電気光学装置および電子機器
【課題】配線間の短絡等を発生させずに、複数の配線が並列する配線領域の幅寸法を狭めることのできる電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００では、素子基板１０の辺１０ｅと画素電極配列領域１０ｐとの間で複数の配線１０５が並列する配線領域１１は、一部の配線１０５と他の配線１０５とが異なる層に位置する第２配線領域１１ｂとを備えており、かかる第２配線領域１１ｂでは、異なる層に位置する配線１０５の間に平面視で広い隙間を設けなくても短絡等の問題が発生しない。このため、第２配線領域１１ｂについては、配線１０５間の短絡等を発生させず、幅方向の寸法を第１配線領域１１ａより狭くすることができる。
【解決手段】電気光学装置１００では、素子基板１０の辺１０ｅと画素電極配列領域１０ｐとの間で複数の配線１０５が並列する配線領域１１は、一部の配線１０５と他の配線１０５とが異なる層に位置する第２配線領域１１ｂとを備えており、かかる第２配線領域１１ｂでは、異なる層に位置する配線１０５の間に平面視で広い隙間を設けなくても短絡等の問題が発生しない。このため、第２配線領域１１ｂについては、配線１０５間の短絡等を発生させず、幅方向の寸法を第１配線領域１１ａより狭くすることができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の配線が並列して延在する配線領域を基板上に備えた電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置等の電気光学装置では、基板の一方面側に複数の画素電極が配列された画素電極配列領域が設けられており、かかる画素電極配列領域と基板の端部との間を利用して配線が設けられている。例えば、相展開駆動方式が採用された電気光学装置では、画素電極配列領域と基板の端部に複数本の画像信号線が並列して設けられており、画像信号線によって供給された画像信号は、データ線駆動回路によって所定のタイミングで画像表示領域のデータ線に供給される。
【０００３】
かかる複数の配線については、同一の層に設けた導電膜により構成される他、異なる層に設けた導電膜によって構成される場合もある。後者の構造は、例えば、交差する方向に延在する配線同士の短絡を防止する場合や、冗長配線を設ける場合に採用されている（特許文献１、２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２１９４９６号公報
【特許文献２】特開２０１１−１９１７７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
液晶装置等の電気光学装置において、画素電極配列領域を狭めずに電気光学装置を小型化する場合や、電気光学装置を大型化せずに画像電極配列領域を広げるには、基板において画素電極配列領域より外側の領域を狭める必要があり、それには、複数の配線が並列している配線領域の幅寸法を狭める必要がある。しかしながら、配線の幅寸法を狭めることにより配線領域の幅寸法を狭めると、配線抵抗が増大する一方、配線の間隔を狭めると、配線間の短絡や配線相互の電気的な影響等が発生するという問題点がある。
【０００６】
そこで、本発明者は、並列して延在する複数の配線を異なる層に設けることによって配線領域の幅寸法を狭めることを提案するものであるが、かかる目的で多層配線を用いることは、上記の先行技術文献に一切記載されていない。
【０００７】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、配線間の短絡等を発生させずに、複数の配線が並列する配線領域の幅寸法を狭めることのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置は、基板の一方面側に、複数の画素電極が配列された画素電極配列領域と、前記基板の端部と前記画素電極配列領域との間で複数の配線が並列する配線領域と、を有する電気光学装置において、前記配線領域は、前記複数の配線がいずれも同一の層に位置する第１配線領域と、前記複数の配線のうち、複数の一部の配線と複数の他の配線とが異なる層に位置し、前記複数の配線の延在方向と直交する幅方向における寸法が前記第１配線領域より狭い第２配線領域と、を備えていることを特徴とする。
【０００９】
本発明では、基板の端部と画素電極配列領域との間で複数の配線が並列する配線領域は、複数の配線がいずれも同一の層に位置する第１配線領域と、複数の配線のうちの一部の配線と他の配線とが異なる層に位置する第２配線領域とを備えており、第２配線領域では、異なる層に位置する配線の間に平面視で広い隙間を設けなくても短絡等の問題が発生しない。このため、第２配線領域においては、配線間隔を狭めることができるので、第２配線領域については、幅方向の寸法を第１配線領域より狭くすることができる。従って、スペース的に余裕のない領域を第２配線領域とすれば、配線の幅寸法を狭めた構成や同一の層で配線間隔を狭めた構成を採用しなくても、配線領域が占有する面積を効果的に狭めることができる。それ故、画素電極配列領域を狭めずに電気光学装置を小型化することができるとともに、電気光学装置を大型化せずに画像電極配列領域を広げることができる。
【００１０】
本発明において、前記第１配線領域では、前記複数の配線が前記基板の前記端部に対して交差する方向に延在し、前記第２配線領域では、前記複数の配線が前記基板の前記端部の延在方向に対して平行な方向に延在している構成を採用することができる。かかる構成によれば、配線が基板の端部の延在方向に対して平行に延在している領域の幅寸法を狭くすることができるので、画素電極配列領域と基板の端部との間隔を狭めることができる。
【００１１】
本発明において、前記基板の一方面側に、前記画素電極配列領域と前記基板の前記端部との間に駆動回路が設けられ、前記第２配線領域は、前記基板の前記端部と前記駆動回路との間、および前記駆動回路と前記画素電極配列領域との間のうちの少なくとも一方に設けられている構成を採用することができる。かかる構成によれば、画素電極配列領域と基板の端部との間に駆動回路が設けられている場合でも、画像表示領域と基板の端部との間隔を狭めることができる。
【００１２】
本発明において、前記複数の配線は各々、前記駆動回路によって規定されたタイミングで前記画素電極配列領域のデータ線に画像信号を供給する画像信号線である構成を採用することができる。相展開駆動を行う場合には、画像信号線を多数設ける必要があるので、配線領域の幅寸法が広くなる分、本発明を適用した効果が顕著である。
【００１３】
本発明において、前記一部の配線と前記他の配線とが平面視で重なっている構成を採用することができる。かかる構成によれば、一部の配線および他の配線のうち、基板と反対側に位置する配線が基板側に位置する配線に起因する凹凸上に形成されないので、配線の段差切れ等を防止することができる。また、一部の配線と他の配線との間に容量が寄生することを防止することができる。
【００１４】
この場合、前記一部の配線において前記第２配線領域で隣り合うように形成された２本の配線には、一方の配線から他方の配線に向けて突出した突部と、他方の配線から一方の配線に向けて突出した突部とが前記配線の延在方向で異なる位置に形成され、前記一方の配線の前記突部、および前記他方の配線の前記突部の各々には、前記他の配線に対して前記一部の配線層とは反対側に位置する導電膜が絶縁膜のコンタクトホールを介して導通していることが好ましい。第２配線領域においてコンタクトホールを介して電気的接続する際、突部を設けるが、同一の層で隣り合うように形成された２本の配線において、一方の配線から他方の配線に向けて突出した突部と、他方の配線から一方の配線に向けて突出した突部とを配線の延在方向で異なる位置に設ければ、突部同士の短絡を防止することができるとともに、突部を設けることに起因する配線の間隔を狭くすることができる。
【００１５】
本発明において、前記第２配線領域では、前記一部の配線が前記他の配線で挟まれた領域と平面視で重なっている構成を採用してもよい。かかる構成によれば、一部の配線に起因する凹凸と、他の配線に起因する凹凸とが相殺されるので、配線に対して基板とは反対側の表面に大きな凹凸が発生しにくいという利点がある。
【００１６】
本発明では、前記第２配線領域において、前記一部の配線および前記他の配線のうちの一方は第１導電膜により形成され、他方は前記第１導電膜と前記基板との間の層に位置する第２導電膜により形成され、前記第１配線領域において、前記複数の配線は、前記第１導電膜および前記第２導電膜のいずれとも異なる層に位置する第３導電膜によって形成されている構成を採用することができる。
【００１７】
この場合、前記第３導電膜は、前記第１導電膜と前記２導電膜との間の層に形成されていることが好ましい。かかる構成によれば、第１導電膜により形成されている配線と第３導電膜により形成されている配線とを電気的に接続するコンタクトホール、および第２導電膜により形成されている配線と第３導電膜により形成されている配線とを電気的に接続するコンタクトホールのいずれについても、過剰に深いコンタクトホールとなることを回避することができる。また、第１導電膜により形成されている配線と第２導電膜により形成されている配線とが平面視で重なっている場合でも、かかる領域に、第１導電膜により形成されている配線と第３導電膜により形成されている配線とを電気的に接続するコンタクトホール、および第２導電膜により形成されている配線と第３導電膜により形成されている配線とを電気的に接続するコンタクトホールを設けることができる。
【００１８】
本発明において、前記第２配線領域において、前記一部の配線および前記他の配線のうちの一方は第１導電膜により形成され、他方は、前記第１導電膜と前記基板との間の層に位置する第２導電膜により形成され、前記第１配線領域において、前記複数の配線は、前記第１導電膜および前記第２導電膜のうちの一方の導電膜によって形成されている構成を採用してもよい。
【００１９】
本発明は以下のように規定することもできる。すなわち、本発明に係る電気光学装置は、基板と、前記基板の一方面側で画像表示領域に設けられた第１データ線と、前記第１データ線に隣り合う第２データ線と、前記基板の第１辺と前記画像表示領域との間に設けられ、前記第１データ線に供給する信号を入力するための第１端子と、前記第１端子に隣り合うように第１方向側に配置され、前記第２データ線に供給する信号を入力するための第２端子と、前記第１端子から前記第１データ線へ信号を供給するための第１信号線と、前記第２端子から前記第２データ線へ信号を供給するための第２信号線と、を含み、前記第１信号線は、前記第１端子と電気的に接続され、前記第１方向と交差する第２方向に沿って設けられた第１部分と、前記第１部分と電気的に接続され、前記第１方向に沿って設けられた第２部分と、前記第２部分と電気的に接続され、前記第２方向に沿って、前記第１部分より前記画像表示領域側に設けられた第３部分と、を備え、前記第２信号線は、前記第２端子と電気的に接続され、前記第１部分と隣り合う位置で前記第１部分と同一の層に設けられた第４部分と、前記第４部分と電気的に接続され、前記第２部分と異なる層に設けられた第５部分と、前記第３部分と隣り合い、前記第３部分と同一の層に設けられた第６部分と、を備え、平面視で、前記第２部分と前記第５部分との距離は、前記第１部分と前記第４部分との距離、および前記第３部分と前記第６部分との距離より小さいことを特徴とする。
【００２０】
本発明では、配線同士が第１方向で隣り合う個所では配線が同一の層に設けられ、配線同士が第２方向で隣り合う個所では、配線が異なる層に設けられているため、第２方向で隣り合う配線同士の距離（第２部分と第５部分との距離）を狭めても、短絡等の問題が発生しない。このため、第２方向においては、配線間隔を狭めることができる。従って、スペース的に余裕のない領域に第２部分および第５部分を設ければ、配線の幅寸法を狭めた構成や同一の層で配線間隔を狭めた構成を採用しなくても、配線領域が占有する面積を効果的に狭めることができる。それ故、画素電極配列領域を狭めずに電気光学装置を小型化することができるとともに、電気光学装置を大型化せずに画像電極配列領域を広げることができる。
【００２１】
本発明に係る電気光学装置は、携帯電話機やモバイルコンピューター、投射型表示装置等の電子機器に用いることができる。これらの電子機器のうち、投射型表示装置は、電気光学装置（液晶装置）に光を供給するための光源部と、前記電気光学装置によって光変調された光を投射する投射光学系とを備えている。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の液晶パネルの説明図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の素子基板の電気的構成を示す説明図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の画素の説明図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の配線領域の平面図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の配線領域を配線に沿って切断したときの断面図である。
【図６】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の配線領域を横切る方向で切断したときの断面図である。
【図７】本発明の実施の形態２に係る電気光学装置の配線領域の平面図である。
【図８】本発明の実施の形態２に係る電気光学装置の配線領域を配線に沿って切断したときの断面図である。
【図９】本発明の実施の形態２に係る電気光学装置の配線領域を横切る方向で切断したときの断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態３に係る電気光学装置の配線領域の平面図である。
【図１１】本発明の実施の形態３に係る電気光学装置の配線領域を配線に沿って切断したときの断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態３に係る電気光学装置の配線領域を横切る方向で切断したときの断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態４に係る電気光学装置の配線領域の平面図である。
【図１４】本発明の実施の形態４に係る電気光学装置の配線領域を配線に沿って切断したときの断面図である。
【図１５】発明の実施の形態４に係る電気光学装置の第２配線領域において、偶数番目の画像信号線を構成する第２導電膜の平面図である。
【図１６】本発明の実施の形態５に係る電気光学装置の配線領域の平面図である。
【図１７】本発明の実施の形態５に係る電気光学装置の配線領域を配線に沿って切断したときの断面図である。
【図１８】本発明の実施の形態６に係る電気光学装置の配線領域の平面図である。
【図１９】本発明の実施の形態６に係る電気光学装置の配線領域を配線に沿って切断したときの断面図である。
【図２０】本発明の実施の形態６に係る電気光学装置の配線領域を横切る方向で切断したときの断面図である。
【図２１】本発明を適用した投射型表示装置（電子機器）および光学ユニットの概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の実施の形態として、代表的な電気光学装置である液晶装置を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、以下の説明で参照する図においては、走査線、データ線、信号線等の配線等については、それらの数を少なく表してある。
【００２４】
［実施の形態１］
図１は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の液晶パネルの説明図であり、図１（ａ）、（ｂ）は各々、液晶パネルを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【００２５】
図１（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態の電気光学装置１００は、液晶装置であり、液晶パネル１００ｐを有している。液晶パネル１００ｐでは、素子基板１０（電気光学装置用基板）と対向基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は対向基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材１０７は、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバーあるいはガラスビーズ等のギャップ材１０７ａが配合されている。液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０と対向基板２０との間のうち、シール材１０７によって囲まれた領域内には、各種液晶材料（電気光学物質）からなる液晶層５０（電気光学物質層）が設けられている。本形態において、シール材１０７には、液晶注入口１０７ｃとして利用される途切れ部分が形成されており、かかる液晶注入口１０７ｃは、液晶材料の注入後、封止材１０７ｄによって封止されている。
【００２６】
かかる構成の液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０および対向基板２０はいずれも四角形であり、素子基板１０は、Ｙ方向（第２方向）で対向する２つの辺１０ｅ、１０ｆ（端部）と、Ｘ方向（第１方向）で対向する２つの辺１０ｇ、１０ｈ（端部）とを備えている。液晶パネル１００ｐの略中央には、画像表示領域１０ａが四角形の領域として設けられており、かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられている。画像表示領域１０ａの外側は、四角枠状の外周領域１０ｃになっている。
【００２７】
素子基板１０において、外周領域１０ｃでは、素子基板１０においてＹ軸方向の一方側に位置する辺１０ｅに沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この辺１０ｅに隣接する他の辺１０ｇ、１０ｈの各々に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。なお、端子１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、素子基板１０には、フレキシブル配線基板を介して外部制御回路から各種電位や各種信号が入力される。
【００２８】
図３等を参照して詳しくは後述するが、素子基板１０の一方面１０ｓおよび他方面１０ｔのうち、対向基板２０と対向する一方面１０ｓの側において、画像表示領域１０ａには、画素電極９ａや、図２等を参照して後述する画素トランジスター３０等がマトリクス状に配列されている。従って、画像表示領域１０ａは、画素電極９ａがマトリクス状に配列された画素電極配列領域１０ｐとして構成されている。かかる構成の素子基板１０において、画素電極９ａの上層側には配向膜１６が形成されている。
【００２９】
素子基板１０の一方面１０ｓの側において、画像表示領域１０ａより外側の外周領域１０ｃのうち、画像表示領域１０ａとシール材１０７とに挟まれた四角枠状の周辺領域１０ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。ダミー画素電極９ｂは、隣り合うダミー画素電極９ｂ同士が細幅の連結部（図示せず）で繋がっている。また、ダミー画素電極９ｂは、共通電位Ｖcomが印加されており、画像表示領域１０ａの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止する。また、ダミー画素電極９ｂは、素子基板１０において配向膜１６が形成される面を研磨により平坦化する際、画像表示領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置の差を圧縮し、配向膜１６が形成される面を平坦面にするのに寄与する。なお、ダミー画素電極９ｂに電位を印加せず、ダミー画素電極９ｂを電位的にフロート状態とする場合もあり、この場合でも、ダミー画素電極９ｂは、画像表示領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置の差を圧縮し、配向膜１６が形成される面を平坦面にするのに寄与する。
【００３０】
対向基板２０の一方面２０ｓおよび他方面２０ｔのうち、素子基板１０と対向する一方面２０ｓの側には共通電極２１が形成されている。共通電極２１は、対向基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素１００ａに跨って形成されている。本形態において、共通電極２１は、対向基板２０の略全面に形成されている。
【００３１】
対向基板２０の一方面２０ｓの側には、共通電極２１の下層側に遮光層２９が形成され、共通電極２１の表面には配向膜２６が積層されている。遮光層２９は、画像表示領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁部分２９ａとして形成されており、遮光層２９の内周縁によって画像表示領域１０ａが規定されている。また、遮光層２９は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域に重なるブラックマトリクス部２９ｂとしても形成されている。額縁部分２９ａはダミー画素電極９ｂと重なる位置に形成されており、額縁部分２９ａの外周縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔てた位置にある。従って、額縁部分２９ａとシール材１０７とは重なっていない。
【００３２】
液晶パネル１００ｐにおいて、シール材１０７より外側には、対向基板２０の一方面２０ｓの側の４つの角部分に基板間導通用電極２５が形成されており、素子基板１０の一方面１０ｓの側には、対向基板２０の４つの角部分（基板間導通用電極２５）と対向する位置に基板間導通用電極１９が形成されている。本形態において、基板間導通用電極２５は、共通電極２１の一部からなる。基板間導通用電極１９には、共通電位Ｖcomが印加されている。基板間導通用電極１９と基板間導通用電極２５との間には、導電粒子を含んだ基板間導通材１９ａが配置されており、対向基板２０の共通電極２１は、基板間導通用電極１９、基板間導通材１９ａおよび基板間導通用電極２５を介して、素子基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、素子基板１０の側から共通電位Ｖcomが印加されている。シール材１０７は、略同一の幅寸法をもって対向基板２０の外周縁に沿って設けられているが、対向基板２０の角部分と重なる領域では基板間導通用電極１９、２５を避けて内側を通るように設けられている。
【００３３】
本形態において、電気光学装置１００は透過型の液晶装置であり、画素電極９ａおよび共通電極２１は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜等の透光性導電膜により形成されている。かかる透過型の液晶装置（電気光学装置１００）では、例えば、対向基板２０の側から入射した光が素子基板１０の側から出射される間に変調されて画像を表示する。また、電気光学装置１００が反射型の液晶装置である場合、共通電極２１は、ＩＴＯ膜やＩＺＯ膜等の透光性導電膜により形成され、画素電極９ａは、アルミニウム膜等の反射性導電膜により形成される。かかる反射型の液晶装置（電気光学装置１００）では、素子基板１０および対向基板２０のうち、対向基板２０の側から入射した光が素子基板１０で反射して出射される間に変調されて画像を表示する。
【００３４】
電気光学装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板２０には、カラーフィルター（図示せず）が形成される。また、電気光学装置１００は、電子ペーパーとして用いることできる。また、電気光学装置１００では、使用する液晶層５０の種類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル１００ｐに対して所定の向きに配置される。さらに、電気光学装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各電気光学装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。
【００３５】
（素子基板１０の電気的構成）
図２は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の素子基板１０の電気的構成を示す説明図であり、図２（ａ）、（ｂ）は、素子基板１０の回路や配線の平面的なレイアウトを示す説明図、および画素の電気的構成を示す説明図である。なお、以下の説明において、端子１０２を介して素子基板１０に入力される信号名称と信号用の配線とは、同一のアルファベット記号を信号および配線Ｌの後に各々付与する。例えば、信号名称である「クロック信号ＣＬＸ」に対して、対応する信号用の配線について「クロック信号線ＬＣＬＸ」とする。また、以下の説明において、端子１０２を介して素子基板１０に入力される信号名称と信号用の端子とは、同一のアルファベット記号を信号および端子Ｔの後に各々付与する。例えば、信号名称である「クロック信号ＣＬＸ」に対して、対応する端子１０２については「端子ＴＣＬＸ」とする。
【００３６】
図２（ａ）、（ｂ）に示すように、電気光学装置１００において、素子基板１０の中央領域には複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画素電極配列領域１０ｐが設けられており、かかる画素電極配列領域１０ｐのうち、図１（ｂ）に示す額縁部分２９ａの内縁で囲まれた領域が画像表示領域１０ａである。素子基板１０では、画素電極配列領域１０ｐの内側に、Ｘ方向に延在する複数本の走査線３ａと、Ｙ方向に延在する複数本のデータ線６ａとが形成されており、それらの交点に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、ＴＦＴ等からなる画素トランジスター３０（スイッチング素子）、および画素電極９ａが形成されている。画素トランジスター３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。
【００３７】
素子基板１０において、画素電極配列領域１０ｐより外側の外周領域１０ｃには、走査線駆動回路１０４、データ線駆動回路１０１、サンプリング回路１０３、基板間導通用電極１９、端子１０２等が構成されており、端子１０２から走査線駆動回路１０４、データ線駆動回路１０１、サンプリング回路１０３、および基板間導通用電極１９に向けて複数の配線１０５が延在している。サンプリング回路１０３は複数本のデータ線６ａに電気的に接続しており、走査線駆動回路１０４は、複数本の走査線３ａに電気的に接続している。
【００３８】
各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、図１を参照して説明した対向基板２０に形成された共通電極２１と液晶層５０を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に保持容量５５が付加されている。本形態では、保持容量５５を構成するために、複数の画素１００ａに跨って走査線３ａと並行して延びた容量線５ａが形成され、かかる容量線５ａには電位Ｖcomが印加されている。なお、電位Ｖcomとしては、共通電極２１に印加される共通電位と同一電位を用いることができる。
【００３９】
素子基板１０の辺１０ｅに沿って設けられた端子１０２は、共通電位線用、走査線駆動回路用、画像信号用、およびデータ線駆動回路用の４つの用途に大きく分類される複数の端子群により構成されている。具体的には、端子１０２は、共通電位線ＬＶcom用として端子ＴＶcomを備え、走査線駆動回路１０４用として端子ＴＳＰＹ、端子ＴＶＳＳＹ、端子ＴＶＤＤＹ、端子ＴＣＬＹおよび端子ＴＣＬＹINVを備えている。また、端子１０２は、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６用として端子ＴＶＩＤ１〜ＴＶＩＤ６を備え、データ線駆動回路１０１用として、端子ＴＶＳＳＸ、端子ＴＳＰＸ、端子ＴＶＤＤＸ、端子ＴＣＬＸ、端子ＴＣＬＸINV、端子ＴＥＮＢ１〜ＴＥＮＢ４、および端子ＴＶＳＳＸを備えている。
【００４０】
データ線駆動回路１０１は、シフトレジスタ回路１０１ｃ、波形選択回路１０１ｂ、およびバッファー回路１０１ａを備えている。データ線駆動回路１０１において、シフトレジスタ回路１０１ｃは、外部制御回路から端子１０２（端子ＴＶＳＳＸ、ＴＶＤＤＸ）および配線１０５（配線ＬＶＳＳＸ、ＬＶＤＤＸ）を介して供給される負電源ＶＳＳＸおよび正電源ＶＤＤＸを電源として用い、外部制御回路から端子１０２（端子ＴＳＰＸ）および配線１０５（配線ＬＳＰＸ）を介して供給されるスタート信号ＳＰＸに基づいて転送動作を開始する。シフトレジスタ回路１０１ｃは、端子１０２（端子ＴＣＬＸ、ＴＣＬＸINV）、および配線１０５（配線ＬＣＬＸ、ＬＣＬＸINV）を介して供給されるクロック信号ＣＬＸおよび逆位相クロック信号ＣＬＸINVに基づき、転送信号を順次、所定タイミングで波形選択回路１０１ｂへ出力する。波形選択回路１０１ｂは、「イネーブル回路」とも称され、シフトレジスタ回路１０１ｃから順次出力される転送信号のパルス幅を、外部制御回路から端子１０２（端子ＴＥＮＢ１〜ＴＥＮＢ４）および配線１０５（配線ＬＥＮＢ１〜ＬＥＮＢ４）を介して供給されるイネーブル信号ＥＮＢ１〜ＥＮＢ４のパルス幅に制限することにより、後述のサンプリング回路１０３における各サンプリング期間を規定する。より具体的には、波形選択回路１０１ｂは、シフトレジスタ回路１０１ｃの各段に対応して設けられたＮＡＮＤ回路およびインバーター等により構成されており、シフトレジスタ回路１０１ｃより順次出力される転送信号がハイレベルとされており、かつ、イネーブル信号ＥＮＢ１〜ＥＮＢ４のいずれかがハイレベルとされているときにのみデータ線６ａが駆動されるように時間軸上における波形の選択制御を行う。バッファー回路１０１ａは、このように波形の選択が行われた転送信号をバッファリングした後、サンプリング回路駆動信号として、サンプリング回路駆動信号線１０９を介してサンプリング回路１０３に供給する。
【００４１】
サンプリング回路１０３は、画像信号をサンプリングするためのスイッチング素子１０８を複数備えて構成されている。本形態において、スイッチング素子１０８は、ＴＦＴ等の電界効果型トランジスターからなる。スイッチング素子１０８のドレインには、データ線６ａが電気的に接続され、スイッチング素子１０８のソースには、配線１０６を介して配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）が接続されるとともに、スイッチング素子１０８のゲートには、データ線駆動回路１０１に接続されたサンプリング回路駆動信号線１０９が接続されている。そして、端子１０２（端子ＴＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）を介して配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）に供給された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６は、データ線駆動回路１０１からサンプリング回路駆動信号線１０９を通じてサンプリング回路駆動信号が供給されるのに応じ、サンプリング回路１０３によりサンプリングされ、各データ線６ａに画像信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、・・Ｓｎとして供給される。本形態において、画像信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、・・Ｓｎは、６相にシリアル−パラレル展開された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６の各々に対応して、６本のデータ線６ａの組に対してグループ毎に供給される。なお、画像信号の相展開数に関しては、６相に限られるものでなく、例えば、９相、１２相、２４相、４８相等、複数相に展開された画像信号が、その展開数に対応した数を一組としたデータ線６ａの組に対して供給される。
【００４２】
走査線駆動回路１０４は、構成要素としてシフトレジスタ回路およびバッファー回路を備えている。走査線駆動回路１０４は、外部制御回路から端子１０２（端子ＴＶＳＳＹ、ＴＶＤＤＹ）および配線１０５（配線ＬＶＳＳＹ、ＬＶＤＤＹ）を介して供給される負電源ＶＳＳＹおよび正電源ＶＤＤＹを電源として用い、同じく外部制御回路から端子１０２（端子ＴＳＰＹ）および配線１０５（端子ＴＳＰＹ）を介して供給されるスタート信号ＳＰＹに応じて、その内蔵シフトレジスタ回路の転送動作を開始する。また、走査線駆動回路１０４は、端子１０２（端子ＴＣＬＹ、ＴＣＬＹINV）および配線１０５（配線ＬＣＬＹ、ＬＣＬＹINV）を介して供給されるクロック信号ＣＬＹおよび逆位相クロック信号ＣＬＹINVに基づいて、所定のタイミングで走査線３ａに走査信号をパルス的に線順次で印加する。
【００４３】
素子基板１０には、４つの基板間導通用電極１９を通過するように配線１０５（共通電位線ＬＶcom）が形成されており、基板間導通用電極１９には、端子１０２（端子ＴＶcom）および配線１０５（共通電位線ＬＶcom）を介して共通電位Ｖcomが供給される。
【００４４】
（画素１００ｐの具体的構成）
図３は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の画素１００ａの説明図であり、図３（ａ）、（ｂ）は、素子基板１０において隣り合う複数の画素の平面図、および電気光学装置１００のＦ−Ｆ′断面図である。なお、図３（ａ）では、各層を以下の線
下層側の遮光層８ａ＝細くて長い破線
半導体層１ａ＝細くて短い点線
走査線３ａ＝太い実線
ドレイン電極４ａ＝細い実線
データ線６ａおよび中継電極６ｂ＝細い一点鎖線
容量線５ａ＝太い一点鎖線
上層側の遮光層７ａおよび中継電極７ｂ＝細い二点鎖線
画素電極９ａ＝太い破線
で示してある。また、図３（ａ）では、互いの端部が平面視で重なり合う層については、層の形状等が分かりやすいように、端部の位置をずらしてある。
【００４５】
図３（ａ）に示すように、素子基板１０において対向基板２０と対向する一方面１０ｓには、複数の画素１００ａの各々に画素電極９ａが形成されており、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域に沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。本形態において、画素間領域は縦横に延在しており、走査線３ａは画素間領域のうち、Ｘ方向に延在する第１画素間領域に沿って直線的に延在し、データ線６ａは、Ｙ方向に延在する第２画素間領域に沿って直線的に延在している。また、データ線６ａと走査線３ａとの交差に対応して画素トランジスター３０が形成されており、本形態において、画素トランジスター３０は、データ線６ａと走査線３ａとの交差領域およびその付近を利用して形成されている。素子基板１０には容量線５ａが形成されており、かかる容量線５ａには共通電位Ｖcomが印加されている。本形態において、容量線５ａは、走査線３ａおよびデータ線６ａに重なるように延在して格子状に形成されている。画素トランジスター３０の上層側には遮光層７ａが形成されており、かかる遮光層７ａは、データ線６ａに重なるように延在している。画素トランジスター３０の下層側には遮光層８ａが形成されており、かかる遮光層８ａは、走査線３ａと重なるように直線的に延びた主線部分と、データ線６ａと走査線３ａとの交差部分でデータ線６ａに重なるように延びた副線部分とを備えている。
【００４６】
図３（ｂ）に示すように、素子基板１０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体１０ｗの液晶層５０側の基板面（対向基板２０と対向する一方面１０ｓ側）に形成された画素電極９ａ、画素スイッチング用の画素トランジスター３０、および配向膜１６を主体として構成されている。対向基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ、その液晶層５０側の表面（素子基板１０と対向する一方面２０ｓ）に形成された遮光層２９、共通電極２１、および配向膜２６を主体として構成されている。
【００４７】
素子基板１０において、基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側には、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる下層側の遮光層８ａが形成されている。本形態において、遮光層８ａは、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）等の遮光膜からなり、電気光学装置１００を透過した後の光が他の部材で反射した際、かかる反射光が半導体層１ａに入射して画素トランジスター３０で光電流に起因する誤動作が発生することを防止する。なお、遮光層８ａを走査線として構成する場合もあり、この場合、後述するゲート電極３ｂと遮光層８ａを導通させた構成とする。
【００４８】
基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側において、遮光層８ａの上層側には、シリコン酸化膜等の透光性の絶縁膜１２が形成されており、かかる絶縁膜１２の表面側に、半導体層１ａを備えた画素トランジスター３０が形成されている。画素トランジスター３０は、データ線６ａの延在方向に長辺方向を向けた半導体層１ａと、半導体層１ａの長さ方向と直交する方向に延在して半導体層１ａの長さ方向の中央部分に重なるゲート電極３ｂとを備えており、本形態において、ゲート電極３ｂは走査線３ａの一部からなる。画素トランジスター３０は、半導体層１ａとゲート電極３ｂとの間に透光性のゲート絶縁層２を有している。半導体層１ａは、ゲート電極３ｂに対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ｇを備えているとともに、チャネル領域１ｇの両側にソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃを備えている。本形態において、画素トランジスター３０は、ＬＤＤ構造を有している。従って、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃは各々、チャネル領域１ｇの両側に低濃度領域を備え、低濃度領域に対してチャネル領域１ｇとは反対側で隣接する領域に高濃度領域を備えている。
【００４９】
半導体層１ａは、ポリシリコン膜（多結晶シリコン膜）等によって構成されている。ゲート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化したシリコン酸化膜からなる第１ゲート絶縁層２ａと、温度が７００〜９００℃の高温条件での減圧ＣＶＤ法により形成されたシリコン酸化膜からなる第２ゲート絶縁層２ｂとの２層構造からなる。ゲート電極３ｂおよび走査線３ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、ゲート電極３ｂは、導電性のポリシリコン膜とタングステンシリサイド膜との２層構造を有している。
【００５０】
ゲート電極３ｂの上層側には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４１が形成され、層間絶縁膜４１の上層には、ドレイン電極４ａが形成されている。本形態において、層間絶縁膜４１は、シリコン酸化膜からなる。ドレイン電極４ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、ドレイン電極４ａはチタン窒化膜からなる。ドレイン電極４ａは、半導体層１ａのドレイン領域１ｃ（画素電極側ソースドレイン領域）と一部が重なるように形成されており、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４１ａを介してドレイン領域１ｃに導通している。
【００５１】
ドレイン電極４ａの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性のエッチングストッパー層４９、および透光性の誘電体層４０が形成されており、かかる誘電体層４０の上層側には容量線５ａが形成されている。誘電体層４０としては、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等のシリコン化合物を用いることができる他、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率の誘電体層を用いることができる。容量線５ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、容量線５ａは、チタン窒化膜、アルミニウム膜、およびチタン窒化膜との３層構造を有している。ここで、容量線５ａは、誘電体層４０を介してドレイン電極４ａと重なっており、保持容量５５を構成している。
【００５２】
容量線５ａの上層側には層間絶縁膜４２が形成されており、かかる層間絶縁膜４２の上層側には、データ線６ａと中継電極６ｂとが同一の導電膜により形成されている。層間絶縁膜４２はシリコン酸化膜からなる。データ線６ａと中継電極６ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、データ線６ａおよび中継電極６ｂは、アルミニウム合金膜や、チタン窒化膜とアルミニウム膜との２層乃至４層の積層膜からなる。データ線６ａは、層間絶縁膜４２、エッチングストッパー層４９、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４２ａを介してソース領域１ｂ（データ線側ソースドレイン領域）に導通している。中継電極６ｂは、層間絶縁膜４２およびエッチングストッパー層４９を貫通するコンタクトホール４２ｂを介してドレイン電極４ａに導通している。
【００５３】
データ線６ａおよび中継電極６ｂの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４４が形成されており、かかる層間絶縁膜４４の上層側には、遮光層７ａおよび中継電極７ｂが同一の導電膜によって形成されている。層間絶縁膜４４は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法や、シランガスと亜酸化窒素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜からなり、その表面は平坦化されている。遮光層７ａおよび中継電極７ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、遮光層７ａおよび中継電極７ｂは、アルミニウム合金膜や、チタン窒化膜とアルミニウム膜との２層乃至４層の積層膜からなる。中継電極７ｂは、層間絶縁膜４４を貫通するコンタクトホール４４ａを介して中継電極６ｂに導通している。遮光層７ａは、データ線６ａと重なるように延在しており、遮光層として機能している。なお、遮光層７ａを容量線５ａと導通させて、シールド層として利用してもよい。
【００５４】
遮光層７ａおよび中継電極７ｂの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４５が形成されており、かかる層間絶縁膜４５の上層側にはＩＴＯ膜等からなる画素電極９ａが形成されている。層間絶縁膜４５には、層間絶縁膜４５を貫通して中継電極７ｂまで到達したコンタクトホール４５ａが形成されており、画素電極９ａは、コンタクトホール４５ａを介して中継電極７ｂに電気的に接続している。その結果、画素電極９ａは、中継電極７ｂ、中継電極６ｂおよびドレイン電極４ａを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続している。層間絶縁膜４５は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法や、シランガスと亜酸化窒素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜からなる。また、層間絶縁膜４５は、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）からなる下層側の第１絶縁膜と、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）からなる上層側の第２絶縁膜との構造を有している場合がある。いずれの場合も、層間絶縁膜４５の表面は平坦化されている。
【００５５】
画素電極９ａの表面側には、ポリイミドや無機配向膜からなる配向膜１６が形成されている。本形態において、配向膜１６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜／無機配向膜）からなる。
【００５６】
（対向基板２０の構成）
対向基板２０では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ（透光性基板）の液晶層５０側の表面（素子基板１０に対向する一方面２０ｓ）には、遮光層２９、シリコン酸化膜等からなる絶縁膜２８、およびＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる共通電極２１が形成されており、かかる共通電極２１を覆うように、ポリイミドや無機配向膜からなる配向膜２６が形成されている。本形態において、共通電極２１はＩＴＯ膜からなる。本形態において、配向膜２６は、配向膜１６と同様、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜／無機配向膜）である。かかる配向膜１６、２６は、液晶層５０に用いた誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を傾斜垂直配向させ、液晶パネル１００ｐは、ノーマリブラックのＶＡモードとして動作する。本形態では、配向膜１６、２６として、各種無機配向膜のうち、シリコン酸化膜（ＳｉＯX）の斜方蒸着膜が用いられている。
【００５７】
（配線１０５および配線領域１１の構成）
再び図２（ａ）において、本形態の電気光学装置１００では、素子基板１０の辺１０ｅ（端部）と画素電極配列領域１０ｐとの間に、端子１０２、データ線駆動回路１０１およびサンプリング回路１０３がこの順に設けられ、素子基板１０の辺１０ｇ（端部）と画素電極配列領域１０ｐとの間、および素子基板１０の辺１０ｈ（端部）と画素電極配列領域１０ｐとの間に走査線駆動回路１０４が設けられている。このため、複数の配線１０５は、画素電極配列領域１０ｐと素子基板１０の辺１０ｅとの間において、端子１０２から走査線駆動回路１０４、データ線駆動回路１０１、サンプリング回路１０３、および基板間導通用電極１９に向けて延在しており、素子基板１０の辺１０ｅと画素電極配列領域１０ｐとの間には、複数の配線１０５が並列して延在する配線領域１１が形成されている。
【００５８】
かかる配線領域１１を構成するにあたって、本形態では、以下に説明する配線領域１１には、複数の配線１０５がいずれも同一の層に位置する第１配線領域１１ａと、複数の配線１０５のうちの一部の配線１０５と他の配線１０５とが異なる層に位置する第２配線領域１１ｂとが設けられており、スペース的に余裕にない個所は、第２配線領域１１ｂになっている。
【００５９】
より具体的には、素子基板１０の辺１０ｅ（端部）と画素電極配列領域１０ｐとの間のうち、データ線駆動回路１０１と辺１０ｅとの間で配線１０５が辺１０ｅに対して交差する方向に延在している領域は、複数の配線１０５がＸ方向で並列している。このため、配線領域１１のうち、データ線駆動回路１０１と辺１０ｅとの間で配線１０５が辺１０ｅに対して交差する方向に延在している領域は、配線１０５の数が多くてもＹ方向ではスペース的な余裕があるとして、第１配線領域１１ａ（第１配線領域１１ａ1）になっている。
【００６０】
次に、素子基板１０の辺１０ｅ（端部）と画素電極配列領域１０ｐとの間のうち、データ線駆動回路１０１と辺１０ｅとの間で配線１０５が辺１０ｅに対して平行な方向に延在している領域は、複数の配線１０５がＹ方向で並列している。このため、配線領域１１のうち、データ線駆動回路１０１と辺１０ｅとの間で配線１０５が辺１０ｅに対して平行に延在している領域は、配線１０５の数が多いとスペース的な余裕がないとして、第２配線領域１１ｂ（第２配線領域１１ｂ1）になっている。
【００６１】
次に、素子基板１０の辺１０ｅ（端部）と画素電極配列領域１０ｐとの間のうち、データ線駆動回路１０１と辺１０ｇとの間で配線１０５が辺１０ｅに対して交差する方向に延在している領域は、複数の配線１０５がＸ方向で並列している。このため、配線領域１１のうち、データ線駆動回路１０１と辺１０ｇとの間で配線１０５が辺１０ｅに対して交差する方向に延在している領域は、配線１０５の数が多くてもＹ方向ではスペース的な余裕があるとして、第１配線領域１１ａ（第１配線領域１１ａ2）になっている。
【００６２】
次に、素子基板１０の辺１０ｅ（端部）と画素電極配列領域１０ｐとの間のうち、データ線駆動回路１０１と画素電極配列領域１０ｐとの間（データ線駆動回路１０１とサンプリング回路１０３との間）で配線１０５が辺１０ｅに対して平行な方向に延在している領域は、複数の配線１０５がＹ方向で並列している。このため、配線領域１１のうち、データ線駆動回路１０１と画素電極配列領域１０ｐとの間で配線１０５が辺１０ｅに対して平行に延在している領域は、配線１０５の数が多いとスペース的な余裕がないとして、第２配線領域１１ｂ（第２配線領域１１ｂ2）になっている。
【００６３】
（第１配線領域１１ａおよび第２配線領域１１ｂの構成）
図２、図４、図５および図６を参照して、配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）を例に第１配線領域１１ａおよび第２配線領域１１ｂの構成を説明する。
【００６４】
図４は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の配線領域１１の平面図である。図５は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の配線領域１１を配線１０５に沿って切断したときの断面図であり、図５（ａ）、（ｂ）は、奇数番目の画像信号線ＬＶＩＤ１の断面図（Ａ１−Ａ１″−Ａ１′断面図）、および偶数番目の画像信号線ＬＶＩＤ２の断面図（Ｂ１−Ｂ１″−Ｂ１′断面図）である。図６は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の配線領域１１を横切る方向で切断したときの断面図であり、図６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、第１配線領域１１ａ1の断面図（Ｃ１−Ｃ１′断面図）、第２配線領域１１ｂ1の断面図（Ｄ１−Ｄ１′断面図）、第１配線領域１１ａ2の断面図（Ｅ１−Ｅ１′断面図）、および第２配線領域１１ｂ2の断面図（Ｆ１−Ｆ１′断面図）である。なお、図４、および後述する図７、図１０、図１３、図１６、図１８等の平面図では、互いの端部が平面視で重なり合う層については、層の形状等が分かりやすいように、端部の位置をずらしてある。
【００６５】
本形態の電気光学装置１００では、図３を参照して説明したように、素子基板１０には、遮光層８ａ、走査線３ａ、ドレイン電極４ａ、容量線５ａ、データ線６ａ、遮光層７ａ、画素電極９ａ等の導電膜が形成されており、かかる複数の導電膜の各々と同一の層に位置する導電膜を利用して配線１０５が形成されている。より具体的には、上記の複数の導電膜のうち、２種類以上の導電膜を用いれば配線１０５を形成することができる。
【００６６】
そこで、本形態では、まず、走査線３ａ、容量線５ａ、データ線６ａの各々と同一の層に形成された３種類の導電膜によって配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）を形成し、端子１０２を画素電極９ａと同一の層の導電膜により形成した例を説明する。ここで、データ線６ａと同一の層に形成された導電膜が本発明における「第１導電膜」であり、走査線３ａと同一の層に形成された導電膜が本発明における「第２導電膜」であり、容量線５ａと同一の層に形成された導電膜が本発明における「第３導電膜」である。また、配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）に導通する配線１０６を第３導電膜（容量線５ａと同一の層の形成された導電膜）により構成した場合を説明する。従って、本発明における「導電膜」と本形態における「導電膜」とは、以下の対応関係にある。
第１導電膜＝データ線６ａと同一の層に形成された導電膜
第２導電膜＝走査線３ａと同一の層に形成された導電膜
第３導電膜＝容量線５ａと同一の層に形成された導電膜
配線１０６を構成する導電膜＝第３導電膜
【００６７】
なお、画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６のうち、奇数番目の画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５は同一の構成を有し、偶数番目の画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６は同一の構成を有している。従って、以下の説明では、奇数番目の画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５として１番目の画像信号線ＬＶＩＤ１を中心に説明し、偶数番目の画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６として２番目の画像信号線ＬＶＩＤ２を中心に説明する。
【００６８】
図４、図５および図６に示すように、図２（ａ）の第１配線領域１１ａ（第１配線領域１１ａ1）において、６本の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）はいずれも、走査線３ａと同一の層に形成された第２導電膜３ｃによって形成されており、ライン幅：スペース幅は１：１である。かかる第２導電膜３ｃの端部は、層間絶縁膜４５、４４、４２、４１を貫通するコンタクトホール４５ｃを介して、画素電極９ａと同一の層に形成された端子１０２と導通している。
【００６９】
図２（ａ）の第２配線領域１１ｂ（第２配線領域１１ｂ1）において、６本の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）は、データ線６ａと同一の層に形成された第１導電膜６ｄと、走査線３ａと同一の層に形成された第２導電膜３ｄとによって形成されている。より具体的には、６本の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）のうち、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）は、第２配線領域１１ｂ1において、データ線６ａと同一の層に形成された第１導電膜６ｄによって形成されている。かかる第１導電膜６ｄは、層間絶縁膜４２、４１を貫通するコンタクトホール４２ｄを介して、第１配線領域１１ａ1において奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）を構成する第２導電膜３ｃと導通している。第２配線領域１１ｂ1において、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）は、ライン幅：スペース幅は１：１である。
【００７０】
これに対して、偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）は、第２配線領域１１ｂ1において、走査線３ａと同一の層に形成された第２導電膜３ｄによって形成されている。かかる第２導電膜３ｄは、第１配線領域１１ａ1において偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）を構成する第２導電膜３ｃから一体に延在している。第２配線領域１１ｂ1において、偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）は、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）と平面視で重なっており、ライン幅：スペース幅は１：１である。このため、第２配線領域１１ｂ1は、第１配線領域１１ａ1より幅寸法（配線１０５が延在している方向と直交する方向の寸法）が狭い。
【００７１】
図２（ａ）の第１配線領域１１ａ（第１配線領域１１ａ2）において、６本の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）はいずれも、容量線５ａと同一の層に形成された第３導電膜５ｅによって形成されており、ライン幅：スペース幅は１：１である。このため、第１配線領域１１ａ2は、第１配線領域１１ａ1と幅寸法が同等である。第３導電膜５ｅのうち、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）を構成する第３導電膜５ｅは、層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール４２ｅを介して、第２配線領域１１ｂ1において奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）を構成する第１導電膜６ｄと導通している。また、偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）を構成する第３導電膜５ｅは、層間絶縁膜４１を貫通するコンタクトホール４１ｅを介して、第２配線領域１１ｂ1において偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）を構成する第２導電膜３ｄと導通している。
【００７２】
図２（ａ）の第２配線領域１１ｂ（第２配線領域１１ｂ2）において、６本の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）は、データ線６ａと同一の層に形成された第１導電膜６ｆと、走査線３ａと同一の層に形成された第２導電膜３ｆとによって形成されている。より具体的には、６本の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）のうち、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）は、第２配線領域１１ｂ2において、データ線６ａと同一の層に形成された第１導電膜６ｆによって形成されている。かかる第１導電膜６ｆは、層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール４２ｆを介して、第１配線領域１１ａ2において奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）を構成する第３導電膜５ｅと導通している。第２配線領域１１ｂ２において、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）は、ライン幅：スペース幅は１：１である。
【００７３】
これに対して、偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）は、第２配線領域１１ｂ2において、走査線３ａと同一の層に形成された第２導電膜３ｆによって形成されている。かかる第２導電膜３ｆは、層間絶縁膜４１を貫通するコンタクトホール４１ｆを介して、第１配線領域１１ａ2において偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）を構成する第３導電膜５ｅと導通している。第２配線領域１１ｂ2において、偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）は、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）と平面視で重なっており、ライン幅：スペース幅は１：１である。このため、第２配線領域１１ｂ2は、第２配線領域１１ｂ1と幅寸法が同等であり、第１配線領域１１ａ（第１配線領域１１ａ1、１１ａ2）より幅寸法が狭い。
【００７４】
このように構成した配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）は、第２配線領域１１ｂ2において、配線１０６と導通している。本形態において、配線１０６はいずれも、容量線５ａと同一の層に形成された第３導電膜５ｇによって形成されている。ここで、第２配線領域１１ｂ2において奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）を構成する第１導電膜６ｆは、層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール４２ｇを介して、配線１０６を構成する第３導電膜５ｇと導通している。また、第２配線領域１１ｂ2において偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）を構成する第２導電膜３ｆは、層間絶縁膜４１を貫通するコンタクトホール４１ｇを介して、配線１０６を構成する第３導電膜５ｇと導通している。
【００７５】
かかる構成は、隣り合う２本の配線を以下のように定義すると、かかる２本の配線の関係で規定することができる。例えば、データ線６ａのうち、画素信号Ｓ１が供給されるデータ線６ａを第１データ線とし、第１データ線に隣り合う位置で画素信号Ｓ２が供給されるデータ線６ａを第２データ線と定義し、端子１０２および配線１０５を以下のように定義する。
端子１０２（端子ＴＶＩＤ１）＝第１端子
端子１０２（端子ＴＶＩＤ２）＝第２端子
配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１）＝第１信号線
配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２）＝第２信号線
【００７６】
ここで、第１端子と第２端子とはＸ方向（第１方向）で隣り合っている。また、第１信号線（画像信号線ＬＶＩＤ１）は、Ｙ方向に延在する第１部分（第２導電膜３ｃ）、Ｘ方向に延在する第２部分（第１導電膜６ｄ）、およびＹ方向に延在する第３部分（第３導電膜５ｅ）を有し、これらの部分はこの順に導通している。これに対して、第２信号線（画像信号線ＬＶＩＤ２）は、Ｙ方向に延在する第４部分（第２導電膜３ｃ）、Ｘ方向に延在する第５部分（第２導電膜３ｄ）、およびＹ方向に延在する第６部分（第３導電膜５ｅ）を有し、これらの部分はこの順に導通している。
【００７７】
ここで、第１部分と第４部分とは同一の層においてＸ方向で隣り合うように設けられ、第３部分と第６部分とは同一の層においてＸ方向で隣り合うように設けられている。これに対して、第２部分と第５部分とは異なる層に設けられている。また、平面視で、第２部分と第５部分との距離は、第１部分と第４部分との距離、および第３部分と第６部分との距離より小さい。本形態において、平面視で、第２部分と第５部分とは重なっており、第２部分と第５部分との距離は、第１部分と第４部分との距離、および第３部分と第６部分との距離より小さい。
【００７８】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の電気光学装置１００では、素子基板１０の辺１０ｅと画素電極配列領域１０ｐとの間で複数の配線１０５が並列する配線領域１１は、一部の配線１０５と他の配線１０５とが異なる層に位置する第２配線領域１１ｂとを備えており、かかる第２配線領域１１ｂでは、異なる層に位置する配線１０５の間に平面視で広い隙間を設けなくても短絡等の問題が発生しない。このため、第２配線領域１１ｂについては、配線１０５の間隔を狭めることができるので、幅方向の寸法を第１配線領域１１ａより狭くすることができる。従って、スペース的に余裕のない領域を第２配線領域１１ｂとすれば、配線１０５の幅寸法を狭めた構成や同一の層で配線１０５の間隔を狭めた構成を採用しなくても、配線領域１１が占有する面積を効果的に狭めることができる。それ故、画素電極配列領域１０ｐを狭めずに電気光学装置１００を小型化することができるとともに、電気光学装置１００を大型化せずに画素電極配列領域１０ｐを広げることができる。
【００７９】
また、第２配線領域１１ｂでは、複数の配線１０５が素子基板１０の辺１０ｅの延在方向に対して平行な方向に延在しているため、配線１０５が素子基板１０の辺１０ｅの延在方向に対して平行に延在している領域の幅寸法を狭くすることができる。特に本形態では、画素電極配列領域１０ｐと素子基板１０の辺１０ｅとの間にデータ線駆動回路１０１が設けられ、第２配線領域１１ｂは、素子基板１０の辺１０ｅとデータ線駆動回路１０１との間、およびデータ線駆動回路１０１と画素電極配列領域１０ｐとの間の双方に設けられている。このため、画素電極配列領域１０ｐと素子基板１０の辺１０ｅとの間にスペース的な余裕がないが、本形態によれば、多数の配線１０５を素子基板１０の辺１０ｅに対して平行に設けた場合でも、画素電極配列領域１０ｐと素子基板１０の辺１０ｅとの間隔を狭めることができる。
【００８０】
また、相展開駆動を行う場合には、画素電極配列領域１０ｐと素子基板１０の辺１０ｅとの間で多数の画像信号線（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）を辺１０ｅに対して平行に配置する必要があるが、本形態によれば、かかる画像信号線（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）を設けても、画素電極配列領域１０ｐと素子基板１０の辺１０ｅとの間隔を狭めることができる。
【００８１】
さらに、第２配線領域１１ｂでは、偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６：一部の配線）と、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５：他の配線）とが平面視で重なっている。このため、上層側の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）が下層側の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）に起因する凹凸上に形成されない。従って、上層側の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）の段差切れ等を防止することができる。
【００８２】
また、第１配線領域１１ａのうち、第１配線領域１１ａ2で用いた第３導電膜５ｅは、第２配線領域１１ｂで用いた第１導電膜６ｄ、６ｆと第２導電膜３ｄ、３ｆとの間の層に形成されている。このため、第１導電膜６ｄ、６ｆにより形成されている配線１０５と第３導電膜５ｅにより形成されている配線１０５とを電気的に接続するコンタクトホール４２ｅ、４２ｆ、および第２導電膜３ｄ、３ｆにより形成されている配線１０５と第３導電膜５ｅにより形成されている配線１０５とを電気的に接続するコンタクトホール４１ｅ、４１ｆのいずれについても、過剰に深いコンタクトホールとなることを回避することができる。また、第１導電膜６ｄ、６ｆにより形成されている配線１０５と第２導電膜３ｄ、３ｆにより形成されている配線１０５とが平面視で重なっている場合でも、かかる重なり領域に、第１導電膜６ｄ、６ｆにより形成されている配線１０５と第３導電膜５ｅにより形成されている配線１０５とを電気的に接続するコンタクトホール４２ｅ、４２ｆを設けることができる。また、第１導電膜６ｆにより形成されている配線１０５と第２導電膜３ｆにより形成されている配線１０５とが平面視で重なっている場合でも、かかる重なり領域に、第１導電膜６ｆにより形成されている配線１０５と第３導電膜５ｇにより形成されている配線１０６とを電気的に接続するコンタクトホール４２ｇ、および第２導電膜３ｆにより形成されている配線１０５と第３導電膜５ｇにより形成されている配線１０６とを電気的に接続するコンタクトホール４１ｇを設けることができる。
【００８３】
［実施の形態２］
図７は、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置１００の配線領域１１の平面図である。図８は、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置１００の配線領域１１を配線１０５に沿って切断したときの断面図であり、図８（ａ）、（ｂ）は、奇数番目の画像信号線ＬＶＩＤ１の断面図（Ａ２−Ａ２″−Ａ２′断面図）、および偶数番目の画像信号線ＬＶＩＤ２の断面図（Ｂ２−Ｂ２″−Ｂ２′断面図）である。図９は、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置１００の配線領域１１を横切る方向で切断したときの断面図であり、図９（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、第１配線領域１１ａ1の断面図（Ｃ２−Ｃ２′断面図）、第２配線領域１１ｂ1の断面図（Ｄ２−Ｄ２′断面図）、第１配線領域１１ａ2の断面図（Ｅ２−Ｅ２′断面図）、および第２配線領域１１ｂ2の断面図（Ｆ２−Ｆ２′断面図）である。なお、本形態、および後述する各実施の形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して、それらの説明を省略する。
【００８４】
実施の形態１では、３種類の導電膜によって配線１０５が構成されていたが、以下に説明するように、本形態では、２種類の導電膜によって配線１０５が構成されている。以下、２種類の導電膜として、走査線３ａおよびデータ線６ａと同一の層に位置する導電膜を利用して配線１０５が形成されている例を説明する。
【００８５】
図７、図８および図９に示すように、図２（ａ）の第１配線領域１１ａ（第１配線領域１１ａ1）において、６本の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）はいずれも、走査線３ａと同一の層に形成された第２導電膜３ｃによって形成されており、ライン幅：スペース幅は１：１である。
【００８６】
図２（ａ）の第２配線領域１１ｂ（第２配線領域１１ｂ1）において、６本の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）は、データ線６ａと同一の層に形成された第１導電膜６ｄと、走査線３ａと同一の層に形成された第２導電膜３ｄとによって形成されている。より具体的には、６本の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）のうち、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）は、第２配線領域１１ｂ1において、データ線６ａと同一の層に形成された第１導電膜６ｄによって形成されている。かかる第１導電膜６ｄは、層間絶縁膜４２、４１を貫通するコンタクトホール４２ｄを介して、第１配線領域１１ａ1において奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）を構成する第２導電膜３ｃと導通している。第２配線領域１１ｂ1において、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）は、ライン幅：スペース幅は１：１である。
【００８７】
これに対して、偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）は、第２配線領域１１ｂ1において、走査線３ａと同一の層に形成された第２導電膜３ｄによって形成されている。かかる第２導電膜３ｄは、第１配線領域１１ａ1において偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）を構成する第２導電膜３ｃから一体に延在している。第２配線領域１１ｂ1において、偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）は、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）と平面視で重なっており、ライン幅：スペース幅は１：１である。このため、第２配線領域１１ｂ1は、第１配線領域１１ａ1より幅寸法が狭い。
【００８８】
図２（ａ）の第１配線領域１１ａ（第１配線領域１１ａ2）において、６本の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）はいずれも、走査線３ａと同一の層に形成された第２導電膜３ｅによって形成されており、ライン幅：スペース幅は１：１である。かかる第２導電膜３ｅのうち、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）を構成する第２導電膜３ｅは、層間絶縁膜４２、４１を貫通するコンタクトホール４２ｅを介して、第２配線領域１１ｂ1において奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）を構成する第１導電膜６ｄと導通している。本形態では、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）を構成する第２導電膜３ｅと、偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）を構成する第２導電膜３ｄとが短絡しないように、第１導電膜６ｄに突部６ｊを形成し、かかる突部６ｊと重なる位置にコンタクトホール４２ｅが形成されている。
【００８９】
これに対して、偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）を構成する第２導電膜３ｅは、第２配線領域１１ｂ1において偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）を構成する第２導電膜３ｄから一体に延在している。
【００９０】
図２（ａ）の第２配線領域１１ｂ（第２配線領域１１ｂ2）において、６本の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）は、データ線６ａと同一の層に形成された第１導電膜６ｆと、走査線３ａと同一の層に形成された第２導電膜３ｆとによって形成されている。より具体的には、６本の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）のうち、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）は、第２配線領域１１ｂ2において、データ線６ａと同一の層に形成された第１導電膜６ｆによって形成されている。かかる第１導電膜６ｆは、層間絶縁膜４２、４１を貫通するコンタクトホール４２ｆを介して、第１配線領域１１ａ2において奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）を構成する第２導電膜３ｅと導通している。本形態では、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）を構成する第２導電膜３ｅと、偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）を構成する第２導電膜３ｆとが短絡しないように、第１導電膜６ｆに突部６ｋを形成し、かかる突部６ｋと重なる位置にコンタクトホール４２ｆが形成されている。第２配線領域１１ｂ２において、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）は、ライン幅：スペース幅は１：１である。
【００９１】
これに対して、偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）は、第２配線領域１１ｂ2において、走査線３ａと同一の層に形成された第２導電膜３ｆによって形成されている。かかる第２導電膜３ｆは、第１配線領域１１ａ2において偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）を構成する第２導電膜３ｅから一体に延在している。第２配線領域１１ｂ2において、偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）は、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）と平面視で重なっており、ライン幅：スペース幅は１：１である。このため、第２配線領域１１ｂ2は、第２配線領域１１ｂ1と幅寸法が同等であり、第１配線領域１１ａ（第１配線領域１１ａ1、１１ａ2）より幅寸法が狭い。
【００９２】
［実施の形態３］
図１０は、本発明の実施の形態３に係る電気光学装置１００の配線領域１１の平面図である。図１１は、本発明の実施の形態３に係る電気光学装置１００の配線領域１１を配線１０５に沿って切断したときの断面図であり、図１１（ａ）、（ｂ）は、奇数番目の画像信号線ＬＶＩＤ１の断面図（Ａ３−Ａ３″−Ａ３′断面図）、および偶数番目の画像信号線ＬＶＩＤ２の断面図（Ｂ３−Ｂ３″−Ｂ３′断面図）である。図１２は、本発明の実施の形態３に係る電気光学装置１００の配線領域１１を横切る方向で切断したときの断面図であり、図１２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、第１配線領域１１ａ1の断面図（Ｃ３−Ｃ３′断面図）、第２配線領域１１ｂ1の断面図（Ｄ３−Ｄ３′断面図）、第１配線領域１１ａ2の断面図（Ｅ３−Ｅ３′断面図）、および第２配線領域１１ｂ2の断面図（Ｆ３−Ｆ３′断面図）である。
【００９３】
実施の形態１では、端子１０２が、走査線３ａと同一の層に位置する第２導電膜３ｃに導通していたが、本形態では、端子１０２が、容量線５ａと同一の層に位置する導電膜５ｃに導通している例を説明する。
【００９４】
図１０、図１１および図１２に示すように、図２（ａ）の第１配線領域１１ａ（第１配線領域１１ａ1）において、６本の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）はいずれも、容量線５ａと同一の層に形成された第３導電膜５ｃによって形成されており、ライン幅：スペース幅は１：１である。かかる第３導電膜５ｃの端部は、層間絶縁膜４５、４４、４２を貫通するコンタクトホール４５ｃを介して、画素電極９ａと同一の層に形成された端子１０２と導通している。
【００９５】
図２（ａ）の第２配線領域１１ｂ（第２配線領域１１ｂ1）において、６本の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）は、データ線６ａと同一の層に形成された第１導電膜６ｄと、走査線３ａと同一の層に形成された第２導電膜３ｄとによって形成されている。より具体的には、６本の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）のうち、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）は、第２配線領域１１ｂ1において、データ線６ａと同一の層に形成された第１導電膜６ｄによって形成されている。かかる第１導電膜６ｄは、層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール４２ｄを介して、第１配線領域１１ａ1において奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）を構成する第３導電膜５ｃと導通している。第２配線領域１１ｂ1において、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）は、ライン幅：スペース幅は１：１である。
【００９６】
これに対して、偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）は、第２配線領域１１ｂ1において、走査線３ａと同一の層に形成された第２導電膜３ｄによって形成されている。かかる第２導電膜３ｄは、層間絶縁膜４１を貫通するコンタクトホール４１ｄを介して、第１配線領域１１ａ1において偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ６）を構成する第３導電膜５ｃと導通している。第２配線領域１１ｂ1において、偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）は、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）と平面視で重なっており、ライン幅：スペース幅は１：１である。このため、第２配線領域１１ｂ1は、第１配線領域１１ａ1より幅寸法が狭い。
【００９７】
図２（ａ）の第１配線領域１１ａ（第１配線領域１１ａ2）において、６本の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）はいずれも、容量線５ａと同一の層に形成された第３導電膜５ｅによって形成されており、ライン幅：スペース幅は１：１である。かかる第３導電膜５ｅのうち、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）を構成する第３導電膜５ｅは、層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール４２ｅを介して、第２配線領域１１ｂ1において奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）を構成する第１導電膜６ｄと導通している。また、偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）を構成する第３導電膜５ｅは、層間絶縁膜４１を貫通するコンタクトホール４１ｅを介して、第２配線領域１１ｂ1において偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）を構成する第２導電膜３ｄと導通している。
【００９８】
図２（ａ）の第２配線領域１１ｂ（第２配線領域１１ｂ2）において、６本の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）は、データ線６ａと同一の層に形成された第１導電膜６ｆと、走査線３ａと同一の層に形成された第２導電膜３ｆとによって形成されている。より具体的には、６本の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）のうち、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）は、第２配線領域１１ｂ2において、データ線６ａと同一の層に形成された第１導電膜６ｆによって形成されている。かかる第１導電膜６ｆは、層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール４２ｆを介して、第１配線領域１１ａ2において奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）を構成する第３導電膜５ｅと導通している。第２配線領域１１ｂ２において、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）は、ライン幅：スペース幅は１：１である。
【００９９】
これに対して、偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）は、第２配線領域１１ｂ2において、走査線３ａと同一の層に形成された第２導電膜３ｆによって形成されている。かかる第２導電膜３ｆは、層間絶縁膜４１を貫通するコンタクトホール４１ｆを介して、第１配線領域１１ａ2において偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）を構成する第３導電膜５ｅと導通している。第２配線領域１１ｂ2において、偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）は、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）と平面視で重なっており、ライン幅：スペース幅は１：１である。このため、第２配線領域１１ｂ2は、第２配線領域１１ｂ1と幅寸法が同等であり、第１配線領域１１ａ（第１配線領域１１ａ1、１１ａ2）より幅寸法が狭い。
【０１００】
［実施の形態４］
図１３は、本発明の実施の形態４に係る電気光学装置１００の配線領域１１の平面図である。図１４は、本発明の実施の形態４に係る電気光学装置１００の配線領域１１を配線１０５に沿って切断したときの断面図であり、図１４（ａ）、（ｂ）は、奇数番目の画像信号線ＬＶＩＤ１の断面図（Ａ４−Ａ４″−Ａ４′断面図）、および偶数番目の画像信号線ＬＶＩＤ２の断面図（Ｂ４−Ｂ４″−Ｂ４′断面図）である。図１５は、本発明の実施の形態４に係る電気光学装置１００の第２配線領域１１ｂ2において、偶数番目の画像信号線を構成する第２導電膜３ｆの平面図である。なお、本形態の配線１０５の構成は、実施の形態２と同様であるため、以下、第２配線領域１１ｂ2での配線１０６との接続構造を中心に説明する。
【０１０１】
実施の形態１〜３では、第２配線領域１１ｂ2において、データ線６ａと同一の層に位置する第１導電膜６ｆからなる配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）、および走査線３ａと同一の層に位置する第２導電膜３ｆからなる配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）に対して、データ線６ａと走査線３ａとの間の層に位置する第３導電膜５ｇからなる配線１０６が導通していた。これに対して、本形態では、図１３および図１４に示すように、第２配線領域１１ｂ2において、データ線６ａと同一の層に位置する第１導電膜６ｆからなる配線１０５、および走査線３ａと同一の層に位置する第２導電膜３ｆからなる配線１０５に対して、データ線６ａに対して走査線３ａとは反対側（上層側）の層に位置する第４導電膜７ｇからなる配線１０６が導通している。かかる第４導電膜７ｇは、図３（ｂ）に示す遮光層７ａと同一の層に位置する。
【０１０２】
このため、第４導電膜７ｇからなる配線１０６は、層間絶縁膜４４を貫通するコンタクトホール４４ｈを介して、第１導電膜６ｆからなる配線１０５と導通している。
【０１０３】
ここで、第２導電膜３ｆからなる配線１０５には第１導電膜６ｆからなる配線１０５が平面視で重なっており、第２導電膜３ｆからなる配線１０５と第４導電膜７ｇからなる配線１０６との間には、第１導電膜６ｆからなる配線１０５が介在している。そこで、本形態では、第２導電膜３ｆからなる配線１０５に、第１導電膜６ｆからなる配線１０５から張り出すように突部３ｓ、３ｔを形成し、かかる突部３ｓ、３ｔと重なる位置で層間絶縁膜４４、４２、４１を貫通するコンタクトホール４４ｉによって、第２導電膜３ｆからなる配線１０５と第４導電膜７ｇからなる配線１０６とが導通している。
【０１０４】
本形態において、第２導電膜３ｆからなる配線１０５のうち、第２番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２）と、第４番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ４）とは同一の層において隣り合っている。かかる隣り合う２本の配線１０５において、突部３ｓは、一方の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２）から他方の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ４）に向けて突出し、突部３ｔは、他方の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ４）から一方の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２）に向けて突出している。また、突部３ｓと突部３ｔとは、配線１０５の延在方向でずれた位置に設けられている。
【０１０５】
また、図１５に示すように、第２導電膜３ｆからなる配線１０５が８本以上設けられている場合、第６番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ６）と、第８番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ８）とは同一の層において隣り合っている。この場合、突部３ｓは、一方の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ６）から他方の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ８）に向けて突出し、突部３ｔは、他方の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ８）から一方の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ６）に向けて突出している。従って、第２導電膜３ｆからなる配線１０５が８本以上設けられている場合、突部３ｓ、３ｔを設けるスペースは、１つおきでよいので、第２導電膜３ｆからなる配線１０５に突部３ｓ、３ｔを設けた場合でも、第２配線領域１１ｂ（第２配線領域１１ｂ2）の幅寸法を狭くすることができる。
【０１０６】
［実施の形態５］
図１６は、本発明の実施の形態５に係る電気光学装置１００の配線領域１１の平面図である。図１７は、本発明の実施の形態５に係る電気光学装置１００の配線領域１１を配線１０５に沿って切断したときの断面図であり、図１７（ａ）、（ｂ）は、奇数番目の画像信号線ＬＶＩＤ１の断面図（Ａ５−Ａ５″−Ａ５′断面図）、および偶数番目の画像信号線ＬＶＩＤ２の断面図（Ｂ５−Ｂ５″−Ｂ５′断面図）である。なお、本形態の配線１０５の構成は、実施の形態２と同様であるため、以下、第２配線領域１１ｂ2での配線１０６との接続構造を中心に説明する。
【０１０７】
実施の形態４では、第２配線領域１１ｂ（第２配線領域１１ｂ2）において、データ線６ａと同一の層に位置する第１導電膜６ｆからなる配線１０５、および走査線３ａと同一の層に位置する第２導電膜３ｆからなる配線１０５に対して、データ線６ａに対して走査線３ａとは反対側の層に位置する第４導電膜７ｇからなる配線１０６が導通していた。これに対して、本形態では、図１６および図１７に示すように、第２配線領域１１ｂ（第２配線領域１１ｂ2）において、データ線６ａと同一の層に位置する第１導電膜６ｆからなる配線１０５、および走査線３ａと同一の層に位置する第２導電膜３ｆからなる配線１０５に対して、走査線３ａに対してデータ線６ａとは反対側（下層側）の層に位置する第４導電膜８ｇからなる配線１０６が導通している。かかる第４導電膜８ｇは、図３（ｂ）に示す遮光層８ａと同一の層に位置する。
【０１０８】
このため、第４導電膜８ｇからなる配線１０６は、ゲート絶縁層２および絶縁膜１２を貫通するコンタクトホール１２ｉを介して、第２導電膜３ｆからなる配線１０５と導通している。
【０１０９】
ここで、第１導電膜６ｆからなる配線１０５には第２導電膜３ｆからなる配線１０５が平面視で重なっており、第１導電膜６ｆからなる配線１０５と第４導電膜７ｇからなる配線１０６との間には、第２導電膜３ｆからなる配線１０５が介在している。そこで、本形態では、第１導電膜６ｆからなる配線１０５に第２導電膜３ｆからなる配線１０５から張り出すように突部６ｓ、６ｔを形成し、かかる突部６ｓ、６ｔと重なる位置で層間絶縁膜４４、４２、４１、ゲート絶縁層２および絶縁膜１２を貫通するコンタクトホール１２ｈによって、第１導電膜６ｆからなる配線１０５と第４導電膜８ｇからなる配線１０６とが導通している。
【０１１０】
また、第１導電膜６ｆからなる配線１０５のうち、第１番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１）と、第３番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ３）とは同一の層において隣り合っている。かかる隣り合う２本の配線１０５において、突部６ｓは、一方の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１）から他方の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ３）に向けて突出し、突部３ｔは、他方の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ３）から一方の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１）に向けて突出している。また、突部６ｓと突部６ｔとは、配線１０５の延在方向でずれた位置に設けられている。
【０１１１】
このため、図１５を参照して説明したように、配線１０５が多数設けられている場合でも、突部６ｓ、６ｔを設けるスペースは、１つおきでよい。このため、第１導電膜６ｆからなる配線１０５に突部６ｓ、６ｔを設けた場合でも、第２配線領域１１ｂ（第２配線領域１１ｂ2）の幅寸法を狭くすることができる。
【０１１２】
［実施の形態６］
図１８は、本発明の実施の形態６に係る電気光学装置１００の配線領域１１の平面図である。図１９は、本発明の実施の形態６に係る電気光学装置１００の配線領域１１を配線１０５に沿って切断したときの断面図であり、図１９（ａ）、（ｂ）は、奇数番目の画像信号線ＬＶＩＤ１の断面図（Ａ６−Ａ６′断面図）、および偶数番目の画像信号線ＬＶＩＤ２の断面図（Ｂ６−Ｂ６′断面図）である。図２０は、本発明の実施の形態６に係る電気光学装置１００の配線領域１１を横切る方向で切断したときの断面図であり、図２０（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、第１配線領域１１ａ1の断面図（Ｃ６−Ｃ６′断面図）、第２配線領域１１ｂ1の断面図（Ｄ６−Ｄ６′断面図）、第１配線領域１１ａ2の断面図（Ｅ６−Ｅ６′断面図）、および第２配線領域１１ｂ2の断面図（Ｆ６−Ｆ６′断面図）である。
【０１１３】
実施の形態１では、第２配線領域１１ｂにおいて、奇数番目の画像信号線（ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）と偶数番目の画像信号線（ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）とが平面視で重なっていた。これに対して、本形態では、図１８、図１９および図２０に示すように、第２配線領域１１ｂにおいて、奇数番目の画像信号線（ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）は、偶数番目の画像信号線（ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）により挟まれた領域と平面視で重なっている。逆にいえば、第２配線領域１１ｂにおいて、偶数番目の画像信号線（ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）は、奇数番目の画像信号線（ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）により挟まれた領域と平面視で重なっている。かかる構成を実施の形態３に適用した場合を以下に説明する。
【０１１４】
本形態では、図１８、図１９および図２０に示すように、図２（ａ）の第１配線領域１１ａ（第１配線領域１１ａ1）において、６本の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）はいずれも、容量線５ａと同一の層に形成された第３導電膜５ｃによって形成されており、ライン幅：スペース幅は１：１である。かかる第３導電膜５ｃの端部は、層間絶縁膜４５、４４、４２を貫通するコンタクトホール４５ｃを介して、画素電極９ａと同一の層に形成された端子１０２と導通している。
【０１１５】
図２（ａ）の第２配線領域１１ｂ（第２配線領域１１ｂ1）において、６本の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）は、データ線６ａと同一の層に形成された第１導電膜６ｄと、走査線３ａと同一の層に形成された第２導電膜３ｄとによって形成されている。より具体的には、６本の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）のうち、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）は、第２配線領域１１ｂ1において、データ線６ａと同一の層に形成された第１導電膜６ｄによって形成されている。かかる第１導電膜６ｄは、層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール４２ｄを介して、第１配線領域１１ａ1において奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）を構成する第３導電膜５ｃと導通している。第２配線領域１１ｂ1において、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）は、ライン幅：スペース幅は１：１である。
【０１１６】
これに対して、偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）は、第２配線領域１１ｂ1において、走査線３ａと同一の層に形成された第２導電膜３ｄによって形成されており、かかる第２導電膜３ｄは、層間絶縁膜４１を貫通するコンタクトホール４１ｄを介して、第１配線領域１１ａ1において偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）を構成する第３導電膜５ｃと導通している。第２配線領域１１ｂ1において、偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）は、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）により挟まれた領域と平面視で重なっており、ライン幅：スペース幅は１：１である。このため、第２配線領域１１ｂ1は、第１配線領域１１ａ1より幅寸法が狭い。
【０１１７】
図２（ａ）の第１配線領域１１ａ（第１配線領域１１ａ2）において、６本の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）はいずれも、容量線５ａと同一の層に形成された第３導電膜５ｅによって形成されており、ライン幅：スペース幅は１：１である。かかる第３導電膜５ｅのうち、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）を構成する第３導電膜５ｅは、層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール４２ｅを介して、第２配線領域１１ｂ1において奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）を構成する第１導電膜６ｄと導通している。また、偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）を構成する第３導電膜５ｅは、層間絶縁膜４１を貫通するコンタクトホール４１ｅを介して、第２配線領域１１ｂ1において偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）を構成する第２導電膜３ｄと導通している。
【０１１８】
図２（ａ）の第２配線領域１１ｂ（第２配線領域１１ｂ2）において、６本の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）は、データ線６ａと同一の層に形成された第１導電膜６ｆと、走査線３ａと同一の層に形成された第２導電膜３ｆとによって形成されている。より具体的には、６本の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）のうち、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）は、第２配線領域１１ｂ2において、データ線６ａと同一の層に形成された第１導電膜６ｆによって形成されている。かかる第１導電膜６ｆは、層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール４２ｆを介して、第１配線領域１１ａ2において奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）を構成する第３導電膜５ｅと導通している。第２配線領域１１ｂ2において、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）は、ライン幅：スペース幅は１：１である。
【０１１９】
これに対して、偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）は、第２配線領域１１ｂ2において、走査線３ａと同一の層に形成された第２導電膜３ｆによって形成されている。かかる第２導電膜３ｆは、層間絶縁膜４１を貫通するコンタクトホール４１ｆを介して、第１配線領域１１ａ2において偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）を構成する第３導電膜５ｅと導通している。第２配線領域１１ｂ2において、偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）は、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）により挟まれた領域と平面視で重なっており、ライン幅：スペース幅は１：１である。このため、第２配線領域１１ｂ2は、第２配線領域１１ｂ1と幅寸法が同等であり、第１配線領域１１ａ（第１配線領域１１ａ1、１１ａ2）より幅寸法が狭い。
【０１２０】
かかる構成によれば、第２配線領域１１ｂにおいて、偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）に起因する凹凸と、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）に起因する凹凸とが相殺される。従って、配線１０５の表面側に大きな凹凸が発生しにくいという利点がある。また、偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）と、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）とが平面視で重なっていないため、配線間に容量が寄生することを防止することができる。
【０１２１】
［他の実施の形態］
上記実施の形態では、２つの第２配線領域１１ｂ1と第２配線領域１１ｂ2とにおいて同一の構成としたが、第２配線領域１１ｂ1と第２配線領域１１ｂ2とにおいて、異なる導電膜を用いて配線１０５を形成してもよい。また、上記実施の形態では、第２配線領域１１ｂにおいて、走査線３ａと同一の層に位置する第２導電膜３ｆと、データ線６ａと同一の層に位置する第１導電膜６ｆとを用いて配線１０５を形成したが、遮光層７ａと同一の層に位置する導電膜とデータ線６ａと同一の層に位置する導電膜とを用いて配線１０５を形成してもよい。また、第２配線領域１１ｂにおいて、遮光層７ａと同一の層に位置する導電膜と走査線３ａと同一の層に位置する導電膜とを用いて配線１０５を形成してもよく、かかる構成の場合、２つの導電膜の間に厚い絶縁膜が介在する。従って、配線同士（導電膜同士）が平面視で重なっている場合でも、配線間に容量が寄生することを防止することができる。
【０１２２】
上記実施の形態では、電気光学装置として、透過型の液晶装置を例示したが、反射型の液晶装置に本発明を適用してもよい。
【０１２３】
［他の電気光学装置］
上記実施の形態では、電気光学装置として液晶装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されず、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマディスプレイ、ＦＥＤ（Field Emission Display）、ＳＥＤ（Surface-Conduction Electron-Emitter Display）、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置等の電気光学装置に本発明を適用してもよい。
【０１２４】
［電子機器への搭載例］
（投射型表示装置および光学ユニットの構成例）
図２１は、本発明を適用した投射型表示装置（電子機器）および光学ユニットの概略構成図であり、図２１（ａ）、（ｂ）は各々、透過型の液晶装置を用いた投射型表示装置の説明図、および反射型の液晶装置を用いた投射型表示装置の説明図である。
【０１２５】
図２１（ａ）に示す投射型表示装置１１０は、液晶パネルとして透過型の液晶パネルを用いた例であるのに対して、図２１（ｂ）に示す投射型表示装置１０００は、液晶パネルとして反射型の液晶パネルを用いた例である。但し、以下に説明するように、投射型表示装置１１０、１０００はいずれも、光源部１３０、１０２１と、光源部１３０、１０２１から互いに異なる波長域の光が供給される複数の電気光学装置１００と、複数の電気光学装置１００から出射された光を合成して出射するクロスダイクロイックプリズム１１９、１０２７（光合成光学系）と、光合成光学系により合成された光を投射する投射光学系１１８、１０２９とを有している。また、投射型表示装置１１０、１０００においては、電気光学装置１００およびクロスダイクロイックプリズム１１９、１０２７（光合成光学系）を備えた光学ユニット２００が用いられている。
【０１２６】
（投射型表示装置の第１例）
図２１（ａ）に示す投射型表示装置１１０は、観察者側に設けられたスクリーン１１１に光を照射し、このスクリーン１１１で反射した光を観察する、いわゆる投影型の投射型表示装置である。投射型表示装置１１０は、光源１１２を備えた光源部１３０と、ダイクロイックミラー１１３、１１４と、液晶ライトバルブ１１５〜１１７と、投射光学系１１８と、クロスダイクロイックプリズム１１９（合成光学系）と、リレー系１２０とを備えている。
【０１２７】
光源１１２は、赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、および青色光Ｂを含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー１１３は、光源１１２からの赤色光Ｒを透過させるとともに、緑色光Ｇ、および青色光Ｂを反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー１１４は、ダイクロイックミラー１１３で反射された緑色光Ｇおよび青色光Ｂのうち青色光Ｂを透過させるとともに緑色光Ｇを反射する構成となっている。このように、ダイクロイックミラー１１３、１１４は、光源１１２から出射した光を赤色光Ｒと緑色光Ｇと青色光Ｂとに分離する色分離光学系を構成する。
【０１２８】
ここで、ダイクロイックミラー１１３と光源１１２との間には、インテグレーター１２１および偏光変換素子１２２が光源１１２から順に配置されている。インテグレーター１２１は、光源１１２から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、偏光変換素子１２２は、光源１１２からの光を、例えばｓ偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする構成となっている。
【０１２９】
液晶ライトバルブ１１５は、ダイクロイックミラー１１３を透過して反射ミラー１２３で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。液晶ライトバルブ１１５は、λ／２位相差板１１５ａ、第１偏光板１１５ｂ、電気光学装置１００（赤色用液晶パネル１００Ｒ）、および第２偏光板１１５ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１５に入射する赤色光Ｒは、ダイクロイックミラー１１３を透過しても光の偏光は変化しないことから、ｓ偏光のままである。
【０１３０】
λ／２位相差板１１５ａは、液晶ライトバルブ１１５に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１５ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、電気光学装置１００（赤色用液晶パネル１００Ｒ）は、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１５ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１５は、画像信号に応じて赤色光Ｒを変調し、変調した赤色光Ｒをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。
【０１３１】
なお、λ／２位相差板１１５ａ、および第１偏光板１１５ｂは、偏光を変換させない透光性のガラス板１１５ｅに接した状態で配置されており、λ／２位相差板１１５ａ、および第１偏光板１１５ｂが発熱によって歪むのを回避することができる。
【０１３２】
液晶ライトバルブ１１６は、ダイクロイックミラー１１３で反射した後にダイクロイックミラー１１４で反射した緑色光Ｇを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。かかる液晶ライトバルブ１１６は、液晶ライトバルブ１１５と同様に、第１偏光板１１６ｂ、電気光学装置１００（緑色用液晶パネル１００Ｇ）、および第２偏光板１１６ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１６に入射する緑色光Ｇは、ダイクロイックミラー１１３、１１４で反射されて入射するｓ偏光である。第１偏光板１１６ｂは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。また、電気光学装置１００（緑色用液晶パネル１００Ｇ）は、ｓ偏光を画像信号に応じた変調によってｐ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。そして、第２偏光板１１６ｄは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１６は、画像信号に応じて緑色光Ｇを変調し、変調した緑色光Ｇをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。
【０１３３】
液晶ライトバルブ１１７は、ダイクロイックミラー１１３で反射し、ダイクロイックミラー１１４を透過した後でリレー系１２０を経た青色光Ｂを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。かかる液晶ライトバルブ１１７は、液晶ライトバルブ１１５、１１６と同様に、λ／２位相差板１１７ａ、第１偏光板１１７ｂ、電気光学装置１００（青色用液晶パネル１００Ｂ）、および第２偏光板１１７ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１７に入射する青色光Ｂは、ダイクロイックミラー１１３で反射してダイクロイックミラー１１４を透過した後にリレー系１２０の後述する２つの反射ミラー１２５ａ、１２５ｂで反射することから、ｓ偏光となっている。
【０１３４】
λ／２位相差板１１７ａは、液晶ライトバルブ１１７に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１７ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、電気光学装置１００（青色用液晶パネル１００Ｂ）は、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１７ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１７は、画像信号に応じて青色光Ｂを変調し、変調した青色光Ｂをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。なお、λ／２位相差板１１７ａ、および第１偏光板１１７ｂは、ガラス板１１７ｅに接した状態で配置されている。
【０１３５】
リレー系１２０は、リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂと反射ミラー１２５ａ、１２５ｂとを備えている。リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂは、青色光Ｂの光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ１２４ａは、ダイクロイックミラー１１４と反射ミラー１２５ａとの間に配置されている。また、リレーレンズ１２４ｂは、反射ミラー１２５ａ、１２５ｂの間に配置されている。反射ミラー１２５ａは、ダイクロイックミラー１１４を透過してリレーレンズ１２４ａから出射した青色光Ｂをリレーレンズ１２４ｂに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー１２５ｂは、リレーレンズ１２４ｂから出射した青色光Ｂを液晶ライトバルブ１１７に向けて反射するように配置されている。
【０１３６】
クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂをＸ字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光Ｂを反射して緑色光Ｇを透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光Ｒを反射して緑色光Ｇを透過する膜である。従って、クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライトバルブ１１５〜１１７の各々で変調された赤色光Ｒと緑色光Ｇと青色光Ｂとを合成し、投射光学系１１８に向けて出射するように構成されている。
【０１３７】
なお、液晶ライトバルブ１１５、１１７からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｓ偏光であり、液晶ライトバルブ１１６からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｐ偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム１１９において各液晶ライトバルブ１１５〜１１７から入射する光を合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂはｓ偏光の反射トランジスター特性に優れている。このため、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂで反射される赤色光Ｒ、および青色光Ｂをｓ偏光とし、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂを透過する緑色光Ｇをｐ偏光としている。投射光学系１１８は、投影レンズ（図示略）を有しており、クロスダイクロイックプリズム１１９で合成された光をスクリーン１１１に投射するように構成されている。
【０１３８】
（投射型表示装置の第２例）
図２１（ｂ）に示す投射型表示装置１０００は、光源光を発生する光源部１０２１と、光源部１０２１から出射された光源光を赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、および青色光Ｂの３色の色光に分離する色分離導光光学系１０２３と、色分離導光光学系１０２３から出射された各色の光源光によって照明される光変調部１０２５とを有している。また、投射型表示装置１０００は、光変調部１０２５から出射された各色の像光を合成するクロスダイクロイックプリズム１０２７（合成光学系）と、クロスダイクロイックプリズム１０２７を経た像光をスクリーン（不図示）に投射する投射光学系１０２９とを備えている。
【０１３９】
かかる投射型表示装置１０００において、光源部１０２１は、光源１０２１ａと、一対のフライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅと、偏光変換部材１０２１ｇと、重畳レンズ１０２１ｉとを備えている。本形態においては、光源部１０２１は、放物面からなるリフレクタ１０２１ｆを備えており、平行光を出射する。フライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅは、システム光軸と直交する面内にマトリクス状に配置された複数の要素レンズからなり、これらの要素レンズによって光源光を分割して個別に集光・発散させる。偏光変換部材１０２１ｇは、フライアイ光学系１０２１ｅから出射した光源光を、例えば図面に平行なｐ偏光成分のみに変換して光路下流側光学系に供給する。重畳レンズ１０２１ｉは、偏光変換部材１０２１ｇを経た光源光を全体として適宜収束させることにより、光変調部１０２５に設けた複数の電気光学装置１００を各々均一に重畳照明可能とする。
【０１４０】
色分離導光光学系１０２３は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａと、ダイクロイックミラー１０２３ｂと、反射ミラー１０２３ｊ、１０２３ｋとを備える。色分離導光光学系１０２３において、光源部１０２１からの略白色の光源光は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａに入射する。クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する一方の第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された赤色光Ｒは、反射ミラー１０２３ｊで反射されダイクロイックミラー１０２３ｂを透過して、入射側偏光板１０３７ｒ、ｐ偏光を透過させる一方、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、および光学補償板１０３９ｒを介して、ｐ偏光のまま、電気光学装置１００（赤色用液晶パネル１００Ｒ）に入射する。
【０１４１】
また、第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された緑色光Ｇは、反射ミラー１０２３ｊで反射され、その後、ダイクロイックミラー１０２３ｂでも反射されて、入射側偏光板１０３７ｇ、ｐ偏光を透過させる一方、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｇ、および光学補償板１０３９ｇを介して、ｐ偏光のまま、電気光学装置１００（緑色用液晶パネル１００Ｇ）に入射する。
【０１４２】
これに対して、クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する他方の第２ダイクロイックミラー１０３１ｂで反射された青色光Ｂは、反射ミラー１０２３ｋで反射されて、入射側偏光板１０３７ｂ、ｐ偏光を透過する一方、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｂ、および光学補償板１０３９ｂを介して、ｐ偏光のまま、電気光学装置１００（青色用液晶パネル１００Ｂ）に入射する。なお、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂは、電気光学装置１００への入射光および出射光の偏光状態を調整することで、液晶層の特性を光学的に補償している。
【０１４３】
このように構成した投射型表示装置１０００では、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂを経て入射した３色の光は各々、各電気光学装置１００において変調される。その際、電気光学装置１００から出射された変調光のうち、ｓ偏光の成分光は、ワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、１０３２ｇ、１０３２ｂで反射し、出射側偏光板１０３８ｒ、１０３８ｇ、１０３８ｂを介してクロスダイクロイックプリズム１０２７に入射する。クロスダイクロイックプリズム１０２７には、Ｘ字状に交差する第１誘電体多層膜１０２７ａおよび第２誘電体多層膜１０２７ｂが形成されており、一方の第１誘電体多層膜１０２７ａは赤色光Ｒを反射し、他方の第２誘電体多層膜１０２７ｂは青色光Ｂを反射する。従って、３色の光は、クロスダイクロイックプリズム１０２７において合成され、投射光学系１０２９に出射される。そして、投射光学系１０２９は、クロスダイクロイックプリズム１０２７で合成されたカラーの像光を、所望の倍率でスクリーン（図示せず。）に投射する。
【０１４４】
（他の投射型表示装置）
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。
【０１４５】
（他の電子機器）
本発明を適用した電気光学装置１００については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。
【符号の説明】
【０１４６】
３ａ・・走査線、３ｓ、３ｔ、６ｓ、６ｔ・・突部、６ａ・・データ線、５ａ・・容量線、７ａ、８ａ・・遮光層、９ａ・・画素電極、１０・・素子基板、１０ｅ・・辺（端部）、１０ａ・・画像表示領域、１０ｐ・・画素電極配列領域、１１・・配線領域、１１ａ、１１ａ1、１１ａ2・・第１配線領域、１１ｂ、１１ｂ1、１１ｂ2・・第２配線領域、１００・・電気光学装置、１０１・・データ線駆動回路、１０５、１０６・・配線、ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６・・画像信号線（配線）
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の配線が並列して延在する配線領域を基板上に備えた電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置等の電気光学装置では、基板の一方面側に複数の画素電極が配列された画素電極配列領域が設けられており、かかる画素電極配列領域と基板の端部との間を利用して配線が設けられている。例えば、相展開駆動方式が採用された電気光学装置では、画素電極配列領域と基板の端部に複数本の画像信号線が並列して設けられており、画像信号線によって供給された画像信号は、データ線駆動回路によって所定のタイミングで画像表示領域のデータ線に供給される。
【０００３】
かかる複数の配線については、同一の層に設けた導電膜により構成される他、異なる層に設けた導電膜によって構成される場合もある。後者の構造は、例えば、交差する方向に延在する配線同士の短絡を防止する場合や、冗長配線を設ける場合に採用されている（特許文献１、２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２１９４９６号公報
【特許文献２】特開２０１１−１９１７７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
液晶装置等の電気光学装置において、画素電極配列領域を狭めずに電気光学装置を小型化する場合や、電気光学装置を大型化せずに画像電極配列領域を広げるには、基板において画素電極配列領域より外側の領域を狭める必要があり、それには、複数の配線が並列している配線領域の幅寸法を狭める必要がある。しかしながら、配線の幅寸法を狭めることにより配線領域の幅寸法を狭めると、配線抵抗が増大する一方、配線の間隔を狭めると、配線間の短絡や配線相互の電気的な影響等が発生するという問題点がある。
【０００６】
そこで、本発明者は、並列して延在する複数の配線を異なる層に設けることによって配線領域の幅寸法を狭めることを提案するものであるが、かかる目的で多層配線を用いることは、上記の先行技術文献に一切記載されていない。
【０００７】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、配線間の短絡等を発生させずに、複数の配線が並列する配線領域の幅寸法を狭めることのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置は、基板の一方面側に、複数の画素電極が配列された画素電極配列領域と、前記基板の端部と前記画素電極配列領域との間で複数の配線が並列する配線領域と、を有する電気光学装置において、前記配線領域は、前記複数の配線がいずれも同一の層に位置する第１配線領域と、前記複数の配線のうち、複数の一部の配線と複数の他の配線とが異なる層に位置し、前記複数の配線の延在方向と直交する幅方向における寸法が前記第１配線領域より狭い第２配線領域と、を備えていることを特徴とする。
【０００９】
本発明では、基板の端部と画素電極配列領域との間で複数の配線が並列する配線領域は、複数の配線がいずれも同一の層に位置する第１配線領域と、複数の配線のうちの一部の配線と他の配線とが異なる層に位置する第２配線領域とを備えており、第２配線領域では、異なる層に位置する配線の間に平面視で広い隙間を設けなくても短絡等の問題が発生しない。このため、第２配線領域においては、配線間隔を狭めることができるので、第２配線領域については、幅方向の寸法を第１配線領域より狭くすることができる。従って、スペース的に余裕のない領域を第２配線領域とすれば、配線の幅寸法を狭めた構成や同一の層で配線間隔を狭めた構成を採用しなくても、配線領域が占有する面積を効果的に狭めることができる。それ故、画素電極配列領域を狭めずに電気光学装置を小型化することができるとともに、電気光学装置を大型化せずに画像電極配列領域を広げることができる。
【００１０】
本発明において、前記第１配線領域では、前記複数の配線が前記基板の前記端部に対して交差する方向に延在し、前記第２配線領域では、前記複数の配線が前記基板の前記端部の延在方向に対して平行な方向に延在している構成を採用することができる。かかる構成によれば、配線が基板の端部の延在方向に対して平行に延在している領域の幅寸法を狭くすることができるので、画素電極配列領域と基板の端部との間隔を狭めることができる。
【００１１】
本発明において、前記基板の一方面側に、前記画素電極配列領域と前記基板の前記端部との間に駆動回路が設けられ、前記第２配線領域は、前記基板の前記端部と前記駆動回路との間、および前記駆動回路と前記画素電極配列領域との間のうちの少なくとも一方に設けられている構成を採用することができる。かかる構成によれば、画素電極配列領域と基板の端部との間に駆動回路が設けられている場合でも、画像表示領域と基板の端部との間隔を狭めることができる。
【００１２】
本発明において、前記複数の配線は各々、前記駆動回路によって規定されたタイミングで前記画素電極配列領域のデータ線に画像信号を供給する画像信号線である構成を採用することができる。相展開駆動を行う場合には、画像信号線を多数設ける必要があるので、配線領域の幅寸法が広くなる分、本発明を適用した効果が顕著である。
【００１３】
本発明において、前記一部の配線と前記他の配線とが平面視で重なっている構成を採用することができる。かかる構成によれば、一部の配線および他の配線のうち、基板と反対側に位置する配線が基板側に位置する配線に起因する凹凸上に形成されないので、配線の段差切れ等を防止することができる。また、一部の配線と他の配線との間に容量が寄生することを防止することができる。
【００１４】
この場合、前記一部の配線において前記第２配線領域で隣り合うように形成された２本の配線には、一方の配線から他方の配線に向けて突出した突部と、他方の配線から一方の配線に向けて突出した突部とが前記配線の延在方向で異なる位置に形成され、前記一方の配線の前記突部、および前記他方の配線の前記突部の各々には、前記他の配線に対して前記一部の配線層とは反対側に位置する導電膜が絶縁膜のコンタクトホールを介して導通していることが好ましい。第２配線領域においてコンタクトホールを介して電気的接続する際、突部を設けるが、同一の層で隣り合うように形成された２本の配線において、一方の配線から他方の配線に向けて突出した突部と、他方の配線から一方の配線に向けて突出した突部とを配線の延在方向で異なる位置に設ければ、突部同士の短絡を防止することができるとともに、突部を設けることに起因する配線の間隔を狭くすることができる。
【００１５】
本発明において、前記第２配線領域では、前記一部の配線が前記他の配線で挟まれた領域と平面視で重なっている構成を採用してもよい。かかる構成によれば、一部の配線に起因する凹凸と、他の配線に起因する凹凸とが相殺されるので、配線に対して基板とは反対側の表面に大きな凹凸が発生しにくいという利点がある。
【００１６】
本発明では、前記第２配線領域において、前記一部の配線および前記他の配線のうちの一方は第１導電膜により形成され、他方は前記第１導電膜と前記基板との間の層に位置する第２導電膜により形成され、前記第１配線領域において、前記複数の配線は、前記第１導電膜および前記第２導電膜のいずれとも異なる層に位置する第３導電膜によって形成されている構成を採用することができる。
【００１７】
この場合、前記第３導電膜は、前記第１導電膜と前記２導電膜との間の層に形成されていることが好ましい。かかる構成によれば、第１導電膜により形成されている配線と第３導電膜により形成されている配線とを電気的に接続するコンタクトホール、および第２導電膜により形成されている配線と第３導電膜により形成されている配線とを電気的に接続するコンタクトホールのいずれについても、過剰に深いコンタクトホールとなることを回避することができる。また、第１導電膜により形成されている配線と第２導電膜により形成されている配線とが平面視で重なっている場合でも、かかる領域に、第１導電膜により形成されている配線と第３導電膜により形成されている配線とを電気的に接続するコンタクトホール、および第２導電膜により形成されている配線と第３導電膜により形成されている配線とを電気的に接続するコンタクトホールを設けることができる。
【００１８】
本発明において、前記第２配線領域において、前記一部の配線および前記他の配線のうちの一方は第１導電膜により形成され、他方は、前記第１導電膜と前記基板との間の層に位置する第２導電膜により形成され、前記第１配線領域において、前記複数の配線は、前記第１導電膜および前記第２導電膜のうちの一方の導電膜によって形成されている構成を採用してもよい。
【００１９】
本発明は以下のように規定することもできる。すなわち、本発明に係る電気光学装置は、基板と、前記基板の一方面側で画像表示領域に設けられた第１データ線と、前記第１データ線に隣り合う第２データ線と、前記基板の第１辺と前記画像表示領域との間に設けられ、前記第１データ線に供給する信号を入力するための第１端子と、前記第１端子に隣り合うように第１方向側に配置され、前記第２データ線に供給する信号を入力するための第２端子と、前記第１端子から前記第１データ線へ信号を供給するための第１信号線と、前記第２端子から前記第２データ線へ信号を供給するための第２信号線と、を含み、前記第１信号線は、前記第１端子と電気的に接続され、前記第１方向と交差する第２方向に沿って設けられた第１部分と、前記第１部分と電気的に接続され、前記第１方向に沿って設けられた第２部分と、前記第２部分と電気的に接続され、前記第２方向に沿って、前記第１部分より前記画像表示領域側に設けられた第３部分と、を備え、前記第２信号線は、前記第２端子と電気的に接続され、前記第１部分と隣り合う位置で前記第１部分と同一の層に設けられた第４部分と、前記第４部分と電気的に接続され、前記第２部分と異なる層に設けられた第５部分と、前記第３部分と隣り合い、前記第３部分と同一の層に設けられた第６部分と、を備え、平面視で、前記第２部分と前記第５部分との距離は、前記第１部分と前記第４部分との距離、および前記第３部分と前記第６部分との距離より小さいことを特徴とする。
【００２０】
本発明では、配線同士が第１方向で隣り合う個所では配線が同一の層に設けられ、配線同士が第２方向で隣り合う個所では、配線が異なる層に設けられているため、第２方向で隣り合う配線同士の距離（第２部分と第５部分との距離）を狭めても、短絡等の問題が発生しない。このため、第２方向においては、配線間隔を狭めることができる。従って、スペース的に余裕のない領域に第２部分および第５部分を設ければ、配線の幅寸法を狭めた構成や同一の層で配線間隔を狭めた構成を採用しなくても、配線領域が占有する面積を効果的に狭めることができる。それ故、画素電極配列領域を狭めずに電気光学装置を小型化することができるとともに、電気光学装置を大型化せずに画像電極配列領域を広げることができる。
【００２１】
本発明に係る電気光学装置は、携帯電話機やモバイルコンピューター、投射型表示装置等の電子機器に用いることができる。これらの電子機器のうち、投射型表示装置は、電気光学装置（液晶装置）に光を供給するための光源部と、前記電気光学装置によって光変調された光を投射する投射光学系とを備えている。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の液晶パネルの説明図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の素子基板の電気的構成を示す説明図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の画素の説明図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の配線領域の平面図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の配線領域を配線に沿って切断したときの断面図である。
【図６】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の配線領域を横切る方向で切断したときの断面図である。
【図７】本発明の実施の形態２に係る電気光学装置の配線領域の平面図である。
【図８】本発明の実施の形態２に係る電気光学装置の配線領域を配線に沿って切断したときの断面図である。
【図９】本発明の実施の形態２に係る電気光学装置の配線領域を横切る方向で切断したときの断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態３に係る電気光学装置の配線領域の平面図である。
【図１１】本発明の実施の形態３に係る電気光学装置の配線領域を配線に沿って切断したときの断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態３に係る電気光学装置の配線領域を横切る方向で切断したときの断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態４に係る電気光学装置の配線領域の平面図である。
【図１４】本発明の実施の形態４に係る電気光学装置の配線領域を配線に沿って切断したときの断面図である。
【図１５】発明の実施の形態４に係る電気光学装置の第２配線領域において、偶数番目の画像信号線を構成する第２導電膜の平面図である。
【図１６】本発明の実施の形態５に係る電気光学装置の配線領域の平面図である。
【図１７】本発明の実施の形態５に係る電気光学装置の配線領域を配線に沿って切断したときの断面図である。
【図１８】本発明の実施の形態６に係る電気光学装置の配線領域の平面図である。
【図１９】本発明の実施の形態６に係る電気光学装置の配線領域を配線に沿って切断したときの断面図である。
【図２０】本発明の実施の形態６に係る電気光学装置の配線領域を横切る方向で切断したときの断面図である。
【図２１】本発明を適用した投射型表示装置（電子機器）および光学ユニットの概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の実施の形態として、代表的な電気光学装置である液晶装置を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、以下の説明で参照する図においては、走査線、データ線、信号線等の配線等については、それらの数を少なく表してある。
【００２４】
［実施の形態１］
図１は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の液晶パネルの説明図であり、図１（ａ）、（ｂ）は各々、液晶パネルを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【００２５】
図１（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態の電気光学装置１００は、液晶装置であり、液晶パネル１００ｐを有している。液晶パネル１００ｐでは、素子基板１０（電気光学装置用基板）と対向基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は対向基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材１０７は、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバーあるいはガラスビーズ等のギャップ材１０７ａが配合されている。液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０と対向基板２０との間のうち、シール材１０７によって囲まれた領域内には、各種液晶材料（電気光学物質）からなる液晶層５０（電気光学物質層）が設けられている。本形態において、シール材１０７には、液晶注入口１０７ｃとして利用される途切れ部分が形成されており、かかる液晶注入口１０７ｃは、液晶材料の注入後、封止材１０７ｄによって封止されている。
【００２６】
かかる構成の液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０および対向基板２０はいずれも四角形であり、素子基板１０は、Ｙ方向（第２方向）で対向する２つの辺１０ｅ、１０ｆ（端部）と、Ｘ方向（第１方向）で対向する２つの辺１０ｇ、１０ｈ（端部）とを備えている。液晶パネル１００ｐの略中央には、画像表示領域１０ａが四角形の領域として設けられており、かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられている。画像表示領域１０ａの外側は、四角枠状の外周領域１０ｃになっている。
【００２７】
素子基板１０において、外周領域１０ｃでは、素子基板１０においてＹ軸方向の一方側に位置する辺１０ｅに沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この辺１０ｅに隣接する他の辺１０ｇ、１０ｈの各々に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。なお、端子１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、素子基板１０には、フレキシブル配線基板を介して外部制御回路から各種電位や各種信号が入力される。
【００２８】
図３等を参照して詳しくは後述するが、素子基板１０の一方面１０ｓおよび他方面１０ｔのうち、対向基板２０と対向する一方面１０ｓの側において、画像表示領域１０ａには、画素電極９ａや、図２等を参照して後述する画素トランジスター３０等がマトリクス状に配列されている。従って、画像表示領域１０ａは、画素電極９ａがマトリクス状に配列された画素電極配列領域１０ｐとして構成されている。かかる構成の素子基板１０において、画素電極９ａの上層側には配向膜１６が形成されている。
【００２９】
素子基板１０の一方面１０ｓの側において、画像表示領域１０ａより外側の外周領域１０ｃのうち、画像表示領域１０ａとシール材１０７とに挟まれた四角枠状の周辺領域１０ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。ダミー画素電極９ｂは、隣り合うダミー画素電極９ｂ同士が細幅の連結部（図示せず）で繋がっている。また、ダミー画素電極９ｂは、共通電位Ｖcomが印加されており、画像表示領域１０ａの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止する。また、ダミー画素電極９ｂは、素子基板１０において配向膜１６が形成される面を研磨により平坦化する際、画像表示領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置の差を圧縮し、配向膜１６が形成される面を平坦面にするのに寄与する。なお、ダミー画素電極９ｂに電位を印加せず、ダミー画素電極９ｂを電位的にフロート状態とする場合もあり、この場合でも、ダミー画素電極９ｂは、画像表示領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置の差を圧縮し、配向膜１６が形成される面を平坦面にするのに寄与する。
【００３０】
対向基板２０の一方面２０ｓおよび他方面２０ｔのうち、素子基板１０と対向する一方面２０ｓの側には共通電極２１が形成されている。共通電極２１は、対向基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素１００ａに跨って形成されている。本形態において、共通電極２１は、対向基板２０の略全面に形成されている。
【００３１】
対向基板２０の一方面２０ｓの側には、共通電極２１の下層側に遮光層２９が形成され、共通電極２１の表面には配向膜２６が積層されている。遮光層２９は、画像表示領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁部分２９ａとして形成されており、遮光層２９の内周縁によって画像表示領域１０ａが規定されている。また、遮光層２９は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域に重なるブラックマトリクス部２９ｂとしても形成されている。額縁部分２９ａはダミー画素電極９ｂと重なる位置に形成されており、額縁部分２９ａの外周縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔てた位置にある。従って、額縁部分２９ａとシール材１０７とは重なっていない。
【００３２】
液晶パネル１００ｐにおいて、シール材１０７より外側には、対向基板２０の一方面２０ｓの側の４つの角部分に基板間導通用電極２５が形成されており、素子基板１０の一方面１０ｓの側には、対向基板２０の４つの角部分（基板間導通用電極２５）と対向する位置に基板間導通用電極１９が形成されている。本形態において、基板間導通用電極２５は、共通電極２１の一部からなる。基板間導通用電極１９には、共通電位Ｖcomが印加されている。基板間導通用電極１９と基板間導通用電極２５との間には、導電粒子を含んだ基板間導通材１９ａが配置されており、対向基板２０の共通電極２１は、基板間導通用電極１９、基板間導通材１９ａおよび基板間導通用電極２５を介して、素子基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、素子基板１０の側から共通電位Ｖcomが印加されている。シール材１０７は、略同一の幅寸法をもって対向基板２０の外周縁に沿って設けられているが、対向基板２０の角部分と重なる領域では基板間導通用電極１９、２５を避けて内側を通るように設けられている。
【００３３】
本形態において、電気光学装置１００は透過型の液晶装置であり、画素電極９ａおよび共通電極２１は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜等の透光性導電膜により形成されている。かかる透過型の液晶装置（電気光学装置１００）では、例えば、対向基板２０の側から入射した光が素子基板１０の側から出射される間に変調されて画像を表示する。また、電気光学装置１００が反射型の液晶装置である場合、共通電極２１は、ＩＴＯ膜やＩＺＯ膜等の透光性導電膜により形成され、画素電極９ａは、アルミニウム膜等の反射性導電膜により形成される。かかる反射型の液晶装置（電気光学装置１００）では、素子基板１０および対向基板２０のうち、対向基板２０の側から入射した光が素子基板１０で反射して出射される間に変調されて画像を表示する。
【００３４】
電気光学装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板２０には、カラーフィルター（図示せず）が形成される。また、電気光学装置１００は、電子ペーパーとして用いることできる。また、電気光学装置１００では、使用する液晶層５０の種類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル１００ｐに対して所定の向きに配置される。さらに、電気光学装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各電気光学装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。
【００３５】
（素子基板１０の電気的構成）
図２は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の素子基板１０の電気的構成を示す説明図であり、図２（ａ）、（ｂ）は、素子基板１０の回路や配線の平面的なレイアウトを示す説明図、および画素の電気的構成を示す説明図である。なお、以下の説明において、端子１０２を介して素子基板１０に入力される信号名称と信号用の配線とは、同一のアルファベット記号を信号および配線Ｌの後に各々付与する。例えば、信号名称である「クロック信号ＣＬＸ」に対して、対応する信号用の配線について「クロック信号線ＬＣＬＸ」とする。また、以下の説明において、端子１０２を介して素子基板１０に入力される信号名称と信号用の端子とは、同一のアルファベット記号を信号および端子Ｔの後に各々付与する。例えば、信号名称である「クロック信号ＣＬＸ」に対して、対応する端子１０２については「端子ＴＣＬＸ」とする。
【００３６】
図２（ａ）、（ｂ）に示すように、電気光学装置１００において、素子基板１０の中央領域には複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画素電極配列領域１０ｐが設けられており、かかる画素電極配列領域１０ｐのうち、図１（ｂ）に示す額縁部分２９ａの内縁で囲まれた領域が画像表示領域１０ａである。素子基板１０では、画素電極配列領域１０ｐの内側に、Ｘ方向に延在する複数本の走査線３ａと、Ｙ方向に延在する複数本のデータ線６ａとが形成されており、それらの交点に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、ＴＦＴ等からなる画素トランジスター３０（スイッチング素子）、および画素電極９ａが形成されている。画素トランジスター３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。
【００３７】
素子基板１０において、画素電極配列領域１０ｐより外側の外周領域１０ｃには、走査線駆動回路１０４、データ線駆動回路１０１、サンプリング回路１０３、基板間導通用電極１９、端子１０２等が構成されており、端子１０２から走査線駆動回路１０４、データ線駆動回路１０１、サンプリング回路１０３、および基板間導通用電極１９に向けて複数の配線１０５が延在している。サンプリング回路１０３は複数本のデータ線６ａに電気的に接続しており、走査線駆動回路１０４は、複数本の走査線３ａに電気的に接続している。
【００３８】
各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、図１を参照して説明した対向基板２０に形成された共通電極２１と液晶層５０を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に保持容量５５が付加されている。本形態では、保持容量５５を構成するために、複数の画素１００ａに跨って走査線３ａと並行して延びた容量線５ａが形成され、かかる容量線５ａには電位Ｖcomが印加されている。なお、電位Ｖcomとしては、共通電極２１に印加される共通電位と同一電位を用いることができる。
【００３９】
素子基板１０の辺１０ｅに沿って設けられた端子１０２は、共通電位線用、走査線駆動回路用、画像信号用、およびデータ線駆動回路用の４つの用途に大きく分類される複数の端子群により構成されている。具体的には、端子１０２は、共通電位線ＬＶcom用として端子ＴＶcomを備え、走査線駆動回路１０４用として端子ＴＳＰＹ、端子ＴＶＳＳＹ、端子ＴＶＤＤＹ、端子ＴＣＬＹおよび端子ＴＣＬＹINVを備えている。また、端子１０２は、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６用として端子ＴＶＩＤ１〜ＴＶＩＤ６を備え、データ線駆動回路１０１用として、端子ＴＶＳＳＸ、端子ＴＳＰＸ、端子ＴＶＤＤＸ、端子ＴＣＬＸ、端子ＴＣＬＸINV、端子ＴＥＮＢ１〜ＴＥＮＢ４、および端子ＴＶＳＳＸを備えている。
【００４０】
データ線駆動回路１０１は、シフトレジスタ回路１０１ｃ、波形選択回路１０１ｂ、およびバッファー回路１０１ａを備えている。データ線駆動回路１０１において、シフトレジスタ回路１０１ｃは、外部制御回路から端子１０２（端子ＴＶＳＳＸ、ＴＶＤＤＸ）および配線１０５（配線ＬＶＳＳＸ、ＬＶＤＤＸ）を介して供給される負電源ＶＳＳＸおよび正電源ＶＤＤＸを電源として用い、外部制御回路から端子１０２（端子ＴＳＰＸ）および配線１０５（配線ＬＳＰＸ）を介して供給されるスタート信号ＳＰＸに基づいて転送動作を開始する。シフトレジスタ回路１０１ｃは、端子１０２（端子ＴＣＬＸ、ＴＣＬＸINV）、および配線１０５（配線ＬＣＬＸ、ＬＣＬＸINV）を介して供給されるクロック信号ＣＬＸおよび逆位相クロック信号ＣＬＸINVに基づき、転送信号を順次、所定タイミングで波形選択回路１０１ｂへ出力する。波形選択回路１０１ｂは、「イネーブル回路」とも称され、シフトレジスタ回路１０１ｃから順次出力される転送信号のパルス幅を、外部制御回路から端子１０２（端子ＴＥＮＢ１〜ＴＥＮＢ４）および配線１０５（配線ＬＥＮＢ１〜ＬＥＮＢ４）を介して供給されるイネーブル信号ＥＮＢ１〜ＥＮＢ４のパルス幅に制限することにより、後述のサンプリング回路１０３における各サンプリング期間を規定する。より具体的には、波形選択回路１０１ｂは、シフトレジスタ回路１０１ｃの各段に対応して設けられたＮＡＮＤ回路およびインバーター等により構成されており、シフトレジスタ回路１０１ｃより順次出力される転送信号がハイレベルとされており、かつ、イネーブル信号ＥＮＢ１〜ＥＮＢ４のいずれかがハイレベルとされているときにのみデータ線６ａが駆動されるように時間軸上における波形の選択制御を行う。バッファー回路１０１ａは、このように波形の選択が行われた転送信号をバッファリングした後、サンプリング回路駆動信号として、サンプリング回路駆動信号線１０９を介してサンプリング回路１０３に供給する。
【００４１】
サンプリング回路１０３は、画像信号をサンプリングするためのスイッチング素子１０８を複数備えて構成されている。本形態において、スイッチング素子１０８は、ＴＦＴ等の電界効果型トランジスターからなる。スイッチング素子１０８のドレインには、データ線６ａが電気的に接続され、スイッチング素子１０８のソースには、配線１０６を介して配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）が接続されるとともに、スイッチング素子１０８のゲートには、データ線駆動回路１０１に接続されたサンプリング回路駆動信号線１０９が接続されている。そして、端子１０２（端子ＴＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）を介して配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）に供給された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６は、データ線駆動回路１０１からサンプリング回路駆動信号線１０９を通じてサンプリング回路駆動信号が供給されるのに応じ、サンプリング回路１０３によりサンプリングされ、各データ線６ａに画像信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、・・Ｓｎとして供給される。本形態において、画像信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、・・Ｓｎは、６相にシリアル−パラレル展開された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６の各々に対応して、６本のデータ線６ａの組に対してグループ毎に供給される。なお、画像信号の相展開数に関しては、６相に限られるものでなく、例えば、９相、１２相、２４相、４８相等、複数相に展開された画像信号が、その展開数に対応した数を一組としたデータ線６ａの組に対して供給される。
【００４２】
走査線駆動回路１０４は、構成要素としてシフトレジスタ回路およびバッファー回路を備えている。走査線駆動回路１０４は、外部制御回路から端子１０２（端子ＴＶＳＳＹ、ＴＶＤＤＹ）および配線１０５（配線ＬＶＳＳＹ、ＬＶＤＤＹ）を介して供給される負電源ＶＳＳＹおよび正電源ＶＤＤＹを電源として用い、同じく外部制御回路から端子１０２（端子ＴＳＰＹ）および配線１０５（端子ＴＳＰＹ）を介して供給されるスタート信号ＳＰＹに応じて、その内蔵シフトレジスタ回路の転送動作を開始する。また、走査線駆動回路１０４は、端子１０２（端子ＴＣＬＹ、ＴＣＬＹINV）および配線１０５（配線ＬＣＬＹ、ＬＣＬＹINV）を介して供給されるクロック信号ＣＬＹおよび逆位相クロック信号ＣＬＹINVに基づいて、所定のタイミングで走査線３ａに走査信号をパルス的に線順次で印加する。
【００４３】
素子基板１０には、４つの基板間導通用電極１９を通過するように配線１０５（共通電位線ＬＶcom）が形成されており、基板間導通用電極１９には、端子１０２（端子ＴＶcom）および配線１０５（共通電位線ＬＶcom）を介して共通電位Ｖcomが供給される。
【００４４】
（画素１００ｐの具体的構成）
図３は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の画素１００ａの説明図であり、図３（ａ）、（ｂ）は、素子基板１０において隣り合う複数の画素の平面図、および電気光学装置１００のＦ−Ｆ′断面図である。なお、図３（ａ）では、各層を以下の線
下層側の遮光層８ａ＝細くて長い破線
半導体層１ａ＝細くて短い点線
走査線３ａ＝太い実線
ドレイン電極４ａ＝細い実線
データ線６ａおよび中継電極６ｂ＝細い一点鎖線
容量線５ａ＝太い一点鎖線
上層側の遮光層７ａおよび中継電極７ｂ＝細い二点鎖線
画素電極９ａ＝太い破線
で示してある。また、図３（ａ）では、互いの端部が平面視で重なり合う層については、層の形状等が分かりやすいように、端部の位置をずらしてある。
【００４５】
図３（ａ）に示すように、素子基板１０において対向基板２０と対向する一方面１０ｓには、複数の画素１００ａの各々に画素電極９ａが形成されており、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域に沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。本形態において、画素間領域は縦横に延在しており、走査線３ａは画素間領域のうち、Ｘ方向に延在する第１画素間領域に沿って直線的に延在し、データ線６ａは、Ｙ方向に延在する第２画素間領域に沿って直線的に延在している。また、データ線６ａと走査線３ａとの交差に対応して画素トランジスター３０が形成されており、本形態において、画素トランジスター３０は、データ線６ａと走査線３ａとの交差領域およびその付近を利用して形成されている。素子基板１０には容量線５ａが形成されており、かかる容量線５ａには共通電位Ｖcomが印加されている。本形態において、容量線５ａは、走査線３ａおよびデータ線６ａに重なるように延在して格子状に形成されている。画素トランジスター３０の上層側には遮光層７ａが形成されており、かかる遮光層７ａは、データ線６ａに重なるように延在している。画素トランジスター３０の下層側には遮光層８ａが形成されており、かかる遮光層８ａは、走査線３ａと重なるように直線的に延びた主線部分と、データ線６ａと走査線３ａとの交差部分でデータ線６ａに重なるように延びた副線部分とを備えている。
【００４６】
図３（ｂ）に示すように、素子基板１０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体１０ｗの液晶層５０側の基板面（対向基板２０と対向する一方面１０ｓ側）に形成された画素電極９ａ、画素スイッチング用の画素トランジスター３０、および配向膜１６を主体として構成されている。対向基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ、その液晶層５０側の表面（素子基板１０と対向する一方面２０ｓ）に形成された遮光層２９、共通電極２１、および配向膜２６を主体として構成されている。
【００４７】
素子基板１０において、基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側には、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる下層側の遮光層８ａが形成されている。本形態において、遮光層８ａは、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）等の遮光膜からなり、電気光学装置１００を透過した後の光が他の部材で反射した際、かかる反射光が半導体層１ａに入射して画素トランジスター３０で光電流に起因する誤動作が発生することを防止する。なお、遮光層８ａを走査線として構成する場合もあり、この場合、後述するゲート電極３ｂと遮光層８ａを導通させた構成とする。
【００４８】
基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側において、遮光層８ａの上層側には、シリコン酸化膜等の透光性の絶縁膜１２が形成されており、かかる絶縁膜１２の表面側に、半導体層１ａを備えた画素トランジスター３０が形成されている。画素トランジスター３０は、データ線６ａの延在方向に長辺方向を向けた半導体層１ａと、半導体層１ａの長さ方向と直交する方向に延在して半導体層１ａの長さ方向の中央部分に重なるゲート電極３ｂとを備えており、本形態において、ゲート電極３ｂは走査線３ａの一部からなる。画素トランジスター３０は、半導体層１ａとゲート電極３ｂとの間に透光性のゲート絶縁層２を有している。半導体層１ａは、ゲート電極３ｂに対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ｇを備えているとともに、チャネル領域１ｇの両側にソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃを備えている。本形態において、画素トランジスター３０は、ＬＤＤ構造を有している。従って、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃは各々、チャネル領域１ｇの両側に低濃度領域を備え、低濃度領域に対してチャネル領域１ｇとは反対側で隣接する領域に高濃度領域を備えている。
【００４９】
半導体層１ａは、ポリシリコン膜（多結晶シリコン膜）等によって構成されている。ゲート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化したシリコン酸化膜からなる第１ゲート絶縁層２ａと、温度が７００〜９００℃の高温条件での減圧ＣＶＤ法により形成されたシリコン酸化膜からなる第２ゲート絶縁層２ｂとの２層構造からなる。ゲート電極３ｂおよび走査線３ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、ゲート電極３ｂは、導電性のポリシリコン膜とタングステンシリサイド膜との２層構造を有している。
【００５０】
ゲート電極３ｂの上層側には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４１が形成され、層間絶縁膜４１の上層には、ドレイン電極４ａが形成されている。本形態において、層間絶縁膜４１は、シリコン酸化膜からなる。ドレイン電極４ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、ドレイン電極４ａはチタン窒化膜からなる。ドレイン電極４ａは、半導体層１ａのドレイン領域１ｃ（画素電極側ソースドレイン領域）と一部が重なるように形成されており、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４１ａを介してドレイン領域１ｃに導通している。
【００５１】
ドレイン電極４ａの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性のエッチングストッパー層４９、および透光性の誘電体層４０が形成されており、かかる誘電体層４０の上層側には容量線５ａが形成されている。誘電体層４０としては、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等のシリコン化合物を用いることができる他、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率の誘電体層を用いることができる。容量線５ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、容量線５ａは、チタン窒化膜、アルミニウム膜、およびチタン窒化膜との３層構造を有している。ここで、容量線５ａは、誘電体層４０を介してドレイン電極４ａと重なっており、保持容量５５を構成している。
【００５２】
容量線５ａの上層側には層間絶縁膜４２が形成されており、かかる層間絶縁膜４２の上層側には、データ線６ａと中継電極６ｂとが同一の導電膜により形成されている。層間絶縁膜４２はシリコン酸化膜からなる。データ線６ａと中継電極６ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、データ線６ａおよび中継電極６ｂは、アルミニウム合金膜や、チタン窒化膜とアルミニウム膜との２層乃至４層の積層膜からなる。データ線６ａは、層間絶縁膜４２、エッチングストッパー層４９、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４２ａを介してソース領域１ｂ（データ線側ソースドレイン領域）に導通している。中継電極６ｂは、層間絶縁膜４２およびエッチングストッパー層４９を貫通するコンタクトホール４２ｂを介してドレイン電極４ａに導通している。
【００５３】
データ線６ａおよび中継電極６ｂの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４４が形成されており、かかる層間絶縁膜４４の上層側には、遮光層７ａおよび中継電極７ｂが同一の導電膜によって形成されている。層間絶縁膜４４は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法や、シランガスと亜酸化窒素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜からなり、その表面は平坦化されている。遮光層７ａおよび中継電極７ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、遮光層７ａおよび中継電極７ｂは、アルミニウム合金膜や、チタン窒化膜とアルミニウム膜との２層乃至４層の積層膜からなる。中継電極７ｂは、層間絶縁膜４４を貫通するコンタクトホール４４ａを介して中継電極６ｂに導通している。遮光層７ａは、データ線６ａと重なるように延在しており、遮光層として機能している。なお、遮光層７ａを容量線５ａと導通させて、シールド層として利用してもよい。
【００５４】
遮光層７ａおよび中継電極７ｂの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４５が形成されており、かかる層間絶縁膜４５の上層側にはＩＴＯ膜等からなる画素電極９ａが形成されている。層間絶縁膜４５には、層間絶縁膜４５を貫通して中継電極７ｂまで到達したコンタクトホール４５ａが形成されており、画素電極９ａは、コンタクトホール４５ａを介して中継電極７ｂに電気的に接続している。その結果、画素電極９ａは、中継電極７ｂ、中継電極６ｂおよびドレイン電極４ａを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続している。層間絶縁膜４５は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法や、シランガスと亜酸化窒素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜からなる。また、層間絶縁膜４５は、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）からなる下層側の第１絶縁膜と、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）からなる上層側の第２絶縁膜との構造を有している場合がある。いずれの場合も、層間絶縁膜４５の表面は平坦化されている。
【００５５】
画素電極９ａの表面側には、ポリイミドや無機配向膜からなる配向膜１６が形成されている。本形態において、配向膜１６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜／無機配向膜）からなる。
【００５６】
（対向基板２０の構成）
対向基板２０では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ（透光性基板）の液晶層５０側の表面（素子基板１０に対向する一方面２０ｓ）には、遮光層２９、シリコン酸化膜等からなる絶縁膜２８、およびＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる共通電極２１が形成されており、かかる共通電極２１を覆うように、ポリイミドや無機配向膜からなる配向膜２６が形成されている。本形態において、共通電極２１はＩＴＯ膜からなる。本形態において、配向膜２６は、配向膜１６と同様、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜／無機配向膜）である。かかる配向膜１６、２６は、液晶層５０に用いた誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を傾斜垂直配向させ、液晶パネル１００ｐは、ノーマリブラックのＶＡモードとして動作する。本形態では、配向膜１６、２６として、各種無機配向膜のうち、シリコン酸化膜（ＳｉＯX）の斜方蒸着膜が用いられている。
【００５７】
（配線１０５および配線領域１１の構成）
再び図２（ａ）において、本形態の電気光学装置１００では、素子基板１０の辺１０ｅ（端部）と画素電極配列領域１０ｐとの間に、端子１０２、データ線駆動回路１０１およびサンプリング回路１０３がこの順に設けられ、素子基板１０の辺１０ｇ（端部）と画素電極配列領域１０ｐとの間、および素子基板１０の辺１０ｈ（端部）と画素電極配列領域１０ｐとの間に走査線駆動回路１０４が設けられている。このため、複数の配線１０５は、画素電極配列領域１０ｐと素子基板１０の辺１０ｅとの間において、端子１０２から走査線駆動回路１０４、データ線駆動回路１０１、サンプリング回路１０３、および基板間導通用電極１９に向けて延在しており、素子基板１０の辺１０ｅと画素電極配列領域１０ｐとの間には、複数の配線１０５が並列して延在する配線領域１１が形成されている。
【００５８】
かかる配線領域１１を構成するにあたって、本形態では、以下に説明する配線領域１１には、複数の配線１０５がいずれも同一の層に位置する第１配線領域１１ａと、複数の配線１０５のうちの一部の配線１０５と他の配線１０５とが異なる層に位置する第２配線領域１１ｂとが設けられており、スペース的に余裕にない個所は、第２配線領域１１ｂになっている。
【００５９】
より具体的には、素子基板１０の辺１０ｅ（端部）と画素電極配列領域１０ｐとの間のうち、データ線駆動回路１０１と辺１０ｅとの間で配線１０５が辺１０ｅに対して交差する方向に延在している領域は、複数の配線１０５がＸ方向で並列している。このため、配線領域１１のうち、データ線駆動回路１０１と辺１０ｅとの間で配線１０５が辺１０ｅに対して交差する方向に延在している領域は、配線１０５の数が多くてもＹ方向ではスペース的な余裕があるとして、第１配線領域１１ａ（第１配線領域１１ａ1）になっている。
【００６０】
次に、素子基板１０の辺１０ｅ（端部）と画素電極配列領域１０ｐとの間のうち、データ線駆動回路１０１と辺１０ｅとの間で配線１０５が辺１０ｅに対して平行な方向に延在している領域は、複数の配線１０５がＹ方向で並列している。このため、配線領域１１のうち、データ線駆動回路１０１と辺１０ｅとの間で配線１０５が辺１０ｅに対して平行に延在している領域は、配線１０５の数が多いとスペース的な余裕がないとして、第２配線領域１１ｂ（第２配線領域１１ｂ1）になっている。
【００６１】
次に、素子基板１０の辺１０ｅ（端部）と画素電極配列領域１０ｐとの間のうち、データ線駆動回路１０１と辺１０ｇとの間で配線１０５が辺１０ｅに対して交差する方向に延在している領域は、複数の配線１０５がＸ方向で並列している。このため、配線領域１１のうち、データ線駆動回路１０１と辺１０ｇとの間で配線１０５が辺１０ｅに対して交差する方向に延在している領域は、配線１０５の数が多くてもＹ方向ではスペース的な余裕があるとして、第１配線領域１１ａ（第１配線領域１１ａ2）になっている。
【００６２】
次に、素子基板１０の辺１０ｅ（端部）と画素電極配列領域１０ｐとの間のうち、データ線駆動回路１０１と画素電極配列領域１０ｐとの間（データ線駆動回路１０１とサンプリング回路１０３との間）で配線１０５が辺１０ｅに対して平行な方向に延在している領域は、複数の配線１０５がＹ方向で並列している。このため、配線領域１１のうち、データ線駆動回路１０１と画素電極配列領域１０ｐとの間で配線１０５が辺１０ｅに対して平行に延在している領域は、配線１０５の数が多いとスペース的な余裕がないとして、第２配線領域１１ｂ（第２配線領域１１ｂ2）になっている。
【００６３】
（第１配線領域１１ａおよび第２配線領域１１ｂの構成）
図２、図４、図５および図６を参照して、配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）を例に第１配線領域１１ａおよび第２配線領域１１ｂの構成を説明する。
【００６４】
図４は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の配線領域１１の平面図である。図５は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の配線領域１１を配線１０５に沿って切断したときの断面図であり、図５（ａ）、（ｂ）は、奇数番目の画像信号線ＬＶＩＤ１の断面図（Ａ１−Ａ１″−Ａ１′断面図）、および偶数番目の画像信号線ＬＶＩＤ２の断面図（Ｂ１−Ｂ１″−Ｂ１′断面図）である。図６は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の配線領域１１を横切る方向で切断したときの断面図であり、図６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、第１配線領域１１ａ1の断面図（Ｃ１−Ｃ１′断面図）、第２配線領域１１ｂ1の断面図（Ｄ１−Ｄ１′断面図）、第１配線領域１１ａ2の断面図（Ｅ１−Ｅ１′断面図）、および第２配線領域１１ｂ2の断面図（Ｆ１−Ｆ１′断面図）である。なお、図４、および後述する図７、図１０、図１３、図１６、図１８等の平面図では、互いの端部が平面視で重なり合う層については、層の形状等が分かりやすいように、端部の位置をずらしてある。
【００６５】
本形態の電気光学装置１００では、図３を参照して説明したように、素子基板１０には、遮光層８ａ、走査線３ａ、ドレイン電極４ａ、容量線５ａ、データ線６ａ、遮光層７ａ、画素電極９ａ等の導電膜が形成されており、かかる複数の導電膜の各々と同一の層に位置する導電膜を利用して配線１０５が形成されている。より具体的には、上記の複数の導電膜のうち、２種類以上の導電膜を用いれば配線１０５を形成することができる。
【００６６】
そこで、本形態では、まず、走査線３ａ、容量線５ａ、データ線６ａの各々と同一の層に形成された３種類の導電膜によって配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）を形成し、端子１０２を画素電極９ａと同一の層の導電膜により形成した例を説明する。ここで、データ線６ａと同一の層に形成された導電膜が本発明における「第１導電膜」であり、走査線３ａと同一の層に形成された導電膜が本発明における「第２導電膜」であり、容量線５ａと同一の層に形成された導電膜が本発明における「第３導電膜」である。また、配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）に導通する配線１０６を第３導電膜（容量線５ａと同一の層の形成された導電膜）により構成した場合を説明する。従って、本発明における「導電膜」と本形態における「導電膜」とは、以下の対応関係にある。
第１導電膜＝データ線６ａと同一の層に形成された導電膜
第２導電膜＝走査線３ａと同一の層に形成された導電膜
第３導電膜＝容量線５ａと同一の層に形成された導電膜
配線１０６を構成する導電膜＝第３導電膜
【００６７】
なお、画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６のうち、奇数番目の画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５は同一の構成を有し、偶数番目の画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６は同一の構成を有している。従って、以下の説明では、奇数番目の画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５として１番目の画像信号線ＬＶＩＤ１を中心に説明し、偶数番目の画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６として２番目の画像信号線ＬＶＩＤ２を中心に説明する。
【００６８】
図４、図５および図６に示すように、図２（ａ）の第１配線領域１１ａ（第１配線領域１１ａ1）において、６本の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）はいずれも、走査線３ａと同一の層に形成された第２導電膜３ｃによって形成されており、ライン幅：スペース幅は１：１である。かかる第２導電膜３ｃの端部は、層間絶縁膜４５、４４、４２、４１を貫通するコンタクトホール４５ｃを介して、画素電極９ａと同一の層に形成された端子１０２と導通している。
【００６９】
図２（ａ）の第２配線領域１１ｂ（第２配線領域１１ｂ1）において、６本の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）は、データ線６ａと同一の層に形成された第１導電膜６ｄと、走査線３ａと同一の層に形成された第２導電膜３ｄとによって形成されている。より具体的には、６本の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）のうち、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）は、第２配線領域１１ｂ1において、データ線６ａと同一の層に形成された第１導電膜６ｄによって形成されている。かかる第１導電膜６ｄは、層間絶縁膜４２、４１を貫通するコンタクトホール４２ｄを介して、第１配線領域１１ａ1において奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）を構成する第２導電膜３ｃと導通している。第２配線領域１１ｂ1において、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）は、ライン幅：スペース幅は１：１である。
【００７０】
これに対して、偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）は、第２配線領域１１ｂ1において、走査線３ａと同一の層に形成された第２導電膜３ｄによって形成されている。かかる第２導電膜３ｄは、第１配線領域１１ａ1において偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）を構成する第２導電膜３ｃから一体に延在している。第２配線領域１１ｂ1において、偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）は、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）と平面視で重なっており、ライン幅：スペース幅は１：１である。このため、第２配線領域１１ｂ1は、第１配線領域１１ａ1より幅寸法（配線１０５が延在している方向と直交する方向の寸法）が狭い。
【００７１】
図２（ａ）の第１配線領域１１ａ（第１配線領域１１ａ2）において、６本の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）はいずれも、容量線５ａと同一の層に形成された第３導電膜５ｅによって形成されており、ライン幅：スペース幅は１：１である。このため、第１配線領域１１ａ2は、第１配線領域１１ａ1と幅寸法が同等である。第３導電膜５ｅのうち、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）を構成する第３導電膜５ｅは、層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール４２ｅを介して、第２配線領域１１ｂ1において奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）を構成する第１導電膜６ｄと導通している。また、偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）を構成する第３導電膜５ｅは、層間絶縁膜４１を貫通するコンタクトホール４１ｅを介して、第２配線領域１１ｂ1において偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）を構成する第２導電膜３ｄと導通している。
【００７２】
図２（ａ）の第２配線領域１１ｂ（第２配線領域１１ｂ2）において、６本の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）は、データ線６ａと同一の層に形成された第１導電膜６ｆと、走査線３ａと同一の層に形成された第２導電膜３ｆとによって形成されている。より具体的には、６本の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）のうち、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）は、第２配線領域１１ｂ2において、データ線６ａと同一の層に形成された第１導電膜６ｆによって形成されている。かかる第１導電膜６ｆは、層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール４２ｆを介して、第１配線領域１１ａ2において奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）を構成する第３導電膜５ｅと導通している。第２配線領域１１ｂ２において、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）は、ライン幅：スペース幅は１：１である。
【００７３】
これに対して、偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）は、第２配線領域１１ｂ2において、走査線３ａと同一の層に形成された第２導電膜３ｆによって形成されている。かかる第２導電膜３ｆは、層間絶縁膜４１を貫通するコンタクトホール４１ｆを介して、第１配線領域１１ａ2において偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）を構成する第３導電膜５ｅと導通している。第２配線領域１１ｂ2において、偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）は、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）と平面視で重なっており、ライン幅：スペース幅は１：１である。このため、第２配線領域１１ｂ2は、第２配線領域１１ｂ1と幅寸法が同等であり、第１配線領域１１ａ（第１配線領域１１ａ1、１１ａ2）より幅寸法が狭い。
【００７４】
このように構成した配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）は、第２配線領域１１ｂ2において、配線１０６と導通している。本形態において、配線１０６はいずれも、容量線５ａと同一の層に形成された第３導電膜５ｇによって形成されている。ここで、第２配線領域１１ｂ2において奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）を構成する第１導電膜６ｆは、層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール４２ｇを介して、配線１０６を構成する第３導電膜５ｇと導通している。また、第２配線領域１１ｂ2において偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）を構成する第２導電膜３ｆは、層間絶縁膜４１を貫通するコンタクトホール４１ｇを介して、配線１０６を構成する第３導電膜５ｇと導通している。
【００７５】
かかる構成は、隣り合う２本の配線を以下のように定義すると、かかる２本の配線の関係で規定することができる。例えば、データ線６ａのうち、画素信号Ｓ１が供給されるデータ線６ａを第１データ線とし、第１データ線に隣り合う位置で画素信号Ｓ２が供給されるデータ線６ａを第２データ線と定義し、端子１０２および配線１０５を以下のように定義する。
端子１０２（端子ＴＶＩＤ１）＝第１端子
端子１０２（端子ＴＶＩＤ２）＝第２端子
配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１）＝第１信号線
配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２）＝第２信号線
【００７６】
ここで、第１端子と第２端子とはＸ方向（第１方向）で隣り合っている。また、第１信号線（画像信号線ＬＶＩＤ１）は、Ｙ方向に延在する第１部分（第２導電膜３ｃ）、Ｘ方向に延在する第２部分（第１導電膜６ｄ）、およびＹ方向に延在する第３部分（第３導電膜５ｅ）を有し、これらの部分はこの順に導通している。これに対して、第２信号線（画像信号線ＬＶＩＤ２）は、Ｙ方向に延在する第４部分（第２導電膜３ｃ）、Ｘ方向に延在する第５部分（第２導電膜３ｄ）、およびＹ方向に延在する第６部分（第３導電膜５ｅ）を有し、これらの部分はこの順に導通している。
【００７７】
ここで、第１部分と第４部分とは同一の層においてＸ方向で隣り合うように設けられ、第３部分と第６部分とは同一の層においてＸ方向で隣り合うように設けられている。これに対して、第２部分と第５部分とは異なる層に設けられている。また、平面視で、第２部分と第５部分との距離は、第１部分と第４部分との距離、および第３部分と第６部分との距離より小さい。本形態において、平面視で、第２部分と第５部分とは重なっており、第２部分と第５部分との距離は、第１部分と第４部分との距離、および第３部分と第６部分との距離より小さい。
【００７８】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の電気光学装置１００では、素子基板１０の辺１０ｅと画素電極配列領域１０ｐとの間で複数の配線１０５が並列する配線領域１１は、一部の配線１０５と他の配線１０５とが異なる層に位置する第２配線領域１１ｂとを備えており、かかる第２配線領域１１ｂでは、異なる層に位置する配線１０５の間に平面視で広い隙間を設けなくても短絡等の問題が発生しない。このため、第２配線領域１１ｂについては、配線１０５の間隔を狭めることができるので、幅方向の寸法を第１配線領域１１ａより狭くすることができる。従って、スペース的に余裕のない領域を第２配線領域１１ｂとすれば、配線１０５の幅寸法を狭めた構成や同一の層で配線１０５の間隔を狭めた構成を採用しなくても、配線領域１１が占有する面積を効果的に狭めることができる。それ故、画素電極配列領域１０ｐを狭めずに電気光学装置１００を小型化することができるとともに、電気光学装置１００を大型化せずに画素電極配列領域１０ｐを広げることができる。
【００７９】
また、第２配線領域１１ｂでは、複数の配線１０５が素子基板１０の辺１０ｅの延在方向に対して平行な方向に延在しているため、配線１０５が素子基板１０の辺１０ｅの延在方向に対して平行に延在している領域の幅寸法を狭くすることができる。特に本形態では、画素電極配列領域１０ｐと素子基板１０の辺１０ｅとの間にデータ線駆動回路１０１が設けられ、第２配線領域１１ｂは、素子基板１０の辺１０ｅとデータ線駆動回路１０１との間、およびデータ線駆動回路１０１と画素電極配列領域１０ｐとの間の双方に設けられている。このため、画素電極配列領域１０ｐと素子基板１０の辺１０ｅとの間にスペース的な余裕がないが、本形態によれば、多数の配線１０５を素子基板１０の辺１０ｅに対して平行に設けた場合でも、画素電極配列領域１０ｐと素子基板１０の辺１０ｅとの間隔を狭めることができる。
【００８０】
また、相展開駆動を行う場合には、画素電極配列領域１０ｐと素子基板１０の辺１０ｅとの間で多数の画像信号線（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）を辺１０ｅに対して平行に配置する必要があるが、本形態によれば、かかる画像信号線（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）を設けても、画素電極配列領域１０ｐと素子基板１０の辺１０ｅとの間隔を狭めることができる。
【００８１】
さらに、第２配線領域１１ｂでは、偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６：一部の配線）と、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５：他の配線）とが平面視で重なっている。このため、上層側の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）が下層側の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）に起因する凹凸上に形成されない。従って、上層側の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）の段差切れ等を防止することができる。
【００８２】
また、第１配線領域１１ａのうち、第１配線領域１１ａ2で用いた第３導電膜５ｅは、第２配線領域１１ｂで用いた第１導電膜６ｄ、６ｆと第２導電膜３ｄ、３ｆとの間の層に形成されている。このため、第１導電膜６ｄ、６ｆにより形成されている配線１０５と第３導電膜５ｅにより形成されている配線１０５とを電気的に接続するコンタクトホール４２ｅ、４２ｆ、および第２導電膜３ｄ、３ｆにより形成されている配線１０５と第３導電膜５ｅにより形成されている配線１０５とを電気的に接続するコンタクトホール４１ｅ、４１ｆのいずれについても、過剰に深いコンタクトホールとなることを回避することができる。また、第１導電膜６ｄ、６ｆにより形成されている配線１０５と第２導電膜３ｄ、３ｆにより形成されている配線１０５とが平面視で重なっている場合でも、かかる重なり領域に、第１導電膜６ｄ、６ｆにより形成されている配線１０５と第３導電膜５ｅにより形成されている配線１０５とを電気的に接続するコンタクトホール４２ｅ、４２ｆを設けることができる。また、第１導電膜６ｆにより形成されている配線１０５と第２導電膜３ｆにより形成されている配線１０５とが平面視で重なっている場合でも、かかる重なり領域に、第１導電膜６ｆにより形成されている配線１０５と第３導電膜５ｇにより形成されている配線１０６とを電気的に接続するコンタクトホール４２ｇ、および第２導電膜３ｆにより形成されている配線１０５と第３導電膜５ｇにより形成されている配線１０６とを電気的に接続するコンタクトホール４１ｇを設けることができる。
【００８３】
［実施の形態２］
図７は、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置１００の配線領域１１の平面図である。図８は、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置１００の配線領域１１を配線１０５に沿って切断したときの断面図であり、図８（ａ）、（ｂ）は、奇数番目の画像信号線ＬＶＩＤ１の断面図（Ａ２−Ａ２″−Ａ２′断面図）、および偶数番目の画像信号線ＬＶＩＤ２の断面図（Ｂ２−Ｂ２″−Ｂ２′断面図）である。図９は、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置１００の配線領域１１を横切る方向で切断したときの断面図であり、図９（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、第１配線領域１１ａ1の断面図（Ｃ２−Ｃ２′断面図）、第２配線領域１１ｂ1の断面図（Ｄ２−Ｄ２′断面図）、第１配線領域１１ａ2の断面図（Ｅ２−Ｅ２′断面図）、および第２配線領域１１ｂ2の断面図（Ｆ２−Ｆ２′断面図）である。なお、本形態、および後述する各実施の形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して、それらの説明を省略する。
【００８４】
実施の形態１では、３種類の導電膜によって配線１０５が構成されていたが、以下に説明するように、本形態では、２種類の導電膜によって配線１０５が構成されている。以下、２種類の導電膜として、走査線３ａおよびデータ線６ａと同一の層に位置する導電膜を利用して配線１０５が形成されている例を説明する。
【００８５】
図７、図８および図９に示すように、図２（ａ）の第１配線領域１１ａ（第１配線領域１１ａ1）において、６本の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）はいずれも、走査線３ａと同一の層に形成された第２導電膜３ｃによって形成されており、ライン幅：スペース幅は１：１である。
【００８６】
図２（ａ）の第２配線領域１１ｂ（第２配線領域１１ｂ1）において、６本の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）は、データ線６ａと同一の層に形成された第１導電膜６ｄと、走査線３ａと同一の層に形成された第２導電膜３ｄとによって形成されている。より具体的には、６本の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）のうち、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）は、第２配線領域１１ｂ1において、データ線６ａと同一の層に形成された第１導電膜６ｄによって形成されている。かかる第１導電膜６ｄは、層間絶縁膜４２、４１を貫通するコンタクトホール４２ｄを介して、第１配線領域１１ａ1において奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）を構成する第２導電膜３ｃと導通している。第２配線領域１１ｂ1において、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）は、ライン幅：スペース幅は１：１である。
【００８７】
これに対して、偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）は、第２配線領域１１ｂ1において、走査線３ａと同一の層に形成された第２導電膜３ｄによって形成されている。かかる第２導電膜３ｄは、第１配線領域１１ａ1において偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）を構成する第２導電膜３ｃから一体に延在している。第２配線領域１１ｂ1において、偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）は、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）と平面視で重なっており、ライン幅：スペース幅は１：１である。このため、第２配線領域１１ｂ1は、第１配線領域１１ａ1より幅寸法が狭い。
【００８８】
図２（ａ）の第１配線領域１１ａ（第１配線領域１１ａ2）において、６本の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）はいずれも、走査線３ａと同一の層に形成された第２導電膜３ｅによって形成されており、ライン幅：スペース幅は１：１である。かかる第２導電膜３ｅのうち、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）を構成する第２導電膜３ｅは、層間絶縁膜４２、４１を貫通するコンタクトホール４２ｅを介して、第２配線領域１１ｂ1において奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）を構成する第１導電膜６ｄと導通している。本形態では、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）を構成する第２導電膜３ｅと、偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）を構成する第２導電膜３ｄとが短絡しないように、第１導電膜６ｄに突部６ｊを形成し、かかる突部６ｊと重なる位置にコンタクトホール４２ｅが形成されている。
【００８９】
これに対して、偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）を構成する第２導電膜３ｅは、第２配線領域１１ｂ1において偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）を構成する第２導電膜３ｄから一体に延在している。
【００９０】
図２（ａ）の第２配線領域１１ｂ（第２配線領域１１ｂ2）において、６本の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）は、データ線６ａと同一の層に形成された第１導電膜６ｆと、走査線３ａと同一の層に形成された第２導電膜３ｆとによって形成されている。より具体的には、６本の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）のうち、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）は、第２配線領域１１ｂ2において、データ線６ａと同一の層に形成された第１導電膜６ｆによって形成されている。かかる第１導電膜６ｆは、層間絶縁膜４２、４１を貫通するコンタクトホール４２ｆを介して、第１配線領域１１ａ2において奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）を構成する第２導電膜３ｅと導通している。本形態では、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）を構成する第２導電膜３ｅと、偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）を構成する第２導電膜３ｆとが短絡しないように、第１導電膜６ｆに突部６ｋを形成し、かかる突部６ｋと重なる位置にコンタクトホール４２ｆが形成されている。第２配線領域１１ｂ２において、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）は、ライン幅：スペース幅は１：１である。
【００９１】
これに対して、偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）は、第２配線領域１１ｂ2において、走査線３ａと同一の層に形成された第２導電膜３ｆによって形成されている。かかる第２導電膜３ｆは、第１配線領域１１ａ2において偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）を構成する第２導電膜３ｅから一体に延在している。第２配線領域１１ｂ2において、偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）は、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）と平面視で重なっており、ライン幅：スペース幅は１：１である。このため、第２配線領域１１ｂ2は、第２配線領域１１ｂ1と幅寸法が同等であり、第１配線領域１１ａ（第１配線領域１１ａ1、１１ａ2）より幅寸法が狭い。
【００９２】
［実施の形態３］
図１０は、本発明の実施の形態３に係る電気光学装置１００の配線領域１１の平面図である。図１１は、本発明の実施の形態３に係る電気光学装置１００の配線領域１１を配線１０５に沿って切断したときの断面図であり、図１１（ａ）、（ｂ）は、奇数番目の画像信号線ＬＶＩＤ１の断面図（Ａ３−Ａ３″−Ａ３′断面図）、および偶数番目の画像信号線ＬＶＩＤ２の断面図（Ｂ３−Ｂ３″−Ｂ３′断面図）である。図１２は、本発明の実施の形態３に係る電気光学装置１００の配線領域１１を横切る方向で切断したときの断面図であり、図１２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、第１配線領域１１ａ1の断面図（Ｃ３−Ｃ３′断面図）、第２配線領域１１ｂ1の断面図（Ｄ３−Ｄ３′断面図）、第１配線領域１１ａ2の断面図（Ｅ３−Ｅ３′断面図）、および第２配線領域１１ｂ2の断面図（Ｆ３−Ｆ３′断面図）である。
【００９３】
実施の形態１では、端子１０２が、走査線３ａと同一の層に位置する第２導電膜３ｃに導通していたが、本形態では、端子１０２が、容量線５ａと同一の層に位置する導電膜５ｃに導通している例を説明する。
【００９４】
図１０、図１１および図１２に示すように、図２（ａ）の第１配線領域１１ａ（第１配線領域１１ａ1）において、６本の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）はいずれも、容量線５ａと同一の層に形成された第３導電膜５ｃによって形成されており、ライン幅：スペース幅は１：１である。かかる第３導電膜５ｃの端部は、層間絶縁膜４５、４４、４２を貫通するコンタクトホール４５ｃを介して、画素電極９ａと同一の層に形成された端子１０２と導通している。
【００９５】
図２（ａ）の第２配線領域１１ｂ（第２配線領域１１ｂ1）において、６本の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）は、データ線６ａと同一の層に形成された第１導電膜６ｄと、走査線３ａと同一の層に形成された第２導電膜３ｄとによって形成されている。より具体的には、６本の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）のうち、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）は、第２配線領域１１ｂ1において、データ線６ａと同一の層に形成された第１導電膜６ｄによって形成されている。かかる第１導電膜６ｄは、層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール４２ｄを介して、第１配線領域１１ａ1において奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）を構成する第３導電膜５ｃと導通している。第２配線領域１１ｂ1において、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）は、ライン幅：スペース幅は１：１である。
【００９６】
これに対して、偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）は、第２配線領域１１ｂ1において、走査線３ａと同一の層に形成された第２導電膜３ｄによって形成されている。かかる第２導電膜３ｄは、層間絶縁膜４１を貫通するコンタクトホール４１ｄを介して、第１配線領域１１ａ1において偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ６）を構成する第３導電膜５ｃと導通している。第２配線領域１１ｂ1において、偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）は、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）と平面視で重なっており、ライン幅：スペース幅は１：１である。このため、第２配線領域１１ｂ1は、第１配線領域１１ａ1より幅寸法が狭い。
【００９７】
図２（ａ）の第１配線領域１１ａ（第１配線領域１１ａ2）において、６本の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）はいずれも、容量線５ａと同一の層に形成された第３導電膜５ｅによって形成されており、ライン幅：スペース幅は１：１である。かかる第３導電膜５ｅのうち、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）を構成する第３導電膜５ｅは、層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール４２ｅを介して、第２配線領域１１ｂ1において奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）を構成する第１導電膜６ｄと導通している。また、偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）を構成する第３導電膜５ｅは、層間絶縁膜４１を貫通するコンタクトホール４１ｅを介して、第２配線領域１１ｂ1において偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）を構成する第２導電膜３ｄと導通している。
【００９８】
図２（ａ）の第２配線領域１１ｂ（第２配線領域１１ｂ2）において、６本の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）は、データ線６ａと同一の層に形成された第１導電膜６ｆと、走査線３ａと同一の層に形成された第２導電膜３ｆとによって形成されている。より具体的には、６本の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）のうち、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）は、第２配線領域１１ｂ2において、データ線６ａと同一の層に形成された第１導電膜６ｆによって形成されている。かかる第１導電膜６ｆは、層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール４２ｆを介して、第１配線領域１１ａ2において奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）を構成する第３導電膜５ｅと導通している。第２配線領域１１ｂ２において、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）は、ライン幅：スペース幅は１：１である。
【００９９】
これに対して、偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）は、第２配線領域１１ｂ2において、走査線３ａと同一の層に形成された第２導電膜３ｆによって形成されている。かかる第２導電膜３ｆは、層間絶縁膜４１を貫通するコンタクトホール４１ｆを介して、第１配線領域１１ａ2において偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）を構成する第３導電膜５ｅと導通している。第２配線領域１１ｂ2において、偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）は、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）と平面視で重なっており、ライン幅：スペース幅は１：１である。このため、第２配線領域１１ｂ2は、第２配線領域１１ｂ1と幅寸法が同等であり、第１配線領域１１ａ（第１配線領域１１ａ1、１１ａ2）より幅寸法が狭い。
【０１００】
［実施の形態４］
図１３は、本発明の実施の形態４に係る電気光学装置１００の配線領域１１の平面図である。図１４は、本発明の実施の形態４に係る電気光学装置１００の配線領域１１を配線１０５に沿って切断したときの断面図であり、図１４（ａ）、（ｂ）は、奇数番目の画像信号線ＬＶＩＤ１の断面図（Ａ４−Ａ４″−Ａ４′断面図）、および偶数番目の画像信号線ＬＶＩＤ２の断面図（Ｂ４−Ｂ４″−Ｂ４′断面図）である。図１５は、本発明の実施の形態４に係る電気光学装置１００の第２配線領域１１ｂ2において、偶数番目の画像信号線を構成する第２導電膜３ｆの平面図である。なお、本形態の配線１０５の構成は、実施の形態２と同様であるため、以下、第２配線領域１１ｂ2での配線１０６との接続構造を中心に説明する。
【０１０１】
実施の形態１〜３では、第２配線領域１１ｂ2において、データ線６ａと同一の層に位置する第１導電膜６ｆからなる配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）、および走査線３ａと同一の層に位置する第２導電膜３ｆからなる配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）に対して、データ線６ａと走査線３ａとの間の層に位置する第３導電膜５ｇからなる配線１０６が導通していた。これに対して、本形態では、図１３および図１４に示すように、第２配線領域１１ｂ2において、データ線６ａと同一の層に位置する第１導電膜６ｆからなる配線１０５、および走査線３ａと同一の層に位置する第２導電膜３ｆからなる配線１０５に対して、データ線６ａに対して走査線３ａとは反対側（上層側）の層に位置する第４導電膜７ｇからなる配線１０６が導通している。かかる第４導電膜７ｇは、図３（ｂ）に示す遮光層７ａと同一の層に位置する。
【０１０２】
このため、第４導電膜７ｇからなる配線１０６は、層間絶縁膜４４を貫通するコンタクトホール４４ｈを介して、第１導電膜６ｆからなる配線１０５と導通している。
【０１０３】
ここで、第２導電膜３ｆからなる配線１０５には第１導電膜６ｆからなる配線１０５が平面視で重なっており、第２導電膜３ｆからなる配線１０５と第４導電膜７ｇからなる配線１０６との間には、第１導電膜６ｆからなる配線１０５が介在している。そこで、本形態では、第２導電膜３ｆからなる配線１０５に、第１導電膜６ｆからなる配線１０５から張り出すように突部３ｓ、３ｔを形成し、かかる突部３ｓ、３ｔと重なる位置で層間絶縁膜４４、４２、４１を貫通するコンタクトホール４４ｉによって、第２導電膜３ｆからなる配線１０５と第４導電膜７ｇからなる配線１０６とが導通している。
【０１０４】
本形態において、第２導電膜３ｆからなる配線１０５のうち、第２番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２）と、第４番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ４）とは同一の層において隣り合っている。かかる隣り合う２本の配線１０５において、突部３ｓは、一方の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２）から他方の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ４）に向けて突出し、突部３ｔは、他方の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ４）から一方の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２）に向けて突出している。また、突部３ｓと突部３ｔとは、配線１０５の延在方向でずれた位置に設けられている。
【０１０５】
また、図１５に示すように、第２導電膜３ｆからなる配線１０５が８本以上設けられている場合、第６番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ６）と、第８番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ８）とは同一の層において隣り合っている。この場合、突部３ｓは、一方の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ６）から他方の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ８）に向けて突出し、突部３ｔは、他方の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ８）から一方の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ６）に向けて突出している。従って、第２導電膜３ｆからなる配線１０５が８本以上設けられている場合、突部３ｓ、３ｔを設けるスペースは、１つおきでよいので、第２導電膜３ｆからなる配線１０５に突部３ｓ、３ｔを設けた場合でも、第２配線領域１１ｂ（第２配線領域１１ｂ2）の幅寸法を狭くすることができる。
【０１０６】
［実施の形態５］
図１６は、本発明の実施の形態５に係る電気光学装置１００の配線領域１１の平面図である。図１７は、本発明の実施の形態５に係る電気光学装置１００の配線領域１１を配線１０５に沿って切断したときの断面図であり、図１７（ａ）、（ｂ）は、奇数番目の画像信号線ＬＶＩＤ１の断面図（Ａ５−Ａ５″−Ａ５′断面図）、および偶数番目の画像信号線ＬＶＩＤ２の断面図（Ｂ５−Ｂ５″−Ｂ５′断面図）である。なお、本形態の配線１０５の構成は、実施の形態２と同様であるため、以下、第２配線領域１１ｂ2での配線１０６との接続構造を中心に説明する。
【０１０７】
実施の形態４では、第２配線領域１１ｂ（第２配線領域１１ｂ2）において、データ線６ａと同一の層に位置する第１導電膜６ｆからなる配線１０５、および走査線３ａと同一の層に位置する第２導電膜３ｆからなる配線１０５に対して、データ線６ａに対して走査線３ａとは反対側の層に位置する第４導電膜７ｇからなる配線１０６が導通していた。これに対して、本形態では、図１６および図１７に示すように、第２配線領域１１ｂ（第２配線領域１１ｂ2）において、データ線６ａと同一の層に位置する第１導電膜６ｆからなる配線１０５、および走査線３ａと同一の層に位置する第２導電膜３ｆからなる配線１０５に対して、走査線３ａに対してデータ線６ａとは反対側（下層側）の層に位置する第４導電膜８ｇからなる配線１０６が導通している。かかる第４導電膜８ｇは、図３（ｂ）に示す遮光層８ａと同一の層に位置する。
【０１０８】
このため、第４導電膜８ｇからなる配線１０６は、ゲート絶縁層２および絶縁膜１２を貫通するコンタクトホール１２ｉを介して、第２導電膜３ｆからなる配線１０５と導通している。
【０１０９】
ここで、第１導電膜６ｆからなる配線１０５には第２導電膜３ｆからなる配線１０５が平面視で重なっており、第１導電膜６ｆからなる配線１０５と第４導電膜７ｇからなる配線１０６との間には、第２導電膜３ｆからなる配線１０５が介在している。そこで、本形態では、第１導電膜６ｆからなる配線１０５に第２導電膜３ｆからなる配線１０５から張り出すように突部６ｓ、６ｔを形成し、かかる突部６ｓ、６ｔと重なる位置で層間絶縁膜４４、４２、４１、ゲート絶縁層２および絶縁膜１２を貫通するコンタクトホール１２ｈによって、第１導電膜６ｆからなる配線１０５と第４導電膜８ｇからなる配線１０６とが導通している。
【０１１０】
また、第１導電膜６ｆからなる配線１０５のうち、第１番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１）と、第３番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ３）とは同一の層において隣り合っている。かかる隣り合う２本の配線１０５において、突部６ｓは、一方の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１）から他方の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ３）に向けて突出し、突部３ｔは、他方の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ３）から一方の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１）に向けて突出している。また、突部６ｓと突部６ｔとは、配線１０５の延在方向でずれた位置に設けられている。
【０１１１】
このため、図１５を参照して説明したように、配線１０５が多数設けられている場合でも、突部６ｓ、６ｔを設けるスペースは、１つおきでよい。このため、第１導電膜６ｆからなる配線１０５に突部６ｓ、６ｔを設けた場合でも、第２配線領域１１ｂ（第２配線領域１１ｂ2）の幅寸法を狭くすることができる。
【０１１２】
［実施の形態６］
図１８は、本発明の実施の形態６に係る電気光学装置１００の配線領域１１の平面図である。図１９は、本発明の実施の形態６に係る電気光学装置１００の配線領域１１を配線１０５に沿って切断したときの断面図であり、図１９（ａ）、（ｂ）は、奇数番目の画像信号線ＬＶＩＤ１の断面図（Ａ６−Ａ６′断面図）、および偶数番目の画像信号線ＬＶＩＤ２の断面図（Ｂ６−Ｂ６′断面図）である。図２０は、本発明の実施の形態６に係る電気光学装置１００の配線領域１１を横切る方向で切断したときの断面図であり、図２０（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、第１配線領域１１ａ1の断面図（Ｃ６−Ｃ６′断面図）、第２配線領域１１ｂ1の断面図（Ｄ６−Ｄ６′断面図）、第１配線領域１１ａ2の断面図（Ｅ６−Ｅ６′断面図）、および第２配線領域１１ｂ2の断面図（Ｆ６−Ｆ６′断面図）である。
【０１１３】
実施の形態１では、第２配線領域１１ｂにおいて、奇数番目の画像信号線（ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）と偶数番目の画像信号線（ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）とが平面視で重なっていた。これに対して、本形態では、図１８、図１９および図２０に示すように、第２配線領域１１ｂにおいて、奇数番目の画像信号線（ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）は、偶数番目の画像信号線（ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）により挟まれた領域と平面視で重なっている。逆にいえば、第２配線領域１１ｂにおいて、偶数番目の画像信号線（ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）は、奇数番目の画像信号線（ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）により挟まれた領域と平面視で重なっている。かかる構成を実施の形態３に適用した場合を以下に説明する。
【０１１４】
本形態では、図１８、図１９および図２０に示すように、図２（ａ）の第１配線領域１１ａ（第１配線領域１１ａ1）において、６本の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）はいずれも、容量線５ａと同一の層に形成された第３導電膜５ｃによって形成されており、ライン幅：スペース幅は１：１である。かかる第３導電膜５ｃの端部は、層間絶縁膜４５、４４、４２を貫通するコンタクトホール４５ｃを介して、画素電極９ａと同一の層に形成された端子１０２と導通している。
【０１１５】
図２（ａ）の第２配線領域１１ｂ（第２配線領域１１ｂ1）において、６本の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）は、データ線６ａと同一の層に形成された第１導電膜６ｄと、走査線３ａと同一の層に形成された第２導電膜３ｄとによって形成されている。より具体的には、６本の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）のうち、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）は、第２配線領域１１ｂ1において、データ線６ａと同一の層に形成された第１導電膜６ｄによって形成されている。かかる第１導電膜６ｄは、層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール４２ｄを介して、第１配線領域１１ａ1において奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）を構成する第３導電膜５ｃと導通している。第２配線領域１１ｂ1において、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）は、ライン幅：スペース幅は１：１である。
【０１１６】
これに対して、偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）は、第２配線領域１１ｂ1において、走査線３ａと同一の層に形成された第２導電膜３ｄによって形成されており、かかる第２導電膜３ｄは、層間絶縁膜４１を貫通するコンタクトホール４１ｄを介して、第１配線領域１１ａ1において偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）を構成する第３導電膜５ｃと導通している。第２配線領域１１ｂ1において、偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）は、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）により挟まれた領域と平面視で重なっており、ライン幅：スペース幅は１：１である。このため、第２配線領域１１ｂ1は、第１配線領域１１ａ1より幅寸法が狭い。
【０１１７】
図２（ａ）の第１配線領域１１ａ（第１配線領域１１ａ2）において、６本の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）はいずれも、容量線５ａと同一の層に形成された第３導電膜５ｅによって形成されており、ライン幅：スペース幅は１：１である。かかる第３導電膜５ｅのうち、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）を構成する第３導電膜５ｅは、層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール４２ｅを介して、第２配線領域１１ｂ1において奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）を構成する第１導電膜６ｄと導通している。また、偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）を構成する第３導電膜５ｅは、層間絶縁膜４１を貫通するコンタクトホール４１ｅを介して、第２配線領域１１ｂ1において偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）を構成する第２導電膜３ｄと導通している。
【０１１８】
図２（ａ）の第２配線領域１１ｂ（第２配線領域１１ｂ2）において、６本の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）は、データ線６ａと同一の層に形成された第１導電膜６ｆと、走査線３ａと同一の層に形成された第２導電膜３ｆとによって形成されている。より具体的には、６本の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）のうち、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）は、第２配線領域１１ｂ2において、データ線６ａと同一の層に形成された第１導電膜６ｆによって形成されている。かかる第１導電膜６ｆは、層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール４２ｆを介して、第１配線領域１１ａ2において奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）を構成する第３導電膜５ｅと導通している。第２配線領域１１ｂ2において、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）は、ライン幅：スペース幅は１：１である。
【０１１９】
これに対して、偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）は、第２配線領域１１ｂ2において、走査線３ａと同一の層に形成された第２導電膜３ｆによって形成されている。かかる第２導電膜３ｆは、層間絶縁膜４１を貫通するコンタクトホール４１ｆを介して、第１配線領域１１ａ2において偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）を構成する第３導電膜５ｅと導通している。第２配線領域１１ｂ2において、偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）は、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）により挟まれた領域と平面視で重なっており、ライン幅：スペース幅は１：１である。このため、第２配線領域１１ｂ2は、第２配線領域１１ｂ1と幅寸法が同等であり、第１配線領域１１ａ（第１配線領域１１ａ1、１１ａ2）より幅寸法が狭い。
【０１２０】
かかる構成によれば、第２配線領域１１ｂにおいて、偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）に起因する凹凸と、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）に起因する凹凸とが相殺される。従って、配線１０５の表面側に大きな凹凸が発生しにくいという利点がある。また、偶数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ２、ＬＶＩＤ４、ＬＶＩＤ６）と、奇数番目の配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１、ＬＶＩＤ３、ＬＶＩＤ５）とが平面視で重なっていないため、配線間に容量が寄生することを防止することができる。
【０１２１】
［他の実施の形態］
上記実施の形態では、２つの第２配線領域１１ｂ1と第２配線領域１１ｂ2とにおいて同一の構成としたが、第２配線領域１１ｂ1と第２配線領域１１ｂ2とにおいて、異なる導電膜を用いて配線１０５を形成してもよい。また、上記実施の形態では、第２配線領域１１ｂにおいて、走査線３ａと同一の層に位置する第２導電膜３ｆと、データ線６ａと同一の層に位置する第１導電膜６ｆとを用いて配線１０５を形成したが、遮光層７ａと同一の層に位置する導電膜とデータ線６ａと同一の層に位置する導電膜とを用いて配線１０５を形成してもよい。また、第２配線領域１１ｂにおいて、遮光層７ａと同一の層に位置する導電膜と走査線３ａと同一の層に位置する導電膜とを用いて配線１０５を形成してもよく、かかる構成の場合、２つの導電膜の間に厚い絶縁膜が介在する。従って、配線同士（導電膜同士）が平面視で重なっている場合でも、配線間に容量が寄生することを防止することができる。
【０１２２】
上記実施の形態では、電気光学装置として、透過型の液晶装置を例示したが、反射型の液晶装置に本発明を適用してもよい。
【０１２３】
［他の電気光学装置］
上記実施の形態では、電気光学装置として液晶装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されず、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマディスプレイ、ＦＥＤ（Field Emission Display）、ＳＥＤ（Surface-Conduction Electron-Emitter Display）、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置等の電気光学装置に本発明を適用してもよい。
【０１２４】
［電子機器への搭載例］
（投射型表示装置および光学ユニットの構成例）
図２１は、本発明を適用した投射型表示装置（電子機器）および光学ユニットの概略構成図であり、図２１（ａ）、（ｂ）は各々、透過型の液晶装置を用いた投射型表示装置の説明図、および反射型の液晶装置を用いた投射型表示装置の説明図である。
【０１２５】
図２１（ａ）に示す投射型表示装置１１０は、液晶パネルとして透過型の液晶パネルを用いた例であるのに対して、図２１（ｂ）に示す投射型表示装置１０００は、液晶パネルとして反射型の液晶パネルを用いた例である。但し、以下に説明するように、投射型表示装置１１０、１０００はいずれも、光源部１３０、１０２１と、光源部１３０、１０２１から互いに異なる波長域の光が供給される複数の電気光学装置１００と、複数の電気光学装置１００から出射された光を合成して出射するクロスダイクロイックプリズム１１９、１０２７（光合成光学系）と、光合成光学系により合成された光を投射する投射光学系１１８、１０２９とを有している。また、投射型表示装置１１０、１０００においては、電気光学装置１００およびクロスダイクロイックプリズム１１９、１０２７（光合成光学系）を備えた光学ユニット２００が用いられている。
【０１２６】
（投射型表示装置の第１例）
図２１（ａ）に示す投射型表示装置１１０は、観察者側に設けられたスクリーン１１１に光を照射し、このスクリーン１１１で反射した光を観察する、いわゆる投影型の投射型表示装置である。投射型表示装置１１０は、光源１１２を備えた光源部１３０と、ダイクロイックミラー１１３、１１４と、液晶ライトバルブ１１５〜１１７と、投射光学系１１８と、クロスダイクロイックプリズム１１９（合成光学系）と、リレー系１２０とを備えている。
【０１２７】
光源１１２は、赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、および青色光Ｂを含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー１１３は、光源１１２からの赤色光Ｒを透過させるとともに、緑色光Ｇ、および青色光Ｂを反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー１１４は、ダイクロイックミラー１１３で反射された緑色光Ｇおよび青色光Ｂのうち青色光Ｂを透過させるとともに緑色光Ｇを反射する構成となっている。このように、ダイクロイックミラー１１３、１１４は、光源１１２から出射した光を赤色光Ｒと緑色光Ｇと青色光Ｂとに分離する色分離光学系を構成する。
【０１２８】
ここで、ダイクロイックミラー１１３と光源１１２との間には、インテグレーター１２１および偏光変換素子１２２が光源１１２から順に配置されている。インテグレーター１２１は、光源１１２から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、偏光変換素子１２２は、光源１１２からの光を、例えばｓ偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする構成となっている。
【０１２９】
液晶ライトバルブ１１５は、ダイクロイックミラー１１３を透過して反射ミラー１２３で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。液晶ライトバルブ１１５は、λ／２位相差板１１５ａ、第１偏光板１１５ｂ、電気光学装置１００（赤色用液晶パネル１００Ｒ）、および第２偏光板１１５ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１５に入射する赤色光Ｒは、ダイクロイックミラー１１３を透過しても光の偏光は変化しないことから、ｓ偏光のままである。
【０１３０】
λ／２位相差板１１５ａは、液晶ライトバルブ１１５に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１５ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、電気光学装置１００（赤色用液晶パネル１００Ｒ）は、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１５ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１５は、画像信号に応じて赤色光Ｒを変調し、変調した赤色光Ｒをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。
【０１３１】
なお、λ／２位相差板１１５ａ、および第１偏光板１１５ｂは、偏光を変換させない透光性のガラス板１１５ｅに接した状態で配置されており、λ／２位相差板１１５ａ、および第１偏光板１１５ｂが発熱によって歪むのを回避することができる。
【０１３２】
液晶ライトバルブ１１６は、ダイクロイックミラー１１３で反射した後にダイクロイックミラー１１４で反射した緑色光Ｇを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。かかる液晶ライトバルブ１１６は、液晶ライトバルブ１１５と同様に、第１偏光板１１６ｂ、電気光学装置１００（緑色用液晶パネル１００Ｇ）、および第２偏光板１１６ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１６に入射する緑色光Ｇは、ダイクロイックミラー１１３、１１４で反射されて入射するｓ偏光である。第１偏光板１１６ｂは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。また、電気光学装置１００（緑色用液晶パネル１００Ｇ）は、ｓ偏光を画像信号に応じた変調によってｐ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。そして、第２偏光板１１６ｄは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１６は、画像信号に応じて緑色光Ｇを変調し、変調した緑色光Ｇをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。
【０１３３】
液晶ライトバルブ１１７は、ダイクロイックミラー１１３で反射し、ダイクロイックミラー１１４を透過した後でリレー系１２０を経た青色光Ｂを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。かかる液晶ライトバルブ１１７は、液晶ライトバルブ１１５、１１６と同様に、λ／２位相差板１１７ａ、第１偏光板１１７ｂ、電気光学装置１００（青色用液晶パネル１００Ｂ）、および第２偏光板１１７ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１７に入射する青色光Ｂは、ダイクロイックミラー１１３で反射してダイクロイックミラー１１４を透過した後にリレー系１２０の後述する２つの反射ミラー１２５ａ、１２５ｂで反射することから、ｓ偏光となっている。
【０１３４】
λ／２位相差板１１７ａは、液晶ライトバルブ１１７に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１７ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、電気光学装置１００（青色用液晶パネル１００Ｂ）は、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１７ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１７は、画像信号に応じて青色光Ｂを変調し、変調した青色光Ｂをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。なお、λ／２位相差板１１７ａ、および第１偏光板１１７ｂは、ガラス板１１７ｅに接した状態で配置されている。
【０１３５】
リレー系１２０は、リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂと反射ミラー１２５ａ、１２５ｂとを備えている。リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂは、青色光Ｂの光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ１２４ａは、ダイクロイックミラー１１４と反射ミラー１２５ａとの間に配置されている。また、リレーレンズ１２４ｂは、反射ミラー１２５ａ、１２５ｂの間に配置されている。反射ミラー１２５ａは、ダイクロイックミラー１１４を透過してリレーレンズ１２４ａから出射した青色光Ｂをリレーレンズ１２４ｂに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー１２５ｂは、リレーレンズ１２４ｂから出射した青色光Ｂを液晶ライトバルブ１１７に向けて反射するように配置されている。
【０１３６】
クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂをＸ字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光Ｂを反射して緑色光Ｇを透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光Ｒを反射して緑色光Ｇを透過する膜である。従って、クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライトバルブ１１５〜１１７の各々で変調された赤色光Ｒと緑色光Ｇと青色光Ｂとを合成し、投射光学系１１８に向けて出射するように構成されている。
【０１３７】
なお、液晶ライトバルブ１１５、１１７からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｓ偏光であり、液晶ライトバルブ１１６からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｐ偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム１１９において各液晶ライトバルブ１１５〜１１７から入射する光を合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂはｓ偏光の反射トランジスター特性に優れている。このため、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂで反射される赤色光Ｒ、および青色光Ｂをｓ偏光とし、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂを透過する緑色光Ｇをｐ偏光としている。投射光学系１１８は、投影レンズ（図示略）を有しており、クロスダイクロイックプリズム１１９で合成された光をスクリーン１１１に投射するように構成されている。
【０１３８】
（投射型表示装置の第２例）
図２１（ｂ）に示す投射型表示装置１０００は、光源光を発生する光源部１０２１と、光源部１０２１から出射された光源光を赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、および青色光Ｂの３色の色光に分離する色分離導光光学系１０２３と、色分離導光光学系１０２３から出射された各色の光源光によって照明される光変調部１０２５とを有している。また、投射型表示装置１０００は、光変調部１０２５から出射された各色の像光を合成するクロスダイクロイックプリズム１０２７（合成光学系）と、クロスダイクロイックプリズム１０２７を経た像光をスクリーン（不図示）に投射する投射光学系１０２９とを備えている。
【０１３９】
かかる投射型表示装置１０００において、光源部１０２１は、光源１０２１ａと、一対のフライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅと、偏光変換部材１０２１ｇと、重畳レンズ１０２１ｉとを備えている。本形態においては、光源部１０２１は、放物面からなるリフレクタ１０２１ｆを備えており、平行光を出射する。フライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅは、システム光軸と直交する面内にマトリクス状に配置された複数の要素レンズからなり、これらの要素レンズによって光源光を分割して個別に集光・発散させる。偏光変換部材１０２１ｇは、フライアイ光学系１０２１ｅから出射した光源光を、例えば図面に平行なｐ偏光成分のみに変換して光路下流側光学系に供給する。重畳レンズ１０２１ｉは、偏光変換部材１０２１ｇを経た光源光を全体として適宜収束させることにより、光変調部１０２５に設けた複数の電気光学装置１００を各々均一に重畳照明可能とする。
【０１４０】
色分離導光光学系１０２３は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａと、ダイクロイックミラー１０２３ｂと、反射ミラー１０２３ｊ、１０２３ｋとを備える。色分離導光光学系１０２３において、光源部１０２１からの略白色の光源光は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａに入射する。クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する一方の第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された赤色光Ｒは、反射ミラー１０２３ｊで反射されダイクロイックミラー１０２３ｂを透過して、入射側偏光板１０３７ｒ、ｐ偏光を透過させる一方、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、および光学補償板１０３９ｒを介して、ｐ偏光のまま、電気光学装置１００（赤色用液晶パネル１００Ｒ）に入射する。
【０１４１】
また、第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された緑色光Ｇは、反射ミラー１０２３ｊで反射され、その後、ダイクロイックミラー１０２３ｂでも反射されて、入射側偏光板１０３７ｇ、ｐ偏光を透過させる一方、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｇ、および光学補償板１０３９ｇを介して、ｐ偏光のまま、電気光学装置１００（緑色用液晶パネル１００Ｇ）に入射する。
【０１４２】
これに対して、クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する他方の第２ダイクロイックミラー１０３１ｂで反射された青色光Ｂは、反射ミラー１０２３ｋで反射されて、入射側偏光板１０３７ｂ、ｐ偏光を透過する一方、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｂ、および光学補償板１０３９ｂを介して、ｐ偏光のまま、電気光学装置１００（青色用液晶パネル１００Ｂ）に入射する。なお、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂは、電気光学装置１００への入射光および出射光の偏光状態を調整することで、液晶層の特性を光学的に補償している。
【０１４３】
このように構成した投射型表示装置１０００では、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂを経て入射した３色の光は各々、各電気光学装置１００において変調される。その際、電気光学装置１００から出射された変調光のうち、ｓ偏光の成分光は、ワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、１０３２ｇ、１０３２ｂで反射し、出射側偏光板１０３８ｒ、１０３８ｇ、１０３８ｂを介してクロスダイクロイックプリズム１０２７に入射する。クロスダイクロイックプリズム１０２７には、Ｘ字状に交差する第１誘電体多層膜１０２７ａおよび第２誘電体多層膜１０２７ｂが形成されており、一方の第１誘電体多層膜１０２７ａは赤色光Ｒを反射し、他方の第２誘電体多層膜１０２７ｂは青色光Ｂを反射する。従って、３色の光は、クロスダイクロイックプリズム１０２７において合成され、投射光学系１０２９に出射される。そして、投射光学系１０２９は、クロスダイクロイックプリズム１０２７で合成されたカラーの像光を、所望の倍率でスクリーン（図示せず。）に投射する。
【０１４４】
（他の投射型表示装置）
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。
【０１４５】
（他の電子機器）
本発明を適用した電気光学装置１００については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。
【符号の説明】
【０１４６】
３ａ・・走査線、３ｓ、３ｔ、６ｓ、６ｔ・・突部、６ａ・・データ線、５ａ・・容量線、７ａ、８ａ・・遮光層、９ａ・・画素電極、１０・・素子基板、１０ｅ・・辺（端部）、１０ａ・・画像表示領域、１０ｐ・・画素電極配列領域、１１・・配線領域、１１ａ、１１ａ1、１１ａ2・・第１配線領域、１１ｂ、１１ｂ1、１１ｂ2・・第２配線領域、１００・・電気光学装置、１０１・・データ線駆動回路、１０５、１０６・・配線、ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６・・画像信号線（配線）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一方面側に、複数の画素電極が配列された画素電極配列領域と、前記基板の端部と前記画素電極配列領域との間で複数の配線が並列する配線領域と、を有する電気光学装置において、
前記配線領域は、前記複数の配線がいずれも同一の層に位置する第１配線領域と、前記複数の配線のうち、複数の一部の配線と複数の他の配線とが異なる層に位置し、前記複数の配線の延在方向と直交する幅方向における寸法が前記第１配線領域より狭い第２配線領域と、を備えていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記第１配線領域では、前記複数の配線が前記基板の前記端部に対して交差する方向に延在し、
前記第２配線領域では、前記複数の配線が前記基板の前記端部の延在方向に対して平行な方向に延在していることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記基板の一方面側に、前記画素電極配列領域と前記基板の端部との間に駆動回路が設けられ、
前記第２配線領域は、前記基板の前記端部と前記駆動回路との間、および前記駆動回路と前記画素電極配列領域との間のうちの少なくとも一方に設けられていることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記複数の配線は各々、前記駆動回路によって規定されたタイミングで前記画素電極配列領域のデータ線に画像信号を供給する画像信号線であることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記第２配線領域では、前記一部の配線と前記他の配線とが平面視で重なっていることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記一部の配線において前記第２配線領域で隣り合うように形成された２本の配線には、一方の配線から他方の配線に向けて突出した突部と、他方の配線から一方の配線に向けて突出した突部とが前記配線の延在方向で異なる位置に形成され、
前記一方の配線の前記突部、および前記他方の配線の前記突部の各々には、前記他の配線に対して前記一部の配線層とは反対側に位置する導電膜が絶縁膜のコンタクトホールを介して導通していることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記第２配線領域では、前記一部の配線が前記他の配線で挟まれた領域と平面視で重なっていることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記第２配線領域において、前記一部の配線および前記他の配線のうちの一方は第１導電膜により形成され、前記他方は前記第１導電膜と前記基板との間の層に位置する第２導電膜により形成され、
前記第１配線領域において、前記複数の配線は、前記第１導電膜および前記第２導電膜のいずれとも異なる層に位置する第３導電膜によって形成されていることを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記第３導電膜は、前記第１導電膜と前記２導電膜との間の層に形成されていることを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記第２配線領域において、前記一部の配線および前記他の配線のうちの一方は第１導電膜により形成され、前記他方は前記第１導電膜と前記基板との間の層に位置する第２導電膜により形成され、
前記第１配線領域において、前記複数の配線は、前記第１導電膜および前記第２導電膜のうちの一方の導電膜によって形成されていることを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
基板と、
前記基板の一方面側で画像表示領域に設けられた第１データ線と、
前記第１データ線に隣り合う第２データ線と、
前記基板の第１辺と前記画像表示領域との間に設けられ、前記第１データ線に供給する信号を入力するための第１端子と、
前記第１端子に隣り合うように第１方向側に配置され、前記第２データ線に供給する信号を入力するための第２端子と、
前記第１端子から前記第１データ線へ信号を供給するための第１信号線と、
前記第２端子から前記第２データ線へ信号を供給するための第２信号線と、
を含み、
前記第１信号線は、
前記第１端子と電気的に接続され、前記第１方向と交差する第２方向に沿って設けられた第１部分と、
前記第１部分と電気的に接続され、前記第１方向に沿って設けられた第２部分と、
前記第２部分と電気的に接続され、前記第２方向に沿って、前記第１配線より前記画像表示領域側に設けられた第３部分と、
を備え、
前記第２信号線は、
前記第２端子と電気的に接続され、前記第１部分と隣り合う位置で前記第１部分と同一の層に設けられた第４部分と、
前記第４部分と電気的に接続され、前記第２部分と異なる層に設けられた第５部分と、
前記第３部分と隣り合い、前記第３部分と同一の層に設けられた第６部分と、
を備え、
平面視で、前記第２部分と前記第５部分との距離は、前記第１部分と前記第４部分との距離、および前記第３部分と前記第６部分との距離より小さいことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１の何れか一項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項１】
基板の一方面側に、複数の画素電極が配列された画素電極配列領域と、前記基板の端部と前記画素電極配列領域との間で複数の配線が並列する配線領域と、を有する電気光学装置において、
前記配線領域は、前記複数の配線がいずれも同一の層に位置する第１配線領域と、前記複数の配線のうち、複数の一部の配線と複数の他の配線とが異なる層に位置し、前記複数の配線の延在方向と直交する幅方向における寸法が前記第１配線領域より狭い第２配線領域と、を備えていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記第１配線領域では、前記複数の配線が前記基板の前記端部に対して交差する方向に延在し、
前記第２配線領域では、前記複数の配線が前記基板の前記端部の延在方向に対して平行な方向に延在していることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記基板の一方面側に、前記画素電極配列領域と前記基板の端部との間に駆動回路が設けられ、
前記第２配線領域は、前記基板の前記端部と前記駆動回路との間、および前記駆動回路と前記画素電極配列領域との間のうちの少なくとも一方に設けられていることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記複数の配線は各々、前記駆動回路によって規定されたタイミングで前記画素電極配列領域のデータ線に画像信号を供給する画像信号線であることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記第２配線領域では、前記一部の配線と前記他の配線とが平面視で重なっていることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記一部の配線において前記第２配線領域で隣り合うように形成された２本の配線には、一方の配線から他方の配線に向けて突出した突部と、他方の配線から一方の配線に向けて突出した突部とが前記配線の延在方向で異なる位置に形成され、
前記一方の配線の前記突部、および前記他方の配線の前記突部の各々には、前記他の配線に対して前記一部の配線層とは反対側に位置する導電膜が絶縁膜のコンタクトホールを介して導通していることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記第２配線領域では、前記一部の配線が前記他の配線で挟まれた領域と平面視で重なっていることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記第２配線領域において、前記一部の配線および前記他の配線のうちの一方は第１導電膜により形成され、前記他方は前記第１導電膜と前記基板との間の層に位置する第２導電膜により形成され、
前記第１配線領域において、前記複数の配線は、前記第１導電膜および前記第２導電膜のいずれとも異なる層に位置する第３導電膜によって形成されていることを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記第３導電膜は、前記第１導電膜と前記２導電膜との間の層に形成されていることを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記第２配線領域において、前記一部の配線および前記他の配線のうちの一方は第１導電膜により形成され、前記他方は前記第１導電膜と前記基板との間の層に位置する第２導電膜により形成され、
前記第１配線領域において、前記複数の配線は、前記第１導電膜および前記第２導電膜のうちの一方の導電膜によって形成されていることを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
基板と、
前記基板の一方面側で画像表示領域に設けられた第１データ線と、
前記第１データ線に隣り合う第２データ線と、
前記基板の第１辺と前記画像表示領域との間に設けられ、前記第１データ線に供給する信号を入力するための第１端子と、
前記第１端子に隣り合うように第１方向側に配置され、前記第２データ線に供給する信号を入力するための第２端子と、
前記第１端子から前記第１データ線へ信号を供給するための第１信号線と、
前記第２端子から前記第２データ線へ信号を供給するための第２信号線と、
を含み、
前記第１信号線は、
前記第１端子と電気的に接続され、前記第１方向と交差する第２方向に沿って設けられた第１部分と、
前記第１部分と電気的に接続され、前記第１方向に沿って設けられた第２部分と、
前記第２部分と電気的に接続され、前記第２方向に沿って、前記第１配線より前記画像表示領域側に設けられた第３部分と、
を備え、
前記第２信号線は、
前記第２端子と電気的に接続され、前記第１部分と隣り合う位置で前記第１部分と同一の層に設けられた第４部分と、
前記第４部分と電気的に接続され、前記第２部分と異なる層に設けられた第５部分と、
前記第３部分と隣り合い、前記第３部分と同一の層に設けられた第６部分と、
を備え、
平面視で、前記第２部分と前記第５部分との距離は、前記第１部分と前記第４部分との距離、および前記第３部分と前記第６部分との距離より小さいことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１の何れか一項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【公開番号】特開２０１３−１０１２００（Ｐ２０１３−１０１２００Ａ）
【公開日】平成２５年５月２３日（２０１３．５．２３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２４４２１６（Ｐ２０１１−２４４２１６）
【出願日】平成２３年１１月８日（２０１１．１１．８）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月２３日（２０１３．５．２３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１１月８日（２０１１．１１．８）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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