【課題】表示品位の劣化を抑制する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】ゲート配線Ｇ２と、ゲート配線Ｇ２と交差するように延びたソース配線Ｓ１と、ソース配線Ｓ１と略平行に延びた主画素電極ＰＡを備えた画素電極ＰＥと、ゲート配線Ｇ２とソース配線Ｓ１とが交差した位置に配置されたスイッチング素子ＳＷと、を備えた第１基板ＡＲと、主画素電極ＰＡを挟んだ両側で主画素電極ＰＡと略平行に延びた共通電極ＣＥを有する第２基板ＣＴと、第１基板ＡＲと第２基板ＣＴとの間に保持された液晶分子ＬＭを含む液晶層ＬＱと、を備え、スイッチング素子ＳＷは、前記画素電極と電気的に接続され前記ゲート線と重なるように配置されたドレイン配線ＥＤを含む、液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】 フレキシブルで、軽く、安定で高導電性の導電材料およびこれを用いた電気素
子を提供する。
【解決手段】
本発明の導電材料は、少なくとも一つの次元方向が２００ｎｍ以下であり、かつ炭素原
子の一部が少なくとも窒素原子に置換された単層グラフェン及び多層グラフェンの少なく
とも１種よりなるカーボン材料と、金属の粒子及び線材の少なくとも１種よりなる金属材
料とが、混合及び／又は積層されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】データ配線が銀や銀合金により形成されており、またデータ配線に、ゲート絶縁層によって被覆されておらずむき出しとなっている部分があった場合でも、当該むき出しとなっている部分でマイグレーション現象が生じることがないトップゲート型アクティブマトリックスを提供する。
【解決手段】基材と、前記基材上に直接または間接的に形成された、ソース電極、ドレイン電極、半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極、層間絶縁層、画素電極、および前記ソース電極と接続したデータ配線と、を有するトップゲート型アクティブマトリックス基板において、前記ソース電極と前記データ配線をともに銀または銀合金で形成し、前記ゲート電極を銀または銀合金以外で形成し、前記データ配線においてむき出しとなっている部分をゲート電極と同じ材質からなる被覆層によって被覆する。 （もっと読む）

【課題】表示品質を向上させることが可能な電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器を提供する。
【解決手段】液晶装置１００は、ＴＦＴ３０と、ＴＦＴ３０に電気的に接続された容量素子１６とを備え、容量素子１６は、ＴＦＴ３０と第２層間絶縁層１１ｃを介して形成された第１容量電極１６ａと、第１容量電極１６ａに第１誘電体層１６ｂを介して対向配置され、ＴＦＴ３０の半導体層３０ａに第２層間絶縁層１１ｃに形成されたコンタクトホールＣＮＴ５３を介して電気的に接続された第２容量電極１６ｃとを有し、第２容量電極１６ｃは、第１導電層１６ｃ１と第１導電層１６ｃ１上に積層された第２導電層１６ｃ２を有し、第１導電層１６ｃ１は、コンタクトホールＣＮＴ５３と重なる領域が除去されてなり、第２導電層１６ｃ２と半導体層３０ａとがコンタクトホールＣＮＴ５３を介して電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】基板のずれを防止し、微小輝点の発生率を低減することを目的とする。
【解決手段】液晶表示装置は、第１基板２８と第２基板３６とのギャップを保持するスペーサ８０と、第２配向膜２２側に窪み６６を有する下地層４０と、対向する第１配向膜１８の第１面２０及び第２配向膜２２の第２面２４に挟まれた液晶層２６と、を有し、第１配向膜１８は、スペーサ８０の形状に沿って、第１面２０が突出する第１凸部８２を有し、下地層４０の窪み６６の底面は、凹凸状に形成され、第２配向膜２２の第２面２４には、下地層４０の形状に対応して窪み８４が形成され、第２配向膜２２の窪み８４は、第２配向膜２２の第２面２４よりも低い第２凸部７６と、第２凸部７６よりも低い底面を有する凹部７８とによって凹凸状に形成され、第１配向膜１８の第１凸部８２は、第２配向膜２２の窪み８４に入って第２凸部７６に接触している。 （もっと読む）

【課題】高い動作信頼性を有する表示素子を提供する。
【解決手段】この液晶表示素子は、透明基板と、その一方の面に形成された透明電極とを有する透明電極基板と、液晶層と、液晶層を挟んで透明電極と対向する領域に位置する複数の画素電極、およびそれ以外の領域に位置する第１の導電膜を含む第１の層と、第１の導電膜と重複する領域に位置する第２の導電膜を含む第２の層とを順に有する画素電極基板とを備える。ここで、第１および第２の導電膜の少なくとも一方が電気的に孤立している。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、表示画像の縁付近における光漏れを低減する。
【解決手段】電気光学装置は、基板１０上に、複数の画素電極９ａと、複数の画素電極が設けられた画素領域の周辺に位置する周辺領域に設けられ、層間絶縁膜４３を介して互いに異なる層に配置されると共に互いに重なる部分を夫々有する複数の遮光膜６０ｂ、４００ｂとを備える。更に、複数の遮光膜のうち少なくとも一の遮光膜における他の遮光膜に対向する側に、他の遮光膜と重なる部分に少なくとも部分的に重なるように形成されると共に、一の遮光膜に比べて入射される入射光に対する反射率が低い低反射膜６０ａ、４００ａとを備える。 （もっと読む）

【課題】開口率及び透過率が向上し、製造費用を低減できる横電界型液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶層を介して対向する第１基板及び第２基板と、第１基板の内側面で相互交差するゲート配線１０３及びデータ配線１３０と、ゲート配線と平行な共通配線１０９と、ゲート配線及びデータ配線に接続された薄膜トランジスタＴｒと、薄膜トランジスタ上の表示領域全面に設けられたカラーフィルター層と、カラーフィルター層の上のフォトアクリルからなる第１保護層と、第１保護層の上にデータ配線と重なる垂直部とゲート配線及び共通配線と重なる水平部からなり、表示領域で格子形状の補助共通配線１７５と、各画素領域内に補助共通配線の水平部から分岐した多数のバー形状の中央部共通電極１７３及びそれと交互に設けられた画素電極１７０と、非表示領域で表示領域を囲み、カラーフィルター層の構成物質からなるエッジ部の光漏れ防止パターンを有する。 （もっと読む）

【課題】液晶層中のイオン性不純物の拡散による偏在に起因する表示ムラが低減された液晶装置、および該液晶装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の液晶装置は、一対の基板間に挟持された液晶層５０と、一対の基板のうち一方の基板としての素子基板１０に設けられた複数の画素電極１５と、一対の基板のうち他方の基板としての対向基板２０に複数の画素電極１５と対向して設けられた対向電極２３とを備え、画素電極１５には凸部１５ｂが設けられ、凸部１５ｂに対応する部分の対向電極２３に凸部２３ｂが設けられている。液晶層５０を駆動することによって生ずる液晶分子ＬＣの流動は、凸部１５ｂおよび凸部２３ｂによって阻害される。したがって、液晶層５０中のイオン性不純物が特定の方向に拡散して偏在することよる表示ムラが低減される。凸部の代わりに凹部を設けてもよい。 （もっと読む）

【課題】アレイ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による製造方法は、基板に無機材料の突起を形成するステップと；それぞれ第一透明導電層と第一金属層からなる反射領域パターン、ゲートライン及びゲートラインから分岐して出されるゲート電極と共通電極を形成するステップと；半導体層からなる活性化ランドパターンと第二金属層からなるデータラインパターンを形成し、活性化ランドパターン上でデータラインに接続されるソース電極とドレイン電極、及び半導体層からなるチャネルを形成するステップと；基板に無機材料を塗布し、無機材料に対して焼き戻し工程を行って一平坦層を形成し、ドレイン電極にビアホールを形成するステップと；反射領域に、ビアホールを介してドレイン電極に接続され且つ第二透明導電層からなる画素電極を形成するステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ（背面基板）とカラーフィルタの画素とを位置合わせを、より容易にする。
【解決手段】実質的に透明な第１の基板１と、上記第１の基板１上に設けられた実質的に透明なゲート電極２と、上記ゲート電極と同一層に離間して設けられた実質的に透明なキャパシタ電極３と、上記ゲート電極および上記キャパシタ電極を覆うように設けられた実質的に透明なゲート絶縁膜４と、上記ゲート絶縁膜上に設けられた半導体層５と、上記半導体層と接続した実質的に透明なソース電極６と、上記半導体層に接続すると共に上記ソース電極と離間して形成された実質的に透明なドレイン電極７と、少なくとも上記ドレイン電極上を覆うように形成された着色層１１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】間便に所望の形状のパターンを得ることのできる多層薄膜パターン及び表示装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に層間絶縁膜１を形成する工程と、層間絶縁膜１上に導電性を有する第１の薄膜２を形成する工程と、第１の薄膜２上に第２の薄膜３を形成する工程と、第２の薄膜３上に、複数階調露光によって膜厚差を有するレジストパターン５を形成する工程と、膜厚差を有するレジストパターン５を介して、第２の薄膜３及び第１の薄膜２をエッチングして、レジストパターンの存在しない領域の層間絶縁膜１を露出させる工程と、膜厚差を有するレジストパターン５をアッシングして、レジストパターンの薄膜部５ｂを除去する工程と、薄膜部５ｂが除去されたレジストパターン５ｃを介して、第２の薄膜３をエッチングする工程と、を順次実施する。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体
装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体
層とソース電極層及びドレイン電極層との間に金属酸化物層でなるバッファ層が設けられ
た逆スタガ型（ボトムゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース
電極層及びドレイン電極層と半導体層との間に、バッファ層として金属酸化物層を意図的
に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、容易に形成することが可能であり、画素電極の断線が生じにくく、高品質なカラーフィルタ付ＴＦＴ基板、これを用いた液晶表示装置、および上記カラーフィルタ付ＴＦＴ基板を、容易な工程で高いスループットで製造することができ、製造コストを削減することが可能なカラーフィルタ付ＴＦＴ基板の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】基板と、上記基板上に形成された複数のＴＦＴ素子と、上記基板上に形成された複数色の画素部と、上記画素部上に形成された画素電極と、上記画素部間に配置され、上記ＴＦＴ素子のドレイン電極と上記画素電極とを接続するためのコンタクトホールとを有し、上記コンタクトホール内には、上記ドレイン電極および上記画素電極の間に導電材料が配置されていることを特徴とするカラーフィルタ付ＴＦＴ基板を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】素子基板の対向面の平坦性を確保し、対向基板の観察側から照射光に加え、素子基板の背面側からの照射光によってシール材を硬化させる。
【解決手段】素子基板の対向面における有効表示領域ａでは、反射性を有する画素電極１１８が所定のピッチでマトリクス状に配列する。平面視したときに有効表示領域ａよりも外側であってシール領域ｃよりも内側の無効表示領域ｂには、画素電極１１８と同一層からなる第１導電パターン１３１を設ける。シール領域ｃには画素電極１１８と同一層からなる第２導電パターン１３２を設ける。平面視したときの第２導電パターン１３２の面積密度は、第１導電パターン１３１の面積密度よりも小さくなるようにする。 （もっと読む）

【課題】工程の単純化および／または歩留まりの向上に有利な技術を提供する。
【解決手段】液晶に印加される電界を制御するためのトランジスタと前記トランジスタによって駆動される電極とを含む複数の画素が配列された反射型液晶表示装置を製造する方法は、複数の前記トランジスタがマトリクス状に配列された基板と、複数の前記トランジスタの上に配置された配線構造と、複数の前記電極を形成するために前記配線構造を覆うように配置された金属層とを含む構造体を形成する形成工程と、前記金属層を部分的に露出させる溝によって相互に分離された複数のマスク部を有するマスクパターンを前記金属層の上に形成するマスキング工程と、前記マスクパターンをマスクとして前記金属層の前記溝に露出した部分を水酸化物に変化させる第１処理工程と、前記水酸化物を加熱することによって酸化物に変化させ、前記酸化物によって相互に電気的に絶縁された複数の前記電極を形成する第２処理工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】より高コントラスト化を可能とするブルー相を示す液晶材料を用いた液晶表示装置を提供することを目的の一とする。また、ブルー相を示す液晶を用いた液晶表示装置において、より低消費電力化を達成することを目的の一とする。
【解決手段】画素電極層（第１の電極層ともいう）が設けられた第１の基板と、共通電極層（第２の電極層ともいう）が設けられた第２の基板とでブルー相を示す液晶層を挟持する液晶表示装置において、画素電極層及び共通電極層が、液晶層に突出し、かつ隣接するもの同士が液晶層を介在して間隔をもって噛み合うように配置される。 （もっと読む）

【課題】反射層をパターニングするためのレジスト剥離工程において反射層にダメージが発生するのを抑制することができる表示装置用基板及び液晶表示装置を提供する。
【解決手段】表示領域に反射層が設けられた表示装置用基板であって、上記表示装置用基板は、端子領域を除いて上記表示領域よりも外側の領域で、かつ上記反射層と同じ面側に配置されるパターン膜を有し、上記パターン膜は、上記反射層の材料とイオン化のしやすさが同じ材料、又は、上記反射層の材料よりもイオン化しやすい材料を含む表示装置用基板である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アクティブマトリクス基板の作製工程を増やすことなく、反射電極の鏡面反射を防ぐ凸凹を形成する手段を提供することを課題とする。
【解決手段】
本発明は、反射型の液晶表示装置に用いるアクティブマトリクス基板の作製方法において、画素電極（反射電極）の表面に凹凸を持たせて光散乱性を図るための凸部７０１、７０２の形成をＴＦＴの形成と同じフォトマスクでパターニングを行い、画素電極１６９の表面に凸凹を形成する。 （もっと読む）

【課題】長時間の成膜や研磨を行なわなくても、凹部の上層側を平坦化することのできる液晶装置、該液晶装置の製造方法、および当該液晶装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００の素子基板１０において、シリコン酸化膜からなる絶縁膜１６０によって絶縁膜１６０の下層側に形成された凹部５ａを埋めて平坦化するにあたって、まず、成膜工程では、絶縁膜１６０をＣＶＤ法により成膜中に凹部５ａと重なる領域に発生する空洞１６０ｖが絶縁膜１６０によって密閉されるまで絶縁膜１６０を成膜する。次に、研磨工程では、空洞１６０ｖが絶縁膜１６０の表面で露出しない範囲で絶縁膜１６０の表面を研磨する。 （もっと読む）