Fターム[2H092NA24]の内容
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Fターム[2H092NA24]に分類される特許
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表示装置及び電子機器
【課題】液晶表示装置の消費電力を低減すること及び表示の劣化を抑制すること。また、
温度などの外部因子による表示の劣化を抑制すること。
【解決手段】各画素に設けられるトランジスタとして、チャネル形成領域が酸化物半導体
層によって構成されるトランジスタを適用する。なお、当該酸化物半導体層を高純度化す
ることで、当該トランジスタの室温におけるオフ電流値を10aA/μm以下且つ85℃
におけるオフ電流値を100aA/μm以下とすることが可能である。そのため、液晶表
示装置の消費電力を低減すること及び表示の劣化を抑制することが可能になる。また、上
述したように当該トランジスタは、85℃という高温においてもオフ電流値を100aA
/μm以下とすることが可能である。そのため、温度などの外部因子による液晶表示装置
の表示の劣化を抑制することができる。
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半導体装置、及び半導体装置の作製方法
【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを提供する。
【解決手段】酸化物半導体層、及びチャネル保護層を覆うようにソース電極層、及びドレイン電極層となる導電膜を形成した後、酸化物半導体層、及びチャネル保護層と重畳する領域の導電膜を化学的機械研磨処理により除去する。ソース電極層、及びドレイン電極層となる導電膜の一部を除去する工程において、レジストマスクを用いたエッチング工程を用いないため、精密な加工を正確に行うことができる。また、チャネル保護層を有することにより、導電膜の化学的機械研磨処理時に当該酸化物半導体層に与える損傷、または膜減りを低減できる。
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半導体装置
【課題】より電気伝導度の安定した酸化物半導体膜を提供することを課題の一とする。ま
た、当該酸化物半導体膜を用いることにより、半導体装置に安定した電気的特性を付与し
、信頼性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】結晶性を有する領域を含み、当該結晶性を有する領域は、a−b面が膜表面
に概略平行であり、c軸が膜表面に概略垂直である結晶よりなる酸化物半導体膜は、電気
伝導度が安定しており、可視光や紫外光などの照射に対してもより電気的に安定な構造を
有する。このような酸化物半導体膜をトランジスタに用いることによって、安定した電気
的特性を有する、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
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半導体装置
【課題】酸化物半導体膜の被形成面近傍に含まれる不純物の濃度を低減する。また、酸化物半導体膜の結晶性を向上させる。該酸化物半導体膜を用いることにより、安定した電気特性を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極を覆い、シリコンを含む酸化物を含むゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜と接し、少なくとも前記ゲート電極と重畳する領域に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と接続するソース電極およびドレイン電極と、を有し、酸化物半導体膜における、ゲート絶縁膜との界面からの厚さが5nm以下の第1の領域において、シリコンの濃度が1.0原子%以下であり、酸化物半導体膜の第1の領域以外の領域に含まれるシリコンの濃度は、第1の領域に含まれるシリコンの濃度より小さく、少なくとも第1の領域内に、結晶部を含む半導体装置である。
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表示装置およびその製造方法、並びに電子機器
【課題】互いに電気的に接続された薄膜トランジスタの第2電極と配線層との間の電食の発生を防止して、安定した電気特性を得ることできる表示装置およびその製造方法、並びに電子機器を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタおよび配線層を備え、前記薄膜トランジスタは、制御電極
と、前記制御電極と対向する半導体層と、前記半導体層に電気的に接続され、光透過性材
料からなる第1電極と、前記光透過性材料よりも低抵抗の金属膜を含むと共に、前記半導
体層および前記配線層にそれぞれ電気的に接続された第2電極とを備え、前記金属膜の構
成材料と前記配線層の少なくとも一部を構成する導電材料とのイオン化傾向の差は、前記
光透過性材料と前記導電材料とのイオン化傾向の差よりも小さい表示装置。
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薄膜トランジスタ、画像表示装置
【課題】酸化物半導体層のバックチャネル部を半導体層成膜後の薄膜トランジスタ作製工程によるダメージから保護し、良好なトランジスタ特性を得ると共に、薄膜トランジスタ作製の工程数を削減することである。
【解決手段】基板1と、基板1上に設けられたゲート電極2と、基板1上に設けられ、ゲート電極2を覆うゲート絶縁膜3と、ゲート絶縁膜3上に設けられ、アモルファス酸化物からなる半導体層4と、半導体層4上に設けられた保護膜5と、ゲート絶縁膜3上に設けられたソース電極6、及びドレイン電極7と、を備え、保護膜5を、金属材料の化成処理、又は陽極酸化によって形成する。
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表示装置
【課題】熱処理による特性変動を抑制した酸化物半導体を用いた表示装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、絶縁層と、絶縁層上のゲート電極と、ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して設けられ酸化物層より形成された半導体層と、半導体層の上において、ゲート電極を挟むように離間して設けられたソース電極及びドレイン電極と、を含む薄膜トランジスタと、ソース電極及びドレイン電極のいずれかに接続され、前記酸化物層より形成され前記半導体層よりも電気抵抗が低い画素電極と、画素電極に与えられる電気信号によって光学特性の変化と発光との少なくともいずれかを生ずる光学素子と、画素電極の下に設けられゲート絶縁膜と同じ材料で形成された膜と、を備え、ゲート電極の上のゲート絶縁膜の半導体層の側の表面は、画素電極の下に設けられた膜の画素電極の側の表面よりも平滑性が高い表示装置が提供される。
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フラットパネルディスプレイ及び引き出し配線の設計方法
【課題】表示品位に優れ、塗布ムラによる不良発生が少ないフラットパネルディスプレイ及びその製造方法並びに引き出し配線の設計方法の提供。
【解決手段】表示領域から複数の引き出し配線が引き回されるアクティブマトリクス基板を含むフラットパネルディスプレイにおいて、各々の前記引き出し配線は、直線と曲線とが滑らかに接続された形状、例えば、前記表示領域の所定の辺から第1の方向に延在する第1の直線と、前記第1の方向とは異なる第2の方向に延在する第2の直線と、が、双方の直線に内接する円弧、楕円弧又は特定の関数で規定される曲線によって滑らかに接続された形状である。
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半導体装置
【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置
を提供することを課題の一とする。
【解決手段】半導体層を酸化物半導体層とする逆スタガ型薄膜トランジスタを含む半導体
装置において、酸化物半導体層上にバッファ層を有する。バッファ層は、半導体層のチャ
ネル形成領域と、ソース電極層及びドレイン電極層とに接する。バッファ層は膜内に抵抗
分布を有し、半導体層のチャネル形成領域上に設けられる領域の電気伝導度は半導体層の
チャネル形成領域の電気伝導度より低く、ソース電極層及びドレイン電極層と接する領域
の電気伝導度は半導体層のチャネル形成領域の電気伝導度より高い。
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半導体装置
【課題】同一基板上に複数種の回路を形成し、複数種の回路の特性にそれぞれ合わせた複
数種の薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供することを
課題の一とする。
【解決手段】画素用薄膜トランジスタとしてソース電極層及びドレイン電極層上に重なる
酸化物半導体層を有する逆コプラナ型を用い、駆動回路用薄膜トランジスタとして、チャ
ネル保護型を用い、かつ、画素用薄膜トランジスタの主要な部分を透光性材料で構成する
ことにより、開口率を上げる。
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半導体装置
【課題】特性の良い半導体素子を有する半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】基板上に、ゲート電極として機能する第1の導電層を形成する工程と、第1
の導電層を覆うように第1の絶縁層を形成する工程と、第1の導電層と一部が重畳するよ
うに、第1の絶縁層上に半導体層を形成する工程と、半導体層と電気的に接続されるよう
に第2の導電層を形成する工程と、半導体層および第2の導電層を覆う第2の絶縁層を形
成する工程と、第2の導電層と電気的に接続される第3の導電層を形成する工程と、半導
体層を形成する工程の後、第2の絶縁層を形成する工程の前の第1の熱処理工程と、第2
の絶縁層を形成する工程の後の第2の熱処理工程と、を有する。
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半導体装置およびその作製方法
【課題】高い電界効果移動度を有し、しきい値電圧のばらつきが小さく、かつ高い信頼性を有する酸化物半導体を用いたトランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】加熱処理により酸素を放出する絶縁体基板と、該絶縁体基板上に設けられた酸化物半導体膜と、を有し、該酸化物半導体膜にチャネルが形成されるトランジスタを有する半導体装置である。加熱処理により酸素を放出する絶縁体基板は、絶縁体基板の少なくとも酸化物半導体膜が設けられる側に、酸素イオン注入を行うことで作製することができる。
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半導体装置の作製方法
【課題】安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを
目的の一つとする。
【解決手段】酸化物半導体層に対して、窒素、または希ガス(アルゴン、ヘリウムなど)
の不活性気体雰囲気下、或いは減圧下で脱水化、又は脱水素化処理のための加熱処理を行
い、酸素、酸素及び窒素、又は大気(好ましくは露点−40℃以下、より好ましくは−5
0℃以下)雰囲気下で加酸化処理のための冷却工程を行うことで高純度化及びI型化した
酸化物半導体層を形成する。該酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタを有する半導体装
置を作製する。
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薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法
【課題】酸化物半導体を使用する薄膜トランジスタの特性を向上させることができる薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ表示板を提供する。本発明の一実施形態に係る薄膜トランジスタ表示板は、基板の上に配置するゲート配線層、前記ゲート配線層の上に配置する酸化物半導体層、及び前記酸化物半導体層の上に配置して、前記ゲート配線層と交差するデータ配線層を含み、前記データ配線層は銅を含む主配線層、及び前記主配線層の上に配置して、銅合金を含むキャッピング層を含む。
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半導体装置の作製方法
【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
ることを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するボトムゲート構造のトランジスタの作製工程におい
て、熱処理による脱水化または脱水素化処理、及び酸素ドープ処理を行う。熱処理による
脱水化または脱水素化処理を行った酸化物半導体膜を含み、且つ、作製工程において酸素
ドープ処理されたトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験(BT試験)前後において
もトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタと
することができる。
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半導体装置およびその作製方法
【課題】酸化物半導体膜と該酸化物半導体膜と接する下地となる膜との界面の電子状態が良好なトランジスタ。
【解決手段】下地となる膜は酸化物半導体膜と同様の原子配列を有し、下地となる膜と酸化物半導体膜とが接している面において、面内の下地膜の最隣接原子間距離と酸化物半導体の格子定数の差を、下地となる膜の同面内における最隣接原子間距離で除した値は0.15以下、好ましくは0.12以下、さらに好ましくは0.10以下、さらに好ましくは0.08以下とする。例えば、立方晶系の結晶構造を有し(111)面に配向する安定化ジルコニアを含む下地となる膜上に酸化物半導体膜を成膜することで、下地となる膜の直上においても結晶化度の高い結晶領域を有する酸化物半導体膜が得られる。
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半導体装置および当該半導体装置の作製方法
【課題】消費電力の増大を抑制し且つ微細化を達成した半導体装置および当該半導体装置の作製方法を提供する。また、安定した電気的特性が付与された、信頼性の高い半導体装置および当該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜に電界で加速されたイオンを照射して、当該酸化物半導体膜の表面の平均面粗さを低減することにより、トランジスタのリーク電流の増大および消費電力の増大を抑制することができる。さらに、加熱処理を行って、酸化物半導体膜が当該酸化物半導体膜表面に垂直なc軸を有する結晶を含むように形成することにより、酸化物半導体膜の可視光や紫外光の照射による電気的特性の変化を抑制することができる。
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アクティブマトリクス基板
【課題】本発明は、アクティブマトリクス基板にマトリクス状に配列された各々の有機半導体トランジスタの形成面積が小さく、かつ表示装置に用いた場合に均一で視認性に優れた画像表示を行うことを可能とするアクティブマトリクス基板を提供することを主目的とする。
【解決手段】樹脂製基材と、上記樹脂製基材上に形成され、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、および有機半導体材料を含む有機半導体層を備える有機半導体トランジスタとを有し、上記有機半導体トランジスタがマトリクス状に複数配列されているアクティブマトリクス基板であって、隣接する2つの上記有機半導体トランジスタが、1つの上記有機半導体層のみを共有していることを特徴とするアクティブマトリクス基板を提供することにより上記課題を解決する。
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半導体装置
【課題】高性能な半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁表面上に設けられるゲート電極層421と、ゲート電極層上に設けられるゲート絶縁層402と、ゲート絶縁層上に設けられる第1の酸化物半導体層442と、第1の酸化物半導体層上に接して設けられる第2の酸化物半導体層443と、第1の酸化物半導体層の第1の領域及び第2の酸化物半導体層の第1の領域と重なり、且つ第2の酸化物半導体層に接して設けられる酸化物絶縁層と、酸化物絶縁層上、第1の酸化物半導体層の第2の領域上、及び第2の酸化物半導体層の第2の領域と重なり、且つ第2の酸化物半導体層に接して設けられるソース電極層及びドレイン電極層と、を有し、第1の酸化物半導体層の第1の領域及び第2の酸化物半導体層の第1の領域は、ゲート電極層と重なる領域、並びに第1の酸化物半導体層及び第2の酸化物半導体層の周縁及び側面、に設けられる領域である。
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半導体装置及び半導体装置の作製方法
【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタにおいて、電気的特性の変動が小さく、信頼
性の高い半導体装置を作製することを課題とする。
【解決手段】チャネルを形成する酸化物半導体層に接する絶縁層に、シリコン過酸化ラジ
カルを含む絶縁層を用いる。絶縁層から酸素が放出されることにより、酸化物半導体層中
の酸素欠損及び絶縁層と酸化物半導体層の界面準位を低減することができ、電気的特性の
変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。
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