【課題】蛍光体や通信素子としての特性に優れたＧａＮ薄膜を得るために、スパッタ法により、低コストで高純度かつ結晶性が良好なＧａＮ薄膜が形成可能なスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】蛍光体用薄膜や通信素子用薄膜のＧａＮ薄膜のスパッタ法による形成において、スパッタリングターゲットを、白色ＧａＮ原料粉末の焼結により得られ、酸素濃度が１．５％以下であり、Ｚｎ含有量が０．１％以下である白色ＧａＮ焼結体により構成する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングの際のパーティクルの発生を効果的に低減し、かつ、Ｎａを始めとするアルカリ金属不純物による汚染防止を図ることができるバッキングプレートを簡便に得られるバッキングプレートの製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタリングターゲット２を保持するバッキングプレート１を製造する方法において、前記バッキングプレート１表面の前記スパッタリングターゲットが接合される領域以外、すなわち、外周部１ａ及び側周面１ｂの少なくとも一部を、レーザ加工により凹凸を形成して粗面化する工程を経る。 （もっと読む）

【課題】無水希土類塩化物よりも安価な希土類金属を原料に用いて、高収率で安全に、希土類オキソイソプロポキシドを合成する方法を提供する。
【解決手段】イソプロピルアルコールを９０重量％以上含む溶媒中で希土類金属とイソプロピルアルコールを水銀化合物触媒存在下で反応させた後、溶媒を添加または一部交換し、炭素数６〜１０の芳香族炭化水素溶媒または炭素数５〜１２の飽和炭化水素溶媒を２５重量％以上含む溶媒中で、水を添加し、部分加水分解反応させることにより、希土類オキソイソプロポキシドを合成する。 （もっと読む）

【課題】低ガスであり、かつ、結晶粒の微細化が図られ、安定供給可能な焼結スパッタリングターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｍｎ，Ｂ，ＢｉまたはＧｅの単体金属と、Ｘ，Ｙを含む合金または焼結体（Ｘ：Ｍｎ，Ｂ，Ｂｉ，Ｃｏ，ＮｉおよびＦｅのうちのいずれか１種。Ｙ：Ａｇ，Ａｌ，Ａｓ，Ｂ，Ｂｉ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｄｙ，Ｈｆ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｆｅ，Ｉｎ，Ｍｇ，Ｍｎ，Ｍｏ，Ｌａ，Ｎｂ，Ｎｉ，Ｐｒ，Ｓｂ，Ｓｉ，Ｓｎ，Ｓｒ，Ｔａ，Ｔｂ，Ｔｅ，Ｔｉ，Ｒｈ，Ｚｎ，Ｚｒ，ＶおよびＷのうちのいずれか１種以上の金属または合金。）とをそれぞれ溶融し、粉砕法または高速急冷法により粉末を作製する工程、脱ガス・混合し、成形・焼結させる工程、切削・研磨加工を施す工程とを経て、平均粒径０．１〜３００μｍの結晶粒を５０％以上含み、含有ガス量６００ｐｐｍ以下のターゲット材を得る。 （もっと読む）

【課題】室温〜５０℃で液体であり、蒸留精製が可能で、単量体で蒸気圧が高く、量産しやすいシクロペンタジエニル系ストロンチウム化合物により、ストロンチウム含有薄膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】Ｓｒ源として、ビス（プロピルテトラメチルシクロペンタジエニル）ストロンチウムを用いて、化学気相成長法または原子層堆積法により、ＳｒＴｉＯ₃または（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ₃膜等のストロンチウム含有薄膜を形成する。
【選択図】なし （もっと読む）

【課題】室温〜５０℃で液体であり、蒸留精製が可能で、単量体で蒸気圧が高く、量産しやすいシクロペンタジエニル系ストロンチウム化合物によるストロンチウム含有薄膜形成用原料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｎａ［Ｃ₅（ＣＨ₃）₄（Ｃ₃Ｈ₇）］₂もしくはＫ［Ｃ₅（ＣＨ₃）₄（Ｃ₃Ｈ₇）］₂とＳｒＩ₂をＴＨＦ中で反応させ、Ｓｒ［Ｃ₅（ＣＨ₃）₄（Ｃ₃Ｈ₇）］₂のＴＨＦ付加体を生成させる工程と、ＴＨＦを留去し、トルエンで抽出してトルエン溶液とする工程と、トルエンを留去し、減圧乾燥する工程と、真空下で１００〜１６０℃に加熱し、ＴＨＦを解離除去した後、蒸留する工程とを経て、Ｓｒ［Ｃ₅（ＣＨ₃）₄（Ｃ₃Ｈ₇）］₂を製造する。 （もっと読む）

【課題】高スループットでかつ原料の気相化を２００℃以下の低温で行うことができ、高アスペクト比の孔内にも高カバレッジでかつ均一な組成で成膜することができるＳｒＴｉＯ_３膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】処理容器内に基板を配置し、基板を加熱し、気体状のＴｉ原料と、気体状のＳｒ原料と、気体状の酸化剤とを処理容器内に導入して基板上にＳｒＴｉＯ_３膜を成膜するにあたり、Ｓｒ原料として、Ｓｒ（Ｃ_５（ＣＨ_３）_５）_２を用い、かつ、気体状のＴｉ原料を処理容器内に導入して基板上に吸着させる工程と、気体状の酸化剤を前記処理容器内に導入して吸着されたＴｉ原料を分解して酸化膜とする工程と、気体状のＳｒ原料を処理容器内に導入して従前の膜の上に吸着させる工程と、気体状の酸化剤を処理容器内に導入してＳｒ原料を分解して酸化膜とする工程とを順次行い、これらを１サイクルとして複数サイクル繰り返す。 （もっと読む）

【課題】酸化ストロンチウムを含有する膜を化学気相成長法や原子層堆積法により形成するための好適な原料であるビス（ペンタメチルシクロペンタジエニル）ストロンチウムを量産することができる製造方法を提供する。
【解決手段】ペンタメチルシクロペンタジエニルナトリウムとヨウ化ストロンチウムをテトラヒドロフラン中で反応させ、ビス（ペンタメチルシクロペンタジエニル）ストロンチウムのテトラヒドロフラン付加体を生成させる工程と、テトラヒドロフランを留去し、トルエンで抽出してトルエン溶液とする工程と、トルエンを留去し、減圧乾燥後、真空下で２回以上昇華させる工程とを経ることにより、ビス（ペンタメチルシクロペンタジエニル）ストロンチウムを得る。 （もっと読む）

【課題】化学気相成長法において、ビス（エチルシクロペンタジエニル）ルテニウムを用いてルテニウム膜を形成する際に、インキュベーション時間の短縮を図ることができるルテニウム膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】化学気相成長法によるルテニウム膜形成原料として、ビス（エチルシクロペンタジエニル）ルテニウムに、１２０℃以上２４０℃以下で熱分解するルテニウム化合物を０．０１モル％以上５モル％以下添加して溶解させた組成物を用いる。 （もっと読む）

【課題】溶液気化方式で原料を供給するＣＶＤ法でペロブスカイト構造強誘電体であるＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ，Ｎｂ）Ｏ₃膜を形成するために好適な新規Ｎｂ化合物およびその製造方法ならびにＣＶＤ法によりＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ，Ｎｂ）Ｏ₃膜を形成するための前記Ｎｂ化合物を用いた原料溶液を提供する。
【解決手段】ニオブペンタアルコキシド１ｍｏｌとジイソブチリルメタン１ｍｏｌを不活性炭化水素溶媒中で加熱還流後、溶媒と未反応原料を留去し、次いで、蒸留することにより、新規化合物ニオブテトラアルコキシジイソブチリルメタネートＮｂ（ＯＲ）₄（ｄｉｂｍ）（ここで、Ｒは炭素数１〜４の直鎖または分岐のアルキル基を表す。）を製造し、この新規Ｎｂ化合物を、原料供給を溶液気化方式で行うＣＶＤ法によりＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ，Ｎｂ）Ｏ₃膜を形成するための原料溶液に用いる。 （もっと読む）