【課題】配線間の短絡等を発生させずに、複数の配線が並列する配線領域の幅寸法を狭めることのできる電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００では、素子基板１０の辺１０ｅと画素電極配列領域１０ｐとの間で複数の配線１０５が並列する配線領域１１は、一部の配線１０５と他の配線１０５とが異なる層に位置する第２配線領域１１ｂとを備えており、かかる第２配線領域１１ｂでは、異なる層に位置する配線１０５の間に平面視で広い隙間を設けなくても短絡等の問題が発生しない。このため、第２配線領域１１ｂについては、配線１０５間の短絡等を発生させず、幅方向の寸法を第１配線領域１１ａより狭くすることができる。 （もっと読む）

【課題】遮光層の遮光性能を低下させずに、素子基板に対する加熱処理を行うことのできる電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】液晶装置の製造工程において、素子基板用の基板本体１０ｗの一方面１０ｓに走査線３ａ（遮光層）、絶縁膜１２を形成した後、半導体層１ａを形成する半導体層形成工程、および半導体層１ａに導入した不純物を拡散させる不純物拡散工程では、レーザーアニール装置やランプアニール装置等の加熱装置９２０によって、一方面１０ｓ側を他方面１０ｔ側より温度を高くした状態で加熱する。このため、走査線３ａは高い温度に加熱されないので、走査線３ａに用いたアルミニウム膜やタングステンシリサイド膜に溶融や再結晶化等が発生しない。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタは、第１方向に形成された少なくとも１本のゲートラインを含むゲート１１と、ゲート上に形成されたゲート絶縁層１２と、ゲート絶縁層１２上に形成された少なくとも１つのソース１３及びドレイン１４と、を含み、ソース１３及びドレイン１４のうち少なくともいずれか一つは、延長部分１３ｂ、１４ｂを含み、延長部分１３ｂ、１４ｂは、少なくとも１本のゲートラインと平行するように、第１方向に形成される。ゲート１１は、ライン状に均一厚を有し、その側面と上面との間に曲面を含み、１本または２本以上のゲートラインを含む形態となる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置、半導体装置の製造方法、電気装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、一面に、ソース電極４１ｃおよびドレイン電極４１ｄを有する第１基板３４と、一面に、ゲート電極４１ｅ、ゲート絶縁膜４１ｂおよび半導体層４１ａを有する第２基板３９と、第１基板３４および第２基板３９が互いの一面側を対向させて貼り合わされることによりこれら第１基板３４と第２基板３９との間に構成される薄膜トランジスタＴＲと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】ウェットエッチング性が良好な表示装置用配線膜を提供する。
【解決手段】希土類金属元素、Ｚｎ、Ｍｇ、およびＣａよりなる群から選択される少なくとも一種の元素を５原子％以上５０原子％以下の範囲で含むＭｏ合金と、純ＣｕまたはＣｕ合金との積層構造を有する表示装置用配線膜である。 （もっと読む）

【課題】クラックからの水分侵入に起因する金属配線端面の腐食防止、あるいは金属配線端面の腐食が生じている場合でも該腐食が液晶表示装置を駆動する液晶表示部分を構成するゲート線等の金属配線にまで到達することを防止する技術を提供する。
【解決手段】基板の上に、複数の金属配線が同一平面上に形成され、金属配線の上に絶縁膜が形成された積層構造を有し、切り出し加工により切断端面が露出している第１の金属配線を有する配線構造であって、
第１の金属配線の線幅をＸ（μｍ）、
第１の金属配線の長さをＹ（μｍ）としたとき、
（１）若しくは（２）、および／または下記（３）の要件を満足することを特徴とする配線構造。
（１）Ｘ≦２０μｍ
（２）Ｘ＞２０μｍのときは、Ｙ≧１０Ｘ−１６０、
（３）第１の金属配線の切断端面から、第１の金属配線に隣接する第２の金属配線までの間において、第１の金属配線は絶縁膜の存在しない領域Ｚを有する。 （もっと読む）

【課題】配向不良による輝度の低下を抑制できる液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】画素電極４０の第１の領域に第１のスリット４０ａが第１の方向に向けて形成され、第１の領域に水平方向に隣接する第２の領域に第２のスリット４０ａが第２の方向に向けて形成され、配向膜にデータバスライン１６ａに平行な方向に傾斜垂直配向処理が施された液晶表示装置において、第１及び第２のスリット４０ａのうちの第１の領域及び第２の領域の境界近傍の部分とデータバスライン１６ａとのなす角度を、第１及び第２のスリット４０ａの他の部分とデータバスライン１６ａとのなす角度よりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】高透過率、低フリッカーを有する表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は複数の画素ユニットＡを備える。各画素ユニットＡは、下基板１と、下基板１の上に形成され、パターンされる多結晶シリコン層３０、ゲートライン１０及びデータライン２０を含む複数の中間層と、複数の中間層の上に形成される第一保護層２０１と、第一保護層の上に形成される下電極２０２、２０２−１と、下電極２０２、２０２−１の上に覆い被されて、形成される第二保護層２０４と、下電極２０２、２０２−１を対応して、第二保護層２０４の上の特定位置に形成される上電極２０６とを有する。 （もっと読む）

【課題】断線部を修正できるアクティブマトリクス表示装置を提供する。
【解決手段】基板上に格子状に設けられた走査線又は補助容量線と信号線とで囲まれた領域に絵素電極を設け、前記走査線又は前記補助容量線、前記信号線、および前記絵素電極にそれぞれスイッチング素子を接続したアクティブマトリクス表示装置は、前記走査線又は前記補助容量線の少なくとも一部をバイパスできるバイパスパターンを備え、前記バイパスパターンは、前記信号線が設けられている層と同じ層に、前記信号線の材料と同じ材料で形成され、前記バイパスパターンは、前記走査線又は前記補助容量線のパターンに実質的にカバーされ、前記バイパスパターンの長さは、隣接する２つの信号線の間の距離の少なくとも半分である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、重合性成分を含有する液晶層を基板間に封止し、液晶層に電圧を印加しながら重合性成分を重合して液晶配向を安定化させるポリマーを用いたプレチルト角付与技術を用いて液晶の配向方位を規制して、広い視野角が得られると共に、中間調の応答時間を短くできる液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】対向配置された２枚の基板２０、３０間に、液晶分子のプレチルト角および駆動時の傾斜方向を規定するポリマーを含んだ液晶層２４が封止されている。液晶層２４に電圧を印加しながら液晶層２４中に混合された重合性成分を固化してポリマーを形成する際に液晶分子がパターン長手方向に配向するように、スペース１０の幅よりパターン幅の方が広く形成された複数のストライプ状電極パターン８が配列している。 （もっと読む）

【課題】表示部に穴をあけた液晶表示装置において、各配線の寄生容量の均一化を図る。
【解決手段】穴１０近辺の遮光層１１下において、終端された走査線４および補助容量線５の幅を表示領域２における走査線４および補助容量線５の幅よりも広くする。これにより、遮光層１１下において各配線により形成される容量が表示領域２において各配線により形成される容量よりも大きくなるので、各配線の寄生容量の均一化を図ることができ、表示ムラの発生が抑制される。 （もっと読む）

【課題】例えば、液晶装置の画素領域における開口率を高めると共に、画素スイッチング用素子に発生する光リーク電流を低減し、プロジェクタによって表示される画像の表示品位を低下させない。
【解決手段】活性層（１ａ）の一部であるチャネル領域（１ａ）が延びる方向であるチャネル長方向が、走査線（３ａ）が延びるＸ方向に沿っている。加えて、液晶装置（１）によれば、ゲート電極（１３）は、Ｘ方向に沿って、データ線（６ａ１）及びデータ線（６ａ２）の夫々から距離（Ｗ）だけ離れた位置、即ちＸ方向に沿ってデータ線（６ａ１）及び（６ａ２）間の中心位置（Ｐｃ）からデータ線（６ａ１）の側にチャネル領域（１ｃ）のチャネル長（Ｌｃ）の長さだけずれた第１の位置（Ｐ１）と、中心位置（Ｐｃ）からデータ線（６ａ２）の側にチャネル長（Ｌｃ）の長さだけずれた第２の位置（Ｐ２）との間の領域（Ｒ）に設けられている。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタにおいて、光リーク電流の発生の抑制を図る。
【解決手段】薄膜トランジスタは、基板（１０）上、チャネル領域（３０ａ２）、ソースドレイン領域（３０ａ１及び３０ａ３）、並びに前記チャネル領域（３０ａ２）及びソースドレイン領域間に形成されたＬＤＤ領域（３０ａ４及び３０ａ５）を有する半導体層（３０ａ）と、チャネル領域に対向配置されたゲート電極（３０ｂ）とを備える。ＬＤＤ領域の少なくとも一部の領域は、半導体層における前記一部の領域を除く他の領域に比べて、結晶欠陥の数が多くなるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】 広視野角、高速応答かつ高輝度等の高画質を実現する横電界方式の液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 液晶表示装置は、共通電極、画素電極、走査信号線、映像信号線及び半導体スイッチング素子を形成したアレイ基板と、対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に挟持された液晶層とを備える。 前記共通電極及
び前記画素電極の少なくとも何れか一方の線幅は、前記共通電極と前記画素電極との間の間隙よりも大きく、かつ、前記共通電極及び前記画素電極の少なくとも何れか一方の膜厚は、前記走査信号線及び映像信号線の少なくとも何れか一方の膜厚よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】 信号線に起因して生ずる光漏れを抑制し、コントラストに優れた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 アレイ基板２と対向基板３間に液晶層が挟持され、アレイ基板２上に各画素に対応してスイッチング素子が形成されるとともに、これらスイッチング素子に接続される信号線が形成されてなる液晶表示装置である。信号線の側壁の傾斜角度が画素領域と周辺回路領域とで異なり、画素領域における信号線２１の側壁２１Ａの傾斜角度θ１と、周辺回路領域における信号線３１の側壁３１Ａの傾斜角度θ２とが、θ１＜θ２なる関係にある。また、傾斜角度θ１は７５°以下、傾斜角度θ２は９０°以下である。 （もっと読む）

【課題】良好な形状制御性を確保しつつ、銅配線層の酸化および銅の拡散を抑制できる配線を提供する。
【解決手段】金属拡散防止膜51上に形成したシード層52を、レジストを用いて選択的に除去する。レジストを除去した後、シード層52を覆って無電解めっき法により銅配線層53と、銅配線層53上に位置するメタルマスク層54とを形成する。メタルマスク層54を用いて金属拡散防止膜51を選択的に除去する。良好な形状制御性を確保しつつ、金属拡散防止膜51の形成時のエッチングなどによる銅配線層53の表面荒れなどを防止して、銅配線層53の酸化および銅の拡散を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】窓部を有する場合であっても表示領域内の輝度むらを低減させることのできる表示装置の提供。
【解決手段】非表示領域の周囲で迂回させるドレイン迂回配線及びゲート迂回配線とを備え、ドレイン迂回配線とゲート迂回配線とのうち少なくとも一方の配線幅は、該ドレイン迂回配線と該ゲート迂回配線とが交差する交差部における配線幅と非交差部における配線幅とが異なる配線幅で形成され、ドレイン線の非交差部における配線幅をａ_１、ドレイン線の交差部における配線幅をｂ_１、ドレイン迂回配線の非交差部における配線幅をｃ_１、ドレイン迂回配線の交差部における配線幅をｄ_１、ゲート線の非交差部における配線幅をａ_２、ゲート線の交差部における配線幅をｂ_２、ゲート迂回配線の非交差部における配線幅をｃ_２、ゲート迂回配線の交差部における配線幅をｄ_２とした場合、｜ａ_１−ｃ_１｜＞｜ｂ_１−ｄ_１｜又は／及び｜ａ_２−ｃ_２｜＞｜ｂ_２−ｄ_２｜の表示装置。 （もっと読む）

【課題】従来よりも簡単なプロセスで光配向処理が可能な液晶表示パネルの製造方法およびそのような製造方法によって製造され得る液晶表示パネルを提供する。
【解決手段】 ガラス基板１１を用意する工程と、ガラス基板１１の第１主面に第１方位に延びる埋め込み配線１２ａ、１２ｂを形成する工程と、埋め込み配線が形成されたガラス基板１１の第１主面の上に光配向膜１８を形成する工程と、第２主面側から第１方位に略直交する第２方位に傾斜した方向から光配向膜の第１領域１８Ａ１または１８Ａ２にのみ選択的に直線偏光を照射することによって、光配向膜の第１領域のプレチルト方向を規定する工程と、配向膜２８を有するガラス基板２１を用意する工程と、誘電異方性が負の液晶材料を含む液晶層３０を間に介して光配向膜１８と配向膜２８とが互いに対向するようにガラス基板１１とガラス基板２１とが貼り合わせられた液晶セルを作製する工程とを包含する。 （もっと読む）

【課題】走査信号線の映像信号線と交差する箇所に開口部を設け、かつ半導体層及び導電体層をレジストリフロー方式によって形成する場合において、例えば黒点化修正を行えるように担保することが可能になる表示装置を提供すること。
【解決手段】導電体層は、映像信号線ＤＬと、ドレイン電極ＤＥ及びソース電極ＳＥと、接続線ＬＬと、を含んで形成される。半導体層ＡＳは、少なくとも、絶縁膜ＧＩの、映像信号ＤＬ線及び接続線ＬＬが形成される領域より広がった領域を覆うように形成される。接続線ＬＬは、走査信号線ＧＬに形成される開口部ＡＰ上において映像信号線ＤＬと接続される。そして、映像信号線ＤＬ又は／及び接続線ＬＬには、開口部ＡＰに対応する領域又はその近傍において、切欠部Ｃ、突起部又は拡幅部が形成される。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、画素内のＴＦＴにおける光リーク電流の発生をより有効に且つより簡易な構成により低減する。
【解決手段】ＴＦＴ３０において、ゲート電極３ａの第１延設部分３ａ１は、第１絶縁膜３１の表面における第２の接合領域１ｃの直上に位置する上面部分から連続的に、第２の接合領域１ｃの脇に位置する側面部分を少なくとも覆うように形成されると共に、ゲート電極３ａの第２延設部分３ａ２は、半導体層１ａに対して少なくとも第２の接合領域１ｃに沿って開口された溝８０１と重なるように配置されると共に溝８０１内に形成された溝内部分８１２を有する。 （もっと読む）