液晶装置、及び電子機器
【課題】コントラストや透過率を向上させることができ、高品質な画像を表示可能とする液晶装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】液晶装置は、第２基板１２上に設けられた、第１透明導電膜４１と、第１透明導電膜４１より屈折率が低い透明絶縁膜４２と、透明絶縁膜４２よりも屈折率が高い第２透明導電膜４３と、を有する透明積層膜４０と、第２基板１２と透明積層膜４０との間に配置された遮光層１８と、を備え、第１透明導電膜４１と第２透明導電膜４３とは、遮光層１８と平面的に重なる領域において電気的に接続されている。
【解決手段】液晶装置は、第２基板１２上に設けられた、第１透明導電膜４１と、第１透明導電膜４１より屈折率が低い透明絶縁膜４２と、透明絶縁膜４２よりも屈折率が高い第２透明導電膜４３と、を有する透明積層膜４０と、第２基板１２と透明積層膜４０との間に配置された遮光層１８と、を備え、第１透明導電膜４１と第２透明導電膜４３とは、遮光層１８と平面的に重なる領域において電気的に接続されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記液晶装置として、例えば、画素電極をスイッチング制御する素子としてトランジスターを画素ごとに備えたアクティブ駆動方式の液晶装置が知られている。また、このような液晶装置は、透過型として用いられる透過型液晶装置や、反射型として用いられる反射型液晶装置がある。
【０００３】
例えば、特許文献１には、反射型液晶装置において、対向基板側の表面に透明絶縁膜を２つの透明導電膜によって挟持して積層することにより、各々の膜の屈折率を利用し、反射防止膜として機能させると共に透過率を向上させる技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１８７７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、より短波長領域の透過率向上に対応しようとすると、透明導電膜を更に薄膜化する必要があり、これにより、対向基板側の共通電極の電位に追従しにくくなるという課題がある。加えて、複数の透明導電膜のうち一部の膜のみを電気的に接続すると、他の膜がチャージアップするという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係る液晶装置は、素子基板と、前記素子基板に対向するように配置された対向基板と、前記素子基板と前記対向基板との間に挟持された液晶層と、を含み、前記対向基板は、透光性基板と、前記透光性基板の前記液晶層側に配置された第１透明導電膜と、前記第１透明導電膜の前記液晶層側に配置され、前記第１透明導電膜より屈折率が低い透明絶縁膜と、前記透明絶縁膜の前記液晶層側に配置され、前記透明絶縁膜よりも屈折率が高い第２透明導電膜と、前記透光性基板と前記第１透明導電膜との間に配置された凸部と、を備え、前記第１透明導電膜と前記第２透明導電膜とは、少なくとも前記凸部の一部と平面的に重なる領域において電気的に接続されていることを特徴とする。
【０００８】
本適用例によれば、凸部と平面的に重なる領域の透明絶縁膜の部分を接続部として第１透明導電膜と第２透明導電膜とが電気的に接続されているので、凸部の無い領域で接続する方法と比較して、凸部上の透明絶縁膜の厚みを薄くすることが可能となり、更に、透明絶縁膜における接続部分をなだらかな形状することができる。よって、第１透明導電膜及び第２透明導電膜が他の膜と比較して極力薄い場合でも、透明絶縁膜の接続部分において透明導電膜が段切れになることを抑えることができる。よって、確実に第１透明導電膜と第２透明導電膜とを電気的に接続させることが可能となり、透明導電膜を薄膜化したことによる対向基板側の共通電極の電位が追従しにくくなることを抑えることができる。加えて、コントラストや透過率を向上させることができ、また、透明積層膜がチャージアップされることを抑えることができる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例に係る液晶装置において、前記凸部の厚みは、前記第１透明導電膜の膜厚、及び前記第２透明導電膜の膜厚よりも厚いことが好ましい。
【００１０】
本適用例によれば、凸部の厚みが、第１透明導電膜や第２透明導電膜よりも厚いので、透明絶縁膜の表面の起伏をなだらかにさせると共に凸部の上方の透明絶縁膜の部分を薄くさせることができる。更に、透明絶縁膜における接続部分をなだらかな形状することができる。よって、第１透明導電膜及び第２透明導電膜が他の膜と比較して極力薄い場合でも、透明絶縁膜の接続部分において透明導電膜が段切れになることを抑えることができる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例に係る液晶装置において、前記凸部の厚みは、前記透明絶縁膜の厚みよりも厚いことが好ましい。
【００１２】
本適用例によれば、凸部の厚みが、透明絶縁膜よりも厚いので、透明絶縁膜の表面の起伏をなだらかにさせると共に遮光層の上方の透明絶縁膜の部分を薄くさせることができる。更に、透明絶縁膜における接続部分をなだらかな形状することができる。よって、第１透明導電膜及び第２透明導電膜が他の膜と比較して極力薄い場合でも、透明絶縁膜の接続部分において透明導電膜が段切れになることを抑えることができる。
【００１３】
［適用例４］上記適用例に係る液晶装置において、画像を表示する領域である表示領域を有し、前記凸部は、前記表示領域の外周を囲む遮光膜であることが好ましい。
【００１４】
本適用例によれば、表示領域の外周を囲む遮光膜を凸部として利用するので、新たに凸部を設ける場合と比較して、製造工程が増えることを抑えることができる。
【００１５】
［適用例５］上記適用例に係る液晶装置において、前記凸部は、前記素子基板と前記対向基板との間の導通をとるための導通パッドであることが好ましい。
【００１６】
本適用例によれば、導通パッドを凸部として利用するので、新たに凸部を設ける場合と比較して、製造工程が増えることを抑えることができる。
【００１７】
［適用例６］上記適用例に係る液晶装置において、前記凸部と前記第１透明導電膜とが電気的に接続されていることが好ましい。
【００１８】
本適用例によれば、第１透明導電膜と第２透明導電膜とが電気的に接続されていることに加えて、これらが遮光層と電気的に接続されているので、２つの透明導電膜の抵抗を更に下げることが可能となり、透明導電膜を薄膜化したことによる共通電極の電位が追従しにくくなることを抑えることができる。
【００１９】
［適用例７］本適用例に係る電子機器は、上記した液晶装置を備えることを特徴とする。
【００２０】
本適用例によれば、上記に記載の液晶装置を備えているので、透明積層膜の導通を確実に行うことができ、表示品質を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】液晶装置の構成を示す模式平面図。
【図２】図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図。
【図３】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図４】液晶装置の遮光層周辺の構造を示す模式図であり、（ａ）は液晶装置の構造を示す模式平面図、（ｂ）は（ａ）に示す液晶装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図。
【図５】図４（ｂ）に示す液晶装置のＢ部を拡大して示す拡大断面図。
【図６】液晶装置の製造方法の一部を示す模式断面図。
【図７】液晶装置の製造方法の一部を示す模式断面図。
【図８】液晶装置を備えた電子機器（液晶プロジェクター）の構成を示す模式図。
【図９】対向基板の変形例の構造を示す模式断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大又は縮小して表示している。
【００２３】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、又は基板の上に他の構成物を介して配置される場合、又は基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００２４】
本実施形態では、薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００２５】
＜液晶装置の構成＞
図１は、液晶装置の構成を示す模式平面図である。図２は、図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図である。図３は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の構造を、図１〜図３を参照しながら説明する。
【００２６】
図１及び図２に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０および対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層１５とを有する。素子基板１０を構成する第１基板１１、および対向基板２０を構成する透光性基板としての第２基板１２は、例えば、ガラス基板、石英基板などの透明基板、又はシリコン基板が用いられている。
【００２７】
素子基板１０は対向基板２０よりも一回り大きく、両基板は、額縁状に配置されたシール材１４を介して接合され、その隙間に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層１５を構成している。シール材１４は、例えば、熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材１４には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのギャップ材が混入されている。
【００２８】
対向基板２０側における額縁状に配置されたシール材１４の内側には、同じく額縁状に凸部としての遮光層１８（遮光膜）が設けられている。遮光層１８は、例えば、遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光層１８の内側が複数の画素Ｐを有する表示領域Ｅとなっている。なお、図１では図示省略したが、表示領域Ｅにおいても複数の画素Ｐを平面的に区分する遮光部が設けられている。
【００２９】
第１基板１１の１辺部と、１辺部に沿ったシール材１４との間にデータ線駆動回路２２が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材１４の内側に検査回路２５が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材１４の内側に走査線駆動回路２４が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部のシール材１４の内側には、２つの走査線駆動回路２４を繋ぐ複数の配線２９が設けられている。
【００３０】
これらデータ線駆動回路２２及び走査線駆動回路２４に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続端子６１に接続されている。以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。なお、検査回路２５の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路２２と表示領域Ｅとの間のシール材１４の内側に沿った位置に設けてもよい。
【００３１】
図２に示すように、第１基板１１の液晶層１５側の表面には、画素Ｐごとに設けられた光反射性を有する画素電極２７およびスイッチング素子としての薄膜トランジスター３０（以降、「ＴＦＴ３０」と称する。）と、信号配線と、これらを覆う配向膜２８とが形成されている。
【００３２】
画素電極２７は、光反射性の例えばＡｌ（アルミニウム）やＡｇ（銀）またはこれらの金属の合金や酸化物などの化合物を用いて形成することができる。また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。
【００３３】
第２基板１２の液晶層１５側の表面には、遮光層１８と、これを覆うように成膜された第１絶縁層３３と、第１絶縁層３３を覆うように設けられた共通電極３１と、共通電極３１を覆う配向膜３２とが設けられている。なお、遮光層１８と共通電極３１との間に、図示しない複数の透明膜が積層された透明積層膜が設けられている。透明積層膜の詳細については後述する。
【００３４】
遮光層１８は、図１に示すように、平面的に走査線駆動回路２４、検査回路２５と重なる位置において額縁状に設けられている。これにより対向基板２０側から入射する光を遮蔽して、これらの駆動回路を含む周辺回路の光による誤動作を防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮蔽して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
【００３５】
第１絶縁層３３は、例えば、酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光層１８を覆うように設けられている。このような第１絶縁層３３の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
【００３６】
共通電極３１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、第１絶縁層３３を覆うと共に、図１に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部２６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
【００３７】
画素電極２７を覆う配向膜２８および共通電極３１を覆う配向膜３２は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。例えば、ＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を気相成長法を用いて成膜して、液晶分子に対して略垂直配向させたものが挙げられる。
【００３８】
このような液晶装置１００は反射型であって、画素Ｐが非駆動時に暗表示となるノーマリーブラックモードや、非駆動時に明表示となるノーマリーホワイトモードの光学設計が採用される。光学設計に応じて、光の入射側（射出側）に偏光素子が配置されて用いられる。
【００３９】
図３に示すように、液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線３ａおよび複数のデータ線６ａと、容量線３ｂとを有する。走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。
【００４０】
走査線３ａとデータ線６ａならびに容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極２７と、ＴＦＴ３０と、容量素子１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００４１】
走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のデータ線側ソースドレイン領域に電気的に接続されている。画素電極２７は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域に電気的に接続されている。
【００４２】
データ線６ａは、データ線駆動回路２２（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路２２から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは、走査線駆動回路２４（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路２４から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。
【００４３】
データ線駆動回路２２からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路２４は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
【００４４】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極２７に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極２７を介して液晶層１５に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極２７と液晶層１５を介して対向配置された共通電極３１との間で一定期間保持される。
【００４５】
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極２７と共通電極３１との間に形成される液晶容量と並列に容量素子１６が接続されている。容量素子１６は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域と容量線３ｂとの間に設けられている。容量素子１６は、２つの容量電極の間に誘電体層を有するものである。
【００４６】
図４は、液晶装置の遮光層周辺の構造を示す模式図であり、図４（ａ）は液晶装置の構造を示す模式平面図、図４（ｂ）は図４（ａ）に示す液晶装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図である。図５は、図４（ｂ）に示す液晶装置のＢ部を拡大して示す拡大断面図である。以下、遮光層周辺の液晶装置の構造を、図４及び図５を参照しながら説明する。
【００４７】
図４に示すように、対向基板２０を構成する第２基板１２の液晶層１５側には、上記したように、表示領域Ｅを囲むように遮光層１８が設けられている。また、図４（ｂ）に示すように、遮光層１８の断面形状は、凸状になっている。そして、遮光層１８を覆うように透明積層膜４０が設けられている。更に、透明積層膜４０を覆うようにして図示しない絶縁層、及び共通電極３１や配向膜３２が設けられている。
【００４８】
具体的には、図５に示すように、第２基板１２の液晶層１５側の表面に遮光層１８が設けられている。遮光層１８の材料としては、例えば、アルミニウム合金（ＡｌＳｉ、ＡｌＳｉＣｕなど）である。遮光層１８の厚みは、第１透明導電膜４１、第２透明導電膜４３、及び透明絶縁膜４２よりも厚く、例えば、１００ｎｍ〜２００ｎｍである。
【００４９】
遮光層１８上には、第２基板１２及び遮光層１８を覆うようにして第１絶縁層３３が設けられている。第１絶縁層３３は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）である。第１絶縁層３３の厚みは、例えば、２００ｎｍ〜３００ｎｍである。第１絶縁層３３の製造方法としては、例えば、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）を用いたプラズマＣＶＤ法で形成することができる。
【００５０】
第１絶縁層３３上には、透明積層膜４０が設けられている。透明積層膜４０は、第２基板１２側から第１透明導電膜４１、透明絶縁膜４２、及び第２透明導電膜４３が積層されて構成されている。なお、透明絶縁膜４２は、第１透明導電膜４１より屈折率が低い。また、第２透明導電膜４３は、透明絶縁膜４２より屈折率が高い。第１透明導電膜４１と第２透明導電膜４３とは、少なくとも遮光層１８の一部と平面的に重なる領域において、溝部４５を介して電気的に接続されている。
【００５１】
第１透明導電膜４１及び第２透明導電膜４３は、例えば、ＩＴＯで構成されている。透明絶縁膜４２は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）である。第１透明導電膜４１の厚みは、例えば、２０ｎｍである。透明絶縁膜４２の厚みは、例えば、６０ｎｍである。第２透明導電膜４３の厚みは、例えば、２０ｎｍである。
【００５２】
このように、断面的に凸状に設けられた遮光層１８の上層に透明積層膜４０を積層し、透明積層膜４０を構成する透明絶縁膜４２に溝部４５を設けた場合、溝部４５の開口形状をなだらかにすることが可能となり、その後、透明絶縁膜４２上に第２透明導電膜４３を設けた場合、溝部４５において、第２透明導電膜４３が段切れになるようなことを防ぐことができる。
【００５３】
具体的には、遮光層１８の上層に透明絶縁膜４２を設けた場合、遮光層１８の上方の透明絶縁膜４２の厚みを薄くすることが可能となり、更に、透明絶縁膜４２における溝部４５（接続部分）の開口形状をなだらかな形状にすることができる。よって、溝部４５を含む基板上の全体に膜厚の比較的薄い（例えば、２０ｎｍ）第２透明導電膜４３を成膜したとしても、溝部４５の中の第２透明導電膜４３が段切れになることを抑えることができる。よって、確実に第１透明導電膜４１と第２透明導電膜４３とを電気的に接続させることができる。その結果、コントラストや透過率を向上させることができる。
【００５４】
また、図４（ａ）に示すように、表示領域Ｅの周囲に亘って遮光層１８が設けられており、遮光層１８の上方において、第１透明導電膜４１と第２透明導電膜４３とが電気的に接続されているので、２つの透明導電膜４１，４３の抵抗を下げることが可能となり、透明導電膜を薄膜化したことによる共通電極３１の電位が追従しにくくなることを抑えることができる。
【００５５】
透明積層膜４０上には、第２絶縁層４４、共通電極３１、図示しない配向膜３２の順に設けられており、対向基板２０が構成されている。そして、素子基板１０と対向基板２０とは、シール材１４を介して貼り合わされている。
【００５６】
図６及び図７は、液晶装置の製造方法の一部を示す模式断面図である。以下、液晶装置の一部の製造方法（特に、透明積層膜の製造方法）を、図６及び図７を参照しながら説明する。
【００５７】
最初に、公知の技術を用いて素子基板１０側を製造する。続いて、対向基板２０を製造する。対向基板２０の製造方法としては、まず、第２基板１２上に遮光層１８を形成する。具体的には、図６（ａ）に示すように、石英基板等の透光性材料からなる第２基板１２上に、例えば、アルミニウム合金（ＡｌＳｉ）からなる遮光層１８を、表示領域Ｅの周囲を囲むように成膜及びパターニングする。遮光層１８の厚みは、例えば、１００ｎｍ〜２００ｎｍである。
【００５８】
次に、図６（ｂ）に示すように、遮光層１８及び第２基板１２上に、第１絶縁層３３を形成する。第１絶縁層３３は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）である。第１絶縁層３３の厚みは、例えば、２００ｎｍ〜３００ｎｍである。
【００５９】
次に、透明積層膜４０を構成する第１透明導電膜４１を成膜する。その後、透明絶縁膜４２を成膜する。第１透明導電膜４１は、例えば、ＩＴＯである。透明絶縁膜４２は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）である。第１透明導電膜４１の製造方法としては、たとえば、スパッタ法によって製造することができる。透明絶縁膜４２の製造方法としては、例えば、ＣＶＤ法を用いて製造することができる。
【００６０】
次に、図６（ｃ）に示すように、遮光層１８の上方に成膜された透明絶縁膜４２の部分４２ａを除去する。具体的には、例えば、フォトリソグラフィ法、及びエッチング法によって、遮光層１８の上方に溝部４５を形成する。これにより、表示領域Ｅを囲むように、第１透明導電膜４１の一部の表面４１ａが露出する。言い換えれば、表示領域Ｅを囲むように、繋がった溝部４５が形成される。
【００６１】
次に、図７（ｄ）に示すように、透明絶縁膜４２を含む第２基板１２上の全体を覆うように、透明積層膜４０を構成する第２透明導電膜４３を成膜する。第２透明導電膜４３は、例えば、ＩＴＯである。これにより、透明絶縁膜４２上及び溝部４５の中に第２透明導電膜４３が成膜される。言い換えれば、遮光層１８の上方において、溝部４５を介して第１透明導電膜４１と第２透明導電膜４３の一部とが電気的に接続されたことになる。
【００６２】
このように、断面的に凸状に設けられた遮光層１８を利用して、この上方において第１透明導電膜４１と第２透明導電膜４３とを電気的に接続するので、透明絶縁膜４２の厚みを薄くすることが可能となり、更に、透明絶縁膜４２における溝部４５（接続部分）の開口形状をなだらかな形状にすることができる。よって、溝部４５を含む基板上の全体に膜厚の比較的薄い（例えば、２０ｎｍ）第２透明導電膜４３を成膜したとしても、溝部４５の中の第２透明導電膜４３が段切れになることを抑えることができる。よって、確実に第１透明導電膜４１と第２透明導電膜４３とを電気的に接続させることができる。その結果、２つの透明導電膜４１，４３の抵抗を下げることができる。
【００６３】
次に、図７（ｅ）に示すように、透明積層膜４０上に第２絶縁層４４、共通電極３１、図示しない配向膜３２を、公知の方法によって成膜することにより、対向基板２０側が完成する。この後、素子基板１０と対向基板２０とをシール材１４を介して貼り合わせ、例えば、液晶注入口から液晶を注入し、その後、液晶注入口を封止して液晶装置１００が完成する。
【００６４】
＜電子機器の構成＞
図８は、上記した液晶装置を備えた電子機器（反射型の投射型表示装置：液晶プロジェクター）の構成を示す模式図である。以下、電子機器の構成について、図８を参照しながら説明する。
【００６５】
図８に示すように、本実施形態の電子機器としての液晶プロジェクター１５００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、３つのダイクロイックミラー１１１１，１１１２，１１１５と、２つの反射ミラー１１１３，１１１４と、３つの光変調素子としての反射型の液晶ライトバルブ１２５０，１２６０，１２７０と、クロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【００６６】
偏光照明装置１１００は、ハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【００６７】
偏光照明装置１１００から射出された偏光光束は、互いに直交して配置されたダイクロイックミラー１１１１とダイクロイックミラー１１１２とに入射する。光分離素子としてのダイクロイックミラー１１１１は、入射した偏光光束のうち赤色光（Ｒ）を反射する。もう一方の光分離素子としてのダイクロイックミラー１１１２は、入射した偏光光束のうち緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを反射する。
【００６８】
反射した赤色光（Ｒ）は反射ミラー１１１３により再び反射され、液晶ライトバルブ１２５０に入射する。一方、反射した緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とは反射ミラー１１１４により再び反射して光分離素子としてのダイクロイックミラー１１１５に入射する。ダイクロイックミラー１１１５は緑色光（Ｇ）を反射し、青色光（Ｂ）を透過する。反射した緑色光（Ｇ）は液晶ライトバルブ１２６０に入射する。透過した青色光（Ｂ）は液晶ライトバルブ１２７０に入射する。
【００６９】
液晶ライトバルブ１２５０は、反射型の液晶パネル１２５１と、反射型偏光素子としてのワイヤーグリッド偏光板１２５３とを備えている。
【００７０】
液晶ライトバルブ１２５０は、ワイヤーグリッド偏光板１２５３によって反射した赤色光（Ｒ）がクロスダイクロイックプリズム１２０６の入射面に垂直に入射するように配置されている。また、ワイヤーグリッド偏光板１２５３の偏光度を補う補助偏光板１２５４が液晶ライトバルブ１２５０における赤色光（Ｒ）の入射側に配置され、もう１つの補助偏光板１２５５が赤色光（Ｒ）の射出側においてクロスダイクロイックプリズム１２０６の入射面に沿って配置されている。なお、反射型偏光素子として偏光ビームスプリッターを用いた場合には、一対の補助偏光板１２５４，１２５５を省略することも可能である。
【００７１】
このような反射型の液晶ライトバルブ１２５０の構成と各構成の配置は、他の反射型の液晶ライトバルブ１２６０，１２７０においても同じである。
【００７２】
液晶ライトバルブ１２５０，１２６０，１２７０に入射した各色光は、画像情報に基づいて変調され、再びワイヤーグリッド偏光板１２５３，１２６３，１２７３を経由してクロスダイクロイックプリズム１２０６に入射する。クロスダイクロイックプリズム１２０６では、各色光が合成され、合成された光は投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【００７３】
本実施形態では、液晶ライトバルブ１２５０，１２６０，１２７０における反射型の液晶パネル１２５１，１２６１，１２７１として上記実施形態における液晶装置１００が適用されている。
【００７４】
このような液晶プロジェクター１５００によれば、反射型の液晶装置１００を液晶ライトバルブ１２５０，１２６０，１２７０に用いているので、コントラストや透過率を向上させることが可能な反射型の液晶プロジェクター１５００を提供できる。
【００７５】
以上詳述したように、本実施形態の液晶装置１００、及び電子機器によれば、以下に示す効果が得られる。
【００７６】
（１）本実施形態の液晶装置１００によれば、遮光層１８の上層に透明絶縁膜４２を設けた場合、遮光層１８の上方の透明絶縁膜４２の厚みを薄くすることが可能となり、更に、透明絶縁膜４２における溝部４５（接続部分）の開口形状をなだらかな形状にすることができる。よって、溝部４５を含む基板上の全体に膜厚の比較的薄い（例えば、２０ｎｍ）第２透明導電膜４３を成膜したとしても、溝部４５の中において第２透明導電膜４３が段切れになることを抑えることができる。よって、確実に第１透明導電膜４１と第２透明導電膜４３とを電気的に接続させることができ、２つの透明導電膜４１，４３の抵抗を下げることが可能となり、透明導電膜を薄膜化したことによる共通電極３１の電位が追従しにくくなることを抑えることができる。加えて、コントラストや透過率を向上させることができると共に、透明積層膜４０がチャージアップされることを抑えることができる。
【００７７】
（２）本実施形態の液晶装置１００によれば、表示領域Ｅの外周を囲む遮光層１８を凸部として利用するので、新たに凸部を設ける場合と比較して、製造工程が増えることを抑えることができる。
【００７８】
（３）本実施形態の電子機器によれば、上記に記載の液晶装置１００を備えているので、透明積層膜４０の導通を確実に行うことができ、表示品質を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。
【００７９】
なお、本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。
【００８０】
（変形例１）
上記したように、第１透明導電膜４１と第２透明導電膜４３とを電気的に接続することに限定されず、例えば、図９に示すような構成であってもよい。図９は、対向基板の変形例の構造を示す模式断面図である。図９に示すように、変形例の対向基板１２０は、第２基板１２上に遮光層１８が設けられており、遮光層１８を覆うように第１絶縁層１３３が設けられている。
【００８１】
なお、遮光層１８の上方にある第１絶縁層１３３には遮光層１８まで貫通する溝部が設けられており、溝部及び第１絶縁層１３３を覆うように第１透明導電膜１４１が設けられている。これにより、遮光層１８と第１透明導電膜１４１が電気的に接続されている。更に、上記実施形態と同様に、透明絶縁膜１４２を介して第２透明導電膜１４３が設けられており、遮光層１８の上方に設けられた溝部を介して、第１透明導電膜１４１と第２透明導電膜１４３とが電気的に接続されている。
【００８２】
この構成によれば、第１透明導電膜１４１と第２透明導電膜１４３とが電気的に接続されていることに加えて、これらが遮光層１８と電気的に接続されているので、透明導電膜１４１，１４３の抵抗を更に下げることが可能となり、透明導電膜を薄膜化したことによる共通電極３１の電位が追従しにくくなることを抑えることができる。
【００８３】
なお、遮光層１８は、上記したように、アルミニウム合金のみで構成されることに限定されず、例えば、アルミニウム合金（例えば、ＡｌＳｉ）上に、窒化チタン（ＴｉＮ）を積層するようにしてもよい。これによれば、遮光層１８が腐蝕することを抑えることができる。更に、遮光層１８の上側において第１絶縁層１３３に貫通溝を形成する際のエッチングストッパーとしても機能させることができる。アルミニウム合金（ＡｌＳｉ）の厚みは、例えば、１００ｎｍ〜２００ｎｍである。窒化チタン（ＴｉＮ）の厚みは、例えば、５０ｎｍである。
【００８４】
（変形例２）
上記したように、反射型の液晶装置１００に適用することに限定されず、透過型の液晶装置に適用するようにしてもよい。これによれば、透過型の液晶プロジェクターを用いることができる。
【００８５】
（変形例３）
上記したように、凸部として遮光層１８を用いることに限定されず、例えば、ブラックマトリックス（ＢＭ）や上下導通端子の導通パッドなどを凸部として用いるようにしてもよい。また、対向基板側に設けられた凸部に限定されず、素子基板側に設けられた凸部を用いるようにしてもよい。
【００８６】
（変形例４）
上記したように、凸部として、表示領域を囲むように周囲に繋がった遮光膜を用いることに限定されず、例えば、領域ごとに区切られた凸部を用いるようにしてもよい。これによれば、凸部のない領域の上方において透明導電膜が段切れになったとしても、他の凸部が設けられた上方において確実に第１透明導電膜４１と第２透明導電膜４３とを電気的に接続させることができる。
【００８７】
（変形例５）
上記したように、透明導電膜において平面的に表示領域を囲むように繋がった溝部４５を設けることに限定されず、例えば、周囲に亘って繋がった溝部でなくてもよい。これによれば、第１透明導電膜４１と第２透明導電膜４３との接続面積が少なくなるものの、従来と比較して抵抗を下げることができる。
【００８８】
（変形例６）
上記したように、電子機器として投射型表示装置（プロジェクター）１５００を例に説明してきたが、これに限定されず、例えば、ビューワー、ビューファインダー、ヘッドマウントディスプレイなどに適用するようにしてもよい。また、液晶テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサー、ビューファインダー型又はモニター直視型のビデオテープレコーダー、ワークステーション、モバイル型のパーソナルコンピューター、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ページャー、電卓、タッチパネルなどの各種電子機器、また、電子ペーパーなどの電気泳動装置、カーナビゲーション装置等に適用するようにしてもよい。
【符号の説明】
【００８９】
３ａ…走査線、３ｂ…容量線、６ａ…データ線、１０…素子基板、１１…第１基板、１２…透光性基板としての第２基板、１４…シール材、１５…液晶層、１６…容量素子、１８…凸部としての遮光層（遮光膜）、２０，１２０…対向基板、２２…データ線駆動回路、２４…走査線駆動回路、２５…検査回路、２６…上下導通部、２７…画素電極、２８，３２…配向膜、２９…配線、３０…ＴＦＴ、３１…共通電極、３３，１３３…第１絶縁層、４０…透明積層膜、４１，１４１…第１透明導電膜、４１ａ…表面、４２，１４２…透明絶縁膜、４２ａ…部分、４３，１４３…第２透明導電膜、４４…第２絶縁層、４５…溝部、６１…外部接続端子、１００…液晶装置、１１００…偏光照明装置、１１０１…ランプユニット、１１０２…インテグレーターレンズ、１１０３…偏光変換素子、１１１１，１１１２，１１１５…ダイクロイックミラー、１１１３，１１１４…反射ミラー、１２０６…クロスダイクロイックプリズム、１２０７…投射レンズ、１２５０，１２６０，１２７０…液晶ライトバルブ、１２５１，１２６１，１２７１…反射型の液晶パネル、１２５３，１２６３，１２７３…ワイヤーグリッド偏光板、１２５４，１２５５…補助偏光板、１３００…スクリーン、１５００…液晶プロジェクター。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記液晶装置として、例えば、画素電極をスイッチング制御する素子としてトランジスターを画素ごとに備えたアクティブ駆動方式の液晶装置が知られている。また、このような液晶装置は、透過型として用いられる透過型液晶装置や、反射型として用いられる反射型液晶装置がある。
【０００３】
例えば、特許文献１には、反射型液晶装置において、対向基板側の表面に透明絶縁膜を２つの透明導電膜によって挟持して積層することにより、各々の膜の屈折率を利用し、反射防止膜として機能させると共に透過率を向上させる技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１８７７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、より短波長領域の透過率向上に対応しようとすると、透明導電膜を更に薄膜化する必要があり、これにより、対向基板側の共通電極の電位に追従しにくくなるという課題がある。加えて、複数の透明導電膜のうち一部の膜のみを電気的に接続すると、他の膜がチャージアップするという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係る液晶装置は、素子基板と、前記素子基板に対向するように配置された対向基板と、前記素子基板と前記対向基板との間に挟持された液晶層と、を含み、前記対向基板は、透光性基板と、前記透光性基板の前記液晶層側に配置された第１透明導電膜と、前記第１透明導電膜の前記液晶層側に配置され、前記第１透明導電膜より屈折率が低い透明絶縁膜と、前記透明絶縁膜の前記液晶層側に配置され、前記透明絶縁膜よりも屈折率が高い第２透明導電膜と、前記透光性基板と前記第１透明導電膜との間に配置された凸部と、を備え、前記第１透明導電膜と前記第２透明導電膜とは、少なくとも前記凸部の一部と平面的に重なる領域において電気的に接続されていることを特徴とする。
【０００８】
本適用例によれば、凸部と平面的に重なる領域の透明絶縁膜の部分を接続部として第１透明導電膜と第２透明導電膜とが電気的に接続されているので、凸部の無い領域で接続する方法と比較して、凸部上の透明絶縁膜の厚みを薄くすることが可能となり、更に、透明絶縁膜における接続部分をなだらかな形状することができる。よって、第１透明導電膜及び第２透明導電膜が他の膜と比較して極力薄い場合でも、透明絶縁膜の接続部分において透明導電膜が段切れになることを抑えることができる。よって、確実に第１透明導電膜と第２透明導電膜とを電気的に接続させることが可能となり、透明導電膜を薄膜化したことによる対向基板側の共通電極の電位が追従しにくくなることを抑えることができる。加えて、コントラストや透過率を向上させることができ、また、透明積層膜がチャージアップされることを抑えることができる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例に係る液晶装置において、前記凸部の厚みは、前記第１透明導電膜の膜厚、及び前記第２透明導電膜の膜厚よりも厚いことが好ましい。
【００１０】
本適用例によれば、凸部の厚みが、第１透明導電膜や第２透明導電膜よりも厚いので、透明絶縁膜の表面の起伏をなだらかにさせると共に凸部の上方の透明絶縁膜の部分を薄くさせることができる。更に、透明絶縁膜における接続部分をなだらかな形状することができる。よって、第１透明導電膜及び第２透明導電膜が他の膜と比較して極力薄い場合でも、透明絶縁膜の接続部分において透明導電膜が段切れになることを抑えることができる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例に係る液晶装置において、前記凸部の厚みは、前記透明絶縁膜の厚みよりも厚いことが好ましい。
【００１２】
本適用例によれば、凸部の厚みが、透明絶縁膜よりも厚いので、透明絶縁膜の表面の起伏をなだらかにさせると共に遮光層の上方の透明絶縁膜の部分を薄くさせることができる。更に、透明絶縁膜における接続部分をなだらかな形状することができる。よって、第１透明導電膜及び第２透明導電膜が他の膜と比較して極力薄い場合でも、透明絶縁膜の接続部分において透明導電膜が段切れになることを抑えることができる。
【００１３】
［適用例４］上記適用例に係る液晶装置において、画像を表示する領域である表示領域を有し、前記凸部は、前記表示領域の外周を囲む遮光膜であることが好ましい。
【００１４】
本適用例によれば、表示領域の外周を囲む遮光膜を凸部として利用するので、新たに凸部を設ける場合と比較して、製造工程が増えることを抑えることができる。
【００１５】
［適用例５］上記適用例に係る液晶装置において、前記凸部は、前記素子基板と前記対向基板との間の導通をとるための導通パッドであることが好ましい。
【００１６】
本適用例によれば、導通パッドを凸部として利用するので、新たに凸部を設ける場合と比較して、製造工程が増えることを抑えることができる。
【００１７】
［適用例６］上記適用例に係る液晶装置において、前記凸部と前記第１透明導電膜とが電気的に接続されていることが好ましい。
【００１８】
本適用例によれば、第１透明導電膜と第２透明導電膜とが電気的に接続されていることに加えて、これらが遮光層と電気的に接続されているので、２つの透明導電膜の抵抗を更に下げることが可能となり、透明導電膜を薄膜化したことによる共通電極の電位が追従しにくくなることを抑えることができる。
【００１９】
［適用例７］本適用例に係る電子機器は、上記した液晶装置を備えることを特徴とする。
【００２０】
本適用例によれば、上記に記載の液晶装置を備えているので、透明積層膜の導通を確実に行うことができ、表示品質を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】液晶装置の構成を示す模式平面図。
【図２】図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図。
【図３】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図４】液晶装置の遮光層周辺の構造を示す模式図であり、（ａ）は液晶装置の構造を示す模式平面図、（ｂ）は（ａ）に示す液晶装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図。
【図５】図４（ｂ）に示す液晶装置のＢ部を拡大して示す拡大断面図。
【図６】液晶装置の製造方法の一部を示す模式断面図。
【図７】液晶装置の製造方法の一部を示す模式断面図。
【図８】液晶装置を備えた電子機器（液晶プロジェクター）の構成を示す模式図。
【図９】対向基板の変形例の構造を示す模式断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大又は縮小して表示している。
【００２３】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、又は基板の上に他の構成物を介して配置される場合、又は基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００２４】
本実施形態では、薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００２５】
＜液晶装置の構成＞
図１は、液晶装置の構成を示す模式平面図である。図２は、図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図である。図３は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の構造を、図１〜図３を参照しながら説明する。
【００２６】
図１及び図２に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０および対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層１５とを有する。素子基板１０を構成する第１基板１１、および対向基板２０を構成する透光性基板としての第２基板１２は、例えば、ガラス基板、石英基板などの透明基板、又はシリコン基板が用いられている。
【００２７】
素子基板１０は対向基板２０よりも一回り大きく、両基板は、額縁状に配置されたシール材１４を介して接合され、その隙間に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層１５を構成している。シール材１４は、例えば、熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材１４には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのギャップ材が混入されている。
【００２８】
対向基板２０側における額縁状に配置されたシール材１４の内側には、同じく額縁状に凸部としての遮光層１８（遮光膜）が設けられている。遮光層１８は、例えば、遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光層１８の内側が複数の画素Ｐを有する表示領域Ｅとなっている。なお、図１では図示省略したが、表示領域Ｅにおいても複数の画素Ｐを平面的に区分する遮光部が設けられている。
【００２９】
第１基板１１の１辺部と、１辺部に沿ったシール材１４との間にデータ線駆動回路２２が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材１４の内側に検査回路２５が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材１４の内側に走査線駆動回路２４が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部のシール材１４の内側には、２つの走査線駆動回路２４を繋ぐ複数の配線２９が設けられている。
【００３０】
これらデータ線駆動回路２２及び走査線駆動回路２４に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続端子６１に接続されている。以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。なお、検査回路２５の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路２２と表示領域Ｅとの間のシール材１４の内側に沿った位置に設けてもよい。
【００３１】
図２に示すように、第１基板１１の液晶層１５側の表面には、画素Ｐごとに設けられた光反射性を有する画素電極２７およびスイッチング素子としての薄膜トランジスター３０（以降、「ＴＦＴ３０」と称する。）と、信号配線と、これらを覆う配向膜２８とが形成されている。
【００３２】
画素電極２７は、光反射性の例えばＡｌ（アルミニウム）やＡｇ（銀）またはこれらの金属の合金や酸化物などの化合物を用いて形成することができる。また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。
【００３３】
第２基板１２の液晶層１５側の表面には、遮光層１８と、これを覆うように成膜された第１絶縁層３３と、第１絶縁層３３を覆うように設けられた共通電極３１と、共通電極３１を覆う配向膜３２とが設けられている。なお、遮光層１８と共通電極３１との間に、図示しない複数の透明膜が積層された透明積層膜が設けられている。透明積層膜の詳細については後述する。
【００３４】
遮光層１８は、図１に示すように、平面的に走査線駆動回路２４、検査回路２５と重なる位置において額縁状に設けられている。これにより対向基板２０側から入射する光を遮蔽して、これらの駆動回路を含む周辺回路の光による誤動作を防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮蔽して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
【００３５】
第１絶縁層３３は、例えば、酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光層１８を覆うように設けられている。このような第１絶縁層３３の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
【００３６】
共通電極３１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、第１絶縁層３３を覆うと共に、図１に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部２６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
【００３７】
画素電極２７を覆う配向膜２８および共通電極３１を覆う配向膜３２は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。例えば、ＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を気相成長法を用いて成膜して、液晶分子に対して略垂直配向させたものが挙げられる。
【００３８】
このような液晶装置１００は反射型であって、画素Ｐが非駆動時に暗表示となるノーマリーブラックモードや、非駆動時に明表示となるノーマリーホワイトモードの光学設計が採用される。光学設計に応じて、光の入射側（射出側）に偏光素子が配置されて用いられる。
【００３９】
図３に示すように、液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線３ａおよび複数のデータ線６ａと、容量線３ｂとを有する。走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。
【００４０】
走査線３ａとデータ線６ａならびに容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極２７と、ＴＦＴ３０と、容量素子１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００４１】
走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のデータ線側ソースドレイン領域に電気的に接続されている。画素電極２７は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域に電気的に接続されている。
【００４２】
データ線６ａは、データ線駆動回路２２（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路２２から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは、走査線駆動回路２４（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路２４から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。
【００４３】
データ線駆動回路２２からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路２４は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
【００４４】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極２７に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極２７を介して液晶層１５に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極２７と液晶層１５を介して対向配置された共通電極３１との間で一定期間保持される。
【００４５】
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極２７と共通電極３１との間に形成される液晶容量と並列に容量素子１６が接続されている。容量素子１６は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域と容量線３ｂとの間に設けられている。容量素子１６は、２つの容量電極の間に誘電体層を有するものである。
【００４６】
図４は、液晶装置の遮光層周辺の構造を示す模式図であり、図４（ａ）は液晶装置の構造を示す模式平面図、図４（ｂ）は図４（ａ）に示す液晶装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図である。図５は、図４（ｂ）に示す液晶装置のＢ部を拡大して示す拡大断面図である。以下、遮光層周辺の液晶装置の構造を、図４及び図５を参照しながら説明する。
【００４７】
図４に示すように、対向基板２０を構成する第２基板１２の液晶層１５側には、上記したように、表示領域Ｅを囲むように遮光層１８が設けられている。また、図４（ｂ）に示すように、遮光層１８の断面形状は、凸状になっている。そして、遮光層１８を覆うように透明積層膜４０が設けられている。更に、透明積層膜４０を覆うようにして図示しない絶縁層、及び共通電極３１や配向膜３２が設けられている。
【００４８】
具体的には、図５に示すように、第２基板１２の液晶層１５側の表面に遮光層１８が設けられている。遮光層１８の材料としては、例えば、アルミニウム合金（ＡｌＳｉ、ＡｌＳｉＣｕなど）である。遮光層１８の厚みは、第１透明導電膜４１、第２透明導電膜４３、及び透明絶縁膜４２よりも厚く、例えば、１００ｎｍ〜２００ｎｍである。
【００４９】
遮光層１８上には、第２基板１２及び遮光層１８を覆うようにして第１絶縁層３３が設けられている。第１絶縁層３３は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）である。第１絶縁層３３の厚みは、例えば、２００ｎｍ〜３００ｎｍである。第１絶縁層３３の製造方法としては、例えば、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）を用いたプラズマＣＶＤ法で形成することができる。
【００５０】
第１絶縁層３３上には、透明積層膜４０が設けられている。透明積層膜４０は、第２基板１２側から第１透明導電膜４１、透明絶縁膜４２、及び第２透明導電膜４３が積層されて構成されている。なお、透明絶縁膜４２は、第１透明導電膜４１より屈折率が低い。また、第２透明導電膜４３は、透明絶縁膜４２より屈折率が高い。第１透明導電膜４１と第２透明導電膜４３とは、少なくとも遮光層１８の一部と平面的に重なる領域において、溝部４５を介して電気的に接続されている。
【００５１】
第１透明導電膜４１及び第２透明導電膜４３は、例えば、ＩＴＯで構成されている。透明絶縁膜４２は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）である。第１透明導電膜４１の厚みは、例えば、２０ｎｍである。透明絶縁膜４２の厚みは、例えば、６０ｎｍである。第２透明導電膜４３の厚みは、例えば、２０ｎｍである。
【００５２】
このように、断面的に凸状に設けられた遮光層１８の上層に透明積層膜４０を積層し、透明積層膜４０を構成する透明絶縁膜４２に溝部４５を設けた場合、溝部４５の開口形状をなだらかにすることが可能となり、その後、透明絶縁膜４２上に第２透明導電膜４３を設けた場合、溝部４５において、第２透明導電膜４３が段切れになるようなことを防ぐことができる。
【００５３】
具体的には、遮光層１８の上層に透明絶縁膜４２を設けた場合、遮光層１８の上方の透明絶縁膜４２の厚みを薄くすることが可能となり、更に、透明絶縁膜４２における溝部４５（接続部分）の開口形状をなだらかな形状にすることができる。よって、溝部４５を含む基板上の全体に膜厚の比較的薄い（例えば、２０ｎｍ）第２透明導電膜４３を成膜したとしても、溝部４５の中の第２透明導電膜４３が段切れになることを抑えることができる。よって、確実に第１透明導電膜４１と第２透明導電膜４３とを電気的に接続させることができる。その結果、コントラストや透過率を向上させることができる。
【００５４】
また、図４（ａ）に示すように、表示領域Ｅの周囲に亘って遮光層１８が設けられており、遮光層１８の上方において、第１透明導電膜４１と第２透明導電膜４３とが電気的に接続されているので、２つの透明導電膜４１，４３の抵抗を下げることが可能となり、透明導電膜を薄膜化したことによる共通電極３１の電位が追従しにくくなることを抑えることができる。
【００５５】
透明積層膜４０上には、第２絶縁層４４、共通電極３１、図示しない配向膜３２の順に設けられており、対向基板２０が構成されている。そして、素子基板１０と対向基板２０とは、シール材１４を介して貼り合わされている。
【００５６】
図６及び図７は、液晶装置の製造方法の一部を示す模式断面図である。以下、液晶装置の一部の製造方法（特に、透明積層膜の製造方法）を、図６及び図７を参照しながら説明する。
【００５７】
最初に、公知の技術を用いて素子基板１０側を製造する。続いて、対向基板２０を製造する。対向基板２０の製造方法としては、まず、第２基板１２上に遮光層１８を形成する。具体的には、図６（ａ）に示すように、石英基板等の透光性材料からなる第２基板１２上に、例えば、アルミニウム合金（ＡｌＳｉ）からなる遮光層１８を、表示領域Ｅの周囲を囲むように成膜及びパターニングする。遮光層１８の厚みは、例えば、１００ｎｍ〜２００ｎｍである。
【００５８】
次に、図６（ｂ）に示すように、遮光層１８及び第２基板１２上に、第１絶縁層３３を形成する。第１絶縁層３３は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）である。第１絶縁層３３の厚みは、例えば、２００ｎｍ〜３００ｎｍである。
【００５９】
次に、透明積層膜４０を構成する第１透明導電膜４１を成膜する。その後、透明絶縁膜４２を成膜する。第１透明導電膜４１は、例えば、ＩＴＯである。透明絶縁膜４２は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）である。第１透明導電膜４１の製造方法としては、たとえば、スパッタ法によって製造することができる。透明絶縁膜４２の製造方法としては、例えば、ＣＶＤ法を用いて製造することができる。
【００６０】
次に、図６（ｃ）に示すように、遮光層１８の上方に成膜された透明絶縁膜４２の部分４２ａを除去する。具体的には、例えば、フォトリソグラフィ法、及びエッチング法によって、遮光層１８の上方に溝部４５を形成する。これにより、表示領域Ｅを囲むように、第１透明導電膜４１の一部の表面４１ａが露出する。言い換えれば、表示領域Ｅを囲むように、繋がった溝部４５が形成される。
【００６１】
次に、図７（ｄ）に示すように、透明絶縁膜４２を含む第２基板１２上の全体を覆うように、透明積層膜４０を構成する第２透明導電膜４３を成膜する。第２透明導電膜４３は、例えば、ＩＴＯである。これにより、透明絶縁膜４２上及び溝部４５の中に第２透明導電膜４３が成膜される。言い換えれば、遮光層１８の上方において、溝部４５を介して第１透明導電膜４１と第２透明導電膜４３の一部とが電気的に接続されたことになる。
【００６２】
このように、断面的に凸状に設けられた遮光層１８を利用して、この上方において第１透明導電膜４１と第２透明導電膜４３とを電気的に接続するので、透明絶縁膜４２の厚みを薄くすることが可能となり、更に、透明絶縁膜４２における溝部４５（接続部分）の開口形状をなだらかな形状にすることができる。よって、溝部４５を含む基板上の全体に膜厚の比較的薄い（例えば、２０ｎｍ）第２透明導電膜４３を成膜したとしても、溝部４５の中の第２透明導電膜４３が段切れになることを抑えることができる。よって、確実に第１透明導電膜４１と第２透明導電膜４３とを電気的に接続させることができる。その結果、２つの透明導電膜４１，４３の抵抗を下げることができる。
【００６３】
次に、図７（ｅ）に示すように、透明積層膜４０上に第２絶縁層４４、共通電極３１、図示しない配向膜３２を、公知の方法によって成膜することにより、対向基板２０側が完成する。この後、素子基板１０と対向基板２０とをシール材１４を介して貼り合わせ、例えば、液晶注入口から液晶を注入し、その後、液晶注入口を封止して液晶装置１００が完成する。
【００６４】
＜電子機器の構成＞
図８は、上記した液晶装置を備えた電子機器（反射型の投射型表示装置：液晶プロジェクター）の構成を示す模式図である。以下、電子機器の構成について、図８を参照しながら説明する。
【００６５】
図８に示すように、本実施形態の電子機器としての液晶プロジェクター１５００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、３つのダイクロイックミラー１１１１，１１１２，１１１５と、２つの反射ミラー１１１３，１１１４と、３つの光変調素子としての反射型の液晶ライトバルブ１２５０，１２６０，１２７０と、クロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【００６６】
偏光照明装置１１００は、ハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【００６７】
偏光照明装置１１００から射出された偏光光束は、互いに直交して配置されたダイクロイックミラー１１１１とダイクロイックミラー１１１２とに入射する。光分離素子としてのダイクロイックミラー１１１１は、入射した偏光光束のうち赤色光（Ｒ）を反射する。もう一方の光分離素子としてのダイクロイックミラー１１１２は、入射した偏光光束のうち緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを反射する。
【００６８】
反射した赤色光（Ｒ）は反射ミラー１１１３により再び反射され、液晶ライトバルブ１２５０に入射する。一方、反射した緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とは反射ミラー１１１４により再び反射して光分離素子としてのダイクロイックミラー１１１５に入射する。ダイクロイックミラー１１１５は緑色光（Ｇ）を反射し、青色光（Ｂ）を透過する。反射した緑色光（Ｇ）は液晶ライトバルブ１２６０に入射する。透過した青色光（Ｂ）は液晶ライトバルブ１２７０に入射する。
【００６９】
液晶ライトバルブ１２５０は、反射型の液晶パネル１２５１と、反射型偏光素子としてのワイヤーグリッド偏光板１２５３とを備えている。
【００７０】
液晶ライトバルブ１２５０は、ワイヤーグリッド偏光板１２５３によって反射した赤色光（Ｒ）がクロスダイクロイックプリズム１２０６の入射面に垂直に入射するように配置されている。また、ワイヤーグリッド偏光板１２５３の偏光度を補う補助偏光板１２５４が液晶ライトバルブ１２５０における赤色光（Ｒ）の入射側に配置され、もう１つの補助偏光板１２５５が赤色光（Ｒ）の射出側においてクロスダイクロイックプリズム１２０６の入射面に沿って配置されている。なお、反射型偏光素子として偏光ビームスプリッターを用いた場合には、一対の補助偏光板１２５４，１２５５を省略することも可能である。
【００７１】
このような反射型の液晶ライトバルブ１２５０の構成と各構成の配置は、他の反射型の液晶ライトバルブ１２６０，１２７０においても同じである。
【００７２】
液晶ライトバルブ１２５０，１２６０，１２７０に入射した各色光は、画像情報に基づいて変調され、再びワイヤーグリッド偏光板１２５３，１２６３，１２７３を経由してクロスダイクロイックプリズム１２０６に入射する。クロスダイクロイックプリズム１２０６では、各色光が合成され、合成された光は投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【００７３】
本実施形態では、液晶ライトバルブ１２５０，１２６０，１２７０における反射型の液晶パネル１２５１，１２６１，１２７１として上記実施形態における液晶装置１００が適用されている。
【００７４】
このような液晶プロジェクター１５００によれば、反射型の液晶装置１００を液晶ライトバルブ１２５０，１２６０，１２７０に用いているので、コントラストや透過率を向上させることが可能な反射型の液晶プロジェクター１５００を提供できる。
【００７５】
以上詳述したように、本実施形態の液晶装置１００、及び電子機器によれば、以下に示す効果が得られる。
【００７６】
（１）本実施形態の液晶装置１００によれば、遮光層１８の上層に透明絶縁膜４２を設けた場合、遮光層１８の上方の透明絶縁膜４２の厚みを薄くすることが可能となり、更に、透明絶縁膜４２における溝部４５（接続部分）の開口形状をなだらかな形状にすることができる。よって、溝部４５を含む基板上の全体に膜厚の比較的薄い（例えば、２０ｎｍ）第２透明導電膜４３を成膜したとしても、溝部４５の中において第２透明導電膜４３が段切れになることを抑えることができる。よって、確実に第１透明導電膜４１と第２透明導電膜４３とを電気的に接続させることができ、２つの透明導電膜４１，４３の抵抗を下げることが可能となり、透明導電膜を薄膜化したことによる共通電極３１の電位が追従しにくくなることを抑えることができる。加えて、コントラストや透過率を向上させることができると共に、透明積層膜４０がチャージアップされることを抑えることができる。
【００７７】
（２）本実施形態の液晶装置１００によれば、表示領域Ｅの外周を囲む遮光層１８を凸部として利用するので、新たに凸部を設ける場合と比較して、製造工程が増えることを抑えることができる。
【００７８】
（３）本実施形態の電子機器によれば、上記に記載の液晶装置１００を備えているので、透明積層膜４０の導通を確実に行うことができ、表示品質を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。
【００７９】
なお、本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。
【００８０】
（変形例１）
上記したように、第１透明導電膜４１と第２透明導電膜４３とを電気的に接続することに限定されず、例えば、図９に示すような構成であってもよい。図９は、対向基板の変形例の構造を示す模式断面図である。図９に示すように、変形例の対向基板１２０は、第２基板１２上に遮光層１８が設けられており、遮光層１８を覆うように第１絶縁層１３３が設けられている。
【００８１】
なお、遮光層１８の上方にある第１絶縁層１３３には遮光層１８まで貫通する溝部が設けられており、溝部及び第１絶縁層１３３を覆うように第１透明導電膜１４１が設けられている。これにより、遮光層１８と第１透明導電膜１４１が電気的に接続されている。更に、上記実施形態と同様に、透明絶縁膜１４２を介して第２透明導電膜１４３が設けられており、遮光層１８の上方に設けられた溝部を介して、第１透明導電膜１４１と第２透明導電膜１４３とが電気的に接続されている。
【００８２】
この構成によれば、第１透明導電膜１４１と第２透明導電膜１４３とが電気的に接続されていることに加えて、これらが遮光層１８と電気的に接続されているので、透明導電膜１４１，１４３の抵抗を更に下げることが可能となり、透明導電膜を薄膜化したことによる共通電極３１の電位が追従しにくくなることを抑えることができる。
【００８３】
なお、遮光層１８は、上記したように、アルミニウム合金のみで構成されることに限定されず、例えば、アルミニウム合金（例えば、ＡｌＳｉ）上に、窒化チタン（ＴｉＮ）を積層するようにしてもよい。これによれば、遮光層１８が腐蝕することを抑えることができる。更に、遮光層１８の上側において第１絶縁層１３３に貫通溝を形成する際のエッチングストッパーとしても機能させることができる。アルミニウム合金（ＡｌＳｉ）の厚みは、例えば、１００ｎｍ〜２００ｎｍである。窒化チタン（ＴｉＮ）の厚みは、例えば、５０ｎｍである。
【００８４】
（変形例２）
上記したように、反射型の液晶装置１００に適用することに限定されず、透過型の液晶装置に適用するようにしてもよい。これによれば、透過型の液晶プロジェクターを用いることができる。
【００８５】
（変形例３）
上記したように、凸部として遮光層１８を用いることに限定されず、例えば、ブラックマトリックス（ＢＭ）や上下導通端子の導通パッドなどを凸部として用いるようにしてもよい。また、対向基板側に設けられた凸部に限定されず、素子基板側に設けられた凸部を用いるようにしてもよい。
【００８６】
（変形例４）
上記したように、凸部として、表示領域を囲むように周囲に繋がった遮光膜を用いることに限定されず、例えば、領域ごとに区切られた凸部を用いるようにしてもよい。これによれば、凸部のない領域の上方において透明導電膜が段切れになったとしても、他の凸部が設けられた上方において確実に第１透明導電膜４１と第２透明導電膜４３とを電気的に接続させることができる。
【００８７】
（変形例５）
上記したように、透明導電膜において平面的に表示領域を囲むように繋がった溝部４５を設けることに限定されず、例えば、周囲に亘って繋がった溝部でなくてもよい。これによれば、第１透明導電膜４１と第２透明導電膜４３との接続面積が少なくなるものの、従来と比較して抵抗を下げることができる。
【００８８】
（変形例６）
上記したように、電子機器として投射型表示装置（プロジェクター）１５００を例に説明してきたが、これに限定されず、例えば、ビューワー、ビューファインダー、ヘッドマウントディスプレイなどに適用するようにしてもよい。また、液晶テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサー、ビューファインダー型又はモニター直視型のビデオテープレコーダー、ワークステーション、モバイル型のパーソナルコンピューター、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ページャー、電卓、タッチパネルなどの各種電子機器、また、電子ペーパーなどの電気泳動装置、カーナビゲーション装置等に適用するようにしてもよい。
【符号の説明】
【００８９】
３ａ…走査線、３ｂ…容量線、６ａ…データ線、１０…素子基板、１１…第１基板、１２…透光性基板としての第２基板、１４…シール材、１５…液晶層、１６…容量素子、１８…凸部としての遮光層（遮光膜）、２０，１２０…対向基板、２２…データ線駆動回路、２４…走査線駆動回路、２５…検査回路、２６…上下導通部、２７…画素電極、２８，３２…配向膜、２９…配線、３０…ＴＦＴ、３１…共通電極、３３，１３３…第１絶縁層、４０…透明積層膜、４１，１４１…第１透明導電膜、４１ａ…表面、４２，１４２…透明絶縁膜、４２ａ…部分、４３，１４３…第２透明導電膜、４４…第２絶縁層、４５…溝部、６１…外部接続端子、１００…液晶装置、１１００…偏光照明装置、１１０１…ランプユニット、１１０２…インテグレーターレンズ、１１０３…偏光変換素子、１１１１，１１１２，１１１５…ダイクロイックミラー、１１１３，１１１４…反射ミラー、１２０６…クロスダイクロイックプリズム、１２０７…投射レンズ、１２５０，１２６０，１２７０…液晶ライトバルブ、１２５１，１２６１，１２７１…反射型の液晶パネル、１２５３，１２６３，１２７３…ワイヤーグリッド偏光板、１２５４，１２５５…補助偏光板、１３００…スクリーン、１５００…液晶プロジェクター。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子基板と、
前記素子基板に対向するように配置された対向基板と、
前記素子基板と前記対向基板との間に挟持された液晶層と、を含み、
前記対向基板は、透光性基板と、
前記透光性基板の前記液晶層側に配置された第１透明導電膜と、
前記第１透明導電膜の前記液晶層側に配置され、前記第１透明導電膜より屈折率が低い透明絶縁膜と、
前記透明絶縁膜の前記液晶層側に配置され、前記透明絶縁膜よりも屈折率が高い第２透明導電膜と、
前記透光性基板と前記第１透明導電膜との間に配置された凸部と、を備え、
前記第１透明導電膜と前記第２透明導電膜とは、少なくとも前記凸部の一部と平面的に重なる領域において電気的に接続されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶装置であって、
前記凸部の厚みは、前記第１透明導電膜の膜厚、及び前記第２透明導電膜の膜厚よりも厚いことを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の液晶装置であって、
前記凸部の厚みは、前記透明絶縁膜の厚みよりも厚いことを特徴とする液晶装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
画像を表示する領域である表示領域を有し、
前記凸部は、前記表示領域の外周を囲む遮光膜であることを特徴とする液晶装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
前記凸部は、前記素子基板と前記対向基板との間の導通をとるための導通パッドであることを特徴とする液晶装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
前記凸部と前記第１透明導電膜とが電気的に接続されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１】
素子基板と、
前記素子基板に対向するように配置された対向基板と、
前記素子基板と前記対向基板との間に挟持された液晶層と、を含み、
前記対向基板は、透光性基板と、
前記透光性基板の前記液晶層側に配置された第１透明導電膜と、
前記第１透明導電膜の前記液晶層側に配置され、前記第１透明導電膜より屈折率が低い透明絶縁膜と、
前記透明絶縁膜の前記液晶層側に配置され、前記透明絶縁膜よりも屈折率が高い第２透明導電膜と、
前記透光性基板と前記第１透明導電膜との間に配置された凸部と、を備え、
前記第１透明導電膜と前記第２透明導電膜とは、少なくとも前記凸部の一部と平面的に重なる領域において電気的に接続されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶装置であって、
前記凸部の厚みは、前記第１透明導電膜の膜厚、及び前記第２透明導電膜の膜厚よりも厚いことを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の液晶装置であって、
前記凸部の厚みは、前記透明絶縁膜の厚みよりも厚いことを特徴とする液晶装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
画像を表示する領域である表示領域を有し、
前記凸部は、前記表示領域の外周を囲む遮光膜であることを特徴とする液晶装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
前記凸部は、前記素子基板と前記対向基板との間の導通をとるための導通パッドであることを特徴とする液晶装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
前記凸部と前記第１透明導電膜とが電気的に接続されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２０１３−９２７１１（Ｐ２０１３−９２７１１Ａ）
【公開日】平成２５年５月１６日（２０１３．５．１６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２３５７２７（Ｐ２０１１−２３５７２７）
【出願日】平成２３年１０月２７日（２０１１．１０．２７）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月１６日（２０１３．５．１６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１０月２７日（２０１１．１０．２７）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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