【課題】低摩擦であると共に安定した摺動性を発揮するバルブリフターやシム等の内燃機関用バルブ駆動系部材を提供する。
【解決手段】本発明の内燃機関用バルブ駆動系部材は、潤滑油が介在する湿式条件下でカムのカム面と摺接してカムに従動する摺接面を有するカムフォロアからなる。本発明に係るカムフォロアの摺接面は、全体を１００原子％としたときに５〜２５原子％のＨと４〜２５原子％のＢと残部であるＣとからなるＤＬＣ膜（ＤＬＣ−Ｂ膜）で被覆されてなる。このＤＬＣ−Ｂ膜からなる摺接面は、高靱性で耐衝撃性に優れ、カム面から１５０〜２５０ＭＰａ／ｄｅｇの衝撃力を受けても、欠け等を生じない。またジアルキルジチオカルバミン酸モリブデン（ＭｏＤＴＣ）を含まない潤滑油が介在する湿式条件下で使用される場合に、本発明に係るカムフォロアは優れた低摩擦係数を発揮する。 （もっと読む）

【課題】本発明の一態様は、スパッタ法でトランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好
適な材料を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、第１の酸化物部材を形成し、第１の加熱処理を行って表面か
ら内部に向かって結晶成長し、下地部材に少なくとも一部接する第１の酸化物結晶部材を
形成し、第１の酸化物結晶部材上に第２の酸化物部材を形成し、第２の加熱処理を行って
第１の酸化物結晶部材を種として結晶成長させて第２の酸化物結晶部材を設ける積層酸化
物材料の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】より高い特性を有する膜体を形成する。
【解決手段】被膜部材１０の製造方法は、スパッタリングターゲット部材を用い、スパッタリング処理によって被処理部材１１に膜体１２を形成する形成工程、を含むものである。この形成工程では、１又は複数のスパッタリングターゲット部材を用い、Ｍｇ、Ａｌ、Ｏ及びＮの元素を含む膜体１２を被処理部材１１の表面に形成する処理を行う。ここで、スパッタリングターゲット部材は、Ｍｇ、Ａｌ、Ｏ及びＮの全てが含まれていれば、どのような形態でも構わず、スパッタリングターゲット部材を１種用いるものとしてもよいし、スパッタリングターゲット部材を複数種用いるものとしてもよい。被処理部材１１に形成された膜体１２には、Ｍｇ、Ａｌ、Ｏ及びＮが含まれている。 （もっと読む）

【課題】切削開始初期段階においてすぐれた耐ピッチング性、耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 ＷＣ基超硬合金からなる工具基体の表面に、ＡｌとＣｒの複合窒化物層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、硬質被覆層は柱状結晶組織を有し、刃先の柱状結晶組織の成長軸線方向は、工具基体表面の垂直方向に対して傾斜しており、刃先の逃げ面における柱状結晶組織の成長軸線方向の傾斜角度は、工具基体表面の垂直方向から、逃げ面延長線とすくい面延長線上の交点に向かって１８±５°であり、また、刃先のすくい面における柱状結晶組織の成長軸線方向の傾斜角度は、工具基体表面の垂直方向から、逃げ面延長線とすくい面延長線上の交点に向かって３０±５°である表面被覆切削工具。 （もっと読む）

【課題】苛酷な使用環境下で使用される切削工具や金型等において、ＳｉＣ皮膜の耐剥離性を大幅に改善することにより、工具の耐久性が改善することができる被覆工具およびその製造方法を提供する。
【解決手段】工具の基材表面に中間皮膜を介して硬質皮膜を被覆した被覆工具であって、該硬質皮膜は、原子比でＳｉよりもＣが多く、組織に立方晶の結晶構造相を含むＳｉＣ皮膜であり、
前記中間皮膜は、ＡｌｘＭｙからなる窒化物または炭窒化物（但し、ｘ、ｙは原子比を示し、ｘ＋ｙ＝１００、かつ、ｘ＞０、かつ、ｙ≧０、Ｍは周期律表の４ａ族元素、５ａ族元素、６ａ族元素、Ｂ、Ｓｉ、Ｙから選択される１種または２種以上）であり、
前記中間皮膜の硬質皮膜側は、六方晶が主体の結晶構造である耐剥離性に優れる被覆工具である。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好適な材料を提供する。
【解決手段】ジルコニウムを含ませた酸化物半導体材料は結晶化しやすい材料とすることができ、成膜直後において、結晶構造を有する酸化物半導体膜を形成することができる。従って、酸化物半導体膜の成膜後の加熱処理を省略することができるため、量産に適したプロセスである。具体的には、少なくともインジウムと亜鉛を含む酸化物半導体材料に、４族元素の一つであるジルコニウムを含ませる。少なくともインジウムと亜鉛を含む酸化物半導体材料にジルコニウムを含ませた酸化物半導体材料膜（ＩｎＺｒＺｎＯ_Ｘ膜）を提供する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのオン特性を向上させて、半導体装置の高速応答、高速駆動を実現する際に、信頼性の高い構成を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層、第１の導電層及び第２の導電層の積層によって構成されるソース電極層又はドレイン電極層、ゲート絶縁層、及びゲート電極層が順に積層されたコプレナー型のトランジスタにおいて、該ゲート電極層は、該第１の導電層と該ゲート絶縁層を介して重畳し、該第２の導電層と前記ゲート絶縁層を介して非重畳とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、所定の超硬合金を基材とした光学素子用成形型について、より寿命の長い離型膜をその成形面に形成可能とした光学素子用成形型及びその製造方法を提供する。
【解決手段】タングステンカーバイドを主成分とする超硬合金（バインダレス超硬合金を除く）からなる基材２の成形面に、ダイヤモンドライクカーボンからなる離型膜４を形成した光学素子用成形型であって、基材２と離型膜４との間に、立方晶からなる結晶構造を有し、その表面粗さＲａが０．５ｎｍ以下であるタングステンカーバイド膜３を介在させた光学素子成形用成形型１。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性を損なうことがない半導体装置およびその作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を含むトランジスタ（半導体装置）において、電極層を酸化物半導体層の下部に接して形成し、不純物を添加する処理により酸化物半導体層に自己整合的にチャネル形成領域と、チャネル形成領域を挟むように一対の低抵抗領域を形成する。また、電極層および低抵抗領域と電気的に接続する配線層を絶縁層の開口を介して設ける。 （もっと読む）

【課題】様々な基板の上に結晶性を制御した状態でハイドロキシアパタイトの薄膜が形成できるようにする。
【解決手段】第１工程Ｓ１０１で、ハイドロキシアパタイトの焼結体からなるターゲットおよびＨ₂Ｏガスを含むスパッタガスを用いたスパッタ法で、基板１０１の上に薄膜１０２を形成する。基板１０１は、例えば、シリコン基板であればよい。次に、第２工程Ｓ１０２で、酸素が存在する雰囲気で薄膜１０２を加熱して結晶化する。例えば、酸素ガスの雰囲気中、または、大気中で加熱を行えばよい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電解質との界面抵抗を低減した正極活物質を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、（１１１）面が優先的に形成されたＬｉＭｎ_２Ｏ_４系薄膜からなることを特徴とする正極活物質を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】外部の機械的影響から保護する硬質材料層を少なくとも部分的に備えている改善されたガラスセラミックを提供する。
【解決手段】外部の機械的影響に対して保護する硬質材料層を少なくとも部分的に備えているガラスセラミックであって、その際、− 硬質材料層が、並んで存在しており、かつ互いに混合されている少なくとも２つの相を含有し、− 少なくとも１つのナノ結晶相及び１つの非晶相が存在し、− 硬質材料層が、少なくとも２６ＧＰａの強度及び少なくとも０．５μｍの層厚を有し、− 硬質材料層が、２００℃〜１０００℃の温度範囲内で耐化学薬品性であり、かつ− ガラスセラミックの熱膨張係数αが、硬質材料層の熱膨張係数αから^＋／₋２０％を超えて相違しないガラスセラミックによって解決される。 （もっと読む）

【課題】本発明者が開発したマグネシウム・炭素系材料（Ｍｇ（ＯＨ）_２・Ｃ）を用いた透明導電膜について、量産工程に適し、かつ、成膜後の経時変化を低減できる実用レベルの製造方法を実現する。
【解決手段】マグネシウムを含むターゲットと炭素を含むターゲットとを同時に用いてスパッタリングを行うことにより、基板上にマグネシウムと炭素と含む透明導電膜を成膜する成膜工程と、前記成膜した透明導電膜を水を含む雰囲気に保持する透明化工程と、表面材ターゲットを用いてスパッタリングを行うことにより、前記基板上に成膜した透明導電膜の膜面上に表面材薄層を形成する被覆工程とを実行する透明導電膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ特性（移動度、オフ電流、閾値電圧）及び信頼性（閾値電圧シフト、耐湿性）が良好で、ディスプレイパネルに適した電界効果型トランジスタを提供すること。
【解決手段】基板上に、少なくともゲート電極と、ゲート絶縁膜と、半導体層と、半導体層の保護層と、ソース電極と、ドレイン電極とを有し、ソース電極とドレイン電極が、半導体層を介して接続してあり、ゲート電極と半導体層の間にゲート絶縁膜があり、半導体層の少なくとも一面側に保護層を有し、半導体層が、Ｉｎ原子、Ｓｎ原子及びＺｎ原子を含む酸化物であり、かつ、Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子組成比率が２５原子％以上７５原子％以下であり、Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子組成比率が５０原子％未満であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】酸素欠陥が少なく、圧電特性に優れた圧電体膜を形成する。
【解決手段】一般式(Ｎａ_ｘＫ_ｙＬｉ_ｚ)ＮｂＯ_３ (０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦０．２、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１)で表されるペロブスカイト構造のアルカリニオブ酸化物からなる
圧電体膜であって、前記アルカリニオブ酸化物は、擬立方晶、正方晶、斜方晶、単斜晶、菱面体晶、またはそれらが共存した結晶構造を有しており、前記アルカリニオブ酸化物のＫ原子周囲の結合状態において、Ｋ−Ｏ結合とＫ−Ｍｅｔａｌ結合との合計を１００％としたとき、前記Ｋ−Ｏ結合の割合が４６．５％以上、前記Ｋ−Ｍｅｔａｌ結合の割合が５３．５％以下の圧電体膜である。 （もっと読む）

【課題】圧電薄膜の下に形成された電極が薄い圧電薄膜素子を好適に製造し得る方法を提供する。
【解決手段】第１の電極３上の少なくとも一部の上に犠牲層を形成する。犠牲層の上を含め第１の電極３の上に圧電薄膜４を形成する。圧電薄膜４の上に第２の電極５を形成する。圧電薄膜４の犠牲層の上に位置する部分の少なくとも一部に貫通孔４ａを形成する。このため、圧電薄膜４を確実に除去するために圧電薄膜４の厚さを超えてエッチングを行った場合であっても、圧電薄膜４の下方に位置する犠牲層がエッチングされるにとどまる。よって、犠牲層の下方に位置する第１の電極３がエッチングされることを防止することができる。その後、犠牲層を除去する。 （もっと読む）

【課題】高硬度鋼の高速重切削加工条件下において、硬質被覆層がすぐれた耐溶着性と耐欠損性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ基超硬合金またはＴｉＣＮ基サーメットで構成された工具基体の表面に、硬質被覆層として、ＡｌとＴｉの複合窒化物層からなる下部層と、Ａ層：（１１１）面配向性のＡｌとＣｒの複合窒化物層、Ｂ層：ＡｌとＴｉの複合窒化物層、Ｃ層：（２００）面配向性のＡｌとＣｒの複合窒化物層、Ｂ層＋Ａ層＋Ｂ層＋Ｃ層を１積層周期とした１周期以上の積層構造を有する上部層とからなる層を形成した表面被覆切削工具。 （もっと読む）

【課題】基板の位置をターゲットに正対する位置から基板表面に平行な方向にずらした位置とした斜め入射スパッタ法を用いた従来の結晶軸傾斜膜の製造方法と比較して、製造時間を短縮し、膜厚の均一性を向上させる。
【解決手段】ターゲット１０に正対する位置から基板表面２０に平行な方向にずらした位置に基板２０を配置した斜め入射スパッタ法により、基板表面２０ａ上に結晶軸傾斜膜のシード層２１を形成するシード層形成工程と、形成したシード層２１の表面を平坦化する平坦化工程と、ターゲット１０に正対する位置に基板２０を配置した垂直入射スパッタ法により、平坦化されたシード層２１の表面上に、シード層２１と同じ材料にてエピタキシャル成長させた成長層２３を形成する成長層形成工程とを行う。 （もっと読む）

【課題】作製コストが低減され、かつ歩留まりが向上された半導体装置、および消費電力が低減された半導体装置を提供することである。
【解決手段】第１のトランジスタおよび第２のトランジスタと、第１のトランジスタ群および第２のトランジスタ群を具備し、第１のトランジスタ群は、第３のトランジスタ、第４のトランジスタおよび４の端子を有しており、第２のトランジスタ群は、第５乃至第８のトランジスタおよび４の端子を有しており、第１のトランジスタ、第３のトランジスタ、第６のトランジスタ、第８のトランジスタはｎチャネル型トランジスタが用いられ、第２のトランジスタ、第４のトランジスタ、第５のトランジスタ、第７のトランジスタはｐチャネル型トランジスタが用いられる半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】圧電特性に優れ且つ信頼性の高い圧電膜素子及び圧電膜デバイスを提供する。
【解決手段】基板１上に、少なくとも下部電極層２と、非鉛のアルカリニオブ酸化物系の圧電膜４とを配した圧電膜素子１０において、前記下部電極層２は、立方晶、正方晶、斜方晶、六方晶、単斜晶、三斜晶、三方晶のいずれかの結晶構造、またはこれら結晶構造のうちの二以上の結晶構造が共存した状態を有し、前記結晶構造の結晶軸のうちの２軸以下のある特定の結晶軸に優先的に配向しており、前記基板１上における少なくとも一つの前記結晶軸を法線とした結晶面のＸ線回折強度分布において、前記結晶面のＸ線回折強度の相対標準偏差が５７％以下である。 （もっと読む）