【課題】ｐ型ＺｎＯ系半導体層を形成するための新規な技術を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系半導体層の製造方法は、（ａ）下地層上方に、Ｚｎ、必要に応じてＭｇ、Ｏ、Ｎ、及びＴｅを供給して、ＮとＴｅが共ドープされたＭｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（０≦ｘ≦０．６）単結晶膜を形成する工程と（ｂ）Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（０≦ｘ≦０．６）単結晶膜上に、Ｚｎ及びＭｇの少なくとも一方、Ｔｅ、及びＮを供給して、ＮがドープされたＭｇ_ｙＺｎ_１−ｙＴｅ（０≦ｙ≦１）単結晶膜を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】４００℃以下で作製可能であり、２０ｃｍ^２／Ｖｓ以上の高い電界効果移動度と、ノーマリーオフとなる低いオフ電流を両立する薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極１６と、ゲート絶縁膜１５と、Ｉｎ（ａ）Ｇａ（ｂ）Ｚｎ（ｃ）Ｏ（ｄ）（ａ＞０，ｂ＞０，ｃ＞０，ａ＋ｂ＋ｃ＝１，ｄ＞０）で表され、ａ≦３７／６０、ｂ≦９１ａ／７４−１７／４０、ｂ≧３ａ／７−３／１４、ｃ≦３／５を満たす第１の領域Ａ１及びＩｎ（ｐ）Ｇａ（ｑ）Ｚｎ（ｒ）Ｏ（ｓ）（ｑ／（ｐ＋ｑ）＞０．２５０，ｐ＞０，ｑ＞０，ｒ＞０，ｓ＞０）で表され、ゲート電極に対して第１の領域よりも遠くに位置する第２の領域Ａ２を含み、ゲート絶縁膜を介してゲート電極に対向配置されている酸化物半導体層と、酸化物半導体層を介して導通可能なソース電極１３及びドレイン電極１４と、を有する薄膜トランジスタ１。 （もっと読む）

【課題】用途に合わせて要求される電気的特性を備えた酸化物半導体層を用いたトランジスタ、及び該トランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物絶縁膜上に、半導体層、ソース電極層又はドレイン電極層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極層が順に積層されたトランジスタにおいて、該半導体層としてエネルギーギャップの異なる少なくとも２層の酸化物半導体層を含み、かつ積層された酸化物半導体層の間に混合領域を有する酸化物半導体積層を用いる。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶を安定して成長させることができる分子線結晶成長装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】原料を放出する開口１１ａを有する坩堝１１と、坩堝１１の外周及び開口１１ａの縁を覆う遮蔽部材１８と、遮蔽部材１８を冷却する冷却部材２１と、坩堝１１に対向するように基板を保持する基板保持部材と、が設けられている。遮蔽部材１８には、鉛直上方から坩堝１１を覆う被覆部１９が設けられている。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング用ターゲットとして好ましく使用され得る導電性酸化物およびその製造方法を提供する。
【解決手段】結晶質Ｉｎ₂Ｏ₃と、結晶質Ｇａ₂ＺｎＯ₄とを含む導電性酸化物であって、導電性酸化物において、Ｚｎの原子濃度比を１とした場合に、Ｉｎの原子濃度比が０．４以上１．８以下であり、かつ、Ｇａの原子濃度比が０．４以上１．８以下の導電性酸化物とし、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ酸化物のスパッタリング用のターゲットとして用いること。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子において、インジウム組成の大小に対応したピーク波長が異なる複数の光を得る。
【解決手段】ｐｎ接合型のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子であって、第１の導電型を有する第１の半導体層、発光層及び第１の導電型とは逆の導電性を示す第２の半導体層が積層された積層半導体層を備え、積層半導体層の発光層は、発光層からの発光の取り出し方向と反対側に配置され第１のインジウム組成を有する第１の窒化ガリウム・インジウム層と、第１の窒化ガリウム・インジウム層より発光の取り出し方向側に配置され第１のインジウム組成より小さい組成の第２のインジウム組成を有する第２の窒化ガリウム・インジウム層と、第１の窒化ガリウム・インジウム層と第２の窒化ガリウム・インジウム層との間に設けられ、第１の窒化ガリウム・インジウム層及び第２の窒化ガリウム・インジウム層を構成する材料より格子定数が小さい材料からなる中間層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタは、非晶質シリコンを用いたトランジスタと比較して信頼性が劣る場合があった。また、酸化物半導体を用いたトランジスタの電気特性は、基板内、基板間及びロット間において、ばらつきが大きい場合があった。そこで、信頼性が高く、電気特性のばらつきの小さい酸化物半導体を用いた半導体装置を作製する。
【解決手段】ロードロック室と、ロードロック室とゲートバルブを介して接続された搬送室と、搬送室とゲートバルブを介して接続された基板加熱室と、搬送室とゲートバルブを介して接続されたリークレートが１×１０^−１０Ｐａ・ｍ^３／秒以下である成膜室と、を有する成膜装置である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタの電気特性は、基板内、基板間およびロット間において、ばらつきが大きく、熱、バイアスまたは光などの影響で変動が起こる場合がある。そこで、信頼性が高く、電気特性のばらつきの小さい酸化物半導体を用いた半導体装置を作製する。
【解決手段】酸化物半導体を用いたトランジスタにおいて、膜中および膜と膜との界面の水素を排除する。膜と膜との界面の水素を排除するためには、成膜と成膜との間で、基板を真空下で搬送する。また、大気暴露された表面を持つ基板は、熱処理またはプラズマ処理によって、表面の水素を除去する。 （もっと読む）

【課題】より電気伝導度の安定した酸化物半導体膜を提供することを課題の一とする。また、当該酸化物半導体膜を用いることにより、半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】結晶性を有する領域を含み、当該結晶性を有する領域は、ａ−ｂ面が膜表面に概略平行であり、ｃ軸が膜表面に概略垂直である結晶よりなる酸化物半導体膜は、電気伝導度が安定しており、可視光や紫外光などの照射に対してもより電気的に安定な構造を有する。このような酸化物半導体膜をトランジスタに用いることによって、安定した電気的特性を有する、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系半導体層の新規な製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）基板上方に、（Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘ）_３Ｎ_２（０≦ｘ≦０．６）単結晶膜を成長させる工程と、（ｂ）前記の（Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘ）_３Ｎ_２（０≦ｘ≦０．６）単結晶膜を、４００℃以下で、活性酸素により酸化して、Ｍｇ_ｙＺｎ_１−ｙＯ（０≦ｙ≦０．６）単結晶膜を形成する工程と、（ｃ）工程（ａ）及び（ｂ）を繰り返して、Ｍｇ_ｙＺｎ_１−ｙＯ（０≦ｙ≦０．６）単結晶膜を積層する工程とを有するＺｎＯ系半導体層の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】わずかな温度差によって作動させたときでも1Vを超える電圧で動作し、マイクロワット・レベルからワット・レベルの電力が得られる、高性能薄膜熱電対およびそれを製造する方法の提供。
【解決手段】薄膜TEモジュールおよび電源のある態様は、約20cm-1よりも大きく、おそらく通常約100cm-1を超える比較的な大きなL/A比値を有する。この様な大きなL/A比値は、20℃や10℃のような比較的小さな温度差によって作動させたときでも1Vよりもずっと高い電圧を与えるμW〜W電源の製造を可能にする。 （もっと読む）

【課題】キャリア密度の制御された酸窒化物半導体を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層中に、制御された窒素を導入することによって、目的とするキャリア密度及びオン特性を有する酸窒化物半導体をチャネルに用いたトランジスタを作製することができる。さらに、該酸窒化物半導体を用いることによって、酸窒化物半導体層と、ソース電極及びドレイン電極との間に、低抵抗層などを設けなくても、良好なコンタクト特性を示すことができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、移動度が向上し、コンタクト抵抗が低減された半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１１上にゲート電極１２、ゲート絶縁膜１３、ソース・ドレイン電極１４および有機半導体１５がこの順に積層された半導体装置において、有機半導体層１５は、第１の層１５ａと第１の層１５ａよりもグレインサイズの小さい第２の層１５ｂとを備えており、第１の層１５ａがゲート絶縁膜１３側に配置されていることを特徴とする半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型電子ペーパーやディスプレイ、更にはＲＦＩＣタグでは、今後駆動回路一体化と省電力化が求められる。このために薄膜トランジスタの性能面においては高移動度化とＣＭＯＳ化が必要とされる。また生産面においては低コストで環境汚染のない製造方法が求められている。
【解決手段】本発明ではステンシルマスクを通してスパッタ堆積することで、膜をパターン形成した。この結果、汚染物質の使用と放出なしに、簡単な方法で性能のよい薄膜トランジスタとＣＭＯＳ薄膜トランジスタ回路を形成することができた。 （もっと読む）

【課題】六方晶系の非極性面（ａ面、ｍ面）または半極性面で結晶成長させたＡｌＧａＮ混晶と、活性層に用いたＡｌＧａＮ結晶のＡｌＮとＧａＮのモル分率を最適化させ、発光効率を向上させ、低しきい値電流密度化を実現し、深紫外線波長のレーザ光を発生する。
【解決手段】ｍ面基板１０と、ｍ面基板上に配置され，ｎ型不純物をドープされたＡｌＧａＮ層（１２，１４）と、ＡｌＧａＮ層上に配置され，Ａｌ_XＧａ_1-XＮ障壁層とＡｌ_YＧａ_1-YＮ井戸層からなる量子井戸構造を有するＡｌ_XＧａ_1-XＮ/Ａｌ_XＧａ_1-XＮ活性層１６と、Ａｌ_XＧａ_1-XＮ/Ａｌ_XＧａ_1-XＮ活性層上に配置され，ｐ型不純物をドープされたＡｌＧａＮ層（１８，２０）とを備え、ｃ軸が結晶成長の主面の法線方向から４０°〜９０°の範囲内で傾いた面を結晶成長の主面とし、光の電界成分Ｅが主にｃ軸と平行（Ｅ//ｃ）なる偏光特性を示す紫外線窒化物半導体発光素子およびその製造方法。 （もっと読む）