電気光学装置および電子機器
【課題】製造コストを大幅に増大させずに情報を記録することができるとともに、情報を容易に再生することのできる電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００の素子基板１０において、外周領域１０ｃに複数の容量素子５６を形成しておき、外部からいずれの容量素子５６に高い電圧を印加して絶縁破壊させるかによって、電気光学装置１００の一つ一つにＩＤ等情報を記録する。容量素子５６は、ダミー画素１００ｂに設けた蓄積容量５５であり、データ線６ａ、走査線３ａおよび容量線５ｂのうち、外周領域１０ｃで延在している部分を配線として利用して、容量素子５６への電圧印加および信号検出を行う。
【解決手段】電気光学装置１００の素子基板１０において、外周領域１０ｃに複数の容量素子５６を形成しておき、外部からいずれの容量素子５６に高い電圧を印加して絶縁破壊させるかによって、電気光学装置１００の一つ一つにＩＤ等情報を記録する。容量素子５６は、ダミー画素１００ｂに設けた蓄積容量５５であり、データ線６ａ、走査線３ａおよび容量線５ｂのうち、外周領域１０ｃで延在している部分を配線として利用して、容量素子５６への電圧印加および信号検出を行う。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＤ（個体識別のための符号（Identification））等の情報の記録および再生が可能な電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置や有機エレクトロルミネッセンス装置等の電気光学装置では、画素電極やスイッチング素子を備えた画素が構成されており、かかる画素が複数配列されることにより、画素領域が構成されている。ここで、画素電極やスイッチング素子は、素子基板の一方面側に半導体プロセス等を利用した複数の工程により形成されることから、工程履歴や素子基板に用いた基板のロット等の情報を追跡できるようにしておけば、不具合が発生したときの原因を解析するのに都合がよい。
【０００３】
そこで、液晶装置に形成した金属膜の抜き部分を利用して文字情報を記録する技術が提案されており、かかる技術によれば、電気光学装置のＩＤ等を文字情報として記録し、光学的に再生することができる（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２４３００７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の構成では、フォトリソグラフィー技術を利用するため、ＩＤ等を記録するには、多数の露光マスクを準備しておく必要があり、製造コストが増大する。また、特許文献１に記載の構成では、情報が記録されている個所が他の部材で覆われていると、情報を光学的に再生することが困難であるという問題点もある。
【０００６】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、製造コストを大幅に増大させずに情報を記録することができるとともに、情報を容易に再生することのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置は、画素電極を備えた画素が素子基板の一方面側に複数配列された画素領域と、前記素子基板の一方面側で前記素子基板の端部と前記画素領域との間に設けられ、第１電極および該第１電極に誘電体層を介して積層された第２電極を備えた複数の容量素子と、前記素子基板の一方面側で前記複数の容量素子に電気的に接続された配線と、を有し、前記複数の容量素子には、前記誘電体層により前記第１電極と前記第２電極とが絶縁状態にある第１容量素子と、前記誘電体層の絶縁破壊により前記第１電極と前記第２電極とが短絡状態にある第２容量素子と、が含まれていることを特徴とする。
【０００８】
本発明においては、素子基板の端部と画素領域との間に複数の容量素子が構成されており、かかる複数の容量素子には配線が電気的に接続されている。このため、配線を介して複数の容量素子に電圧を印加する際に、一部の容量素子に絶縁耐圧を超える電圧を印加して絶縁破壊させれば、複数の容量素子のいずれが絶縁破壊されているかによって情報を記録することができる。また、配線を介して複数の容量素子のいずれが絶縁破壊されているかを検出すれば、情報を再生することができる。従って、本発明によれば、電気光学装置に複数の容量素子を形成しておき、外部からいずれの容量素子に高い電圧を印加するかを決定するだけで情報を記録することができるので、フォトリソグラフィー技術によって情報を記録する場合と違って、製造コストを大幅に増大させることがない。また、外部から複数の容量素子のいずれに絶縁破壊が発生しているかを電気的に検出することによって情報を再生することができるので、光学的に情報を再生する場合と違って、情報が記録されている領域が他の部材で覆われていても、情報を再生することができる。それ故、製造コストを大幅に増大させずにＩＤ等の情報を記録することができるとともに、情報を容易に再生することのできる電気光学装置を実現することができる。それ故、電気光学装置のトレーサビリティを向上することができる。
【０００９】
本発明では、ｎを正の整数としたとき、前記複数の容量素子において前記第１電極と前記第２電極とが絶縁状態にあるか短絡状態にあるかによってｎビットの情報が書き込まれている構成を実現することができる。
【００１０】
本発明において、前記素子基板の一方面側には、前記複数の画素の各々で前記画素電極に対応して設けられたスイッチング素子と、前記複数の画素の各々で前記画素電極に電気的に接続された蓄積容量と、前記画素領域で延在して前記スイッチング素子に電気的に接続された複数本のデータ線と、前記画素領域で前記データ線に交差する方向に延在して前記スイッチング素子に電気的に接続された複数本の走査線と、前記画素領域で延在して前記蓄積容量に電気的に接続された容量線と、が設けられ、前記蓄積容量は、前記第１電極と同一の層に形成された電極、前記誘電体層と同一の層に形成された誘電体層、および前記第２電極と同一の層に形成された電極を備えていることが好ましい。かかる構成によれば、画素を形成する工程を利用して容量素子を構成することができる。
【００１１】
本発明において、前記容量素子は、前記蓄積容量に比して絶縁破壊電圧が低いことが好ましい。かかる構成によれば、情報の記録が容易である。
【００１２】
本発明において、前記配線は、前記データ線、前記走査線および前記容量線のいずれかの線において前記素子基板の端部と前記画素領域との間で延在している部分により構成されていることが好ましい。かかる構成によれば、データ線、走査線および容量線等を形成する工程を利用して、容量素子に電気的に接続する配線を形成することができる。
【００１３】
本発明において、前記素子基板の端部と前記画素領域との間には、前記蓄積容量を備えたダミー画素が複数設けられ、前記容量素子は、前記複数のダミー画素の少なくとも一部に前記蓄積容量として構成された素子であることが好ましい。かかる構成によれば、容量素子を別途設けなくても、ダミー画素の一部や全てを利用して情報を記録することができる。
【００１４】
本発明において、電気光学装置は、例えば液晶装置として構成され、この場合、電気光学装置は、前記素子基板と該素子基板に対向する対向基板との間には液晶層が保持されている構成を有することになる。
【００１５】
本発明を適用した電気光学装置は、直視型表示装置や投射型表示装置等の各種電子機器に用いることができる。電子機器が投射型表示装置である場合、投射型表示装置は、前記電気光学装置に供給される光を出射する光源部と、前記電気光学装置によって変調された光を投射する投射光学系と、を有している。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明を適用した電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】本発明を適用した電気光学装置の液晶パネルの説明図である。
【図３】本発明を適用した電気光学装置の画素の具体的構成を示す説明図である。
【図４】本発明を適用した電気光学装置に構成したダミー画素の断面構成を示す説明図である。
【図５】本発明を適用した電気光学装置におけるＩＤ等の情報の記録方法および再生方法を示す説明図である。
【図６】本発明の別の実施の形態に係る電気光学装置全体の電気的構成を示すブロック図である。
【図７】本発明を適用した電気光学装置を用いた投射型表示装置の概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。なお、電界効果型トランジスターを流れる電流の方向が反転する場合、ソースとドレインとが入れ替わるが、以下の説明では、便宜上、画素電極が接続されている側をドレインとし、データ線が接続されている側をソースとして説明する。また、素子基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは素子基板の基板本体が位置する側とは反対側（対向基板が位置する側）を意味し、下層側とは素子基板の基板本体が位置する側を意味する。また、対向基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは対向基板の基板本体が位置する側とは反対側（素子基板が位置する側）を意味し、下層側とは対向基板の基板本体が位置する側を意味する。
【００１８】
（全体構成）
図１は、本発明を適用した電気光学装置の電気的構成を示すブロック図であり、図１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、電気光学装置全体の電気的構成を示すブロック図、画素領域内の画素の電気的構成を示すブロック図、および画素領域外に設けたダミー画素の電気的構成を示すブロック図である。
【００１９】
図１（ａ）、（ｂ）において、電気光学装置１００は、ＴＮ（Twisted Nematic）モードやＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶パネル１００ｐを備えた液晶装置であり、液晶パネル１００ｐの素子基板１０（図２等を参照）には、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画素領域１０ａ（有効画素領域／実際の画像構成に必要な領域）を備えている。液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０では、画素領域１０ａの内側で複数本のデータ線６ａ（画像信号線）および複数本の走査線３ａが縦横に延びており、それらの交差部分に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、画素トランジスターを構成するスイッチング素子としての電界効果型トランジスター３０、および画素電極９ａが形成されている。電界効果型トランジスター３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、電界効果型トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、電界効果型トランジスター３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。
【００２０】
素子基板１０において、画素領域１０ａより外周側（素子基板１０の端部と画素領域１０ａとの間の外周領域１０ｃ）には、走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回路１０１が設けられている。データ線駆動回路１０１は各データ線６ａに電気的に接続しており、画像処理回路から供給される画像信号を各データ線６ａに順次供給する。走査線駆動回路１０４は、各走査線３ａに電気的に接続しており、走査信号を各走査線３ａに順次供給する。
【００２１】
各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、後述する対向基板２０（図２等を参照）に形成された共通電極と液晶層を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に蓄積容量５５が付加されている。本形態では、蓄積容量５５を構成するために、素子基板１０には、複数の画素１００ａに跨って延在する容量線５ｂが形成されている。本形態において、容量線５ｂは、共通電位Ｖcomが印加された定電位配線６ｓに導通している。
【００２２】
図１（ａ）に示すように、素子基板１０の端部と画素領域１０ａとの間の外周領域１０ｃには、複数のダミー画素１００ｂが形成されている。図１（ａ）、（ｃ）に示すように、ダミー画素１００ｂは、画素領域１０ａ内の画素１００ａと同一の構成を有しており、複数のダミー画素１００ｂの各々には、電界効果型トランジスター３０（スイッチング素子）、およびダミー画素電極９ｂが形成されている。ダミー画素１００ｂにおいても、電界効果型トランジスター３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、電界効果型トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、電界効果型トランジスター３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。また、ダミー画素１００ｂには、画素１００ａと同様、蓄積容量５５が付加されており、ダミー画素１００ｂの蓄積容量５５にも、画素１００ａの蓄積容量５５と同様、容量線５ｂが電気的に接続されている。
【００２３】
かかる複数のダミー画素１００ｂの一部あるいは全部のダミー画素１００ｂに形成されている蓄積容量５５は、後述するように、電気光学装置１００のＩＤ等の情報を記録する容量素子５６として利用される。また、容量素子５６として利用される蓄積容量５５には、容量線５ｂが電気的に接続しているとともに、データ線６ａおよび走査線３ａが電界効果型トランジスター３０を介して電気的に接続している。このため、本形態では、容量線５ｂ、データ線６ａおよび走査線３ａのうち、素子基板１０の端部と画素領域１０ａとの間の外周領域１０ｃで延在している部分は、容量素子５６を利用して情報を記録するとともに、情報を再生する際の配線として利用されている。
【００２４】
（液晶パネル１００ｐおよび素子基板１０の具体的構成）
図２は、本発明を適用した電気光学装置１００の液晶パネル１００ｐの説明図であり、図２（ａ）、（ｂ）は各々、液晶パネル１００ｐを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【００２５】
図２に示すように、液晶パネル１００ｐでは、素子基板１０と対向基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は対向基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材１０７は、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材１０７ａが配合されている。液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０と対向基板２０との間のうち、シール材１０７によって囲まれた領域内には液晶層５０が保持されている。本形態において、シール材１０７には、液晶注入口として利用される途切れ部分１０７ｃが形成されており、かかる途切れ部分１０７ｃは、液晶材料の注入後、封止材１０８によって塞がれている。
【００２６】
かかる構成の液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０および対向基板２０はいずれも四角形であり、液晶パネル１００ｐの略中央には、図１（ａ）を参照して説明した画素領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、画素領域１０ａの外側は、四角枠状の外周領域１０ｃになっている。
【００２７】
素子基板１０において、外周領域１０ｃでは、素子基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。なお、端子１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、素子基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。
【００２８】
詳しくは後述するが、素子基板１０の一方面１０ｓおよび他方面１０ｔのうち、対向基板２０と対向する一方面１０ｓの側において、画素領域１０ａには、図１を参照して説明した電界効果型トランジスター３０、および電界効果型トランジスター３０に電気的に接続する画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極９ａの上層側には配向膜１６が形成されている。
【００２９】
また、素子基板１０の一方面１０ｓの側において、画素領域１０ａより外側の外周領域１０ｃのうち、画素領域１０ａとシール材１０７とに挟まれた四角枠状の周辺領域１０ｂには、画素電極９ａ（画素１００ａ）と同時形成されたダミー画素電極９ｂ（ダミー画素１００ｂ）が形成されている。
【００３０】
対向基板２０の一方面２０ｓおよび他方面２０ｔのうち、素子基板１０と対向する一方面２０ｓの側には共通電極２１が形成されている。共通電極２１は、対向基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素１００ａに跨って形成されている。本形態において、共通電極２１は、対向基板２０の略全面に形成されている。
【００３１】
また、対向基板２０の一方面２０ｓの側には、共通電極２１の下層側に遮光層２９が形成され、共通電極２１の表面には配向膜２６が積層されている。本形態において、遮光層２９は、画素領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁部分２９ａとして形成されている。また、本形態において、遮光層２９は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆに重なるブラックマトリクス部２９ｂとしても形成されている。ここで、額縁部分２９ａはダミー画素電極９ｂと重なる位置に形成されており、額縁部分２９ａの外周縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔てた位置にある。従って、額縁部分２９ａとシール材１０７とは重なっていない。
【００３２】
液晶パネル１００ｐにおいて、シール材１０７より外側には、対向基板２０の一方面２０ｓの側の４つの角部分に基板間導通用電極部２５ｔが形成されており、素子基板１０の一方面１０ｓの側には、対向基板２０の４つの角部分（基板間導通用電極部２５ｔ）と対向する位置に基板間導通用電極部６ｔが形成されている。基板間導通用電極部６ｔは、共通電位Ｖcomが印加された定電位配線６ｓに導通しており、定電位配線６ｓは、端子１０２のうち、共通電位印加用の端子１０２ａに導通している。基板間導通用電極部６ｔと基板間導通用電極部２５ｔとの間には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９が配置されており、対向基板２０の共通電極２１は、基板間導通用電極部６ｔ、基板間導通材１０９および基板間導通用電極部２５ｔを介して、素子基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、素子基板１０の側から共通電位Ｖcomが印加されている。シール材１０７は、略同一の幅寸法をもって対向基板２０の外周縁に沿って設けられている。このため、シール材１０７は、略四角形である。但し、シール材１０７は、対向基板２０の角部分と重なる領域では基板間導通用電極部６ｔ、２５ｔを避けて内側を通るように設けられており、シール材１０７の角部分は略円弧状である。
【００３３】
かかる構成の電気光学装置１００において、本形態では、画素電極９ａおよび共通電極２１がＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜等の透光性導電膜により形成されており、電気光学装置１００は透過型の液晶装置である。かかる透過型の電気光学装置１００では、対向基板２０の側から入射した光が素子基板１０を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。なお、画素電極９ａおよび共通電極２１のうち、例えば、共通電極２１を透光性導電膜により形成し、画素電極９ａをアルミニウム膜等の反射性導電膜により形成する場合もあり、かかる構成によれば、反射型の電気光学装置１００を構成することができる。かかる反射型の電気光学装置１００では、素子基板１０および対向基板２０のうち、対向基板２０の側から入射した光が素子基板１０で反射して出射される間に変調されて画像を表示する。
【００３４】
電気光学装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板２０あるいは素子基板１０には、カラーフィルター（図示せず）が形成される。また、電気光学装置１００では、使用する液晶層５０の種類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル１００ｐに対して所定の向きに配置される。さらに、電気光学装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各電気光学装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。
【００３５】
本形態において、電気光学装置１００が、後述する投射型表示装置においてＲＧＢ用のライトバルブとして用いられる透過型の液晶装置であって、対向基板２０から入射した光が素子基板１０を透過して出射される場合を中心に説明する。また、本形態において、電気光学装置１００は、液晶層５０として、誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を用いたＶＡモードの液晶パネル１００ｐを備えている場合を中心に説明する。
【００３６】
（画素１００ａの具体的構成）
図３は、本発明を適用した電気光学装置１００の画素１００ａの具体的構成を示す説明図であり、図３（ａ）、（ｂ）は、画素１００ａの平面図、および電気光学装置１００のＦ−Ｆ′断面図である。なお、図３（ａ）では、各層を以下の線
下層側の遮光層８ａ＝細くて長い破線
半導体層１ａ＝細くて短い点線
走査線３ａ＝太い実線
ドレイン電極４ａ＝細い実線
データ線６ａおよび中継電極６ｂ＝細い一点鎖線
容量線５ｂ＝太い一点鎖線
上層側の遮光層７ａおよび中継電極７ｂ＝細い二点鎖線
画素電極９ａ＝太い破線
で示してある。また、図３（ａ）では、互いの端部が重なり合う層については、層の形状等が分かりやすいように、端部の位置をずらしてある。
【００３７】
図３（ａ）に示すように、素子基板１０において対向基板２０と対向する一方面１０ｓには、複数の画素１００ａの各々に画素電極９ａが形成されており、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆに沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。本形態において、画素間領域１０ｆは縦横に延在しており、走査線３ａは画素間領域１０ｆのうち、Ｘ方向（第１方向）に延在する第１画素間領域１０ｇに沿って直線的に延在し、データ線６ａは、Ｙ方向（第２方向）に延在する第２画素間領域１０ｈに沿って直線的に延在している。また、データ線６ａと走査線３ａとの交差に対応して電界効果型トランジスター３０が形成されており、本形態において、電界効果型トランジスター３０は、データ線６ａと走査線３ａとの交差領域およびその付近を利用して形成されている。素子基板１０には容量線５ｂが形成されており、かかる容量線５ｂには共通電位Ｖcomが印加されている。本形態において、容量線５ｂは、走査線３ａおよびデータ線６ａに重なるように延在して格子状に形成されている。電界効果型トランジスター３０の上層側には遮光層７ａが形成されており、かかる遮光層７ａは、データ線６ａに重なるように延在している。電界効果型トランジスター３０の下層側には遮光層８ａが形成されており、かかる遮光層８ａは、走査線３ａと重なるように直線的に延びた主線部分と、データ線６ａと走査線３ａとの交差部分でデータ線６ａに重なるように延びた副線部分とを備えている。
【００３８】
図３（ｂ）に示すように、素子基板１０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体１０ｗの液晶層５０側の基板面（対向基板２０と対向する一方面１０ｓ側）に形成された画素電極９ａ、画素スイッチング用の電界効果型トランジスター３０、および配向膜１６を主体として構成されている。対向基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ、その液晶層５０側の表面（素子基板１０と対向する一方面２０ｓ）に形成された遮光層２９、共通電極２１、および配向膜２６を主体として構成されている。
【００３９】
素子基板１０において、基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側には、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる下層側の遮光層８ａが形成されている。本形態において、遮光層８ａは、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）等の遮光膜からなり、電気光学装置１００を透過した後の光が他の部材で反射した際、かかる反射光が半導体層１ａに入射して電界効果型トランジスター３０で光電流に起因する誤動作が発生することを防止する。なお、遮光層８ａを走査線として構成する場合もあり、この場合、後述するゲート電極３ｃと遮光層８ａを導通させた構成とする。
【００４０】
基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側において、遮光層８ａの上層側には、透光性の絶縁膜１２が形成されており、かかる絶縁膜１２の表面側に、半導体層１ａを備えた電界効果型トランジスター３０が形成されている。本形態において、絶縁膜１２は、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ （ボロンリンシリケートガラス）等のシリコン酸化膜（シリケートガラスも含む。）や、シリコン窒化膜からなる。かかる絶縁膜１２は、シランガス（ＳｉＨ4）、２塩化シラン（ＳｉＣｌ2Ｈ2）、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン／テトラ・エチル・オルソ・シリケート／Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4）、ＴＥＢ（テトラ・エチル・ボートレート）、ＴＭＯＰ（テトラ・メチル・オキシ・フォスレート）等を用いた常圧ＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、あるいはプラズマＣＶＤ法等により形成される。
【００４１】
電界効果型トランジスター３０は、データ線６ａの延在方向に長辺方向を向けた半導体層１ａと、半導体層１ａの長さ方向と直交する方向に延在して半導体層１ａの長さ方向の中央部分に重なるゲート電極３ｃとを備えており、本形態において、ゲート電極３ｃは走査線３ａの一部からなる。電界効果型トランジスター３０は、半導体層１ａとゲート電極３ｃとの間に透光性のゲート絶縁層２を有している。半導体層１ａは、ゲート電極３ｃに対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ｇを備えているとともに、チャネル領域１ｇの両側にソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃを備えている。本形態において、電界効果型トランジスター３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有している。従って、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃは各々、チャネル領域１ｇの両側に低濃度領域を備え、低濃度領域に対してチャネル領域１ｇとは反対側で隣接する領域に高濃度領域を備えている。
【００４２】
半導体層１ａは、ポリシリコン膜（多結晶シリコン膜）等によって構成されている。ゲート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化したシリコン酸化膜からなる第１ゲート絶縁層２ａと、温度が７００〜９００℃の高温条件での減圧ＣＶＤ法により形成されたシリコン酸化膜からなる第２ゲート絶縁層２ｂとの２層構造からなる。ゲート電極３ｃおよび走査線３ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、ゲート電極３ｃは、導電性のポリシリコン膜とタングステンシリサイド膜との２層構造を有している。
【００４３】
ゲート電極３ｃの上層側には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４１が形成され、層間絶縁膜４１の上層には、ドレイン電極４ａが形成されている。本形態において、層間絶縁膜４１は、シリコン酸化膜からなる。ドレイン電極４ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、ドレイン電極４ａはチタン窒化膜からなる。ドレイン電極４ａは、半導体層１ａのドレイン領域１ｃ（画素電極側ソースドレイン領域）と一部が重なるように形成されており、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４１ａを介してドレイン領域１ｃに導通している。
【００４４】
ドレイン電極４ａの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の絶縁膜４９、および透光性の誘電体層４０が形成されており、かかる誘電体層４０の上層側には容量線５ｂが形成されている。誘電体層４０としては、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等のシリコン化合物を用いることができる他、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率の誘電体層を用いることができる。容量線５ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、容量線５ｂは、チタン窒化膜、アルミニウム膜、およびチタン窒化膜との３層構造を有している。ここで、容量線５ｂは、誘電体層４０を介してドレイン電極４ａと重なっており、蓄積容量５５を構成している。
【００４５】
容量線５ｂの上層側には層間絶縁膜４２が形成されており、かかる層間絶縁膜４２の上層側には、データ線６ａと中継電極６ｂとが同一の導電膜により形成されている。層間絶縁膜４２はシリコン酸化膜からなる。データ線６ａと中継電極６ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、データ線６ａおよび中継電極６ｂは、アルミニウム合金膜や、チタン窒化膜とアルミニウム膜との２層乃至４層の積層膜からなる。データ線６ａは、層間絶縁膜４２、絶縁膜４９、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４２ａを介してソース領域１ｂ（データ線側ソースドレイン領域）に導通している。中継電極６ｂは、層間絶縁膜４２および絶縁膜４９を貫通するコンタクトホール４２ｂを介してドレイン電極４ａに導通している。
【００４６】
データ線６ａおよび中継電極６ｂの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４４が形成されており、かかる層間絶縁膜４４の上層側には、遮光層７ａおよび中継電極７ｂが同一の導電膜によって形成されている。層間絶縁膜４４は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法や、シランガスと亜酸化窒素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜からなり、その表面は平坦化されている。遮光層７ａおよび中継電極７ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、遮光層７ａおよび中継電極７ｂは、アルミニウム合金膜や、チタン窒化膜とアルミニウム膜との２層乃至４層の積層膜からなる。中継電極７ｂは、層間絶縁膜４４を貫通するコンタクトホール４４ａを介して中継電極６ｂに導通している。遮光層７ａは、データ線６ａと重なるように延在しており、遮光層として機能している。なお、遮光層７ａを容量線５ｂと導通させて、シールド層として利用してもよい。
【００４７】
遮光層７ａおよび中継電極７ｂの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４５が形成されており、かかる層間絶縁膜４５の上層側には、ＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる画素電極９ａが形成されている。本形態において、画素電極９ａは、ＩＴＯ膜からなる。層間絶縁膜４５は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法や、シランガスと亜酸化窒素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜からなり、表面は平坦化されている。
【００４８】
画素電極９ａは、中継電極７ｂと部分的に重なっており、層間絶縁膜４５を貫通するコンタクトホール４５ａを介して中継電極７ｂに導通している。その結果、画素電極９ａは、中継電極７ｂ、中継電極６ｂおよびドレイン電極４ａを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続している。
【００４９】
画素電極９ａの表面には、ポリイミド膜や無機配向膜等の配向膜１６が形成されている。本形態において、配向膜１６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜）からなる。
【００５０】
（対向基板２０の構成）
対向基板２０では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ（透光性基板）の液晶層５０側の表面（素子基板１０に対向する一方面２０ｓ）には、遮光層２９、シリコン酸化膜等からなる絶縁膜２８、およびＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる共通電極２１が形成されており、かかる共通電極２１を覆うように、ポリイミド膜や無機配向膜等の配向膜２６が形成されている。本形態において、共通電極２１はＩＴＯ膜からなる。また、配向膜２６は、配向膜１６と同様、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜）である。かかる配向膜１６、２６は、液晶層５０に用いた誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を傾斜垂直配向させ、液晶パネル１００ｐは、ノーマリブラックのＶＡモードとして動作する。
【００５１】
なお、図１および図２を参照して説明したデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４には、ｎチャネル型の駆動用トランジスターとｐチャネル型の駆動用トランジスターとを備えた相補型トランジスター回路等が構成されている。ここで、駆動用トランジスターは、電界効果型トランジスター３０の製造工程の一部を利用して形成されたものである。このため、素子基板１０においてデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４が形成されている領域も、図３（ｂ）に示す断面構成と略同様な断面構成を有している。
【００５２】
（ダミー画素１００ｂの具体的構成）
図４は、本発明を適用した電気光学装置１００に構成したダミー画素１００ｂの断面構成を示す説明図であり、図４（ａ）、（ｂ）は、ダミー画素１００ｂのうち、容量素子５６に２進数表現の情報として「０」が記録されている第１容量素子の説明図、および容量素子５６に２進数表現の情報として「１」が記録されている第２容量素子の説明図である。
【００５３】
図４（ｂ）と図３（ｂ）とを比較すれば分かるように、ダミー画素１００ｂは、画素領域１０ａ内の画素１００ａと同一構成を有している。ここで、ダミー画素１００ｂのうち、情報の記録に用いられるダミー画素１００ｂでは、蓄積容量５５が情報記録用の容量素子５６として利用されている。かかる容量素子５６においては、ドレイン電極４ａによって情報記録用の第１電極５６１が構成され、容量線５ｂによって情報記録用の第２電極５６２が構成されており、第１電極５６１と第２電極５６２とは誘電体層４０を挟んで積層されている。
【００５４】
なお、ダミー画素１００ｂでは、画素電極９ａに代えて、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。本形態では、ダミー画素電極９ｂについては、電界効果型トランジスター３０と電気的に接続されている構成が採用されているが、電界効果型トランジスター３０と電気的に接続されずにダミー画素電極９ｂ同士が連結部分で繋がっている構成を採用してよい。また、ダミー画素電極９ｂについては、共通電位Ｖcomが印加されて画素領域１０ａの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止する構成が採用される他、ダミー画素電極９ｂを電位的にフロート状態とする場合もある。
【００５５】
（情報の記録）
図５は、本発明を適用した電気光学装置１００におけるＩＤ等の情報の記録方法および再生方法を示す説明図であり、図５（ａ）、（ｂ）は、情報の記録時に各配線に印加される信号等の説明図、および情報の再生時に各配線に印加される信号等の説明図である。
【００５６】
本形態の電気光学装置１００では、素子基板１０の外周領域１０ｃに複数の容量素子５６を形成しておき、素子基板１０を製造した後、あるいは電気光学装置１００を製造した後、ｎ個の容量素子５６のうち、所定の容量素子５６を絶縁破壊させ、容量素子５６が絶縁状態にあるか、絶縁破壊により短絡状態にあるかによって、ＩＤ等をｎビットの情報として記録する。また、いずれの容量素子５６が絶縁状態にあって、いずれの容量素子５６が絶縁破壊により短絡状態にあるかを検出して情報を再生する。
【００５７】
そこで、図５等を参照して電気光学装置１００における情報の記録方法および再生方法を説明する。なお、以下の説明では、図１（ｂ）に示すダミー画素１００ｂのうち、６つのダミー画素１００ｂ11、１００ｂ12、１００ｂ21、１００ｂ22、１００ｂ31、１００ｂ32の容量素子５６を利用して情報の記録および再生を行う場合を説明する。
【００５８】
本形態では、まず、ダミー画素１００ｂの容量素子５６においても全て、図４に示す第１電極５６１と第２電極５６２とが誘電体層４０によって絶縁状態となるように素子基板１０を製造する。この時点では、いずれのダミー画素１００ｂの容量素子５６も、図４（ａ）に示すように、第１電極５６１と第２電極５６２とが誘電体層４０によって絶縁状態となっている第１容量素子５６ａである。
【００５９】
そして、端子１０２、１０２ａにプローブ等を接触させて、図５（ａ）に示すように、データ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４に信号を供給し、ダミー画素１００ｂ11、１００ｂ12、１００ｂ21、１００ｂ22、１００ｂ31、１００ｂ32の容量素子５６に電気的に接続するデータ線６ａ、走査線３ａおよび容量線５ｂを利用してＩＤ等の情報を記録する。
【００６０】
より具体的には、走査線駆動回路１０４から、ダミー画素１００ｂ11、１００ｂ12の容量素子５６に電気的に接続する走査線３ａ1、ダミー画素１００ｂ21、１００ｂ22の容量素子５６に電気的に接続する走査線３ａ2、およびダミー画素１００ｂ31、１００ｂ32の容量素子５６に電気的に接続する走査線３ａ3に対して順次、走査信号を供給し、ダミー画素１００ｂの電界効果型トランジスター３０をオフ状態からオン状態に順次切り換える。その間、容量線５ｂには、端子１０２ａおよび定電位配線６ｓを介して一定の電位（例えば、０Ｖ）を印加する。一方、所定のダミー画素１００ｂの電界効果型トランジスター３０がオフ状態からオン状態に切り替わるタイミングに合わせて、データ線駆動回路１０１から、ダミー画素１００ｂ11、１００ｂ21、１００ｂ31の容量素子５６に電気的に接続するデータ線６ａ1、およびダミー画素１００ｂ12、１００ｂ22、１００ｂ32の容量素子５６に電気的に接続するデータ線６ａ2に対して容量素子５６が絶縁破壊する電圧を供給する。
【００６１】
例えば、図５（ａ）に示すように、ダミー画素１００ｂ12の電界効果型トランジスター３０がオフ状態からオン状態に切り替わるタイミング（時間ｔ11から時間ｔ12の間）に合わせて、データ線駆動回路１０１からデータ線６ａ2に対して容量素子５６が絶縁破壊する電圧を供給する。また、ダミー画素１００ｂ21の電界効果型トランジスター３０がオフ状態からオン状態に切り替わるタイミング（時間ｔ12から時間ｔ13の間）に合わせて、データ線駆動回路１０１からデータ線６ａ1に対して容量素子５６が絶縁破壊する電圧を供給する。その他の期間では、データ線駆動回路１０１からデータ線６ａ1、６ａ2、６ａ3に対して印加される電圧は例えば０Ｖである。
【００６２】
その結果、ダミー画素１００ｂ12、１００ｂ21以外のダミー画素１００ｂ11、１００ｂ22、１００ｂ31、１００ｂ32に形成されている容量素子５６は、図４（ａ）に示すように、誘電体層４０により第１電極５６１と第２電極５６２とが絶縁状態にある第１容量素子５６ａのままである。
【００６３】
これに対して、ダミー画素１００ｂ12、１００ｂ21に形成されている容量素子５６は、図４（ｂ）において誘電体層４０に「×」を付して示すように、誘電体層４０が絶縁破壊されて、第１電極５６１と第２電極５６２とが導通状態にある第２容量素子５６ｂとなる。それ故、電気光学装置１００に情報を記録した以降、素子基板１０には第１容量素子５６ａと第２容量素子５６ｂとが存在することになる。
【００６４】
ここで、第１電極５６１と第２電極５６２とが絶縁状態にある第１容量素子５６ａは、２進数表現の情報として「０」に対応し、第１電極５６１と第２電極５６２とが短絡状態にある第２容量素子５６ｂは、２進数表現の情報として「１」に対応する。それ故、ダミー画素１００ｂ11、１００ｂ12、１００ｂ21、１００ｂ22、１００ｂ31、１００ｂ32をこの順にｎビットの情報の上位から下位に対応させると、ｎビットの情報「０１１０００」が記録されたことになる。このような情報の記録の際、情報の記録を行うダミー画素１００ｂを増やせば、情報のビット数を増やすことができるので、電気光学装置１００のＩＤ情報を記録することができる。
【００６５】
（情報の再生）
次に、電気光学装置１００に記録した情報を再生するには、端子１０２、１０２ａにプローブ等を接触させて、図５（ｂ）に示すように、データ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４に信号を供給する一方、容量線５ｂ、定電位配線６ｓおよび端子１０２ａを介して信号を検出し、情報を再生する。
【００６６】
より具体的には、走査線駆動回路１０４から、ダミー画素１００ｂ11、１００ｂ12の容量素子５６に電気的に接続する走査線３ａ1、ダミー画素１００ｂ21、１００ｂ22の容量素子５６に電気的に接続する走査線３ａ2、およびダミー画素１００ｂ31、１００ｂ32の容量素子５６に電気的に接続する走査線３ａ3に対して順次、走査信号を供給し、ダミー画素１００ｂの電界効果型トランジスター３０をオフ状態からオン状態に順次切り換える。一方、ダミー画素１００ｂの電界効果型トランジスター３０がオフ状態からオン状態に切り替わるタイミングに合わせて、データ線駆動回路１０１から、ダミー画素１００ｂ11、１００ｂ21、１００ｂ31の容量素子５６に電気的に接続するデータ線６ａ1、およびダミー画素１００ｂ12、１００ｂ22、１００ｂ32の容量素子５６に電気的に接続するデータ線６ａ2に対して検出用の電圧を供給する。
【００６７】
その間、定電位配線６ｓおよび端子１０２ａを介して容量線５ｂの電位を監視する。その結果、ダミー画素１００ｂのうち、容量素子５６が第１容量素子５６ａになっているダミー画素１００ｂに検出用の電圧が印加されても、容量線５ｂの電位は低レベルである。これに対して、容量素子５６が第２容量素子５６ｂになっているダミー画素１００ｂに検出用の電圧が印加されると、誘電体層４０が絶縁破壊されているので、データ線６ａを介して供給された信号が容量素子５６から出力され、容量線５ｂの電位（端子１０２ａの電位）は高レベルとなる。本形態では、図１（ｃ）および図４（ｂ）に「×」を付したように、ダミー画素１００ｂ12、１００ｂ21に形成されている容量素子５６が第２容量素子５６ｂになっているので、ダミー画素１００ｂ12の容量素子５６に検出用の電圧が印加されるタイミング（時間ｔ21から時間ｔ22の間）に合わせて、容量線５ｂの電位は高レベルとなる。また、ダミー画素１００ｂ21の容量素子５６に検出用の電圧が印加されるタイミング（時間ｔ22から時間ｔ23の間）に合わせて、容量線５ｂの電位は高レベルとなる。それ故、容量線５ｂの電位の変化を時系列的にｎビットの情報の上位から下位に対応させると、ｎビットの情報「０１１０００」が再生されることになる。
【００６８】
なお、電気光学装置１００で画像を表示する場合は、データ線６ａのうち、画素領域１０ａの画素１００ａに設けられているデータ線６ａのみに画像信号を供給することになる。
【００６９】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の電気光学装置１００では、素子基板１０に複数の容量素子５６を形成しておき、外部からいずれの容量素子５６に高い電圧を印加するかを決定するだけで電気光学装置１００の一つ一つに情報を記録することができる。従って、フォトリソグラフィー技術によって素子基板に情報を記録する場合と違って、製造コストを大幅に増大させることがない。また、外部から複数の容量素子５６のいずれに絶縁破壊が発生しているかを電気的に検出することによって情報を再生することができるので、光学的に情報を再生する場合と違って、情報が記録されている領域が他の部材で覆われていても、情報を再生することができる。それ故、製造コストを大幅に増大させずにＩＤ等の情報を記録することができるとともに、情報を容易に再生することのできる電気光学装置１００を実現することができる。
【００７０】
また、本形態ではｎ個の容量素子５６を利用すれば、ｎビットの情報を記録することができるので、電気光学装置１００のＩＤ等を十分に記録することができる。
【００７１】
また、本形態では、蓄積容量５５と容量素子５６とは、同一の層構成であるので、画素１００ａを形成する工程を利用して容量素子５６を構成することができる。また、データ線６ａ、走査線３ａおよび容量線５ｂのうち、外周領域１０ｃで延在している部分により、容量素子５６に電気的に接続する配線を構成したので、データ線６ａ、走査線３ａおよび容量線５ｂを形成する工程を利用して、容量素子５６に電気的に接続する配線を形成することができる。
【００７２】
しかも、容量素子５６は、ダミー画素１００ｂに蓄積容量５５として構成された素子であるので、容量素子５６を別途設けなくても、情報を記録することができる。
【００７３】
［改良例］
上記実施の形態では、容量素子５６（ダミー画素１００ｂの蓄積容量５５）と、画素領域１０ａの画素１００ａに設けた蓄積容量５５において誘電体層４０が共通であったが、容量素子５６の誘電体層４０については、画素１００ａの蓄積容量５５に用いた誘電体層４０よりも膜厚を薄くする等の構成を採用すれば、容量素子５６の絶縁破壊電圧を画素１００ａの蓄積容量５５の絶縁破壊電圧より低くすることができる。かかる構成によれば、情報の記録が容易であるという利点がある。
【００７４】
［別の実施の形態］
図６は、本発明の別の実施の形態に係る電気光学装置全体の電気的構成を示すブロック図である。上記実施の形態では、ダミー画素１００ｂに電気的に接続されたデータ線６ａについてもデータ線駆動回路１０１によって駆動したが、図６に示すように、ダミー画素１００ｂに電気的に接続されたデータ線６ａについては端子１０２に直接、導通させ、外部から直接、ダミー画素１００ｂに信号を供給するように構成してもよい。
【００７５】
［さらに別の実施の形態］
上記実施の形態では、ダミー画素１００ｂの蓄積容量５５を容量素子５６として利用したが、画素１００ａに設けた蓄積容量５５とは異なる構造の容量素子５６を利用して情報を記録してもよい。例えば、互いに異なる層に第１配線と第２配線とを交差するように複数本ずつ延在させ、かかる第１配線と第２配線との間に誘電体層を設けて複数の容量素子５６を構成してもよい。また、上記実施の形態では、情報再生の際、容量素子５６に通電して短絡状態にあるか絶縁状態にあるかを検出したが、容量素子５６に通電して充電し、その充電された電荷を検出して容量素子５６が短絡状態にあるか絶縁状態にあるかを検出してもよい。
【００７６】
［他の電気光学装置への適用例］
上記実施の形態では、電気光学装置１００として液晶装置を例示したが、電気光学装置１００が有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマ表示装置等である場合に本発明を適用してもよい。
【００７７】
［電子機器への搭載例］
上述した実施形態に係る電気光学装置１００を適用した電子機器について説明する。図７は、本発明を適用した電気光学装置１００を用いた投射型表示装置の概略構成図であり、図７（ａ）、（ｂ）は各々、透過型の電気光学装置１００を用いた投射型表示装置の説明図、および反射型の電気光学装置１００を用いた投射型表示装置の説明図である。
【００７８】
（投射型表示装置の第１例）
図７（ａ）に示す投射型表示装置１１０は、観察者側に設けられたスクリーン１１１に光を照射し、このスクリーン１１１で反射した光を観察する、いわゆる投影型の投射型表示装置である。投射型表示装置１１０は、光源１１２を備えた光源部１３０と、ダイクロイックミラー１１３、１１４と、液晶ライトバルブ１１５〜１１７（電気光学装置１００）と、投射光学系１１８と、クロスダイクロイックプリズム１１９と、リレー系１２０とを備えている。
【００７９】
光源１１２は、赤色光、緑色光及び青色光を含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー１１３は、光源１１２からの赤色光を透過させると共に緑色光及び青色光を反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー１１４は、ダイクロイックミラー１１３で反射された緑色光及び青色光のうち青色光を透過させると共に緑色光を反射する構成となっている。このように、ダイクロイックミラー１１３、１１４は、光源１１２から出射した光を赤色光と緑色光と青色光とに分離する色分離光学系を構成する。
【００８０】
ここで、ダイクロイックミラー１１３と光源１１２との間には、インテグレーター１２１及び偏光変換素子１２２が光源１１２から順に配置されている。インテグレーター１２１は、光源１１２から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、偏光変換素子１２２は、光源１１２からの光を例えばｓ偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする構成となっている。
【００８１】
液晶ライトバルブ１１５は、ダイクロイックミラー１１３を透過して反射ミラー１２３で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の電気光学装置１００である。液晶ライトバルブ１１５は、λ／２位相差板１１５ａ、第１偏光板１１５ｂ、液晶パネル１１５ｃ及び第２偏光板１１５ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１５に入射する赤色光は、ダイクロイックミラー１１３を透過しても光の偏光は変化しないことから、ｓ偏光のままである。
【００８２】
λ／２位相差板１１５ａは、液晶ライトバルブ１１５に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１５ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル１１５ｃは、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１５ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１５は、画像信号に応じて赤色光を変調し、変調した赤色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。
【００８３】
なお、λ／２位相差板１１５ａ及び第１偏光板１１５ｂは、偏光を変換させない透光性のガラス板１１５ｅに接した状態で配置されており、λ／２位相差板１１５ａ及び第１偏光板１１５ｂが発熱によって歪むのを回避することができる。
【００８４】
液晶ライトバルブ１１６は、ダイクロイックミラー１１３で反射した後にダイクロイックミラー１１４で反射した緑色光を画像信号に応じて変調する透過型の電気光学装置１００である。そして、液晶ライトバルブ１１６は、液晶ライトバルブ１１５と同様に、第１偏光板１１６ｂ、液晶パネル１１６ｃ及び第２偏光板１１６ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１６に入射する緑色光は、ダイクロイックミラー１１３、１１４で反射されて入射するｓ偏光である。第１偏光板１１６ｂは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。また、液晶パネル１１６ｃは、ｓ偏光を画像信号に応じた変調によってｐ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。そして、第２偏光板１１６ｄは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１６は、画像信号に応じて緑色光を変調し、変調した緑色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。
【００８５】
液晶ライトバルブ１１７は、ダイクロイックミラー１１３で反射し、ダイクロイックミラー１１４を透過した後でリレー系１２０を経た青色光を画像信号に応じて変調する透過型の電気光学装置１００である。そして、液晶ライトバルブ１１７は、液晶ライトバルブ１１５、１１６と同様に、λ／２位相差板１１７ａ、第１偏光板１１７ｂ、液晶パネル１１７ｃ及び第２偏光板１１７ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１７に入射する青色光は、ダイクロイックミラー１１３で反射してダイクロイックミラー１１４を透過した後にリレー系１２０の後述する２つの反射ミラー１２５ａ、１２５ｂで反射することから、ｓ偏光となっている。
【００８６】
λ／２位相差板１１７ａは、液晶ライトバルブ１１７に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１７ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル１１７ｃは、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１７ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１７は、画像信号に応じて青色光を変調し、変調した青色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。なお、λ／２位相差板１１７ａ及び第１偏光板１１７ｂは、ガラス板１１７ｅに接した状態で配置されている。
【００８７】
リレー系１２０は、リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂと反射ミラー１２５ａ、１２５ｂとを備えている。リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂは、青色光の光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ１２４ａは、ダイクロイックミラー１１４と反射ミラー１２５ａとの間に配置されている。また、リレーレンズ１２４ｂは、反射ミラー１２５ａ、１２５ｂの間に配置されている。反射ミラー１２５ａは、ダイクロイックミラー１１４を透過してリレーレンズ１２４ａから出射した青色光をリレーレンズ１２４ｂに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー１２５ｂは、リレーレンズ１２４ｂから出射した青色光を液晶ライトバルブ１１７に向けて反射するように配置されている。
【００８８】
クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂをＸ字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光を反射して緑色光を透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光を反射して緑色光を透過する膜である。したがって、クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライトバルブ１１５〜１１７のそれぞれで変調された赤色光と緑色光と青色光とを合成し、投射光学系１１８に向けて出射するように構成されている。
【００８９】
なお、液晶ライトバルブ１１５、１１７からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｓ偏光であり、液晶ライトバルブ１１６からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｐ偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム１１９において各液晶ライトバルブ１１５〜１１７から入射する光を合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂはｓ偏光の反射トランジスター特性に優れている。このため、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂで反射される赤色光及び青色光をｓ偏光とし、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂを透過する緑色光をｐ偏光としている。投射光学系１１８は、投影レンズ（図示略）を有しており、クロスダイクロイックプリズム１１９で合成された光をスクリーン１１１に投射するように構成されている。
【００９０】
（投射型表示装置の第２例）
図７（ｂ）に示す投射型表示装置１０００は、光源光を発生する光源部１０２１と、光源部１０２１から出射された光源光を赤、緑、青の３色に分離する色分離導光光学系１０２３と、色分離導光光学系１０２３から出射された各色の光源光によって照明される光変調部１０２５とを有している。また、投射型表示装置１０００は、光変調部１０２５から出射された各色の像光を合成するクロスダイクロイックプリズム１０２７（合成光学系）と、クロスダイクロイックプリズム１０２７を経た像光をスクリーン（不図示）に投射するための投射光学系である投射光学系１０２９とを備えている。
【００９１】
かかる投射型表示装置１０００において、光源部１０２１は、光源１０２１ａと、一対のフライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅと、偏光変換部材１０２１ｇと、重畳レンズ１０２１ｉとを備えている。本形態においては、光源部１０２１は、放物面からなるリフレクタ１０２１ｆを備えており、平行光を出射する。フライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅは、システム光軸と直交する面内にマトリクス状に配置された複数の要素レンズからなり、これらの要素レンズによって光源光を分割して個別に集光・発散させる。偏光変換部材１０２１ｇは、フライアイ光学系１０２１ｅから出射した光源光を、例えば図面に平行なｐ偏光成分のみに変換して光路下流側光学系に供給する。重畳レンズ１０２１ｉは、偏光変換部材１０２１ｇを経た光源光を全体として適宜収束させることにより、光変調部１０２５に設けた複数の電気光学装置１００を各々均一に重畳照明可能とする。
【００９２】
色分離導光光学系１０２３は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａと、ダイクロイックミラー１０２３ｂと、反射ミラー１０２３ｊ、１０２３ｋとを備える。色分離導光光学系１０２３において、光源部１０２１からの略白色の光源光は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａに入射する。クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する一方の第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された赤色（Ｒ）の光は、反射ミラー１０２３ｊで反射されダイクロイックミラー１０２３ｂを透過して、入射側偏光板１０３７ｒ、ｐ偏光を透過させ、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、および光学補償板１０３９ｒを介して、ｐ偏光のまま、赤色（Ｒ）用の電気光学装置１００に入射する。
【００９３】
また、第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された緑色（Ｇ）の光は、反射ミラー１０２３ｊで反射され、その後、ダイクロイックミラー１０２３ｂでも反射されて、入射側偏光板１０３７ｇ、ｐ偏光を透過させ、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｇ、および光学補償板１０３９ｇを介して、ｐ偏光のまま、緑色（Ｇ）用の電気光学装置１００に入射する。
【００９４】
これに対して、クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する他方の第２ダイクロイックミラー１０３１ｂで反射された青色（Ｂ）の光は、反射ミラー１０２３ｋで反射されて、入射側偏光板１０３７ｂ、ｐ偏光を透過する一方でｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｂ、および光学補償板１０３９ｂを介して、ｐ偏光のまま、青色（Ｂ）用の電気光学装置１００に入射する。なお、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂは、電気光学装置１００への入射光および出射光の偏光状態を調整することで、液晶層の特性を光学的に補償している。
【００９５】
このように構成した投射型表示装置１０００では、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂを経て入射した３色の光は各々、各電気光学装置１００において変調される。その際、電気光学装置１００から出射された変調光のうち、ｓ偏光の成分光は、ワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、１０３２ｇ、１０３２ｂで反射し、出射側偏光板１０３８ｒ、１０３８ｇ、１０３８ｂを介してクロスダイクロイックプリズム１０２７に入射する。クロスダイクロイックプリズム１０２７には、Ｘ字状に交差する第１誘電体多層膜１０２７ａおよび第２誘電体多層膜１０２７ｂが形成されており、一方の第１誘電体多層膜１０２７ａはＲ光を反射し、他方の第２誘電体多層膜１０２７ｂはＢ光を反射する。従って、３色の光は、クロスダイクロイックプリズム１０２７において合成され、投射光学系１０２９に出射される。そして、投射光学系１０２９は、クロスダイクロイックプリズム１０２７で合成されたカラーの像光を、所望の倍率でスクリーン（図示せず。）に投射する。
【００９６】
（他の投射型表示装置）
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。
【００９７】
（他の電子機器）
本発明を適用した電気光学装置１００については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。
【符号の説明】
【００９８】
３ａ・・走査線（配線）、４ａ・・ドレイン電極（第１電極）、５ｂ・・容量線（第２電極、配線）、６ａ・・データ線（配線）、９ａ・・画素電極、９ｂ・・ダミー画素電極、１０・・素子基板、１０ａ・・画素領域、１０ｃ・・外周領域、４０・・誘電体層、５５・・蓄積容量、５６・・容量素子、５６ａ・・第１容量素子、５６ｂ・・第２容量素子、１００・・電気光学装置、１００ａ・・画素、１００ｂ・・ダミー画素
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＤ（個体識別のための符号（Identification））等の情報の記録および再生が可能な電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置や有機エレクトロルミネッセンス装置等の電気光学装置では、画素電極やスイッチング素子を備えた画素が構成されており、かかる画素が複数配列されることにより、画素領域が構成されている。ここで、画素電極やスイッチング素子は、素子基板の一方面側に半導体プロセス等を利用した複数の工程により形成されることから、工程履歴や素子基板に用いた基板のロット等の情報を追跡できるようにしておけば、不具合が発生したときの原因を解析するのに都合がよい。
【０００３】
そこで、液晶装置に形成した金属膜の抜き部分を利用して文字情報を記録する技術が提案されており、かかる技術によれば、電気光学装置のＩＤ等を文字情報として記録し、光学的に再生することができる（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２４３００７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の構成では、フォトリソグラフィー技術を利用するため、ＩＤ等を記録するには、多数の露光マスクを準備しておく必要があり、製造コストが増大する。また、特許文献１に記載の構成では、情報が記録されている個所が他の部材で覆われていると、情報を光学的に再生することが困難であるという問題点もある。
【０００６】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、製造コストを大幅に増大させずに情報を記録することができるとともに、情報を容易に再生することのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置は、画素電極を備えた画素が素子基板の一方面側に複数配列された画素領域と、前記素子基板の一方面側で前記素子基板の端部と前記画素領域との間に設けられ、第１電極および該第１電極に誘電体層を介して積層された第２電極を備えた複数の容量素子と、前記素子基板の一方面側で前記複数の容量素子に電気的に接続された配線と、を有し、前記複数の容量素子には、前記誘電体層により前記第１電極と前記第２電極とが絶縁状態にある第１容量素子と、前記誘電体層の絶縁破壊により前記第１電極と前記第２電極とが短絡状態にある第２容量素子と、が含まれていることを特徴とする。
【０００８】
本発明においては、素子基板の端部と画素領域との間に複数の容量素子が構成されており、かかる複数の容量素子には配線が電気的に接続されている。このため、配線を介して複数の容量素子に電圧を印加する際に、一部の容量素子に絶縁耐圧を超える電圧を印加して絶縁破壊させれば、複数の容量素子のいずれが絶縁破壊されているかによって情報を記録することができる。また、配線を介して複数の容量素子のいずれが絶縁破壊されているかを検出すれば、情報を再生することができる。従って、本発明によれば、電気光学装置に複数の容量素子を形成しておき、外部からいずれの容量素子に高い電圧を印加するかを決定するだけで情報を記録することができるので、フォトリソグラフィー技術によって情報を記録する場合と違って、製造コストを大幅に増大させることがない。また、外部から複数の容量素子のいずれに絶縁破壊が発生しているかを電気的に検出することによって情報を再生することができるので、光学的に情報を再生する場合と違って、情報が記録されている領域が他の部材で覆われていても、情報を再生することができる。それ故、製造コストを大幅に増大させずにＩＤ等の情報を記録することができるとともに、情報を容易に再生することのできる電気光学装置を実現することができる。それ故、電気光学装置のトレーサビリティを向上することができる。
【０００９】
本発明では、ｎを正の整数としたとき、前記複数の容量素子において前記第１電極と前記第２電極とが絶縁状態にあるか短絡状態にあるかによってｎビットの情報が書き込まれている構成を実現することができる。
【００１０】
本発明において、前記素子基板の一方面側には、前記複数の画素の各々で前記画素電極に対応して設けられたスイッチング素子と、前記複数の画素の各々で前記画素電極に電気的に接続された蓄積容量と、前記画素領域で延在して前記スイッチング素子に電気的に接続された複数本のデータ線と、前記画素領域で前記データ線に交差する方向に延在して前記スイッチング素子に電気的に接続された複数本の走査線と、前記画素領域で延在して前記蓄積容量に電気的に接続された容量線と、が設けられ、前記蓄積容量は、前記第１電極と同一の層に形成された電極、前記誘電体層と同一の層に形成された誘電体層、および前記第２電極と同一の層に形成された電極を備えていることが好ましい。かかる構成によれば、画素を形成する工程を利用して容量素子を構成することができる。
【００１１】
本発明において、前記容量素子は、前記蓄積容量に比して絶縁破壊電圧が低いことが好ましい。かかる構成によれば、情報の記録が容易である。
【００１２】
本発明において、前記配線は、前記データ線、前記走査線および前記容量線のいずれかの線において前記素子基板の端部と前記画素領域との間で延在している部分により構成されていることが好ましい。かかる構成によれば、データ線、走査線および容量線等を形成する工程を利用して、容量素子に電気的に接続する配線を形成することができる。
【００１３】
本発明において、前記素子基板の端部と前記画素領域との間には、前記蓄積容量を備えたダミー画素が複数設けられ、前記容量素子は、前記複数のダミー画素の少なくとも一部に前記蓄積容量として構成された素子であることが好ましい。かかる構成によれば、容量素子を別途設けなくても、ダミー画素の一部や全てを利用して情報を記録することができる。
【００１４】
本発明において、電気光学装置は、例えば液晶装置として構成され、この場合、電気光学装置は、前記素子基板と該素子基板に対向する対向基板との間には液晶層が保持されている構成を有することになる。
【００１５】
本発明を適用した電気光学装置は、直視型表示装置や投射型表示装置等の各種電子機器に用いることができる。電子機器が投射型表示装置である場合、投射型表示装置は、前記電気光学装置に供給される光を出射する光源部と、前記電気光学装置によって変調された光を投射する投射光学系と、を有している。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明を適用した電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】本発明を適用した電気光学装置の液晶パネルの説明図である。
【図３】本発明を適用した電気光学装置の画素の具体的構成を示す説明図である。
【図４】本発明を適用した電気光学装置に構成したダミー画素の断面構成を示す説明図である。
【図５】本発明を適用した電気光学装置におけるＩＤ等の情報の記録方法および再生方法を示す説明図である。
【図６】本発明の別の実施の形態に係る電気光学装置全体の電気的構成を示すブロック図である。
【図７】本発明を適用した電気光学装置を用いた投射型表示装置の概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。なお、電界効果型トランジスターを流れる電流の方向が反転する場合、ソースとドレインとが入れ替わるが、以下の説明では、便宜上、画素電極が接続されている側をドレインとし、データ線が接続されている側をソースとして説明する。また、素子基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは素子基板の基板本体が位置する側とは反対側（対向基板が位置する側）を意味し、下層側とは素子基板の基板本体が位置する側を意味する。また、対向基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは対向基板の基板本体が位置する側とは反対側（素子基板が位置する側）を意味し、下層側とは対向基板の基板本体が位置する側を意味する。
【００１８】
（全体構成）
図１は、本発明を適用した電気光学装置の電気的構成を示すブロック図であり、図１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、電気光学装置全体の電気的構成を示すブロック図、画素領域内の画素の電気的構成を示すブロック図、および画素領域外に設けたダミー画素の電気的構成を示すブロック図である。
【００１９】
図１（ａ）、（ｂ）において、電気光学装置１００は、ＴＮ（Twisted Nematic）モードやＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶パネル１００ｐを備えた液晶装置であり、液晶パネル１００ｐの素子基板１０（図２等を参照）には、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画素領域１０ａ（有効画素領域／実際の画像構成に必要な領域）を備えている。液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０では、画素領域１０ａの内側で複数本のデータ線６ａ（画像信号線）および複数本の走査線３ａが縦横に延びており、それらの交差部分に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、画素トランジスターを構成するスイッチング素子としての電界効果型トランジスター３０、および画素電極９ａが形成されている。電界効果型トランジスター３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、電界効果型トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、電界効果型トランジスター３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。
【００２０】
素子基板１０において、画素領域１０ａより外周側（素子基板１０の端部と画素領域１０ａとの間の外周領域１０ｃ）には、走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回路１０１が設けられている。データ線駆動回路１０１は各データ線６ａに電気的に接続しており、画像処理回路から供給される画像信号を各データ線６ａに順次供給する。走査線駆動回路１０４は、各走査線３ａに電気的に接続しており、走査信号を各走査線３ａに順次供給する。
【００２１】
各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、後述する対向基板２０（図２等を参照）に形成された共通電極と液晶層を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に蓄積容量５５が付加されている。本形態では、蓄積容量５５を構成するために、素子基板１０には、複数の画素１００ａに跨って延在する容量線５ｂが形成されている。本形態において、容量線５ｂは、共通電位Ｖcomが印加された定電位配線６ｓに導通している。
【００２２】
図１（ａ）に示すように、素子基板１０の端部と画素領域１０ａとの間の外周領域１０ｃには、複数のダミー画素１００ｂが形成されている。図１（ａ）、（ｃ）に示すように、ダミー画素１００ｂは、画素領域１０ａ内の画素１００ａと同一の構成を有しており、複数のダミー画素１００ｂの各々には、電界効果型トランジスター３０（スイッチング素子）、およびダミー画素電極９ｂが形成されている。ダミー画素１００ｂにおいても、電界効果型トランジスター３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、電界効果型トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、電界効果型トランジスター３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。また、ダミー画素１００ｂには、画素１００ａと同様、蓄積容量５５が付加されており、ダミー画素１００ｂの蓄積容量５５にも、画素１００ａの蓄積容量５５と同様、容量線５ｂが電気的に接続されている。
【００２３】
かかる複数のダミー画素１００ｂの一部あるいは全部のダミー画素１００ｂに形成されている蓄積容量５５は、後述するように、電気光学装置１００のＩＤ等の情報を記録する容量素子５６として利用される。また、容量素子５６として利用される蓄積容量５５には、容量線５ｂが電気的に接続しているとともに、データ線６ａおよび走査線３ａが電界効果型トランジスター３０を介して電気的に接続している。このため、本形態では、容量線５ｂ、データ線６ａおよび走査線３ａのうち、素子基板１０の端部と画素領域１０ａとの間の外周領域１０ｃで延在している部分は、容量素子５６を利用して情報を記録するとともに、情報を再生する際の配線として利用されている。
【００２４】
（液晶パネル１００ｐおよび素子基板１０の具体的構成）
図２は、本発明を適用した電気光学装置１００の液晶パネル１００ｐの説明図であり、図２（ａ）、（ｂ）は各々、液晶パネル１００ｐを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【００２５】
図２に示すように、液晶パネル１００ｐでは、素子基板１０と対向基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は対向基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材１０７は、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材１０７ａが配合されている。液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０と対向基板２０との間のうち、シール材１０７によって囲まれた領域内には液晶層５０が保持されている。本形態において、シール材１０７には、液晶注入口として利用される途切れ部分１０７ｃが形成されており、かかる途切れ部分１０７ｃは、液晶材料の注入後、封止材１０８によって塞がれている。
【００２６】
かかる構成の液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０および対向基板２０はいずれも四角形であり、液晶パネル１００ｐの略中央には、図１（ａ）を参照して説明した画素領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、画素領域１０ａの外側は、四角枠状の外周領域１０ｃになっている。
【００２７】
素子基板１０において、外周領域１０ｃでは、素子基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。なお、端子１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、素子基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。
【００２８】
詳しくは後述するが、素子基板１０の一方面１０ｓおよび他方面１０ｔのうち、対向基板２０と対向する一方面１０ｓの側において、画素領域１０ａには、図１を参照して説明した電界効果型トランジスター３０、および電界効果型トランジスター３０に電気的に接続する画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極９ａの上層側には配向膜１６が形成されている。
【００２９】
また、素子基板１０の一方面１０ｓの側において、画素領域１０ａより外側の外周領域１０ｃのうち、画素領域１０ａとシール材１０７とに挟まれた四角枠状の周辺領域１０ｂには、画素電極９ａ（画素１００ａ）と同時形成されたダミー画素電極９ｂ（ダミー画素１００ｂ）が形成されている。
【００３０】
対向基板２０の一方面２０ｓおよび他方面２０ｔのうち、素子基板１０と対向する一方面２０ｓの側には共通電極２１が形成されている。共通電極２１は、対向基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素１００ａに跨って形成されている。本形態において、共通電極２１は、対向基板２０の略全面に形成されている。
【００３１】
また、対向基板２０の一方面２０ｓの側には、共通電極２１の下層側に遮光層２９が形成され、共通電極２１の表面には配向膜２６が積層されている。本形態において、遮光層２９は、画素領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁部分２９ａとして形成されている。また、本形態において、遮光層２９は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆに重なるブラックマトリクス部２９ｂとしても形成されている。ここで、額縁部分２９ａはダミー画素電極９ｂと重なる位置に形成されており、額縁部分２９ａの外周縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔てた位置にある。従って、額縁部分２９ａとシール材１０７とは重なっていない。
【００３２】
液晶パネル１００ｐにおいて、シール材１０７より外側には、対向基板２０の一方面２０ｓの側の４つの角部分に基板間導通用電極部２５ｔが形成されており、素子基板１０の一方面１０ｓの側には、対向基板２０の４つの角部分（基板間導通用電極部２５ｔ）と対向する位置に基板間導通用電極部６ｔが形成されている。基板間導通用電極部６ｔは、共通電位Ｖcomが印加された定電位配線６ｓに導通しており、定電位配線６ｓは、端子１０２のうち、共通電位印加用の端子１０２ａに導通している。基板間導通用電極部６ｔと基板間導通用電極部２５ｔとの間には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９が配置されており、対向基板２０の共通電極２１は、基板間導通用電極部６ｔ、基板間導通材１０９および基板間導通用電極部２５ｔを介して、素子基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、素子基板１０の側から共通電位Ｖcomが印加されている。シール材１０７は、略同一の幅寸法をもって対向基板２０の外周縁に沿って設けられている。このため、シール材１０７は、略四角形である。但し、シール材１０７は、対向基板２０の角部分と重なる領域では基板間導通用電極部６ｔ、２５ｔを避けて内側を通るように設けられており、シール材１０７の角部分は略円弧状である。
【００３３】
かかる構成の電気光学装置１００において、本形態では、画素電極９ａおよび共通電極２１がＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜等の透光性導電膜により形成されており、電気光学装置１００は透過型の液晶装置である。かかる透過型の電気光学装置１００では、対向基板２０の側から入射した光が素子基板１０を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。なお、画素電極９ａおよび共通電極２１のうち、例えば、共通電極２１を透光性導電膜により形成し、画素電極９ａをアルミニウム膜等の反射性導電膜により形成する場合もあり、かかる構成によれば、反射型の電気光学装置１００を構成することができる。かかる反射型の電気光学装置１００では、素子基板１０および対向基板２０のうち、対向基板２０の側から入射した光が素子基板１０で反射して出射される間に変調されて画像を表示する。
【００３４】
電気光学装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板２０あるいは素子基板１０には、カラーフィルター（図示せず）が形成される。また、電気光学装置１００では、使用する液晶層５０の種類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル１００ｐに対して所定の向きに配置される。さらに、電気光学装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各電気光学装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。
【００３５】
本形態において、電気光学装置１００が、後述する投射型表示装置においてＲＧＢ用のライトバルブとして用いられる透過型の液晶装置であって、対向基板２０から入射した光が素子基板１０を透過して出射される場合を中心に説明する。また、本形態において、電気光学装置１００は、液晶層５０として、誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を用いたＶＡモードの液晶パネル１００ｐを備えている場合を中心に説明する。
【００３６】
（画素１００ａの具体的構成）
図３は、本発明を適用した電気光学装置１００の画素１００ａの具体的構成を示す説明図であり、図３（ａ）、（ｂ）は、画素１００ａの平面図、および電気光学装置１００のＦ−Ｆ′断面図である。なお、図３（ａ）では、各層を以下の線
下層側の遮光層８ａ＝細くて長い破線
半導体層１ａ＝細くて短い点線
走査線３ａ＝太い実線
ドレイン電極４ａ＝細い実線
データ線６ａおよび中継電極６ｂ＝細い一点鎖線
容量線５ｂ＝太い一点鎖線
上層側の遮光層７ａおよび中継電極７ｂ＝細い二点鎖線
画素電極９ａ＝太い破線
で示してある。また、図３（ａ）では、互いの端部が重なり合う層については、層の形状等が分かりやすいように、端部の位置をずらしてある。
【００３７】
図３（ａ）に示すように、素子基板１０において対向基板２０と対向する一方面１０ｓには、複数の画素１００ａの各々に画素電極９ａが形成されており、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆに沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。本形態において、画素間領域１０ｆは縦横に延在しており、走査線３ａは画素間領域１０ｆのうち、Ｘ方向（第１方向）に延在する第１画素間領域１０ｇに沿って直線的に延在し、データ線６ａは、Ｙ方向（第２方向）に延在する第２画素間領域１０ｈに沿って直線的に延在している。また、データ線６ａと走査線３ａとの交差に対応して電界効果型トランジスター３０が形成されており、本形態において、電界効果型トランジスター３０は、データ線６ａと走査線３ａとの交差領域およびその付近を利用して形成されている。素子基板１０には容量線５ｂが形成されており、かかる容量線５ｂには共通電位Ｖcomが印加されている。本形態において、容量線５ｂは、走査線３ａおよびデータ線６ａに重なるように延在して格子状に形成されている。電界効果型トランジスター３０の上層側には遮光層７ａが形成されており、かかる遮光層７ａは、データ線６ａに重なるように延在している。電界効果型トランジスター３０の下層側には遮光層８ａが形成されており、かかる遮光層８ａは、走査線３ａと重なるように直線的に延びた主線部分と、データ線６ａと走査線３ａとの交差部分でデータ線６ａに重なるように延びた副線部分とを備えている。
【００３８】
図３（ｂ）に示すように、素子基板１０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体１０ｗの液晶層５０側の基板面（対向基板２０と対向する一方面１０ｓ側）に形成された画素電極９ａ、画素スイッチング用の電界効果型トランジスター３０、および配向膜１６を主体として構成されている。対向基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ、その液晶層５０側の表面（素子基板１０と対向する一方面２０ｓ）に形成された遮光層２９、共通電極２１、および配向膜２６を主体として構成されている。
【００３９】
素子基板１０において、基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側には、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる下層側の遮光層８ａが形成されている。本形態において、遮光層８ａは、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）等の遮光膜からなり、電気光学装置１００を透過した後の光が他の部材で反射した際、かかる反射光が半導体層１ａに入射して電界効果型トランジスター３０で光電流に起因する誤動作が発生することを防止する。なお、遮光層８ａを走査線として構成する場合もあり、この場合、後述するゲート電極３ｃと遮光層８ａを導通させた構成とする。
【００４０】
基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側において、遮光層８ａの上層側には、透光性の絶縁膜１２が形成されており、かかる絶縁膜１２の表面側に、半導体層１ａを備えた電界効果型トランジスター３０が形成されている。本形態において、絶縁膜１２は、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ （ボロンリンシリケートガラス）等のシリコン酸化膜（シリケートガラスも含む。）や、シリコン窒化膜からなる。かかる絶縁膜１２は、シランガス（ＳｉＨ4）、２塩化シラン（ＳｉＣｌ2Ｈ2）、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン／テトラ・エチル・オルソ・シリケート／Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4）、ＴＥＢ（テトラ・エチル・ボートレート）、ＴＭＯＰ（テトラ・メチル・オキシ・フォスレート）等を用いた常圧ＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、あるいはプラズマＣＶＤ法等により形成される。
【００４１】
電界効果型トランジスター３０は、データ線６ａの延在方向に長辺方向を向けた半導体層１ａと、半導体層１ａの長さ方向と直交する方向に延在して半導体層１ａの長さ方向の中央部分に重なるゲート電極３ｃとを備えており、本形態において、ゲート電極３ｃは走査線３ａの一部からなる。電界効果型トランジスター３０は、半導体層１ａとゲート電極３ｃとの間に透光性のゲート絶縁層２を有している。半導体層１ａは、ゲート電極３ｃに対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ｇを備えているとともに、チャネル領域１ｇの両側にソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃを備えている。本形態において、電界効果型トランジスター３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有している。従って、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃは各々、チャネル領域１ｇの両側に低濃度領域を備え、低濃度領域に対してチャネル領域１ｇとは反対側で隣接する領域に高濃度領域を備えている。
【００４２】
半導体層１ａは、ポリシリコン膜（多結晶シリコン膜）等によって構成されている。ゲート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化したシリコン酸化膜からなる第１ゲート絶縁層２ａと、温度が７００〜９００℃の高温条件での減圧ＣＶＤ法により形成されたシリコン酸化膜からなる第２ゲート絶縁層２ｂとの２層構造からなる。ゲート電極３ｃおよび走査線３ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、ゲート電極３ｃは、導電性のポリシリコン膜とタングステンシリサイド膜との２層構造を有している。
【００４３】
ゲート電極３ｃの上層側には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４１が形成され、層間絶縁膜４１の上層には、ドレイン電極４ａが形成されている。本形態において、層間絶縁膜４１は、シリコン酸化膜からなる。ドレイン電極４ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、ドレイン電極４ａはチタン窒化膜からなる。ドレイン電極４ａは、半導体層１ａのドレイン領域１ｃ（画素電極側ソースドレイン領域）と一部が重なるように形成されており、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４１ａを介してドレイン領域１ｃに導通している。
【００４４】
ドレイン電極４ａの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の絶縁膜４９、および透光性の誘電体層４０が形成されており、かかる誘電体層４０の上層側には容量線５ｂが形成されている。誘電体層４０としては、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等のシリコン化合物を用いることができる他、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率の誘電体層を用いることができる。容量線５ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、容量線５ｂは、チタン窒化膜、アルミニウム膜、およびチタン窒化膜との３層構造を有している。ここで、容量線５ｂは、誘電体層４０を介してドレイン電極４ａと重なっており、蓄積容量５５を構成している。
【００４５】
容量線５ｂの上層側には層間絶縁膜４２が形成されており、かかる層間絶縁膜４２の上層側には、データ線６ａと中継電極６ｂとが同一の導電膜により形成されている。層間絶縁膜４２はシリコン酸化膜からなる。データ線６ａと中継電極６ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、データ線６ａおよび中継電極６ｂは、アルミニウム合金膜や、チタン窒化膜とアルミニウム膜との２層乃至４層の積層膜からなる。データ線６ａは、層間絶縁膜４２、絶縁膜４９、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４２ａを介してソース領域１ｂ（データ線側ソースドレイン領域）に導通している。中継電極６ｂは、層間絶縁膜４２および絶縁膜４９を貫通するコンタクトホール４２ｂを介してドレイン電極４ａに導通している。
【００４６】
データ線６ａおよび中継電極６ｂの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４４が形成されており、かかる層間絶縁膜４４の上層側には、遮光層７ａおよび中継電極７ｂが同一の導電膜によって形成されている。層間絶縁膜４４は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法や、シランガスと亜酸化窒素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜からなり、その表面は平坦化されている。遮光層７ａおよび中継電極７ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、遮光層７ａおよび中継電極７ｂは、アルミニウム合金膜や、チタン窒化膜とアルミニウム膜との２層乃至４層の積層膜からなる。中継電極７ｂは、層間絶縁膜４４を貫通するコンタクトホール４４ａを介して中継電極６ｂに導通している。遮光層７ａは、データ線６ａと重なるように延在しており、遮光層として機能している。なお、遮光層７ａを容量線５ｂと導通させて、シールド層として利用してもよい。
【００４７】
遮光層７ａおよび中継電極７ｂの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４５が形成されており、かかる層間絶縁膜４５の上層側には、ＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる画素電極９ａが形成されている。本形態において、画素電極９ａは、ＩＴＯ膜からなる。層間絶縁膜４５は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法や、シランガスと亜酸化窒素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜からなり、表面は平坦化されている。
【００４８】
画素電極９ａは、中継電極７ｂと部分的に重なっており、層間絶縁膜４５を貫通するコンタクトホール４５ａを介して中継電極７ｂに導通している。その結果、画素電極９ａは、中継電極７ｂ、中継電極６ｂおよびドレイン電極４ａを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続している。
【００４９】
画素電極９ａの表面には、ポリイミド膜や無機配向膜等の配向膜１６が形成されている。本形態において、配向膜１６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜）からなる。
【００５０】
（対向基板２０の構成）
対向基板２０では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ（透光性基板）の液晶層５０側の表面（素子基板１０に対向する一方面２０ｓ）には、遮光層２９、シリコン酸化膜等からなる絶縁膜２８、およびＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる共通電極２１が形成されており、かかる共通電極２１を覆うように、ポリイミド膜や無機配向膜等の配向膜２６が形成されている。本形態において、共通電極２１はＩＴＯ膜からなる。また、配向膜２６は、配向膜１６と同様、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜）である。かかる配向膜１６、２６は、液晶層５０に用いた誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を傾斜垂直配向させ、液晶パネル１００ｐは、ノーマリブラックのＶＡモードとして動作する。
【００５１】
なお、図１および図２を参照して説明したデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４には、ｎチャネル型の駆動用トランジスターとｐチャネル型の駆動用トランジスターとを備えた相補型トランジスター回路等が構成されている。ここで、駆動用トランジスターは、電界効果型トランジスター３０の製造工程の一部を利用して形成されたものである。このため、素子基板１０においてデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４が形成されている領域も、図３（ｂ）に示す断面構成と略同様な断面構成を有している。
【００５２】
（ダミー画素１００ｂの具体的構成）
図４は、本発明を適用した電気光学装置１００に構成したダミー画素１００ｂの断面構成を示す説明図であり、図４（ａ）、（ｂ）は、ダミー画素１００ｂのうち、容量素子５６に２進数表現の情報として「０」が記録されている第１容量素子の説明図、および容量素子５６に２進数表現の情報として「１」が記録されている第２容量素子の説明図である。
【００５３】
図４（ｂ）と図３（ｂ）とを比較すれば分かるように、ダミー画素１００ｂは、画素領域１０ａ内の画素１００ａと同一構成を有している。ここで、ダミー画素１００ｂのうち、情報の記録に用いられるダミー画素１００ｂでは、蓄積容量５５が情報記録用の容量素子５６として利用されている。かかる容量素子５６においては、ドレイン電極４ａによって情報記録用の第１電極５６１が構成され、容量線５ｂによって情報記録用の第２電極５６２が構成されており、第１電極５６１と第２電極５６２とは誘電体層４０を挟んで積層されている。
【００５４】
なお、ダミー画素１００ｂでは、画素電極９ａに代えて、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。本形態では、ダミー画素電極９ｂについては、電界効果型トランジスター３０と電気的に接続されている構成が採用されているが、電界効果型トランジスター３０と電気的に接続されずにダミー画素電極９ｂ同士が連結部分で繋がっている構成を採用してよい。また、ダミー画素電極９ｂについては、共通電位Ｖcomが印加されて画素領域１０ａの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止する構成が採用される他、ダミー画素電極９ｂを電位的にフロート状態とする場合もある。
【００５５】
（情報の記録）
図５は、本発明を適用した電気光学装置１００におけるＩＤ等の情報の記録方法および再生方法を示す説明図であり、図５（ａ）、（ｂ）は、情報の記録時に各配線に印加される信号等の説明図、および情報の再生時に各配線に印加される信号等の説明図である。
【００５６】
本形態の電気光学装置１００では、素子基板１０の外周領域１０ｃに複数の容量素子５６を形成しておき、素子基板１０を製造した後、あるいは電気光学装置１００を製造した後、ｎ個の容量素子５６のうち、所定の容量素子５６を絶縁破壊させ、容量素子５６が絶縁状態にあるか、絶縁破壊により短絡状態にあるかによって、ＩＤ等をｎビットの情報として記録する。また、いずれの容量素子５６が絶縁状態にあって、いずれの容量素子５６が絶縁破壊により短絡状態にあるかを検出して情報を再生する。
【００５７】
そこで、図５等を参照して電気光学装置１００における情報の記録方法および再生方法を説明する。なお、以下の説明では、図１（ｂ）に示すダミー画素１００ｂのうち、６つのダミー画素１００ｂ11、１００ｂ12、１００ｂ21、１００ｂ22、１００ｂ31、１００ｂ32の容量素子５６を利用して情報の記録および再生を行う場合を説明する。
【００５８】
本形態では、まず、ダミー画素１００ｂの容量素子５６においても全て、図４に示す第１電極５６１と第２電極５６２とが誘電体層４０によって絶縁状態となるように素子基板１０を製造する。この時点では、いずれのダミー画素１００ｂの容量素子５６も、図４（ａ）に示すように、第１電極５６１と第２電極５６２とが誘電体層４０によって絶縁状態となっている第１容量素子５６ａである。
【００５９】
そして、端子１０２、１０２ａにプローブ等を接触させて、図５（ａ）に示すように、データ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４に信号を供給し、ダミー画素１００ｂ11、１００ｂ12、１００ｂ21、１００ｂ22、１００ｂ31、１００ｂ32の容量素子５６に電気的に接続するデータ線６ａ、走査線３ａおよび容量線５ｂを利用してＩＤ等の情報を記録する。
【００６０】
より具体的には、走査線駆動回路１０４から、ダミー画素１００ｂ11、１００ｂ12の容量素子５６に電気的に接続する走査線３ａ1、ダミー画素１００ｂ21、１００ｂ22の容量素子５６に電気的に接続する走査線３ａ2、およびダミー画素１００ｂ31、１００ｂ32の容量素子５６に電気的に接続する走査線３ａ3に対して順次、走査信号を供給し、ダミー画素１００ｂの電界効果型トランジスター３０をオフ状態からオン状態に順次切り換える。その間、容量線５ｂには、端子１０２ａおよび定電位配線６ｓを介して一定の電位（例えば、０Ｖ）を印加する。一方、所定のダミー画素１００ｂの電界効果型トランジスター３０がオフ状態からオン状態に切り替わるタイミングに合わせて、データ線駆動回路１０１から、ダミー画素１００ｂ11、１００ｂ21、１００ｂ31の容量素子５６に電気的に接続するデータ線６ａ1、およびダミー画素１００ｂ12、１００ｂ22、１００ｂ32の容量素子５６に電気的に接続するデータ線６ａ2に対して容量素子５６が絶縁破壊する電圧を供給する。
【００６１】
例えば、図５（ａ）に示すように、ダミー画素１００ｂ12の電界効果型トランジスター３０がオフ状態からオン状態に切り替わるタイミング（時間ｔ11から時間ｔ12の間）に合わせて、データ線駆動回路１０１からデータ線６ａ2に対して容量素子５６が絶縁破壊する電圧を供給する。また、ダミー画素１００ｂ21の電界効果型トランジスター３０がオフ状態からオン状態に切り替わるタイミング（時間ｔ12から時間ｔ13の間）に合わせて、データ線駆動回路１０１からデータ線６ａ1に対して容量素子５６が絶縁破壊する電圧を供給する。その他の期間では、データ線駆動回路１０１からデータ線６ａ1、６ａ2、６ａ3に対して印加される電圧は例えば０Ｖである。
【００６２】
その結果、ダミー画素１００ｂ12、１００ｂ21以外のダミー画素１００ｂ11、１００ｂ22、１００ｂ31、１００ｂ32に形成されている容量素子５６は、図４（ａ）に示すように、誘電体層４０により第１電極５６１と第２電極５６２とが絶縁状態にある第１容量素子５６ａのままである。
【００６３】
これに対して、ダミー画素１００ｂ12、１００ｂ21に形成されている容量素子５６は、図４（ｂ）において誘電体層４０に「×」を付して示すように、誘電体層４０が絶縁破壊されて、第１電極５６１と第２電極５６２とが導通状態にある第２容量素子５６ｂとなる。それ故、電気光学装置１００に情報を記録した以降、素子基板１０には第１容量素子５６ａと第２容量素子５６ｂとが存在することになる。
【００６４】
ここで、第１電極５６１と第２電極５６２とが絶縁状態にある第１容量素子５６ａは、２進数表現の情報として「０」に対応し、第１電極５６１と第２電極５６２とが短絡状態にある第２容量素子５６ｂは、２進数表現の情報として「１」に対応する。それ故、ダミー画素１００ｂ11、１００ｂ12、１００ｂ21、１００ｂ22、１００ｂ31、１００ｂ32をこの順にｎビットの情報の上位から下位に対応させると、ｎビットの情報「０１１０００」が記録されたことになる。このような情報の記録の際、情報の記録を行うダミー画素１００ｂを増やせば、情報のビット数を増やすことができるので、電気光学装置１００のＩＤ情報を記録することができる。
【００６５】
（情報の再生）
次に、電気光学装置１００に記録した情報を再生するには、端子１０２、１０２ａにプローブ等を接触させて、図５（ｂ）に示すように、データ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４に信号を供給する一方、容量線５ｂ、定電位配線６ｓおよび端子１０２ａを介して信号を検出し、情報を再生する。
【００６６】
より具体的には、走査線駆動回路１０４から、ダミー画素１００ｂ11、１００ｂ12の容量素子５６に電気的に接続する走査線３ａ1、ダミー画素１００ｂ21、１００ｂ22の容量素子５６に電気的に接続する走査線３ａ2、およびダミー画素１００ｂ31、１００ｂ32の容量素子５６に電気的に接続する走査線３ａ3に対して順次、走査信号を供給し、ダミー画素１００ｂの電界効果型トランジスター３０をオフ状態からオン状態に順次切り換える。一方、ダミー画素１００ｂの電界効果型トランジスター３０がオフ状態からオン状態に切り替わるタイミングに合わせて、データ線駆動回路１０１から、ダミー画素１００ｂ11、１００ｂ21、１００ｂ31の容量素子５６に電気的に接続するデータ線６ａ1、およびダミー画素１００ｂ12、１００ｂ22、１００ｂ32の容量素子５６に電気的に接続するデータ線６ａ2に対して検出用の電圧を供給する。
【００６７】
その間、定電位配線６ｓおよび端子１０２ａを介して容量線５ｂの電位を監視する。その結果、ダミー画素１００ｂのうち、容量素子５６が第１容量素子５６ａになっているダミー画素１００ｂに検出用の電圧が印加されても、容量線５ｂの電位は低レベルである。これに対して、容量素子５６が第２容量素子５６ｂになっているダミー画素１００ｂに検出用の電圧が印加されると、誘電体層４０が絶縁破壊されているので、データ線６ａを介して供給された信号が容量素子５６から出力され、容量線５ｂの電位（端子１０２ａの電位）は高レベルとなる。本形態では、図１（ｃ）および図４（ｂ）に「×」を付したように、ダミー画素１００ｂ12、１００ｂ21に形成されている容量素子５６が第２容量素子５６ｂになっているので、ダミー画素１００ｂ12の容量素子５６に検出用の電圧が印加されるタイミング（時間ｔ21から時間ｔ22の間）に合わせて、容量線５ｂの電位は高レベルとなる。また、ダミー画素１００ｂ21の容量素子５６に検出用の電圧が印加されるタイミング（時間ｔ22から時間ｔ23の間）に合わせて、容量線５ｂの電位は高レベルとなる。それ故、容量線５ｂの電位の変化を時系列的にｎビットの情報の上位から下位に対応させると、ｎビットの情報「０１１０００」が再生されることになる。
【００６８】
なお、電気光学装置１００で画像を表示する場合は、データ線６ａのうち、画素領域１０ａの画素１００ａに設けられているデータ線６ａのみに画像信号を供給することになる。
【００６９】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の電気光学装置１００では、素子基板１０に複数の容量素子５６を形成しておき、外部からいずれの容量素子５６に高い電圧を印加するかを決定するだけで電気光学装置１００の一つ一つに情報を記録することができる。従って、フォトリソグラフィー技術によって素子基板に情報を記録する場合と違って、製造コストを大幅に増大させることがない。また、外部から複数の容量素子５６のいずれに絶縁破壊が発生しているかを電気的に検出することによって情報を再生することができるので、光学的に情報を再生する場合と違って、情報が記録されている領域が他の部材で覆われていても、情報を再生することができる。それ故、製造コストを大幅に増大させずにＩＤ等の情報を記録することができるとともに、情報を容易に再生することのできる電気光学装置１００を実現することができる。
【００７０】
また、本形態ではｎ個の容量素子５６を利用すれば、ｎビットの情報を記録することができるので、電気光学装置１００のＩＤ等を十分に記録することができる。
【００７１】
また、本形態では、蓄積容量５５と容量素子５６とは、同一の層構成であるので、画素１００ａを形成する工程を利用して容量素子５６を構成することができる。また、データ線６ａ、走査線３ａおよび容量線５ｂのうち、外周領域１０ｃで延在している部分により、容量素子５６に電気的に接続する配線を構成したので、データ線６ａ、走査線３ａおよび容量線５ｂを形成する工程を利用して、容量素子５６に電気的に接続する配線を形成することができる。
【００７２】
しかも、容量素子５６は、ダミー画素１００ｂに蓄積容量５５として構成された素子であるので、容量素子５６を別途設けなくても、情報を記録することができる。
【００７３】
［改良例］
上記実施の形態では、容量素子５６（ダミー画素１００ｂの蓄積容量５５）と、画素領域１０ａの画素１００ａに設けた蓄積容量５５において誘電体層４０が共通であったが、容量素子５６の誘電体層４０については、画素１００ａの蓄積容量５５に用いた誘電体層４０よりも膜厚を薄くする等の構成を採用すれば、容量素子５６の絶縁破壊電圧を画素１００ａの蓄積容量５５の絶縁破壊電圧より低くすることができる。かかる構成によれば、情報の記録が容易であるという利点がある。
【００７４】
［別の実施の形態］
図６は、本発明の別の実施の形態に係る電気光学装置全体の電気的構成を示すブロック図である。上記実施の形態では、ダミー画素１００ｂに電気的に接続されたデータ線６ａについてもデータ線駆動回路１０１によって駆動したが、図６に示すように、ダミー画素１００ｂに電気的に接続されたデータ線６ａについては端子１０２に直接、導通させ、外部から直接、ダミー画素１００ｂに信号を供給するように構成してもよい。
【００７５】
［さらに別の実施の形態］
上記実施の形態では、ダミー画素１００ｂの蓄積容量５５を容量素子５６として利用したが、画素１００ａに設けた蓄積容量５５とは異なる構造の容量素子５６を利用して情報を記録してもよい。例えば、互いに異なる層に第１配線と第２配線とを交差するように複数本ずつ延在させ、かかる第１配線と第２配線との間に誘電体層を設けて複数の容量素子５６を構成してもよい。また、上記実施の形態では、情報再生の際、容量素子５６に通電して短絡状態にあるか絶縁状態にあるかを検出したが、容量素子５６に通電して充電し、その充電された電荷を検出して容量素子５６が短絡状態にあるか絶縁状態にあるかを検出してもよい。
【００７６】
［他の電気光学装置への適用例］
上記実施の形態では、電気光学装置１００として液晶装置を例示したが、電気光学装置１００が有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマ表示装置等である場合に本発明を適用してもよい。
【００７７】
［電子機器への搭載例］
上述した実施形態に係る電気光学装置１００を適用した電子機器について説明する。図７は、本発明を適用した電気光学装置１００を用いた投射型表示装置の概略構成図であり、図７（ａ）、（ｂ）は各々、透過型の電気光学装置１００を用いた投射型表示装置の説明図、および反射型の電気光学装置１００を用いた投射型表示装置の説明図である。
【００７８】
（投射型表示装置の第１例）
図７（ａ）に示す投射型表示装置１１０は、観察者側に設けられたスクリーン１１１に光を照射し、このスクリーン１１１で反射した光を観察する、いわゆる投影型の投射型表示装置である。投射型表示装置１１０は、光源１１２を備えた光源部１３０と、ダイクロイックミラー１１３、１１４と、液晶ライトバルブ１１５〜１１７（電気光学装置１００）と、投射光学系１１８と、クロスダイクロイックプリズム１１９と、リレー系１２０とを備えている。
【００７９】
光源１１２は、赤色光、緑色光及び青色光を含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー１１３は、光源１１２からの赤色光を透過させると共に緑色光及び青色光を反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー１１４は、ダイクロイックミラー１１３で反射された緑色光及び青色光のうち青色光を透過させると共に緑色光を反射する構成となっている。このように、ダイクロイックミラー１１３、１１４は、光源１１２から出射した光を赤色光と緑色光と青色光とに分離する色分離光学系を構成する。
【００８０】
ここで、ダイクロイックミラー１１３と光源１１２との間には、インテグレーター１２１及び偏光変換素子１２２が光源１１２から順に配置されている。インテグレーター１２１は、光源１１２から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、偏光変換素子１２２は、光源１１２からの光を例えばｓ偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする構成となっている。
【００８１】
液晶ライトバルブ１１５は、ダイクロイックミラー１１３を透過して反射ミラー１２３で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の電気光学装置１００である。液晶ライトバルブ１１５は、λ／２位相差板１１５ａ、第１偏光板１１５ｂ、液晶パネル１１５ｃ及び第２偏光板１１５ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１５に入射する赤色光は、ダイクロイックミラー１１３を透過しても光の偏光は変化しないことから、ｓ偏光のままである。
【００８２】
λ／２位相差板１１５ａは、液晶ライトバルブ１１５に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１５ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル１１５ｃは、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１５ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１５は、画像信号に応じて赤色光を変調し、変調した赤色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。
【００８３】
なお、λ／２位相差板１１５ａ及び第１偏光板１１５ｂは、偏光を変換させない透光性のガラス板１１５ｅに接した状態で配置されており、λ／２位相差板１１５ａ及び第１偏光板１１５ｂが発熱によって歪むのを回避することができる。
【００８４】
液晶ライトバルブ１１６は、ダイクロイックミラー１１３で反射した後にダイクロイックミラー１１４で反射した緑色光を画像信号に応じて変調する透過型の電気光学装置１００である。そして、液晶ライトバルブ１１６は、液晶ライトバルブ１１５と同様に、第１偏光板１１６ｂ、液晶パネル１１６ｃ及び第２偏光板１１６ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１６に入射する緑色光は、ダイクロイックミラー１１３、１１４で反射されて入射するｓ偏光である。第１偏光板１１６ｂは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。また、液晶パネル１１６ｃは、ｓ偏光を画像信号に応じた変調によってｐ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。そして、第２偏光板１１６ｄは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１６は、画像信号に応じて緑色光を変調し、変調した緑色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。
【００８５】
液晶ライトバルブ１１７は、ダイクロイックミラー１１３で反射し、ダイクロイックミラー１１４を透過した後でリレー系１２０を経た青色光を画像信号に応じて変調する透過型の電気光学装置１００である。そして、液晶ライトバルブ１１７は、液晶ライトバルブ１１５、１１６と同様に、λ／２位相差板１１７ａ、第１偏光板１１７ｂ、液晶パネル１１７ｃ及び第２偏光板１１７ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１７に入射する青色光は、ダイクロイックミラー１１３で反射してダイクロイックミラー１１４を透過した後にリレー系１２０の後述する２つの反射ミラー１２５ａ、１２５ｂで反射することから、ｓ偏光となっている。
【００８６】
λ／２位相差板１１７ａは、液晶ライトバルブ１１７に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１７ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル１１７ｃは、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１７ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１７は、画像信号に応じて青色光を変調し、変調した青色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。なお、λ／２位相差板１１７ａ及び第１偏光板１１７ｂは、ガラス板１１７ｅに接した状態で配置されている。
【００８７】
リレー系１２０は、リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂと反射ミラー１２５ａ、１２５ｂとを備えている。リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂは、青色光の光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ１２４ａは、ダイクロイックミラー１１４と反射ミラー１２５ａとの間に配置されている。また、リレーレンズ１２４ｂは、反射ミラー１２５ａ、１２５ｂの間に配置されている。反射ミラー１２５ａは、ダイクロイックミラー１１４を透過してリレーレンズ１２４ａから出射した青色光をリレーレンズ１２４ｂに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー１２５ｂは、リレーレンズ１２４ｂから出射した青色光を液晶ライトバルブ１１７に向けて反射するように配置されている。
【００８８】
クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂをＸ字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光を反射して緑色光を透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光を反射して緑色光を透過する膜である。したがって、クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライトバルブ１１５〜１１７のそれぞれで変調された赤色光と緑色光と青色光とを合成し、投射光学系１１８に向けて出射するように構成されている。
【００８９】
なお、液晶ライトバルブ１１５、１１７からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｓ偏光であり、液晶ライトバルブ１１６からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｐ偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム１１９において各液晶ライトバルブ１１５〜１１７から入射する光を合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂはｓ偏光の反射トランジスター特性に優れている。このため、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂで反射される赤色光及び青色光をｓ偏光とし、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂを透過する緑色光をｐ偏光としている。投射光学系１１８は、投影レンズ（図示略）を有しており、クロスダイクロイックプリズム１１９で合成された光をスクリーン１１１に投射するように構成されている。
【００９０】
（投射型表示装置の第２例）
図７（ｂ）に示す投射型表示装置１０００は、光源光を発生する光源部１０２１と、光源部１０２１から出射された光源光を赤、緑、青の３色に分離する色分離導光光学系１０２３と、色分離導光光学系１０２３から出射された各色の光源光によって照明される光変調部１０２５とを有している。また、投射型表示装置１０００は、光変調部１０２５から出射された各色の像光を合成するクロスダイクロイックプリズム１０２７（合成光学系）と、クロスダイクロイックプリズム１０２７を経た像光をスクリーン（不図示）に投射するための投射光学系である投射光学系１０２９とを備えている。
【００９１】
かかる投射型表示装置１０００において、光源部１０２１は、光源１０２１ａと、一対のフライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅと、偏光変換部材１０２１ｇと、重畳レンズ１０２１ｉとを備えている。本形態においては、光源部１０２１は、放物面からなるリフレクタ１０２１ｆを備えており、平行光を出射する。フライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅは、システム光軸と直交する面内にマトリクス状に配置された複数の要素レンズからなり、これらの要素レンズによって光源光を分割して個別に集光・発散させる。偏光変換部材１０２１ｇは、フライアイ光学系１０２１ｅから出射した光源光を、例えば図面に平行なｐ偏光成分のみに変換して光路下流側光学系に供給する。重畳レンズ１０２１ｉは、偏光変換部材１０２１ｇを経た光源光を全体として適宜収束させることにより、光変調部１０２５に設けた複数の電気光学装置１００を各々均一に重畳照明可能とする。
【００９２】
色分離導光光学系１０２３は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａと、ダイクロイックミラー１０２３ｂと、反射ミラー１０２３ｊ、１０２３ｋとを備える。色分離導光光学系１０２３において、光源部１０２１からの略白色の光源光は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａに入射する。クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する一方の第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された赤色（Ｒ）の光は、反射ミラー１０２３ｊで反射されダイクロイックミラー１０２３ｂを透過して、入射側偏光板１０３７ｒ、ｐ偏光を透過させ、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、および光学補償板１０３９ｒを介して、ｐ偏光のまま、赤色（Ｒ）用の電気光学装置１００に入射する。
【００９３】
また、第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された緑色（Ｇ）の光は、反射ミラー１０２３ｊで反射され、その後、ダイクロイックミラー１０２３ｂでも反射されて、入射側偏光板１０３７ｇ、ｐ偏光を透過させ、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｇ、および光学補償板１０３９ｇを介して、ｐ偏光のまま、緑色（Ｇ）用の電気光学装置１００に入射する。
【００９４】
これに対して、クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する他方の第２ダイクロイックミラー１０３１ｂで反射された青色（Ｂ）の光は、反射ミラー１０２３ｋで反射されて、入射側偏光板１０３７ｂ、ｐ偏光を透過する一方でｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｂ、および光学補償板１０３９ｂを介して、ｐ偏光のまま、青色（Ｂ）用の電気光学装置１００に入射する。なお、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂは、電気光学装置１００への入射光および出射光の偏光状態を調整することで、液晶層の特性を光学的に補償している。
【００９５】
このように構成した投射型表示装置１０００では、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂを経て入射した３色の光は各々、各電気光学装置１００において変調される。その際、電気光学装置１００から出射された変調光のうち、ｓ偏光の成分光は、ワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、１０３２ｇ、１０３２ｂで反射し、出射側偏光板１０３８ｒ、１０３８ｇ、１０３８ｂを介してクロスダイクロイックプリズム１０２７に入射する。クロスダイクロイックプリズム１０２７には、Ｘ字状に交差する第１誘電体多層膜１０２７ａおよび第２誘電体多層膜１０２７ｂが形成されており、一方の第１誘電体多層膜１０２７ａはＲ光を反射し、他方の第２誘電体多層膜１０２７ｂはＢ光を反射する。従って、３色の光は、クロスダイクロイックプリズム１０２７において合成され、投射光学系１０２９に出射される。そして、投射光学系１０２９は、クロスダイクロイックプリズム１０２７で合成されたカラーの像光を、所望の倍率でスクリーン（図示せず。）に投射する。
【００９６】
（他の投射型表示装置）
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。
【００９７】
（他の電子機器）
本発明を適用した電気光学装置１００については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。
【符号の説明】
【００９８】
３ａ・・走査線（配線）、４ａ・・ドレイン電極（第１電極）、５ｂ・・容量線（第２電極、配線）、６ａ・・データ線（配線）、９ａ・・画素電極、９ｂ・・ダミー画素電極、１０・・素子基板、１０ａ・・画素領域、１０ｃ・・外周領域、４０・・誘電体層、５５・・蓄積容量、５６・・容量素子、５６ａ・・第１容量素子、５６ｂ・・第２容量素子、１００・・電気光学装置、１００ａ・・画素、１００ｂ・・ダミー画素
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素電極を備えた画素が素子基板の一方面側に複数配列された画素領域と、
前記素子基板の一方面側で前記素子基板の端部と前記画素領域との間に設けられ、第１電極および該第１電極に誘電体層を介して積層された第２電極を備えた複数の容量素子と、
前記素子基板の一方面側で前記複数の容量素子に電気的に接続された配線と、
を有し、
前記複数の容量素子には、前記誘電体層により前記第１電極と前記第２電極とが絶縁状態にある第１容量素子と、前記誘電体層の絶縁破壊により前記第１電極と前記第２電極とが短絡状態にある第２容量素子と、が含まれていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
ｎを正の整数としたとき、
前記複数の容量素子において前記第１電極と前記第２電極とが絶縁状態にあるか短絡状態にあるかによってｎビットの情報が書き込まれていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記素子基板の一方面側には、
前記複数の画素の各々で前記画素電極に対応して設けられたスイッチング素子と、
前記複数の画素の各々で前記画素電極に電気的に接続された蓄積容量と、
前記画素領域で延在して前記スイッチング素子に電気的に接続された複数本のデータ線と、
前記画素領域で前記データ線に交差する方向に延在して前記スイッチング素子に電気的に接続された複数本の走査線と、
前記画素領域で延在して前記蓄積容量に電気的に接続された容量線と、
が設けられ、
前記蓄積容量は、前記第１電極と同一の層に形成された電極、前記誘電体層と同一の層に形成された誘電体層、および前記第２電極と同一の層に形成された電極を備えていることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記容量素子は、前記蓄積容量に比して絶縁破壊電圧が低いことを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記配線は、前記データ線、前記走査線および前記容量線のいずれかの線において前記素子基板の端部と前記画素領域との間で延在している部分により構成されていることを特徴とする請求項３または４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記素子基板の端部と前記画素領域との間には、前記蓄積容量を備えたダミー画素が複数設けられ、
前記容量素子は、前記複数のダミー画素の少なくとも一部に前記蓄積容量として構成された素子であることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記素子基板と該素子基板に対向する対向基板との間には液晶層が保持されていることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れか一項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項９】
前記電気光学装置に供給される光を出射する光源部と、
前記電気光学装置によって変調された光を投射する投射光学系と、
を有していることを特徴とする請求項８に記載の電子機器。
【請求項１】
画素電極を備えた画素が素子基板の一方面側に複数配列された画素領域と、
前記素子基板の一方面側で前記素子基板の端部と前記画素領域との間に設けられ、第１電極および該第１電極に誘電体層を介して積層された第２電極を備えた複数の容量素子と、
前記素子基板の一方面側で前記複数の容量素子に電気的に接続された配線と、
を有し、
前記複数の容量素子には、前記誘電体層により前記第１電極と前記第２電極とが絶縁状態にある第１容量素子と、前記誘電体層の絶縁破壊により前記第１電極と前記第２電極とが短絡状態にある第２容量素子と、が含まれていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
ｎを正の整数としたとき、
前記複数の容量素子において前記第１電極と前記第２電極とが絶縁状態にあるか短絡状態にあるかによってｎビットの情報が書き込まれていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記素子基板の一方面側には、
前記複数の画素の各々で前記画素電極に対応して設けられたスイッチング素子と、
前記複数の画素の各々で前記画素電極に電気的に接続された蓄積容量と、
前記画素領域で延在して前記スイッチング素子に電気的に接続された複数本のデータ線と、
前記画素領域で前記データ線に交差する方向に延在して前記スイッチング素子に電気的に接続された複数本の走査線と、
前記画素領域で延在して前記蓄積容量に電気的に接続された容量線と、
が設けられ、
前記蓄積容量は、前記第１電極と同一の層に形成された電極、前記誘電体層と同一の層に形成された誘電体層、および前記第２電極と同一の層に形成された電極を備えていることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記容量素子は、前記蓄積容量に比して絶縁破壊電圧が低いことを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記配線は、前記データ線、前記走査線および前記容量線のいずれかの線において前記素子基板の端部と前記画素領域との間で延在している部分により構成されていることを特徴とする請求項３または４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記素子基板の端部と前記画素領域との間には、前記蓄積容量を備えたダミー画素が複数設けられ、
前記容量素子は、前記複数のダミー画素の少なくとも一部に前記蓄積容量として構成された素子であることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記素子基板と該素子基板に対向する対向基板との間には液晶層が保持されていることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れか一項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項９】
前記電気光学装置に供給される光を出射する光源部と、
前記電気光学装置によって変調された光を投射する投射光学系と、
を有していることを特徴とする請求項８に記載の電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１３−１０９２５９（Ｐ２０１３−１０９２５９Ａ）
【公開日】平成２５年６月６日（２０１３．６．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２５５８５８（Ｐ２０１１−２５５８５８）
【出願日】平成２３年１１月２４日（２０１１．１１．２４）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年６月６日（２０１３．６．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１１月２４日（２０１１．１１．２４）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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