【課題】製造コストを大幅に増大させずに情報を記録することができるとともに、情報を容易に再生することのできる電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００の素子基板１０において、外周領域１０ｃに複数の容量素子５６を形成しておき、外部からいずれの容量素子５６に高い電圧を印加して絶縁破壊させるかによって、電気光学装置１００の一つ一つにＩＤ等情報を記録する。容量素子５６は、ダミー画素１００ｂに設けた蓄積容量５５であり、データ線６ａ、走査線３ａおよび容量線５ｂのうち、外周領域１０ｃで延在している部分を配線として利用して、容量素子５６への電圧印加および信号検出を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造コストを低減することを課題の一とする。半導体装置の開口率
を向上することを課題の一とする。半導体装置の表示部を高精細化することを課題の一と
する。高速駆動が可能な半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と表示部とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極
及びドレイン電極が金属によって構成され、且つチャネル層が酸化物半導体によって構成
された駆動回路用ＴＦＴと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有すればよい。
また、当該表示部はソース電極及びドレイン電極が酸化物導電体によって構成され、且つ
半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用ＴＦＴと、酸化物導電体によって構成
された表示部用配線とを有すればよい。 （もっと読む）

【課題】表示品質を向上させることが可能な電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器を提供する。
【解決手段】液晶装置１００は、ＴＦＴ３０と、ＴＦＴ３０に電気的に接続された容量素子１６とを備え、容量素子１６は、ＴＦＴ３０と第２層間絶縁層１１ｃを介して形成された第１容量電極１６ａと、第１容量電極１６ａに第１誘電体層１６ｂを介して対向配置され、ＴＦＴ３０の半導体層３０ａに第２層間絶縁層１１ｃに形成されたコンタクトホールＣＮＴ５３を介して電気的に接続された第２容量電極１６ｃとを有し、第２容量電極１６ｃは、第１導電層１６ｃ１と第１導電層１６ｃ１上に積層された第２導電層１６ｃ２を有し、第１導電層１６ｃ１は、コンタクトホールＣＮＴ５３と重なる領域が除去されてなり、第２導電層１６ｃ２と半導体層３０ａとがコンタクトホールＣＮＴ５３を介して電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】コストの削減を可能とするとともに表示品位の劣化を抑制することを可能とする。
【解決手段】第１ゲート配線及び第２ゲート配線と、前記第１ゲート配線と前記第２ゲート配線との間で延出した補助容量線と、第１ソース配線及び第２ソース配線と、前記第１ゲート配線及び前記第２ゲート配線と前記第１ソース配線及び前記第２ソース配線とで囲まれた画素電極であって、第１方向に沿って延出し前記補助容量線の上方に位置した主画素電極及び第２方向に沿って延出した副画素電極を備えた十字形状の画素電極と、を備えた第１基板と、前記第１ゲート配線の上方及び前記第２ゲート配線の上方にそれぞれ位置し第１方向に沿ってそれぞれ延出した主共通電極、及び、前記第１ソース配線の上方及び前記第２ソース配線の上方にそれぞれ位置し第２方向に沿ってそれぞれ延出した副共通電極を備えた共通電極を備えた第２基板と、を備えた液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】表示品位の劣化を抑制することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 直線的に延出した帯状の主画素電極を備えた画素電極と、前記画素電極を覆うとともに前記主画素電極の延出方向と略平行な第１配向処理方向に配向処理された第１配向膜と、を備えた第１基板と、前記主画素電極を挟んだ両側で前記主画素電極の延出方向と略平行な方向に沿って延出した主共通電極及び第１配向処理方向の上流側に位置する前記主画素電極の一端部側において前記主画素電極の延出方向に交差する方向に沿って延出した副共通電極を備えた共通電極と、前記共通電極を覆うとともに第１配向処理方向と同一方向である第２配向処理方向に配向処理された第２配向膜と、を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶分子を含む液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】粒子状スペーサを用いず、使用する液晶の特性や駆動方法に応じて自由な範囲で設計された厚みを精度よく有する、高品質な表示装置およびタッチパネルを備えた表示装
置を提供する。
【解決手段】第１の基板と、第２の基板と、第１の基板と第２の基板との間に配置された
柱状スペーサを複数備えた表示装置と、光学式の検出素子を備えたタッチパネルとを有す
る。柱状スペーサによって、機械的強度が補強され、頑丈なパネルとすることができる。 （もっと読む）

【課題】グレーレベルの数を増やすよう動作するマルチビットメモリとしてのピクセル素子を有するディスプレイパネル等を提供する。
【解決手段】ディスプレイパネルは、画像データを保持する画像データ保持キャパシタと、サンプル制御信号を受け取る制御端子を有するサンプルユニットと、サンプルユニットを介して画像データ保持キャパシタの画素電極に結合される第１の端子を有する容量素子と、第１の端子に結合される制御端子を有する第１のリフレッシュユニットと、リフレッシュ制御信号を受け取る制御端子を有する第２のリフレッシュユニットと、画素電極に結合される制御端子、第１の端子に結合されるデータ端子、及びシャント制御信号を受け取る他のデータ端子を有するシャントユニットとを有する。第１及び第２のリフレッシュユニットは、データ信号を受け取るよう対応するソースラインと画像データ保持キャパシタとの間で互いに直列に結合される。 （もっと読む）

【課題】画素を透過する光の透過率が高く、光源から発する光を有効に利用可能な電気光学装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の電気光学装置としての液晶装置は、第１基板としての素子基板が、複数の画素電極を有し、第２基板としての対向基板２０が、第１透光性導電層２３ａと、第１透光性導電層２３ａの複数の画素電極と対向する第１領域Ｅ１に配置された第２透光性導電層２３ｃと、第１透光性導電層２３ａと第２透光性導電層２３ｃとの間に配置された第１絶縁膜２３ｂと、を有し、対向基板２０の第１領域Ｅ１を透過する光の分光分布が、可視光波長範囲でほぼフラットとなるように、第１透光性導電層２３ａ、第１絶縁膜２３ｂ、第２透光性導電層２３ｃの膜厚がそれぞれ設定されている。素子基板と対向基板２０とを接着するシール材４０が設けられる対向基板２０の第２領域Ｅ２には、第１透光性導電層２３ａが配置されている。 （もっと読む）

【課題】画素を透過する光の透過率が高く、光源から発する光を有効に利用可能な電気光学装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の電気光学装置としての液晶装置は、素子基板１０と、画素に配置された透光性の画素電極１５と、素子基板１０と画素電極１５との間に設けられ、誘電体層１６ｂを介して対向配置された一対の透光性電極を有する蓄積容量１６と、蓄積容量１６と画素電極１５との間に設けられた第３層間絶縁膜１４と、を備え、画素を透過する光の分光分布が、少なくとも赤、緑、青の各波長範囲に対応して透過率のピークを有するように、画素電極１５、一対の透光性電極としての第１電極１６ａおよび第２電極１６ｃ、ならびに第３層間絶縁膜１４のそれぞれの膜厚が設定されている。 （もっと読む）

【課題】液晶層内に立設して形成される電極を形成した場合であっても、表示モード効率を向上させることが可能な液晶表示装置を提供することである。
【解決手段】
走査信号線と映像信号線とを有する第二の基板と、前記第二の基板と対向配置される第一の基板とを備え、前記走査信号線と前記映像信号線とで囲まれる画素の領域がマトリクス状に配置される液晶表示装置であって、画素境界に形成され、前記第二の基板の液晶面側から突出する凸状体と、前記凸状体の側壁面に形成される側壁面電極と、前記側壁面電極の底面側から伸延される下端側電極とからなる第一の電極と、前記画素の領域内に形成される第一の線状電極と、前記第二の基板側に形成され、前記前記第一の線状電極と対峙する第二の線状電極と、からなる第二の電極と、を有すると共に、前記画素の領域は、前記第一の電極と前記第二の電極とが第一の方向に延在する第一の画素領域と、第二の方向に延在する第二の画素領域とからなる液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において高品質な表示を行う。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、複数のデータ線（６ａ）及び複数の走査線（１１ａ）と、複数の画素の各々に形成された画素電極（９ａ）と、画素電極をスイッチング制御するトランジスタ（３０）と、トランジスタ遮光部分を有する遮光部（７１）と、トランジスタ遮光部分と重なる第１部分及びトランジスタ遮光部分と重ならない第２部分を有する中継電極（９５）とを備える。更に、画素電極と中継電極とは、第１部分に重なるように開孔された第１コンタクトホール（８６）を介して電気的に接続され、トランジスタと中継電極とは、第２部分に重なるように開孔された第２コンタクトホール（８５）を介して電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】画素部に形成される画素電極やゲート配線及びソース配線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁表面上のゲート電極及びソース配線と、前記ゲート電極及びソース配線上の第１の絶縁層と、前記第１の絶縁膜上の半導体層と、前記半導体膜上の第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上の前記ゲート電極と接続するゲート配線と、前記ソース電極と前記半導体層とを接続する接続電極と、前記半導体層と接続する画素電極とを有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】不良を抑制しつつ微細化を達成した半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁層に凸状部またはトレンチ（溝部）を形成し、該凸状部またはトレンチに接して半導体層のチャネル形成領域を設けることで、チャネル形成領域を基板垂直方向に延長させる。これによって、トランジスタの微細化を達成しつつ、実効的なチャネル長を延長させることができる。また、半導体層成膜前に、半導体層が接する凸状部またはトレンチの上端コーナー部に、Ｒ加工処理を行うことで、薄膜の半導体層を被覆性良く成膜する。 （もっと読む）

【課題】高いコストパフォーマンスを有する電気光学装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】Ｎｃｈトランジスター８２と、外部接続用端子２３（２３ｂ）に接続されたＶＳＳ電源配線７５と、ＶＳＳ電源配線７５と異なる配線層に設けられた第１中継配線８５ｂと、を備え、Ｎｃｈトランジスター８２のソース８８ｄが第１中継配線８５ｂを介してＶＳＳ電源配線７５と接続されている。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物中の酸素欠損を低減し、電気的特性の安定した半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた第１の金属酸化物膜と、第１の金属酸化物膜に接して設けられたソース電極及びドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極上に設けられたパッシベーション膜と、を有し、パッシベーション膜は、第１の絶縁膜と、第２の金属酸化物膜と、第２の絶縁膜とが順に積層された半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】駆動回路部が形成された素子基板に対して、シール材に沿ってイオン性不純物トラップ用の周辺電極を設けた場合でも、駆動回路から出力される信号に影響を及ぼすことを防止することができる液晶装置、および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００の素子基板において、画像表示領域１０ａとシール材１０７とにより挟まれた周辺領域１０ｂには、ダミー画素電極９ｂ等に印加される共通電位Ｖcomとは異なるイオン性不純物トラップ用の電位Ｖtrapが印加された周辺電極８ａが形成されている。周辺電極８ａは、データ線駆動回路部１０１の外側端部１０１ｂ、および走査線駆動回路部１０４の外側端部１０４ｂの外側を通ってシール材１０７に沿って延在しており、データ線および走査線と交差していない。 （もっと読む）

【課題】 反射電極の間を通過する入射光の光量低減が要望されている。
【解決手段】 半導体基板に、複数のスイッチング素子が形成されている。半導体基板の上に、スイッチング素子に対応して配置され、対応するスイッチング素子に接続された反射電極が形成されている。反射電極の上面及び端面を覆い、反射電極の間の領域において、反射電極の底面と同じか、該底面よりも低い位置に上面が配置されているカバー絶縁膜が形成されている。反射電極の間のカバー絶縁膜の上に、遮光膜が形成されている。遮光膜の上面が、反射電極の上面よりも高い位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】液晶容量の変化の検出感度を向上させることができる容量変化検出回路を提供する。
【解決手段】静電容量の変化を検出する容量変化検出回路であって、一方の電極が電圧供給線に接続された第１の可変容量と、前記第１の可変容量の他方の電極に直列に接続された第２の可変容量と、前記第２の可変容量の前記第１の可変容量とは他方の電極に接続され、前記第１の可変容量、及び前記第２の可変容量の容量値に応じた電気信号を出力するスイッチング素子とを備える。 （もっと読む）

【課題】同一の層間膜上に画素電極と、ゲート配線を形成した半導体装置において、マス
ク枚数を追加することなく、液晶の焼きつきや特性劣化を低減する。
【解決手段】ゲート配線上に絶縁膜を設けることで、ゲート配線が非選択の期間に液晶に
かかるゲート電圧の絶対値を減少させることができる。絶縁膜は遮光性樹脂膜、柱状スペ
ーサーで形成すると、マスク枚数の増加を抑えることができる。また、絶縁膜上に画素電
極を形成し、ゲート配線と画素電極が重なり合うようにすることで、画素電極の電界遮蔽
効果によって、液晶にかかるゲート電圧を減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】表示に寄与する画素とダミー画素との境界での表示上の不具合を抑える。
【解決手段】マトリクス状に配列する表示画素１１０ａに対して、ダミー画素１１０ｂは、平面視で表示画素１１０ａを囲むように配列する。駆動回路は、表示画素１１０ａの画素電極の各々に対して、フレームを単位として繰り返し供給された映像データであって、かつ、表示画素１１０ａの各々にそれぞれ対応した映像データで指定された階調レベルに応じた電圧をそれぞれ印加する。一方、ダミー画素１１０ｂの画素電極の各々に対しては、隣り合う表示画素１１０ａについて１フレーム前の映像データで指定された階調レベルに応じた電圧を印加する。 （もっと読む）