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Fターム[2H092JB54]の内容

液晶−電極、アクティブマトリックス (131,435) | アクティブ基板の能動素子以外の構造 (19,547) | 遮光層 (1,564) | 電極による遮光 (439)

Fターム[2H092JB54]に分類される特許

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【課題】厚いゲート絶縁層を有する薄膜トランジスタと、薄いゲート絶縁層を有する薄膜トランジスタとを備えた回路基板を提供する。
【解決手段】ポリシリコン半導体層の上下に、ボトムゲート型薄膜トランジスタのゲート絶縁層とトップゲート型薄膜トランジスタのゲート絶縁膜とを各々設け、トップゲート型薄膜トランジスタのゲート絶縁膜の厚さをボトムゲート型薄膜トランジスタのゲート絶縁層の厚さと異ならせる。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。該半導体装置を作製する。半導体装置を歩留まりよく作製し、生産性を向上させる。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜が順に積層され、酸化物半導体膜に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、エッチング工程によりゲート電極層、又はソース電極層及びドレイン電極層を形成後、ゲート電極層又は酸化物半導体膜表面及び該近傍に存在するエッチング工程起因の残留物を除去する工程を行う。 (もっと読む)


【課題】アクティブマトリクス型基板において、薄膜トランジスタと、その端子接続部を同時に作り込み、少ないマスク数で歩留まりの良い表示装置を提供する。
【解決手段】画素部および外部入力端子を有する表示装置であって、画素部は、ゲート電極と、半導体膜と、ゲート電極上に形成された絶縁膜、および絶縁膜上に半導体膜と電気的に接続された電極を有するTFTを有し、外部入力端子は、ゲート電極と同じ層に形成された第1の配線と、電極と同じ層に形成され、絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介し第1の配線と接続された第2の配線と、第2の配線に接続され、第2の配線上に形成された透明導電膜と、第2の配線と透明導電膜が接続している位置で透明導電膜と電気的に接続するフレキシブルプリント配線板を有する表示装置。 (もっと読む)


【課題】画素部に形成される画素電極や走査線(ゲート線)及びデータ線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供する。
【解決手段】半導体膜107と基板との間に第1の絶縁膜を介して設けられた第1の配線102を、半導体膜107と重ねて設け、遮光膜として用いる。さらに半導体膜上にゲート絶縁膜として用いる第2の絶縁膜を形成し、第2の絶縁膜上にゲート電極と第2の配線134を形成する。第1及び第2の配線は、第1及び第2の絶縁膜を介して交差する。第2の配線134の上層には、層間絶縁膜として第3の絶縁膜を形成し、その上に画素電極147を形成する。画素電極147は、第1の配線及び第2の配線とオーバーラップさせて形成することが可能であり、反射型の表示装置において画素電極147の面積を大型化できる。 (もっと読む)


【課題】表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】走査線GLと、走査線GLと交差する信号線SLと、信号線SLが延びる方向に延び走査線GLが延びる方向に並んで配置された複数の櫛歯画素電極PE1〜PE3を含む画素電極PEと、複数の櫛歯画素電極PE1〜PE3の間において信号線SLが延びる方向に延び、櫛歯画素電極PE1〜PE3と所定のスペースを置いて配置された複数の櫛歯共通電極CE1〜CE4を含む共通電極CEと、少なくとも信号線SLと信号線SLの近傍に配置された櫛歯画素電極PE1、PE3との間に配置され、共通電極CEと同じ電圧が印加された遮光部COM1と、を備えた第1基板101と、第1基板101と対向して配置された第2基板102と、第1基板101と第2基板102との間に挟持された液晶層LQと、を備えた液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】コントラストや透過率を向上させることができ、高品質な画像を表示可能とする液晶装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】液晶装置は、第2基板12上に設けられた、第1透明導電膜41と、第1透明導電膜41より屈折率が低い透明絶縁膜42と、透明絶縁膜42よりも屈折率が高い第2透明導電膜43と、を有する透明積層膜40と、第2基板12と透明積層膜40との間に配置された遮光層18と、を備え、第1透明導電膜41と第2透明導電膜43とは、遮光層18と平面的に重なる領域において電気的に接続されている。 (もっと読む)


【課題】液晶装置等の電気光学装置において、保持容量を十分に確保することができ、高品質な画像を表示可能とする。
【解決手段】ゲート電極30gと電気的に接続された走査線3aと、データ線側ソースドレイン領域30sと電気的に接続されたデータ線6aと、画素電極側ソースドレイン領域30dと電気的に接続された画素電極27と、容量線3bに電気的に接続された第1容量電極16aと、第1容量電極16aと対向して設けられた第2容量電極16cと、第1容量電極16aと第2容量電極16cとに挟持された誘電体層16bと、を有する容量素子16と、を備え、層間絶縁膜11eに設けられた複数の第1コンタクトホールCNT4を介して第1容量電極16aと容量線3bとは電気的に接続される。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタにおいて、高いゲート電圧がゲート電極層に印加される場合、ドレイン電極層の端部近傍(及びソース電極層の端部近傍)に生じる恐れのある電界集中を緩和し、スイッチング特性の劣化を抑え、信頼性が向上された構造を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域上に重なる絶縁層の断面形状を、テーパ形状とし、チャネル形成領域上に重なる絶縁層の膜厚は、0.3μm以下、好ましくは5nm以上0.1μm以下とする。チャネル形成領域上に重なる絶縁層の断面形状の下端部のテーパ角θを60°以下、好ましくは45°以下、さらに好ましくは30°以下とする。 (もっと読む)


【課題】 光リーク電流を抑制した高い耐光性を有するTFTを、製造工程を簡素化することにより低コストで実現する。
【解決手段】 TFT100は、絶縁基板107としてのガラス基板上に形成された遮光膜113と、遮光膜113上に形成された絶縁膜112と、絶縁膜112上に形成された半導体膜111と、半導体膜111上に形成されたゲート絶縁膜104とを基本的に有する。遮光膜113、絶縁膜112及び半導体膜111の三層から成る積層体100aは、各層が同時にパターニングされている。そして、積層体100aの各層がシリコン又はシリコンを含む材料から成る。 (もっと読む)


【課題】表示品質を向上させることが可能な電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器を提供する。
【解決手段】液晶装置100は、TFT30と、TFT30に電気的に接続された容量素子16とを備え、容量素子16は、TFT30と第2層間絶縁層11cを介して形成された第1容量電極16aと、第1容量電極16aに第1誘電体層16bを介して対向配置され、TFT30の半導体層30aに第2層間絶縁層11cに形成されたコンタクトホールCNT53を介して電気的に接続された第2容量電極16cとを有し、第2容量電極16cは、第1導電層16c1と第1導電層16c1上に積層された第2導電層16c2を有し、第1導電層16c1は、コンタクトホールCNT53と重なる領域が除去されてなり、第2導電層16c2と半導体層30aとがコンタクトホールCNT53を介して電気的に接続される。 (もっと読む)


【課題】極性反転駆動を行う際、極性反転に伴って、画素電極に導通する保持容量を切り換えることのできる電気光学装置、および電子機器を提供する。
【解決手段】電気光学装置において、画素電極9aの電位が共通電極21の電位より高い第1期間では、第1保持容量80aが画素電極9aに導通状態となるので、第1電極81、第1誘電体層86(第1絶縁材料/シリコン酸化膜/SiO2)、第2誘電体層87(第2絶縁材料/シリコン窒化膜/SiN)、および第2電極82に向けて電流が流れ、電荷が蓄積される。これに対して、画素電極9aの電位が共通電極21の電位より低い第2期間では、第2保持容量80bが画素電極9aに導通状態となるので、第4電極84、第4誘電体層89(第1絶縁材料/シリコン酸化膜/SiO2)、第3誘電体層88(第2絶縁材料/シリコン窒化膜/SiN)、および第3電極83に向けて電流が流れ、電荷が蓄積される。 (もっと読む)


【課題】画像表示領域の端部と素子基板の端部との間で光硬化性のシール材に沿って配線を延在させた場合でも、シール材を確実に光硬化させることができるとともに、画像表示領域の外側でシール材および配線が占有する領域の幅寸法を縮小することのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置100では、素子基板10の辺10fと画像表示領域10aの端部とによって挟まれた領域に設けられた第1配線11および第2配線16のうち、配線幅寸法が広い第2配線16は、シール材80の内縁81と画像表示領域10aの端部との間に設けられている。また、配線幅寸法が狭い第1配線11は、シール材80と重なる領域に設けられているが、シール材80と重なる領域における第1配線11の配線密度は、40%から60%である。 (もっと読む)


【課題】トップゲート型の薄膜トランジスタのオフリーク電流を低減させ、表示品質を向上させることが可能な技術を提供することである。
【解決手段】
ゲート線からの走査信号に同期しドレイン線からの映像信号を画素電極に出力する薄膜トランジスタが形成される第1基板を有する液晶表示装置であって、ゲート電極が半導体層よりも第1基板よりも遠い側に形成され、ドレイン電極がドレイン線に接続される第1の薄膜トランジスタと、第1の薄膜トランジスタと直列に接続され、ソース電極が画素電極に電気的に接続される第2の薄膜トランジスタと、半導体層と第1基板との間に形成され、第1基板側から入射されるバックライト光を遮光する遮光層とを備え、前記遮光層は、平面的に見て、第1の薄膜トランジスタと重畳して形成され、第1の薄膜トランジスタ側に入射するバックライト光を遮光すると共に、第2の薄膜トランジスタ側に入射するバックライト光は通過させる液晶表示装置である。 (もっと読む)


【課題】画素領域の周囲においてグローバル段差を生じ難くして、高い表示品質が得られる電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置としての液晶装置は、基板としての素子基板10上に画素電極15と、画素電極15と素子基板10との間において平面視で画素電極15と重なって配置された保持容量16と、画素電極15と保持容量16との間に形成され平坦化処理が施された第3層間絶縁膜14と、複数の画素電極15を含む画素領域Eの周辺領域Ecに配置され、保持容量16と同一配線層に形成されたダミーパターンDp1と、を備えた。 (もっと読む)


【課題】液晶装置において、高品質な画像を表示可能とする。
【解決手段】液晶装置100は、素子基板と対向基板とに挟持された液晶層と、素子基板に設けられたTFT30と、TFT30と電気的に接続された容量電極16aと誘電体層16bと画素電極16cとを有する容量素子16とを備え、容量電極16aは、平面的に隣り合う画素電極16c間の領域に窪み55を有する。 (もっと読む)


【課題】高い動作信頼性を有する表示素子を提供する。
【解決手段】この液晶表示素子は、透明基板と、その一方の面に形成された透明電極とを有する透明電極基板と、液晶層と、液晶層を挟んで透明電極と対向する領域に位置する複数の画素電極、およびそれ以外の領域に位置する第1の導電膜を含む第1の層と、第1の導電膜と重複する領域に位置する第2の導電膜を含む第2の層とを順に有する画素電極基板とを備える。ここで、第1および第2の導電膜の少なくとも一方が電気的に孤立している。 (もっと読む)


【課題】液晶の配向不良を抑制するために画素電極を平坦化し、開口率を下げずに十分な
容量を得られる容量素子を有する半導体装置を実現することを課題とする。
【解決手段】薄膜トランジスタ上の遮光膜、前記遮光膜上の容量絶縁膜、前記容量絶縁膜
上に導電層、前記導電層と電気的に接続するように画素電極を有する半導体装置であり、
前記遮光膜、前記容量絶縁膜および前記導電層から保持容量素子を形成することにより、
容量素子として機能する領域の面積を増やすことができる。 (もっと読む)


【課題】液晶装置等の電気光学装置において、表示画像の縁付近における光漏れを低減する。
【解決手段】電気光学装置は、基板10上に、複数の画素電極9aと、複数の画素電極が設けられた画素領域の周辺に位置する周辺領域に設けられ、層間絶縁膜43を介して互いに異なる層に配置されると共に互いに重なる部分を夫々有する複数の遮光膜60b、400bとを備える。更に、複数の遮光膜のうち少なくとも一の遮光膜における他の遮光膜に対向する側に、他の遮光膜と重なる部分に少なくとも部分的に重なるように形成されると共に、一の遮光膜に比べて入射される入射光に対する反射率が低い低反射膜60a、400aとを備える。 (もっと読む)


【課題】 横クロストークが抑制された高画質の横電界方式の液晶表示装置を提供する。
【解決手段】ゲートバスライン55とドレインバスライン56で画定される画素領域Pの各々に、当該画素領域Pを画定するドレインバスライン56に隣接し且つそれに沿って延在する遮光電極53を設ける。遮光電極53は、孤立していると共に、画素電極71のドレインバスライン56に隣接して延在する櫛歯状部71aと絶縁膜を挟んで重なっており、動作時には電気的にフローティング状態となる。フローティング状態にある遮光電極53の電位は、画素電極71のそれに近い値になるので、ドレインバスライン56と共通電極72(共通バスライン52)との結合容量が減少し、横クロストークの発生が抑制される。 (もっと読む)


【課題】液晶層中の不純物の偏在に起因する表示不具合が改善された液晶装置、液晶装置の製造方法、この液晶装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の液晶装置は、基板としての素子基板10上にトランジスターとしてのTFT30と、画素電極15と、画素電極15をTFT30の半導体層30aにおける第2ソース・ドレイン領域30dに電気的に接続させる柱状のコンタクト部CNT4とを有し、コンタクト部CNT4は、画素電極15の液晶層側の表面において突出部15aを形成している。 (もっと読む)


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