電気光学装置及び電子機器
【課題】液晶装置等の電気光学装置において高品質な表示を行う。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、複数のデータ線（６ａ）及び複数の走査線（１１ａ）と、複数の画素の各々に形成された画素電極（９ａ）と、画素電極をスイッチング制御するトランジスタ（３０）と、トランジスタ遮光部分を有する遮光部（７１）と、トランジスタ遮光部分と重なる第１部分及びトランジスタ遮光部分と重ならない第２部分を有する中継電極（９５）とを備える。更に、画素電極と中継電極とは、第１部分に重なるように開孔された第１コンタクトホール（８６）を介して電気的に接続され、トランジスタと中継電極とは、第２部分に重なるように開孔された第２コンタクトホール（８５）を介して電気的に接続されている。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、複数のデータ線（６ａ）及び複数の走査線（１１ａ）と、複数の画素の各々に形成された画素電極（９ａ）と、画素電極をスイッチング制御するトランジスタ（３０）と、トランジスタ遮光部分を有する遮光部（７１）と、トランジスタ遮光部分と重なる第１部分及びトランジスタ遮光部分と重ならない第２部分を有する中継電極（９５）とを備える。更に、画素電極と中継電極とは、第１部分に重なるように開孔された第１コンタクトホール（８６）を介して電気的に接続され、トランジスタと中継電極とは、第２部分に重なるように開孔された第２コンタクトホール（８５）を介して電気的に接続されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置の一例である液晶装置は、例えば投射型表示装置の光変調手段（ライトバルブ）としても多用されている。特に投射型表示装置の場合、光源からの強い光が液晶ライトバルブに入射されるため、この光によって液晶ライトバルブ内の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）がリーク電流の増大や誤動作等を生じないよう、入射光を遮る遮光手段としての遮光膜が液晶ライトバルブに内蔵されている。より具体的には、このような遮光膜は、画素毎に画素電極を駆動するために、例えば表示領域において縦横に交差して配線されたデータ線及び走査線、更には画素毎に走査線及びデータ線に電気的に接続されたＴＦＴを含む各種電子素子等を構成する導電膜の少なくとも一部により形成される。このような基板上における遮光膜が形成された領域、即ち基板上において光を透過させない非開口領域には、画素電極とトランジスタとを電気的に接続させるためのコンタクトホールが開孔される。
【０００３】
例えば特許文献１によれば、トランジスタの上層側に、トランジスタと重なる重畳部分を有する遮光部を配置すると共に、画素電極とトランジスタとを、重畳部分に重なるように開孔されたコンタクトホールによって電気的に接続するという技術が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２６７７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述した技術においては、画素電極とトランジスタとを電気的に接続するコンタクトホールが、データ線と電気的に接続されないように、ある程度の距離をおいて配置されることが求められる。よって、データ線及びコンタクトホールを適切に配置するため、遮光領域を比較的広くしなければならず、結果的に開口領域が狭められてしまうという技術的問題点がある。
【０００６】
本発明は上記問題点等に鑑みてなされたものであり、例えば、アクティブマトリクス方式で駆動される液晶装置等の電気光学装置であって、高い開口率を実現しつつ、トランジスタにおける光リーク電流の発生を低減可能な電気光学装置及び電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上に、互いに交差する複数のデータ線及び複数の走査線と、前記複数のデータ線及び前記複数の走査線の交差に対応して規定され、且つ前記基板上の表示領域を構成する複数の画素の各々に形成された画素電極と、前記複数の画素の各々の開口領域を互いに隔てる非開口領域に、前記表示領域における一の方向に沿って形成されており、前記画素電極をスイッチング制御するトランジスタと、前記非開口領域を少なくとも部分的に規定するように、前記画素電極より下層側且つ前記トランジスタより上層側に形成されており、前記基板上で平面的に見て前記トランジスタの少なくとも一部と前記一の方向に沿って重なると共に前記トランジスタより前記一の方向に交わる他の方向の幅が広いトランジスタ遮光部分を有する遮光部と、前記画素電極より下層側且つ前記遮光部及び前記複数のデータ線より上層側に形成されており、前記基板上で平面的に見て前記トランジスタ遮光部分と重なる第１部分及び前記トランジスタ遮光部分と重ならない第２部分を有する中継電極とを備え、前記画素電極と前記中継電極とは、前記基板上で平面的に見て、前記第１部分に重なるように開孔された第１コンタクトホールを介して電気的に接続され、前記トランジスタと中継電極とは、前記基板上で平面的に見て、前記第２部分に重なるように開孔された第２コンタクトホールを介して電気的に接続されている。
【０００８】
本発明の電気光学装置によれば、例えば、データ線から画素電極への画像信号の供給が制御される、所謂アクティブマトリクス方式による画像表示が可能となる。より具体的には、各画素は、トランジスタのゲート電極に走査線より走査信号が供給されることにより選択状態となり、トランジスタの半導体層の一方のソースドレイン領域がデータ線と互いに電気的に接続され且つ他方のソースドレイン領域が画素電極と互いに電気的に接続されることにより、トランジスタを介して、画素電極にデータ線から画像信号が供給される。
【０００９】
ここで、本発明に係る「開口領域」とは、実質的に表示光を出射させる画素内の領域であり、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電材料からなる画素電極が形成され、光が透過する領域であって、透過率の変更に応じて液晶等の電気光学物質を抜けてきた出射光の階調を変化させることが可能となる領域である。言い換えれば、「開口領域」とは、画素に集光される光が光を透過させない、或いは光透過率が透明電極に比べて相対的に小さい配線、遮光膜、及び各種素子等の遮光体で遮られることがない領域を意味する。他方、本発明に係る「非開口領域」とは、表示に寄与する光が透過しない領域を意味し、例えば画素内に非透明な配線或いは電極、若しくは各種素子等の遮光体が配設されている領域を意味する。更に、「開口率」とは、開口領域及び非開口領域を加えた画素のサイズにおける開口領域の割合を意味する。
【００１０】
本発明では、画素電極は、データ線及び走査線の交差に対応して、基板上において表示領域となるべき領域にマトリクス状に複数設けられている。また、各画素で、データ線及び走査線、トランジスタ、及びその他、画素を駆動するための各種構成要素は、非開口領域に形成される。
【００１１】
本発明では、トランジスタは、表示領域における一の方向に沿って形成される。本発明に係る「一の方向」とは、例えば基板上でマトリクス状に規定された複数の画素の行方向、即ち複数のデータ線が配列される配列方向或いは複数の走査線の各々が延びる方向（即ちＸ方向）、又は例えば基板上でマトリクス状に規定された複数の画素の列方向、即ち複数の走査線が配列される配列方向或いは複数のデータ線の各々が延びる方向（即ちＹ方向）を意味する。
【００１２】
本発明では特に、遮光部が、各画素において非開口領域を少なくとも部分的に規定するように、画素電極より下層側且つトランジスタより上層側に形成される。更に、遮光部におけるトランジスタ遮光部分は、基板上で平面的に見てトランジスタの少なくとも一部と一の方向に沿って重なる。加えて、トランジスタ遮光部分は、トランジスタより一の方向に交わる他の方向の幅が広い。即ち、トランジスタ遮光部分は、トランジスタの少なくとも一部を覆うように形成される。よって、トランジスタの少なくとも一部に入射する光を効果的に遮光することができ、トランジスタに入射される光の量を低減することが可能となる。これにより、トランジスタにおける光リーク電流の発生を確実に低減することができる。特に、トランジスタにおける、例えば経験的に光リーク電流が発生し易い箇所に対して、トランジスタ遮光部分を重なるように配置し入射される光を遮光することで、より効果的に光リーク電流の発生を低減することが可能となる。
【００１３】
尚、遮光部は、上述したトランジスタ遮光部分以外に、例えば一の方向と交わる他の方向に沿った部分を有するように形成されてもよく、このようなトランジスタ遮光部分以外の部分によって、トランジスタ或いは他の遮光されるべき領域が遮光されるようにすることも可能である。
【００１４】
本発明では更に、画素電極より下層側且つ遮光部及び複数のデータ線より上層側に、中継電極が形成されている。中継電極は、基板上で平面的に見て、遮光部におけるトランジスタ遮光部分と重なる第１部分及びトランジスタ遮光部分と重ならない第２部分を有している。即ち、中継電極は、トランジスタ遮光部分に重なる位置から遮光部分に重ならない位置にまで延在している。第２部分は、具体的には、一の方向と交わる他の方向に沿った非開口領域や、一の方向に沿った非開口領域のうちトランジスタ遮光部分と重ならない領域である。
【００１５】
ここで画素電極と中継電極とは、基板上で平面的に見て、中継電極の第１部分に重なるように開孔された第１コンタクトホールを介して電気的に接続されている。よって、画素電極と中継電極とは、トランジスタ遮光部分と重なる領域において電気的に接続される。また、トランジスタと中継電極とは、基板上で平面的に見て、中継電極の第２部分に重なるように開孔された第２コンタクトホールを介して電気的に接続されている。よって、トランジスタと中継電極とは、少なくとも部分的にトランジスタ遮光部分と重ならない領域を介して電気的に接続される。このため、中継電極とトランジスタとを、例えば中継電極とトランジスタとの間の層に形成された部位に対して電気的な接続を持たせないように接続する場合に、トランジスタ遮光部分を必要以上に広げずに構成することができる。
【００１６】
具体的には、例えば中継電極とトランジスタとの間にデータ線が形成されている場合、仮に上述した中継電極が形成されていないとすると、データ線と中継電極及びトランジスタ間を電気的に接続するコンタクトホールとは、トランジスタ遮光部分に重なる領域に、互いに距離を置くように形成される。これにより、トランジスタ遮光部分は、トランジスタを遮光するという目的のみならず、上述した部材を配置するための領域を確保する目的で広さが決定される。即ち、遮光には必要とされない部分にまでトランジスタ遮光部分が形成されてしまう。
【００１７】
しかるに本発明では特に、上述したように、中継電極はトランジスタ遮光部分と重ならない第２部分を有しており、第２部分に重なるように形成された第２コンタクトホールによって、トランジスタと中継電極とが電気的に接続される。即ち、トランジスタと中継電極とは、少なくとも部分的に、トランジスタ遮光部分と重ならない領域において電気的に接続される。従って、トランジスタ遮光部分の面積を必要以上に広くせずに、トランジスタと中継電極とを電気的に接続することができる。尚、典型的には、画素電極と中継電極とは、第１コンタクトホールを介して直接的に電気的に接続されるが、トランジスタと中継電極とは、第２コンタクトホールに加えて、他のコンタクトホールを介して電気的に接続される。
【００１８】
以上説明したように、本発明の電気光学装置によれば、各画素で、光リーク電流の発生を低減しつつ開口率を向上させることができ、その結果、高品質な表示が可能となる。
【００１９】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記複数のデータ線は、前記基板上で平面的に見て、前記トランジスタ遮光部分と少なくとも部分的に重なる重畳部分を有しており、前記第１コンタクトホールは、前記基板上で平面的に見て、前記重畳部分と少なくとも部分的に重なるように開孔されている。
【００２０】
この態様によれば、複数のデータ線は、基板上で平面的に見て、トランジスタ遮光部分と少なくとも部分的に重なる重畳部分を有するように形成される。そして、画素電極と中継電極とを電気的に接続する第１コンタクトホールは、基板上で平面的に見て、上述した重畳部分と少なくとも部分的に重なるように開孔されている。よって、画素電極と中継電極とは、非開口領域において、確実に電気的に接続される。
【００２１】
また、トランジスタと中継電極とを電気的に接続する第２コンタクトホールは、上述したように、トランジスタ遮光領域とは重ならない領域に形成されている。よって、データ線と第２コンタクトホールとが互いに電気的に接続されてしまう、或いは互いの距離が近接し過ぎてしまうことによって、装置に不具合が生じてしまうことを効果的に防止することができる。
【００２２】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記データ線と同層に、且つ前記データ線と電気的に接続されないように形成されると共に、前記トランジスタと電気的に接続された中継層を更に備え、前記第２のコンタクトホールは、前記中継電極と前記中継層とを電気的に接続することで、前記トランジスタと前記中継電極とを電気的に接続している。
【００２３】
この態様によれば、データ線と同層（即ち、同一の成膜工程によって形成される層）には、トランジスタと電気的に接続された中継層が備えられている。中継層とトランジスタとは、例えばトランジスタ遮光部分とは重ならない領域に開口されたコンタクトホール等によって電気的に接続されている。また、中継電極と中継層とは、第２コンタクトホールによって互いに電気的に接続されている。これにより、トランジスタと中継電極とが電気的に接続される。
【００２４】
ここで中継層は、データ線と電気的に接続されないように形成されている。よって、データ線と、中継電極及びトランジスタ間を接続する部材が電気的に接続されてしまうことを防止できる。よって、装置に不具合が生じてしまうことを効果的に防止することができる。
【００２５】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記中継電極は、透明電極である。
【００２６】
この態様によれば、中継電極は、例えばＩＴＯ等の透明な材料によって構成された透明電極である。よって、例えば中継電極が開口領域にまで延在するような場合であっても、開口率は変化しない。このため、中継電極は、他の配線や電極等を避けつつ好適に配置される。従って、装置構成のレイアウトの自由度を高めつつ、高い開口率を実現できる。
【００２７】
上述した中継電極が透明電極である態様では、前記中継電極は、前記基板上で平面的に見て、前記開口領域に少なくとも部分的に重なるように形成されており、前記第１コンタクトホールを介して電気的に接続された前記画素電極と蓄積容量を形成しているように構成してもよい。
【００２８】
この場合には、透明電極である中継電極は、基板上で平面的に見て開口領域と少なくとも部分的に重なるように形成される。そして、中継電極と画素電極との間には、例えば誘電体膜が設けられ蓄積容量が形成される。
【００２９】
中継電極と画素電極とによって蓄積容量を形成することで、表示特性を向上させることが可能となる。また、上述したように形成される蓄積容量は、例えば開口領域全体で形成されることも可能であるため、非開口領域において形成される蓄積容量と比較して、極めて大きな容量を保持可能とすることができる。よって、効果的に画質を向上させることが可能となる。
【００３０】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記中継電極は、前記第１コンタクトホールを介して電気的に接続された前記画素電極とは異なる他の画素電極に対して、所定距離の間隔を有するように形成されている。
【００３１】
この態様によれば、中継電極と、該中継電極と第１コンタクトホールを介して電気的に接続される画素電極とは異なる他の画素電極とは、所定の間隔を有するように形成されている。即ち、中継電極と電気的に接続されるべきでない画素電極とは、所定距離の間隔を有するように形成される。尚、ここでの「所定距離」とは、容量カップリングを引き起こさない程度の距離を意味している。即ち、中継電極と他の画素電極とが所定距離の間隔を有することで、容量カップリングが発生してしまうことを防止している。容量カップリングを防止することで、装置における不具合を効果的に防止することが可能である。
【００３２】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記トランジスタは、チャネル領域と、前記データ線に電気的に接続されたデータ線側ソースドレイン領域と、前記画素電極に電気的に接続された画素電極側ソースドレイン領域と、前記チャネル領域及び前記データ線側ソースドレイン領域間に形成された第１の接合領域と、前記チャネル領域及び前記画素電極側ソースドレイン領域間に形成された第２の接合領域を有する半導体層を有する。
【００３３】
この態様によれば、トランジスタの半導体層において、第１の接合領域は、チャネル領域とデータ線側ソースドレイン領域との接合部に形成される領域であり、第２の接合領域は、チャネル領域と画素電極側ソースドレイン領域との接合部に形成される領域である。即ち、第１及び第２の接合領域は、例えば、トランジスタが例えばＮＰＮ型或いはＰＮＰ型トランジスタ（即ち、Ｎチャネル型或いはＰチャネル型トランジスタ）として形成された場合におけるＰＮ接合領域や、トランジスタがＬＤＤ構造を有する場合におけるＬＤＤ領域（即ち、例えばイオンプランテーション法等の不純物打ち込みによって半導体層に不純物を打ち込んでなる不純物領域）を意味する。
【００３４】
ここで、上述したトランジスタを構成する領域のうち、第１及び第２の接合領域は、光リーク電流が相対的に発生し易い傾向にある。本態様では、遮光部によって、半導体層の第１及び第２の接合領域に入射する光を遮光することが可能である。従って、効果的にトランジスタにおける光リーク電流の発生を低減することが可能となる。
【００３５】
上述したトランジスタが第１及び第２の接合領域を有する態様では、前記第１及び第２の接合領域は、ＬＤＤ領域であるように構成してもよい。
【００３６】
この場合には、ＬＤＤ構造を有するトランジスタについて、トランジスタの非動作時において、データ線側ソースドレイン領域及び画素電極側ソースドレイン領域に流れるオフ電流を低減し、且つトランジスタの動作時に流れるオン電流の低下を抑制できる。特に、チャネル領域及び画素電極側ソースドレイン領域間に形成された第２の接合領域は、光リーク電流が発生し易い。よって、第２の接合領域を遮光部によって遮光することで、効果的にオン電流の低下を抑制できる。
【００３７】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様も含む）を具備する。
【００３８】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明に係る電気光学装置を具備してなるので、高品質な表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置等も実現することも可能である。
【００３９】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【図３】本実施形態に係る電気光学装置の画像表示領域を構成する各種素子、配線等の等価回路図である。
【図４】第１実施形態に係る電気光学装置における相隣接する複数の画素部の平面図である。
【図５】図４のＡ−Ａ’線断面図である。
【図６】第２実施形態に係る電気光学装置における相隣接する複数の画素部の平面図である。
【図７】図６のＢ−Ｂ’線断面図である。
【図８】第２実施形態に係る電気光学装置の変形例を示す平面図である。
【図９】電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４１】
以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。
【００４２】
＜電気光学装置＞
本実施形態に係る電気光学装置について、図１から図８を参照して説明する。尚、以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
【００４３】
＜第１実施形態＞
先ず、本実施形態に係る電気光学装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに図１は、本実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示す平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【００４４】
図１及び図２において、本実施形態に係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば石英基板、ガラス基板等の透明基板や、シリコン基板等である。対向基板２０は、例えば石英基板、ガラス基板等の透明基板である。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が封入されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で所定の配向状態をとる。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、複数の画素電極が設けられた画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００４５】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（即ち、基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。尚、ギャップ材を、シール材５２に混入されるものに加えて若しくは代えて、画像表示領域１０ａ又は画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域に、配置するようにしてもよい。
【００４６】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。尚、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００４７】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。
【００４８】
ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００４９】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。この積層構造の詳細な構成については図２では図示を省略してあるが、この積層構造の上に、ＩＴＯ等の透明材料からなる画素電極９ａが、画素毎に所定のパターンで島状に形成されている。
【００５０】
画素電極９ａは、対向電極２１に対向するように、ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａに形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０における液晶層５０の面する側の表面、即ち画素電極９ａ上には、配向膜１６が画素電極９ａを覆うように形成されている。
【００５１】
対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば対向基板２０における対向面上に平面的に見て、格子状に形成されている。対向基板２０において、遮光膜２３によって非開口領域が規定され、遮光膜２３によって区切られた領域が、例えばプロジェクタ用のランプや直視用のバックライトから出射された光を透過させる開口領域となる。尚、遮光膜２３をストライプ状に形成し、該遮光膜２３と、ＴＦＴアレイ基板１０側に設けられたデータ線等の各種構成要素とによって、非開口領域を規定するようにしてもよい。
【００５２】
遮光膜２３上には、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向するように形成されている。また遮光膜２３上には、画像表示領域１０ａにおいてカラー表示を行うために、開口領域及び非開口領域の一部を含む領域に、図２には図示しないカラーフィルタが形成されるようにしてもよい。対向基板２０の対向面上における、対向電極２１上には、配向膜２２が形成されている。
【００５３】
尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等の駆動回路に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００５４】
次に、本実施形態に係る電気光学装置の画素部の電気的な構成について、図３を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
【００５５】
図３において、画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素の各々には、画素電極９ａ及び本発明の「トランジスタ」の一例であるＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極９ａに電気的に接続されており、本実施形態に係る電気光学装置の動作時に画素電極９ａをスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線６ａは、ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００５６】
ＴＦＴ３０のゲートには、走査線１１ａが電気的に接続されており、本実施形態に係る電気光学装置は、所定のタイミングで、走査線１１ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。
【００５７】
液晶層５０（図２参照）を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。
【００５８】
ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１（図２参照）との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０は、画像信号の供給に応じて各画素電極９ａの電位を一時的に保持する保持容量として機能する容量素子である。蓄積容量７０の一方の電極は、画素電極９ａと並列してＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続され、他方の電極は、定電位となるように、電位固定の容量線３００に電気的に接続されている。蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性が向上し、コントラスト向上やフリッカの低減といった表示特性の向上が可能となる。
【００５９】
次に、上述の動作を実現する画素部の具体的な構成について、図４及び図５を参照して説明する。ここに図４は、第１実施形態に係る電気光学装置における相隣接する複数の画素部の平面図であり、図５は、図４のＡ−Ａ’線断面図である。尚、図４及び図５では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。この点については、後の図６以降についても同様である。また、図４及び図５では、電気光学装置のＴＦＴアレイ基板１０側における画素の主要な構成のみについて示してあり、以下ではこの構成について特に詳細に説明する。図４では、説明の便宜上、画素毎に設けられるトランジスタを１つのみ示し、他のトランジスタを省略すると共に、図３で示したデータ線に交差するように形成される走査線を省略して図示している。
【００６０】
図４或いは図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａは、画素電極９ａが夫々設けられた複数の画素によって構成されている。
【００６１】
画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上に、マトリクス状に複数設けられている。画素電極９ａの縦横の境界にそれぞれ沿ってデータ線６ａ及び走査線１１ａが設けられている。走査線１１ａは、図３又は図４中Ｘ方向に沿って延びており、データ線６ａは、走査線１１ａと交差するように、同図中Ｙ方向に沿って延びている。走査線１１ａ及びデータ線６ａが互いに交差する個所の各々には画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。
【００６２】
データ線６ａ、走査線１１ａ、蓄積容量７０、ＴＦＴ３０、中継層９０及び中継電極９５は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、画素電極９ａが配置される各画素の開口領域を規定する非開口領域内に配置されている。
【００６３】
図４及び図５において、ＴＦＴ３０は、半導体層１ａと、走査線１１ａと電気的に接続されたゲート電極３ａとを備えている。
【００６４】
半導体層１ａは、例えばポリシリコンからなり、図４中Ｙ方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域１ａ´、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ、並びにデータ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅからなる。即ち、ＴＦＴ３０はＬＤＤ構造を有している。尚、データ線側ＬＤＤ領域１ｂは、本発明に係る「第１の接合領域」の一例であり、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃは、本発明に係る「第２の接合領域」の一例である。
【００６５】
図４に示すように、データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅは、チャネル領域１ａ´を基準として、Ｙ方向に沿ってほぼミラー対称に形成されている。データ線側ＬＤＤ領域１ｂは、チャネル領域１ａ´及びデータ線側ソースドレイン領域１ｄ間に形成されている。画素電極側ＬＤＤ領域１ｃは、チャネル領域１ａ´及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅ間に形成されている。データ線側ＬＤＤ領域１ｂ、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ、データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅは、例えばイオンプランテーション法等の不純物打ち込みによって半導体層１ａに不純物を打ち込んでなる不純物領域である。データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃはそれぞれ、データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅよりも不純物の少ない低濃度な不純物領域として形成される。このような不純物領域によれば、ＴＦＴ３０の非動作時において、ソース領域及びドレイン領域に流れるオフ電流を低減し、且つＴＦＴ３０の動作時に流れるオン電流の低下を抑制できる。尚、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有することが好ましいが、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよいし、ゲート電極をマスクとして不純物を高濃度に打ち込んでデータ線側ソースドレイン領域及び画素電極側ソースドレイン領域を形成する自己整合型であってもよい。
【００６６】
図４及び図５において、ＴＦＴ３０のゲート電極３ａは、走査線１１ａの一部として形成されており、例えば導電性ポリシリコンから形成されている。ゲート電極３ａ及び半導体層１ａ間は、ゲート絶縁膜２によって電気的に絶縁されている。またゲート電極３ａは、図示しないコンタクトホール等によって走査線１１ａと電気的に接続されている。
【００６７】
走査線１１ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上において、ＴＦＴ３０より下層側に下地絶縁膜１２を介して形成されている。走査線１１ａは、ＴＦＴアレイ基板１０側から装置内に入射する戻り光からＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´及びその周辺を遮光する。即ち、走査線１１ａは、下側遮光膜としても機能する。走査線１１ａは、例えば、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、パラジウム（Ｐｄ）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。
【００６８】
下地絶縁膜１２は、走査線１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用ＴＦＴ３０の特性の劣化を防止する機能を有する。
【００６９】
図５において、ＴＦＴアレイ基板１０上のＴＦＴ３０よりも層間絶縁膜４１を介して上層側には、蓄積容量７０が設けられている。蓄積容量７０は、ＴＦＴアレイ基板１０上において下層側から順次積層された下部容量電極７１及び上部容量電極３００が誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。
【００７０】
下部容量電極７１は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域１ｅ及び中継層９０に電気的に接続された画素電位側容量電極である。より具体的には、下部容量電極７１は、コンタクトホール８４を介して中継層９０に電気的に接続されると共に、画素電極側ソースドレイン領域１ｅにコンタクトホール８３を介して電気的に接続されており、画素電極側ソースドレイン領域１ｅ及び中継層９０間の電気的な接続を中継する。
【００７１】
下部容量電極７１は、例えば金属又は合金を含んでＴＦＴ３０の上側に設けられた非透明な金属膜である。下部容量電極７１は、後述するようにＴＦＴ３０を遮光する上側遮光膜（或いは、内蔵遮光膜）としても機能する。下部容量電極７１は、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）等の金属を含んで形成されている。
【００７２】
尚、下部容量電極７１は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｄ（パラジウム）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したものから構成されていてもよい。この場合には、下部容量電極７１の上側遮光膜としての機能を一層高めることができる。
【００７３】
上部容量電極３００は、その構成について詳細な図示を省略するが、ＴＦＴアレイ基板１０上において、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａ（図１参照）からその周囲に延設されている。上部容量電極３００は、定電位源と電気的に接続され、固定電位に維持された固定電位側容量電極である。
【００７４】
上部容量電極３００も、下部容量電極７１と同様に非透明な金属膜である。従って、蓄積容量７０は、金属膜−誘電体膜（絶縁膜）−金属膜の３層構造を有する、所謂ＭＩＭ構造を有している。よって、このような蓄積容量７０の構成によれば、一対の上部及び下部容量電極３００及び７１に供給される各種信号に応じて当該一対の容量電極で消費される消費電力を低減できる。加えて、一対の容量電極のいずれか一方を半導体層により形成する場合と比べて、この一方の電極における導電率を高め、蓄積容量７０の保持容量としての機能をより向上させて、高速動作が可能となる。
【００７５】
誘電体膜７５ａは、例えばＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン膜、或いは窒化シリコン膜等から構成された単層構造、或いは多層構造を有している。
【００７６】
本実施形態では、ＴＦＴアレイ基板１０側の走査線１１ａやデータ線６ａ、蓄積容量７０、走査線１１ａの各種構成要素が遮光性を有する導電膜により形成されることにより、図２を参照して説明した対向基板２０側の遮光膜２３に加えて、これらＴＦＴアレイ基板１０側の各種構成要素によって、各画素において非開口領域が規定される。特に、蓄積容量７０の上部及び下部容量電極３００及び７１は夫々、上述したように金属膜により形成されることにより遮光性を有し、これらによって各画素で非開口領域が部分的に規定される。本実施形態では、このように蓄積容量７０を本発明に係る「遮光部」の一例として機能させることにより、各画素を構成する各種構成要素の配置に係る構成をより簡略化することができる。
【００７７】
また、蓄積容量７０の下部容量電極７１は、平面的に見て、ＴＦＴアレイ基板１０上で、ＴＦＴ３０の半導体層１ａより上層側で、半導体層１ａの少なくとも一部とＹ方向に沿って重なるように配置される部分を有している。より具体的には、平面的に見て、データ線側ソースドレイン領域１ｄの一部と、図６中Ｙ方向に沿って、該一部からそれよりも同図中下側に配置された、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ、チャネル領域１ａ’、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ、及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅを含む半導体層１ａの一部に対して重なるように配置される。よって、本実施形態では、ＴＦＴアレイ基板１０上において、各画素で、半導体層１ａの一部に入射する光を下部容量電極７１によって遮光することにより、半導体層１ａに入射される光の量を低減することが可能となる。これにより、ＴＦＴ３０の半導体層１ａにおいて、光リーク電流の発生を低減することができる。
【００７８】
ここで特に、本願発明者の研究によれば、ＴＦＴ３０の動作時に、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃでは、データ線側ＬＤＤ領域１ｂに比べて光リーク電流が相対的に発生しやすい傾向にある。本実施形態に係る電気光学装置では、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃを、データ線６ａ及び走査線１１ａが交差する交差領域に配置すると共に、下部容量電極７１によっても遮光を行っている。よって、半導体層１ａの画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに入射しようとする光を効果的に遮光することができる。その結果、より効果的にＴＦＴ３０における光リーク電流の発生を低減することが可能となる。
【００７９】
図４及び図５において、ＴＦＴアレイ基板１０上の蓄積容量７０よりも層間絶縁膜４２を介して上層側には、データ線６ａ及び同一の導電膜からデータ線６ａと同時にパターニングされて形成された中継層９０が設けられている。
【００８０】
データ線６ａは、半導体層１ａのデータ線側ソースドレイン領域１ｄに、層間絶縁膜４１及び４２並びにゲート絶縁膜２を貫通するコンタクトホール８１を介して電気的に接続されている。データ線６ａ及びコンタクトホール８１内部は、例えば、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｃｕ等のＡｌ（アルミニウム）含有材料、又はＡｌ単体、若しくはＡｌ層とＴｉＮ層等との多層膜からなる。尚、データ線６ａは、ＴＦＴ３０を遮光する機能も有している。
【００８１】
ＴＦＴアレイ基板１０上のデータ線６ａ及び中継層９０よりも層間絶縁膜４３を介して上層側には、中継電極９５が設けられている。中継電極９５は、例えばＩＴＯ等によって構成されており、トランジスタ３０と重なる領域から走査線１１ａが配置される方向に沿って延在している。中継電極９５は、本発明の「第２コンタクトホール」の一例であるコンタクトホール８５によって、中継層９０と電気的に接続されている。
【００８２】
画素電極９ａは、中継電極９５より層間絶縁膜４４を介して上層側に形成されている。画素電極９ａは、本発明の「第１コンタクトホール」の一例であるコンタクトホール８６によって、中継電極９５と電気的に接続されている。これにより、画素電極９ａは、中継電極９５、中継層９０及び下部容量電極７１を介して半導体層１ａの画素電極側ソースドレイン領域１ｅに電気的に接続される。即ち、画素電極９ａ及びＴＦＴ３０は電気的に接続される。尚、画素電極９ａの上側表面には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜（図示せず）が設けられている。
【００８３】
コンタクトホール８６は、図４に示すように、遮光部としての下部容量電極７１の中央部分に重なるように形成されている。よって、画素電極９ａと中継電極９５とを、ＴＦＴ３０に対する遮光領域（所謂、ピンポイント遮光領域）において電気的に接続することができる。また、上述したように、中継電極９５と中継層９０とは、ＴＦＴ３０から離れた位置（即ち、ピンポイント遮光領域に重ならない領域）において、コンタクトホール８５を介して電気的に接続されている。
【００８４】
ここで仮に、中継電極９５及び中継層９０が設けられていないとすると、画素電極９ａは、ピンポイント遮光領域において、下部容量電極７１と電気的に接続されることが要求される。よって、例えば画素電極９ａ及び下部容量電極７１間に存在するデータ線６ａ等と接触しないように、データ線６ａがコンタクトホールを避けるようにして配置されることが求められてしまう。これにより、下部容量電極７１は、ＴＦＴ３０を遮光するという目的のみならず、上述した部材を配置するための領域を確保する目的で広さが決定される。即ち、遮光には必要とされない部分にまで非開口領域が拡大されてしまう。
【００８５】
しかるに本実施形態に係る電気光学装置では、上述したように、画素電極９ａは、中継電極９５及び中継層９０を介して、下部容量電極７１に電気的に接続される。よって、下部容量電極７１の面積を必要以上に広くせずに、画素電極９ａとＴＦＴ３０とを電気的に接続することができる。従って、下部容量電極７１と画素電極９ａとが重なってしまう領域が増加して、開口率が低下してしまうことを防止することができる。
【００８６】
以上に説明した画素部の構成は、図４に示すように、各画素部に共通である。そして、ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａ（図１参照）には、かかる画素部が周期的に形成されていることになる。また、本実施形態に係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域に、図１及び図２を参照して説明したように、走査線駆動回路１０４及びデータ線駆動回路１０１等の駆動回路が形成されている。
【００８７】
以上説明したように、第１実施形態に係る電気光学装置によれば、各画素で、光リーク電流の発生を防止しつつ開口領域のサイズをより大きく確保して開口率を向上させることが可能となり、その結果、高品質な表示を行うことができる。
【００８８】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態に係る電気光学装置について、図６から図８を参照して説明する。ここに図６は、第２実施形態に係る電気光学装置における相隣接する複数の画素部の平面図であり、図７は、図６のＢ−Ｂ’線断面図である。また図８は、第２実施形態に係る電気光学装置の変形例を示す平面図である。尚、第２実施形態は、上述の第１実施形態と比べて、トランジスタの構成が異なり、その他の構成については概ね同様である。このため第２実施形態では、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。また、図６から図８では、図４及び図５に示した第１実施形態に係る構成要素と同様の構成要素に同一の参照符合を付している。
【００８９】
図６及び図７において、第２実施形態に係る電気光学装置では、ＴＦＴ３０が走査線１１ａの延びる方向（即ち、図中のＸ方向）に延在するように設けられている。ＴＦＴ３０におけるゲート電極３ａは、半導体層１ａの脇に設けられたコンタクトホール８２を介して、走査線１１ａと電気的に接続されている。コンタクトホール８２は、半導体層１ａに対して斜めに入射しようとする光を遮光するという機能も備えている。
【００９０】
ＴＦＴ３０より層間絶縁膜４１を介して上層側には、データ線６ａ及び中継層９０が形成されている。データ線６ａは、コンタクトホール８１を介して、ＴＦＴ３０におけるデータ線側ソースドレイン領域１ｄと電気的に接続されている。また中継層９０は、コンタクトホール８３を介して、ＴＦＴ３０における画素電極側ソースドレイン領域１ｅと電気的に接続されている。
【００９１】
データ線６ａ及び中継層９０より層間絶縁膜４２を介して上層側には、蓄積容量７０が設けられている。蓄積容量７０は、上述した第１実施形態と同様に、ＴＦＴアレイ基板１０上において下層側から順次積層された下部容量電極７１及び上部容量電極（容量線）３００が誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。但し、容量線３００は、図６に示すように、図中のＹ方向で、他の画素における容量線３００と電気的に接続されている。これにより、例えば図４で示した第１実施形態に係る電気光学装置のように、コンタクトホール８４を避けるために、容量線３００が部分的に細く形成されてしまうことを防止することができる。よって、容量線３００における抵抗値を十分に低下させることができ、装置の安定した動作を確保することが可能となる。
【００９２】
下部容量電極７１は、本発明に係る「遮光部」としての機能も有しており、ＴＦＴ３０（特に、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ）に上層側から入射しようとする光を遮光する。これにより、半導体層１ａに入射される光の量は低減され、ＴＦＴ３０の半導体層１ａにおいて、光リーク電流の発生を低減することができる。
【００９３】
蓄積容量７０より層間絶縁膜４３を介して上層側には、中継電極９５が設けられている。中継電極９５は、コンタクトホール８５を介して、下部容量電極７１と電気的に接続されている。
【００９４】
中継電極９５より層間絶縁膜４４を介して上層側には、画素電極９ａが設けられている。画素電極９ａは、コンタクトホール８６を介して、中継電極９５と電気的に接続されている。
【００９５】
コンタクトホール８６は、図６に示すように、ＴＦＴ３０に対するピンポイント遮光領域に設けられている。また、コンタクトホール８５は、ＴＦＴ３０から離れた位置（即ち、ピンポイント遮光領域に重ならない領域）に設けられている。よって、上述した第１実施形態と同様に、下部容量電極７１の面積を必要以上に広くせずに、画素電極９ａとＴＦＴ３０とを電気的に接続することができる。従って、下部容量電極７１と画素電極９ａとが重なってしまう領域が増加して、開口率が低下してしまうことを防止することができる。
【００９６】
図８において、中継電極９５が、例えばＩＴＯ等の透明な材料によって透明電極として形成されている場合には、画素電極９ａと中継電極９５とが、開口領域において互いに重なるように形成されてもよい。例えば、図に示すように、中継電極９５を開口領域に迂回させるような形状とすれば、中継電極９５と図の右下における画素電極９ａとの互いの距離を、図６に示す場合と比べて大きくすることができる。これにより、中継電極９５と該中継電極９５に電気的に接続されるべきでない画素電極９ａとの間に容量カップリングが発生してしまうことを防止することができる。よって、装置の動作をより安定させることが可能である。
【００９７】
以上説明したように、第２実施形態に係る電気光学装置によれば、第１実施形態に係る電気光学装置と同様に、各画素で、光リーク電流の発生を防止しつつ開口領域のサイズをより大きく確保して開口率を向上させることが可能となり、その結果、高品質な表示を行うことができる。
【００９８】
＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。ここに図９は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。以下では、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。
【００９９】
図９に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。
【０１００】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【０１０１】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【０１０２】
尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【０１０３】
尚、図９を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【０１０４】
また、本発明は上述の各実施形態で説明した液晶装置以外にも反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。
【０１０５】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【０１０６】
１ａ…半導体層、１ａ’…チャネル領域、１ｂ…データ線側ＬＤＤ領域、１ｃ…画素電極側ＬＤＤ領域、１ｄ…データ線側ソースドレイン領域、１ｅ…画素電極側ソースドレイン領域、２…ゲート酸化膜、３ａ…ゲート電極、６ａ…データ線、９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１１ａ…走査線、２０…対向基板、３０…ＴＦＴ、５０…液晶層、７０…蓄積容量、７１…下部容量電極、７５…誘電体膜、１０１…データ線駆動回路、１０２…外部回路接続端子、１０４…走査線駆動回路、３００…容量線。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置の一例である液晶装置は、例えば投射型表示装置の光変調手段（ライトバルブ）としても多用されている。特に投射型表示装置の場合、光源からの強い光が液晶ライトバルブに入射されるため、この光によって液晶ライトバルブ内の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）がリーク電流の増大や誤動作等を生じないよう、入射光を遮る遮光手段としての遮光膜が液晶ライトバルブに内蔵されている。より具体的には、このような遮光膜は、画素毎に画素電極を駆動するために、例えば表示領域において縦横に交差して配線されたデータ線及び走査線、更には画素毎に走査線及びデータ線に電気的に接続されたＴＦＴを含む各種電子素子等を構成する導電膜の少なくとも一部により形成される。このような基板上における遮光膜が形成された領域、即ち基板上において光を透過させない非開口領域には、画素電極とトランジスタとを電気的に接続させるためのコンタクトホールが開孔される。
【０００３】
例えば特許文献１によれば、トランジスタの上層側に、トランジスタと重なる重畳部分を有する遮光部を配置すると共に、画素電極とトランジスタとを、重畳部分に重なるように開孔されたコンタクトホールによって電気的に接続するという技術が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２６７７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述した技術においては、画素電極とトランジスタとを電気的に接続するコンタクトホールが、データ線と電気的に接続されないように、ある程度の距離をおいて配置されることが求められる。よって、データ線及びコンタクトホールを適切に配置するため、遮光領域を比較的広くしなければならず、結果的に開口領域が狭められてしまうという技術的問題点がある。
【０００６】
本発明は上記問題点等に鑑みてなされたものであり、例えば、アクティブマトリクス方式で駆動される液晶装置等の電気光学装置であって、高い開口率を実現しつつ、トランジスタにおける光リーク電流の発生を低減可能な電気光学装置及び電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上に、互いに交差する複数のデータ線及び複数の走査線と、前記複数のデータ線及び前記複数の走査線の交差に対応して規定され、且つ前記基板上の表示領域を構成する複数の画素の各々に形成された画素電極と、前記複数の画素の各々の開口領域を互いに隔てる非開口領域に、前記表示領域における一の方向に沿って形成されており、前記画素電極をスイッチング制御するトランジスタと、前記非開口領域を少なくとも部分的に規定するように、前記画素電極より下層側且つ前記トランジスタより上層側に形成されており、前記基板上で平面的に見て前記トランジスタの少なくとも一部と前記一の方向に沿って重なると共に前記トランジスタより前記一の方向に交わる他の方向の幅が広いトランジスタ遮光部分を有する遮光部と、前記画素電極より下層側且つ前記遮光部及び前記複数のデータ線より上層側に形成されており、前記基板上で平面的に見て前記トランジスタ遮光部分と重なる第１部分及び前記トランジスタ遮光部分と重ならない第２部分を有する中継電極とを備え、前記画素電極と前記中継電極とは、前記基板上で平面的に見て、前記第１部分に重なるように開孔された第１コンタクトホールを介して電気的に接続され、前記トランジスタと中継電極とは、前記基板上で平面的に見て、前記第２部分に重なるように開孔された第２コンタクトホールを介して電気的に接続されている。
【０００８】
本発明の電気光学装置によれば、例えば、データ線から画素電極への画像信号の供給が制御される、所謂アクティブマトリクス方式による画像表示が可能となる。より具体的には、各画素は、トランジスタのゲート電極に走査線より走査信号が供給されることにより選択状態となり、トランジスタの半導体層の一方のソースドレイン領域がデータ線と互いに電気的に接続され且つ他方のソースドレイン領域が画素電極と互いに電気的に接続されることにより、トランジスタを介して、画素電極にデータ線から画像信号が供給される。
【０００９】
ここで、本発明に係る「開口領域」とは、実質的に表示光を出射させる画素内の領域であり、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電材料からなる画素電極が形成され、光が透過する領域であって、透過率の変更に応じて液晶等の電気光学物質を抜けてきた出射光の階調を変化させることが可能となる領域である。言い換えれば、「開口領域」とは、画素に集光される光が光を透過させない、或いは光透過率が透明電極に比べて相対的に小さい配線、遮光膜、及び各種素子等の遮光体で遮られることがない領域を意味する。他方、本発明に係る「非開口領域」とは、表示に寄与する光が透過しない領域を意味し、例えば画素内に非透明な配線或いは電極、若しくは各種素子等の遮光体が配設されている領域を意味する。更に、「開口率」とは、開口領域及び非開口領域を加えた画素のサイズにおける開口領域の割合を意味する。
【００１０】
本発明では、画素電極は、データ線及び走査線の交差に対応して、基板上において表示領域となるべき領域にマトリクス状に複数設けられている。また、各画素で、データ線及び走査線、トランジスタ、及びその他、画素を駆動するための各種構成要素は、非開口領域に形成される。
【００１１】
本発明では、トランジスタは、表示領域における一の方向に沿って形成される。本発明に係る「一の方向」とは、例えば基板上でマトリクス状に規定された複数の画素の行方向、即ち複数のデータ線が配列される配列方向或いは複数の走査線の各々が延びる方向（即ちＸ方向）、又は例えば基板上でマトリクス状に規定された複数の画素の列方向、即ち複数の走査線が配列される配列方向或いは複数のデータ線の各々が延びる方向（即ちＹ方向）を意味する。
【００１２】
本発明では特に、遮光部が、各画素において非開口領域を少なくとも部分的に規定するように、画素電極より下層側且つトランジスタより上層側に形成される。更に、遮光部におけるトランジスタ遮光部分は、基板上で平面的に見てトランジスタの少なくとも一部と一の方向に沿って重なる。加えて、トランジスタ遮光部分は、トランジスタより一の方向に交わる他の方向の幅が広い。即ち、トランジスタ遮光部分は、トランジスタの少なくとも一部を覆うように形成される。よって、トランジスタの少なくとも一部に入射する光を効果的に遮光することができ、トランジスタに入射される光の量を低減することが可能となる。これにより、トランジスタにおける光リーク電流の発生を確実に低減することができる。特に、トランジスタにおける、例えば経験的に光リーク電流が発生し易い箇所に対して、トランジスタ遮光部分を重なるように配置し入射される光を遮光することで、より効果的に光リーク電流の発生を低減することが可能となる。
【００１３】
尚、遮光部は、上述したトランジスタ遮光部分以外に、例えば一の方向と交わる他の方向に沿った部分を有するように形成されてもよく、このようなトランジスタ遮光部分以外の部分によって、トランジスタ或いは他の遮光されるべき領域が遮光されるようにすることも可能である。
【００１４】
本発明では更に、画素電極より下層側且つ遮光部及び複数のデータ線より上層側に、中継電極が形成されている。中継電極は、基板上で平面的に見て、遮光部におけるトランジスタ遮光部分と重なる第１部分及びトランジスタ遮光部分と重ならない第２部分を有している。即ち、中継電極は、トランジスタ遮光部分に重なる位置から遮光部分に重ならない位置にまで延在している。第２部分は、具体的には、一の方向と交わる他の方向に沿った非開口領域や、一の方向に沿った非開口領域のうちトランジスタ遮光部分と重ならない領域である。
【００１５】
ここで画素電極と中継電極とは、基板上で平面的に見て、中継電極の第１部分に重なるように開孔された第１コンタクトホールを介して電気的に接続されている。よって、画素電極と中継電極とは、トランジスタ遮光部分と重なる領域において電気的に接続される。また、トランジスタと中継電極とは、基板上で平面的に見て、中継電極の第２部分に重なるように開孔された第２コンタクトホールを介して電気的に接続されている。よって、トランジスタと中継電極とは、少なくとも部分的にトランジスタ遮光部分と重ならない領域を介して電気的に接続される。このため、中継電極とトランジスタとを、例えば中継電極とトランジスタとの間の層に形成された部位に対して電気的な接続を持たせないように接続する場合に、トランジスタ遮光部分を必要以上に広げずに構成することができる。
【００１６】
具体的には、例えば中継電極とトランジスタとの間にデータ線が形成されている場合、仮に上述した中継電極が形成されていないとすると、データ線と中継電極及びトランジスタ間を電気的に接続するコンタクトホールとは、トランジスタ遮光部分に重なる領域に、互いに距離を置くように形成される。これにより、トランジスタ遮光部分は、トランジスタを遮光するという目的のみならず、上述した部材を配置するための領域を確保する目的で広さが決定される。即ち、遮光には必要とされない部分にまでトランジスタ遮光部分が形成されてしまう。
【００１７】
しかるに本発明では特に、上述したように、中継電極はトランジスタ遮光部分と重ならない第２部分を有しており、第２部分に重なるように形成された第２コンタクトホールによって、トランジスタと中継電極とが電気的に接続される。即ち、トランジスタと中継電極とは、少なくとも部分的に、トランジスタ遮光部分と重ならない領域において電気的に接続される。従って、トランジスタ遮光部分の面積を必要以上に広くせずに、トランジスタと中継電極とを電気的に接続することができる。尚、典型的には、画素電極と中継電極とは、第１コンタクトホールを介して直接的に電気的に接続されるが、トランジスタと中継電極とは、第２コンタクトホールに加えて、他のコンタクトホールを介して電気的に接続される。
【００１８】
以上説明したように、本発明の電気光学装置によれば、各画素で、光リーク電流の発生を低減しつつ開口率を向上させることができ、その結果、高品質な表示が可能となる。
【００１９】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記複数のデータ線は、前記基板上で平面的に見て、前記トランジスタ遮光部分と少なくとも部分的に重なる重畳部分を有しており、前記第１コンタクトホールは、前記基板上で平面的に見て、前記重畳部分と少なくとも部分的に重なるように開孔されている。
【００２０】
この態様によれば、複数のデータ線は、基板上で平面的に見て、トランジスタ遮光部分と少なくとも部分的に重なる重畳部分を有するように形成される。そして、画素電極と中継電極とを電気的に接続する第１コンタクトホールは、基板上で平面的に見て、上述した重畳部分と少なくとも部分的に重なるように開孔されている。よって、画素電極と中継電極とは、非開口領域において、確実に電気的に接続される。
【００２１】
また、トランジスタと中継電極とを電気的に接続する第２コンタクトホールは、上述したように、トランジスタ遮光領域とは重ならない領域に形成されている。よって、データ線と第２コンタクトホールとが互いに電気的に接続されてしまう、或いは互いの距離が近接し過ぎてしまうことによって、装置に不具合が生じてしまうことを効果的に防止することができる。
【００２２】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記データ線と同層に、且つ前記データ線と電気的に接続されないように形成されると共に、前記トランジスタと電気的に接続された中継層を更に備え、前記第２のコンタクトホールは、前記中継電極と前記中継層とを電気的に接続することで、前記トランジスタと前記中継電極とを電気的に接続している。
【００２３】
この態様によれば、データ線と同層（即ち、同一の成膜工程によって形成される層）には、トランジスタと電気的に接続された中継層が備えられている。中継層とトランジスタとは、例えばトランジスタ遮光部分とは重ならない領域に開口されたコンタクトホール等によって電気的に接続されている。また、中継電極と中継層とは、第２コンタクトホールによって互いに電気的に接続されている。これにより、トランジスタと中継電極とが電気的に接続される。
【００２４】
ここで中継層は、データ線と電気的に接続されないように形成されている。よって、データ線と、中継電極及びトランジスタ間を接続する部材が電気的に接続されてしまうことを防止できる。よって、装置に不具合が生じてしまうことを効果的に防止することができる。
【００２５】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記中継電極は、透明電極である。
【００２６】
この態様によれば、中継電極は、例えばＩＴＯ等の透明な材料によって構成された透明電極である。よって、例えば中継電極が開口領域にまで延在するような場合であっても、開口率は変化しない。このため、中継電極は、他の配線や電極等を避けつつ好適に配置される。従って、装置構成のレイアウトの自由度を高めつつ、高い開口率を実現できる。
【００２７】
上述した中継電極が透明電極である態様では、前記中継電極は、前記基板上で平面的に見て、前記開口領域に少なくとも部分的に重なるように形成されており、前記第１コンタクトホールを介して電気的に接続された前記画素電極と蓄積容量を形成しているように構成してもよい。
【００２８】
この場合には、透明電極である中継電極は、基板上で平面的に見て開口領域と少なくとも部分的に重なるように形成される。そして、中継電極と画素電極との間には、例えば誘電体膜が設けられ蓄積容量が形成される。
【００２９】
中継電極と画素電極とによって蓄積容量を形成することで、表示特性を向上させることが可能となる。また、上述したように形成される蓄積容量は、例えば開口領域全体で形成されることも可能であるため、非開口領域において形成される蓄積容量と比較して、極めて大きな容量を保持可能とすることができる。よって、効果的に画質を向上させることが可能となる。
【００３０】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記中継電極は、前記第１コンタクトホールを介して電気的に接続された前記画素電極とは異なる他の画素電極に対して、所定距離の間隔を有するように形成されている。
【００３１】
この態様によれば、中継電極と、該中継電極と第１コンタクトホールを介して電気的に接続される画素電極とは異なる他の画素電極とは、所定の間隔を有するように形成されている。即ち、中継電極と電気的に接続されるべきでない画素電極とは、所定距離の間隔を有するように形成される。尚、ここでの「所定距離」とは、容量カップリングを引き起こさない程度の距離を意味している。即ち、中継電極と他の画素電極とが所定距離の間隔を有することで、容量カップリングが発生してしまうことを防止している。容量カップリングを防止することで、装置における不具合を効果的に防止することが可能である。
【００３２】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記トランジスタは、チャネル領域と、前記データ線に電気的に接続されたデータ線側ソースドレイン領域と、前記画素電極に電気的に接続された画素電極側ソースドレイン領域と、前記チャネル領域及び前記データ線側ソースドレイン領域間に形成された第１の接合領域と、前記チャネル領域及び前記画素電極側ソースドレイン領域間に形成された第２の接合領域を有する半導体層を有する。
【００３３】
この態様によれば、トランジスタの半導体層において、第１の接合領域は、チャネル領域とデータ線側ソースドレイン領域との接合部に形成される領域であり、第２の接合領域は、チャネル領域と画素電極側ソースドレイン領域との接合部に形成される領域である。即ち、第１及び第２の接合領域は、例えば、トランジスタが例えばＮＰＮ型或いはＰＮＰ型トランジスタ（即ち、Ｎチャネル型或いはＰチャネル型トランジスタ）として形成された場合におけるＰＮ接合領域や、トランジスタがＬＤＤ構造を有する場合におけるＬＤＤ領域（即ち、例えばイオンプランテーション法等の不純物打ち込みによって半導体層に不純物を打ち込んでなる不純物領域）を意味する。
【００３４】
ここで、上述したトランジスタを構成する領域のうち、第１及び第２の接合領域は、光リーク電流が相対的に発生し易い傾向にある。本態様では、遮光部によって、半導体層の第１及び第２の接合領域に入射する光を遮光することが可能である。従って、効果的にトランジスタにおける光リーク電流の発生を低減することが可能となる。
【００３５】
上述したトランジスタが第１及び第２の接合領域を有する態様では、前記第１及び第２の接合領域は、ＬＤＤ領域であるように構成してもよい。
【００３６】
この場合には、ＬＤＤ構造を有するトランジスタについて、トランジスタの非動作時において、データ線側ソースドレイン領域及び画素電極側ソースドレイン領域に流れるオフ電流を低減し、且つトランジスタの動作時に流れるオン電流の低下を抑制できる。特に、チャネル領域及び画素電極側ソースドレイン領域間に形成された第２の接合領域は、光リーク電流が発生し易い。よって、第２の接合領域を遮光部によって遮光することで、効果的にオン電流の低下を抑制できる。
【００３７】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様も含む）を具備する。
【００３８】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明に係る電気光学装置を具備してなるので、高品質な表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置等も実現することも可能である。
【００３９】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【図３】本実施形態に係る電気光学装置の画像表示領域を構成する各種素子、配線等の等価回路図である。
【図４】第１実施形態に係る電気光学装置における相隣接する複数の画素部の平面図である。
【図５】図４のＡ−Ａ’線断面図である。
【図６】第２実施形態に係る電気光学装置における相隣接する複数の画素部の平面図である。
【図７】図６のＢ−Ｂ’線断面図である。
【図８】第２実施形態に係る電気光学装置の変形例を示す平面図である。
【図９】電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４１】
以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。
【００４２】
＜電気光学装置＞
本実施形態に係る電気光学装置について、図１から図８を参照して説明する。尚、以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
【００４３】
＜第１実施形態＞
先ず、本実施形態に係る電気光学装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに図１は、本実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示す平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【００４４】
図１及び図２において、本実施形態に係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば石英基板、ガラス基板等の透明基板や、シリコン基板等である。対向基板２０は、例えば石英基板、ガラス基板等の透明基板である。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が封入されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で所定の配向状態をとる。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、複数の画素電極が設けられた画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００４５】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（即ち、基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。尚、ギャップ材を、シール材５２に混入されるものに加えて若しくは代えて、画像表示領域１０ａ又は画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域に、配置するようにしてもよい。
【００４６】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。尚、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００４７】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。
【００４８】
ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００４９】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。この積層構造の詳細な構成については図２では図示を省略してあるが、この積層構造の上に、ＩＴＯ等の透明材料からなる画素電極９ａが、画素毎に所定のパターンで島状に形成されている。
【００５０】
画素電極９ａは、対向電極２１に対向するように、ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａに形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０における液晶層５０の面する側の表面、即ち画素電極９ａ上には、配向膜１６が画素電極９ａを覆うように形成されている。
【００５１】
対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば対向基板２０における対向面上に平面的に見て、格子状に形成されている。対向基板２０において、遮光膜２３によって非開口領域が規定され、遮光膜２３によって区切られた領域が、例えばプロジェクタ用のランプや直視用のバックライトから出射された光を透過させる開口領域となる。尚、遮光膜２３をストライプ状に形成し、該遮光膜２３と、ＴＦＴアレイ基板１０側に設けられたデータ線等の各種構成要素とによって、非開口領域を規定するようにしてもよい。
【００５２】
遮光膜２３上には、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向するように形成されている。また遮光膜２３上には、画像表示領域１０ａにおいてカラー表示を行うために、開口領域及び非開口領域の一部を含む領域に、図２には図示しないカラーフィルタが形成されるようにしてもよい。対向基板２０の対向面上における、対向電極２１上には、配向膜２２が形成されている。
【００５３】
尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等の駆動回路に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００５４】
次に、本実施形態に係る電気光学装置の画素部の電気的な構成について、図３を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
【００５５】
図３において、画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素の各々には、画素電極９ａ及び本発明の「トランジスタ」の一例であるＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極９ａに電気的に接続されており、本実施形態に係る電気光学装置の動作時に画素電極９ａをスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線６ａは、ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００５６】
ＴＦＴ３０のゲートには、走査線１１ａが電気的に接続されており、本実施形態に係る電気光学装置は、所定のタイミングで、走査線１１ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。
【００５７】
液晶層５０（図２参照）を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。
【００５８】
ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１（図２参照）との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０は、画像信号の供給に応じて各画素電極９ａの電位を一時的に保持する保持容量として機能する容量素子である。蓄積容量７０の一方の電極は、画素電極９ａと並列してＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続され、他方の電極は、定電位となるように、電位固定の容量線３００に電気的に接続されている。蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性が向上し、コントラスト向上やフリッカの低減といった表示特性の向上が可能となる。
【００５９】
次に、上述の動作を実現する画素部の具体的な構成について、図４及び図５を参照して説明する。ここに図４は、第１実施形態に係る電気光学装置における相隣接する複数の画素部の平面図であり、図５は、図４のＡ−Ａ’線断面図である。尚、図４及び図５では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。この点については、後の図６以降についても同様である。また、図４及び図５では、電気光学装置のＴＦＴアレイ基板１０側における画素の主要な構成のみについて示してあり、以下ではこの構成について特に詳細に説明する。図４では、説明の便宜上、画素毎に設けられるトランジスタを１つのみ示し、他のトランジスタを省略すると共に、図３で示したデータ線に交差するように形成される走査線を省略して図示している。
【００６０】
図４或いは図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａは、画素電極９ａが夫々設けられた複数の画素によって構成されている。
【００６１】
画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上に、マトリクス状に複数設けられている。画素電極９ａの縦横の境界にそれぞれ沿ってデータ線６ａ及び走査線１１ａが設けられている。走査線１１ａは、図３又は図４中Ｘ方向に沿って延びており、データ線６ａは、走査線１１ａと交差するように、同図中Ｙ方向に沿って延びている。走査線１１ａ及びデータ線６ａが互いに交差する個所の各々には画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。
【００６２】
データ線６ａ、走査線１１ａ、蓄積容量７０、ＴＦＴ３０、中継層９０及び中継電極９５は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、画素電極９ａが配置される各画素の開口領域を規定する非開口領域内に配置されている。
【００６３】
図４及び図５において、ＴＦＴ３０は、半導体層１ａと、走査線１１ａと電気的に接続されたゲート電極３ａとを備えている。
【００６４】
半導体層１ａは、例えばポリシリコンからなり、図４中Ｙ方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域１ａ´、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ、並びにデータ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅからなる。即ち、ＴＦＴ３０はＬＤＤ構造を有している。尚、データ線側ＬＤＤ領域１ｂは、本発明に係る「第１の接合領域」の一例であり、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃは、本発明に係る「第２の接合領域」の一例である。
【００６５】
図４に示すように、データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅは、チャネル領域１ａ´を基準として、Ｙ方向に沿ってほぼミラー対称に形成されている。データ線側ＬＤＤ領域１ｂは、チャネル領域１ａ´及びデータ線側ソースドレイン領域１ｄ間に形成されている。画素電極側ＬＤＤ領域１ｃは、チャネル領域１ａ´及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅ間に形成されている。データ線側ＬＤＤ領域１ｂ、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ、データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅは、例えばイオンプランテーション法等の不純物打ち込みによって半導体層１ａに不純物を打ち込んでなる不純物領域である。データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃはそれぞれ、データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅよりも不純物の少ない低濃度な不純物領域として形成される。このような不純物領域によれば、ＴＦＴ３０の非動作時において、ソース領域及びドレイン領域に流れるオフ電流を低減し、且つＴＦＴ３０の動作時に流れるオン電流の低下を抑制できる。尚、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有することが好ましいが、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよいし、ゲート電極をマスクとして不純物を高濃度に打ち込んでデータ線側ソースドレイン領域及び画素電極側ソースドレイン領域を形成する自己整合型であってもよい。
【００６６】
図４及び図５において、ＴＦＴ３０のゲート電極３ａは、走査線１１ａの一部として形成されており、例えば導電性ポリシリコンから形成されている。ゲート電極３ａ及び半導体層１ａ間は、ゲート絶縁膜２によって電気的に絶縁されている。またゲート電極３ａは、図示しないコンタクトホール等によって走査線１１ａと電気的に接続されている。
【００６７】
走査線１１ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上において、ＴＦＴ３０より下層側に下地絶縁膜１２を介して形成されている。走査線１１ａは、ＴＦＴアレイ基板１０側から装置内に入射する戻り光からＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´及びその周辺を遮光する。即ち、走査線１１ａは、下側遮光膜としても機能する。走査線１１ａは、例えば、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、パラジウム（Ｐｄ）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。
【００６８】
下地絶縁膜１２は、走査線１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用ＴＦＴ３０の特性の劣化を防止する機能を有する。
【００６９】
図５において、ＴＦＴアレイ基板１０上のＴＦＴ３０よりも層間絶縁膜４１を介して上層側には、蓄積容量７０が設けられている。蓄積容量７０は、ＴＦＴアレイ基板１０上において下層側から順次積層された下部容量電極７１及び上部容量電極３００が誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。
【００７０】
下部容量電極７１は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域１ｅ及び中継層９０に電気的に接続された画素電位側容量電極である。より具体的には、下部容量電極７１は、コンタクトホール８４を介して中継層９０に電気的に接続されると共に、画素電極側ソースドレイン領域１ｅにコンタクトホール８３を介して電気的に接続されており、画素電極側ソースドレイン領域１ｅ及び中継層９０間の電気的な接続を中継する。
【００７１】
下部容量電極７１は、例えば金属又は合金を含んでＴＦＴ３０の上側に設けられた非透明な金属膜である。下部容量電極７１は、後述するようにＴＦＴ３０を遮光する上側遮光膜（或いは、内蔵遮光膜）としても機能する。下部容量電極７１は、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）等の金属を含んで形成されている。
【００７２】
尚、下部容量電極７１は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｄ（パラジウム）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したものから構成されていてもよい。この場合には、下部容量電極７１の上側遮光膜としての機能を一層高めることができる。
【００７３】
上部容量電極３００は、その構成について詳細な図示を省略するが、ＴＦＴアレイ基板１０上において、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａ（図１参照）からその周囲に延設されている。上部容量電極３００は、定電位源と電気的に接続され、固定電位に維持された固定電位側容量電極である。
【００７４】
上部容量電極３００も、下部容量電極７１と同様に非透明な金属膜である。従って、蓄積容量７０は、金属膜−誘電体膜（絶縁膜）−金属膜の３層構造を有する、所謂ＭＩＭ構造を有している。よって、このような蓄積容量７０の構成によれば、一対の上部及び下部容量電極３００及び７１に供給される各種信号に応じて当該一対の容量電極で消費される消費電力を低減できる。加えて、一対の容量電極のいずれか一方を半導体層により形成する場合と比べて、この一方の電極における導電率を高め、蓄積容量７０の保持容量としての機能をより向上させて、高速動作が可能となる。
【００７５】
誘電体膜７５ａは、例えばＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン膜、或いは窒化シリコン膜等から構成された単層構造、或いは多層構造を有している。
【００７６】
本実施形態では、ＴＦＴアレイ基板１０側の走査線１１ａやデータ線６ａ、蓄積容量７０、走査線１１ａの各種構成要素が遮光性を有する導電膜により形成されることにより、図２を参照して説明した対向基板２０側の遮光膜２３に加えて、これらＴＦＴアレイ基板１０側の各種構成要素によって、各画素において非開口領域が規定される。特に、蓄積容量７０の上部及び下部容量電極３００及び７１は夫々、上述したように金属膜により形成されることにより遮光性を有し、これらによって各画素で非開口領域が部分的に規定される。本実施形態では、このように蓄積容量７０を本発明に係る「遮光部」の一例として機能させることにより、各画素を構成する各種構成要素の配置に係る構成をより簡略化することができる。
【００７７】
また、蓄積容量７０の下部容量電極７１は、平面的に見て、ＴＦＴアレイ基板１０上で、ＴＦＴ３０の半導体層１ａより上層側で、半導体層１ａの少なくとも一部とＹ方向に沿って重なるように配置される部分を有している。より具体的には、平面的に見て、データ線側ソースドレイン領域１ｄの一部と、図６中Ｙ方向に沿って、該一部からそれよりも同図中下側に配置された、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ、チャネル領域１ａ’、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ、及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅを含む半導体層１ａの一部に対して重なるように配置される。よって、本実施形態では、ＴＦＴアレイ基板１０上において、各画素で、半導体層１ａの一部に入射する光を下部容量電極７１によって遮光することにより、半導体層１ａに入射される光の量を低減することが可能となる。これにより、ＴＦＴ３０の半導体層１ａにおいて、光リーク電流の発生を低減することができる。
【００７８】
ここで特に、本願発明者の研究によれば、ＴＦＴ３０の動作時に、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃでは、データ線側ＬＤＤ領域１ｂに比べて光リーク電流が相対的に発生しやすい傾向にある。本実施形態に係る電気光学装置では、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃを、データ線６ａ及び走査線１１ａが交差する交差領域に配置すると共に、下部容量電極７１によっても遮光を行っている。よって、半導体層１ａの画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに入射しようとする光を効果的に遮光することができる。その結果、より効果的にＴＦＴ３０における光リーク電流の発生を低減することが可能となる。
【００７９】
図４及び図５において、ＴＦＴアレイ基板１０上の蓄積容量７０よりも層間絶縁膜４２を介して上層側には、データ線６ａ及び同一の導電膜からデータ線６ａと同時にパターニングされて形成された中継層９０が設けられている。
【００８０】
データ線６ａは、半導体層１ａのデータ線側ソースドレイン領域１ｄに、層間絶縁膜４１及び４２並びにゲート絶縁膜２を貫通するコンタクトホール８１を介して電気的に接続されている。データ線６ａ及びコンタクトホール８１内部は、例えば、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｃｕ等のＡｌ（アルミニウム）含有材料、又はＡｌ単体、若しくはＡｌ層とＴｉＮ層等との多層膜からなる。尚、データ線６ａは、ＴＦＴ３０を遮光する機能も有している。
【００８１】
ＴＦＴアレイ基板１０上のデータ線６ａ及び中継層９０よりも層間絶縁膜４３を介して上層側には、中継電極９５が設けられている。中継電極９５は、例えばＩＴＯ等によって構成されており、トランジスタ３０と重なる領域から走査線１１ａが配置される方向に沿って延在している。中継電極９５は、本発明の「第２コンタクトホール」の一例であるコンタクトホール８５によって、中継層９０と電気的に接続されている。
【００８２】
画素電極９ａは、中継電極９５より層間絶縁膜４４を介して上層側に形成されている。画素電極９ａは、本発明の「第１コンタクトホール」の一例であるコンタクトホール８６によって、中継電極９５と電気的に接続されている。これにより、画素電極９ａは、中継電極９５、中継層９０及び下部容量電極７１を介して半導体層１ａの画素電極側ソースドレイン領域１ｅに電気的に接続される。即ち、画素電極９ａ及びＴＦＴ３０は電気的に接続される。尚、画素電極９ａの上側表面には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜（図示せず）が設けられている。
【００８３】
コンタクトホール８６は、図４に示すように、遮光部としての下部容量電極７１の中央部分に重なるように形成されている。よって、画素電極９ａと中継電極９５とを、ＴＦＴ３０に対する遮光領域（所謂、ピンポイント遮光領域）において電気的に接続することができる。また、上述したように、中継電極９５と中継層９０とは、ＴＦＴ３０から離れた位置（即ち、ピンポイント遮光領域に重ならない領域）において、コンタクトホール８５を介して電気的に接続されている。
【００８４】
ここで仮に、中継電極９５及び中継層９０が設けられていないとすると、画素電極９ａは、ピンポイント遮光領域において、下部容量電極７１と電気的に接続されることが要求される。よって、例えば画素電極９ａ及び下部容量電極７１間に存在するデータ線６ａ等と接触しないように、データ線６ａがコンタクトホールを避けるようにして配置されることが求められてしまう。これにより、下部容量電極７１は、ＴＦＴ３０を遮光するという目的のみならず、上述した部材を配置するための領域を確保する目的で広さが決定される。即ち、遮光には必要とされない部分にまで非開口領域が拡大されてしまう。
【００８５】
しかるに本実施形態に係る電気光学装置では、上述したように、画素電極９ａは、中継電極９５及び中継層９０を介して、下部容量電極７１に電気的に接続される。よって、下部容量電極７１の面積を必要以上に広くせずに、画素電極９ａとＴＦＴ３０とを電気的に接続することができる。従って、下部容量電極７１と画素電極９ａとが重なってしまう領域が増加して、開口率が低下してしまうことを防止することができる。
【００８６】
以上に説明した画素部の構成は、図４に示すように、各画素部に共通である。そして、ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａ（図１参照）には、かかる画素部が周期的に形成されていることになる。また、本実施形態に係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域に、図１及び図２を参照して説明したように、走査線駆動回路１０４及びデータ線駆動回路１０１等の駆動回路が形成されている。
【００８７】
以上説明したように、第１実施形態に係る電気光学装置によれば、各画素で、光リーク電流の発生を防止しつつ開口領域のサイズをより大きく確保して開口率を向上させることが可能となり、その結果、高品質な表示を行うことができる。
【００８８】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態に係る電気光学装置について、図６から図８を参照して説明する。ここに図６は、第２実施形態に係る電気光学装置における相隣接する複数の画素部の平面図であり、図７は、図６のＢ−Ｂ’線断面図である。また図８は、第２実施形態に係る電気光学装置の変形例を示す平面図である。尚、第２実施形態は、上述の第１実施形態と比べて、トランジスタの構成が異なり、その他の構成については概ね同様である。このため第２実施形態では、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。また、図６から図８では、図４及び図５に示した第１実施形態に係る構成要素と同様の構成要素に同一の参照符合を付している。
【００８９】
図６及び図７において、第２実施形態に係る電気光学装置では、ＴＦＴ３０が走査線１１ａの延びる方向（即ち、図中のＸ方向）に延在するように設けられている。ＴＦＴ３０におけるゲート電極３ａは、半導体層１ａの脇に設けられたコンタクトホール８２を介して、走査線１１ａと電気的に接続されている。コンタクトホール８２は、半導体層１ａに対して斜めに入射しようとする光を遮光するという機能も備えている。
【００９０】
ＴＦＴ３０より層間絶縁膜４１を介して上層側には、データ線６ａ及び中継層９０が形成されている。データ線６ａは、コンタクトホール８１を介して、ＴＦＴ３０におけるデータ線側ソースドレイン領域１ｄと電気的に接続されている。また中継層９０は、コンタクトホール８３を介して、ＴＦＴ３０における画素電極側ソースドレイン領域１ｅと電気的に接続されている。
【００９１】
データ線６ａ及び中継層９０より層間絶縁膜４２を介して上層側には、蓄積容量７０が設けられている。蓄積容量７０は、上述した第１実施形態と同様に、ＴＦＴアレイ基板１０上において下層側から順次積層された下部容量電極７１及び上部容量電極（容量線）３００が誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。但し、容量線３００は、図６に示すように、図中のＹ方向で、他の画素における容量線３００と電気的に接続されている。これにより、例えば図４で示した第１実施形態に係る電気光学装置のように、コンタクトホール８４を避けるために、容量線３００が部分的に細く形成されてしまうことを防止することができる。よって、容量線３００における抵抗値を十分に低下させることができ、装置の安定した動作を確保することが可能となる。
【００９２】
下部容量電極７１は、本発明に係る「遮光部」としての機能も有しており、ＴＦＴ３０（特に、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ）に上層側から入射しようとする光を遮光する。これにより、半導体層１ａに入射される光の量は低減され、ＴＦＴ３０の半導体層１ａにおいて、光リーク電流の発生を低減することができる。
【００９３】
蓄積容量７０より層間絶縁膜４３を介して上層側には、中継電極９５が設けられている。中継電極９５は、コンタクトホール８５を介して、下部容量電極７１と電気的に接続されている。
【００９４】
中継電極９５より層間絶縁膜４４を介して上層側には、画素電極９ａが設けられている。画素電極９ａは、コンタクトホール８６を介して、中継電極９５と電気的に接続されている。
【００９５】
コンタクトホール８６は、図６に示すように、ＴＦＴ３０に対するピンポイント遮光領域に設けられている。また、コンタクトホール８５は、ＴＦＴ３０から離れた位置（即ち、ピンポイント遮光領域に重ならない領域）に設けられている。よって、上述した第１実施形態と同様に、下部容量電極７１の面積を必要以上に広くせずに、画素電極９ａとＴＦＴ３０とを電気的に接続することができる。従って、下部容量電極７１と画素電極９ａとが重なってしまう領域が増加して、開口率が低下してしまうことを防止することができる。
【００９６】
図８において、中継電極９５が、例えばＩＴＯ等の透明な材料によって透明電極として形成されている場合には、画素電極９ａと中継電極９５とが、開口領域において互いに重なるように形成されてもよい。例えば、図に示すように、中継電極９５を開口領域に迂回させるような形状とすれば、中継電極９５と図の右下における画素電極９ａとの互いの距離を、図６に示す場合と比べて大きくすることができる。これにより、中継電極９５と該中継電極９５に電気的に接続されるべきでない画素電極９ａとの間に容量カップリングが発生してしまうことを防止することができる。よって、装置の動作をより安定させることが可能である。
【００９７】
以上説明したように、第２実施形態に係る電気光学装置によれば、第１実施形態に係る電気光学装置と同様に、各画素で、光リーク電流の発生を防止しつつ開口領域のサイズをより大きく確保して開口率を向上させることが可能となり、その結果、高品質な表示を行うことができる。
【００９８】
＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。ここに図９は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。以下では、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。
【００９９】
図９に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。
【０１００】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【０１０１】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【０１０２】
尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【０１０３】
尚、図９を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【０１０４】
また、本発明は上述の各実施形態で説明した液晶装置以外にも反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。
【０１０５】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【０１０６】
１ａ…半導体層、１ａ’…チャネル領域、１ｂ…データ線側ＬＤＤ領域、１ｃ…画素電極側ＬＤＤ領域、１ｄ…データ線側ソースドレイン領域、１ｅ…画素電極側ソースドレイン領域、２…ゲート酸化膜、３ａ…ゲート電極、６ａ…データ線、９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１１ａ…走査線、２０…対向基板、３０…ＴＦＴ、５０…液晶層、７０…蓄積容量、７１…下部容量電極、７５…誘電体膜、１０１…データ線駆動回路、１０２…外部回路接続端子、１０４…走査線駆動回路、３００…容量線。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、
互いに交差する複数のデータ線及び複数の走査線と、
前記複数のデータ線及び前記複数の走査線の交差に対応して規定され、且つ前記基板上の表示領域を構成する複数の画素の各々に形成された画素電極と、
前記複数の画素の各々の開口領域を互いに隔てる非開口領域に、前記表示領域における一の方向に沿って形成されており、前記画素電極をスイッチング制御するトランジスタと、
前記非開口領域を少なくとも部分的に規定するように、前記画素電極より下層側且つ前記トランジスタより上層側に形成されており、前記基板上で平面的に見て前記トランジスタの少なくとも一部と前記一の方向に沿って重なると共に前記トランジスタより前記一の方向に交わる他の方向の幅が広いトランジスタ遮光部分を有する遮光部と、
前記画素電極より下層側且つ前記遮光部及び前記複数のデータ線より上層側に形成されており、前記基板上で平面的に見て前記トランジスタ遮光部分と重なる第１部分及び前記トランジスタ遮光部分と重ならない第２部分を有する中継電極と
を備え、
前記画素電極と前記中継電極とは、前記基板上で平面的に見て、前記第１部分に重なるように開孔された第１コンタクトホールを介して電気的に接続され、
前記トランジスタと中継電極とは、前記基板上で平面的に見て、前記第２部分に重なるように開孔された第２コンタクトホールを介して電気的に接続されている
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記複数のデータ線は、前記基板上で平面的に見て、前記トランジスタ遮光部分と少なくとも部分的に重なる重畳部分を有しており、
前記第１コンタクトホールは、前記基板上で平面的に見て、前記重畳部分と少なくとも部分的に重なるように開孔されている
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記データ線と同層に、且つ前記データ線と電気的に接続されないように形成されると共に、前記トランジスタと電気的に接続された中継層を更に備え、
前記第２のコンタクトホールは、前記中継電極と前記中継層とを電気的に接続することで、前記トランジスタと前記中継電極とを電気的に接続している
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記中継電極は、透明電極であることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記中継電極は、前記基板上で平面的に見て、前記開口領域に少なくとも部分的に重なるように形成されており、前記第１コンタクトホールを介して電気的に接続された前記画素電極と蓄積容量を形成していることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記中継電極は、前記第１コンタクトホールを介して電気的に接続された前記画素電極とは異なる他の画素電極に対して、所定距離の間隔を有するように形成されていることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記トランジスタは、チャネル領域と、前記データ線に電気的に接続されたデータ線側ソースドレイン領域と、前記画素電極に電気的に接続された画素電極側ソースドレイン領域と、前記チャネル領域及び前記データ線側ソースドレイン領域間に形成された第１の接合領域と、前記チャネル領域及び前記画素電極側ソースドレイン領域間に形成された第２の接合領域を有する半導体層を有する
ことを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記第１及び第２の接合領域は、ＬＤＤ領域であることを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【請求項１】
基板上に、
互いに交差する複数のデータ線及び複数の走査線と、
前記複数のデータ線及び前記複数の走査線の交差に対応して規定され、且つ前記基板上の表示領域を構成する複数の画素の各々に形成された画素電極と、
前記複数の画素の各々の開口領域を互いに隔てる非開口領域に、前記表示領域における一の方向に沿って形成されており、前記画素電極をスイッチング制御するトランジスタと、
前記非開口領域を少なくとも部分的に規定するように、前記画素電極より下層側且つ前記トランジスタより上層側に形成されており、前記基板上で平面的に見て前記トランジスタの少なくとも一部と前記一の方向に沿って重なると共に前記トランジスタより前記一の方向に交わる他の方向の幅が広いトランジスタ遮光部分を有する遮光部と、
前記画素電極より下層側且つ前記遮光部及び前記複数のデータ線より上層側に形成されており、前記基板上で平面的に見て前記トランジスタ遮光部分と重なる第１部分及び前記トランジスタ遮光部分と重ならない第２部分を有する中継電極と
を備え、
前記画素電極と前記中継電極とは、前記基板上で平面的に見て、前記第１部分に重なるように開孔された第１コンタクトホールを介して電気的に接続され、
前記トランジスタと中継電極とは、前記基板上で平面的に見て、前記第２部分に重なるように開孔された第２コンタクトホールを介して電気的に接続されている
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記複数のデータ線は、前記基板上で平面的に見て、前記トランジスタ遮光部分と少なくとも部分的に重なる重畳部分を有しており、
前記第１コンタクトホールは、前記基板上で平面的に見て、前記重畳部分と少なくとも部分的に重なるように開孔されている
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記データ線と同層に、且つ前記データ線と電気的に接続されないように形成されると共に、前記トランジスタと電気的に接続された中継層を更に備え、
前記第２のコンタクトホールは、前記中継電極と前記中継層とを電気的に接続することで、前記トランジスタと前記中継電極とを電気的に接続している
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記中継電極は、透明電極であることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記中継電極は、前記基板上で平面的に見て、前記開口領域に少なくとも部分的に重なるように形成されており、前記第１コンタクトホールを介して電気的に接続された前記画素電極と蓄積容量を形成していることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記中継電極は、前記第１コンタクトホールを介して電気的に接続された前記画素電極とは異なる他の画素電極に対して、所定距離の間隔を有するように形成されていることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記トランジスタは、チャネル領域と、前記データ線に電気的に接続されたデータ線側ソースドレイン領域と、前記画素電極に電気的に接続された画素電極側ソースドレイン領域と、前記チャネル領域及び前記データ線側ソースドレイン領域間に形成された第１の接合領域と、前記チャネル領域及び前記画素電極側ソースドレイン領域間に形成された第２の接合領域を有する半導体層を有する
ことを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記第１及び第２の接合領域は、ＬＤＤ領域であることを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２０１３−８０６３（Ｐ２０１３−８０６３Ａ）
【公開日】平成２５年１月１０日（２０１３．１．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−２１６０７０（Ｐ２０１２−２１６０７０）
【出願日】平成２４年９月２８日（２０１２．９．２８）
【分割の表示】特願２００８−９５０１６（Ｐ２００８−９５０１６）の分割
【原出願日】平成２０年４月１日（２００８．４．１）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年１月１０日（２０１３．１．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年９月２８日（２０１２．９．２８）
【分割の表示】特願２００８−９５０１６（Ｐ２００８−９５０１６）の分割
【原出願日】平成２０年４月１日（２００８．４．１）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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