【課題】応答速度の速い表示装置、電子機器、および、表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】例えばＦＦＳモード等の横電界によって液晶分子を制御する表示装置は、第１電極および第１電極と対向すると共に互いに延在方向が同一の複数の開口を有する第２電極を含む電極層と、電極層上に設けられ、開口の幅方向において対向する一方の側および他方の側の近傍領域の液晶分子が互いに逆方向に回転して配向する液晶層とを備えている。 （もっと読む）

【課題】端子金属が保護用ＩＴＯのピンホールまたは亀裂から侵入した水分による水和反応によって侵され、接続不良が生ずることを防止する。
【解決手段】端子部は、表示領域から延在する引き出し線３０と、端子金属１０と、端子金属１０から外側に延在する検査用配線４０を有している。端子部は保護用絶縁膜によって覆われ、端子金属１０の部分は、保護用絶縁膜にスルーホール２０が形成され、端子金属１０はスリット１５を介して複数に分割され、スリット１５は、表示領域側において、保護用絶縁膜によって覆われている。ＩＴＯ６０は分割された端子金属１０とスリット１５を覆っている。これによって、ＩＴＯ５０のピンホール等から水分が浸入しても、水分はスリット１５において進行を阻止される。したがって、端子金属１０全体が腐食して導通不良を引き起こすことは無い。 （もっと読む）

【課題】画素の開口領域を最大化し、画素の透過率を向上させる、ＦＦＳ方式液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート配線とデータ配線１１３ａとの交差地点に形成された薄膜トランジスタＴと、薄膜トランジスタＴを含む基板１０１全面に形成され、薄膜トランジスタＴを露出する開口部を備えた有機絶縁膜１１７の上部に形成された大面積の共通電極１２３ａと、開口部から薄膜トランジスタＴに接続された補助電極パターン１２３ｃと、共通電極１２３ａ及び補助電極パターン１２３ｃを含む基板１０１全面に形成され、薄膜トランジスタＴに接続された補助電極パターン１２３ｃを露出するパッシベーション膜１２７の上部に形成され、露出した補助電極パターン１２３ｃを介して薄膜トランジスタＴに電気的に接続され、共通電極１２３ａとオーバーラップする複数の画素電極１３３ａとを含む。 （もっと読む）

【課題】イオン性不純物に起因する表示不具合が改善された液晶装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の液晶装置は、一方の面側に複数の画素電極１５が配列する画素領域Ｅが設けられた第１基板としての素子基板１０と、共通電位が印加される共通電極２３が設けられた第２基板としての対向基板２０と、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わすシール材４０と、シール材４０で囲まれた領域内に保持された液晶層５０と、を備え、素子基板１０は、平面視で画素領域Ｅとシール材４０との間において、共通電位より低電位の第１の電位が印加された第１配線層としての定電位配線１２１ｓと、定電位配線１２１ｓと液晶層５０との間に設けられると共に、平面視で定電位配線１２１ｓの少なくとも一部と重なって設けられ、共通電位より高電位である第２の電位が印加された第２配線層としての周辺電極１４１と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】結晶異方性を有する領域と結晶異方性を有さない領域とを含む結晶化半導体膜を用いて薄膜トランジスタの集積化を容易に行なうことができる半導体素子基板の製造方法および半導体素子基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板上に成膜した非晶質半導体膜５６の下方に加熱促進層３０を形成した領域と、加熱促進層３０を形成しない領域とを設け、非晶質半導体膜５６にレーザビーム１８を照射する。このとき、加熱促進層３０によってレーザビーム１８が反射または吸収されることにより、非晶質半導体膜５６は裏面側からも結晶化が促進される。これにより、加熱促進層３０が形成された領域には結晶の配向が揃った第１の結晶性半導体膜５４が形成され、形成されない領域には結晶の配向がランダムな第２の結晶性半導体膜５５が形成される。 （もっと読む）

【課題】隣接する開口部の内部へ有機半導体インクを塗布した際に、互いのインクの混合を抑制し、高い品質を備える薄膜トランジスタ装置とその製造方法、有機ＥＬ表示素子、および有機ＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】隔壁１０１６における開口部１０１６ｂを臨む側面部のうち、隣接する開口部１０１６ｃの側の側面部１０１６ｅは、側面部１０１６ｄを含む他の側面部よりも傾斜が相対的に急峻な斜面となっている。隔壁１０１６における開口部１０１６ｃを臨む側面部のうち、隣接する開口部１０１６ｂの側の側面部１０１６ｆは、側面部１０１６ｇを含む他の側面部よりも傾斜が急峻な斜面となっている。開口部１０１６ｂと開口部１０１６ｃとの各内部に対して、有機半導体インクを塗布した場合、Ｘ軸方向に互いに離れる方向に偏った表面プロファイルを有することになる。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス基板上の電極と対向基板上のブラックマトリクスとの間に生じる電位に起因する光漏れを抑制する。
【解決手段】スイッチング素子が配置された一方の基板とブラックマトリクスが形成された他方の基板と液晶層とを少なくとも備える液晶表示装置において、ノーマリーブラックの第１の領域とノーマリーホワイトの第２の領域とを有し、第１の領域の一方の基板にはスイッチング素子に接続された第１画素電極と第１共通電極と第１共通電極に第１共通信号を供給する第１共通電極線を有し、第２の領域の一方又は他方の基板には第２共通電極を有し、第２の領域の一方の基板にはスイッチング素子に接続された第２画素電極と第２共通電極に第２共通信号を供給する第２共通電極線を有し、第１の領域に対向するブラックマトリクスと第２の領域に対向するブラックマトリクスが電気的に分離されている。 （もっと読む）

【課題】配線間の短絡等を発生させずに、複数の配線が並列する配線領域の幅寸法を狭めることのできる電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００では、素子基板１０の辺１０ｅと画素電極配列領域１０ｐとの間で複数の配線１０５が並列する配線領域１１は、一部の配線１０５と他の配線１０５とが異なる層に位置する第２配線領域１１ｂとを備えており、かかる第２配線領域１１ｂでは、異なる層に位置する配線１０５の間に平面視で広い隙間を設けなくても短絡等の問題が発生しない。このため、第２配線領域１１ｂについては、配線１０５間の短絡等を発生させず、幅方向の寸法を第１配線領域１１ａより狭くすることができる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。該半導体装置を作製する。半導体装置を歩留まりよく作製し、生産性を向上させる。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜が順に積層され、酸化物半導体膜に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、エッチング工程によりゲート電極層、又はソース電極層及びドレイン電極層を形成後、ゲート電極層又は酸化物半導体膜表面及び該近傍に存在するエッチング工程起因の残留物を除去する工程を行う。 （もっと読む）

【課題】視野角の広い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、第１基板と、第２基板と、液晶層と、複数の画素ＰＸと、を備える。複数の画素ＰＸは、１つ又は複数の主画素電極ＰＡと、複数の主共通電極ＣＡと、を有している。各画素ＰＸは、第１方向Ｘに沿った主画素電極ＰＡ及び主共通電極ＣＡ間の隙間が互いに異なる複数の領域Ｒ３、Ｒ４を有している。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜の水素濃度および酸素欠損を低減する。また、酸化物半導体膜を用いたトランジスタを有する半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】下地絶縁膜と下地絶縁膜上に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して酸化物半導体膜に重畳して設けられたゲート電極と、を有し、下地絶縁膜は、電子スピン共鳴にてｇ値が２．０１で信号を表し、酸化物半導体膜は、電子スピン共鳴にてｇ値が１．９３で信号を表さない半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】コントラストや透過率を向上させることができ、高品質な画像を表示可能とする液晶装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】液晶装置は、第２基板１２上に設けられた、第１透明導電膜４１と、第１透明導電膜４１より屈折率が低い透明絶縁膜４２と、透明絶縁膜４２よりも屈折率が高い第２透明導電膜４３と、を有する透明積層膜４０と、第２基板１２と透明積層膜４０との間に配置された遮光層１８と、を備え、第１透明導電膜４１と第２透明導電膜４３とは、遮光層１８と平面的に重なる領域において電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体の組成若しくは欠陥制御をすることを目的の一とし、また、薄膜ト
ランジスタの電界効果移動度を高め、オフ電流を抑えつつ十分なオンオフ比を得ることを
他の目的の一とする。
【解決手段】ＩｎＭＯ_３（ＺｎＯ）_ｎ（Ｍ＝Ｇａ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｏ及びＡｌから
選ばれた一又は複数の元素、ｎは１以上５０未満の非整数）でありさらに水素を含む。こ
の場合において、Ｚｎの濃度がＩｎ及びＭ（Ｍ＝Ｆｅ、Ｇａ、Ｎｉ及びＡｌから選ばれた
一又は複数の元素）よりも低くする。また、当該酸化物半導体はアモルファス構造を有し
ている。ここでｎの値は、好ましくは１以上５０未満の非整数、より好ましくは１０未満
の非整数とする。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、保持容量を十分に確保することができ、高品質な画像を表示可能とする。
【解決手段】ゲート電極３０ｇと電気的に接続された走査線３ａと、データ線側ソースドレイン領域３０ｓと電気的に接続されたデータ線６ａと、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄと電気的に接続された画素電極２７と、容量線３ｂに電気的に接続された第１容量電極１６ａと、第１容量電極１６ａと対向して設けられた第２容量電極１６ｃと、第１容量電極１６ａと第２容量電極１６ｃとに挟持された誘電体層１６ｂと、を有する容量素子１６と、を備え、層間絶縁膜１１ｅに設けられた複数の第１コンタクトホールＣＮＴ４を介して第１容量電極１６ａと容量線３ｂとは電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置及び配向膜、並びにこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】配向膜は、基板上のポリシロキサンに結合した第１プレチルト官能基、第２プレチルト官能基及び第１垂直配向性官能基を含む。環状化合物を含む前記第１垂直配向性官能基３３は、前記基板１９１に対して実質的に垂直方向に配列する。前記第２プレチルト官能基と架橋した前記第１プレチルト官能基３５ａは、前記基板に対して傾くように配列する。 （もっと読む）

【課題】コストの削減を可能とするとともに表示品位の劣化を抑制することを可能とする。
【解決手段】 第１方向に沿って延出し第２方向に沿って第１ピッチで配置された第１ゲート配線及び第２ゲート配線と、第２方向に沿って延出し第１方向に沿って第１ピッチよりも大きな第２ピッチで配置された第１ソース配線及び第２ソース配線と、半導体層と、第１ゲート配線と電気的に接続されたゲート電極と、半導体層にコンタクトし第１ソース配線と電気的に接続されたソース電極と、第１ソース配線及び第２ソース配線と同一材料によって形成されたドレイン電極であって半導体層にコンタクトした第１電極部、第１電極部に繋がり第１方向に沿って延出した第２電極部、及び、第１電極部に繋がり第１方向に沿って延出した第３電極部を備えたドレイン電極と、を備えた第１基板と、第２電極部と第３電極部との間に位置し第１方向に沿って延出した主共通電極を備えた第２基板と、を備えた液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタにおいて、高いゲート電圧がゲート電極層に印加される場合、ドレイン電極層の端部近傍（及びソース電極層の端部近傍）に生じる恐れのある電界集中を緩和し、スイッチング特性の劣化を抑え、信頼性が向上された構造を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域上に重なる絶縁層の断面形状を、テーパ形状とし、チャネル形成領域上に重なる絶縁層の膜厚は、０．３μｍ以下、好ましくは５ｎｍ以上０．１μｍ以下とする。チャネル形成領域上に重なる絶縁層の断面形状の下端部のテーパ角θを６０°以下、好ましくは４５°以下、さらに好ましくは３０°以下とする。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタ及び当該トランジスタを用いた表示
装置を提供する。
【解決手段】チャネル領域に酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタであっ
て、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層を活性層に用い、該活性
層は、微結晶化した表層部の第１の領域と、その他の部分の第２の領域で形成されている
。この様な構成をした酸化物半導体層を用いることにより、表層部からの水分の再侵入や
酸素の脱離によるｎ型化や寄生チャネル発生の抑制、及びソース電極及びドレイン電極と
の接触抵抗を下げることができる。 （もっと読む）

【課題】画素領域の周囲においてグローバル段差を生じ難くして、高い表示品質が得られる電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置としての液晶装置は、基板としての素子基板１０上に画素電極１５と、画素電極１５と素子基板１０との間において平面視で画素電極１５と重なって配置された保持容量１６と、画素電極１５と保持容量１６との間に形成され平坦化処理が施された第３層間絶縁膜１４と、複数の画素電極１５を含む画素領域Ｅの周辺領域Ｅｃに配置され、保持容量１６と同一配線層に形成されたダミーパターンＤｐ１と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】黒輝度特性が良好な表示品位に優れた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、第１基板と、第２基板と、Ｙ軸に略平行な方向に液晶分子ＬＭが初期配向した液晶層ＬＱと、複数の画素と、第１吸収軸（ＡＸ１）を有した第１偏光板ＰＬ１と、第２吸収軸（ＡＸ２）を有した第２偏光板ＰＬ２と、第１遅相軸ＳＡ１を有した第１位相差板３０と、第２遅相軸ＳＡ２を有した第２位相差板４０と、を備えている。各画素は、主画素電極と、一対の主共通電極と、を有している。Ｒｅ１＜Ｒｅ２である。波長５５０ｎｍの光に対して、Ｒｅ１＋Ｒｅ２＝１５０±５０ｎｍである。波長５５０ｎｍの光に対して、Ｒｔｈ１＋Ｒｔｈ２＝−１０±５０ｎｍである。 （もっと読む）