【課題】真性に近い単結晶ＧaＮ膜を有し、かつこの膜をｎ形又はｐ形に選択的にドープした半導体デバイスを提供する。
【解決手段】次の要素を有する半導体デバイス：基板であって、この基板は、（１００）シリコン、（１１１）シリコン、（０００１）サファイア、（１１−２０）サファイア、（１−１０２）サファイア、（１１１）ヒ化ガリウム、（１００）ヒ化ガリウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、および炭化シリコンからなる群から選択される物質からなる；約２００Å〜約５００Åの厚さを有する非単結晶バッファ層であって、このバッファ層は前記基板の上に成長した第一の物質を含み、この第一の物質は窒化ガリウムを含む；および前記バッファ層の上に成長した第一の成長層であって、この第一の成長層は窒化ガリウムと第一のドープ物質を含む。 （もっと読む）

【課題】不良を抑制しつつ微細化を達成した半導体装置を提供すること。また、安定した電気的特性が付与された、信頼性の高い半導体装置を提供すること。
【解決手段】絶縁層に凸状構造体を形成し、該凸状構造体に接して酸化物半導体層のチャネル形成領域を設けることで、チャネル形成領域を３次元方向（基板垂直方向）に延長させる。これによって、トランジスタの微細化を達成しつつ、実効的なチャネル長を延長させることができる。また、凸状構造体の上面と側面とが交わる上端コーナー部に曲面を形成し、酸化物半導体層が当該曲面に垂直なｃ軸を有する結晶を含むように形成する。これによって、酸化物半導体層の可視光や紫外光の照射による電気的特性の変化を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】高品質なＩＩＩ族窒化物を結晶成長させ、高品質な半導体装置を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化サファイア基板をアルカリエッチングし、窒化サファイア基板を清浄化する。その後、ＩＩＩ族窒化物を結晶成長させることにより、極めて高品質なＮ極性結晶を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】より電気伝導度の安定した酸化物半導体膜を提供することを課題の一とする。また、当該酸化物半導体膜を用いることにより、半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】結晶性を有する領域を含み、当該結晶性を有する領域は、ａ−ｂ面が膜表面に概略平行であり、ｃ軸が膜表面に概略垂直である結晶よりなる酸化物半導体膜は、電気伝導度が安定しており、可視光や紫外光などの照射に対してもより電気的に安定な構造を有する。このような酸化物半導体膜をトランジスタに用いることによって、安定した電気的特性を有する、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製することを課題の一とする。
【解決手段】絶縁表面上に膜厚が１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の第１の材料膜（六方晶の結晶構造を有する膜）を形成し、第１の材料膜を核として、六方晶の結晶構造を有する第２の材料膜（結晶性酸化物半導体膜）を形成し、第１の材料膜と第２の材料膜の積層を形成する。第１の材料膜としては、ウルツ鉱型結晶構造を有する材料膜（例えば窒化ガリウム、或いは窒化アルミニウム）、或いはコランダム型結晶構造を有する材料膜（α−Ａｌ_２Ｏ_３、α−Ｇａ_２Ｏ_３、Ｉｎ_２Ｏ_３、Ｔｉ_２Ｏ_３、Ｖ_２Ｏ_３、Ｃｒ_２Ｏ_３、或いはα−Ｆｅ_２Ｏ_３）を用いる。 （もっと読む）

【課題】発光効率を向上させた発光素子を提供する。
【解決手段】
本発明の発光素子は、結晶成長面を有する単結晶基板１２であって、結晶成長面１２は複数の凸部１２ａと、複数の凸部１２ａ同士の間にそれぞれ設けられ、かつ複数の凸部１２ａから離隔する位置に設けられる凹部１２ｂと、を備える単結晶基板１２と、単結晶基板１２上に設けられ、複数の凸部１２ａのうち、一対の互いに隣接する凸部１２ａと、当該一対の凸部１２ａ同士の間に位置する凹部１２ｂにおいて、凹部１２ｂと一対の凸部１２ａとの間に位置する両結晶成長面から一対の凸部１２ａ同士の間に向かって延びる複数の転位１６を、一対の凸部１２ａ同士の間で結合させた光半導体層１３と、を有する。 （もっと読む）

【課題】スパッタ法により、酸化物半導体膜上に薄膜を成膜する際に、酸化物半導体膜のプラズマダメージを膜面内均一性良く抑制して成膜する。
【解決手段】基板Ｂ上に成膜された、Ｉｎと、Ｇａ，Ｚｎ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｎ，Ｓｂ，ＣｄおよびＧｅからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素とを含む酸化物半導体膜１上に、基板ＢとターゲットＴとを対向させて、プラズマを用いるスパッタ法によりターゲットＴの構成元素を含む薄膜２を形成する成膜方法において、薄膜２の成膜時のプラズマ中のプラズマ電位Ｖｓ（Ｖ）と、基板Ｂの基板電位Ｖｓｕｂ（Ｖ）との電位差を０Ｖ超２０Ｖ以下とする。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣを用いた半導体装置を効率よく製造するための半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第１および第２の裏面Ｂ１、Ｂ２の各々が一の方向を向き、かつ第１および第２の側面Ｓ１、Ｓ２が互いに対向するように、第１および第２の炭化珪素基板１１、１２が配置される。この配置する工程の後に、第１および第２の裏面Ｂ１、Ｂ２を互いにつなぎ、かつ第１および第２の側面Ｓ１、Ｓ２が互いに対向する空間を埋めるように、第１および第２の炭化珪素基板１１、１２上に炭化珪素層３０が分子線エピタキシ法によって形成される。 （もっと読む）

本開示は、概して、制御された量子ドットを成長させる技法、および量子ドットの構造に関する。いくつかの例では、基板を用意することと、基板上に欠陥を形成することと、基板上に層を堆積することと、欠陥に沿って量子ドットを形成することとのうちの１つまたは複数を含む方法が記載されている。
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【課題】製造歩留まりを低下させるドロップレット発生を低減、かつ良好な結晶性を有する化合物エピタキシャル層製造方法を提供。
【解決手段】ＺｎＯ基板上の化合物エピタキシャル層形成方法で、（ａ）ＺｎＯ基板の成長面が、｛０００１｝面で、（ｂ）化合物エピタキシャル層を形成するための元素の全てまたは一部を、基板上の成長面に間欠的に供給し、供給継続時間Ｔｏｎ（ｓｅｃ）と供給休止時間Ｔｏｆｆ（ｓｅｃ）が、論理式：（Ｂ−１）ａｎｄ｛（Ｂ−２）ｏｒ（Ｂ−３）ｏｒ（Ｂ−４）｝、ここで（Ｂ−１）１×１０^−６ｓｅｃ≦Ｔｏｆｆ≦１×１０^−２ｓｅｃ、１×１０^−６ｓｅｃ≦Ｔｏｎ≦１×１０^−２ｓｅｃ（Ｂ−２）２×１０^−３ｓｅｃ＜Ｔｏｆｆ≦１×１０^−２ｓｅｃ（Ｂ−３）０．０１％≦Ｔｏｎ／（Ｔｏｎ＋Ｔｏｆｆ）＜５％（Ｂ−４）１×１０^−６ｓｅｃ≦Ｔｏｆｆ＜５×１０^−５ｓｅｃ、１×１０^−６ｓｅｃ≦Ｔｏｎ＜５×１０^−５ｓｅｃを満たす。 （もっと読む）

【課題】大口径の厚いＡｌＮ結晶を安定して成長させることができるＡｌＮ結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本ＡｌＮ結晶の成長方法は、１０００μｍ以上のパイプ径を有するマイクロパイプ４ｍｐの密度が０ｃｍ^-2でありかつ１００μｍ以上１０００μｍ未満のパイプ径を有するマイクロパイプ４ｍｐの密度が０．１ｃｍ^-2以下である主面４ｍを有するＳｉＣ基板４を準備する工程と、気相法により主面４ｍ上にＡｌＮ結晶５を成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】結晶性の良い鉄シリサイド強磁性体Ｆｅ_３Ｓｉを得る。
【解決手段】Ｓｉ基板１の表面を熱酸化して極薄の酸化膜２を形成する（図(a) 及び(b) 参照）。基板温度を１０℃から４００℃の範囲の適当な温度に保持した状態で、該酸化膜２の表面にＦｅ３とＳｉ４とをほぼ３：１の蒸着速度比で同時蒸着させる。室温付近の基板温度で蒸着させた場合にはＦｅ_３Ｓｉのアモルファスが形成され、４００℃に近い基板温度で蒸着させた場合には、モノシリサイド（Ｃ−ＦｅＳｉ）を含有したＦｅ_３Ｓｉが形成されるが、いずれの場合にも適正な温度でアニールすれば、鉄シリサイド強磁性体Ｆｅ_３Ｓｉの結晶が得られる。 （もっと読む）

結晶支持構造１１０をその上に有する基板１１５とＩＩＩ−Ｖ結晶２１０を備えるデバイス１００。ＩＩＩ−Ｖ結晶は、結晶支持構造の１つの単一接触領域１４０上にある。接触領域の面積は、ＩＩＩ−Ｖ結晶の表面積３２０の約５０パーセント以下である。
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【課題】ＭＢＥ法を用いてIII−Ｖ化合物半導体膜を堆積するためのＭＢＥ用エピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】ＭＢＥ用エピタキシャル基板１１は、ＧａＡｓ、ＩｎＰといったIII−Ｖ化合物半導体単結晶ウエハ１３と、ＭＢＥ法を用いてIII−Ｖ化合物半導体膜を堆積するための表面１５ａを有するホモエピタキシャル膜１５とを含む。半導体単結晶ウエハ１３とホモエピタキシャル膜１５との界面１７における炭素濃度、酸素濃度、シリコン濃度は４×１０^１８個／ｃｍ^３未満、１×１０^１８個／ｃｍ^３未満、４×１０^１８個／ｃｍ^３未満である。III−Ｖ化合物半導体膜１７をＭＢＥ法で堆積するに先立って、半導体単結晶ウエハ１３の研磨面１３ａ上にホモエピタキシャル膜１５を形成すると、ウエハ主面のケミカルエッチング処理の有無に関するIII−Ｖ化合物半導体膜１７の光学特性の依存性が低減される。 （もっと読む）

【課題】 結晶成長方法及び結晶成長装置に関し、基板とエピタキシャル層との格子定数の差を、用いられる物質により一義的決定されることなく一定程度の範囲で任意に設定する。
【解決手段】 湾曲させた基板１上にエピタキシャル成長をさせる。 （もっと読む）