【課題】画素電極の電圧が保持され、画質が悪化することがないアクティブマトリックス基板を提供する。
【解決手段】本発明のアクティブマトリクス基板は、基材１１０上で半導体層１５０と接触するように設けられ、互いに対向しチャネル領域を形成するソース電極１２０及びドレイン電極１３０と、前記チャネル領域を制御するゲート電極１４０と、前記ドレイン電極１３０と接続され液晶材料を駆動する画素電極１９０と、を複数有するアクティブマトリクス基板において、複数の前記画素電極１９０の間の空間に配された無機絶縁膜１９５と、前記画素電極１９０とは接触せずに、前記無機絶縁膜１９５と接触するようにして配された遮光膜２００と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】省電力で駆動が可能な光導電スイッチング素子、光導電スイッチング素子アレイ、表示装置および画像形成装置を提供すること。
【解決手段】光導電スイッチング素子アレイ１は、第１の共通電極２と、第１の共通電極２に対向配置され、第１の共通電極２との間で電圧が印加される個別電極３と、第１の共通電極２と個別電極３との間に配置され、アドレス光Ｌ２を受光することにより導電性が発現する光導電層４とを備え、光導電層４は、アドレス光Ｌ２を受光した際に電荷を発生する機能を有する第１の電荷発生層４１および第２の電荷発生層４２と、第１の電荷発生層４１および第２の電荷発生層４２でそれぞれ発生した電荷を輸送する機能を有する電荷輸送層４３とを備え、第１の電荷発生層４１と第２の電荷発生層４２とは、電荷輸送層４３の面方向の異なる位置に配置され、電荷輸送層４３の厚さ方向にも異なる位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】横方向電界の強度を強め、コントラスト比を低下を抑制する。
【解決手段】ブルー相を示す液晶層を挟持する第１の基板及び第２の基板と、前記第１の基板上に設けられたトランジスタと、第１の画素電極および第１の共通電極と、前記第２の基板上に設けられた第２の画素電極および第２の共通電極とを有し、前記第１の画素電極は、前記トランジスタと電気的に接続され、前記第１の画素電極は、前記第２の画素電極と電気的に接続されている液晶表示装置に関する。 （もっと読む）

【課題】安定してブルー相を発現することのできる液晶表示装置を作製する。
【解決手段】液晶組成物を含む液晶層を挟持して、シール材によって第１の基板と第２の基板とを固着し、熱処理により液晶層の配向状態を等方相とし、液晶層に光を照射して、液晶層の高分子安定化処理を行うとともに、光照射中に液晶層の配向状態を等方相からブルー相へと相転移を行う。これによって、ブルー相以外の配向状態を示す欠陥（配向欠陥）を抑制した液晶表示装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体
装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体
層とソース電極層及びドレイン電極層との間に金属酸化物層でなるバッファ層が設けられ
た逆スタガ型（ボトムゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース
電極層及びドレイン電極層と半導体層との間に、バッファ層として金属酸化物層を意図的
に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】高い溶解性を示し、加工性に優れたものであって、高い導電性と透明性とを有する透明導電膜の材料として有用である導電性チエノピラジン共重合体組成物を提供する。
【解決手段】化学式(I)で表される繰り返し単位を有するチエノピラジン共重合体とドーパントとを含有する導電性チエノピラジン共重合体組成物。


[式(I)中、Ｒ^１及びＲ^２は夫々水素原子、アリール基、又は炭素数１〜２０のアルキル基、Ｗ及びＹは夫々２価のチオフェン環、ｎ及びｍは０〜１、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５及びＲ^６は夫々下記化学式(II)Ｒ^７−[Ｘ^１−(ＣＨ_２)_ａ]_ｂ−(Ｘ^２)_ｃ−・・・（II）(式(II)中、Ｒ^７は水素原子、又は炭素数１〜２０のアルキル基、Ｘ^１及びＸ^２は同一又は異なる酸素原子若しくは硫黄原子、[Ｘ^１−(ＣＨ_２)_ａ]は繰り返し単位毎にＸ^１と−(ＣＨ_２)_ａ−とが同一又は異なり、ａは１〜２０、ｂは０〜２０、ｃは０〜１)で示される側鎖基] （もっと読む）

【課題】表示装置の高精細化に伴い、画素数が増加し、ゲート線数、及び信号線数が増加
する。ゲート線数、及び信号線数が増加すると、それらを駆動するための駆動回路を有す
るＩＣチップをボンディング等により実装することが困難となり、製造コストが増大する
という問題がある。
【解決手段】同一基板上に画素部と、画素部を駆動する駆動回路とを有し、駆動回路の少
なくとも一部の回路を、上下をゲート電極で挟んだ酸化物半導体を用いた薄膜トランジス
タで構成する。同一基板上に画素部及び駆動回路を設けることによって製造コストを低減
する。 （もっと読む）

【課題】汎用性の基体を使用し、透明性、導電性、膜強度に優れると共に、高温、高湿度環境下においても透明性、導電性、膜強度の劣化が少ない透明電極用の分散液の調製方法、透明導電膜、透明導電膜の形成方法及び透明導電膜の形成方法で形成された透明導電膜を用いた透明電極を有する有機ＥＬ素子の提供。
【解決手段】少なくとも導電性ポリマーと、前記一般式（Ｉ）、（II）で表わされる構造単位を有するポリマー（Ｋ）を含む分散液の調製方法であって、少なくとも前記導電性ポリマーと前記ポリマー（Ｋ）を含有する分散液を脱溶媒処理することを特徴とする分散液の調製方法。 （もっと読む）

【課題】より高コントラスト化を可能とするブルー相を示す液晶材料を用いた液晶表示装置を提供することを目的の一とする。また、ブルー相を示す液晶を用いた液晶表示装置において、より低消費電力化を達成することを目的の一とする。
【解決手段】画素電極層（第１の電極層ともいう）が設けられた第１の基板と、共通電極層（第２の電極層ともいう）が設けられた第２の基板とでブルー相を示す液晶層を挟持する液晶表示装置において、画素電極層及び共通電極層が、液晶層に突出し、かつ隣接するもの同士が液晶層を介在して間隔をもって噛み合うように配置される。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体
装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体
層とソース電極層及びドレイン電極層との間に金属酸化物層でなるバッファ層が設けられ
た逆スタガ型（ボトムゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース
電極層及びドレイン電極層と半導体層との間に、バッファ層として金属酸化物層を意図的
に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】導体パターンの形成時に生じる廃棄物の量を従来よりも大幅に低減して、歩留まりを高めることができると共に、少ない工程数で比抵抗の低い導体パターンを容易に大きな面積に形成することができる導電性ペーストを提供する。
【解決手段】導電性ペーストに関する。金属ナノワイヤと、ガラス転移温度（Ｔｇ）が０〜２５０℃のバインダー樹脂とを含有する。 （もっと読む）

【課題】狭額縁化が可能であり、表示特性に優れた表示装置を提供する。
【解決手段】第１の逆スタガ型薄膜トランジスタ及び第２の逆スタガ型薄膜トランジスタにより構成されるＥＤＭＯＳ回路を有する論理回路部を有し、第１の逆スタガ型薄膜トランジスタは、第１のゲート電極、ゲート絶縁層、第１の半導体層、第１の一対の不純物半導体層、及び第１の一対の配線を有し、第１の半導体層は、ドナーとなる不純物元素を含む微結晶半導体層と、混合領域と、非晶質半導体を含む層とが積層され、第２の逆スタガ型薄膜トランジスタは、第２のゲート電極、ゲート絶縁層、第２の半導体層、第２の一対の不純物半導体層、及び第２の一対の配線を有し、第２の半導体層は、微結晶半導体層と、非晶質半導体層とが積層されている表示装置。 （もっと読む）

【課題】着色がなく、硬度の高い透明導電膜を提供すること。
【解決手段】本発明の透明導電膜は、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳと、ポリビニルアルコールと、を含有する材料で構成されており、波長４５０ｎｍでの吸光度Ｔ１と波長７５０ｎｍでの吸光度Ｔ２との比Ｔ１／Ｔ２が０．９〜１．１であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レジスト組成物を用いたマスクパターンを用いることなくＴＦＴ及びそれを用いた表示装置を製造することを目的とする。
【解決手段】ロールツーロール方式により加工処理を行う表示装置の製造方法であって、組成物の吐出口が一軸方向に複数個配列した第１の液滴吐出手段により、可撓性を有する基板上に開口部を有する絶縁性樹脂膜を形成し、組成物の吐出口が一軸方向に複数個配列した第２の液滴吐出手段により、開口部にゲート電極を形成し、プラズマの噴出口が一軸方向に複数個配列したノズル体を備えた被膜形成手段により、ゲート電極および絶縁性樹脂膜上にゲート絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】簡略プロセスによりパターニングされた透明導電膜を形成可能であり、高耐溶剤性、高耐水性、高耐アルカリ性、高耐熱性、高透明性、及び下地との密着性等に優れ、かつ高い導電性をも兼ね備える感光性組成物、並びに透明導電膜、表示素子、及び集積型太陽電池の提供。
【解決手段】下記一般式（１）で表される化合物の少なくとも１種と他の不飽和結合を有するモノマーとを共重合してなるランダム共重合体、感光性化合物、及びナノワイヤー構造体を含有する感光性組成物である。


ただし、前記一般式（１）中、Ｒ^１は、水素原子又はメチル基であり、Ｒ^２は、炭素数１〜５のアルキル基であり、ｎは、０〜５の整数である。 （もっと読む）

【課題】本発明の構成を有さない場合に比べ、耐光性に優れた表示媒体、書込装置、及び表示装置を提供する。
【解決手段】表示媒体１２においては、第２の光吸収層３４が、第２の電極２２の光導電層２０とは反対側に設けられている。すなわち、第２の光吸収層３４は、表示媒体１２の光導電層２０より書込光の照射方向上流側に設けられている。この第２の光吸収層３４は、書込光を透過し、且つ３００ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の全波長領域について吸光度１以上の遮光性能を示す。このため、蛍光灯の光のように、書込に利用されない波長の光が非表示面側から光導電層２０へ到ることが抑制され、光導電層２０の外光による光劣化が抑制される。従って、耐光性に優れた表示媒体１２が提供される。 （もっと読む）

【課題】結晶粒径が大きく、均一な結晶性半導体膜を作製する方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜上に接して結晶性半導体膜を形成する第１の工程と、前記第１の工程よりも核生成頻度が低い条件により結晶性半導体膜を成長させる第２の工程と、により結晶性半導体膜を作製する。第２の工程は、第１の工程よりも半導体材料ガスの流量比が小さい条件で行う。これにより、結晶粒径が大きく、均一性の高い結晶性半導体膜を得ることができ、結晶性半導体膜の下地膜に対するプラズマダメージを従来よりも低減することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタに適した液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタを有する液晶表示装置において、少なくとも該酸化物半導体層を覆う層間膜に、透過する可視光の光強度を減衰させる機能を有する膜を用いる。透過する可視光の光強度を減衰させる機能を有する膜としては、着色層を用いることができ、有彩色の透光性樹脂層を用いるとよい。また、有彩色の透光性樹脂層及び遮光層を含む層間膜とし、透過する可視光の光強度を減衰させる機能を有する膜として遮光層を用いてもよい。画素電極層及び共通電極層は上方に形成される方を開口パターンを有する形状とし、下方に形成される方を平板状とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタに適した液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタを有する液晶表示装置において、少なくとも該酸化物半導体層を覆う層間膜に、透過する可視光の光強度を減衰させる機能を有する膜を用いる。透過する可視光の光強度を減衰させる機能を有する膜としては、着色層を用いることができ、有彩色の透光性樹脂層を用いるとよい。また、有彩色の透光性樹脂層及び遮光層を含む層間膜とし、透過する可視光の光強度を減衰させる機能を有する膜として遮光層を用いてもよい。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を活性層に用いた薄膜トランジスタにおいて、活性層を形成する酸化物半導体領域の組成や膜質や界面などの変化を防ぎ、薄膜トランジスタの電気的特性を安定させることを課題の一とする。
【解決手段】第１の酸化物半導体領域を活性層として用いた薄膜トランジスタにおいて、第１の酸化物半導体領域と薄膜トランジスタの保護絶縁層との間に、第１の酸化物半導体より導電率が低い第２の酸化物半導体領域を形成することによって、第２の酸化物半導体領域は第１の酸化物半導体領域の保護層として機能するので、第１の酸化物半導体領域の組成の変化や膜質の劣化を防ぎ、薄膜トランジスタの電気的特性を安定させることができる。 （もっと読む）