化学；冶金 | 金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般 | 金属質への被覆；金属材料による材料への被覆；表面への拡散，化学的変換または置換による，金属材料の表面処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般 | 被覆形成材料の真空蒸着，スパッタリングまたはイオン注入法による被覆 | 被覆材料に特徴のあるもの

酸化物
ガラスまたはシリカ
有機質材料
金属質材料，ほう素またはけい素

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【課題】本発明は、高アンチニュートンリング性を有するハードコート層を用いた場合でも、高入力耐久性に優れたタッチパネル用透明電極付き基板を提供することを目的とする。
【解決手段】透明基板上に少なくともハードコート層、酸化インジウムを主成分とする透明電極層、水素含有量が５〜３０ａｔｍ％であるＤＬＣ層がこの順に形成されており、前記ハードコート層に数平均粒子径が２．０〜８．０μｍである前記粒子が１．０ｍｍ×１．０ｍｍの範囲内に３００〜３０００個含まれ、前記ハードコート層の膜厚が前記粒子の平均粒子径以下であり、該透明電極付き基板の透明電極層面の算術平均粗さ（Ｒａ）が０．０５〜０．５０μｍであることを特徴とする、タッチパネル用透明電極付き基板。

【課題】小径低速切削あるいは高速重切削等で、硬質被覆層の耐欠損性、耐剥離性、付着強度に優れるヘテロエピタキシャル界面を有する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ超硬基体表面に、柱状晶組織のＴｉＡｌＮ層を物理蒸着で被覆形成した表面被覆切削工具であって、ＷＣ超硬基体表面とＴｉＡｌＮ層との界面において、[０００１]_ＷＣ と [１１０]_{ＴｉＡｌＮ}が平行、かつ、 [１０−１０] _ＷＣ と [００１] _{ＴｉＡｌＮ} が平行である結晶粒の界面長さをＸ_Ａ、また、[０００１]_ＷＣ と[１１１]_{ＴｉＡｌＮ}が平行、かつ、[１１−２０] _ＷＣと[１１０] _{ＴｉＡｌＮ}が平行である結晶粒の界面長さをＸ_Ｃとした場合に、１＞（Ｘ_Ａ＋Ｘ_Ｃ）／Ｘ≧０．３、（但し、Ｘは界面の全長）を満足するヘテロエピタキシャル界面を有する表面被覆切削工具。

【課題】金属配線膜のドライエッチングレートの低下やエッチング残渣を発生させることがなく、また該金属配線膜のヒロック耐性や電気抵抗率が抑制され、更に該金属配線膜と直接接続する透明導電膜や酸化物半導体層とのコンタクト抵抗率が抑制された薄膜トランジスタ基板、及び該薄膜トランジスタ基板を備えた表示デバイスを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ基板であって、金属配線膜は、ドライエッチング法によるパターニングで形成された、Ｎｉ：０．０５〜１．０原子％、Ｇｅ：０．３〜１．２原子％、Ｌａおよび／またはＮｄ：０．１〜０．６原子％を含有するＡｌ合金膜とＴｉ膜とからなる積層膜あって、該Ｔｉ膜が、該酸化物半導体層と直接接続していると共に、該Ａｌ合金膜が、該透明導電膜と直接接続している。

【課題】 光の反射率を低下させることなく反りの発生を抑制できるハーフミラー基板の製造方法、およびハーフミラー基板を提供する。
【解決手段】 本実施例のハーフミラー基板１は、ＰＭＭＡ基板１０と、ＰＭＭＡ基板１０の裏面に形成される反射膜層３０と、を有する。反射膜層３０は、ＰＭＭＡ基板１０表面に形成されてなる金属反射膜（Ｓｎ膜３１）と、Ｓｎ膜３１を覆うように形成される保護膜（ＳｉＯ膜３２）と、からなる。Ｓｎ膜３１の表面には、ＳｎＯ₂を主たる成分とする酸化Ｓｎ層３３が形成されている。また、ＳｉＯ膜３２は、低い水蒸気バリア性を有する。

【課題】薄膜の組成を長時間一定に保ちながら、スカンジウムアルミニウム窒化物膜を製造する方法を実現する。
【解決手段】本発明に係るスカンジウムアルミニウム窒化物膜の製造方法は、上記課題を解決するために、窒素ガスを含む雰囲気下で、スカンジウムアルミニウム合金を用いてスパッタリングを行うスパッタリング工程を含む。

【課題】長寿命化させたせん断用金型及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】本発明に係るせん断用金型１は、一対の基材の間に配置される板材２を当該基材によりせん断するせん断用金型１であって、前記基材の表面のうち、少なくとも、曲面の領域と、前記板材２の表面に対向するとともに前記曲面から前記基材の面に沿って３００μｍまでの領域とに、アークイオンプレーティング法により形成された硬質皮膜を備え、前記硬質皮膜は、Ａｌと、ＴｉおよびＣｒのうちの１種以上と、を含有するとともに、膜厚が１μｍ以上、５μｍ以下であり、さらに、前記曲面の領域と、前記曲面から前記基材の面に沿って３００μｍまでの領域と、に形成された前記硬質皮膜の表面において、長さ１０ｍｍの線分上に存在する直径２０μｍ以上の金属粒子の個数が２個以下であることを特徴とする。

【課題】高品質のデバイス層が作製可能で、かつＧａＡｓ基板の剥離が容易な化合物半導体ウェハ、及び化合物半導体デバイス用ウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板上にデバイス層を有する化合物半導体ウェハ１０において、ＧａＡｓ基板１とデバイス層３の間に劈開性の優れた層状化合物からなる剥離層２を備えたものである。

【課題】硬度が高く、かつ摩擦係数が低い硬質皮膜及びその簡便な製造方法を提供すること。
【解決手段】下記式（１）
（Ｗ_１−ｘＡｌ_ｘ）（Ｎ_ｙＯ_１−ｙ）_ｚ （１）
［ただし、０．１８≦ｘ≦０．７であり、０．８５≦ｙ≦１であり、かつ、０．５≦ｚ≦１．２である。］
で示される窒化物からなり、かつその結晶構造が立方晶のみからなる硬質皮膜とする。当該硬質皮膜は、スパッタリング法又はイオンプレーティング法により成膜することにより製造することができる。

【課題】 光学素子成形用型の型母材にＦＣＶＡ法によってｔａＣ膜を成膜する工程において、開角の大きな凸形状の型の周辺の傾斜部の膜質が劣るのを防ぐ。
【解決手段】 光学素子成形用型の型母材１０に、ＦＣＶＡ法によりｔａＣ膜１２を成膜する工程で、型母材１０を浮遊電位に保ち、絶縁部材３ａ、３ｂを介して型母材１０を保持する型母材保持部材２に電圧を印加する。また、型母材１０に内設した磁石４によって、型母材１０の転写面の法線方向に磁力を作用させる磁場を形成することで、膜質を均一化する。

【課題】形成した薄膜のひび割れ耐性、可撓性に優れ、低抵抗で高光透過性の積層型透明導電性フィルムを提供する。
【解決手段】透明プラスチックフィルムの上に、第１のＩＴＯ膜（Ａ_１）、金属膜（Ｍ）、第２のＩＴＯ膜（Ａ_２）をこの順で積層した積層膜ユニットを有する積層型透明導電性フィルムであって、該透明プラスチックフィルムの厚さが、１００μｍ以上、１５０μｍ以下であり、該第１のＩＴＯ膜（Ａ_１）の膜厚をｈ_Ａ１とし、該第２のＩＴＯ膜（Ａ_２）の膜厚をｈ_Ａ２としたとき、ｈ_Ａ１＞ｈ_Ａ２の関係を満たし、かつ該積層膜ユニットの総膜厚が、１００ｎｍ以下であることを特徴とする積層型透明導電性フィルム。

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