半導体装置の作製方法
【課題】樹脂基板等の可撓性を有する基板を用いて、柔軟性を有する半導体装置を作製す
るための技術を提供する。
【解決手段】分離層を有する固定基板上に樹脂基板を形成する工程と、前記樹脂基板上に
少なくともＴＦＴ素子を形成する工程と、前記分離層にレーザー光を照射することにより
、前記分離層の層内または界面において前記固定基板から前記樹脂基板を剥離する工程と
を行い、前記樹脂基板を用いた柔軟性を有する表示装置を作製する。
るための技術を提供する。
【解決手段】分離層を有する固定基板上に樹脂基板を形成する工程と、前記樹脂基板上に
少なくともＴＦＴ素子を形成する工程と、前記分離層にレーザー光を照射することにより
、前記分離層の層内または界面において前記固定基板から前記樹脂基板を剥離する工程と
を行い、前記樹脂基板を用いた柔軟性を有する表示装置を作製する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願発明は薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）で構成された回路を有する半導体
装置およびその作製方法に関する。例えば、液晶表示パネルに代表される電気光学装置お
よびその様な電気光学装置を部品として搭載した電子機器に関する。
【０００２】
なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装
置全般を指し、電気光学装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置である。
【背景技術】
【０００３】
近年、絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜（厚さ数〜数百ｎｍ程度）を用
いて薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成する技術が注目されている。薄膜トランジスタは
ＩＣや電気光学装置のような電子デバイスに広く応用され、特に画像表示装置のスイッチ
ング素子として開発が急がれている。
【０００４】
このような画像表示装置を利用したアプリケーションは様々なものが期待されているが
、特に携帯機器への利用が注目されている。そのため、フレキシブルなプラスチックフィ
ルムの上にＴＦＴ素子を形成することが試みられている。
【０００５】
しかしながら、プラスチックフィルムの耐熱性が低いためプロセスの最高温度を低くせ
ざるを得ず、結果的にガラス基板上に形成する時ほど良好な電気特性のＴＦＴを形成でき
ないのが現状である。そのため、プラスチックフィルムを用いた高性能な液晶表示装置は
実現されていない。
【０００６】
また、特開平８−２８８５２２号公報では、ガラス基板上に薄膜トランジスタを形成し
、封止層を介して樹脂基板を接着した後、ガラス基板を剥離する技術が記載されている。
この技術を用いた場合、ＴＦＴの活性層が下地絶縁膜で保護されるのみとなっており、Ｔ
ＦＴが劣化しやすいという問題が生じていた。
【０００７】
また、特開平１１−２４３２０９号公報では、分離層を設け、レーザー光によって分離
層において剥離を生じせしめた後、接着層を介して一次転写体に接合し、さらに接着層を
介して二次転写体を接合した後、一次転写体を除去する技術が記載されている。この技術
を用いた場合においても、ＴＦＴの活性層が下地絶縁膜のみで保護される状態が作製工程
中に存在するため、傷つきやすくなっており、ＴＦＴが劣化しやすいという問題が生じて
いた。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本願発明はプラスチック支持体（可撓性のプラスチックフィルムもしくはプラスチック
基板を含む。）を用いて高性能な電気光学装置を作製するための技術を提供することを課
題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本願発明は、プラスチックに比べて耐熱性のある第１固定基板の上にプラスチック支持
体からなる素子形成基板を第１接着層で接着した後、該素子形成基板上に必要な素子を形
成し、該素子上に第２固定基板を第２接着層で貼り合わせた後に液晶材料を封止保持した
後、第１固定基板を分離することを特徴とする。
【００１０】
なお、前記必要な素子とは、アクティブマトリクス型の電気光学装置ならば画素のスイ
ッチング素子として用いる半導体素子（典型的にはＴＦＴ）もしくはＭＩＭ素子を指す。
【００１１】
また、第１固定基板と素子形成基板との貼り合わせ方法は、特に限定されないが、図１
に示したように、第１固定基板に第１接着層を形成した後で素子形成基板を貼り合わせる
方法、あるいは素子形成基板に第１接着層を形成した後で第１固定基板を貼り合わせる方
法を用いればよい。
【００１２】
また、プラスチック支持体からなる素子形成基板及び第２固定基板としては厚さ１０μ
ｍ以上の樹脂基板、例えばＰＥＳ（ポリエチレンサルファイル）、ＰＣ（ポリカーボネー
ト）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）もしくはＰＥＮ（ポリエチレンナフタレー
ト）を用いることができる。なお、第１の固定基板上に接着層を形成した後、その上に有
機樹脂層（ポリイミド層、ポリアミド層、ポリイミドアミド層、ＢＣＢ（ベンゾシクロブ
テン）層等）を成膜したものを素子形成基板と呼んでもよい。
【００１３】
また、素子形成基板としては、金属基板、例えばステンレス基板を用いることもできる
。その場合は金属基板上に下地絶縁膜を形成して必要な素子を形成すればよい。薄い金属
基板（厚さ１０〜２００μｍ）を用いることによって軽量化、薄型化が図れるとともに可
撓性を有する反射型の液晶表示装置を得ることできる。
【００１４】
また、第１固定基板を分離するのは、素子形成基板上に必要な素子を形成し、第２固定
基板を貼り合わせた後に行うが、その手段としてレーザー光の照射により第１接着層の全
部または一部を気化させる方法を用いる。また、レーザー光の照射に代えて、例えば、特
開平８−２８８５２２号公報に記載されたエッチングにより第１固定基板を分離する方法
や、第１接着層に対して流体（圧力が加えられた液体もしくは気体）を噴射することによ
り第１固定基板を分離する方法（代表的にはウォータージェット法）を用いてもよいし、
これらを組み合わせて用いてもよい。
【００１５】
レーザー光としては、パルス発振型または連続発光型のエキシマレーザーやＹＡＧレー
ザー、ＹＶＯ4レーザーを用いることができる。図３（Ｄ）に示すようにレーザー光を裏
面側から第１固定基板を通過させて第１接着層を照射して第１接着層のみを気化させて第
１固定基板を分離もしくは剥離する。従って、第１固定基板としては少なくとも照射する
レーザー光が通過する基板、代表的には透光性を有する基板、例えばガラス基板、石英基
板等を用い、さらに素子形成基板よりも厚さの厚いものが好ましい。
【００１６】
本発明においては、レーザー光が第１固定基板を通過させるため、レーザー光の種類と
第１固定基板を適宜選択する必要がある。例えば、第１固定基板として石英基板を用いる
のであれば、ＹＡＧレーザー（基本波（１０６４ｎｍ）、第２高調波（５３２ｎｍ）、第
３高調波（３５５ｎｍ）、第４高調波（２６６ｎｍ）
あるいはエキシマレーザー（波長３０８ｎｍ）を用い、線状ビームを形成し、石英基板を
通過させればよい。なお、エキシマレーザーはガラス基板を通過しない。従って、第１固
定基板としてガラス基板を用いるのであればＹＡＧレーザーの基本波、第２高調波、また
は第３高調波を用い、好ましくは第２高調波（波長５３２ｎｍ）を用いて線状ビームを形
成し、ガラス基板を通過させればよい。
【００１７】
また、第１接着層としては有機物を用い、好ましくは照射するレーザー光で全部または
一部が気化するものを用いる。また、効率よく第１接着層のみにレーザー光を吸収させる
ために、第１接着層がレーザー光を吸収する特性を有するもの、例えば、ＹＡＧレーザー
の第２高調波を用いる場合、有色、あるいは黒色（例えば、黒色着色剤を含む樹脂材料）
のものを用いることが望ましい。ただし、第１接着層は素子形成工程における熱処理によ
って気化しないものを用いる。また、第１接着層は単層であっても積層であってもよく、
図２に示したように第１接着層と素子形成基板の間にアモルファスシリコン膜またはＤＬ
Ｃ膜を設ける構成としてもよい。
【００１８】
このような構成とすることによって、素子形成基板の厚さが非常に薄い、具体的には５
０μｍ〜３００μｍ、好ましくは１５０μｍ〜２００μｍの厚さの基板を用いても、信頼
性の高い液晶表示装置を得ることができる。また、従来ある公知の製造装置を用いて、こ
のように厚さの薄い基板上に素子形成を行うことは困難であったが、本発明は第１固定基
板に貼り合わせて素子形成を行うため、装置の改造を行うことなく厚さの厚い基板を用い
た製造装置を使用することができる。また、素子形成工程中において、素子形成基板を素
子形成基板上に形成される絶縁膜と、第１固定基板とで挟まれた状態とすることで素子形
成基板の耐熱性を向上させることができる。
【００１９】
本明細書で開示する発明の構成は、第１固定基板と素子形成基板とを該素子形成基板に設
けられた第１接着層で貼り合わせ、該素子形成基板を貼り合わせた後に絶縁膜を形成し、
該絶縁膜の上にＴＦＴ素子及び画素電極を形成し、該画素電極の上に第２接着層で第２固
定基板を貼り合わせた後、レーザー光の照射により前記第１接着層を除去して前記第１固
定基板を分離することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【００２０】
また、他の発明の構成は、 第１固定基板と素子形成基板とを前記固定基板に設けられ
た第１接着層で貼り合わせ、該素子形成基板を貼り合わせた後に絶縁膜を形成し、該絶縁
膜の上にＴＦＴ素子及び画素電極を形成し、該画素電極の上に第２接着層で第２固定基板
を貼り合わせた後、レーザー光の照射により前記第１接着層を除去して前記第１固定基板
を分離することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【００２１】
上記各構成において、前記画素電極と前記第２固定基板との間に液晶材料を備え、前記
液晶材料は、前記素子形成基板と前記第２固定基板とを貼り合わせる前記第２接着層（シ
ール材等）で保持することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【００２２】
また、上記各構成において、前記素子形成基板と第１接着層の間には、非晶質シリコン
薄膜を形成してもよい。また、前記素子形成基板と第１接着層の間には、ダイヤモンド状
炭素薄膜を形成してもよい。
【００２３】
また、上記各構成において、前記第１接着層は、顔料や染料を用いて有色または黒色と
してレーザー光を吸収するようにしてもよい。
【００２４】
上記各構成において、前記素子形成基板及び前記第２固定基板は有機樹脂からなる支持
体（可撓性のプラスチックフィルムもしくはプラスチック基板を含む）
であることを特徴としている。また、前記素子形成基板及び前記第２固定基板としては、
第１固定基板と比べて厚さの薄いものを用いる。
【００２５】
また、上記各構成において、前記レーザー光の照射は、線状ビームを形成して走査させ
て照射することを特徴としており、前記レーザー光は、パルス発振型または連続発光型の
エキシマレーザーや、ＹＡＧレーザーや、ＹＶＯ4レーザーを用いることができる。
【００２６】
また、上記各構成において、前記レーザー光の照射は、前記第１固定基板の裏面側から
前記第１固定基板を通過させて、前記第１固定基板の表面側に設けられた前記第１接着層
に前記レーザー光を照射することを特徴としている。従って、前記第１固定基板は、使用
するレーザー光を透過することが好ましい。
【００２７】
また、上記各構成に記載された半導体装置とは、透過型の液晶表示装置または反射型の
液晶表示装置であることを特徴としている。
【発明の効果】
【００２８】
本発明により樹脂基板である素子形成基板と樹脂基板である第２固定基板とで素子形成層
（液晶材料、画素電極、およびＴＦＴ素子含む）を挟んだ表示装置は、多少の応力が発生
しても破損しない柔軟性（フレキシビリティ）を有している。
【００２９】
また、素子形成基板の厚さが非常に薄い、具体的には５０μｍ〜３００μｍ、好ましくは
１５０μｍ〜２００μｍの厚さの基板を用いても、信頼性の高い液晶表示装置を得ること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】基板貼り合わせ工程を示す図。
【図２】貼り合わせた基板の状態を示す図。
【図３】作製工程を示す図。
【図４】ｐチャネル型ＴＦＴの作製工程を示す図。
【図５】ｎチャネル型ＴＦＴの作製工程を示す図。
【図６】ＣＭＯＳ回路を作製する工程を説明する図。
【図７】ＣＭＯＳ回路を作製する工程を説明する図。
【図８】ＮＭＯＳ回路の構成を示す図。
【図９】シフトレジスタの構成を示す図。
【図１０】液晶表示装置の駆動回路及び画素部の断面構造図。
【図１１】液晶表示装置の上面図。
【図１２】液晶表示装置の画素の上面図。
【図１３】液晶表示装置の回路ブロック図。
【図１４】液晶表示装置の画素部の上面図および断面構造図。
【図１５】液晶表示装置の駆動回路及び画素部の断面構造図。
【図１６】液晶表示装置の駆動回路及び画素部の断面構造図。
【図１７】曲率を与えた状態を示す図。
【図１８】電子機器の一例を示す図。
【図１９】電子機器の一例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
本願発明の実施形態について、以下に説明する。
【００３２】
まず、第１固定基板１０１と素子形成基板１０３とを貼り合わせるが、図１に示したよう
に２通りの貼り合わせ方法がある。
【００３３】
一つ目の方法は、第１固定基板１０１上に第１接着層１０２を設けた後、第１固定基板
１０１と素子形成基板１０３とを貼り合わせる方法である。（図１（Ａ１））なお、貼り
合わせ後の状態を図１（Ｂ１）に示した。
【００３４】
また、二つ目の方法は、素子形成基板１０３に第１接着層１０２を設けた後、第１固定
基板１０１と素子形成基板１０３とを貼り合わせる方法である。（図１（Ａ２））なお、
貼り合わせ後の状態を図１（Ｂ２）に示した。
【００３５】
また、ここでは図示しないが、第１固定基板上に第１接着層を形成した後、その上に有
機樹脂層（ポリイミド層、ポリアミド層、ポリイミドアミド層等）を成膜したものを素子
形成基板と同等なものとしてもよい。
【００３６】
また、図２（Ａ）に示したように、第１接着層２０２Ｂと素子形成基板２０３の間にａ
―Ｓｉ（アモルファスシリコン）層２０２Ａを設ける構成としてもよい。後の工程で、こ
のａ―Ｓｉ層にレーザー光を照射することにより第１固定基板２０１を剥離させてもよい
。第１固定基板２０１が分離または剥離しやすいようにするため水素を多く含むａ―Ｓｉ
層を用いることが好ましい。レーザー光を照射することによりａ―Ｓｉ層に含まれる水素
を気化させて第１固定基板を分離または剥離する。
【００３７】
また、図２（Ｂ）に示したように、第１接着層２０５Ｂと素子形成基板２０６の間に、
素子形成基板２０６を保護するためのＤＬＣ膜（具体的にはダイヤモンドライクカーボン
膜）を設けてもよい。なお、第１固定基板２０４は、図１中に示した第１固定基板１０１
と同一である。
【００３８】
この場合、素子形成基板の片面もしくは両面に保護膜としてＤＬＣ膜を膜厚２〜５０ｎ
ｍでコーティングしたものを用いてもよい。なお、ＤＬＣ膜の成膜はスパッタ法もしくは
ＥＣＲプラズマＣＶＤ法を用いればよい。ＤＬＣ膜の特徴としては、１５５０ｃｍ-1くら
いに非対称のピークを有し、１３００ｃｍ-1くらいに肩をもつラマンスペクトル分布を有
する。また、微小硬度計で測定した時に１５〜２５ＧＰａの硬度を示すという特徴をもつ
。このような炭素膜は、酸素および水の侵入を防ぐとともに樹脂基板の表面を保護する役
割を持つ。こうして、外部からの水分や酸素等のによる劣化を促す物質が侵入することを
防ぐことができる。従って、信頼性の高い液晶表示装置が得られる。
【００３９】
また、図２（Ｃ）に示したように、第１接着層２０８Ｃと素子形成基板２０９の間に、
素子形成基板を保護するための第１ＤＬＣ膜２０８Ａと、第１固定基板２０７が分離また
は剥離しやすいようにするための第２ＤＬＣ膜２０８Ｂを設けてもよい。このような第１
ＤＬＣ膜２０８Ａとしては水素を含まない成膜条件で成膜したものを用い、第２ＤＬＣ膜
２０８Ｂとしては水素を含む成膜条件で成膜したものを用いればよい。また、第２ＤＬＣ
膜２０８Ｂにレーザー光を照射することにより膜中に含まれる水素を気化させて第１固定
基板２０７を分離または剥離させてもよい。
【００４０】
上記各方法によって得られる貼り合わせ後の状態を図３（Ａ）に示した。ここでは、図
１（Ｂ１）及び図１（Ｂ２）と同一のものを例示する。なお、符号は図１（Ｂ１）及び図
１（Ｂ２）と同じ符号を用いた。
【００４１】
次いで、素子形成基板１０３上に下地絶縁膜を形成した後、その下地絶縁膜上に必要な
素子を形成する。ここでは、駆動回路１０４とＴＦＴ素子及び画素電極を有する画素部１
０５を形成した例を示す。（図３（Ｂ））
【００４２】
次いで、第２固定基板（対向基板）１０６を第２接着層（シール材）１０７で貼り合わ
せる。（図３（Ｃ））次ぎに液晶材料１０８を封止保持する。第２固定基板１０６として
は、樹脂基板を用いればよく、片面もしくは両面に保護膜としてＤＬＣ膜を設けたものを
用いてもよい。
【００４３】
次いで、裏面側からレーザー光を照射して第１接着層１０２の全部または一部を気化さ
せて第１固定基板１０１を分離する。（図３（Ｄ））従って、第１接着層１０２はレーザ
ー光によって層内または界面において剥離現象が生じる物質を用いる。また、レーザー光
は第１固定基板１０１を通過して第１接着層で吸収するものを適宜選択する。例えば、第
１固定基板として石英基板を用いるのであれば、ＹＡＧレーザー（基本波（１０６４ｎｍ
）、第２高調波（５３２ｎｍ）、第３高調波（３５５ｎｍ）、第４高調波（２６６ｎｍ）
あるいはエキシマレーザー（波長３０８ｎｍ）を用い、線状ビームを形成し、石英基板を
通過させればよい。なお、エキシマレーザーはガラス基板を通過しない。従って、第１固
定基板としてガラス基板を用いるのであればＹＡＧレーザーの基本波、第２高調波、第３
高調波を用いることができ、好ましくは第２高調波（波長５３２ｎｍ）を用いて線状ビー
ムを形成し、ガラス基板を通過させればよい。
【００４４】
なお、レーザー照射して第１固定基板を分離する工程は、第２固定基板を貼り合わせた
後に行えばよく、液晶の注入、封止の前に行ってもよい。
【００４５】
そして、最終的には、樹脂基板である素子形成基板と樹脂基板である第２固定基板とで
液晶材料が挟まれた液晶表示装置が完成する。
【００４６】
また、図１７に示したように、樹脂基板である素子形成基板１０３と樹脂基板である第
２固定基板１０６とで素子形成層（液晶材料、画素電極、及びＴＦＴ素子を含む）を挟ん
だ液晶表示装置は、多少の応力が発生しても破損しない柔軟性（フレキシビリティ）を有
している。図１７（Ａ）は曲率を与えていないときの状態を示し、図１７（Ｂ）は曲率を
与えたときの状態を示す。図１７（Ｂ）において、素子形成基板には圧縮応力が働き、第
２固定基板には引張応力が働くが、素子形成層においては、応力がほとんど働かず、中央
部における伸び縮みを±１μｍ以下とすることができる。なお、曲率半径が１０ｃｍまで
の曲率を与えても問題ない。
【００４７】
以上の構成でなる本願発明について、以下に示す実施例でもってさらに詳細な説明を行
うこととする。
【実施例１】
【００４８】
本実施例は、樹脂基板である素子形成基板と樹脂基板である第２固定基板とで液晶材料
が挟まれた液晶表示装置の作製方法の一例を図３を用いて示す。なお、ここでは、全ての
工程を３５０℃以下、好ましくは２００℃以下で行うこととする。ただし、本発明が本実
施例に限定されないことはいうまでもない。
【００４９】
まず、第１固定基板１０１としてガラス基板を用いる。そして、実施の形態に示したい
ずれかの方法を用いて、第１固定基板１０１と樹脂基板である素子形成基板１０３とを第
１接着層１０２で貼り合わせた。（図３（Ａ））
【００５０】
次いで、素子形成基板１０３上に下地絶縁膜を形成した後、その下地絶縁膜上に必要な
素子を形成する。ここでは、駆動回路１０４とＴＦＴ素子及び画素電極を有する画素部１
０５を形成した例を示す。（図３（Ｂ））
【００５１】
下地絶縁膜としては、低温で成膜が可能なスパッタ法を用いて、膜組成において酸素元
素より窒素元素を多く含む酸化窒化シリコン膜と、膜組成において窒素元素より酸素元素
を多く含む酸化窒化シリコン膜を積層形成した。
【００５２】
次いで、下地絶縁膜上に半導体層を形成する。半導体層の材料に限定はないが、好まし
くはシリコンまたはシリコンゲルマニウム（ＳｉXＧｅ1-X（０＜Ｘ＜１））合金などで形
成すると良い。本実施例では、低温で成膜が可能なスパッタ法を用いて非晶質シリコン膜
を形成し、レーザー結晶化法により結晶質シリコン膜を形成した。レーザー結晶化法で結
晶質半導体膜を作製する場合には、パルス発振型または連続発光型のエキシマレーザーや
ＹＡＧレーザー、ＹＶＯ4レーザーを用いることができる。
【００５３】
次いで、半導体層を覆うゲート絶縁膜を形成する。本実施例では、低温で成膜が可能な
スパッタ法を用いて酸化シリコン膜を形成した。
【００５４】
次いで、ゲート絶縁膜上に導電層を形成する。導電層は、導電膜を公知の手段（熱ＣＶＤ
法、プラズマＣＶＤ法、減圧熱ＣＶＤ法、蒸着法、またはスパッタ法等）により成膜した
後、マスクを用いて所望の形状にパターニングして形成する。
【００５５】
次いで、イオン注入法またはイオンドーピング法を用い、半導体層にｎ型を付与する不
純物元素またはｐ型を付与する不純物元素を適宜、添加してＬＤＤ領域やソース領域やド
レイン領域を形成する不純物領域を形成する。
【００５６】
その後、スパッタ法により作製される窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、または酸
化シリコン膜により層間絶縁膜を形成する。また、添加された不純物元素は活性化処理を
行う。ここでは、レーザー光の照射を行った。レーザー光の照射に代えて、３５０℃以下
の加熱処理で活性化を行ってもよい。
【００５７】
次いで、公知の技術を用いてソース領域またはドレイン領域に達するコンタクトホール
を形成した後、ソース電極またはドレイン電極を形成しＴＦＴを得る。
【００５８】
次いで、公知の技術を用いて水素化処理を行い、全体を水素化してｎチャネル型ＴＦＴ
またはｐチャネル型ＴＦＴが完成する。本実施例では比較的低温で行うことが可能な水素
プラズマを用いて水素化処理を行った。
【００５９】
次いで、スパッタ法により作製される窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、または酸
化シリコン膜により層間絶縁膜を形成する。次いで、公知の技術を用いて画素部のドレイ
ン電極に達するコンタクトホールを形成した後、ＩＴＯ、ＳｎＯ2等の透明導電膜からな
る画素電極を形成する。本実施例では一例として透過型の液晶表示装置の例を示したが特
に限定されない。例えば、画素電極の材料として反射性を有する金属材料を用い、画素電
極のパターニングの変更、または幾つかの工程の追加／削除を適宜行えば反射型の液晶表
示装置を作製することが可能である。
【００６０】
次いで、画素部及び駆動回路に含まれる素子を全て絶縁膜（配向膜等）で覆う。
【００６１】
次いで、素子形成基板に形成された素子を全て覆う絶縁膜と第２固定基板１０６とを第
２接着層（シール材）１０７で貼り合わせる。この後、液晶材料を注入して封止する。（
図３（Ｃ））第２固定基板１０６としては、樹脂基板を用いればよく、片面もしくは両面
に保護膜としてＤＬＣ膜を設けたものを用い、対向電極と、液晶を配向させるための配向
膜を備えている。
【００６２】
次いで、裏面側からレーザー光を照射して第１接着層１０２の全部または一部を気化さ
せて第１固定基板１０１を分離する。（図３（Ｄ））本実施例では、第１固定基板として
ガラス基板を用いるため、ＹＡＧレーザーの基本波、第２高調波、第３高調波を用いる。
ここでは第２高調波（波長５３２ｎｍ）を用いて線状ビームを形成し、第１固定基板１０
１であるガラス基板を通過させて第１接着層を照射した。
【００６３】
そして、最終的には、樹脂基板である素子形成基板と樹脂基板である第２固定基板とで
液晶材料を保持した液晶表示装置が完成した。スパッタ法を用いて各膜（絶縁膜、半導体
膜、導電膜等）を形成し、全てのプロセスを３５０℃以下、好ましくは２００℃以下で行
うことができる。
【実施例２】
【００６４】
本実施例は、ｐチャネル型ＴＦＴを作製する例であり、図４を用いて説明する。
【００６５】
まず、第１固定基板４０１と第１接着層４０２（分離層）で貼りつけた素子形成基板４
０３上に下地絶縁膜４０４を形成する。下地絶縁膜４０４としては、酸化シリコン膜、窒
化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜（ＳｉＯx Ｎy ）、またはこれらの積層膜等を１００
〜５００ｎｍの膜厚範囲で用いることができ、形成手段としては熱ＣＶＤ法、プラズマＣ
ＶＤ法、蒸着法、スパッタ法、減圧熱ＣＶＤ法等の形成方法を用いることができる。
【００６６】
本実施例では、低温で成膜が可能なスパッタ法を用いて、膜組成において酸素元素より
窒素元素を多く含む酸化窒化シリコン膜と、膜組成において窒素元素より酸素元素を多く
含む酸化窒化シリコン膜を積層形成した。
【００６７】
なお、第１固定基板４０１と第１接着層４０２（分離層）で貼りつけた素子形成基板４
０３は上記実施形態で示した方法により作製されるいずれのものも適用可能である。
【００６８】
次いで、下地絶縁膜上に半導体層４０５を形成する。半導体層４０５は、非晶質構造を
有する半導体膜を公知の手段（熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、減圧熱ＣＶＤ法、蒸着法
、またはスパッタ法等）により成膜した後、公知の結晶化処理（レーザー結晶化法、熱結
晶化法、またはニッケルなどの触媒を用いた熱結晶化法等）を行って得られた結晶質半導
体膜を所望の形状にパターニングして形成する。この半導体層４０５の厚さは２０〜１０
０ｎｍ（好ましくは３０〜６０ｎｍ）の厚さで形成する。結晶質半導体膜の材料に限定は
ないが、好ましくはシリコンまたはシリコンゲルマニウム（ＳｉXＧｅ1-X（０＜Ｘ＜１）
）合金などで形成すると良い。本実施例では、低温で成膜が可能なスパッタ法を用いて非
晶質シリコン膜を形成し、レーザー結晶化法により結晶質シリコン膜を形成した。レーザ
ー結晶化法で結晶質半導体膜を作製する場合には、パルス発振型または連続発光型のエキ
シマレーザーやＹＡＧレーザー、ＹＶＯ4レーザーを用いることができる。
【００６９】
また、半導体層４０５を形成した後、ＴＦＴのしきい値を制御するために微量な不純物
元素（ボロンまたはリン）のドーピングを行ってもよい。
【００７０】
次いで、半導体層４０５を覆うゲート絶縁膜４０６を形成する。ゲート絶縁膜４０６は
プラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用い、厚さを４０〜１５０ｎｍとしてシリコンを含
む絶縁膜で形成する。本実施例では、低温で成膜が可能なスパッタ法を用いて酸化シリコ
ン膜を形成した。（図４（Ａ））
【００７１】
次いで、ゲート絶縁膜４０６上に導電層４０８を形成する。導電層４０８は、導電膜を公
知の手段（熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、減圧熱ＣＶＤ法、蒸着法、またはスパッタ法
等）により成膜した後、マスク４０７を用いて所望の形状にパターニングして形成する。
導電層４０８の材料としては、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｄから選ば
れた元素、または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で形成してもよい
。また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜を
用いてもよい。また、ＡｇＰｄＣｕ合金を用いてもよい。本実施例では、低温で成膜が可
能なスパッタ法を用いてＷ膜を成膜し、パターニングした。導電層４０８の端部はテーパ
ー状に形成する。エッチング条件は適宣決定すれば良いが、例えば、Ｗの場合にはＣＦ4
とＣｌ2の混合ガスを用い、基板を負にバイアスすることにより良好にエッチングするこ
とができる。
【００７２】
次いで、図４（Ｂ）に示すように、自己整合的にソース及びドレイン領域を形成する不
純物領域（ｐ＋領域）４０９を形成する。この不純物領域（ｐ＋領域）
４０９はイオンドープ法により形成し、ボロンに代表される周期律表第１３族の元素をド
ーピングする。不純物領域（ｐ＋領域）４０９の不純物濃度は、１×１０20〜２×１０21
／ｃｍ3の範囲となるようにする。
【００７３】
次に、図４（Ｃ）に示すように導電層４０８の端部が後退するようにエッチングして導
電層４１０を形成する。本実施例の構造ではこれをゲート電極とする。
ゲート電極の形成には２回のエッチング工程を用いるが、そのエッチング条件は適宣決定
されるものである。例えば、Ｗの場合にはＣＦ4とＣｌ2の混合ガスを用い、基板を負にバ
イアスすることにより良好に端部がテーパー形状に加工することができる。また、ＣＦ4
とＣｌ2に酸素を混合させることにより、下地と選択性良く、Ｗの異方性エッチングエッ
チングをすることができる。
【００７４】
その後、図４（Ｄ）に示すように、導電層４１０をマスクとしてｐ型の不純物（アクセプ
タ）をドーピングし、自己整合的に不純物領域（ｐ−領域）４１１を形成する。不純物領
域（ｐ−領域）４１１の不純物濃度は、１×１０17〜２×１０19／ｃｍ3の範囲となるよ
うにする。
【００７５】
その後、スパッタ法またはプラズマＣＶＤ法により作製される窒化シリコン膜、窒化酸
化シリコン膜により層間絶縁膜４１３を形成する。また、添加された不純物元素は活性化
のために３５０〜５００℃の加熱処理またはレーザー光の照射を行う。さらに、公知の技
術を用いて不純物領域（ｐ＋領域）に達するコンタクトホールを形成した後、ソース電極
またはドレイン電極４１４を形成しＴＦＴを得る。
【００７６】
最後に公知の技術を用いて水素化処理を行い、全体を水素化してｐチャネル型ＴＦＴが
完成する。（図４（Ｅ））本実施例では比較的低温で行うことが可能な水素プラズマを用
いて水素化処理を行った。
【００７７】
半導体層にはチャネル形成領域４１２、不純物領域（ｐ−領域）で形成されるＬＤＤ（
Lightly Doped Drain）領域４１１、不純物領域（ｐ＋領域）で形成されるソースまたは
ドレイン領域４０９が形成されている。ここでは、ｐチャネル型ＴＦＴをＬＤＤ構造で示
したが、勿論シングルドレインや、或いはＬＤＤがゲート電極とオーバーラップした構造
で作製することもできる。本実施例で示すｐチャネル型ＴＦＴを用いて基本論理回路を構
成したり、さらに複雑なロジック回路（信号分割回路、Ｄ／Ａコンバータ、オペアンプ、
γ補正回路など）をも構成することができ、さらにはメモリやマイクロプロセッサをも形
成しうる。例えば、液晶表示装置の駆動回路を全てｐチャネル型ＴＦＴで構成することも
可能である。
【００７８】
また、本実施例は実施例１と組み合わせることが可能である。
【実施例３】
【００７９】
本実施例は、ｎチャネル型ＴＦＴを作製する例であり、図５を用いて説明する。なお、
図４（Ａ）と図５（Ａ）は同一であるため、同じ符号を用い、ここでは作製工程の説明を
省略する。
【００８０】
実施例２に従って図５（Ａ）の状態を得た後、光露光プロセスによりレジストによるマ
スク４１５を形成し、半導体膜４０５にイオン注入またはイオンドープ法によりｎ型の不
純物（ドナー）をドーピングする。（図５（Ｂ））作製される不純物領域（ｎ−領域）４
１６において、ドーピングされる濃度は１×１０17〜２×１０19／ｃｍ3の範囲となるよ
うにする。
【００８１】
次いで、絶縁膜４０６上には、タンタル、タングステン、チタン、アルミニウム、モリ
ブデンから選ばれた一種または複数種の元素を成分とする導電性材料でゲート電極４１７
を形成する。（図５（Ｃ））ゲート電極４１７の一部は不純物領域（ｎ−領域）４１６と
ゲート絶縁膜を介して一部が重なるように形成する。
【００８２】
その後、図５（Ｄ）に示すように、ゲート電極４１７をマスクとしてｎ型の不純物（ド
ナー）をドーピングし、自己整合的に不純物領域（ｎ＋領域）４１８を形成する。不純物
領域（ｎ＋領域）４１８の不純物濃度は、１×１０17〜２×１０19／ｃｍ3の範囲となる
ようにする。
【００８３】
その後、プラズマＣＶＤ法により作製される窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜によ
り層間絶縁膜４１９を形成する。また、添加された不純物元素は活性化のために３５０〜
５００℃の加熱処理またはレーザー光の照射を行う。さらに、公知の技術を用いて不純物
領域（ｎ＋領域）に達するコンタクトホールを形成した後、ソース電極またはドレイン電
極４２０を形成しＴＦＴを得る。
【００８４】
最後に公知の技術を用いて水素化処理を行い、全体を水素化してｎチャネル型ＴＦＴが
完成する。（図５（Ｅ））本実施例では比較的低温で行うことが可能な水素プラズマを用
いて水素化処理を行った。
【００８５】
半導体層にはチャネル形成領域４１９、不純物領域（ｎ−領域）で形成されるＬＤＤ（
Lightly Doped Drain）領域４１６、不純物領域（ｎ＋領域）で形成されるソースまたは
ドレイン領域４１８が形成されている。また、ＬＤＤ領域４１６はゲート電極４１７とオ
ーバーラップして形成され、ドレイン端における電界の集中を緩和して、ホットキャリア
による劣化を防いでいる。勿論シングルドレインや、ＬＤＤ構造でｎチャネル型ＴＦＴを
作製することもできる。本実施例で示すｎチャネル型ＴＦＴを用いて基本論理回路を構成
したり、さらに複雑なロジック回路（信号分割回路、Ｄ／Ａコンバータ、オペアンプ、γ
補正回路など）をも構成することができ、さらにはメモリやマイクロプロセッサをも形成
しうる。
例えば、液晶表示装置の駆動回路を全てｎチャネル型ＴＦＴで構成することも可能である
。
【００８６】
また、本実施例は実施例１と組み合わせることが可能である。
【実施例４】
【００８７】
本実施例は、ｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴとを相補的に組み合わせたＣＭ
ＯＳ回路を作製する例であり、図６、図７を用いて説明する。
【００８８】
実施例２に従って、第１固定基板と第１接着層（分離層）で貼りつけた素子形成基板上
に下地絶縁膜を形成した後、半導体層５０１、５０２を形成する。（図６（Ａ））
【００８９】
次いで、スパッタ法によりゲート絶縁膜５０３と第１導電膜５０４と第２導電膜５０５
を形成する。（図６（Ｂ））本実施例では、第１導電膜５０４を窒化タンタルまたはチタ
ンで５０〜１００ｎｍの厚さに形成し、第２導電膜５０５をタングステンで１００〜３０
０ｎｍの厚さに形成する。
【００９０】
次に図６（Ｃ）に示すように、レジストによるマスク５０６を形成し、ゲート電極を形
成するための第１のエッチング処理を行う。エッチング方法に限定はないが、好適にはＩ
ＣＰ（Inductively Coupled Plasma：誘導結合型プラズマ）エッチング法を用いる。エッ
チング用ガスにＣＦ4とＣｌ2を混合し、０．５〜２Ｐａ、好ましくは１Ｐａの圧力でコイ
ル型の電極に５００ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入してプラズマを生成して行
う。基板側（試料ステージ）にも１００ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入し、実
質的に負の自己バイアス電圧を印加する。ＣＦ4とＣｌ2を混合した場合にはタングステン
膜、窒化タンタル膜及びチタン膜の場合でも、それぞれ同程度の速度でエッチングするこ
とができる。
【００９１】
上記エッチング条件では、レジストによるマスクの形状と、基板側に印加するバイアス電
圧の効果により端部をテーパー形状とすることができる。テーパー部の角度は１５〜４５
°となるようにする。また、ゲート絶縁膜上に残渣を残すことなくエッチングするために
は、１０〜２０％程度の割合でエッチング時間を増加させると良い。Ｗ膜に対する酸化窒
化シリコン膜の選択比は２〜４（代表的には３）であるので、オーバーエッチング処理に
より、酸化窒化シリコン膜が露出した面は２０〜５０ｎｍ程度エッチングされる。こうし
て、第１のエッチング処理により第１導電膜と第２導電膜から成る第１形状の導電層５０
７、５０８（第１の導電層５０７ａ、５０８ａと第２導電層５０７ｂ、５０８ｂ）を形成
する。５０９はゲート絶縁膜であり、第１の形状の導電層で覆われない領域は２０〜５０
ｎｍ程度エッチングされ薄くなる。
【００９２】
次いで、レジストマスクをそのままの状態としたまま、図６（Ｄ）に示すように第２の
エッチング処理を行う。エッチングはＩＣＰエッチング法を用い、エッチングガスにＣＦ
4とＣｌ2とＯ2を混合して、１Ｐａの圧力でコイル型の電極に５００ＷのＲＦ電力(１３．
５６ＭＨｚ)を供給してプラズマを生成する。基板側（試料ステージ）には５０ＷのＲＦ
（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入し、第１のエッチング処理に比べ低い自己バイアス電圧
を印加する。このような条件によりタングステン膜を異方性エッチングし、第１の導電層
である窒化タンタル膜またはチタン膜を残存させるようにする。こうして、第２形状の導
電層５０９、５１０（第１の導電膜５０９ａ、５１０ａと第２の導電膜５０９ｂ、５１０
ｂ）を形成する。５１１はゲート絶縁膜であり、第２の形状の導電層５０９、５１０で覆
われない領域は除去された。なお、ここでは除去した例を示したが絶縁膜を薄く残しても
よい。
【００９３】
そして、第１のドーピング処理を行いｎ型の不純物（ドナー）をドーピングする。（図
７（Ａ））その方法はイオンドープ法若しくはイオン注入法で行う。ｎ型を付与する不純
物元素として１５族に属する元素、典型的にはリン（Ｐ）または砒素（Ａｓ）を用いる。
この場合、第２形状の導電層５０９ｂ、５１０ｂはドーピングする元素に対してマスクと
なり、加速電圧を適宣調節（例えば、７０〜１２０ｋｅＶ）して、ゲート絶縁膜５１１及
び第２の導電膜５０９ａ、５１０ａのテーパ部を通過した不純物元素により不純物領域（
ｎ−領域）５１２を形成する。例えば、不純物領域（ｎ−領域）におけるリン（Ｐ）濃度
は１×１０17〜１×１０19／ｃｍ3の範囲となるようにする。
【００９４】
次いで、マスクを除去した後、マスク５１３を形成して図７（Ｂ）に示すように第２の
ドーピング処理を行う。第１のドーピング処理よりもドーズ量を上げ低加速電圧の条件で
ｎ型の不純物（ドナー）をドーピングする。例えば、加速電圧を２０〜６０ｋｅＶとし、
１×１０13〜５×１０14／ｃｍ2のドーズ量で行い、不純物領域（ｎ＋領域）５１４を形
成する。例えば、不純物領域（ｎ＋領域）におけるリン（Ｐ）濃度は１×１０20〜１×１
０21／ｃｍ3の範囲となるようにする。
【００９５】
そして、レジストを除去した後、図７（Ｃ）に示すように、レジストによるマスク５１
５を形成し、ｐチャネル型ＴＦＴを形成する島状半導体層５０１にｐ型の不純物（アクセ
プタ）をドーピングする。典型的にはボロン（Ｂ）を用いる。
不純物領域（ｐ＋領域）５１６、５１７の不純物濃度は２×１０20〜２×１０21／ｃｍ3
となるようにし、含有するリン濃度の１．５〜３倍のボロンを添加して導電型を反転させ
る。
【００９６】
以上までの工程でそれぞれの島状半導体層に不純物領域が形成される。第２形状の導電層
５０９、５１０はゲート電極となる。その後、図７（Ｄ）に示すように、窒化シリコン膜
または酸化窒化シリコン膜から成る保護絶縁膜５１８をプラズマＣＶＤ法で形成する。そ
して導電型の制御を目的としてそれぞれの島状半導体層に添加された不純物元素を活性化
する工程を行う。
【００９７】
さらに、窒化シリコン膜５１９を形成し、水素化処理を行う。本実施例では比較的低温で
行うことが可能な水素プラズマを用いて水素化処理を行った。
【００９８】
層間絶縁膜５２０は、ポリイミド、アクリルなどの有機絶縁物材料で形成する。勿論、
プラズマＣＶＤ法でＴＥＯＳ（Tetraethyl Ortho silicate）を用いて形成される酸化シ
リコン膜を適用しても良いが、平坦性を高める観点からは前記有機物材料を用いることが
望ましい。
【００９９】
次いで、コンタクトホールを形成し、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）
、タンタル（Ｔａ）などを用いて、ソース配線またはドレイン配線５２１〜５２３を形成
する。
【０１００】
以上の工程で、ｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴとを相補的に組み合わせたＣ
ＭＯＳ回路を得ることができる。
【０１０１】
ｐチャネル型ＴＦＴにはチャネル形成領域５２４、ソース領域またはドレイン領域とし
て機能する不純物領域５１６、５１７を有している。
【０１０２】
ｎチャネル型ＴＦＴにはチャネル形成領域５２５、ゲート電極５１０と重なる不純物領
域５１２ａ（Gate Overlapped Drain：ＧＯＬＤ領域）、ゲート電極の外側に形成される
不純物領域５１２ｂ（ＬＤＤ領域）とソース領域またはドレイン領域として機能する不純
物領域５１４を有している。
【０１０３】
このようなＣＭＯＳ回路は、アクティブマトリクス型の液晶表示装置の駆動回路を形成
することを可能とする。それ以外にも、このようなｎチャネル型ＴＦＴまたはｐチャネル
型ＴＦＴは、画素部を形成するトランジスタに応用することができる。
【０１０４】
このようなＣＭＯＳ回路を組み合わせることで基本論理回路を構成したり、さらに複雑
なロジック回路（信号分割回路、Ｄ／Ａコンバータ、オペアンプ、γ補正回路など）をも
構成することができ、さらにはメモリやマイクロプロセッサをも形成することが可能であ
る。
【０１０５】
また、本実施例は実施例１と組み合わせることが可能である。
【実施例５】
【０１０６】
実施例３に示すｎチャネル型ＴＦＴは、チャネル形成領域となる半導体に周期表の１５
族に属する元素（好ましくはリン）もしくは周期表の１３族に属する元素（好ましくはボ
ロン）を添加することによりエンハンスメント型とデプレッション型とを作り分けること
ができる。
【０１０７】
また、ｎチャネル型ＴＦＴを組み合わせてＮＭＯＳ回路を形成する場合、エンハンスメ
ント型ＴＦＴ同士で形成する場合（以下、ＥＥＭＯＳ回路という）と、エンハンスメント
型とデプレッション型とを組み合わせて形成する場合（以下、ＥＤＭＯＳ回路という）が
ある。
【０１０８】
ここでＥＥＭＯＳ回路の例を図８（Ａ）に、ＥＤＭＯＳ回路の例を図８（Ｂ）に示す。図
８（Ａ）において、３１、３２はどちらもエンハンスメント型のｎチャネル型ＴＦＴ（以
下、Ｅ型ＮＴＦＴという）である。また、図８（Ｂ）において、３３はＥ型ＮＴＦＴ、３
４はデプレッション型のｎチャネル型ＴＦＴ（以下、Ｄ型ＮＴＦＴという）である。
【０１０９】
なお、図８（Ａ）、（Ｂ）において、ＶDHは正の電圧が印加される電源線（正電源線）
であり、ＶDLは負の電圧が印加される電源線（負電源線）である。負電源線は接地電位の
電源線（接地電源線）としても良い。
【０１１０】
さらに、図８（Ａ）に示したＥＥＭＯＳ回路もしくは図８（Ｂ）に示したＥＤＭＯＳ回
路を用いてシフトレジスタを作製した例を図９に示す。図９において、４０、４１はフリ
ップフロップ回路である。また、４２、４３はＥ型ＮＴＦＴであり、Ｅ型ＮＴＦＴ４２の
ゲートにはクロック信号（ＣＬ）が入力され、Ｅ型ＮＴＦＴ４３のゲートには極性の反転
したクロック信号（ＣＬバー）が入力される。また、４４で示される記号はインバータ回
路であり、図９（Ｂ）に示すように、図８（Ａ）に示したＥＥＭＯＳ回路もしくは図８（
Ｂ）に示したＥＤＭＯＳ回路が用いられる。従って、液晶表示装置の駆動回路を全てｎチ
ャネル型ＴＦＴで構成することも可能である。
【０１１１】
また、本実施例は実施例１または実施例３と組み合わせることが可能である。
【実施例６】
【０１１２】
ここでは、上記実施例２〜５で得られるＴＦＴを用いて液晶表示装置を作製した例につ
いて図１０〜図１３を用い、以下に説明する。
【０１１３】
同一の絶縁体上に画素部とそれを駆動する駆動回路を有した液晶表示装置の例（但し液
晶材料封止前の状態）を図１０に示す。なお、駆動回路には基本単位となるＣＭＯＳ回路
を示し、画素部には一つの画素を示す。このＣＭＯＳ回路及び画素部のＴＦＴは実施例４
に従えば得ることができる。
【０１１４】
図１０において、６０１は第１固定基板、６０２は第１接着層、６０３は素子形成基板
であり、その上にはｎチャネル型ＴＦＴ６０５とｐチャネル型ＴＦＴ６０４からなる駆動
回路６０８、ｎチャネル型ＴＦＴからなる画素ＴＦＴ６０６および保持容量６０７とが形
成されている。また、本実施例では、ＴＦＴはすべてトップゲート型ＴＦＴで形成されて
いる。
【０１１５】
ｐチャネル型ＴＦＴ６０４とｎチャネル型ＴＦＴ６０５の説明は実施例４を参照すれば
良いので省略する。また、ｎチャネル型ＴＦＴからなる画素ＴＦＴ６０６の説明は実施例
１または実施例３を参照すればよいので省略する。また、画素ＴＦＴ６０６はソース領域
およびドレイン領域の間に二つのチャネル形成領域を有した構造（ダブルゲート構造）と
なっているが、実施例３でのｎチャネル型ＴＦＴの構造の説明を参照すれば容易に理解で
きるので説明は省略する。なお、本実施例はダブルゲート構造に限定されることなく、チ
ャネル形成領域が一つ形成されるシングルゲート構造もしくは三つ形成されるトリプルゲ
ート構造であっても良い。
【０１１６】
また、本実施例では、画素ＴＦＴのドレイン領域と接続する画素電極６１０を反射電極
とした。その画素電極６１０の材料としては、ＡｌまたはＡｇを主成分とする膜、または
それらの積層膜等の反射性の優れた材料を用いることが望ましい。また、画素電極６１０
を形成した後、公知のサンドブラスト法やエッチング法等の工程を追加して表面を凹凸化
させて、鏡面反射を防ぎ、反射光を散乱させることによって白色度を増加させることが好
ましい。
【０１１７】
また、図１２は、図１０中の点線Ａ−Ａ’で切断した断面図である。ゲート電極として
機能する導電層７１２は隣接する画素の保持容量の一方の電極を兼ね、画素電極７５２と
接続する半導体層７５３と重なる部分で容量を形成している。
また、ソース配線７０７と画素電極７２４及び隣接する画素電極７５１との配置関係は、
画素電極７２４、７５１の端部をソース配線７０７上に設け、重なり部を形成することに
より、迷光を遮り遮光性を高めている。
【０１１８】
図１０の状態を得た後、画素電極６１０上に配向膜を形成しラビング処理を行う。なお
、本実施例では配向膜を形成する前に、アクリル樹脂膜等の有機樹脂膜をパターニングす
ることによって基板間隔を保持するための柱状のスペーサ（図示しない）を所望の位置に
形成した。また、柱状のスペーサに代えて、球状のスペーサを基板全面に散布してもよい
。
【０１１９】
次いで、第２固定基板（対向基板）を用意する。次いで、対向基板第２固定基板上に着
色層、遮光層を形成した後、平坦化膜を形成する。次いで、平坦化膜上に透明導電膜から
なる対向電極を少なくとも画素部に形成し、対向基板の全面に配向膜を形成し、ラビング
処理を施した。
【０１２０】
そして、画素部と駆動回路が形成された素子形成基板と第２固定基板とを第２接着層（
本実施例ではシール材）で貼り合わせる。第２接着層にはフィラーが混入されていて、こ
のフィラーと柱状スペーサによって均一な間隔を持って２枚の基板が貼り合わせられる。
その後、両基板の間に液晶材料を注入し、封止剤（図示せず）によって完全に封止する。
液晶材料には公知の液晶材料を用いれば良い。
【０１２１】
次いで、液晶の封止（または封入）工程まで行った後、実施の形態および実施例１に示
したようにレーザー照射により第１固定基板を分離した。その後の液晶表示装置の状態に
ついて図１１を用いて説明する。
【０１２２】
図１１に示す上面図は、画素部、駆動回路、ＦＰＣ（フレキシブルプリント配線板：Fl
exible Printed Circuit）を貼り付ける外部入力端子、外部入力端子と各回路の入力部ま
でを接続する配線８１などが形成された素子形成基板と、カラーフィルタなどが設けられ
た対向基板８２とがシール材８３を介して貼り合わされている。
【０１２３】
ゲート側駆動回路８４と重なるように第２固定基板側に遮光層８６ａが設けられ、ソー
ス側駆動回路８５と重なるように第２固定基板側に遮光層８６ｂが形成されている。また
、画素部８７上の第２固定基板側に設けられたカラーフィルタ８８は遮光層と、赤色（Ｒ
）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色の着色層とが各画素に対応して設けられている。実際
に表示する際には、赤色（Ｒ）の着色層、緑色（Ｇ）の着色層、青色（Ｂ）の着色層の３
色でカラー表示を形成するが、これら各色の着色層の配列は任意なものとする。
【０１２４】
ここでは、カラー化を図るためにカラーフィルタ８８を第２固定基板に設けているが特
に限定されず、素子形成基板上に素子を作製する際、素子形成基板上にカラーフィルタを
形成してもよい。
【０１２５】
また、カラーフィルタにおいて隣り合う画素の間には遮光層が設けられており、表示領
域以外の箇所を遮光している。また、ここでは、駆動回路を覆う領域にも遮光層８６ａ、
８６ｂを設けているが、駆動回路を覆う領域は、後に液晶表示装置を電子機器の表示部と
して組み込む際、カバーで覆うため、特に遮光層を設けない構成としてもよい。また、素
子形成基板上に必要な素子を作製する際、素子形成基板に遮光層を形成してもよい。
【０１２６】
また、上記遮光層を設けずに、第２固定基板と対向電極の間に、カラーフィルタを構成
する着色層を複数層重ねた積層で遮光するように適宜配置し、表示領域以外の箇所（各画
素電極の間隙）や、駆動回路を遮光してもよい。
【０１２７】
また、外部入力端子にはベースフィルムと配線から成るＦＰＣ８９が異方性導電性樹脂
で貼り合わされている。さらに補強板で機械的強度を高めている。
【０１２８】
また、第２固定基板のみに偏光板（図示しない）を貼りつける。
【０１２９】
以上のようにして作製される液晶表示装置は各種電子機器の表示部として用いることが
できる。
【０１３０】
また、本実施例は実施例１と組み合わせることが可能である。
【実施例７】
【０１３１】
本実施例では実施例６に示した液晶表示装置の回路構成例を図１３に示す。
【０１３２】
なお、図１３（Ａ）はアナログ駆動を行うための回路構成である。本実施例では、ソース
側駆動回路９０、画素部９１及びゲート側駆動回路９２を有している。
なお、本明細書中において、駆動回路とはソース側処理回路およびゲート側駆動回路を含
めた総称である。
【０１３３】
ソース側駆動回路９０は、シフトレジスタ９０ａ、バッファ９０ｂ、サンプリング回路
（トランスファゲート）９０ｃを設けている。また、ゲート側駆動回路９２は、シフトレ
ジスタ９２ａ、レベルシフタ９２ｂ、バッファ９２ｃを設けている。なお、シフトレジス
タ９０ａ、９２ａとしては図１６に示したシフトレジスタを用いれば良い。また、必要で
あればサンプリング回路とシフトレジスタとの間にレベルシフタ回路を設けてもよい。
【０１３４】
また、本実施例において、画素部９１は複数の画素を含み、その複数の画素に各々ＴＦＴ
素子が設けられている。
【０１３５】
これらソース側駆動回路９０およびゲート側駆動回路９２を全てＮチャネル型ＴＦＴで
形成することができる。この場合、全ての回路は図８（Ａ）に示したＥＥＭＯＳ回路を基
本単位として形成されている。ただし、従来のＣＭＯＳ回路に比べると消費電力は若干上
がってしまう。
【０１３６】
また、これらソース側駆動回路９０およびゲート側駆動回路９２を全てｐチャネル型Ｔ
ＦＴで形成することもできる。
【０１３７】
なお、図示していないが、画素部９１を挟んでゲート側駆動回路９２の反対側にさらに
ゲート側駆動回路を設けても良い。
【０１３８】
また、デジタル駆動させる場合は、図１９（Ｂ）に示すように、サンプリング回路の代
わりにラッチ（Ａ）９３ｂ、ラッチ（Ｂ）９３ｃを設ければよい。ソース側駆動回路９３
は、シフトレジスタ９３ａ、ラッチ（Ａ）９３ｂ、ラッチ（Ｂ）９３ｃ、Ｄ／Ａコンバー
タ９３ｄ、バッファ９３ｅを設けている。また、ゲート側駆動回路９５は、シフトレジス
タ９５ａ、レベルシフタ９５ｂ、バッファ９５ｃを設けている。なお、シフトレジスタ９
３ａ、９５ａとしては図９に示したシフトレジスタを用いれば良い。また、必要であれば
ラッチ（Ｂ）９３ｃとＤ／Ａコンバータ９３ｄとの間にレベルシフタ回路を設けてもよい
。
【０１３９】
また、これらソース側駆動回路９３およびゲート側駆動回路９５を全てＮチャネル型Ｔ
ＦＴで形成することができる。
【０１４０】
また、これらソース側駆動回路９３およびゲート側駆動回路９５を全てｐチャネル型Ｔ
ＦＴで形成することもできる。
【０１４１】
なお、上記構成は、上記実施例２、３、または４に示した製造工程に従って実現するこ
とができる。また、本実施例では画素部と駆動回路の構成のみ示しているが、本実施例の
製造工程に従えば、メモリやマイクロプロセッサをも形成しうる。
【実施例８】
【０１４２】
本実施例では、画素部及び駆動回路に使用するＴＦＴを逆スタガ型ＴＦＴで構成した液
晶表示装置の例を図１４に示す。図１４（Ａ）は、画素部の画素の一つを拡大した上面図
であり、図１４（Ａ）において、点線Ａ−Ａ'で切断した部分が、図１４（Ｂ）の画素部
の断面構造に相当する。
【０１４３】
図１４（Ｂ）において、５０ａは第１固定基板、５１は第１接着層、５０ｂは素子形成
基板であり、まず、実施の形態に従い、第１固定基板５０ａと第１接着層５１（分離層）
で貼りつけた素子形成基板５０ｂを用意する。なお、必要があれば素子形成基板上に下地
絶縁膜を形成してもよい。
【０１４４】
画素部において、画素ＴＦＴ部はＮチャネル型ＴＦＴで形成されている。基板上５１に
ゲート電極５２が形成され、その上に窒化珪素からなる第１絶縁膜５３ａ、酸化珪素から
なる第２絶縁膜５３ｂが設けられている。また、第２絶縁膜上には、活性層としてｎ+ 領
域５４〜５６と、チャネル形成領域５７、５８と、前記ｎ+ 型領域とチャネル形成領域の
間にｎ- 型領域５９、６０が形成される。また、チャネル形成領域５７、５８は絶縁層６
１、６２で保護される。絶縁層６１、６２及び活性層を覆う第１の層間絶縁膜６３にコン
タクトホールを形成した後、ｎ+ 領域５４に接続する配線６４が形成され、ｎ+ 領域５６
に配線６５が接続され、さらにその上にパッシベーション膜６６が形成される。そして、
その上に第２の層間絶縁膜６７が形成される。さらに、その上に第３の層間絶縁膜６８が
形成され、ＩＴＯ、ＳｎＯ2等の透明導電膜からなる画素電極６９が配線６５と接続され
る。また、７０は画素電極６９と隣接する画素電極である。
【０１４５】
本実施例では一例として透過型の液晶表示装置の例を示したが特に限定されない。例え
ば、画素電極の材料として反射性を有する金属材料を用い、画素電極のパターニングの変
更、または幾つかの工程の追加／削除を適宜行えば反射型の液晶表示装置を作製すること
が可能である。
【０１４６】
なお、本実施例では、画素部の画素ＴＦＴのゲート配線をダブルゲート構造としている
が、オフ電流のバラツキを低減するために、トリプルゲート構造等のマルチゲート構造と
しても構わない。また、開口率を向上させるためにシングルゲート構造としてもよい。
【０１４７】
また、画素部の容量部は、第１絶縁膜及び第２絶縁膜を誘電体として、容量配線７１と
、ｎ+ 領域５６とで形成されている。
【０１４８】
なお、図１４で示した画素部はあくまで一例に過ぎず、特に上記構成に限定されないこ
とはいうまでもない。
【０１４９】
また、素子形成基板上の全てのＴＦＴをＮチャネル型ＴＦＴとすることができる。素子
形成基板上の全てのＴＦＴをＮチャネル型ＴＦＴで構成すれば、Ｐチャネル型ＴＦＴを形
成する工程を省略できるため、液晶表示装置の製造工程を簡略化することができる。また
、それに伴って製造工程の歩留まりが向上し、液晶表示装置の製造コストを下げることが
できる。
【実施例９】
【０１５０】
本実施例では、画素部及び駆動回路に使用するＴＦＴを全てＮチャネル型ＴＦＴで構成
した液晶表示装置の例を図１５に示す。なお、実施例６の図１０と同一である箇所に相当
するところは同じ符号を用いた。
【０１５１】
図１５において、６０１は第１固定基板、６０２は第１接着層、６０３は素子形成基板
であり、まず、実施の形態に従い、第１固定基板６０１と第１接着層６０２（分離層）で
貼りつけた素子形成基板６０３上に下地絶縁膜を形成する。
【０１５２】
下地絶縁膜上にはＮチャネル型ＴＦＴ１１０１、Ｎチャネル型ＴＦＴ１１０２からなる
駆動回路、Ｎチャネル型ＴＦＴからなる画素ＴＦＴ１１０３および保持容量１１０４が形
成されている。なお、Ｎチャネル型ＴＦＴの説明は実施例３を参照すれば良いので省略す
る。
【０１５３】
ここでは、実施例６とは異なり、透過型の液晶表示装置の例である。層間絶縁膜を形成
した後、透明導電膜からなる画素電極１１０７をパターニングにより形成した後、コンタ
クトホールを形成して画素電極１１０７と画素ＴＦＴ１１０３のドレイン領域とを接続す
る接続電極１１０８を形成した。また、同様にして画素電極１１０７と保持容量１１０４
における半導体領域とを接続する接続電極１１０９を形成した。
【０１５４】
また、図１５の状態を得た後、実施例６の工程に従って、第２接着層で第２固定基板を
貼り合わせた後、第１接着層６０２にレーザーを照射して第１固定基板６０１を分離して
、液晶表示装置を完成させればよい。
【０１５５】
Ｎチャネル型ＴＦＴのみでゲート側駆動回路およびソース側駆動回路を形成することに
より画素部および駆動回路をすべてＮチャネル型ＴＦＴで形成することが可能となる。従
って、アクティブマトリクス型の電気光学装置を作製する上でＴＦＴ工程の歩留まりおよ
びスループットを大幅に向上させることができ、製造コストを低減することが可能となる
。
【０１５６】
なお、ソース側駆動回路もしくはゲート側駆動回路のいずれか片方を外付けのＩＣチッ
プとする場合にも本実施例は実施できる。
【０１５７】
また、本実施例では、Ｅ型ＮＴＦＴのみを用いて駆動回路を構成したがＥ型ＮＴＦＴお
よびＤ型ＮＴＦＴを組み合わせて形成してもよい。
【実施例１０】
【０１５８】
本実施例では、画素部及び駆動回路に使用するＴＦＴを全てＰチャネル型ＴＦＴで構成
した液晶表示装置の例を図１６に示す。なお、実施例６の図１０と同一である箇所に相当
するところは同じ符号を用いた。
【０１５９】
図１６において、６０１は第１固定基板、６０２は第１接着層、６０３は素子形成基板
であり、まず、実施の形態に従い、第１固定基板６０１と第１接着層６０２（分離層）で
貼りつけた素子形成基板６０３上に下地絶縁膜を形成する。
【０１６０】
下地絶縁膜上にはＰチャネル型ＴＦＴ１２０１、Ｐチャネル型ＴＦＴ１２０２からなる
駆動回路、Ｐチャネル型ＴＦＴからなる画素ＴＦＴ１２０３および保持容量１２０４が形
成されている。なお、Ｐチャネル型ＴＦＴの説明は実施例２を参照すれば良いので省略す
る。
【０１６１】
ここでは、実施例６とは異なり、透過型の液晶表示装置の例である。層間絶縁膜を形成
した後、透明導電膜からなる画素電極１２０７をパターニングにより形成した後、コンタ
クトホールを形成して画素電極１２０７と画素ＴＦＴ１２０３のドレイン領域とを接続す
る接続電極１２０８を形成した。また、同様にして画素電極１２０７と保持容量１２０４
における半導体領域とを接続する接続電極１２０９を形成した。
【０１６２】
また、図１６の状態を得た後、実施例６の工程に従って、第２接着層で第２固定基板を
貼り合わせた後、第１接着層６０２にレーザーを照射して第１固定基板６０１を分離して
、液晶表示装置を完成させればよい。
【０１６３】
Ｐチャネル型ＴＦＴのみでゲート側駆動回路およびソース側駆動回路を形成することに
より画素部および駆動回路をすべてＰチャネル型ＴＦＴで形成することが可能となる。従
って、アクティブマトリクス型の電気光学装置を作製する上でＴＦＴ工程の歩留まりおよ
びスループットを大幅に向上させることができ、製造コストを低減することが可能となる
。
【０１６４】
なお、ソース側駆動回路もしくはゲート側駆動回路のいずれか片方を外付けのＩＣチッ
プとする場合にも本実施例は実施できる。
【実施例１１】
【０１６５】
素子形成基板としては、金属基板、例えばステンレス基板を用いることもできる。本実
施例は、その場合の例を以下に示す。
【０１６６】
本実施例では、実施例１の素子形成基板として、ステンレス基板（厚さ１０〜２００μ
ｍ）を用いる。まず、実施の形態に従って第１固定基板とステンレス基板とを第１接着層
で貼り合わせる。
【０１６７】
以降は、実施例１に従って、ステンレス基板からなる素子形成基板上に下地絶縁膜を形
成して必要な素子を形成すればよい。なお、実施例１とは異なり、耐熱性が高いステンレ
ス基板を用いているため、実施例１よりも高い温度（約５００℃以下）でのプロセスを使
用してＴＦＴを作製することができる。
【０１６８】
そして、第１固定基板を分離する際、ステンレス基板を用いているため、レーザー光を
照射しても素子形成基板上に形成された素子に全く影響を与えることなく第１固定基板を
分離することができる。
【０１６９】
また、ステンレス基板は遮光性を有しているため、本実施例の表示装置は、反射型の液晶
表示装置となる。
【０１７０】
薄い金属基板（厚さ１０〜２００μｍ）を用いることによって軽量化、薄型化が図れる
とともに可撓性を有する発光装置を得ることができる。また、金属基板を用いているため
、素子基板上に形成されたＴＦＴ素子の放熱効果が得られる。
【０１７１】
また、本実施例は、実施例１乃至９のいずれか一と自由に組み合わせることが可能であ
る。
【実施例１２】
【０１７２】
本願発明を実施して形成された駆動回路や画素部は様々な電気光学装置（アクティブマ
トリクス型液晶ディスプレイ、アクティブマトリクス型ＥＬディスプレイ、アクティブマ
トリクス型ＥＣディスプレイ）に用いることができる。即ち、それら電気光学装置を表示
部に組み込んだ電子機器全てに本願発明を実施できる。
【０１７３】
その様な電子機器としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ヘッドマウントディスプレ
イ（ゴーグル型ディスプレイ）、カーナビゲーション、カーステレオ、パーソナルコンピ
ュータ、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話または電子書籍等）などが挙げ
られる。それらの一例を図１８及び図１９に示す。
【０１７４】
図１８（Ａ）はパーソナルコンピュータであり、本体２００１、画像入力部２００２、表
示部２００３、キーボード２００４等を含む。本発明を画像入力部２００２、表示部２０
０３やその他の駆動回路に適用することができる。
【０１７５】
図１８（Ｂ）はビデオカメラであり、本体２１０１、表示部２１０２、音声入力部２１０
３、操作スイッチ２１０４、バッテリー２１０５、受像部２１０６等を含む。本発明を表
示部２１０２やその他の駆動回路に適用することができる。
【０１７６】
図１８（Ｃ）はモバイルコンピュータ（モービルコンピュータ）であり、本体２２０１、
カメラ部２２０２、受像部２２０３、操作スイッチ２２０４、表示部２２０５等を含む。
本発明は表示部２２０５やその他の駆動回路に適用できる。
【０１７７】
図１８（Ｄ）はゴーグル型ディスプレイであり、本体２３０１、表示部２３０２、アーム
部２３０３等を含む。本発明は表示部２３０２やその他の駆動回路に適用することができ
る。
【０１７８】
図１８（Ｅ）はプログラムを記録した記録媒体（以下、記録媒体と呼ぶ）を用いるプレー
ヤーであり、本体２４０１、表示部２４０２、スピーカ部２４０３、記録媒体２４０４、
操作スイッチ２４０５等を含む。なお、このプレーヤーは記録媒体としてＤＶＤ（Ｄｉｇ
ｔｉａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ）、ＣＤ等を用い、音楽鑑賞や映画鑑賞やゲー
ムやインターネットを行うことができる。本発明は表示部２４０２やその他の駆動回路に
適用することができる。
【０１７９】
図１８（Ｆ）はデジタルカメラであり、本体２５０１、表示部２５０２、接眼部２５０３
、操作スイッチ２５０４、受像部（図示しない）等を含む。本願発明を表示部２５０２や
その他の駆動回路に適用することができる。
【０１８０】
図１９（Ａ）は携帯電話であり、本体２９０１、音声出力部２９０２、音声入力部２９
０３、表示部２９０４、操作スイッチ２９０５、アンテナ２９０６等を含む。本願発明を
音声出力部２９０２、音声入力部２９０３、表示部２９０４やその他の駆動回路に適用す
ることができる。
【０１８１】
図１９（Ｂ）は携帯書籍（電子書籍）であり、本体３００１、表示部３００２、３００
３、記憶媒体３００４、操作スイッチ３００５、アンテナ３００６等を含む。本発明は表
示部３００２、３００３やその他の駆動回路に適用することができる。
【０１８２】
図１９（Ｃ）はディスプレイであり、本体３１０１、支持台３１０２、表示部３１０３
等を含む。本発明は表示部３１０３に適用することができる。本発明のディスプレイは特
に大画面化した場合において有利であり、対角１０インチ以上（特に３０インチ以上）の
ディスプレイには有利である。
【０１８３】
以上の様に、本願発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に適用するこ
とが可能である。また、本実施例の電子機器は実施例１〜１０のどのような組み合わせか
らなる構成を用いても実現することができる。
【技術分野】
【０００１】
本願発明は薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）で構成された回路を有する半導体
装置およびその作製方法に関する。例えば、液晶表示パネルに代表される電気光学装置お
よびその様な電気光学装置を部品として搭載した電子機器に関する。
【０００２】
なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装
置全般を指し、電気光学装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置である。
【背景技術】
【０００３】
近年、絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜（厚さ数〜数百ｎｍ程度）を用
いて薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成する技術が注目されている。薄膜トランジスタは
ＩＣや電気光学装置のような電子デバイスに広く応用され、特に画像表示装置のスイッチ
ング素子として開発が急がれている。
【０００４】
このような画像表示装置を利用したアプリケーションは様々なものが期待されているが
、特に携帯機器への利用が注目されている。そのため、フレキシブルなプラスチックフィ
ルムの上にＴＦＴ素子を形成することが試みられている。
【０００５】
しかしながら、プラスチックフィルムの耐熱性が低いためプロセスの最高温度を低くせ
ざるを得ず、結果的にガラス基板上に形成する時ほど良好な電気特性のＴＦＴを形成でき
ないのが現状である。そのため、プラスチックフィルムを用いた高性能な液晶表示装置は
実現されていない。
【０００６】
また、特開平８−２８８５２２号公報では、ガラス基板上に薄膜トランジスタを形成し
、封止層を介して樹脂基板を接着した後、ガラス基板を剥離する技術が記載されている。
この技術を用いた場合、ＴＦＴの活性層が下地絶縁膜で保護されるのみとなっており、Ｔ
ＦＴが劣化しやすいという問題が生じていた。
【０００７】
また、特開平１１−２４３２０９号公報では、分離層を設け、レーザー光によって分離
層において剥離を生じせしめた後、接着層を介して一次転写体に接合し、さらに接着層を
介して二次転写体を接合した後、一次転写体を除去する技術が記載されている。この技術
を用いた場合においても、ＴＦＴの活性層が下地絶縁膜のみで保護される状態が作製工程
中に存在するため、傷つきやすくなっており、ＴＦＴが劣化しやすいという問題が生じて
いた。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本願発明はプラスチック支持体（可撓性のプラスチックフィルムもしくはプラスチック
基板を含む。）を用いて高性能な電気光学装置を作製するための技術を提供することを課
題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本願発明は、プラスチックに比べて耐熱性のある第１固定基板の上にプラスチック支持
体からなる素子形成基板を第１接着層で接着した後、該素子形成基板上に必要な素子を形
成し、該素子上に第２固定基板を第２接着層で貼り合わせた後に液晶材料を封止保持した
後、第１固定基板を分離することを特徴とする。
【００１０】
なお、前記必要な素子とは、アクティブマトリクス型の電気光学装置ならば画素のスイ
ッチング素子として用いる半導体素子（典型的にはＴＦＴ）もしくはＭＩＭ素子を指す。
【００１１】
また、第１固定基板と素子形成基板との貼り合わせ方法は、特に限定されないが、図１
に示したように、第１固定基板に第１接着層を形成した後で素子形成基板を貼り合わせる
方法、あるいは素子形成基板に第１接着層を形成した後で第１固定基板を貼り合わせる方
法を用いればよい。
【００１２】
また、プラスチック支持体からなる素子形成基板及び第２固定基板としては厚さ１０μ
ｍ以上の樹脂基板、例えばＰＥＳ（ポリエチレンサルファイル）、ＰＣ（ポリカーボネー
ト）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）もしくはＰＥＮ（ポリエチレンナフタレー
ト）を用いることができる。なお、第１の固定基板上に接着層を形成した後、その上に有
機樹脂層（ポリイミド層、ポリアミド層、ポリイミドアミド層、ＢＣＢ（ベンゾシクロブ
テン）層等）を成膜したものを素子形成基板と呼んでもよい。
【００１３】
また、素子形成基板としては、金属基板、例えばステンレス基板を用いることもできる
。その場合は金属基板上に下地絶縁膜を形成して必要な素子を形成すればよい。薄い金属
基板（厚さ１０〜２００μｍ）を用いることによって軽量化、薄型化が図れるとともに可
撓性を有する反射型の液晶表示装置を得ることできる。
【００１４】
また、第１固定基板を分離するのは、素子形成基板上に必要な素子を形成し、第２固定
基板を貼り合わせた後に行うが、その手段としてレーザー光の照射により第１接着層の全
部または一部を気化させる方法を用いる。また、レーザー光の照射に代えて、例えば、特
開平８−２８８５２２号公報に記載されたエッチングにより第１固定基板を分離する方法
や、第１接着層に対して流体（圧力が加えられた液体もしくは気体）を噴射することによ
り第１固定基板を分離する方法（代表的にはウォータージェット法）を用いてもよいし、
これらを組み合わせて用いてもよい。
【００１５】
レーザー光としては、パルス発振型または連続発光型のエキシマレーザーやＹＡＧレー
ザー、ＹＶＯ4レーザーを用いることができる。図３（Ｄ）に示すようにレーザー光を裏
面側から第１固定基板を通過させて第１接着層を照射して第１接着層のみを気化させて第
１固定基板を分離もしくは剥離する。従って、第１固定基板としては少なくとも照射する
レーザー光が通過する基板、代表的には透光性を有する基板、例えばガラス基板、石英基
板等を用い、さらに素子形成基板よりも厚さの厚いものが好ましい。
【００１６】
本発明においては、レーザー光が第１固定基板を通過させるため、レーザー光の種類と
第１固定基板を適宜選択する必要がある。例えば、第１固定基板として石英基板を用いる
のであれば、ＹＡＧレーザー（基本波（１０６４ｎｍ）、第２高調波（５３２ｎｍ）、第
３高調波（３５５ｎｍ）、第４高調波（２６６ｎｍ）
あるいはエキシマレーザー（波長３０８ｎｍ）を用い、線状ビームを形成し、石英基板を
通過させればよい。なお、エキシマレーザーはガラス基板を通過しない。従って、第１固
定基板としてガラス基板を用いるのであればＹＡＧレーザーの基本波、第２高調波、また
は第３高調波を用い、好ましくは第２高調波（波長５３２ｎｍ）を用いて線状ビームを形
成し、ガラス基板を通過させればよい。
【００１７】
また、第１接着層としては有機物を用い、好ましくは照射するレーザー光で全部または
一部が気化するものを用いる。また、効率よく第１接着層のみにレーザー光を吸収させる
ために、第１接着層がレーザー光を吸収する特性を有するもの、例えば、ＹＡＧレーザー
の第２高調波を用いる場合、有色、あるいは黒色（例えば、黒色着色剤を含む樹脂材料）
のものを用いることが望ましい。ただし、第１接着層は素子形成工程における熱処理によ
って気化しないものを用いる。また、第１接着層は単層であっても積層であってもよく、
図２に示したように第１接着層と素子形成基板の間にアモルファスシリコン膜またはＤＬ
Ｃ膜を設ける構成としてもよい。
【００１８】
このような構成とすることによって、素子形成基板の厚さが非常に薄い、具体的には５
０μｍ〜３００μｍ、好ましくは１５０μｍ〜２００μｍの厚さの基板を用いても、信頼
性の高い液晶表示装置を得ることができる。また、従来ある公知の製造装置を用いて、こ
のように厚さの薄い基板上に素子形成を行うことは困難であったが、本発明は第１固定基
板に貼り合わせて素子形成を行うため、装置の改造を行うことなく厚さの厚い基板を用い
た製造装置を使用することができる。また、素子形成工程中において、素子形成基板を素
子形成基板上に形成される絶縁膜と、第１固定基板とで挟まれた状態とすることで素子形
成基板の耐熱性を向上させることができる。
【００１９】
本明細書で開示する発明の構成は、第１固定基板と素子形成基板とを該素子形成基板に設
けられた第１接着層で貼り合わせ、該素子形成基板を貼り合わせた後に絶縁膜を形成し、
該絶縁膜の上にＴＦＴ素子及び画素電極を形成し、該画素電極の上に第２接着層で第２固
定基板を貼り合わせた後、レーザー光の照射により前記第１接着層を除去して前記第１固
定基板を分離することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【００２０】
また、他の発明の構成は、 第１固定基板と素子形成基板とを前記固定基板に設けられ
た第１接着層で貼り合わせ、該素子形成基板を貼り合わせた後に絶縁膜を形成し、該絶縁
膜の上にＴＦＴ素子及び画素電極を形成し、該画素電極の上に第２接着層で第２固定基板
を貼り合わせた後、レーザー光の照射により前記第１接着層を除去して前記第１固定基板
を分離することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【００２１】
上記各構成において、前記画素電極と前記第２固定基板との間に液晶材料を備え、前記
液晶材料は、前記素子形成基板と前記第２固定基板とを貼り合わせる前記第２接着層（シ
ール材等）で保持することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【００２２】
また、上記各構成において、前記素子形成基板と第１接着層の間には、非晶質シリコン
薄膜を形成してもよい。また、前記素子形成基板と第１接着層の間には、ダイヤモンド状
炭素薄膜を形成してもよい。
【００２３】
また、上記各構成において、前記第１接着層は、顔料や染料を用いて有色または黒色と
してレーザー光を吸収するようにしてもよい。
【００２４】
上記各構成において、前記素子形成基板及び前記第２固定基板は有機樹脂からなる支持
体（可撓性のプラスチックフィルムもしくはプラスチック基板を含む）
であることを特徴としている。また、前記素子形成基板及び前記第２固定基板としては、
第１固定基板と比べて厚さの薄いものを用いる。
【００２５】
また、上記各構成において、前記レーザー光の照射は、線状ビームを形成して走査させ
て照射することを特徴としており、前記レーザー光は、パルス発振型または連続発光型の
エキシマレーザーや、ＹＡＧレーザーや、ＹＶＯ4レーザーを用いることができる。
【００２６】
また、上記各構成において、前記レーザー光の照射は、前記第１固定基板の裏面側から
前記第１固定基板を通過させて、前記第１固定基板の表面側に設けられた前記第１接着層
に前記レーザー光を照射することを特徴としている。従って、前記第１固定基板は、使用
するレーザー光を透過することが好ましい。
【００２７】
また、上記各構成に記載された半導体装置とは、透過型の液晶表示装置または反射型の
液晶表示装置であることを特徴としている。
【発明の効果】
【００２８】
本発明により樹脂基板である素子形成基板と樹脂基板である第２固定基板とで素子形成層
（液晶材料、画素電極、およびＴＦＴ素子含む）を挟んだ表示装置は、多少の応力が発生
しても破損しない柔軟性（フレキシビリティ）を有している。
【００２９】
また、素子形成基板の厚さが非常に薄い、具体的には５０μｍ〜３００μｍ、好ましくは
１５０μｍ〜２００μｍの厚さの基板を用いても、信頼性の高い液晶表示装置を得ること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】基板貼り合わせ工程を示す図。
【図２】貼り合わせた基板の状態を示す図。
【図３】作製工程を示す図。
【図４】ｐチャネル型ＴＦＴの作製工程を示す図。
【図５】ｎチャネル型ＴＦＴの作製工程を示す図。
【図６】ＣＭＯＳ回路を作製する工程を説明する図。
【図７】ＣＭＯＳ回路を作製する工程を説明する図。
【図８】ＮＭＯＳ回路の構成を示す図。
【図９】シフトレジスタの構成を示す図。
【図１０】液晶表示装置の駆動回路及び画素部の断面構造図。
【図１１】液晶表示装置の上面図。
【図１２】液晶表示装置の画素の上面図。
【図１３】液晶表示装置の回路ブロック図。
【図１４】液晶表示装置の画素部の上面図および断面構造図。
【図１５】液晶表示装置の駆動回路及び画素部の断面構造図。
【図１６】液晶表示装置の駆動回路及び画素部の断面構造図。
【図１７】曲率を与えた状態を示す図。
【図１８】電子機器の一例を示す図。
【図１９】電子機器の一例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
本願発明の実施形態について、以下に説明する。
【００３２】
まず、第１固定基板１０１と素子形成基板１０３とを貼り合わせるが、図１に示したよう
に２通りの貼り合わせ方法がある。
【００３３】
一つ目の方法は、第１固定基板１０１上に第１接着層１０２を設けた後、第１固定基板
１０１と素子形成基板１０３とを貼り合わせる方法である。（図１（Ａ１））なお、貼り
合わせ後の状態を図１（Ｂ１）に示した。
【００３４】
また、二つ目の方法は、素子形成基板１０３に第１接着層１０２を設けた後、第１固定
基板１０１と素子形成基板１０３とを貼り合わせる方法である。（図１（Ａ２））なお、
貼り合わせ後の状態を図１（Ｂ２）に示した。
【００３５】
また、ここでは図示しないが、第１固定基板上に第１接着層を形成した後、その上に有
機樹脂層（ポリイミド層、ポリアミド層、ポリイミドアミド層等）を成膜したものを素子
形成基板と同等なものとしてもよい。
【００３６】
また、図２（Ａ）に示したように、第１接着層２０２Ｂと素子形成基板２０３の間にａ
―Ｓｉ（アモルファスシリコン）層２０２Ａを設ける構成としてもよい。後の工程で、こ
のａ―Ｓｉ層にレーザー光を照射することにより第１固定基板２０１を剥離させてもよい
。第１固定基板２０１が分離または剥離しやすいようにするため水素を多く含むａ―Ｓｉ
層を用いることが好ましい。レーザー光を照射することによりａ―Ｓｉ層に含まれる水素
を気化させて第１固定基板を分離または剥離する。
【００３７】
また、図２（Ｂ）に示したように、第１接着層２０５Ｂと素子形成基板２０６の間に、
素子形成基板２０６を保護するためのＤＬＣ膜（具体的にはダイヤモンドライクカーボン
膜）を設けてもよい。なお、第１固定基板２０４は、図１中に示した第１固定基板１０１
と同一である。
【００３８】
この場合、素子形成基板の片面もしくは両面に保護膜としてＤＬＣ膜を膜厚２〜５０ｎ
ｍでコーティングしたものを用いてもよい。なお、ＤＬＣ膜の成膜はスパッタ法もしくは
ＥＣＲプラズマＣＶＤ法を用いればよい。ＤＬＣ膜の特徴としては、１５５０ｃｍ-1くら
いに非対称のピークを有し、１３００ｃｍ-1くらいに肩をもつラマンスペクトル分布を有
する。また、微小硬度計で測定した時に１５〜２５ＧＰａの硬度を示すという特徴をもつ
。このような炭素膜は、酸素および水の侵入を防ぐとともに樹脂基板の表面を保護する役
割を持つ。こうして、外部からの水分や酸素等のによる劣化を促す物質が侵入することを
防ぐことができる。従って、信頼性の高い液晶表示装置が得られる。
【００３９】
また、図２（Ｃ）に示したように、第１接着層２０８Ｃと素子形成基板２０９の間に、
素子形成基板を保護するための第１ＤＬＣ膜２０８Ａと、第１固定基板２０７が分離また
は剥離しやすいようにするための第２ＤＬＣ膜２０８Ｂを設けてもよい。このような第１
ＤＬＣ膜２０８Ａとしては水素を含まない成膜条件で成膜したものを用い、第２ＤＬＣ膜
２０８Ｂとしては水素を含む成膜条件で成膜したものを用いればよい。また、第２ＤＬＣ
膜２０８Ｂにレーザー光を照射することにより膜中に含まれる水素を気化させて第１固定
基板２０７を分離または剥離させてもよい。
【００４０】
上記各方法によって得られる貼り合わせ後の状態を図３（Ａ）に示した。ここでは、図
１（Ｂ１）及び図１（Ｂ２）と同一のものを例示する。なお、符号は図１（Ｂ１）及び図
１（Ｂ２）と同じ符号を用いた。
【００４１】
次いで、素子形成基板１０３上に下地絶縁膜を形成した後、その下地絶縁膜上に必要な
素子を形成する。ここでは、駆動回路１０４とＴＦＴ素子及び画素電極を有する画素部１
０５を形成した例を示す。（図３（Ｂ））
【００４２】
次いで、第２固定基板（対向基板）１０６を第２接着層（シール材）１０７で貼り合わ
せる。（図３（Ｃ））次ぎに液晶材料１０８を封止保持する。第２固定基板１０６として
は、樹脂基板を用いればよく、片面もしくは両面に保護膜としてＤＬＣ膜を設けたものを
用いてもよい。
【００４３】
次いで、裏面側からレーザー光を照射して第１接着層１０２の全部または一部を気化さ
せて第１固定基板１０１を分離する。（図３（Ｄ））従って、第１接着層１０２はレーザ
ー光によって層内または界面において剥離現象が生じる物質を用いる。また、レーザー光
は第１固定基板１０１を通過して第１接着層で吸収するものを適宜選択する。例えば、第
１固定基板として石英基板を用いるのであれば、ＹＡＧレーザー（基本波（１０６４ｎｍ
）、第２高調波（５３２ｎｍ）、第３高調波（３５５ｎｍ）、第４高調波（２６６ｎｍ）
あるいはエキシマレーザー（波長３０８ｎｍ）を用い、線状ビームを形成し、石英基板を
通過させればよい。なお、エキシマレーザーはガラス基板を通過しない。従って、第１固
定基板としてガラス基板を用いるのであればＹＡＧレーザーの基本波、第２高調波、第３
高調波を用いることができ、好ましくは第２高調波（波長５３２ｎｍ）を用いて線状ビー
ムを形成し、ガラス基板を通過させればよい。
【００４４】
なお、レーザー照射して第１固定基板を分離する工程は、第２固定基板を貼り合わせた
後に行えばよく、液晶の注入、封止の前に行ってもよい。
【００４５】
そして、最終的には、樹脂基板である素子形成基板と樹脂基板である第２固定基板とで
液晶材料が挟まれた液晶表示装置が完成する。
【００４６】
また、図１７に示したように、樹脂基板である素子形成基板１０３と樹脂基板である第
２固定基板１０６とで素子形成層（液晶材料、画素電極、及びＴＦＴ素子を含む）を挟ん
だ液晶表示装置は、多少の応力が発生しても破損しない柔軟性（フレキシビリティ）を有
している。図１７（Ａ）は曲率を与えていないときの状態を示し、図１７（Ｂ）は曲率を
与えたときの状態を示す。図１７（Ｂ）において、素子形成基板には圧縮応力が働き、第
２固定基板には引張応力が働くが、素子形成層においては、応力がほとんど働かず、中央
部における伸び縮みを±１μｍ以下とすることができる。なお、曲率半径が１０ｃｍまで
の曲率を与えても問題ない。
【００４７】
以上の構成でなる本願発明について、以下に示す実施例でもってさらに詳細な説明を行
うこととする。
【実施例１】
【００４８】
本実施例は、樹脂基板である素子形成基板と樹脂基板である第２固定基板とで液晶材料
が挟まれた液晶表示装置の作製方法の一例を図３を用いて示す。なお、ここでは、全ての
工程を３５０℃以下、好ましくは２００℃以下で行うこととする。ただし、本発明が本実
施例に限定されないことはいうまでもない。
【００４９】
まず、第１固定基板１０１としてガラス基板を用いる。そして、実施の形態に示したい
ずれかの方法を用いて、第１固定基板１０１と樹脂基板である素子形成基板１０３とを第
１接着層１０２で貼り合わせた。（図３（Ａ））
【００５０】
次いで、素子形成基板１０３上に下地絶縁膜を形成した後、その下地絶縁膜上に必要な
素子を形成する。ここでは、駆動回路１０４とＴＦＴ素子及び画素電極を有する画素部１
０５を形成した例を示す。（図３（Ｂ））
【００５１】
下地絶縁膜としては、低温で成膜が可能なスパッタ法を用いて、膜組成において酸素元
素より窒素元素を多く含む酸化窒化シリコン膜と、膜組成において窒素元素より酸素元素
を多く含む酸化窒化シリコン膜を積層形成した。
【００５２】
次いで、下地絶縁膜上に半導体層を形成する。半導体層の材料に限定はないが、好まし
くはシリコンまたはシリコンゲルマニウム（ＳｉXＧｅ1-X（０＜Ｘ＜１））合金などで形
成すると良い。本実施例では、低温で成膜が可能なスパッタ法を用いて非晶質シリコン膜
を形成し、レーザー結晶化法により結晶質シリコン膜を形成した。レーザー結晶化法で結
晶質半導体膜を作製する場合には、パルス発振型または連続発光型のエキシマレーザーや
ＹＡＧレーザー、ＹＶＯ4レーザーを用いることができる。
【００５３】
次いで、半導体層を覆うゲート絶縁膜を形成する。本実施例では、低温で成膜が可能な
スパッタ法を用いて酸化シリコン膜を形成した。
【００５４】
次いで、ゲート絶縁膜上に導電層を形成する。導電層は、導電膜を公知の手段（熱ＣＶＤ
法、プラズマＣＶＤ法、減圧熱ＣＶＤ法、蒸着法、またはスパッタ法等）により成膜した
後、マスクを用いて所望の形状にパターニングして形成する。
【００５５】
次いで、イオン注入法またはイオンドーピング法を用い、半導体層にｎ型を付与する不
純物元素またはｐ型を付与する不純物元素を適宜、添加してＬＤＤ領域やソース領域やド
レイン領域を形成する不純物領域を形成する。
【００５６】
その後、スパッタ法により作製される窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、または酸
化シリコン膜により層間絶縁膜を形成する。また、添加された不純物元素は活性化処理を
行う。ここでは、レーザー光の照射を行った。レーザー光の照射に代えて、３５０℃以下
の加熱処理で活性化を行ってもよい。
【００５７】
次いで、公知の技術を用いてソース領域またはドレイン領域に達するコンタクトホール
を形成した後、ソース電極またはドレイン電極を形成しＴＦＴを得る。
【００５８】
次いで、公知の技術を用いて水素化処理を行い、全体を水素化してｎチャネル型ＴＦＴ
またはｐチャネル型ＴＦＴが完成する。本実施例では比較的低温で行うことが可能な水素
プラズマを用いて水素化処理を行った。
【００５９】
次いで、スパッタ法により作製される窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、または酸
化シリコン膜により層間絶縁膜を形成する。次いで、公知の技術を用いて画素部のドレイ
ン電極に達するコンタクトホールを形成した後、ＩＴＯ、ＳｎＯ2等の透明導電膜からな
る画素電極を形成する。本実施例では一例として透過型の液晶表示装置の例を示したが特
に限定されない。例えば、画素電極の材料として反射性を有する金属材料を用い、画素電
極のパターニングの変更、または幾つかの工程の追加／削除を適宜行えば反射型の液晶表
示装置を作製することが可能である。
【００６０】
次いで、画素部及び駆動回路に含まれる素子を全て絶縁膜（配向膜等）で覆う。
【００６１】
次いで、素子形成基板に形成された素子を全て覆う絶縁膜と第２固定基板１０６とを第
２接着層（シール材）１０７で貼り合わせる。この後、液晶材料を注入して封止する。（
図３（Ｃ））第２固定基板１０６としては、樹脂基板を用いればよく、片面もしくは両面
に保護膜としてＤＬＣ膜を設けたものを用い、対向電極と、液晶を配向させるための配向
膜を備えている。
【００６２】
次いで、裏面側からレーザー光を照射して第１接着層１０２の全部または一部を気化さ
せて第１固定基板１０１を分離する。（図３（Ｄ））本実施例では、第１固定基板として
ガラス基板を用いるため、ＹＡＧレーザーの基本波、第２高調波、第３高調波を用いる。
ここでは第２高調波（波長５３２ｎｍ）を用いて線状ビームを形成し、第１固定基板１０
１であるガラス基板を通過させて第１接着層を照射した。
【００６３】
そして、最終的には、樹脂基板である素子形成基板と樹脂基板である第２固定基板とで
液晶材料を保持した液晶表示装置が完成した。スパッタ法を用いて各膜（絶縁膜、半導体
膜、導電膜等）を形成し、全てのプロセスを３５０℃以下、好ましくは２００℃以下で行
うことができる。
【実施例２】
【００６４】
本実施例は、ｐチャネル型ＴＦＴを作製する例であり、図４を用いて説明する。
【００６５】
まず、第１固定基板４０１と第１接着層４０２（分離層）で貼りつけた素子形成基板４
０３上に下地絶縁膜４０４を形成する。下地絶縁膜４０４としては、酸化シリコン膜、窒
化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜（ＳｉＯx Ｎy ）、またはこれらの積層膜等を１００
〜５００ｎｍの膜厚範囲で用いることができ、形成手段としては熱ＣＶＤ法、プラズマＣ
ＶＤ法、蒸着法、スパッタ法、減圧熱ＣＶＤ法等の形成方法を用いることができる。
【００６６】
本実施例では、低温で成膜が可能なスパッタ法を用いて、膜組成において酸素元素より
窒素元素を多く含む酸化窒化シリコン膜と、膜組成において窒素元素より酸素元素を多く
含む酸化窒化シリコン膜を積層形成した。
【００６７】
なお、第１固定基板４０１と第１接着層４０２（分離層）で貼りつけた素子形成基板４
０３は上記実施形態で示した方法により作製されるいずれのものも適用可能である。
【００６８】
次いで、下地絶縁膜上に半導体層４０５を形成する。半導体層４０５は、非晶質構造を
有する半導体膜を公知の手段（熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、減圧熱ＣＶＤ法、蒸着法
、またはスパッタ法等）により成膜した後、公知の結晶化処理（レーザー結晶化法、熱結
晶化法、またはニッケルなどの触媒を用いた熱結晶化法等）を行って得られた結晶質半導
体膜を所望の形状にパターニングして形成する。この半導体層４０５の厚さは２０〜１０
０ｎｍ（好ましくは３０〜６０ｎｍ）の厚さで形成する。結晶質半導体膜の材料に限定は
ないが、好ましくはシリコンまたはシリコンゲルマニウム（ＳｉXＧｅ1-X（０＜Ｘ＜１）
）合金などで形成すると良い。本実施例では、低温で成膜が可能なスパッタ法を用いて非
晶質シリコン膜を形成し、レーザー結晶化法により結晶質シリコン膜を形成した。レーザ
ー結晶化法で結晶質半導体膜を作製する場合には、パルス発振型または連続発光型のエキ
シマレーザーやＹＡＧレーザー、ＹＶＯ4レーザーを用いることができる。
【００６９】
また、半導体層４０５を形成した後、ＴＦＴのしきい値を制御するために微量な不純物
元素（ボロンまたはリン）のドーピングを行ってもよい。
【００７０】
次いで、半導体層４０５を覆うゲート絶縁膜４０６を形成する。ゲート絶縁膜４０６は
プラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用い、厚さを４０〜１５０ｎｍとしてシリコンを含
む絶縁膜で形成する。本実施例では、低温で成膜が可能なスパッタ法を用いて酸化シリコ
ン膜を形成した。（図４（Ａ））
【００７１】
次いで、ゲート絶縁膜４０６上に導電層４０８を形成する。導電層４０８は、導電膜を公
知の手段（熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、減圧熱ＣＶＤ法、蒸着法、またはスパッタ法
等）により成膜した後、マスク４０７を用いて所望の形状にパターニングして形成する。
導電層４０８の材料としては、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｄから選ば
れた元素、または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で形成してもよい
。また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜を
用いてもよい。また、ＡｇＰｄＣｕ合金を用いてもよい。本実施例では、低温で成膜が可
能なスパッタ法を用いてＷ膜を成膜し、パターニングした。導電層４０８の端部はテーパ
ー状に形成する。エッチング条件は適宣決定すれば良いが、例えば、Ｗの場合にはＣＦ4
とＣｌ2の混合ガスを用い、基板を負にバイアスすることにより良好にエッチングするこ
とができる。
【００７２】
次いで、図４（Ｂ）に示すように、自己整合的にソース及びドレイン領域を形成する不
純物領域（ｐ＋領域）４０９を形成する。この不純物領域（ｐ＋領域）
４０９はイオンドープ法により形成し、ボロンに代表される周期律表第１３族の元素をド
ーピングする。不純物領域（ｐ＋領域）４０９の不純物濃度は、１×１０20〜２×１０21
／ｃｍ3の範囲となるようにする。
【００７３】
次に、図４（Ｃ）に示すように導電層４０８の端部が後退するようにエッチングして導
電層４１０を形成する。本実施例の構造ではこれをゲート電極とする。
ゲート電極の形成には２回のエッチング工程を用いるが、そのエッチング条件は適宣決定
されるものである。例えば、Ｗの場合にはＣＦ4とＣｌ2の混合ガスを用い、基板を負にバ
イアスすることにより良好に端部がテーパー形状に加工することができる。また、ＣＦ4
とＣｌ2に酸素を混合させることにより、下地と選択性良く、Ｗの異方性エッチングエッ
チングをすることができる。
【００７４】
その後、図４（Ｄ）に示すように、導電層４１０をマスクとしてｐ型の不純物（アクセプ
タ）をドーピングし、自己整合的に不純物領域（ｐ−領域）４１１を形成する。不純物領
域（ｐ−領域）４１１の不純物濃度は、１×１０17〜２×１０19／ｃｍ3の範囲となるよ
うにする。
【００７５】
その後、スパッタ法またはプラズマＣＶＤ法により作製される窒化シリコン膜、窒化酸
化シリコン膜により層間絶縁膜４１３を形成する。また、添加された不純物元素は活性化
のために３５０〜５００℃の加熱処理またはレーザー光の照射を行う。さらに、公知の技
術を用いて不純物領域（ｐ＋領域）に達するコンタクトホールを形成した後、ソース電極
またはドレイン電極４１４を形成しＴＦＴを得る。
【００７６】
最後に公知の技術を用いて水素化処理を行い、全体を水素化してｐチャネル型ＴＦＴが
完成する。（図４（Ｅ））本実施例では比較的低温で行うことが可能な水素プラズマを用
いて水素化処理を行った。
【００７７】
半導体層にはチャネル形成領域４１２、不純物領域（ｐ−領域）で形成されるＬＤＤ（
Lightly Doped Drain）領域４１１、不純物領域（ｐ＋領域）で形成されるソースまたは
ドレイン領域４０９が形成されている。ここでは、ｐチャネル型ＴＦＴをＬＤＤ構造で示
したが、勿論シングルドレインや、或いはＬＤＤがゲート電極とオーバーラップした構造
で作製することもできる。本実施例で示すｐチャネル型ＴＦＴを用いて基本論理回路を構
成したり、さらに複雑なロジック回路（信号分割回路、Ｄ／Ａコンバータ、オペアンプ、
γ補正回路など）をも構成することができ、さらにはメモリやマイクロプロセッサをも形
成しうる。例えば、液晶表示装置の駆動回路を全てｐチャネル型ＴＦＴで構成することも
可能である。
【００７８】
また、本実施例は実施例１と組み合わせることが可能である。
【実施例３】
【００７９】
本実施例は、ｎチャネル型ＴＦＴを作製する例であり、図５を用いて説明する。なお、
図４（Ａ）と図５（Ａ）は同一であるため、同じ符号を用い、ここでは作製工程の説明を
省略する。
【００８０】
実施例２に従って図５（Ａ）の状態を得た後、光露光プロセスによりレジストによるマ
スク４１５を形成し、半導体膜４０５にイオン注入またはイオンドープ法によりｎ型の不
純物（ドナー）をドーピングする。（図５（Ｂ））作製される不純物領域（ｎ−領域）４
１６において、ドーピングされる濃度は１×１０17〜２×１０19／ｃｍ3の範囲となるよ
うにする。
【００８１】
次いで、絶縁膜４０６上には、タンタル、タングステン、チタン、アルミニウム、モリ
ブデンから選ばれた一種または複数種の元素を成分とする導電性材料でゲート電極４１７
を形成する。（図５（Ｃ））ゲート電極４１７の一部は不純物領域（ｎ−領域）４１６と
ゲート絶縁膜を介して一部が重なるように形成する。
【００８２】
その後、図５（Ｄ）に示すように、ゲート電極４１７をマスクとしてｎ型の不純物（ド
ナー）をドーピングし、自己整合的に不純物領域（ｎ＋領域）４１８を形成する。不純物
領域（ｎ＋領域）４１８の不純物濃度は、１×１０17〜２×１０19／ｃｍ3の範囲となる
ようにする。
【００８３】
その後、プラズマＣＶＤ法により作製される窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜によ
り層間絶縁膜４１９を形成する。また、添加された不純物元素は活性化のために３５０〜
５００℃の加熱処理またはレーザー光の照射を行う。さらに、公知の技術を用いて不純物
領域（ｎ＋領域）に達するコンタクトホールを形成した後、ソース電極またはドレイン電
極４２０を形成しＴＦＴを得る。
【００８４】
最後に公知の技術を用いて水素化処理を行い、全体を水素化してｎチャネル型ＴＦＴが
完成する。（図５（Ｅ））本実施例では比較的低温で行うことが可能な水素プラズマを用
いて水素化処理を行った。
【００８５】
半導体層にはチャネル形成領域４１９、不純物領域（ｎ−領域）で形成されるＬＤＤ（
Lightly Doped Drain）領域４１６、不純物領域（ｎ＋領域）で形成されるソースまたは
ドレイン領域４１８が形成されている。また、ＬＤＤ領域４１６はゲート電極４１７とオ
ーバーラップして形成され、ドレイン端における電界の集中を緩和して、ホットキャリア
による劣化を防いでいる。勿論シングルドレインや、ＬＤＤ構造でｎチャネル型ＴＦＴを
作製することもできる。本実施例で示すｎチャネル型ＴＦＴを用いて基本論理回路を構成
したり、さらに複雑なロジック回路（信号分割回路、Ｄ／Ａコンバータ、オペアンプ、γ
補正回路など）をも構成することができ、さらにはメモリやマイクロプロセッサをも形成
しうる。
例えば、液晶表示装置の駆動回路を全てｎチャネル型ＴＦＴで構成することも可能である
。
【００８６】
また、本実施例は実施例１と組み合わせることが可能である。
【実施例４】
【００８７】
本実施例は、ｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴとを相補的に組み合わせたＣＭ
ＯＳ回路を作製する例であり、図６、図７を用いて説明する。
【００８８】
実施例２に従って、第１固定基板と第１接着層（分離層）で貼りつけた素子形成基板上
に下地絶縁膜を形成した後、半導体層５０１、５０２を形成する。（図６（Ａ））
【００８９】
次いで、スパッタ法によりゲート絶縁膜５０３と第１導電膜５０４と第２導電膜５０５
を形成する。（図６（Ｂ））本実施例では、第１導電膜５０４を窒化タンタルまたはチタ
ンで５０〜１００ｎｍの厚さに形成し、第２導電膜５０５をタングステンで１００〜３０
０ｎｍの厚さに形成する。
【００９０】
次に図６（Ｃ）に示すように、レジストによるマスク５０６を形成し、ゲート電極を形
成するための第１のエッチング処理を行う。エッチング方法に限定はないが、好適にはＩ
ＣＰ（Inductively Coupled Plasma：誘導結合型プラズマ）エッチング法を用いる。エッ
チング用ガスにＣＦ4とＣｌ2を混合し、０．５〜２Ｐａ、好ましくは１Ｐａの圧力でコイ
ル型の電極に５００ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入してプラズマを生成して行
う。基板側（試料ステージ）にも１００ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入し、実
質的に負の自己バイアス電圧を印加する。ＣＦ4とＣｌ2を混合した場合にはタングステン
膜、窒化タンタル膜及びチタン膜の場合でも、それぞれ同程度の速度でエッチングするこ
とができる。
【００９１】
上記エッチング条件では、レジストによるマスクの形状と、基板側に印加するバイアス電
圧の効果により端部をテーパー形状とすることができる。テーパー部の角度は１５〜４５
°となるようにする。また、ゲート絶縁膜上に残渣を残すことなくエッチングするために
は、１０〜２０％程度の割合でエッチング時間を増加させると良い。Ｗ膜に対する酸化窒
化シリコン膜の選択比は２〜４（代表的には３）であるので、オーバーエッチング処理に
より、酸化窒化シリコン膜が露出した面は２０〜５０ｎｍ程度エッチングされる。こうし
て、第１のエッチング処理により第１導電膜と第２導電膜から成る第１形状の導電層５０
７、５０８（第１の導電層５０７ａ、５０８ａと第２導電層５０７ｂ、５０８ｂ）を形成
する。５０９はゲート絶縁膜であり、第１の形状の導電層で覆われない領域は２０〜５０
ｎｍ程度エッチングされ薄くなる。
【００９２】
次いで、レジストマスクをそのままの状態としたまま、図６（Ｄ）に示すように第２の
エッチング処理を行う。エッチングはＩＣＰエッチング法を用い、エッチングガスにＣＦ
4とＣｌ2とＯ2を混合して、１Ｐａの圧力でコイル型の電極に５００ＷのＲＦ電力(１３．
５６ＭＨｚ)を供給してプラズマを生成する。基板側（試料ステージ）には５０ＷのＲＦ
（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入し、第１のエッチング処理に比べ低い自己バイアス電圧
を印加する。このような条件によりタングステン膜を異方性エッチングし、第１の導電層
である窒化タンタル膜またはチタン膜を残存させるようにする。こうして、第２形状の導
電層５０９、５１０（第１の導電膜５０９ａ、５１０ａと第２の導電膜５０９ｂ、５１０
ｂ）を形成する。５１１はゲート絶縁膜であり、第２の形状の導電層５０９、５１０で覆
われない領域は除去された。なお、ここでは除去した例を示したが絶縁膜を薄く残しても
よい。
【００９３】
そして、第１のドーピング処理を行いｎ型の不純物（ドナー）をドーピングする。（図
７（Ａ））その方法はイオンドープ法若しくはイオン注入法で行う。ｎ型を付与する不純
物元素として１５族に属する元素、典型的にはリン（Ｐ）または砒素（Ａｓ）を用いる。
この場合、第２形状の導電層５０９ｂ、５１０ｂはドーピングする元素に対してマスクと
なり、加速電圧を適宣調節（例えば、７０〜１２０ｋｅＶ）して、ゲート絶縁膜５１１及
び第２の導電膜５０９ａ、５１０ａのテーパ部を通過した不純物元素により不純物領域（
ｎ−領域）５１２を形成する。例えば、不純物領域（ｎ−領域）におけるリン（Ｐ）濃度
は１×１０17〜１×１０19／ｃｍ3の範囲となるようにする。
【００９４】
次いで、マスクを除去した後、マスク５１３を形成して図７（Ｂ）に示すように第２の
ドーピング処理を行う。第１のドーピング処理よりもドーズ量を上げ低加速電圧の条件で
ｎ型の不純物（ドナー）をドーピングする。例えば、加速電圧を２０〜６０ｋｅＶとし、
１×１０13〜５×１０14／ｃｍ2のドーズ量で行い、不純物領域（ｎ＋領域）５１４を形
成する。例えば、不純物領域（ｎ＋領域）におけるリン（Ｐ）濃度は１×１０20〜１×１
０21／ｃｍ3の範囲となるようにする。
【００９５】
そして、レジストを除去した後、図７（Ｃ）に示すように、レジストによるマスク５１
５を形成し、ｐチャネル型ＴＦＴを形成する島状半導体層５０１にｐ型の不純物（アクセ
プタ）をドーピングする。典型的にはボロン（Ｂ）を用いる。
不純物領域（ｐ＋領域）５１６、５１７の不純物濃度は２×１０20〜２×１０21／ｃｍ3
となるようにし、含有するリン濃度の１．５〜３倍のボロンを添加して導電型を反転させ
る。
【００９６】
以上までの工程でそれぞれの島状半導体層に不純物領域が形成される。第２形状の導電層
５０９、５１０はゲート電極となる。その後、図７（Ｄ）に示すように、窒化シリコン膜
または酸化窒化シリコン膜から成る保護絶縁膜５１８をプラズマＣＶＤ法で形成する。そ
して導電型の制御を目的としてそれぞれの島状半導体層に添加された不純物元素を活性化
する工程を行う。
【００９７】
さらに、窒化シリコン膜５１９を形成し、水素化処理を行う。本実施例では比較的低温で
行うことが可能な水素プラズマを用いて水素化処理を行った。
【００９８】
層間絶縁膜５２０は、ポリイミド、アクリルなどの有機絶縁物材料で形成する。勿論、
プラズマＣＶＤ法でＴＥＯＳ（Tetraethyl Ortho silicate）を用いて形成される酸化シ
リコン膜を適用しても良いが、平坦性を高める観点からは前記有機物材料を用いることが
望ましい。
【００９９】
次いで、コンタクトホールを形成し、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）
、タンタル（Ｔａ）などを用いて、ソース配線またはドレイン配線５２１〜５２３を形成
する。
【０１００】
以上の工程で、ｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴとを相補的に組み合わせたＣ
ＭＯＳ回路を得ることができる。
【０１０１】
ｐチャネル型ＴＦＴにはチャネル形成領域５２４、ソース領域またはドレイン領域とし
て機能する不純物領域５１６、５１７を有している。
【０１０２】
ｎチャネル型ＴＦＴにはチャネル形成領域５２５、ゲート電極５１０と重なる不純物領
域５１２ａ（Gate Overlapped Drain：ＧＯＬＤ領域）、ゲート電極の外側に形成される
不純物領域５１２ｂ（ＬＤＤ領域）とソース領域またはドレイン領域として機能する不純
物領域５１４を有している。
【０１０３】
このようなＣＭＯＳ回路は、アクティブマトリクス型の液晶表示装置の駆動回路を形成
することを可能とする。それ以外にも、このようなｎチャネル型ＴＦＴまたはｐチャネル
型ＴＦＴは、画素部を形成するトランジスタに応用することができる。
【０１０４】
このようなＣＭＯＳ回路を組み合わせることで基本論理回路を構成したり、さらに複雑
なロジック回路（信号分割回路、Ｄ／Ａコンバータ、オペアンプ、γ補正回路など）をも
構成することができ、さらにはメモリやマイクロプロセッサをも形成することが可能であ
る。
【０１０５】
また、本実施例は実施例１と組み合わせることが可能である。
【実施例５】
【０１０６】
実施例３に示すｎチャネル型ＴＦＴは、チャネル形成領域となる半導体に周期表の１５
族に属する元素（好ましくはリン）もしくは周期表の１３族に属する元素（好ましくはボ
ロン）を添加することによりエンハンスメント型とデプレッション型とを作り分けること
ができる。
【０１０７】
また、ｎチャネル型ＴＦＴを組み合わせてＮＭＯＳ回路を形成する場合、エンハンスメ
ント型ＴＦＴ同士で形成する場合（以下、ＥＥＭＯＳ回路という）と、エンハンスメント
型とデプレッション型とを組み合わせて形成する場合（以下、ＥＤＭＯＳ回路という）が
ある。
【０１０８】
ここでＥＥＭＯＳ回路の例を図８（Ａ）に、ＥＤＭＯＳ回路の例を図８（Ｂ）に示す。図
８（Ａ）において、３１、３２はどちらもエンハンスメント型のｎチャネル型ＴＦＴ（以
下、Ｅ型ＮＴＦＴという）である。また、図８（Ｂ）において、３３はＥ型ＮＴＦＴ、３
４はデプレッション型のｎチャネル型ＴＦＴ（以下、Ｄ型ＮＴＦＴという）である。
【０１０９】
なお、図８（Ａ）、（Ｂ）において、ＶDHは正の電圧が印加される電源線（正電源線）
であり、ＶDLは負の電圧が印加される電源線（負電源線）である。負電源線は接地電位の
電源線（接地電源線）としても良い。
【０１１０】
さらに、図８（Ａ）に示したＥＥＭＯＳ回路もしくは図８（Ｂ）に示したＥＤＭＯＳ回
路を用いてシフトレジスタを作製した例を図９に示す。図９において、４０、４１はフリ
ップフロップ回路である。また、４２、４３はＥ型ＮＴＦＴであり、Ｅ型ＮＴＦＴ４２の
ゲートにはクロック信号（ＣＬ）が入力され、Ｅ型ＮＴＦＴ４３のゲートには極性の反転
したクロック信号（ＣＬバー）が入力される。また、４４で示される記号はインバータ回
路であり、図９（Ｂ）に示すように、図８（Ａ）に示したＥＥＭＯＳ回路もしくは図８（
Ｂ）に示したＥＤＭＯＳ回路が用いられる。従って、液晶表示装置の駆動回路を全てｎチ
ャネル型ＴＦＴで構成することも可能である。
【０１１１】
また、本実施例は実施例１または実施例３と組み合わせることが可能である。
【実施例６】
【０１１２】
ここでは、上記実施例２〜５で得られるＴＦＴを用いて液晶表示装置を作製した例につ
いて図１０〜図１３を用い、以下に説明する。
【０１１３】
同一の絶縁体上に画素部とそれを駆動する駆動回路を有した液晶表示装置の例（但し液
晶材料封止前の状態）を図１０に示す。なお、駆動回路には基本単位となるＣＭＯＳ回路
を示し、画素部には一つの画素を示す。このＣＭＯＳ回路及び画素部のＴＦＴは実施例４
に従えば得ることができる。
【０１１４】
図１０において、６０１は第１固定基板、６０２は第１接着層、６０３は素子形成基板
であり、その上にはｎチャネル型ＴＦＴ６０５とｐチャネル型ＴＦＴ６０４からなる駆動
回路６０８、ｎチャネル型ＴＦＴからなる画素ＴＦＴ６０６および保持容量６０７とが形
成されている。また、本実施例では、ＴＦＴはすべてトップゲート型ＴＦＴで形成されて
いる。
【０１１５】
ｐチャネル型ＴＦＴ６０４とｎチャネル型ＴＦＴ６０５の説明は実施例４を参照すれば
良いので省略する。また、ｎチャネル型ＴＦＴからなる画素ＴＦＴ６０６の説明は実施例
１または実施例３を参照すればよいので省略する。また、画素ＴＦＴ６０６はソース領域
およびドレイン領域の間に二つのチャネル形成領域を有した構造（ダブルゲート構造）と
なっているが、実施例３でのｎチャネル型ＴＦＴの構造の説明を参照すれば容易に理解で
きるので説明は省略する。なお、本実施例はダブルゲート構造に限定されることなく、チ
ャネル形成領域が一つ形成されるシングルゲート構造もしくは三つ形成されるトリプルゲ
ート構造であっても良い。
【０１１６】
また、本実施例では、画素ＴＦＴのドレイン領域と接続する画素電極６１０を反射電極
とした。その画素電極６１０の材料としては、ＡｌまたはＡｇを主成分とする膜、または
それらの積層膜等の反射性の優れた材料を用いることが望ましい。また、画素電極６１０
を形成した後、公知のサンドブラスト法やエッチング法等の工程を追加して表面を凹凸化
させて、鏡面反射を防ぎ、反射光を散乱させることによって白色度を増加させることが好
ましい。
【０１１７】
また、図１２は、図１０中の点線Ａ−Ａ’で切断した断面図である。ゲート電極として
機能する導電層７１２は隣接する画素の保持容量の一方の電極を兼ね、画素電極７５２と
接続する半導体層７５３と重なる部分で容量を形成している。
また、ソース配線７０７と画素電極７２４及び隣接する画素電極７５１との配置関係は、
画素電極７２４、７５１の端部をソース配線７０７上に設け、重なり部を形成することに
より、迷光を遮り遮光性を高めている。
【０１１８】
図１０の状態を得た後、画素電極６１０上に配向膜を形成しラビング処理を行う。なお
、本実施例では配向膜を形成する前に、アクリル樹脂膜等の有機樹脂膜をパターニングす
ることによって基板間隔を保持するための柱状のスペーサ（図示しない）を所望の位置に
形成した。また、柱状のスペーサに代えて、球状のスペーサを基板全面に散布してもよい
。
【０１１９】
次いで、第２固定基板（対向基板）を用意する。次いで、対向基板第２固定基板上に着
色層、遮光層を形成した後、平坦化膜を形成する。次いで、平坦化膜上に透明導電膜から
なる対向電極を少なくとも画素部に形成し、対向基板の全面に配向膜を形成し、ラビング
処理を施した。
【０１２０】
そして、画素部と駆動回路が形成された素子形成基板と第２固定基板とを第２接着層（
本実施例ではシール材）で貼り合わせる。第２接着層にはフィラーが混入されていて、こ
のフィラーと柱状スペーサによって均一な間隔を持って２枚の基板が貼り合わせられる。
その後、両基板の間に液晶材料を注入し、封止剤（図示せず）によって完全に封止する。
液晶材料には公知の液晶材料を用いれば良い。
【０１２１】
次いで、液晶の封止（または封入）工程まで行った後、実施の形態および実施例１に示
したようにレーザー照射により第１固定基板を分離した。その後の液晶表示装置の状態に
ついて図１１を用いて説明する。
【０１２２】
図１１に示す上面図は、画素部、駆動回路、ＦＰＣ（フレキシブルプリント配線板：Fl
exible Printed Circuit）を貼り付ける外部入力端子、外部入力端子と各回路の入力部ま
でを接続する配線８１などが形成された素子形成基板と、カラーフィルタなどが設けられ
た対向基板８２とがシール材８３を介して貼り合わされている。
【０１２３】
ゲート側駆動回路８４と重なるように第２固定基板側に遮光層８６ａが設けられ、ソー
ス側駆動回路８５と重なるように第２固定基板側に遮光層８６ｂが形成されている。また
、画素部８７上の第２固定基板側に設けられたカラーフィルタ８８は遮光層と、赤色（Ｒ
）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色の着色層とが各画素に対応して設けられている。実際
に表示する際には、赤色（Ｒ）の着色層、緑色（Ｇ）の着色層、青色（Ｂ）の着色層の３
色でカラー表示を形成するが、これら各色の着色層の配列は任意なものとする。
【０１２４】
ここでは、カラー化を図るためにカラーフィルタ８８を第２固定基板に設けているが特
に限定されず、素子形成基板上に素子を作製する際、素子形成基板上にカラーフィルタを
形成してもよい。
【０１２５】
また、カラーフィルタにおいて隣り合う画素の間には遮光層が設けられており、表示領
域以外の箇所を遮光している。また、ここでは、駆動回路を覆う領域にも遮光層８６ａ、
８６ｂを設けているが、駆動回路を覆う領域は、後に液晶表示装置を電子機器の表示部と
して組み込む際、カバーで覆うため、特に遮光層を設けない構成としてもよい。また、素
子形成基板上に必要な素子を作製する際、素子形成基板に遮光層を形成してもよい。
【０１２６】
また、上記遮光層を設けずに、第２固定基板と対向電極の間に、カラーフィルタを構成
する着色層を複数層重ねた積層で遮光するように適宜配置し、表示領域以外の箇所（各画
素電極の間隙）や、駆動回路を遮光してもよい。
【０１２７】
また、外部入力端子にはベースフィルムと配線から成るＦＰＣ８９が異方性導電性樹脂
で貼り合わされている。さらに補強板で機械的強度を高めている。
【０１２８】
また、第２固定基板のみに偏光板（図示しない）を貼りつける。
【０１２９】
以上のようにして作製される液晶表示装置は各種電子機器の表示部として用いることが
できる。
【０１３０】
また、本実施例は実施例１と組み合わせることが可能である。
【実施例７】
【０１３１】
本実施例では実施例６に示した液晶表示装置の回路構成例を図１３に示す。
【０１３２】
なお、図１３（Ａ）はアナログ駆動を行うための回路構成である。本実施例では、ソース
側駆動回路９０、画素部９１及びゲート側駆動回路９２を有している。
なお、本明細書中において、駆動回路とはソース側処理回路およびゲート側駆動回路を含
めた総称である。
【０１３３】
ソース側駆動回路９０は、シフトレジスタ９０ａ、バッファ９０ｂ、サンプリング回路
（トランスファゲート）９０ｃを設けている。また、ゲート側駆動回路９２は、シフトレ
ジスタ９２ａ、レベルシフタ９２ｂ、バッファ９２ｃを設けている。なお、シフトレジス
タ９０ａ、９２ａとしては図１６に示したシフトレジスタを用いれば良い。また、必要で
あればサンプリング回路とシフトレジスタとの間にレベルシフタ回路を設けてもよい。
【０１３４】
また、本実施例において、画素部９１は複数の画素を含み、その複数の画素に各々ＴＦＴ
素子が設けられている。
【０１３５】
これらソース側駆動回路９０およびゲート側駆動回路９２を全てＮチャネル型ＴＦＴで
形成することができる。この場合、全ての回路は図８（Ａ）に示したＥＥＭＯＳ回路を基
本単位として形成されている。ただし、従来のＣＭＯＳ回路に比べると消費電力は若干上
がってしまう。
【０１３６】
また、これらソース側駆動回路９０およびゲート側駆動回路９２を全てｐチャネル型Ｔ
ＦＴで形成することもできる。
【０１３７】
なお、図示していないが、画素部９１を挟んでゲート側駆動回路９２の反対側にさらに
ゲート側駆動回路を設けても良い。
【０１３８】
また、デジタル駆動させる場合は、図１９（Ｂ）に示すように、サンプリング回路の代
わりにラッチ（Ａ）９３ｂ、ラッチ（Ｂ）９３ｃを設ければよい。ソース側駆動回路９３
は、シフトレジスタ９３ａ、ラッチ（Ａ）９３ｂ、ラッチ（Ｂ）９３ｃ、Ｄ／Ａコンバー
タ９３ｄ、バッファ９３ｅを設けている。また、ゲート側駆動回路９５は、シフトレジス
タ９５ａ、レベルシフタ９５ｂ、バッファ９５ｃを設けている。なお、シフトレジスタ９
３ａ、９５ａとしては図９に示したシフトレジスタを用いれば良い。また、必要であれば
ラッチ（Ｂ）９３ｃとＤ／Ａコンバータ９３ｄとの間にレベルシフタ回路を設けてもよい
。
【０１３９】
また、これらソース側駆動回路９３およびゲート側駆動回路９５を全てＮチャネル型Ｔ
ＦＴで形成することができる。
【０１４０】
また、これらソース側駆動回路９３およびゲート側駆動回路９５を全てｐチャネル型Ｔ
ＦＴで形成することもできる。
【０１４１】
なお、上記構成は、上記実施例２、３、または４に示した製造工程に従って実現するこ
とができる。また、本実施例では画素部と駆動回路の構成のみ示しているが、本実施例の
製造工程に従えば、メモリやマイクロプロセッサをも形成しうる。
【実施例８】
【０１４２】
本実施例では、画素部及び駆動回路に使用するＴＦＴを逆スタガ型ＴＦＴで構成した液
晶表示装置の例を図１４に示す。図１４（Ａ）は、画素部の画素の一つを拡大した上面図
であり、図１４（Ａ）において、点線Ａ−Ａ'で切断した部分が、図１４（Ｂ）の画素部
の断面構造に相当する。
【０１４３】
図１４（Ｂ）において、５０ａは第１固定基板、５１は第１接着層、５０ｂは素子形成
基板であり、まず、実施の形態に従い、第１固定基板５０ａと第１接着層５１（分離層）
で貼りつけた素子形成基板５０ｂを用意する。なお、必要があれば素子形成基板上に下地
絶縁膜を形成してもよい。
【０１４４】
画素部において、画素ＴＦＴ部はＮチャネル型ＴＦＴで形成されている。基板上５１に
ゲート電極５２が形成され、その上に窒化珪素からなる第１絶縁膜５３ａ、酸化珪素から
なる第２絶縁膜５３ｂが設けられている。また、第２絶縁膜上には、活性層としてｎ+ 領
域５４〜５６と、チャネル形成領域５７、５８と、前記ｎ+ 型領域とチャネル形成領域の
間にｎ- 型領域５９、６０が形成される。また、チャネル形成領域５７、５８は絶縁層６
１、６２で保護される。絶縁層６１、６２及び活性層を覆う第１の層間絶縁膜６３にコン
タクトホールを形成した後、ｎ+ 領域５４に接続する配線６４が形成され、ｎ+ 領域５６
に配線６５が接続され、さらにその上にパッシベーション膜６６が形成される。そして、
その上に第２の層間絶縁膜６７が形成される。さらに、その上に第３の層間絶縁膜６８が
形成され、ＩＴＯ、ＳｎＯ2等の透明導電膜からなる画素電極６９が配線６５と接続され
る。また、７０は画素電極６９と隣接する画素電極である。
【０１４５】
本実施例では一例として透過型の液晶表示装置の例を示したが特に限定されない。例え
ば、画素電極の材料として反射性を有する金属材料を用い、画素電極のパターニングの変
更、または幾つかの工程の追加／削除を適宜行えば反射型の液晶表示装置を作製すること
が可能である。
【０１４６】
なお、本実施例では、画素部の画素ＴＦＴのゲート配線をダブルゲート構造としている
が、オフ電流のバラツキを低減するために、トリプルゲート構造等のマルチゲート構造と
しても構わない。また、開口率を向上させるためにシングルゲート構造としてもよい。
【０１４７】
また、画素部の容量部は、第１絶縁膜及び第２絶縁膜を誘電体として、容量配線７１と
、ｎ+ 領域５６とで形成されている。
【０１４８】
なお、図１４で示した画素部はあくまで一例に過ぎず、特に上記構成に限定されないこ
とはいうまでもない。
【０１４９】
また、素子形成基板上の全てのＴＦＴをＮチャネル型ＴＦＴとすることができる。素子
形成基板上の全てのＴＦＴをＮチャネル型ＴＦＴで構成すれば、Ｐチャネル型ＴＦＴを形
成する工程を省略できるため、液晶表示装置の製造工程を簡略化することができる。また
、それに伴って製造工程の歩留まりが向上し、液晶表示装置の製造コストを下げることが
できる。
【実施例９】
【０１５０】
本実施例では、画素部及び駆動回路に使用するＴＦＴを全てＮチャネル型ＴＦＴで構成
した液晶表示装置の例を図１５に示す。なお、実施例６の図１０と同一である箇所に相当
するところは同じ符号を用いた。
【０１５１】
図１５において、６０１は第１固定基板、６０２は第１接着層、６０３は素子形成基板
であり、まず、実施の形態に従い、第１固定基板６０１と第１接着層６０２（分離層）で
貼りつけた素子形成基板６０３上に下地絶縁膜を形成する。
【０１５２】
下地絶縁膜上にはＮチャネル型ＴＦＴ１１０１、Ｎチャネル型ＴＦＴ１１０２からなる
駆動回路、Ｎチャネル型ＴＦＴからなる画素ＴＦＴ１１０３および保持容量１１０４が形
成されている。なお、Ｎチャネル型ＴＦＴの説明は実施例３を参照すれば良いので省略す
る。
【０１５３】
ここでは、実施例６とは異なり、透過型の液晶表示装置の例である。層間絶縁膜を形成
した後、透明導電膜からなる画素電極１１０７をパターニングにより形成した後、コンタ
クトホールを形成して画素電極１１０７と画素ＴＦＴ１１０３のドレイン領域とを接続す
る接続電極１１０８を形成した。また、同様にして画素電極１１０７と保持容量１１０４
における半導体領域とを接続する接続電極１１０９を形成した。
【０１５４】
また、図１５の状態を得た後、実施例６の工程に従って、第２接着層で第２固定基板を
貼り合わせた後、第１接着層６０２にレーザーを照射して第１固定基板６０１を分離して
、液晶表示装置を完成させればよい。
【０１５５】
Ｎチャネル型ＴＦＴのみでゲート側駆動回路およびソース側駆動回路を形成することに
より画素部および駆動回路をすべてＮチャネル型ＴＦＴで形成することが可能となる。従
って、アクティブマトリクス型の電気光学装置を作製する上でＴＦＴ工程の歩留まりおよ
びスループットを大幅に向上させることができ、製造コストを低減することが可能となる
。
【０１５６】
なお、ソース側駆動回路もしくはゲート側駆動回路のいずれか片方を外付けのＩＣチッ
プとする場合にも本実施例は実施できる。
【０１５７】
また、本実施例では、Ｅ型ＮＴＦＴのみを用いて駆動回路を構成したがＥ型ＮＴＦＴお
よびＤ型ＮＴＦＴを組み合わせて形成してもよい。
【実施例１０】
【０１５８】
本実施例では、画素部及び駆動回路に使用するＴＦＴを全てＰチャネル型ＴＦＴで構成
した液晶表示装置の例を図１６に示す。なお、実施例６の図１０と同一である箇所に相当
するところは同じ符号を用いた。
【０１５９】
図１６において、６０１は第１固定基板、６０２は第１接着層、６０３は素子形成基板
であり、まず、実施の形態に従い、第１固定基板６０１と第１接着層６０２（分離層）で
貼りつけた素子形成基板６０３上に下地絶縁膜を形成する。
【０１６０】
下地絶縁膜上にはＰチャネル型ＴＦＴ１２０１、Ｐチャネル型ＴＦＴ１２０２からなる
駆動回路、Ｐチャネル型ＴＦＴからなる画素ＴＦＴ１２０３および保持容量１２０４が形
成されている。なお、Ｐチャネル型ＴＦＴの説明は実施例２を参照すれば良いので省略す
る。
【０１６１】
ここでは、実施例６とは異なり、透過型の液晶表示装置の例である。層間絶縁膜を形成
した後、透明導電膜からなる画素電極１２０７をパターニングにより形成した後、コンタ
クトホールを形成して画素電極１２０７と画素ＴＦＴ１２０３のドレイン領域とを接続す
る接続電極１２０８を形成した。また、同様にして画素電極１２０７と保持容量１２０４
における半導体領域とを接続する接続電極１２０９を形成した。
【０１６２】
また、図１６の状態を得た後、実施例６の工程に従って、第２接着層で第２固定基板を
貼り合わせた後、第１接着層６０２にレーザーを照射して第１固定基板６０１を分離して
、液晶表示装置を完成させればよい。
【０１６３】
Ｐチャネル型ＴＦＴのみでゲート側駆動回路およびソース側駆動回路を形成することに
より画素部および駆動回路をすべてＰチャネル型ＴＦＴで形成することが可能となる。従
って、アクティブマトリクス型の電気光学装置を作製する上でＴＦＴ工程の歩留まりおよ
びスループットを大幅に向上させることができ、製造コストを低減することが可能となる
。
【０１６４】
なお、ソース側駆動回路もしくはゲート側駆動回路のいずれか片方を外付けのＩＣチッ
プとする場合にも本実施例は実施できる。
【実施例１１】
【０１６５】
素子形成基板としては、金属基板、例えばステンレス基板を用いることもできる。本実
施例は、その場合の例を以下に示す。
【０１６６】
本実施例では、実施例１の素子形成基板として、ステンレス基板（厚さ１０〜２００μ
ｍ）を用いる。まず、実施の形態に従って第１固定基板とステンレス基板とを第１接着層
で貼り合わせる。
【０１６７】
以降は、実施例１に従って、ステンレス基板からなる素子形成基板上に下地絶縁膜を形
成して必要な素子を形成すればよい。なお、実施例１とは異なり、耐熱性が高いステンレ
ス基板を用いているため、実施例１よりも高い温度（約５００℃以下）でのプロセスを使
用してＴＦＴを作製することができる。
【０１６８】
そして、第１固定基板を分離する際、ステンレス基板を用いているため、レーザー光を
照射しても素子形成基板上に形成された素子に全く影響を与えることなく第１固定基板を
分離することができる。
【０１６９】
また、ステンレス基板は遮光性を有しているため、本実施例の表示装置は、反射型の液晶
表示装置となる。
【０１７０】
薄い金属基板（厚さ１０〜２００μｍ）を用いることによって軽量化、薄型化が図れる
とともに可撓性を有する発光装置を得ることができる。また、金属基板を用いているため
、素子基板上に形成されたＴＦＴ素子の放熱効果が得られる。
【０１７１】
また、本実施例は、実施例１乃至９のいずれか一と自由に組み合わせることが可能であ
る。
【実施例１２】
【０１７２】
本願発明を実施して形成された駆動回路や画素部は様々な電気光学装置（アクティブマ
トリクス型液晶ディスプレイ、アクティブマトリクス型ＥＬディスプレイ、アクティブマ
トリクス型ＥＣディスプレイ）に用いることができる。即ち、それら電気光学装置を表示
部に組み込んだ電子機器全てに本願発明を実施できる。
【０１７３】
その様な電子機器としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ヘッドマウントディスプレ
イ（ゴーグル型ディスプレイ）、カーナビゲーション、カーステレオ、パーソナルコンピ
ュータ、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話または電子書籍等）などが挙げ
られる。それらの一例を図１８及び図１９に示す。
【０１７４】
図１８（Ａ）はパーソナルコンピュータであり、本体２００１、画像入力部２００２、表
示部２００３、キーボード２００４等を含む。本発明を画像入力部２００２、表示部２０
０３やその他の駆動回路に適用することができる。
【０１７５】
図１８（Ｂ）はビデオカメラであり、本体２１０１、表示部２１０２、音声入力部２１０
３、操作スイッチ２１０４、バッテリー２１０５、受像部２１０６等を含む。本発明を表
示部２１０２やその他の駆動回路に適用することができる。
【０１７６】
図１８（Ｃ）はモバイルコンピュータ（モービルコンピュータ）であり、本体２２０１、
カメラ部２２０２、受像部２２０３、操作スイッチ２２０４、表示部２２０５等を含む。
本発明は表示部２２０５やその他の駆動回路に適用できる。
【０１７７】
図１８（Ｄ）はゴーグル型ディスプレイであり、本体２３０１、表示部２３０２、アーム
部２３０３等を含む。本発明は表示部２３０２やその他の駆動回路に適用することができ
る。
【０１７８】
図１８（Ｅ）はプログラムを記録した記録媒体（以下、記録媒体と呼ぶ）を用いるプレー
ヤーであり、本体２４０１、表示部２４０２、スピーカ部２４０３、記録媒体２４０４、
操作スイッチ２４０５等を含む。なお、このプレーヤーは記録媒体としてＤＶＤ（Ｄｉｇ
ｔｉａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ）、ＣＤ等を用い、音楽鑑賞や映画鑑賞やゲー
ムやインターネットを行うことができる。本発明は表示部２４０２やその他の駆動回路に
適用することができる。
【０１７９】
図１８（Ｆ）はデジタルカメラであり、本体２５０１、表示部２５０２、接眼部２５０３
、操作スイッチ２５０４、受像部（図示しない）等を含む。本願発明を表示部２５０２や
その他の駆動回路に適用することができる。
【０１８０】
図１９（Ａ）は携帯電話であり、本体２９０１、音声出力部２９０２、音声入力部２９
０３、表示部２９０４、操作スイッチ２９０５、アンテナ２９０６等を含む。本願発明を
音声出力部２９０２、音声入力部２９０３、表示部２９０４やその他の駆動回路に適用す
ることができる。
【０１８１】
図１９（Ｂ）は携帯書籍（電子書籍）であり、本体３００１、表示部３００２、３００
３、記憶媒体３００４、操作スイッチ３００５、アンテナ３００６等を含む。本発明は表
示部３００２、３００３やその他の駆動回路に適用することができる。
【０１８２】
図１９（Ｃ）はディスプレイであり、本体３１０１、支持台３１０２、表示部３１０３
等を含む。本発明は表示部３１０３に適用することができる。本発明のディスプレイは特
に大画面化した場合において有利であり、対角１０インチ以上（特に３０インチ以上）の
ディスプレイには有利である。
【０１８３】
以上の様に、本願発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に適用するこ
とが可能である。また、本実施例の電子機器は実施例１〜１０のどのような組み合わせか
らなる構成を用いても実現することができる。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１固定基板と素子形成基板とを該素子形成基板に設けられた第１接着層で貼り合
わせ、該素子形成基板を貼り合わせた後に絶縁膜を形成し、該絶縁膜の上にＴＦＴ素子
及び画素電極を形成し、該画素電極の上に第２接着層で第２固定基板を貼り合わせた後、
レーザー光の照射により前記第１接着層を除去して前記第１固定基板を分離することを特徴とする半導体装置の作製方法
【請求項１】
第１固定基板と素子形成基板とを該素子形成基板に設けられた第１接着層で貼り合
わせ、該素子形成基板を貼り合わせた後に絶縁膜を形成し、該絶縁膜の上にＴＦＴ素子
及び画素電極を形成し、該画素電極の上に第２接着層で第２固定基板を貼り合わせた後、
レーザー光の照射により前記第１接着層を除去して前記第１固定基板を分離することを特徴とする半導体装置の作製方法
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【公開番号】特開２０１２−１２８４５０（Ｐ２０１２−１２８４５０Ａ）
【公開日】平成２４年７月５日（２０１２．７．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−４６２２２（Ｐ２０１２−４６２２２）
【出願日】平成２４年３月２日（２０１２．３．２）
【分割の表示】特願２００９−１８１１７８（Ｐ２００９−１８１１７８）の分割
【原出願日】平成１２年７月１７日（２０００．７．１７）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年７月５日（２０１２．７．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年３月２日（２０１２．３．２）
【分割の表示】特願２００９−１８１１７８（Ｐ２００９−１８１１７８）の分割
【原出願日】平成１２年７月１７日（２０００．７．１７）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
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