【課題】真空計への成膜材料の付着を抑制し、真空計の機能の低下を回避することが可能な成膜装置を提供すること。
【解決手段】基板に成膜材料を成膜する成膜装置において、基板が通過する真空環境を形成する真空容器１２３と、真空容器１２３内の真空度を測定する真空計１と、真空計１への付着を抑制する付着抑制手段１０とを備える構成とする。このように、真空計１への成膜材料の付着を抑制する付着抑制手段１０を備える構成とすることで、真空計１への成膜材料の付着を抑制し、真空計１の機能の低下を緩和することができる。 （もっと読む）

【課題】被成膜材料の有無を検出する検出機能を確保することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１は、ワークＷに成膜材料を成膜する成膜装置であって、ワークＷを収納し成膜処理を行う成膜室２と、成膜室２の内部に設けられ、ワークＷを搬送する搬送装置７と、成膜室２を画成する壁３ａに設けられ、光を透過する防着ガラス２７を有し、成膜室２の外部から内部への投光を可能とするビューポート１３と、成膜室２の外部に設けられ、ビューポート１３の防着ガラス２７を透過させてセンサー光を投光し成膜室２の内部のワークＷの有無を検出する走行センサ１１と、防着ガラス２７への成膜材料の堆積を抑制するためのヒータ３１と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】比較的低い温度で作製することができ、電荷の高い移動度を得ることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体の微粒子を基板に吹き付けてチャネル用の半導体膜３を形成し、半導体膜３を間に挟むソース５ｓ及びドレイン５ｄを形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板などを加熱雰囲気中で成膜させる際には、昇温させるだけでも半導体基板には相当の反り（湾曲）が発生する。反りが原因で、基板上に成膜させた膜質の均質性が劣化したり、基板にクラックが発生しやすくなるなどの問題が起こる。
【解決手段】基板の主表面の上側と下側との両方から基板を加熱することにより、主表面の上側と下側との温度勾配（温度差）を小さくし、基板の反りを抑制する。 （もっと読む）

【課題】良好な膜質を有するＩＩＩ族窒化物半導体を反応性スパッタ法によって効率よく成膜することができるＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法及びＩＩＩ族窒化物半導体製造装置、並びにＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバ４１内に基板１１及びＧａ元素を含有するターゲット４７を配置するとともに、反応ガス供給手段５０によってチャンバ４１内に窒素原子含有ガス及び不活性ガスを供給し、基板１１上に単結晶のＩＩＩ族窒化物半導体をプラズマによる反応性スパッタ法で形成する方法であり、チャンバ４１内の圧力を圧力モニタ５１によって検知し、該圧力モニタ５１の検知信号Ａに基づき、反応ガス供給手段５０からチャンバ４１内に供給する窒素原子含有ガスの流通量を流量制御手段５２によって制御する。 （もっと読む）

【課題】高周波プラズマ発生セルから放出されるＨＢ（High brightness）放電プラズマフラックスに含まれる電気的に中性な励起原子、基底原子および励起分子を含む活性種量を、電流をもって直接的に検出し、該検出電流値に基づき活性種フラックス量を算定する、高精度でかつ製造コストの安価な原子フラックス測定装置を提供すること。
【解決手段】 直流電源により予め定めた負電位にバイアスされた原子プローブ電極の前方に配置した荷電粒子排除器により高周波プラズマ発生セルから放出されるＨＢ放電プラズマに含まれる活性種フラックスに含まれる荷電粒子を排除して上記原子プローブ電極に活性種フラックスを導入し、該原子プローブ電極における上記活性種の電離に応じて上記第１電流検出器により検出される電流値に基づき演算手段によりＨＢ放電プラズマに含まれる活性種フラックスに含まれる原子フラックス量を算定する。 （もっと読む）

【課題】低温で基板上に直接粒径の揃ったシリコンドットを均一な密度分布で形成する方法及び装置を提供する。
【解決手段】チャンバ１０内でシラン系ガス及び水素ガスからプラズマを形成してターゲット基板１００上にシリコン膜を形成してシリコンスパッタターゲットを得、これをチャンバ１へ外気に触れさせることなく搬入配置して、チャンバ１内でスパッタリング用ガスからプラズマを発生させ、該プラズマでターゲットのシリコン膜をケミカルスパッタリングして基体Ｓ上にシリコンドットを形成する。 （もっと読む）

【課題】低温で基板上に直接粒径の揃ったシリコンドットを均一な密度分布で形成する方法及び装置を提供する。
【解決手段】シリコンスパッタターゲット３０と基体Ｓを配置したチャンバ１内に水素ガスを導入し、該ガスに高周波電力を印加してチャンバ１内に、プラズマ発光において波長２８８ｎｍにおけるシリコン原子の発光強度Ｓｉ(288nm) と波長４８４ｎｍにおける水素原子の発光強度Ｈβとの比〔Ｓｉ(288nm) ／Ｈβ〕が１０．０以下であるプラズマを発生させ、該プラズマでターゲット３０をケミカルスパッタリングして５００℃以下の低温で基体上に直接、粒径が２０ｎｍ以下のシリコンドットを形成する。 （もっと読む）

【課題】安定的にｐ型のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜を成膜することができるｐ型Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜の成膜方法を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｉｎ，Ｇａ，及びＺｎを含むターゲット２を用い、酸素ガス，窒素ガス及び不活性ガスを含む雰囲気下で、複数のカソード３，４に交互にパルス電圧を印加してスパッタすることにより、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜中に窒素を導入し、ｐ型のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系半導体よりも熱膨張係数の小さな基板を備える半導体素子であって、クラックが生じず、結晶性の良い半導体素子及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、基板１０と、基板１０上に形成された、酸化亜鉛系材料からなる中間層３０と、中間層３０上に形成された、酸化亜鉛系材料からなる半導体層２０とを備える。半導体層２０の熱膨張係数は、基板１０の熱膨張係数より大きい。又、中間層３０の酸化亜鉛結晶構造におけるｃ軸長は、半導体層２０の酸化亜鉛結晶構造におけるｃ軸長よりも長い。 （もっと読む）

【課題】成膜時間に関係なく一定の成膜レートを維持することのできるＭＢＥ装置等を提供する。
【解決手段】本発明のＭＢＥ装置１００は、分子線発生部１０ａ・１０ｂと、真空計１４ａ・１４ｂと、光源ユニット６と受光ユニット７とを有する原子吸光式成膜モニタ８と、分子線発生部１０ａ・１０ｂの温度を制御する温度制御演算器１３とを備えている。温度制御演算器１３は、原子吸光式成膜モニタ８の測定結果が、真空計１４ａ・１４ｂの測定結果から算出した分子線源の残量より算出した原子吸光式成膜モニタ８の制御目標値となるように、分子線発生部１０ａ・１０ｂの温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】
チャンバーに導入される被成膜物から放出される酸素原子を含むガスの放出量に関わらず、チャンバー内の酸素分圧を常に一定に保って成膜することを可能にし、製品間での品質のばらつきを最小限に抑えることを目的とする。
【解決手段】
真空中に放置するとガスを放出する被成膜物へ、酸素を含むガス雰囲気で酸化物薄膜を成膜するにあたって、該放出ガス成分に酸素原子が含まれるチャンバー内の酸素割合を、プラズマ中の酸素の発光強度を監視して、前記酸素割合が設定したある一定の値になるようにチャンバーへ導入する酸素流量を制御して成膜を行うことにより解決した。 （もっと読む）

【課題】 不純物を低減して、リン分子を分子線として照射することができる分子線源および分子線源使用方法を提供する
【解決手段】 充填空間１１に赤リン材料を充填し、充填空間１１と精製空間１２とを連通させた状態で、充填部２１を第１気化温度ｔ１ｇに加熱して充填空間１１に存在する赤リンを昇華して、精製空間１２に白リンを凝縮する。次に精製空間１２と貯留空間１３とを連通させた状態で、精製部２２を第１気化温度ｔ１ｇよりも低い第２気化温度ｔ２ｇに加熱して精製空間１２に存在する白リンを気化して、貯留空間１３に白リンを凝縮する。このようにして貯留空間１３に生成した白リンを分子線の照射材料として用いて、リン分子線を照射する。 （もっと読む）

【課題】 形成された薄膜の品質が安定している薄膜形成方法および薄膜形成ユニットを提供することである。
【解決手段】 結晶成長工程では、薄膜形成装置１１を用いて薄膜を形成する。このとき形成された薄膜の特性値には、プロセス誤差ｗが含まれている。計測工程では、計測部１２によって形成される薄膜の計測特性値を計測する。このとき計測される計測特性値には、計測誤差νが含まれている。仮想結晶成長工程では、仮想的薄膜形成装置１３におって形成される薄膜の特性値を演算によって求め、演算特性値を演算する。計測誤差除去工程では、計測誤差除去部１４によって、演算特性値と計測特性値とに基づいて、プロセス誤差ｗおよび計測誤差νのうち計測誤差νだけを計測特性値から除去した予測特性値を演算することができる。さらに装置条件決定工程では、条件設定部１５によって予測特性値に基づいて、薄膜形成装置１１の新たな装置条件が決定される。 （もっと読む）

【課題】ＮをドープしたＺｎＯ膜を高速かつ安定して成膜する方法を提供する。
【解決手段】カバー２６内部におけるターゲット２１ａ，２１ｂの上方に基板１を配置し、ポンプによってカバー２６内を真空にした後、アルゴン等の不活性ガス中に酸素及び窒素を含有させた混合ガスをカバー２６内に導入する。Ｚｎよりなる第１、第２のターゲット２１ａ，２１ｂに、交互にパルスパケット状の電圧を印加する。ターゲット２１ａ，２１ｂのスパッタ時におけるＺｎの放電の発光波長と発光強度が、ＰＥＭ３１ａ，３１ｂによって検知される。各ターゲット２１ａ，２１ｂのスパッタ速度が算出され、この算出結果に基づき、各ターゲット２１ａ，２１ｂに付与されるパルス電力、パルス量及びパルス幅、カバー２６内に供給する酸素量及び窒素量、並びにカバー内の圧力が制御される。 （もっと読む）

【課題】酸化数が精密に制御された金属ドープＣｕ_２Ｏ膜を高速にて成膜する方法及びこの成膜方法によって得られたＣｕ_２Ｏ膜を光吸収層として用いた太陽電池を提供する。
【解決手段】カバー２６内部に透明基板１を導入し、アルゴン中に酸素を含有させた混合ガスをカバー２６内に導入する。ターゲット電極２０Ａ，２０Ｂに一定の周期で交互にパルスパケット状の電圧を印加して、グロー放電を形成させる。これにより、ターゲット２１ａ，２１ｂから粒子がスパッタされ、基板１上にＣｕ_２Ｏ膜よりなるｐ層３が形成する。コリメータ３０ａ，３０ｂを介して得られたプラズマの発光スペクトルが電気信号となりＰＥＭ３１ａ，３１ｂに取り込まれる。このＰＥＭ３１ａ，３１ｂを用いてプラズマ中の銅の発光強度が常に一定になるように酸素ガスの導入流量を制御する。ターゲット２１ａ，２１ｂの一方は銅であり、他方はドープ金属である。 （もっと読む）

【課題】真空処理室内の真空を破ることなく、ターゲット表面の微小な変化を察知し、正確にターゲット表面の異常を検出することのできるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】本発明のスパッタリング装置は、真空処理装置１内に設置されたスパッタリングターゲット２表面を励起し、オージェ電子を放出させるための電子銃３と、放出された前記オージェ電子のエネルギーを検出するためのオージェ電子エネルギー検出部４と、オージェ電子のエネルギーからスパッタリングターゲット２表面の組成を分析し、設定した元素含有量の規格と比較するためのデータ演算処理部６と、を備え、前記元素含有量が規格内であれば、試料へのスパッタリング処理を開始し、前記元素含有量が規格外であれば、スパッタリングターゲット２表面のプリスパッタと組成分析を繰り返し行うことを特徴とする。 （もっと読む）