【課題】透明導電性酸化物膜の表面の表面最大粗さ（Ｒｐｖ）が小さな透明導電性酸化物膜付基板を好適に製造し得る方法を提供する。
【解決手段】基板の上に透明導電性酸化物膜を形成する。研磨剤を含まない酸性溶液またはアルカリ性溶液を透明導電性酸化物膜の表面に供給しながら擦る処理工程を行う。 （もっと読む）

【課題】外部からの圧力印加による透明導電層の基板からの剥離が防がれた導電性基板の製造方法及びその導電性基板の提供。
【解決手段】複数の反応性官能基を有する光硬化性プレポリマーを少なくとも一つ含有する光硬化性層２２を基板２１に形成する工程と、光硬化性層２２の一部を遮蔽するようにパターンマスク３１を配置する工程と、第一の光源Ｌ１を用いて光硬化性層２２を露光して、光硬化性層２２の第一の領域２２１を硬化させる第１の露光工程と、パターンマスク３１を除去する工程と、第二の光源Ｌ１を用いて光硬化性層２２を露光して、光硬化性層２２の硬化されていない第二の領域２２２を硬化させ、第一と第二の領域２２１、２２２との表面高度が異なることで微細構造が基板２１に形成される第２の露光工程と、前記微細構造に導電層２３を形成する工程とを備えた導電性基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】異なる組成のスパッタリングターゲットを使用して、インラインで積層し、短時間の加熱処理で結晶性を有することができ、低抵抗の透明導電膜を有した透明導電性積層体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明導電膜はＩｎ、Ｓｎ、Ｏを主成分とし、Ｓｎの含有量が１重量％以上４重量％以下であるインジウム・スズ複合酸化物からなる第一透明導電膜３ａと、同じくＩｎ、Ｓｎ、Ｏを主成分とし、Ｓｎの含有量が４重量％超え、１０重量％以下であるインジウム・スズ複合酸化物からなる第二透明導電膜３ｂで形成され、前記第一及び第二透明導電膜の膜厚がそれぞれ１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下であり、両者の透明導電膜の合計厚みが２０ｎｍ以上４０ｎｍ以下であり、真空中で加熱温度が１２０℃以上２００℃以下であり、加熱時間が１分以上、３０分以下の条件で加熱処理することで前記第一及び第二透明導電膜のいずれも結晶化することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】１５０℃以下の低い基板温度の成膜によっても、比抵抗が５×１０^-3Ω・ｃｍ以下、可視波長（４００ｎｍ〜８００ｎｍ）において９８％以上の高い透過率を有する結晶性の透明導電膜を提供する。
【解決手段】Ｓｎ／Ｉｎが０．０１９〜０．１０２であり、かつ、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｃｏ）が０．７７１〜０．９６７、Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｃｏ）が０．０１６〜０．０９１、Ｃｏ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｃｏ）が０．０１５〜０．１５であり、相対密度が９８％以上、比抵抗が５×１０^-3Ω・ｃｍ以下である酸化物焼結体をスパッタリングターゲットとして成膜して透明導電膜を得る。 （もっと読む）

【課題】純すずターゲット材料がマグネトロンスパッタ法を利用したフッ素ドープ酸化すず薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】高純度すずをマグネトロンスパッタリングのターゲット材料として、マグネトロンスパッタの生産プロセスにおいて、反応ガス四フッ化炭素（ＣＦ_４）と酸素（Ｏ_２）を導入する。四フッ化炭素（ＣＦ_４）は、作業ガスによって励起されるプラズマがフッ化物（Ｆ）イオンとフッ化物（Ｆ）励起状態原子を分離し、すずターゲット材料と合わせて、基板上にフッ素ドープ酸化すず薄膜を形成することにより、生産コストを軽減でき、フッ素ドープ酸化すず薄膜の品質を向上できる。 （もっと読む）

【課題】加熱処理によって透明導電体層が結晶化されている場合であっても、パターニングによって生じる段差を小さく抑えることができ、さらに、加熱処理において、剥がれ、発泡などの外観不具合を生じない粘着剤層付き透明導電性フィルムを提供すること。
【解決手段】粘着剤層として、（メタ）アクリル系ブロック共重合体（Ａ）と架橋剤（Ｂ）とを含むものを使用する。（メタ）アクリル系ブロック共重合体（Ａ）は、ガラス転移温度が異なる（メタ）アクリル系重合体セグメント（ｃ）および（メタ）アクリル系重合体セグメント（ｄ）を有するものとし、少なくとも一方の重合体セグメント中に、架橋性官能基（ｅ）を有するモノマー単位を含むものとする。 （もっと読む）

【課題】 樹脂フィルムに比べて伸び難く且つ割れやすい長尺ガラスフィルムに対して熱負荷の掛かる表面処理を連続的に施す方法を提供する。
【解決手段】 巻出ロール２１０から連続的に引き出された長尺ガラスフィルムＧを搬送経路に沿って搬送しながら順に加熱処理、表面処理および冷却処理を施す長尺ガラスフィルムＧの処理方法であって、前記表面処理では長尺ガラスフィルムＧの一方の面を熱媒で加熱されたキャンロール２３３の外周面上に接触させながら他方の面にスパッタリング等の熱負荷の掛かる処理を施し、前記搬送経路における前記表面処理と前記加熱処理との間および／または前記冷却処理の後において例えばアキュムレータロールを用いて長尺ガラスフィルムＧの伸縮を調整する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成・制御で高い品質の透明導電膜を生成する。
【解決手段】Ｉｎ−Ｓｎ合金膜１２０をガラス基板１２上に成膜し、成膜されたＩｎ−Ｓｎ合金膜１２０を、エッチングしてパターニングした後、水蒸気生成装置４２の処理室４００に格納する。水蒸気生成装置４２によって水蒸気を生成させて、その基板１２を格納する処理室４００に水蒸気を導入する。Ｉｎ−Ｓｎ合金膜１２０が水蒸気に曝された状態を所定の時間保持することで、ＩＴＯ膜１４０となるようにＩｎ−Ｓｎ合金膜１２０を酸化反応させる。 （もっと読む）

【課題】従来よりも抵抗値の低いＩｎ_２Ｏ_３系酸化物導電膜を形成することができる酸化物を提供する。
【解決手段】インジウム元素（Ｉｎ）及びガリウム元素（Ｇａ）を含有し、Ｘ線回折において、２θ＝１２〜１８度、２１〜２４度及び４３〜４５度に回折ピークを有する酸化物。 （もっと読む）

【課題】蒸着法にてＩＴＯ膜を成膜する場合に、酸素濃度の低下を防止して、ＩＴＯ膜の低抵抗化を図ることができる成膜方法を提供する。
【解決手段】Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ系の材料を蒸発材料３とし、この蒸発材料３を蒸着室１ａ内に配置して減圧下にて蒸発させ、この蒸着室１ａ内に配置した基板Ｗ表面に蒸着により透明導電膜を成膜する成膜方法において、成膜時に蒸着室１ａ内に酸素ガスと水蒸気ガスとを導入する。蒸着室１ａ内で水蒸気ガスを導入するガス導入口８３ａを基板Ｗの蒸着面に向け、基板Ｗに向かって直接水蒸気ガスが供給されるようにする。 （もっと読む）

【課題】 ダメージが少なく均質な膜を形成可能な成膜装置や、当該成膜装置により形成される膜を電極として用いる発光装置を提供する。
【解決手段】 成膜装置１は、ターゲットＴａの側方を囲うように配置されるシールド部６と、ターゲットＴａの裏面側に配置されて磁場を発生する棒状の磁場発生部４と、ターゲットＴａの表裏方向に対して垂直な面である水平面内で磁場発生部４の長手方向に対して垂直な方向である駆動方向に沿って磁場発生部４を直線的に往復駆動する駆動部５と、を備える。磁場発生部４が駆動部５によって駆動される範囲の端に位置するとき、磁場発生部４と、シールド部６を水平面に対して垂直に投影したときの射影との駆動方向における距離は、１０ｍｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】 低圧下でマイクロ波プラズマを生成可能なマイクロ波プラズマ生成装置、および表面の凹凸が小さい薄膜を形成可能なマグネトロンスパッタ成膜装置を提供する。
【解決手段】 マイクロ波プラズマ生成装置４は、マイクロ波を伝送する矩形導波管４１と、該マイクロ波が通過するスロット４２０を有するスロットアンテナ４２と、スロット４２０を通過した該マイクロ波が入射する誘電体部４３と、を備え、スロット４２０から誘電体部４３へ入射する該マイクロ波の入射方向は、マイクロ波プラズマＰ１が生成される誘電体部４３の表面４３０に平行である。マグネトロンスパッタ成膜装置１は、マイクロ波プラズマ生成装置４を備え、基材２０とターゲット３０との間にマイクロ波プラズマＰ１を照射しながら、マグネトロンプラズマＰ２による成膜を行う。 （もっと読む）

【課題】ステンレス鋼板の表面に微細な粗面化テクスチャーを均一に形成させる技術であって、特に薄膜Ｓｉ太陽電池の基板に好適な技術を提供する。
【解決手段】フェライト系ステンレス鋼板を、ｐＨが１１.０以上の水溶液中で−０.５〜−２.２Ｖｖｓ.ＳＣＥの電位で陰極電解することにより、不動態皮膜の膜厚を４.０ｎｍ以下とする工程（陰極電解工程）、
前記陰極電解工程を終えた鋼板を、ＦｅＣｌ₃濃度２〜５０質量％、ＨＣｌ濃度０.１〜２０質量％の塩化第二鉄＋塩酸混合水溶液中に浸漬することにより表面にピットを発生させ、表面に占めるピット発生部分の投影面積の割合（ピット占有面積率）を４０％以上、かつ平均面粗さＳＰａを０.０５〜０.３０μｍ未満とする工程（エッチング工程）、
を有する微細粗面化ステンレス鋼板の製造法。 （もっと読む）

【課題】電極パターンを目立たないようにした透明導電膜とその製造方法を提供する。
【解決手段】透明層の少なくとも１つの面１ａには、凹凸加工により凹部１ｂ及び凸部１ｃが形成されており、凹部１ｂに積層された第１の導電層２ａと凸部１ｃに積層された第２の導電層２ｂとが、凹部１ｂ及び凸部１ｃの凹凸方向において位置をずらして配置されており、第１及び第２の導電層２ａ，２ｂは、それぞれ隣り合う導電層と電気的に絶縁されている。 （もっと読む）

【課題】透明フィルム基材上に結晶質のインジウム系複合酸化物膜が形成された長尺状の透明導電性フィルムを製造する。
【解決手段】本発明の製造方法は、インジウムと４価金属とを含有するインジウム系複合酸化物の非晶質膜が、スパッタ法により前記長尺状透明フィルム基材上に形成される非晶質積層体形成工程、および前記非晶質膜が形成された長尺状透明フィルム基材が、加熱炉内に連続的に搬送され、前記非晶質膜が結晶化される結晶化工程、を有する。前記結晶化工程における加熱炉内の温度は１７０℃〜２２０℃であることが好ましい。また、前記結晶化工程におけるフィルム長さの変化率は＋２．５％以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】低コストで低抵抗化が実現可能であり、赤外領域においても透明性を有する電体基板、導電体基板の製造方法、デバイス、電子機器及び太陽電池パネルを提供すること。
【解決手段】基板と、基板上に設けられ、結晶構造におけるａ軸長さが酸化スズ系材料と対応した物質からなり、結晶成長を制御するシード層と、シード層上に設けられ、酸化スズ系透明導電体の結晶からなる導電層とを備える。 （もっと読む）

【課題】単一金属酸化物半導体材料をチャネル層として使用時に極性をｐ型伝導又はｎ型伝導に変更できる同時両極性電界効果型トランジスタを実現し、さらに、該同時両極性ＴＦＴを用いたＣＭＯＳ構造のトランジスタを提供する。
【解決手段】基板上に設けたチャネル層と、前記チャネル層上又は下にゲート絶縁膜を介して設けられて前記チャネル層のキャリア濃度を制御するゲート電極を有する電界効果型トランジスタにおいて、前記チャネル層材料は、酸化第一スズ（ＳｎＯ）薄膜であり、前記チャネル層とゲート絶縁膜との界面の欠陥準位密度が５×１０^１４ｃｍ^−２ｅＶ^−１以下であり、前記チャネル層は、電子（ｎ型）及び正孔（ｐ型）伝導性の両方の動作が可能な同時両極性を有することを特徴とする同時両極性電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットであって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を成膜可能であり、特に、直流スパッタリング法で製造しても長時間安定して放電することが可能な直流放電安定性に優れた酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と；酸化スズと；Ａｌ、Ｈｆ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｉｎ、およびＴａよりなる群から選択される少なくとも１種の金属（Ｍ金属）の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、面内方向および深さ方向の比抵抗をガウス分布で近似したとき、上記比抵抗の分散係数σが０．０２以下である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を用いたトランジスタに安定した電気特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】ｎ型酸化物半導体膜中にｐ型酸化物半導体材料を含ませることで酸化物半導体膜中に意図せずに生じるキャリアを低減することができる。これは、ｎ型酸化物半導体膜中の意図せずに生じた電子が、ｐ型酸化物半導体材料中に生じたホールと再結合することにより、消滅するためである。従って、酸化物半導体膜中に意図せずに生じるキャリアを低減することができる。 （もっと読む）