【課題】透明導電層上に金属層が形成された導電性積層体において、金属層をエッチングにより除去した際の透明導電層の抵抗の上昇を抑制する。
【解決手段】本発明の導電性積層体は、透明基材１の少なくとも一方の面に、少なくとも２層の透明導電性薄膜からなる透明導電性薄膜積層体２および金属層３がこの順に形成されている。透明導電性薄膜積層体２において、金属層３に最近接である第一透明導電性薄膜２１は、金属酸化物層または主金属と１種以上の不純物金属を含有する複合金属酸化物層であり、第一透明導電性薄膜以外の透明導電性薄膜２２は、主金属と１種以上の不純物金属を含有する複合金属酸化物層である。第一透明導電性薄膜２１における不純物金属の含有比が、前記透明導電性薄膜積層体２を構成する各透明導電性薄膜における不純物金属の含有比の中で最大ではないことにより、上記課題が解決される。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子において、インジウム組成の大小に対応したピーク波長が異なる複数の光を得る。
【解決手段】ｐｎ接合型のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子であって、第１の導電型を有する第１の半導体層、発光層及び第１の導電型とは逆の導電性を示す第２の半導体層が積層された積層半導体層を備え、積層半導体層の発光層は、発光層からの発光の取り出し方向と反対側に配置され第１のインジウム組成を有する第１の窒化ガリウム・インジウム層と、第１の窒化ガリウム・インジウム層より発光の取り出し方向側に配置され第１のインジウム組成より小さい組成の第２のインジウム組成を有する第２の窒化ガリウム・インジウム層と、第１の窒化ガリウム・インジウム層と第２の窒化ガリウム・インジウム層との間に設けられ、第１の窒化ガリウム・インジウム層及び第２の窒化ガリウム・インジウム層を構成する材料より格子定数が小さい材料からなる中間層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】圧電特性に優れ且つ信頼性の高い圧電膜素子及び圧電膜デバイスを提供する。
【解決手段】基板１上に、少なくとも下部電極層２と、非鉛のアルカリニオブ酸化物系の圧電膜４とを配した圧電膜素子１０において、前記下部電極層２は、立方晶、正方晶、斜方晶、六方晶、単斜晶、三斜晶、三方晶のいずれかの結晶構造、またはこれら結晶構造のうちの二以上の結晶構造が共存した状態を有し、前記結晶構造の結晶軸のうちの２軸以下のある特定の結晶軸に優先的に配向しており、前記基板１上における少なくとも一つの前記結晶軸を法線とした結晶面のＸ線回折強度分布において、前記結晶面のＸ線回折強度の相対標準偏差が５７％以下である。 （もっと読む）

【課題】封止膜の形成工程以後に処理対象物が１００℃以上に加熱されても、封止膜の表面にしわ（膜異常）が発生しない封止膜形成方法とリチウム二次電池の製造方法を提供する。
【解決手段】
１，３−ビス（イソシアナートメチル）シクロヘキサンと４，４’−メチレンビス（シクロヘキシルイソシアナート）のいずれか一方又は両方からなるイソシアナート材料と、４，４−メチレンビス（シクロヘキシルアミン）と１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンのいずれか一方又は両方からなるアミン材料とを別々に加熱して蒸気を発生させ、蒸気を処理対象物の表面に一緒に到達させてポリ尿素膜１６ａ₂を形成し、アルミナのターゲットをスパッタして、アルミナの粒子をポリ尿素膜１６ａ₂が表面に露出する処理対象物の表面に到達させて、ポリ尿素膜１６ａ₂の表面にアルミナ膜１６ｃ₂を形成する。 （もっと読む）

【課題】窒化リン酸リチウム膜の成膜速度を高めつつ、該窒化リン酸リチウム膜における膜特性の安定性を高めることの可能な窒化リン酸リチウム膜の成膜方法、該方法を用いて窒化リン酸リチウム膜を成膜する装置、及び該方法によって成膜された窒化リン酸リチウム膜を提供する。
【解決手段】
窒素とアルゴンとが含まれる真空槽１１内でリン酸リチウムのターゲット１３をスパッタして窒化リン酸リチウム膜を基板Ｓに成膜する。スパッタ装置のターゲット１３には、インジウム層１４を介して銅からなるバッキングプレート１５が接合され、バッキングプレート１５には、インジウム層１４を温調する冷却水が循環される。スパッタ時には、真空槽１１内の圧力を０．２５Ｐａ以上１．０Ｐａ以下とし、ターゲット１３に３．５Ｗ／ｃｍ^２以上５．７Ｗ／ｃｍ^２以下の電力密度で高周波電力を供給し、インジウム層１４の温度を２０℃以上６０℃以下とする。 （もっと読む）

【課題】 成膜したフッ素含有樹脂からなる有機層と無機層との密着性が高い成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】 成膜方法は、被処理基板２に成膜された無機物からなる無機層３上にフッ素含有樹脂からなる有機層を形成する成膜方法であって、無機層を形成する際に、反応性ガスとして水蒸気を用いた反応性スパッタリングを行って被処理基板上に無機層を形成し、次いで無機層上に有機層を形成する。成膜装置は、この成膜方法を実施できる。 （もっと読む）

【課題】非鉛の圧電膜と下部電極とのエッチング選択性を確保するとともに、高精度に加工することができる圧電膜素子、圧電膜素子の製造方法、及び圧電デバイスを提供する。
【解決手段】圧電膜素子１は、基板２と、基板２上に形成されたＰｔ又はＰｔを主成分とする合金からなる第１の下部電極層４と、第１の下部電極層４上に形成されたＴｉ、Ｃｒ若しくはこれらのいずれかを主成分とする合金の単層又は積層体からなる第２の下部電極層５と、第２の下部電極層５上に形成されたペロブスカイト構造を有する非鉛のアルカリニオブ酸化物系化合物からなる圧電膜７と、圧電膜７上に形成された上部電極とを備える。 （もっと読む）

【課題】Ｔｉ合金、ステンレス鋼等の難削材の高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐熱性および耐溶着性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に硬質被覆層を形成してなる表面被覆切削工具において、硬質被覆層が、（ａ）０．０１〜１μｍの平均層厚を有し、かつ、組成式：（Ａｌ_ａTｉ_１−ａ）N（ａはＡｌの含有割合を示し、原子比で０．４≦ａ≦０．７５）を満足するＡｌとＴｉの複合窒化物からなるＡ層、（ｂ）０．０１〜１μｍの平均層厚を有し、かつ、組成式：（Ａｌ_ｂCｒ_１−ｂ）N（ｂはＡｌの含有割合を示し、原子比で０．４≦ｂ≦０．７５）を満足するＡｌとＣｒの複合窒化物からなるＢ層、（ｃ）０．０１〜１μｍの平均層厚を有する窒化クロムからなるＣ層、前記Ａ層、Ｂ層、Ｃ層からなる単位被覆ユニットを２回以上積層した全体膜厚０．５〜６μｍを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ロール・ツー・ロールで搬送される長尺の樹脂フィルムの両面に金属薄膜を成膜する場合に、第１の面の金属薄膜の表面と第２の面の金属薄膜の表面とがくっつくことによる、しわ、膜剥がれ等の不具合を防ぐことができ、両面積層基板の生産効率を低下させることのない金属薄膜積層基板の製造方法を提案する。
【解決手段】長尺のフィルム基板Ｆの両面に金属薄膜を真空成膜により成膜したのち、該金属薄膜の少なくとも一方の金属薄膜の表面に金属酸化物の薄膜を形成し、その後金属薄膜積層基板Ｆをロール状に巻き取ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】真性に近い単結晶ＧaＮ膜を有し、かつこの膜をｎ形又はｐ形に選択的にドープした半導体デバイスを提供する。
【解決手段】次の要素を有する半導体デバイス：基板であって、この基板は、（１００）シリコン、（１１１）シリコン、（０００１）サファイア、（１１−２０）サファイア、（１−１０２）サファイア、（１１１）ヒ化ガリウム、（１００）ヒ化ガリウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、および炭化シリコンからなる群から選択される物質からなる；約２００Å〜約５００Åの厚さを有する非単結晶バッファ層であって、このバッファ層は前記基板の上に成長した第一の物質を含み、この第一の物質は窒化ガリウムを含む；および前記バッファ層の上に成長した第一の成長層であって、この第一の成長層は窒化ガリウムと第一のドープ物質を含む。 （もっと読む）