【課題】結晶性の優れた酸化物半導体層を形成して電気特性の優れたトランジスタを製造
可能とし、大型の表示装置や高性能の半導体装置等の実用化を図ることを目的の一つとす
る。
【解決手段】第１の加熱処理で第１の酸化物半導体層を結晶化し、その上部に第２の酸化
物半導体層を形成し、温度と雰囲気の異なる条件で段階的に行われる第２の加熱処理によ
って表面と略垂直な方向にｃ軸が配向する結晶領域を有する酸化物半導体層の形成と酸素
欠損の補填を効率良く行い、酸化物半導体層上に接する酸化物絶縁層を形成し、第３の加
熱処理を行うことにより、酸化物半導体層に再度酸素を供給し、酸化物絶縁層上に、水素
を含む窒化物絶縁層を形成し、第４の加熱処理を行うことにより、少なくとも酸化物半導
体層と酸化物絶縁層の界面に水素を供給する。 （もっと読む）

【課題】不良を抑制しつつ微細化を達成した半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁層に凸状部またはトレンチ（溝部）を形成し、該凸状部またはトレンチに接して半導体層のチャネル形成領域を設けることで、チャネル形成領域を基板垂直方向に延長させる。これによって、トランジスタの微細化を達成しつつ、実効的なチャネル長を延長させることができる。また、半導体層成膜前に、半導体層が接する凸状部またはトレンチの上端コーナー部に、Ｒ加工処理を行うことで、薄膜の半導体層を被覆性良く成膜する。 （もっと読む）

【課題】特性のバラツキが少なく、電気特性が良好なトランジスタを作製する。
【解決手段】ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に微結晶半導体を含む半導体層を形成し、半導体層上に不純物半導体層を形成し、不純物半導体層上にマスクを形成した後、マスクを用いて半導体層及び不純物半導体層をエッチングして、半導体積層体を形成し、マスクを除去した後に半導体積層体を希ガスを含む雰囲気で発生させたプラズマに曝して半導体積層体の側面に障壁領域を形成し、半導体積層体の不純物半導体層に接する配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】光の検出精度を向上させる。
【解決手段】第１のライトユニットと、第２のライトユニットと、表示回路と、Ｙ個（Ｙは２以上の自然数）の光検出回路と、を具備する入出力装置の駆動方法であって、Ｙ個の光検出回路のそれぞれに同じ光検出制御信号を入力し、表示選択信号により設定されるフレーム期間において、Ｚ個の発光ダイオードを順次切り替えて発光させることで第１のライトユニットを点灯させ、第１のライトユニットが消灯状態のときに白色発光ダイオードを発光させて第２のライトユニットを点灯させることを含み、第２のライトユニットが点灯状態である期間に、Ｙ個の光検出回路に入射する光の照度に応じたＹ個のデータを生成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置でパシベーション膜として一般的に使用されている減圧ＣＶＤ法による窒化シリコン膜は、膜厚の１０％程度のばらつきが生じるので、これを反射型液晶パネルに用いると、パシベーション膜の膜厚のばらつきによって反射率が大きく変化したり、液晶の屈折率が変動したりするという不具合がある。
【解決手段】基板（１）上に反射電極（１４）がマトリックス状に形成されるとともに各反射電極に対応して各々トランジスタが形成され、前記トランジスタを介して前記反射電極に電圧が印加されるように構成された液晶パネル用基板において、パシベーション膜（１７）として、膜厚が５００〜２０００オングストロームの酸化シリコン膜を使用し、入射光の波長に応じて膜厚を適当な値に設定するようにした。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの閾値電圧を調整する。
【解決手段】薄膜トランジスタの作製に際して、処理室内に半導体材料ガスを導入し、ゲート電極を覆って設けられたゲート絶縁層上に前記処理室内で半導体膜を形成し、前記処理室内の前記半導体材料ガスを排気し、前記処理室内に希ガスを導入し、前記処理室内で前記半導体膜にプラズマ処理を行い、前記半導体膜上に不純物半導体膜を形成し、前記半導体膜と前記不純物半導体膜を島状に加工して半導体積層体を形成し、前記半導体積層体が有する不純物半導体層に接してソース電極及びドレイン電極を形成し、前記半導体膜の形成と前記希ガスプラズマ処理は、好ましくは前記処理室内の圧力及び温度を変化させずに行い、前記処理室内のガス種のみを異ならせる。希ガスとしてはアルゴンが好ましく、前記半導体膜には希ガス元素を２．５×１０^１８ｃｍ^−３以上含ませることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】特性の優れた半導体膜を簡便に得ることができる微結晶半導体膜の結晶化方法と、これを応用した薄膜トランジスタ、半導体装置、及び薄膜トランジスタの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる薄膜トランジスタは、基板１上に形成されたゲート電極２と、ゲート電極２を覆うゲート絶縁膜３と、ゲート絶縁膜３を介してゲート電極２の対面に形成され、ソース領域となる第１非晶質領域４１、ドレイン領域となる第２非晶質領域４２、及び第１非晶質領域４１と第２非晶質領域４２との間に配置されたチャネル領域となる結晶性領域４３を有する半導体膜４と、半導体膜４上に結晶性領域４３と直接接触することなく形成され、ソース領域及びドレイン領域とそれぞれ電気的に接続されたソース電極８１及びドレイン電極８２と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】低温プロセスにおいて重複走査領域が発生する場合であっても、デバイス特性にばらつきの少ないＴＦＴパネルを提供すること。
【解決手段】薄膜トランジスタが列状に配列され、かつ互いに平行な複数の制御領域が連続して並んだ基板と、前記基板上に配置された平坦化膜とを有するＴＦＴパネルであって、前記制御領域には、最大結晶粒径が大きい半導体層からなるチャネルを有する薄膜トランジスタＸが列状に配列された制御領域Ｘと、最大結晶粒径が小さい半導体層からなるチャネルを有する薄膜トランジスタＹが列状に配列された制御領域Ｙと、が含まれ、前記制御領域Ｘ同士の中心間距離は、前記制御領域の短軸の３ｎ［ｎは１以上の整数］倍である、カラーディスプレイ用ＴＦＴパネル。 （もっと読む）

【課題】しきい値電圧の経時変化およびホットキャリア劣化が可及的に小さく、かつオン特性の低下が可及的に小さい薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート絶縁膜３６を窒化シリコン膜５０と酸化シリコン膜５３とで構成する。酸化シリコン膜５３は、二酸化シリコン（ＳｉＯ₂）膜５１と、組成式ＳｉＯ_x（ｘは１．２以上２未満の数）で表される組成を有する低酸化シリコン（ＳｉＯ_x）膜５２とで構成する。またはＳｉＯ₂膜５１と、屈折率が１．４６よりも大きく１．７以下であるＳｉＯ_x膜５２とで構成する。ＳｉＯ_x膜５２に接するように、活性層３７の微結晶シリコン膜６２を形成する。これによって、ＳｉＯ_x膜５２上に高密度に均一に結晶を成長させることができるので、均一でボイドの少ない微結晶シリコン膜６２を形成することができる。したがって、オン特性の低下を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】しきい値電圧の経時変化およびホットキャリア劣化が可及的に小さく、かつオン特性の低下が可及的に小さい薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極３２上に、ゲート絶縁膜３６として、第１ゲート絶縁膜５０と、第２ゲート絶縁膜５１とを形成する。第１ゲート絶縁膜５０を窒化シリコン膜で形成し、第２ゲート絶縁膜５１を酸化シリコン膜で形成し、第２ゲート絶縁膜５１の表面部にＡｒ含有層５２を形成する。Ａｒ含有層５２に接するように、微結晶シリコン膜６２を形成し、さらにｉ型非晶質シリコン膜６３およびＮ型非晶質シリコン膜６１を形成して、活性層３７を形成する。これによって、高密度に均一に結晶を成長させることができるので、均一でボイドの少ない微結晶シリコン膜６２を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を持つ、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを有する、信頼性の高い半導体装置の作製方法の提供を目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタを有する半導体装置の作製において、酸化物半導体膜を形成した後、水分、ヒドロキシ基、または水素などを吸蔵或いは吸着することができる金属、金属化合物または合金を用いた導電膜を、絶縁膜を間に挟んで酸化物半導体膜と重なるように形成する。そして、該導電膜が露出した状態で加熱処理を行うことで、導電膜の表面や内部に吸着されている水分、酸素、水素などを取り除く活性化処理を行う。 （もっと読む）

【課題】高い開口率を得ながら十分な保持容量（Ｃｓ）を確保し、また同時に容量配線の負荷（画素書き込み電流）を時間的に分散させて実効的に低減する事により、高い表示品質をもつ液晶表示装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極１０４と異なる層に走査線１０７を形成し、容量配線１１１が信号線１０９と平行になるよう配置する。各画素はそれぞれ独立した容量配線１１１に誘電体を介して接続されているため隣接画素の書き込み電流による容量配線電位の変動を回避でき、良好な表示画像を得る事ができる。 （もっと読む）

【課題】半導体層をゲート電極によって遮光したボトムゲート型薄膜トランジスタのオフ電流を低減する。
【解決手段】ゲート電極層と、第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に接して設けられた前記第１の半導体層よりもキャリア移動度が低い第２の半導体層と、前記ゲート電極層と前記第１の半導体層との間に接して設けられたゲート絶縁層と、前記第２の半導体層に接して設けられた不純物半導体層と、前記不純物半導体層及び前記第１及び第２の半導体層に一部が接して設けられたソース電極及びドレイン電極層と、を有し、前記第１の半導体層のゲート電極層側は全面が前記ゲート電極層によって覆われており、前記第１の半導体層と前記ソース電極及びドレイン電極層が接する部分のポテンシャル障壁は０．５ｅＶ以上である薄膜トランジスタを提供する。 （もっと読む）

【課題】閾値電圧シフトが小さく、かつオン特性に優れた薄膜トランジスタ、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの製造方法は、ゲート電極２、ゲート絶縁膜３、第１の半導体層１０、オーミックコンタクト層として機能する第２の半導体層、ソース電極５及びドレイン電極６をこの順に形成する工程を備え、第１の半導体層１０を形成する工程は、実質的にイントリンシックな微結晶シリコン層からなる微結晶層１１を形成し、少なくともソース電極５、ドレイン電極６と対向配置される領域に、微結晶層１１ａの表面の結晶欠陥を低減するように、低濃度のＰ（リン）が添加された非晶質シリコン層からなる欠陥修復層１２ａを形成し、その後、実質的にイントリンシックな非晶質シリコン層からなる非晶質層１３ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】 移動度特性及び特性安定性を向上した薄膜トランジスタを提供する。さらに、それを用いた高性能の表示装置を提供する。
【解決手段】 基板上に、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、半導体膜と、ソース電極及びドレイン電極として機能する一対の電極とを具備し、少なくとも前記ソース電極及びドレイン電極の一部が前記半導体膜を挟んで前記ゲート絶縁膜の反対側に位置する薄膜トランジスタを有する表示装置であって、前記半導体膜は、１−８ｎｍの厚さの微結晶Ｓｉ膜と、前記微結晶Ｓｉ膜の前記ゲート絶縁膜側とは反対側に位置する非晶質Ｓｉ膜とを含む積層からなる。 （もっと読む）

【課題】プラスチックフィルム基板と電界効果型トランジスタとの密着性を下地層を形成することで化学的に高め、フォトリソグラフィ工程で用いる強酸や強アルカリへの浸漬によっても電界効果型トランジスタがプラスチックフィルム基板から剥離することなく再現性良く製造する電界効果型トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置を提供する。
【解決手段】基板、ゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極、ドレイン電極及び半導体を有して形成された電界効果型トランジスタであって、基板上に高分子化合物と金属化合物との混合物を含有する下地層を備えることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】 ＴＦＴの工程を複雑化させることなくシステムオンパネル化を実現し、なおか
つコストを抑えることができる液晶表示装置の提案を課題とする。
【解決手段】 画素部に液晶素子と、液晶素子に印加される電圧を制御するＴＦＴとを有
する画素が設けられており、駆動回路が有するＴＦＴと、液晶素子に印加される電圧を制
御するＴＦＴとは、ゲート電極とゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁
膜を間に挟んでゲート電極と重なっている第１の半導体膜と、第１の半導体膜上に形成さ
れた一対の第２の半導体膜とを有し、一対の第２の半導体膜には一導電型を付与する不純
物が添加されており、第１の半導体膜はセミアモルファス半導体で形成されていることを
特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】微結晶シリコンを用いた薄膜トランジスタ基板において、基板の良否判断を確実に行う。
【解決手段】微結晶シリコンを用いた薄膜トランジスタを備えた薄膜トランジスタ基板の検査装置６０ａであって、薄膜トランジスタのゲート電圧−ドレイン電流の特性を測定するための特性測定部Ｍと、特性測定部Ｍで測定されたゲート電圧−ドレイン電流の特性曲線のオフ電流部分におけるドレイン電流の大きさ、及びドレイン電流が最小のときのゲート電圧の大きさに基づいて、薄膜トランジスタの良否を判断するための良否判断部Ｊとを備えている。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスによるコスト増を抑えつつ、必要なオン電流を確保しながらオフ電流を抑制した薄膜トランジスタを備えた表示装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極ＧＴと、ゲート電極ＧＴの上側に積層されるドレイン電極ＤＴ及びソース電極ＳＴと、ゲート電極ＧＴの上側でドレイン電極ＤＴ及びソース電極ＳＴの下側に積層される半導体膜Ｓと、半導体膜Ｓの上側に接してテーパ状に形成されて、半導体膜Ｓのドレイン電極ＤＴの側の第１端部ＤＲとソース電極ＳＴ側の第２端部ＳＲを露出させる絶縁膜ＥＳを含み、ドレイン電極ＤＴは、絶縁膜ＥＳの一部に跨って第１端部ＤＲを上側から覆うように配置され、ソース電極ＳＴは、絶縁膜ＥＳの一部に跨って第２端部ＳＲを上側から覆うように配置され、半導体膜Ｓとゲート電極ＧＴは、第１端部ＤＲから所定間隔を離された領域において平面的に重複する、ことを特徴とする薄膜トランジスタＴＦＴを有した表示装置。 （もっと読む）

【課題】オン電流を低下させることなくオフ電流を低減し、画素回路やゲート駆動回路の制御に適用可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ１００は、中央部がチャネルとなる微結晶シリコン層４と、この微結晶シリコン層４上に設けられた非晶質シリコン層５とを備え、ソース電極７およびドレイン電極８を、コンタクト層６ａ、６ｂにそれぞれ接続された下部ソース電極７ａおよび下部ドレイン電極８ａと、この下部ソース電極７ａおよび下部ドレイン電極７ｂの上面に形成された上部ソース電極７ｂおよび上部ドレイン電極８ｂとの２層で構成するとともに、上部ソース電極７ｂおよび上部ドレイン電極８ｂのチャネル側端部をそれぞれ下部ソース電極７ａおよび下部ドレイン電極８ａのチャネル側端部に対して庇状に突出するように構成した。 （もっと読む）