【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを具備する画素において、開口率の向上を図ることのできる液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】画素は、トランジスタと、走査線として機能することができる第１の配線と、信号線として機能することができる第２の配線と、画素電極とを有し、画素は、当該第１の配線と同時に形成された容量線を有さない液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置、及び該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜上にチャネル保護膜として機能する絶縁層が設けられたボトムゲート構造のトランジスタを有する半導体装置において、酸化物半導体膜上に接して設けられる絶縁層、及び／または、ソース電極層及びドレイン電極層の形成後に不純物除去処理を行うことで、エッチングガスに含まれる元素が、酸化物半導体膜表面に不純物として残存することを防止する。酸化物半導体膜の表面における不純物濃度は、５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、好ましくは１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下とする。 （もっと読む）

【課題】より電気伝導度の安定した酸化物半導体膜を提供することを課題の一とする。ま
た、当該酸化物半導体膜を用いることにより、半導体装置に安定した電気的特性を付与し
、信頼性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】結晶性を有する領域を含み、当該結晶性を有する領域は、ａ−ｂ面が膜表面
に概略平行であり、ｃ軸が膜表面に概略垂直である結晶よりなる酸化物半導体膜は、電気
伝導度が安定しており、可視光や紫外光などの照射に対してもより電気的に安定な構造を
有する。このような酸化物半導体膜をトランジスタに用いることによって、安定した電気
的特性を有する、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を維持しつつ微細化を達成した半導体装置を提供する。また、微細化された半導体装置を歩留まりよく提供する。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜の側面に接して設けられ、かつ酸化物半導体膜よりも膜厚が大きいソース電極層及びドレイン電極層と、酸化物半導体膜、ソース電極層、及びドレイン電極層上に設けられたゲート絶縁膜と、酸化物半導体膜の上面と、ソース電極層及びドレイン電極層の上面との間に生じた段差により生じた凹部に設けられたゲート電極層と、を有する構造である。 （もっと読む）

【課題】微細な構造のトランジスタを歩留まりよく提供する。また、該トランジスタのオン特性を向上させ、高速応答、高速駆動が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極層、絶縁層、導電膜、層間絶縁層が順に積層され、該導電膜を切削することにより、該ゲート電極層及び該絶縁層上の導電膜を除去して、自己整合的に形成されるソース電極層及びドレイン電極層を有し、ソース電極層及びドレイン電極層と接する領域と重畳して酸化物半導体層と接する電極層を設ける。 （もっと読む）

【課題】バンドギャップが大きく、且つ結合エネルギーを安定な状態にする酸化物半導体膜を提供する。また、バンドギャップが大きく、且つ結合エネルギーを安定な状態にする酸化物半導体膜を具備する半導体装置を提供する。
【解決手段】インジウム、ランタン、亜鉛及び酸素を有する結晶構造の酸化物半導体膜とする。また、当該結晶構造において、ランタンは酸素が６配位した構造とし、インジウムは酸素が５配位した構造とする。酸化物半導体膜の結晶構造中にランタンを用いることで、インジウム、ガリウム、亜鉛及び酸素を有する結晶構造の酸化物半導体膜よりもバンドギャップが大きく、結合エネルギーを大きくした酸化物半導体膜とすることができる。また、該酸化物半導体膜を用いた半導体装置の特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを具備する画素において、開口率の向上
を図ることのできる発光表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】薄膜トランジスタ、及び発光素子を有する複数の画素を有し、画素は、走査
線として機能する第１の配線に電気的に接続されており、薄膜トランジスタは、第１の配
線上にゲート絶縁膜を介して設けられた酸化物半導体層を有し、酸化物半導体層は、第１
の配線が設けられた領域をはみ出て設けられており、発光素子と、酸化物半導体層とが重
畳して設けられる。 （もっと読む）

【課題】理論的根拠に基づいて酸化物半導体の母材料に添加される物質を使用することによって、優れた特性を有する酸化物半導体、これを含む薄膜トランジスタ、及び薄膜トランジスタ表示板を提供する。
【解決手段】 本発明の一実施形態に係る酸化物半導体は、亜鉛（Ｚｎ）及び錫（Ｓｎ）のうちの少なくとも一つの元素を含む第１物質、及び前記第１物質に添加される第２物質を含み、前記第１物質と酸素（Ｏ）との電気陰性度差値から前記第２物質と酸素（Ｏ）との電気陰性度差値を引いた値が１．３以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微結晶シリコンを用いたボトムゲート型の薄膜トランジスタのオン電流に対するオフ電流の割合を減少させること。
【解決手段】表示装置に含まれる薄膜トランジスタは、ゲート電極が設けられた導電層と、前記導電層の上に設けられたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層の上面に接するとともに前記ゲート電極の上方に設けられ、微結晶シリコンを含む第１の半導体膜と、前記第１の半導体膜の上面に接する第２の半導体膜と、前記第２の半導体膜に電気的に接続される第１の電極と、前記第２の半導体膜に電気的に接続される第２の電極と、を含む。前記第１の半導体膜における水素濃度は、前記ゲート絶縁層との界面と前記第２の半導体膜との界面との中間で最小となり、前記第１の半導体膜と前記第２の半導体膜との境界における酸素濃度は、前記第１の半導体膜の中央および前記第２の半導体膜の中央のうち少なくとも一方の酸素濃度以下である。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのしきい値電圧のばらつきの影響を緩和し、複数の状態（例えば３以上の状態）の区別を正確、かつ容易にした半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ソース線と、ビット線と、ワード線と、ビット線とワード線に接続されたメモリセルと、入力されたアドレス信号によって指定されたメモリセルを選択するように、複数の第２信号線及び複数のワード線を駆動する、第２信号線およびワード線の駆動回路と、書き込み電位を第１信号線に出力する、書き込み回路と、指定されたメモリセルに接続されたビット線から入力されるビット線の電位と、複数の読み出し電位とを比較する読み出し回路と、ビット線の電位と複数の読み出し電位の比較結果に基づいて複数の補正電圧のいずれかを選択する制御回路と、書き込み電位及び複数の読み出し電位を生成して、書き込み回路及び読み出し回路に供給する、電位生成回路と、を有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させることが可能な半導体素子およびその製造方法等を提供する。
【解決手段】半導体素子は、有機半導体層と、この有機半導体層と接するように配設された電極と、この電極とは別体として形成され、かつ電極と電気的に接続された配線層とを備えている。半導体素子の製造方法は、基板上に、有機半導体層およびこの有機半導体層と接する電極を形成する工程と、この電極と電気的に接続された配線層を形成する工程とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アクティブマトリクス基板にマトリクス状に配列された各々の有機半導体トランジスタの形成面積が小さく、かつ表示装置に用いた場合に均一で視認性に優れた画像表示を行うことを可能とするアクティブマトリクス基板を提供することを主目的とする。
【解決手段】樹脂製基材と、上記樹脂製基材上に形成され、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、および有機半導体材料を含む有機半導体層を備える有機半導体トランジスタとを有し、上記有機半導体トランジスタがマトリクス状に複数配列されているアクティブマトリクス基板であって、隣接する２つの上記有機半導体トランジスタが、１つの上記有機半導体層のみを共有していることを特徴とするアクティブマトリクス基板を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】オフ電流を低減した優れた特性を有する薄膜トランジスタを作製する。
【解決手段】ｐ型の逆スタガ型の薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜側から、微結晶半導体領域、非晶質半導体領域、及び不純物半導体領域が積層される半導体膜と、一対の配線とが接する領域が、ゲート絶縁膜を介してゲート電極と重畳し、一対の配線の仕事関数と、微結晶半導体領域を構成する微結晶半導体の電子親和力の差である電子のショットキーバリアφＢｎは０．６５ｅＶ以上である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体のようなバンドギャップが大きな半導体を用いたメモリ装置の保持特性を高める。
【解決手段】ビット線にビット線制御トランジスタを直列に挿入し、そのゲートの最低電位は十分な負の値となるようにする。ビット線制御トランジスタのゲートは電池等に接続するビット線制御回路に接続される。ビット線の最低電位はワード線の最低電位よりも高くなるようにする。外部からの電源が切れた際には、ビット線はビット線制御トランジスタによって遮断され、ビット線に蓄積された電荷が流出することが十分に抑制される。この際、セルトランジスタのゲートの電位は０Ｖであり、一方で、そのソースやドレイン（ビット線）の電位は、ゲートよりも十分に高いので、セルトランジスタは十分なオフ状態であり、データを保持できる。あるいは外部電源遮断時にワード線の電位を十分な負の電位とできるような回路を設けてもよい。 （もっと読む）

【課題】ソース領域、ドレイン領域、ソース領域とソース−チャネル界面およびドレイン領域とドレイン−チャネル界面を形成するチャネル領域、を有するトンネル電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】ソース領域は、第１ソースサブ領域２０と、ソース−チャネル界面２０１に近接する第２ソースサブ領域２５とを含み、第１ソースサブ領域と第２ソースサブ領域との間の界面が規定される。第２ピーク濃度は、第１ソースサブ領域と第２ソースサブ領域との界面に近接する位置での第１ドーピングプロファイルの最大レベルより充分高い。チャネル領域２１及びドレイン領域２２がゲート電極２４によって覆われないように、ソース領域の一部を長手方向Ｌに覆うようにした電極２４と、ゲート電極とソース領域との間の長手方向Ｌに沿ったゲート誘電体２９と備える。 （もっと読む）

【課題】ブラックマトリックス層を設計値以上に拡張しなくても、位置合わせずれによる光漏れが生じることを抑制できる半導体装置を提供する。
【解決手段】ボトムゲート電極１２ａとトップゲート電極１７ａで半導体層１４を挟むデュアルゲート型の薄膜トランジスタを有する半導体装置において、前記トップゲート電極は、第１のブラックマトリックス層によって形成され、前記半導体層は、前記トップゲート電極によって覆われている半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】同一基板上に酸化物半導体を用いたオフセットトランジスタとオフセットでないトランジスタを形成する。
【解決手段】酸化物半導体層２０２とゲート絶縁物２０３とゲート配線となる第１層配線２０４ａ、第１層配線２０４ｂを形成する。その後、オフセットトランジスタをレジスト２０６で覆い、酸化物半導体層に不純物を導入し、Ｎ型酸化物半導体領域２０７を形成する。その後、第２層配線２０９ａ、第２層配線２０９ｂ、第２層配線２０９ｃを形成する。以上の工程により、オフセットトランジスタとそうでないトランジスタ（アラインドトランジスタ等）を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタパネル、及びこれらを製造する方法に関する。
【解決手段】薄膜トランジスタは、ゲート電極、ゲート絶縁膜、上記ゲート絶縁膜上に形成された酸化物半導体層、及び上記酸化物半導体層上に相互に離隔して形成されたドレーン電極及びソース電極を含む。上記ドレーン電極は、上記酸化物半導体層上に形成された第１のドレーン副電極及び上記第１のドレーン副電極上に形成された第２のドレーン副電極を含む。上記ソース電極は、上記酸化物半導体層上に形成された第１のソース副電極及び上記第１のソース副電極上に形成された第２のソース副電極を含む。上記第１のドレーン副電極及び上記第１のソース副電極は、ガリウム亜鉛酸化物（ＧａＺｎＯ）を含み、上記第２のドレーン副電極及び上記第２のソース副電極は、金属原子を含む。 （もっと読む）

【課題】大電力の制御を行う、高耐圧の半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上のゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上の、ゲート電極と重畳する酸化物半導体層と、酸化物半導体層と接し、端部をゲート電極と重畳するソース電極及びドレイン電極と、を有し、ゲート電極と酸化物半導体層が重畳する領域において、ゲート絶縁層は、ドレイン電極と端部を重畳する第１の領域と、前記第１の領域と隣接する第２の領域と、を有し、第１の領域の静電容量は第２の領域の静電容量より小さいトランジスタを提供すること。 （もっと読む）

【課題】占有面積が小さく、冗長性があり、かつリーク電流の小さい保護回路を提供する。
【解決手段】保護回路は、複数の非線形素子が重畳するように積層され、かつ該非線形素子が電気的に直列接続されている構成であり、該保護回路に含まれる少なくとも一つの非線形素子は、チャネル形成領域に酸化物半導体を用いたトランジスタをダイオード接続した素子であり、他の非線形素子は、チャネル形成領域にシリコンを用いたトランジスタをダイオード接続した素子、または、接合領域にシリコンを用いたダイオードとする。 （もっと読む）