【課題】配線層の膜応力を低減し、製造歩留まりを向上することが可能な半導体装置およびその製造方法並びに表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】本技術の半導体装置は、一方向に延在する複数の第１配線層と、第１配線層の間に設けられた第１配線層よりも膜厚が薄いゲート電極と、第１配線層およびゲート電極上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上の前記ゲート電極に対応する位置にチャネル領域を有する半導体層と、半導体層上に設けられた層間膜と、層間膜上に形成されると共に、層間膜に設けられた貫通孔を介して半導体層と接続された第２配線層とを備えている。 （もっと読む）

【課題】３原色の副画素に白や補色系の副画素を加えて１つの画素（絵素）を構成するに当たって、白色の色度が補色系側にシフトするのを軽減できる表示装置及び当該表示装置を有する電子機器を提供する。
【解決手段】３原色を表示する３つの副画素から成る第１の画素と、３原色の中の２色及び３原色以外の所定色を表示する３つの副画素から成る第２の画素とを有する表示装置において、第１の画素について、第２の画素で欠落した３原色の中の１色を表示する副画素の表示面の大きさを他の２色を表示する副画素の表示面の大きさよりも大きくした画素配列とする。 （もっと読む）

【課題】
短いチャネル長の酸化物半導体装置およびそれを低コストで実現することのできる製造方法を提供する。
【解決手段】
酸化物半導体装置において、チャネルとなる酸化物半導体層ＣＨと、第１方向に、酸化物半導体層ＣＨを介して延伸する第１の電極層（ソース又はドレイン）ＬＥおよび第２の電極層（ドレイン又はソース）ＵＥと、第１方向と交差する第２方向に延伸し、酸化物半導体層ＣＨと基板ＳＵに垂直な方向においてゲート絶縁層ＧＩを介して重なるゲート電極層ＧＥとを有し、酸化物半導体層ＣＨの膜厚がそのチャネル長となる。 （もっと読む）

【課題】効果的な放熱、低コスト化、薄型化、軽量化を実現する。
【解決手段】液晶表示装置１００は、裏面側の一部に液晶表示パネル１０６を支持するシャーシ１０２を備え、シャーシ１０２の一部に支柱１０４が設けられている。液晶表示パネル１０６の裏面側から光を照射するＬＥＤチップ１２５ａ・１２５ｂは、支柱１０４の内部に設けられた空間１４４内に配置されている。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
ることを目的の一とする。
【解決手段】第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極
、ならびに、ソース電極およびドレイン電極と電気的に接続する酸化物半導体膜を形成し
、酸化物半導体膜に熱処理を行って、酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、水素原子が
除去された酸化物半導体膜に酸素ドープ処理を行って、酸化物半導体膜中に酸素原子を供
給し、酸素原子が供給された酸化物半導体膜上に、第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜
上の酸化物半導体膜と重畳する領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法である
。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置、及び該半導体装置の作製方法を提供する。半導体装置を歩留まりよく作製し、高生産化を達成する。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜が順に積層され、酸化物半導体膜に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、エッチング工程により、ソース電極層及びドレイン電極層を形成後、酸化物半導体膜表面及び該近傍に存在するエッチング工程起因の不純物を除去する工程を行う。 （もっと読む）

【課題】
本発明が解決しようとする課題は、画像データをより効率的に使うことである。
【解決手段】
１つの実施例によれば、画像化システムは、処理システム及び表示生成器を含む。処理システムは、カメラから受け取った信号を処理することにより、中心窩表示領域のために中心窩データを生成し、かつ、周縁表示領域のために周縁データを生成するように動作する。周縁データは、中心窩データの画素密度に比べて、低い画素密度を持つ。表示生成器は、１：ｎの写像率により、中心窩データから、中心窩表示領域を生成し、かつ、１：ｍの写像率により、周縁データから、周縁表示領域を生成するように動作する。ここでｍはｎより大きい。 （もっと読む）

【課題】複数の表示装置が並べて設けられ、各表示装置に異なるイベントの情報が表示されている場合に、あるイベントの情報を見ているユーザに、他のイベントに関する情報を誤って伝えないようにすることを目的とする。
【解決手段】第１表示装置に第１イベントに関する情報を表示し、第１表示装置と並べて設けられた第２表示装置に第１イベントの後に起こる第２イベントに関する情報を表示し、第１イベントが起こる時刻の所定の時間前になると、第１表示装置のバックライトの輝度を予め定められた標準輝度よりも高くするとともに、第２表示装置のバックライトの輝度を標準輝度よりも低くする。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタ及び当該トランジスタを用いた表示
装置を提供する。
【解決手段】チャネル領域に酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタであっ
て、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層を活性層に用い、該活性
層は、微結晶化した表層部の第１の領域と、その他の部分の第２の領域で形成されている
。この様な構成をした酸化物半導体層を用いることにより、表層部からの水分の再侵入や
酸素の脱離によるｎ型化や寄生チャネル発生の抑制、及びソース電極及びドレイン電極と
の接触抵抗を下げることができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを有する信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板上に設けられたボトムゲート構造のスタガ型トランジスタを有する半導体装置において、ゲート電極層上に組成を異なる第１のゲート絶縁膜及び第２のゲート絶縁膜が順に積層されたゲート絶縁膜を設ける。又は、ボトムゲート構造のスタガ型トランジスタにおいて、ガラス基板とゲート電極層との間に保護絶縁膜を設ける。第１のゲート絶縁膜と第２のゲート絶縁膜との界面、又はゲート電極層とゲート絶縁膜との界面における、ガラス基板中に含まれる金属元素の濃度を、５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下（好ましくは１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下）とする。 （もっと読む）

【課題】製造コストを大幅に増大させずに情報を記録することができるとともに、情報を容易に再生することのできる電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００の素子基板１０において、外周領域１０ｃに複数の容量素子５６を形成しておき、外部からいずれの容量素子５６に高い電圧を印加して絶縁破壊させるかによって、電気光学装置１００の一つ一つにＩＤ等情報を記録する。容量素子５６は、ダミー画素１００ｂに設けた蓄積容量５５であり、データ線６ａ、走査線３ａおよび容量線５ｂのうち、外周領域１０ｃで延在している部分を配線として利用して、容量素子５６への電圧印加および信号検出を行う。 （もっと読む）

【課題】防湿性の向上と共に狭額縁化された表示装置を提供する。
【解決手段】表示領域の周囲に接着領域を有する駆動基板と、前記表示領域に設けられた表示層と、前記表示層の表示面に対向配置された表面膜と、前記表示層と前記表面膜との間に介在し、前記接着領域において前記駆動基板に接すると共に前記駆動基板との間で前記表示層を封止する防湿膜とを備えた表示装置。 （もっと読む）