【課題】並列に電気的に接続された複数の保持容量を積層した場合でも、いずれの保持容量に不具合が発生したかを容易かつ確実に検査することのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００においては、並列に電気的に接続された第１保持容量７０ａと第２保持容量７０ｂとによって保持容量７０が形成され、かつ、第１保持容量７０ａと第２保持容量７０ｂとは積層された構造になっている。また、素子基板１０の端部と画像表示領域との間には、第１保持容量７０ａと同一の層構造を備えた検査用第１容量と、第２保持容量７０ｂと同一の層構造を備えた検査用第２容量が形成されているとともに、検査用第１容量に電気的に接続する第１容量検査用端子対と、検査用第２容量に電気的に接続する第２容量検査用端子対とが設けられている。 （もっと読む）

【課題】 有効表示領域周辺の配線や回路を保護し、かつ飛び込み電圧の影響を抑制することのできる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 複数の画素を含む液晶表示装置において、画素はソース及びドレイン電極１０５とゲート電極１０１とを備えたＴＦＴと、コモン電極１０８と画素電極１０６（１２０）とを備えた画素部とを含み、コモン電極１０８は、画素電極１０６（１２０）、ソース及びドレイン電極１０５上に形成された無機パッシベーション膜１０７上に設けられ、ゲート電極１０１は隣接する画素の画素電極１２０と重なって保持容量を構成する。 （もっと読む）

【課題】ＩＰＳにおける従来の技術は、工程数が多く、開口率が低いので、実用化できな
い。また、液晶層に最も近接している層に存在する配線及び電極が多く、画素表示部にお
ける個々の液晶にかかる電界が不均一であった。
【解決手段】本発明は、ゲイト線１０２、１０５とコモン線１０３、１０４を最初に同時
に形成し、層間膜形成後、画素電極１０８とコモン電極１１０、１１１とソ─ス線１０６
、１０７を同時に形成する。こうすることによって、電極パタ─ンを単純化でき、工程を
簡略化した。また、液晶層に最も近接している層に存在する配線及び電極を画素電極とコ
モン電極とソ─ス線とし、その形状を単純なものにした。 （もっと読む）

【課題】不良の発生が抑制され高いコストパフォーマンスを有する電気光学装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】素子基板上に設けられた、ＴＦＴ３０と、ＴＦＴ３０に対応して設けられた画素電極１５と、ＴＦＴ３０と画素電極１５との間に設けられたデータ線６ａと、データ線６ａと画素電極１５との間に設けられた第１容量電極１６ａと、第１容量電極１６ａと画素電極１５との間に設けられ、第１容量電極１６ａの一部に誘電体層を介して対向配置されると共に、電気的にＴＦＴ３０と画素電極１５とに接続された第２容量電極１６ｂと、を備え、第２容量電極１６ｂは、アモルファスタングステンシリサイド膜からなる。 （もっと読む）

【課題】画素が高精細になっても所望の電気容量を有する保持容量を実現可能な電気光学装置およびこれを備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の電気光学装置は、データ線６ａ及び走査線３ａと、データ線６ａと走査線３ａとの交差に対応して設けられたトランジスター３０と、トランジスター３０に電気的に接続され、第１容量電極１６ａと第２容量電極１６ｂとが誘電体層を介して対向配置される保持容量と、を備え、第１容量電極１６ａは、第１導電膜と第１導電膜の上面及び側面を覆う第２導電膜とを有し、第２容量電極１６ｂは、第１容量電極１６ａの上面及び側面において誘電体層を介して第１容量電極１６ａと対向して保持容量を形成している。 （もっと読む）

【課題】制御性が良く、安定して動作する可変容量素子を提供する。消費電力が少なく、表示品位の良い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】印加される電界により、ｎ型またはｉ型となる半導体、もしくは、ｐ型またはｉ型となる半導体を用いて可変容量素子を構成する。容量素子を構成する第１の電極と第２の電極の間に、誘電体層として絶縁層と上記半導体層の積層を設ける。第１の電極を誘電体層側に設け、第２の電極を半導体層側に設けた時に、第１の電極と半導体層が重畳する面積Ｃ１よりも、第１の電極と半導体層と第２の電極が重畳する面積Ｃ２の方を小さくなるようにする。動画像表示と静止画像表示で駆動方法を切り替える液晶表示装置に可変容量素子を適用することで、消費電力が少なく、表示品位の良い液晶表示装置を実現できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、液晶表示装置、特にＦＦＳモード液晶表示装置の構造を提供する。
【解決手段】本発明は、コモン電極を２層構造とすること、及びその一方のコモン電極をパネル全面に平板状（べた状）に形成し、これにより電圧供給を電極の４辺から可能とすることにより、電圧供給にともなう抵抗を低減させることを可能とする、ＦＦＳモードＬＣＤを提供する。 （もっと読む）

【課題】焼付率を低減可能な構造の液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１基板と第２基板との間に液晶が封入され、上記第１基板は、絶縁基板２１と、上記絶縁基板の上方に形成された第１電極２５Ｄ及び第２電極２３Ｄを有し、上記第１電極２５Ｄと上記第２電極２３Ｄとが第１絶縁膜２４を介して重なり合う部分を有し、上記第１電極２５Ｄは表面が凸形となる部分を有し、上記凸形となる部分の下方に、半導体膜３２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】半透過型液晶表示装置において、反射電極と透明電極とを構成する場合、２つの
レジストマスクを用いるため、コストが高い。
【解決手段】画素電極となる透明電極と反射電極を積層させる。反射電極上に半透部を有
する露光マスクを用いて、膜厚の厚い領域と該領域よりも膜厚が薄い領域とを有するレジ
ストパターンを形成する。レジストパターンを用いて反射電極と透明電極とを形成する。
以上により、１つのレジストマスクを用いて、反射電極と透明電極を形成することが可能
となる。 （もっと読む）

【課題】ＩＰＳにおける従来の技術は、工程数が多く、開口率が低いので、実用化できな
い。また、液晶層に最も近接している層に存在する配線及び電極が多く、画素表示部にお
ける個々の液晶にかかる電界が不均一であった。
【解決手段】本発明は、ゲイト線１０２、１０５とコモン線１０３、１０４を最初に同時
に形成し、層間膜形成後、画素電極１０８とコモン電極１１０、１１１とソ─ス線１０６
、１０７を同時に形成する。こうすることによって、電極パタ─ンを単純化でき、工程を
簡略化した。また、液晶層に最も近接している層に存在する配線及び電極を画素電極とコ
モン電極とソ─ス線とし、その形状を単純なものにした。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、高い信頼性を実現する。
【解決手段】電気光学装置は、画素電極（９ａ）と、画素電極に対応して設けられたトランジスター（３０）と、トランジスターと電気的に接続されたデータ線（６ａ）と、画素電極及びトランジスター間に設けられ、第１電極（７２）及び第２電極（７１）が容量絶縁膜（７５）を介して対向配置されることで形成される蓄積容量（７０）と、第１電極と同一層に設けられた第１付加容量電極（４０１）と、第１電極及び第２電極とは異なる層に設けられた第２付加容量電極（４０２）とが、付加容量絶縁膜（４２）を介して対向配置されることで形成され、データ線と電気的に接続された付加容量（４００）とを備える。 （もっと読む）

【課題】 マトリクス状の交叉画素電極を有するモノドメイン配向の垂直配向表示素子において、表示画素のエッジ部分で液晶分子の配向方向が所望の方向からずれる配向異常が発生し、表示の均一性が損なわれる。
【解決手段】 電極構造を積層構造にすることにより発生する斜め電界を利用して、表示画素のエッジ部分で液晶分子の配向をコントロールし、均一な表示を実現する。そのために、透明電極３１の上の、隣接する対向電極３６間のスペースに対向する部位に補助電極３５を設け、この補助電極３６に透明電極３１に印加される駆動信号と同一の駆動信号を印加することとした。 （もっと読む）

【課題】光の透過率を向上させることが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の液晶表示装置は、第１の円偏光板４８ａと、その光出射側に配置される液晶セル３３と、その光出射側に配置される第２の円偏光板４８ｂと、を備える。第１の円偏光板４８ａは、入射光を円偏光に変換する。液晶セル３３に含まれる媒質は、電圧無印加時に光学等方性を示し、電圧印加時に光学異方性を示す。第２の円偏光板４８ｂは、液晶セル３３を透過した円偏光を直線偏光に変換する。 （もっと読む）

【課題】寸法が大きく、コストが低い導電板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】導電板の製造方法は、少なくとも一回の引張処理を行った導電膜を提供するステップと、基板１００を提供するステップと、前記導電膜２００を前記基板に被覆するステップと、を含む。前記導電膜は、複数のナノユニットビームを有し、各々のナノユニットビームは、複数のナノユニットがそれぞれに端と端とが連接して形成される。また、前記複数のナノユニットビームは、所定方向に沿って配列されて特定の配列配向を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成される補助容量の容量変動を防止する。
【解決手段】ＴＦＴ５と補助容量６を有するＴＦＴ基板１の半導体層１３、１７を形成するときに、インジウム、ガリウム、亜鉛および酸素を主成分とするＩＧＺＯを使用する。ＴＦＴ基板１を製造するときには、ＴＦＴ５の閾値を変動させる処理として、酸素不足の条件下でＩＧＺＯ層を成膜する処理、ＩＧＺＯ層に対するプラズマ処理、あるいは、窒素下でのベーク処理を行う。これにより、補助容量６の容量が変動する電圧の範囲を補助容量６の電極間電圧が取り得る範囲と重ならないように移動させて、補助容量６の容量変動を防止する。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成される補助容量の容量を大きく、かつ、その変動を防止する。
【解決手段】ＴＦＴ４と補助容量５を有するＴＦＴ基板１の半導体層１３、１７を形成するときに、インジウム、ガリウム、亜鉛および酸素を主成分とするＩＧＺＯを使用する。ＴＦＴ基板１を製造するときには、補助容量半導体層１７を低抵抗化する処理として、パシベーション層２０を形成した後で絵素電極２１を形成する前にプラズマ処理を行う。これにより、補助容量半導体層１７を導体化し、補助容量５の容量を大きくすると共に、補助容量５の容量変動を防止する。 （もっと読む）

【課題】例えば、液晶装置等の電気光学装置の製造に要するコスト削減と、表示性能の向上とを同時に実現する。
【解決手段】ＴＦＴ（３０）は、ＴＦＴアレイ基板（１０）上において下側容量電極（８０ａ）及び（８０ｂ）と同層に形成された半導体層（３０ａ）と、その上に形成されたゲート絶縁膜（３０ｂ）と、ゲート電極（３０ｃ）とを備えて構成されている。半導体層（３０ａ）は、ＴＦＴアレイ基板（１０）の厚み方向に沿った厚みよりＴＦＴアレイ基板（１０）の基板面に沿った幅が大きくなるように形成されている。したがって、ＴＦＴ（３０）及び保持容量（７０）によれば、液晶装置（１）の製造時に、ポリシリコン等の半導体からなる下側容量電極（８０ａ）及び（８０ｂ）と共通の工程によってＴＦＴ（３０）を形成可能であり、液晶装置（１）の製造プロセスを簡略化でき、且つ製造コストの低減できる。 （もっと読む）

【課題】。画素トランジスターを構成する半導体膜と同層の半導体膜を保持容量電極として用いた場合でも、十分な容量値の保持容量を構成することのできる液晶装置、および当該液晶装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００において、保持容量６０を構成するにあたって、画素トランジスター３０を構成する半導体膜１ａと同層の第１保持容量電極１ｆと、画素トランジスター３０のゲート電極と同層の第２保持容量電極３ｂとの間に、ゲート絶縁層２と同層の第１誘電体層２ａを介在させる。また、画素トランジスター３０のチャネル領域１ｇと平面的に重ならない領域において、第１保持容量電極１ｆの下面に第２誘電体層１５を介して第３保持容量電極４ａを対向させる。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、蓄積容量を大きく確保しつつ、画素領域における開口率を高める。
【解決手段】電気光学装置は、基板１０上に、画素電極９と、画素電極の下層側に誘電体膜７２を介して画素電極に対向するように設けられ、画素の各々における開口領域を、画像表示領域全体に渡って合計した合計面積よりも広く形成された容量電極７１とを備える。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まりの高いアレイ基板及びアレイ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】アレイ基板１は、チャネル層１９と、ゲート絶縁膜２１と、ゲート配線と、ゲート電極２３と、層間絶縁膜２５と、非晶質シリコン層２７ａと、データ配線と、を備えている。データ配線は、非晶質シリコン層２７ａに積層され、金属で形成され、ゲート絶縁膜２１及び層間絶縁膜２５に形成されたコンタクトホールｈ１を介してチャネル層１９に接続されている。 （もっと読む）