国際特許分類[H01L21/36]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置 (97,574) | 不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない21/06,21/16および21/18に分類されない半導体本体を有する装置 (844) | 基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長 (780)
国際特許分類[H01L21/36]の下位に属する分類
物理的析出を用いるもの,例.真空蒸着,スパッタリング (330)
固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの (135)
液相成長を用いるもの (307)
国際特許分類[H01L21/36]に分類される特許
1 - 8 / 8
半導体装置の作製方法
【課題】本発明の一態様は、スパッタ法でトランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好
適な材料を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、第1の酸化物部材を形成し、第1の加熱処理を行って表面か
ら内部に向かって結晶成長し、下地部材に少なくとも一部接する第1の酸化物結晶部材を
形成し、第1の酸化物結晶部材上に第2の酸化物部材を形成し、第2の加熱処理を行って
第1の酸化物結晶部材を種として結晶成長させて第2の酸化物結晶部材を設ける積層酸化
物材料の作製方法である。
(もっと読む)
半導体ナノ複合構造薄膜材料およびその製造方法
【課題】高周波スパッタリング法等により一括して製造することができ、半導体ナノスケール粒子がNb2O5単相マトリクスに均一に分散した構造の半導体ナノ複合構造薄膜材料およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体ナノ複合構造薄膜材料(1)は、一般式Ge100−x−yNbxOy(ただし、70≦x+y≦98、20≦x≦28、50≦y≦70であり、各元素の添字は原子比率を示す)で表され、その結晶構造が、半導体ナノスケール粒子(2)としてのGe相がマトリクス(3)としてのNb2O5相中に分散した複合構造を有する。この複合構造薄膜材料は、高周波スパッタリング法により上記一般式で表されるアモルファス薄膜を成膜し、これを不活性雰囲気中において500〜800℃で熱処理して結晶化することにより製造される。
(もっと読む)
液晶表示装置の作製方法
【課題】作製工程を大幅に削減し、低コストで生産性の良い液晶表示装置を提供する。消費電力が少なく、信頼性の高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】半導体層205のエッチングと、画素電極210とドレイン電極206bを接続するためのコンタクトホール208の形成を、同一のフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程で行うことで、フォトリソグラフィ工程を削減する。フォトリソグラフィ工程を削減することにより、低コストで生産性の良い液晶表示装置を提供することができる。また、半導体層に酸化物半導体を用いることで、消費電力が低減され、信頼性の高い液晶表示装置を提供することができる。
(もっと読む)
発光表示装置の作製方法
【課題】トランジスタの作製工程を簡略化し、フォトマスクの枚数を従来よりも少なくするだけでなく、新たな工程を増やすことなく発光表示装置を作製することを目的とする。
【解決手段】トランジスタを構成する半導体層に真性または実質的に真性な高抵抗の酸化物半導体を使用することによって、個々のトランジスタに対して半導体層を島状に加工する工程を省くことができる。半導体層の上層に形成した絶縁層を開口する工程において該半導体層の不要な部分を同時にエッチングし、フォトリソグラフィ工程を削減する。
(もっと読む)
単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜の成長方法、半導体積層構造体、半導体装置の製造方法および半導体装置
【課題】薄膜間の界面が急峻で良質な単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜を成長させることができる単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜の成長方法を提供する。
【解決手段】YSZ基板やMgO基板などからなる基板101上にパルス・レーザ・デポジション法やスパッタリング法などによりアモルファスオキシカルコゲナイド系薄膜102を成長させ、このアモルファスオキシカルコゲナイド系薄膜102を反応性固相エピタキシャル成長法により結晶化させることにより単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜103を形成する。この単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜103上に溶液気化CVD法により単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜104を成長初期からエピタキシャル成長させる。
(もっと読む)
有機薄膜の製造方法
【課題】基板上に大面積の単結晶の有機薄膜を形成することができる有機薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に第1の有機分子からなる規則的な分子配列を有する第1の有機分子層を形成する工程と、前記第1の有機分子層の上にエピタキシャル成長する第2の有機分子層を形成する工程と、前記第1の有機分子層を昇華、蒸発あるいは溶解して前記第2の有機分子層から除去する工程を有する有機薄膜の製造方法。前記第1の有機分子がアントラセン、前記第2の有機分子がペンタセンであることが好ましい。
(もっと読む)
溶融技術により有機半導体デバイスを形成する方法
本発明は、有機半導体材料を有する半導体デバイスを形成する方法であって、溶融物を形成するために、有機半導体材料を有する組成物をこの組成物の融点若しくはガラス転移温度に又はそれよりも高い温度に加熱することと、溶融物を組成物の融点又はガラス転移温度よりも低い温度に冷却することとを有し、加熱する前又は加熱中にディウェッティングを抑制及び/又は防止することができる第1の物質若しくは物体が組成物に隣接するか、又は組成物がディウェッティングを抑制及び/又は防止することができる作用物質を更に有する方法を提供する。
(もっと読む)
半導体部品、その製造方法およびそのために用いられる装置
【目的】 高効率の半導体部品を低コストで、同時に長期間にわたる半導体部品自体の安定性を保証しながら製造する。
【構成】 本発明は、半導体層(21、22)と担体基板(18)との間に配置された種結晶層(20)を有する薄膜太陽電池のような半導体部品に関する。種結晶層(20)に面する担体基板(18)の表面はシールされているか、またはシーリング層(19)が担体基板(18)上に堆積されている。
(もっと読む)
1 - 8 / 8
[ Back to top ]