している。プラズマ中のイオンの衝突によりターゲット材料２２に反りが生じると、膨出力により蓋板部２３はターゲット材料２２の反りに追従して膨出するため、蓋板部２３とターゲット材料２２は広い面積で接触し続け、冷却効率は低下しない。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造工程で高温下に曝された場合であっても、ヒロックの発生が抑制されて耐熱性に優れ、かつ膜自体の電気抵抗率が低く抑えられた半導体装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】５００℃で３０分間保持する加熱処理を行った後に下記（ａ）〜（ｃ）を全て満たし、かつ膜厚が５００ｎｍ〜５μｍであることを特徴とする半導体装置用Ａｌ合金膜。（ａ）Ａｌマトリックスの最大粒径が８００ｎｍ以下（ｂ）ヒロック密度が１×１０^９個／ｍ^２未満（ｃ）電気抵抗率が１０μΩｃｍ以下 （もっと読む）

【課題】スパッタリング用分割ターゲット装置及びそれを利用したスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】ベースプレート１１０と、ベースプレートの一面に規則的な列をなして付着した複数の小片ターゲット１２０、及びベースプレートの他面に複数の小片ターゲットとそれぞれ対になって付着した複数の磁石１３０とを備えた複数のソースユニット１４０と、を備え、ソースユニットは、列の方向である第１方向と、それに垂直である第２方向との間の角度において相互平行に配列されたスパッタリング用分割ターゲット装置１００である。これにより、製造及び取扱の容易な小片ターゲットを使用しつつも均一な蒸着品質が得られ、結果的に、ディスプレイ装置の輝度を画面全体にわたって均一にしうる。 （もっと読む）

【課題】焼結後の冷却時における割れの発生を抑制することができる酸化物スパッタリングターゲット及びその製造方法並びにこれに用いる緩衝粉を提供すること。
【解決手段】焼結後の冷却時に膨張する金属酸化物粉を含む圧粉体を形成する工程と、該圧粉体を型内に配置し該型内の前記圧粉体の外周に緩衝粉を充填した状態で熱間加工して酸化物スパッタリングターゲットとなる酸化物焼結体４を作製する工程とを有し、緩衝粉３を、熱間加工時の加熱により焼結すると共に焼結後の冷却時に酸化物焼結体４の膨張により緩衝粉３による焼結体が割れる粉末とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造工程で高温下に曝された場合であっても、ヒロックの発生が抑制されて耐熱性に優れ、かつ膜自体の電気抵抗率が低く抑えられたＡｌ合金膜を有する半導体電極構造を提供する。
【解決手段】基板上に少なくとも、基板側から順に、高融点金属の窒化物薄膜と、Ａｌ合金膜とを備えた半導体電極構造であって、前記Ａｌ合金膜は、５００℃で３０分間保持する加熱処理を行った後に下記（ａ）〜（ｃ）を全て満たし、かつ膜厚が３００ｎｍ〜５μｍであることを特徴とする半導体電極構造。（ａ）Ａｌマトリックスの最大粒径が１μｍ以下（ｂ）ヒロック密度が１×１０^９個／ｍ^２未満（ｃ）電気抵抗率が１０μΩｃｍ以下 （もっと読む）

【課題】再現性よく光取り出し効率を向上させることができる半導体発光素子、ウェーハ、および窒化物半導体結晶層の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施態様によれば、第１半導体層と、発光層と、第２半導体層と、低屈折率層と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記第１半導体層は、光取り出し面を形成する。前記発光層は、前記第１半導体層の上に設けられ活性層を有する。前記第２半導体層は、前記発光層の上に設けられている。前記低屈折率層は、前記第１半導体層の屈折率よりも低い屈折率を有し、前記光取り出し面を部分的に覆う。 （もっと読む）

【課題】異常放電やノジュールの発生が少ない、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物のスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】２θ＝７．０°〜８．４°、３０．６°〜３２．０°、３３．８°〜３５．８°、５３．５°〜５６．５°、５６．５°〜５９．５°、１４．８°〜１６．２°、２２．３°〜２４．３°、３２．２°〜３４．２°、４３．１°〜４６．１°、４６．２°〜４９．２°及び６２．７°〜６６．７°の領域Ａ〜Ｋに回折ピークを有する酸化物Ａと、ＩｎＧａＺｎＯ_４とを含有するスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】粉末ターゲットを用いて、酸素の含有率の少ない高品質なシリコン薄膜を高速で成膜することができるスパッタリング方法及び装置を提供することを目的とする。
【解決手段】スパッタ成膜を行う前段階に、ターゲット材料８近傍に設置した高融点金属フィラメント１４を加熱することで、真空チャンバ１内に導入したガスを分解し活性種を生成する。この活性種を用いて、ターゲット材料８表面の酸化膜の還元や真空チャンバ壁及び部材についた堆積膜の除去を行うことで、スパッタ成膜中の酸素量を低減させ、高品質なシリコン薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯ膜に迫る高い導電率の膜を高速成膜することができる。
【解決手段】透明導電膜を成膜するために用いられるＺｎＯ蒸着材において、ＺｎＯを主成分としたペレットからなり、ペレットがＣｅとＡｌの双方の元素を含み、ＣｅがＡｌよりも含有割合が高く、Ｃｅの含有割合が０．１質量％を越え１４．９質量％以下、Ａｌの含有割合が０．１質量％以上１０質量％以下の範囲内であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ロールツーロール技術において、作業の効率化、或いは、改善を更に図った成膜方法を提供する。
【解決手段】長尺の基体１０に連続的に真空成膜を行う方法であって、ロール状に巻かれた長尺の基体を第１ロール室Ｗ１から第２ロール室Ｗ２へ向う第１の方向に第１ロール室から繰り出す段階、第１の方向に繰り出された基体を脱ガスする段階、脱ガスされた基体の面に第２成膜室４２において第２の膜材料を成膜する段階、第２の膜材料が成膜された基体を第２ロール室で巻取る段階、第２ロール室で巻き取った基体を第２ロール室から第１ロール室へ向う第２の方向に第２ロール室から繰り出す段階、第２の方向に繰り出された基体の面に第１成膜室４１において第１の膜材料を成膜する段階、第２の膜材料の上に第１の膜材料が積層された基体を第１ロール室で巻取る段階、を備える。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングなどの薄膜パターン形成プロセスにおいてパターン形成のために使用されるステンレス鋼製のマスク部材の表面から、薄膜パターン形成過程で堆積されたＮｉ膜を除去するにあたり、ステンレス鋼製マスク部材を侵食させることなく、Ｎｉ膜を効果的に除去し得る方法を提供する。
【解決手段】薄膜形成技術によって基材上に所定のパターンでＮｉ膜を形成するために使用される、ステンレス鋼製のマスク部材について、その表面に形成されたＮｉ膜を除去するにあたり、硫酸を１５〜２５wt%、硝酸を５〜１５wt%含有する混酸水溶液を用いて、前記Ｎｉ膜を溶解、除去することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体材料等として有用な新規なＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物とその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎを含む酸化物であって、４つの層状構造を１ユニットとする繰り返し構造を含み、前記層状構造はそれぞれＩｎ、Ｇａ、Ｚｎのうち少なくとも１つを含む酸化物からなる酸化物。 （もっと読む）

【課題】 表面処理中のパーティクルを計測し、パーティクルの粒度分布、荷電状態を測定し、その発生源を特定することにより、重点的・効率的なメンテナンスが可能な方法及び装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ６を用いた真空チャンバ１内に１個以上のパーティクル計測用基材４を配置し、前記パーティクル計測用基材４にプラズマ電位より高い電位、略同一の電位、低い電位のうち少なくとも１つの電圧を前記基材４に個別に印加して所定の表面処理を実施した後前記基材に付着した前記パーティクルの粒度分布を計測し、該計測結果から所定の算出式により前記パーティクルの粒度別帯電状態の分布を算出する。 （もっと読む）

【課題】ロールツーロール技術において、作業の効率化、或いは、改善を更に図った成膜方法を提供する。
【解決手段】第１基体を第１ロール室から第２ロール室へ向う第１の方向に第１ロール室から繰り出す段階、第１基体を脱ガスする段階、第１基体に第２成膜室で第２の膜材料を成膜する段階、第１基体を第２ロール室で巻取ることにより第１基体を生成する段階を備え、更に、第２ロール室から第１ロール室へ向う第２の方向において第２基体を生産するために同様の動作を行う。ここで、第２の膜材料が成膜された第１基体を生成するにあたり、第１成膜室の第１カソード電極が第１成膜室から取り除かれ、また、第１の膜材料が成膜された第２基体を生成するにあたり、第２成膜室の第２カソード電極が第２成膜室から取り除かれる。 （もっと読む）

【課題】 中心磁極と外周磁極の間に中間磁極を配置した磁気発生機構を備え、スパッタリングターゲットの局所的な侵食を低減させ、使用効率を大幅に向上させたマグネトロンスパッタリングカソードを提供する。
【解決手段】 ターゲット表面の磁束密度について、領域Ａ内で中心磁極１２からターゲット端部への垂直磁束密度が−５０〜＋５０ガウスの範囲で連続する長さを短辺長さの０.０７倍以上に調整する。また、領域Ａの長辺方向の中央での中心磁極１２からターゲット端部への水平磁束密度の絶対値の極小値を両端での水平磁束密度の絶対値の極小値の０.９５〜１.４倍の範囲とし、領域Ｂの短辺方向の中央での中心磁極１２の水平磁束密度の絶対値を垂直磁束密度の絶対値の０.４倍以下とする。 （もっと読む）

【課題】実施形態は、透明電極と半導体層との間のコンタクト抵抗を低減できる生産性の高い半導体発光装置の製造方法および半導体製造装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光装置の製造方法は、被処理ウェーハとターゲットとの間に磁界を介在させるスパッタ法を用いて透明電極を形成する。そして、前記磁界を遮蔽した状態で、前記透明電極に含まれる第１の透明導電膜を前記被処理ウェーハの表面に形成する工程と、前記被処理ウェーハと前記ターゲットとの間に前記磁界を介在させ、前記透明電極に含まれる第２の導電膜を前記第１の透明導電膜の上に形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】バイポーラ型のＰＢＩＩ装置用電源を用いて低真空下での良好な非晶質炭素膜の成膜を可能とする成膜方法、および、該成膜方法で得られる非晶質炭素膜を提供する。
【解決手段】バイポーラ型のＰＢＩＩ装置用電源を用いた低真空下（１０００〜３００００Ｐａ程度）での非晶質炭素膜の成膜方法であって、チャンバー１内に、ＰＢＩＩ装置用電源６に接続される電源側電極３と、電極３と対向するアース側電極４とを設け、電源側電極３およびアース側電極４のいずれか一方に基材２を配置し、基材２と、基材２を配置しない電極との間において、希ガスと炭化水素系ガスのプラズマを発生させて、基材２の表面に非晶質炭素膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】 スパッタ法により良好にＮａ添加されたＧａ添加濃度１〜４０原子％のＣｕ−Ｇａ膜を成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 スパッタリングターゲットのＦ，Ｓ，Ｓｅを除く金属成分として、Ｇａ：１〜４０ａｔ％、Ｎａ：０．０５〜２ａｔ％を含有し、残部がＣｕ及び不可避不純物からなる成分組成を有し、Ｎａがフッ化ナトリウム、硫化ナトリウム、セレン化ナトリウムのうち少なくとも１種の状態で含有され、酸素含有量が１００〜１０００ｐｐｍである。 （もっと読む）

【課題】透明電極に用いられる透明導電性酸化物は導電性を上げるための一つの手法として膜厚を上げることがあるが、膜厚を上げると透過率が低下するという課題があり、膜厚を上げることなく導電性を向上する必要があった。
【解決手段】基材上に形成された透明電極であって、該透明電極が、基材上に炭素系薄膜層が形成されており、さらにその上に透明導電性化合物層が形成されており、且つ該透明導電性化合物層はその一部が炭素系薄膜に入り込んでいることを特徴とする透明電極。 （もっと読む）

【課題】意匠面の薄膜形成領域だけに、薄膜を安定的に且つ確実に形成可能とされた薄膜形成用マスキング装置を提供する。
【解決手段】第一のマスキング部３４にて、基板１２の意匠面１６の薄膜非形成領域をマスキングすると共に、第二のマスキング部３８にて、基板１６の非意匠面１８の少なくとも一部をマスキングした状態下で、それら第一及び第二のマスキング部３４，３８に設けられた第一及び第二の板状突出部３２，３６が、基板１２の意匠面１６の薄膜非形成領域の周囲において、互いに非接触な状態でオーバーラップして配置されるように構成した。 （もっと読む）