電気光学装置、及び電子機器
【課題】不良の発生が抑制され高いコストパフォーマンスを有する電気光学装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】素子基板上に設けられた、ＴＦＴ３０と、ＴＦＴ３０に対応して設けられた画素電極１５と、ＴＦＴ３０と画素電極１５との間に設けられたデータ線６ａと、データ線６ａと画素電極１５との間に設けられた第１容量電極１６ａと、第１容量電極１６ａと画素電極１５との間に設けられ、第１容量電極１６ａの一部に誘電体層を介して対向配置されると共に、電気的にＴＦＴ３０と画素電極１５とに接続された第２容量電極１６ｂと、を備え、第２容量電極１６ｂは、アモルファスタングステンシリサイド膜からなる。
【解決手段】素子基板上に設けられた、ＴＦＴ３０と、ＴＦＴ３０に対応して設けられた画素電極１５と、ＴＦＴ３０と画素電極１５との間に設けられたデータ線６ａと、データ線６ａと画素電極１５との間に設けられた第１容量電極１６ａと、第１容量電極１６ａと画素電極１５との間に設けられ、第１容量電極１６ａの一部に誘電体層を介して対向配置されると共に、電気的にＴＦＴ３０と画素電極１５とに接続された第２容量電極１６ｂと、を備え、第２容量電極１６ｂは、アモルファスタングステンシリサイド膜からなる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記電気光学装置として、画素ごとに薄膜トランジスターなどのスイッチング素子が設けられたアクティブ駆動型の液晶装置が知られている。アクティブ駆動型の液晶装置は、一対の電極間に液晶層を有し、画素ごとに書き込まれた画像信号は、該一対の電極と液晶層とからなる電気容量において一時的に保持される。これに加えて、該画像信号を所定の期間電気的に保持する保持容量が画素ごとに設けられている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、素子基板上において保持容量と画素電極との間に、Ａｌ（アルミニウム）を用いたデータ線が配置された配線構造が開示されている。また、特許文献２には、容量線（シールド電極）と画素電極との間に容量素子を設けた構造が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１７８６５０号公報
【特許文献２】特開２０１０−３９２１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、ＡｌやＴｉＮ（窒化チタン）など導電膜をパターニングするには、塩酸などの塩素系エッチャントが用いられることが多い。このようなエッチャントの成分がエッチング後の基板に残留していると、水分などと結びついてアフターコロージョン（電蝕）が起り、形成された配線や電極が断線したり、短絡（ショート）したりする不具合が発生するおそれがある。したがって、製造工程では、これらのエッチャントを用いる工程を、付加価値が付いた後に採用することを避けたいという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係る電気光学装置は、基板上にトランジスターと、前記トランジスターに対応する画素電極と、前記トランジスターと前記画素電極との間に配置されたデータ線と、前記データ線と前記画素電極との間に配置された第１容量電極と、前記第１容量電極と前記画素電極との間に配置され、前記第１容量電極の一部に誘電体層を介して対向配置されると共に、電気的に前記トランジスターと前記画素電極とに接続された第２容量電極と、を備え、前記第２容量電極は、アモルファス金属シリサイド膜からなることを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、基板上において、例えば遮光性の金属配線材料が用いられるデータ線や第１容量電極が形成された後に、アモルファス金属シリサイド膜を用いて第２容量電極が形成される。その後に、例えば透明導電膜が用いられる画素電極が形成されることになる。また、第２容量電極がアモルファス金属シリサイド膜からなるため、塩素系のエッチャントを用いずに第２容量電極をパターニング可能となる。これにより、当該エッチャントの成分の残留に起因する配線や電極の断線あるいは短絡（ショート）などの不具合が、トランジスターや配線などを設けた後に発生することを低減できる。言い換えれば、付加価値が付いた状態で不良が発生することが低減されるので、高いコストパフォーマンスを有する電気光学装置を提供できる。
【０００９】
なお、「トランジスターと画素電極との間」「データ線と画素電極との間」「第１容量電極と画素電極との間」は、物理的に間にあるだけでなく、層構造として間の層にあることも含む。また、「少なくとも一部が平面視で重なる構成」や「平面視で重ならない構成」も含んでいる。
【００１０】
［適用例２］上記適用例に係る電気光学装置において、前記データ線と交差するように配置された走査線を備え、前記トランジスターは、前記データ線と前記走査線との交差部に設けられ、前記第２容量電極は、前記トランジスターの半導体層と平面的に重なるように設けられていることが好ましい。
【００１１】
この構成によれば、アモルファス金属シリサイド膜からなる第２容量電極は遮光性を有している。したがって、データ線や走査線を、同じく遮光性の金属材料を用いて形成すれば、トランジスターの半導体層に対して複数段の遮光構造を実現することができる。つまり、不必要な光が半導体層に侵入して光リーク電流が流れるなどトランジスターの動作が不安定になることを確実に防止できる。
【００１２】
［適用例３］上記適用例に係る電気光学装置において、前記トランジスターの半導体層は、前記データ線と交差する方向に延在して設けられていることが好ましい。
【００１３】
この構成によれば、トランジスターとデータ線とを電気的に接続させるコンタクトホールをデータ線の延在部分に設けなくてもよいので、当該コンタクトホールが第１容量電極や第２容量電極を設けることに邪魔になり難い。言い換えれば、蓄積容量を構成する一対の容量電極の面積を比較的に大きくできるので、所望の電気容量を有する蓄積容量を構成し易い。
【００１４】
［適用例４］上記適用例に係る電気光学装置において、前記画素電極と前記第２容量電極とを電気的に接続させるコンタクトホールを有し、前記コンタクトホールは、前記トランジスターのゲート電極、前記データ線、前記第１容量電極と平面的に重なる位置に設けられていることが好ましい。
【００１５】
この構成によれば、ゲート電極、データ線、第１容量電極はいずれも遮光性の金属材料を用いることができるので、これらと平面的に重なるように画素電極と第２容量電極とを電気的に接続させるコンタクトホールを設ければ、画素における開口率が当該コンタクトホールを設けることで低下しない。言い換えれば、遮光性のアモルファス金属シリサイド膜を用いて第２容量電極を形成したとしても、開口率を低下させることなく、所望の光学特性が得られる電気光学装置を提供できる。
【００１６】
［適用例５］上記適用例に係る電気光学装置において、前記第２容量電極は、アモルファスタングステンシリサイド膜からなることが好ましい。
【００１７】
この構成によれば、タングステン（Ｗ）を用いることにより、他の金属に比べて比抵抗を低くすることができる。
【００１８】
［適用例６］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
【００１９】
この構成によれば、上記適用例の電気光学装置を備えているので、高いコストパフォーマンスを有する電子機器を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】（ａ）は液晶装置の構成を示す模式平面図、（ｂ）は（ａ）のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図。
【図２】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図３】液晶装置における画素の配置を示す概略平面図。
【図４】液晶装置における画素の構成を具体的に示す概略平面図。
【図５】図４のＡ−Ａ’線に沿う画素の構造を示す概略断面図。
【図６】電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００２２】
本実施形態では、薄膜トランジスター（Thin Film Transistor；ＴＦＴ）を画素のスイッチング素子として備えた電気光学装置としてのアクティブマトリクス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００２３】
＜電気光学装置（液晶装置）の構成＞
図１（ａ）は、電気光学装置としての液晶装置の構成を示す模式平面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図である。図２は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の構造を、図１及び図２を参照しながら説明する。
【００２４】
図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０および対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層５０とを有する。素子基板１０および対向基板２０は、透明な例えば石英などのガラス基板が用いられている。
【００２５】
素子基板１０は対向基板２０よりも一回り大きく、両基板は、額縁状に配置されたシール材４０を介して接合され、その隙間に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層５０を構成している。シール材４０は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材４０には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。
【００２６】
額縁状に配置されたシール材４０の内側には、同じく額縁状に遮光膜２１が設けられている。遮光膜２１は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光膜２１の内側が複数の画素Ｐを有する表示領域Ｅとなっている。なお、図１では図示省略したが、表示領域Ｅにおいても複数の画素Ｐを平面的に区分する遮光部が設けられている。
【００２７】
素子基板１０の１辺部に沿ったシール材４０との間にデータ線駆動回路１０１が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材４０の内側に検査回路１０３が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材４０の内側に走査線駆動回路１０２が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部のシール材４０の内側には、２つの走査線駆動回路１０２を繋ぐ複数の配線１０５が設けられている。
【００２８】
これらデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続端子１０４に接続されている。以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。なお、検査回路１０３の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路１０１と表示領域Ｅとの間のシール材４０の内側に沿った位置に設けてもよい。
【００２９】
図１（ｂ）に示すように、素子基板１０の液晶層５０側の表面には、画素Ｐごとに設けられた光透過性を有する画素電極１５およびスイッチング素子としての薄膜トランジスター（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）３０と、信号配線と、これらを覆う配向膜１８とが形成されている。また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。当該遮光構造については後述する。
【００３０】
対向基板２０の液晶層５０側の表面には、遮光膜２１と、これを覆うように成膜された層間膜層２２と、層間膜層２２を覆うように設けられた共通電極２３と、共通電極２３を覆う配向膜２４とが設けられている。
【００３１】
遮光膜２１は、図１（ａ）に示すように平面的にデータ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０２、検査回路１０３と重なる位置において額縁状に設けられている。これにより対向基板２０側から入射する光を遮蔽して、これらの駆動回路を含む周辺回路の光による誤動作を防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮蔽して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
【００３２】
層間膜層２２は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光膜２１を覆うように設けられている。このような層間膜層２２の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
【００３３】
共通電極２３は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、層間膜層２２を覆うと共に、図１（ａ）に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部１０６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
【００３４】
画素電極１５を覆う配向膜１８および共通電極２３を覆う配向膜２４は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。例えば、ポリイミドなどの有機材料を成膜して、その表面をラビングすることにより、液晶分子に対して略水平配向処理が施されたものや、ＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を気相成長法を用いて成膜して、液晶分子に対して略垂直配向させたものが挙げられる。
【００３５】
図２に示すように、液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する信号線としての複数の走査線３ａおよび複数のデータ線６ａと、データ線６ａに沿って平行に配置された容量線３ｂとを有する。走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。
【００３６】
走査線３ａとデータ線６ａならびに容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極１５と、ＴＦＴ３０と、保持容量１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００３７】
走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のデータ線側ソースドレイン領域に電気的に接続されている。画素電極１５はＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域に電気的に接続されている。
【００３８】
データ線６ａはデータ線駆動回路１０１（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路１０１から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは走査線駆動回路１０２（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路１０２から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。
【００３９】
データ線駆動回路１０１からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路１０２は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
【００４０】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極１５に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極１５を介して液晶層５０に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極１５と液晶層５０を介して対向配置された共通電極２３との間で一定期間保持される。
【００４１】
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極１５と共通電極２３との間に形成される液晶容量と並列に保持容量１６が接続されている。保持容量１６は、ＴＦＴ３０のドレインと容量線３ｂとの間に設けられている。
【００４２】
保持容量１６は、遮光性の第１容量電極および第２容量電極との間に誘電体層を有するものである。また、上記第１容量電極が上記容量線３ｂの機能を果たしている。
【００４３】
これにより、双方が同じ形状の容量電極である場合に比べて実質的な表面積を増やすことができ、保持容量１６において所望の電気容量が確保されている。また、容量線３ｂ（第１容量電極）は、固定電位に接続されている。
【００４４】
なお、図１（ａ）に示した検査回路１０３には、データ線６ａが接続されており、液晶装置１００の製造過程において、上記画像信号を検出することで液晶装置１００の動作欠陥などを確認できる構成となっているが、図２の等価回路では省略している。
【００４５】
また、検査回路１０３は、上記画像信号をサンプリングしてデータ線６ａに供給するサンプリング回路、データ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して供給するプリチャージ回路を含むものとしてもよい。
【００４６】
このような液晶装置１００は透過型であって、画素Ｐが非駆動時に明表示となるノーマリーホワイトモードや、非駆動時に暗表示となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。
【００４７】
図３は、液晶装置における画素の配置を示す模式平面図である。図４（ａ）及び（ｂ）は、液晶装置における画素の構成を示す模式平面図である。図５は、図４に示す画素のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図である。以下、画素の平面的な配置と断面構造について、図３〜図５を参照しながら説明する。
【００４８】
図３に示すように、液晶装置１００における画素Ｐは、例えば平面的に略四角形の開口領域を有する。開口領域は、Ｘ方向とＹ方向とに延在し格子状に設けられた遮光性の非開口領域により囲まれている。
【００４９】
Ｘ方向に延在する非開口領域には、図２に示した走査線３ａが設けられている。走査線３ａは遮光性の導電部材が用いられており、走査線３ａによって非開口領域の少なくとも一部が構成されている。
【００５０】
同じく、Ｙ方向に延在する非開口領域には、図２に示したデータ線６ａと容量線３ｂが設けられている。データ線６ａおよび容量線３ｂも遮光性の導電部材が用いられており、これらによって非開口領域の少なくとも一部が構成されている。
【００５１】
非開口領域は、素子基板１０側に設けられた上記信号線類によって構成されるだけでなく、対向基板２０側において格子状にパターニングされた遮光膜２１（図１参照）によっても構成することができる。
【００５２】
非開口領域の交差部付近には、図２に示したＴＦＴ３０や保持容量１６が設けられている。遮光性を有する非開口領域の交差部付近にＴＦＴ３０を設けることにより、ＴＦＴ３０の光誤動作を防止すると共に、開口領域における開口率を確保している。詳しい画素Ｐの構造については後述するが、交差部付近にＴＦＴ３０や保持容量１６を設ける関係上、交差部付近の非開口領域の幅は、他の部分に比べて広くなっている。
【００５３】
図４（ａ）は、走査線３ａが設けられた層から、データ線６ａが設けられた層までの平面的な構造を示している。図４（ｂ）は、データ線６ａが設けられた層から、画素電極１５が設けられた層までの平面的な構造を示している。
【００５４】
図４に示すように、画素Ｐは、走査線３ａとデータ線６ａの交差部に設けられたＴＦＴ３０を有している。ＴＦＴ３０は、データ線側ソースドレイン領域３０ｓと、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄと、チャネル領域３０ｃと、データ線側ソースドレイン領域３０ｓとチャネル領域３０ｃとの間に設けられた接合領域３０ｅと、チャネル領域３０ｃと画素電極側ソースドレイン領域３０ｄとの間に設けられた接合領域３０ｆとを有するＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造の半導体層３０ａを有している。半導体層３０ａは上記交差部を通過して、走査線３ａと重なるように配置されている。
【００５５】
走査線３ａはデータ線６ａとの交差部において、Ｘ，Ｙ方向に拡張された平面視で四角形の拡張部を有している。当該拡張部に平面的に重なると共に接合領域３０ｆおよび画素電極側ソースドレイン領域３０ｄと重ならない開口部を有する折れ曲がった形状のゲート電極３０ｇが設けられている。
【００５６】
ゲート電極３０ｇは、Ｙ方向に延在した部分が平面的にチャネル領域３０ｃと重なっている。また、チャネル領域３０ｃと重なった部分から折り曲げられてＸ方向に延在し、互いに対向する部分がそれぞれ走査線３ａの拡張部との間に設けられたコンタクトホールＣＮＴ５，ＣＮＴ６によって、電気的に走査線３ａと接続している。
【００５７】
コンタクトホールＣＮＴ５，ＣＮＴ６は、平面視でＸ方向が長い矩形状（長方形）であって、半導体層３０ａのチャネル領域３０ｃと接合領域３０ｆとに沿って接合領域３０ｆを挟むように両側に設けられている。
【００５８】
データ線６ａは、Ｙ方向に延在すると共に、走査線３ａとの交差部において同じく拡張部を有し、当該拡張部からＸ方向に突出した部分に設けられたコンタクトホールＣＮＴ１によってデータ線側ソースドレイン領域３０ｓと電気的に接続している。コンタクトホールＣＮＴ１を含む部分がデータ線側ソースドレイン電極３１となっている。一方、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄの端部にもコンタクトホールＣＮＴ２，ＣＮＴ３が設けられており、コンタクトホールＣＮＴ２を含む部分が画素電極側ソースドレイン電極３２（図５参照）となっている。
【００５９】
拡張部の一部と平面的に重なるようにコンタクトホールＣＮＴ４が設けられており、コンタクトホールＣＮＴ２とコンタクトホールＣＮＴ３とは島状に設けられた中継電極６ｂによって電気的に接続している。コンタクトホールＣＮＴ３とコンタクトホールＣＮＴ４とは、保持容量１６の第２容量電極１６ｂによって中継されて電気的に接続されている。詳しいコンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ２，ＣＮＴ３，ＣＮＴ４の構造については、後述する。
【００６０】
画素電極１５は、走査線３ａやデータ線６ａと外縁部が重なるように設けられており、本実施形態では走査線３ａと重なる位置に設けられた２つのコンタクトホールＣＮＴ３，ＣＮＴ４を介して画素電極側ソースドレイン電極３２に電気的に接続されている。
【００６１】
図４（ｂ）に示すように、保持容量１６は、第１容量電極１６ａと、第１容量電極１６ａに対向配置された第２容量電極１６ｂとを有している。第１容量電極１６ａは、走査線３ａの拡張部と重なる部分と、該拡張部と重なった部分から走査線３ａの延在方向とデータ線６ａの延在方向とに延出された部分とを有しており、非開口領域（図３参照）に配置されている。
【００６２】
一方、第２容量電極１６ｂは、画素Ｐごとに独立して島状に設けられている。１つの画素Ｐを囲むようにして当該画素Ｐの第２容量電極１６ｂと隣り合う画素Ｐの第２容量電極１６ｂとが配置され、遮光性の非開口領域（図３参照）を構成している。
【００６３】
より具体的には、第２容量電極１６ｂは、データ線６ａと走査線３ａとの交差部における拡張部と平面的に重なる四角形部分と、四角形部分からデータ線６ａに沿ってＹ方向に突出した突出部と、同じく四角形部分から走査線３ａに沿って突出した突出部とを有している。突出部の一部はコンタクトホールＣＮＴ４と重なる位置まで突出し、コンタクトホールＣＮＴ３とコンタクトホールＣＮＴ４とを電気的に接続させる中継層としても機能している。
【００６４】
次に、図５を参照して、画素Ｐの構造について、さらに詳しく説明する。図５に示すように、素子基板１０上には、まず走査線３ａが形成される。走査線３ａは、例えばＡｌ、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）などの金属のうちの少なくとも１つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライド、あるいはこれらが積層されたものを用いることができ、遮光性を有している。
【００６５】
走査線３ａを覆うように例えば酸化シリコンなどからなる下地絶縁膜１１ａが形成され、下地絶縁膜１１ａ上に島状に半導体層３０ａが形成される。半導体層３０ａは例えば多結晶シリコン膜からなり、不純物イオンが注入されて、前述したデータ線側ソースドレイン領域３０ｓ、接合領域３０ｅ、チャネル領域３０ｃ、接合領域３０ｆ、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄを有するＬＤＤ構造が形成されている。
【００６６】
半導体層３０ａを覆うように第１絶縁膜（ゲート絶縁膜）１１ｂが形成される。さらに第１絶縁膜１１ｂを挟んでチャネル領域３０ｃに対向する位置にゲート電極３０ｇが形成される。
【００６７】
ゲート電極３０ｇと第１絶縁膜１１ｂとを覆うようにして第２絶縁膜１１ｃが形成され、半導体層３０ａのそれぞれの端部と重なる位置に第１絶縁膜１１ｂ、第２絶縁膜１１ｃを貫通する２つのコンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ２が形成される。
【００６８】
そして、２つのコンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ２を埋めると共に第２絶縁膜１１ｃを覆うようにＡｌ（アルミニウム）などの遮光性の導電部材料を用いて導電膜を成膜し、これをパターニングすることにより、コンタクトホールＣＮＴ１を介してデータ線側ソースドレイン領域３０ｓに繋がるデータ線側ソースドレイン電極３１ならびにデータ線６ａが形成される。同時にコンタクトホールＣＮＴ２を介して画素電極側ソースドレイン領域３０ｄに繋がる画素電極側ソースドレイン電極３２（中継電極６ｂ）が形成される。
【００６９】
次に、データ線６ａおよび中継電極６ｂと第２絶縁膜１１ｃを覆って層間絶縁膜１２が形成される。層間絶縁膜１２は、例えばシリコンの酸化物や窒化物からなり、ＴＦＴ３０が設けられた領域を覆うことによって生ずる表面の凹凸を平坦化する平坦化処理が施される。平坦化処理の方法としては、例えば化学的研磨処理（Chamical Mechanical Polishing：ＣＭＰ処理）やスピンコート処理などが挙げられる。
【００７０】
層間絶縁膜１２を覆うように導電膜が形成され、これを後にコンタクトホールＣＮＴ３が形成される部分を除去してパターニングすることにより、第１容量電極１６ａが形成される。
【００７１】
第１容量電極１６ａを覆って誘電体層１３ｂが成膜される。誘電体層１３ｂとしては、シリコン窒化膜や、酸化ハウニュウム（ＨｆＯ2）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）などの単層膜、またはこれらの単層膜のうち少なくとも２種の単層膜を積層した多層膜を用いてもよい。
【００７２】
平面的に中継電極６ｂと重なる位置に層間絶縁膜１２と誘電体層１３ｂとを貫通するコンタクトホールＣＮＴ３が形成される。このコンタクトホールＣＮＴ３を埋めるとともに誘電体層１３ｂを覆う導電膜が形成され、これをパターニングすることにより、第１容量電極１６ａに対向配置され、コンタクトホールＣＮＴ３を介して中継電極６ｂに繋がる第２容量電極１６ｂが形成される。
【００７３】
次に、第２容量電極１６ｂと誘電体層１３ｂとを覆う層間絶縁膜１４が形成される。層間絶縁膜１４も例えばシリコンの酸化物や窒化物からなり、層間絶縁膜１２と同様に平坦化処理を施してもよい。
【００７４】
層間絶縁膜１４を貫通するコンタクトホールＣＮＴ４が第２容量電極１６ｂと重なる位置に形成され、このコンタクトホールＣＮＴ４を埋めるようにしてＩＴＯなどの透明導電膜が成膜される。この透明導電膜をパターニングしてコンタクトホールＣＮＴ４を介して第２容量電極１６ｂと繋がる画素電極１５が形成される。
【００７５】
上述したように第２容量電極１６ｂはコンタクトホールＣＮＴ３および中継電極６ｂを介してＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン電極３２と電気的に接続すると共に、コンタクトホールＣＮＴ４を介して画素電極１５と電気的に接続している。
【００７６】
第１容量電極１６ａの本線部は上述したようにデータ線６ａの延在方向（Ｙ方向）において複数の画素Ｐに跨るように形成され、等価回路（図２参照）における容量線３ｂとしても機能している。これにより、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン電極３２を介して画素電極１５に与えられた電位を第１容量電極１６ａと第２容量電極１６ｂとの間において保持することができる。
【００７７】
第１容量電極１６ａは、例えば、低抵抗配線材料であるＡｌ（アルミニウム）を用いて形成され、厚みはおよそ３００ｎｍ〜５００ｎｍである。
【００７８】
第２容量電極１６ｂを構成する導電膜は、例えば、アモルファス金属シリサイドを用いることができる。具体的には、例えば、アモルファスタングステンシリサイド（ａＷＳｉ）である。厚みはおよそ２００ｎｍである。第２容量電極１６ｂの形成方法としては、例えば、ターゲットとしてＷＳｉを用いたスパッタ法、成膜温度はアルミニウム配線が溶解しにくい４００℃以下とする。
【００７９】
このように、アルミニウムなどが用いられるデータ線６ａや第１容量電極１６ａが形成された後に、アモルファスタングステンシリサイド膜を用いて第２容量電極１６ｂを形成するので、塩素系のエッチャントを用いずに第２容量電極１６ｂをパターニング可能となり、エッチャントの成分の残留に起因する配線や電極の断線あるいは短絡（ショート）などの不具合が、ＴＦＴ３０や配線などを設けた後に発生することを抑えることができる。
【００８０】
＜電子機器の構成＞
図６は、上記した液晶装置を備えた電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図である。以下、液晶装置を備えた投射型表示装置の構成を、図６を参照しながら説明する。
【００８１】
図６に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【００８２】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【００８３】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【００８４】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【００８５】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【００８６】
液晶ライトバルブ１２１０は、上述した液晶装置１００が適用されたものである。液晶装置１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
【００８７】
このような投射型表示装置１０００によれば、上記した液晶装置１００が採用された液晶モジュールを介すことによって、かかるコストを抑え、効率よく組み立てることができる。
【００８８】
以上詳述したように、本実施形態の電気光学装置としての液晶装置１００、及び電子機器によれば、以下に示す効果が得られる。
【００８９】
（１）本実施形態の液晶装置１００によれば、例えば、遮光性の金属配線材料としてアルミニウムが用いられるデータ線６ａや第１容量電極１６ａが形成された後に、アモルファスタングステンシリサイド膜を用いて第２容量電極１６ｂを形成し、その後に、透明導電膜が用いられる画素電極１５を形成する。第２容量電極１６ｂをアモルファスタングステンシリサイド膜から形成するため、塩素系のエッチャントを用いずに第２容量電極１６ｂをパターニング可能となる。これにより、当該エッチャントの成分の残留に起因する配線や電極の断線あるいは短絡（ショート）などの不具合が、ＴＦＴ３０や配線などを設けた後に発生することを低減できる。言い換えれば、付加価値が付いた状態で不良が発生することが低減されるので、高いコストパフォーマンスを有する液晶装置１００を提供できる。加えて、第２容量電極１６ｂの材料としてアモルファスタングステンシリサイドを用いるので、他の金属に比べて比抵抗を低くすることができる。
【００９０】
（２）本実施形態の電子機器によれば、上記のような液晶装置１００を備えているので、高いコストパフォーマンスを有する電子機器を提供することができる。
【００９１】
なお、実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。
【００９２】
（変形例１）
上記したように、画素Ｐごとに設けられる第２容量電極１６ｂは、画素Ｐが高精細になると電極面積を稼ぐことが難しくなる。よって、データ線６ａと走査線３ａの交差部と重ねるだけでなく、当該部分から隣接する画素Ｐに沿うデータ線６ａや走査線３ａの延在方向に突出させた突出部を設けることが好ましい。
【００９３】
（変形例２）
上記したように、ＴＦＴ３０における半導体層３０ａの配置は、上記実施形態のように走査線３ａと重ねる配置に限定されない。例えば、データ線６ａと重ねる配置や半導体層３０ａを途中で折り曲げて、走査線３ａとデータ線６ａとに重ねるように配置したとしても、本願の保持容量１６の構成を適用することができる。
【００９４】
（変形例３）
上記したように、液晶装置１００が適用される電子機器は、上記実施形態の投射型表示装置１０００に限定されない。例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディプレイ）、または電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、ＰＯＳなどの情報端末機器の表示部として好適に用いることができる。
【００９５】
（変形例４）
上記素子基板１０の配線構造を適用可能な電気光学装置は、上記液晶装置１００に限定されない。例えば、トランジスターを備えたアクティブ駆動型の電気光学装置であって、有機ＥＬ（Electro Luminessence）装置、電気泳動装置などの表示装置にも適用することができる。
【符号の説明】
【００９６】
３ａ…走査線、３ｂ…容量線、６ａ…データ線、６ｂ…中継電極、１０…素子基板、１１ａ…下地絶縁膜、１１ｂ…第１絶縁膜（ゲート絶縁膜）、１１ｃ…第２絶縁膜、１２…層間絶縁膜、１３ｂ…誘電体層、１４…層間絶縁膜、１５…画素電極、１６…保持容量、１６ａ…第１容量電極、１６ｂ…第２容量電極、１８…配向膜、２０…対向基板、２１…遮光膜、２２…層間膜層、２３…共通電極、２４…配向膜、３０…ＴＦＴ、３０ａ…半導体層、３０ｓ…データ線側ソースドレイン領域、３０ｃ…チャネル領域、３０ｅ，３０ｆ…接合領域、３０ｄ…画素電極側ソースドレイン領域、３０ｇ…ゲート電極、３１…データ線側ソースドレイン電極、３２…画素電極側ソースドレイン電極、４０…シール材、５０…液晶層、１００…液晶装置、１０１…データ線駆動回路、１０２…走査線駆動回路、１０３…検査回路、１０４…外部接続端子、１０５…配線、１０６…上下導通部、１０００…投射型表示装置、１１００…偏光照明装置、１１０１…ランプユニット、１１０２…インテグレーターレンズ、１１０３…偏光変換素子、１１０４，１１０５…ダイクロイックミラー、１１０６，１１０７，１１０８…反射ミラー、１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５…リレーレンズ、１２０６…クロスダイクロイックプリズム、１２０７…投射レンズ、１２１０，１２２０，１２３０…液晶ライトバルブ、１３００…スクリーン。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記電気光学装置として、画素ごとに薄膜トランジスターなどのスイッチング素子が設けられたアクティブ駆動型の液晶装置が知られている。アクティブ駆動型の液晶装置は、一対の電極間に液晶層を有し、画素ごとに書き込まれた画像信号は、該一対の電極と液晶層とからなる電気容量において一時的に保持される。これに加えて、該画像信号を所定の期間電気的に保持する保持容量が画素ごとに設けられている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、素子基板上において保持容量と画素電極との間に、Ａｌ（アルミニウム）を用いたデータ線が配置された配線構造が開示されている。また、特許文献２には、容量線（シールド電極）と画素電極との間に容量素子を設けた構造が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１７８６５０号公報
【特許文献２】特開２０１０−３９２１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、ＡｌやＴｉＮ（窒化チタン）など導電膜をパターニングするには、塩酸などの塩素系エッチャントが用いられることが多い。このようなエッチャントの成分がエッチング後の基板に残留していると、水分などと結びついてアフターコロージョン（電蝕）が起り、形成された配線や電極が断線したり、短絡（ショート）したりする不具合が発生するおそれがある。したがって、製造工程では、これらのエッチャントを用いる工程を、付加価値が付いた後に採用することを避けたいという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係る電気光学装置は、基板上にトランジスターと、前記トランジスターに対応する画素電極と、前記トランジスターと前記画素電極との間に配置されたデータ線と、前記データ線と前記画素電極との間に配置された第１容量電極と、前記第１容量電極と前記画素電極との間に配置され、前記第１容量電極の一部に誘電体層を介して対向配置されると共に、電気的に前記トランジスターと前記画素電極とに接続された第２容量電極と、を備え、前記第２容量電極は、アモルファス金属シリサイド膜からなることを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、基板上において、例えば遮光性の金属配線材料が用いられるデータ線や第１容量電極が形成された後に、アモルファス金属シリサイド膜を用いて第２容量電極が形成される。その後に、例えば透明導電膜が用いられる画素電極が形成されることになる。また、第２容量電極がアモルファス金属シリサイド膜からなるため、塩素系のエッチャントを用いずに第２容量電極をパターニング可能となる。これにより、当該エッチャントの成分の残留に起因する配線や電極の断線あるいは短絡（ショート）などの不具合が、トランジスターや配線などを設けた後に発生することを低減できる。言い換えれば、付加価値が付いた状態で不良が発生することが低減されるので、高いコストパフォーマンスを有する電気光学装置を提供できる。
【０００９】
なお、「トランジスターと画素電極との間」「データ線と画素電極との間」「第１容量電極と画素電極との間」は、物理的に間にあるだけでなく、層構造として間の層にあることも含む。また、「少なくとも一部が平面視で重なる構成」や「平面視で重ならない構成」も含んでいる。
【００１０】
［適用例２］上記適用例に係る電気光学装置において、前記データ線と交差するように配置された走査線を備え、前記トランジスターは、前記データ線と前記走査線との交差部に設けられ、前記第２容量電極は、前記トランジスターの半導体層と平面的に重なるように設けられていることが好ましい。
【００１１】
この構成によれば、アモルファス金属シリサイド膜からなる第２容量電極は遮光性を有している。したがって、データ線や走査線を、同じく遮光性の金属材料を用いて形成すれば、トランジスターの半導体層に対して複数段の遮光構造を実現することができる。つまり、不必要な光が半導体層に侵入して光リーク電流が流れるなどトランジスターの動作が不安定になることを確実に防止できる。
【００１２】
［適用例３］上記適用例に係る電気光学装置において、前記トランジスターの半導体層は、前記データ線と交差する方向に延在して設けられていることが好ましい。
【００１３】
この構成によれば、トランジスターとデータ線とを電気的に接続させるコンタクトホールをデータ線の延在部分に設けなくてもよいので、当該コンタクトホールが第１容量電極や第２容量電極を設けることに邪魔になり難い。言い換えれば、蓄積容量を構成する一対の容量電極の面積を比較的に大きくできるので、所望の電気容量を有する蓄積容量を構成し易い。
【００１４】
［適用例４］上記適用例に係る電気光学装置において、前記画素電極と前記第２容量電極とを電気的に接続させるコンタクトホールを有し、前記コンタクトホールは、前記トランジスターのゲート電極、前記データ線、前記第１容量電極と平面的に重なる位置に設けられていることが好ましい。
【００１５】
この構成によれば、ゲート電極、データ線、第１容量電極はいずれも遮光性の金属材料を用いることができるので、これらと平面的に重なるように画素電極と第２容量電極とを電気的に接続させるコンタクトホールを設ければ、画素における開口率が当該コンタクトホールを設けることで低下しない。言い換えれば、遮光性のアモルファス金属シリサイド膜を用いて第２容量電極を形成したとしても、開口率を低下させることなく、所望の光学特性が得られる電気光学装置を提供できる。
【００１６】
［適用例５］上記適用例に係る電気光学装置において、前記第２容量電極は、アモルファスタングステンシリサイド膜からなることが好ましい。
【００１７】
この構成によれば、タングステン（Ｗ）を用いることにより、他の金属に比べて比抵抗を低くすることができる。
【００１８】
［適用例６］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
【００１９】
この構成によれば、上記適用例の電気光学装置を備えているので、高いコストパフォーマンスを有する電子機器を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】（ａ）は液晶装置の構成を示す模式平面図、（ｂ）は（ａ）のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図。
【図２】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図３】液晶装置における画素の配置を示す概略平面図。
【図４】液晶装置における画素の構成を具体的に示す概略平面図。
【図５】図４のＡ−Ａ’線に沿う画素の構造を示す概略断面図。
【図６】電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００２２】
本実施形態では、薄膜トランジスター（Thin Film Transistor；ＴＦＴ）を画素のスイッチング素子として備えた電気光学装置としてのアクティブマトリクス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００２３】
＜電気光学装置（液晶装置）の構成＞
図１（ａ）は、電気光学装置としての液晶装置の構成を示す模式平面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図である。図２は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の構造を、図１及び図２を参照しながら説明する。
【００２４】
図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０および対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層５０とを有する。素子基板１０および対向基板２０は、透明な例えば石英などのガラス基板が用いられている。
【００２５】
素子基板１０は対向基板２０よりも一回り大きく、両基板は、額縁状に配置されたシール材４０を介して接合され、その隙間に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層５０を構成している。シール材４０は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材４０には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。
【００２６】
額縁状に配置されたシール材４０の内側には、同じく額縁状に遮光膜２１が設けられている。遮光膜２１は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光膜２１の内側が複数の画素Ｐを有する表示領域Ｅとなっている。なお、図１では図示省略したが、表示領域Ｅにおいても複数の画素Ｐを平面的に区分する遮光部が設けられている。
【００２７】
素子基板１０の１辺部に沿ったシール材４０との間にデータ線駆動回路１０１が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材４０の内側に検査回路１０３が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材４０の内側に走査線駆動回路１０２が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部のシール材４０の内側には、２つの走査線駆動回路１０２を繋ぐ複数の配線１０５が設けられている。
【００２８】
これらデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続端子１０４に接続されている。以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。なお、検査回路１０３の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路１０１と表示領域Ｅとの間のシール材４０の内側に沿った位置に設けてもよい。
【００２９】
図１（ｂ）に示すように、素子基板１０の液晶層５０側の表面には、画素Ｐごとに設けられた光透過性を有する画素電極１５およびスイッチング素子としての薄膜トランジスター（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）３０と、信号配線と、これらを覆う配向膜１８とが形成されている。また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。当該遮光構造については後述する。
【００３０】
対向基板２０の液晶層５０側の表面には、遮光膜２１と、これを覆うように成膜された層間膜層２２と、層間膜層２２を覆うように設けられた共通電極２３と、共通電極２３を覆う配向膜２４とが設けられている。
【００３１】
遮光膜２１は、図１（ａ）に示すように平面的にデータ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０２、検査回路１０３と重なる位置において額縁状に設けられている。これにより対向基板２０側から入射する光を遮蔽して、これらの駆動回路を含む周辺回路の光による誤動作を防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮蔽して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
【００３２】
層間膜層２２は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光膜２１を覆うように設けられている。このような層間膜層２２の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
【００３３】
共通電極２３は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、層間膜層２２を覆うと共に、図１（ａ）に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部１０６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
【００３４】
画素電極１５を覆う配向膜１８および共通電極２３を覆う配向膜２４は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。例えば、ポリイミドなどの有機材料を成膜して、その表面をラビングすることにより、液晶分子に対して略水平配向処理が施されたものや、ＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を気相成長法を用いて成膜して、液晶分子に対して略垂直配向させたものが挙げられる。
【００３５】
図２に示すように、液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する信号線としての複数の走査線３ａおよび複数のデータ線６ａと、データ線６ａに沿って平行に配置された容量線３ｂとを有する。走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。
【００３６】
走査線３ａとデータ線６ａならびに容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極１５と、ＴＦＴ３０と、保持容量１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００３７】
走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のデータ線側ソースドレイン領域に電気的に接続されている。画素電極１５はＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域に電気的に接続されている。
【００３８】
データ線６ａはデータ線駆動回路１０１（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路１０１から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは走査線駆動回路１０２（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路１０２から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。
【００３９】
データ線駆動回路１０１からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路１０２は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
【００４０】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極１５に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極１５を介して液晶層５０に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極１５と液晶層５０を介して対向配置された共通電極２３との間で一定期間保持される。
【００４１】
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極１５と共通電極２３との間に形成される液晶容量と並列に保持容量１６が接続されている。保持容量１６は、ＴＦＴ３０のドレインと容量線３ｂとの間に設けられている。
【００４２】
保持容量１６は、遮光性の第１容量電極および第２容量電極との間に誘電体層を有するものである。また、上記第１容量電極が上記容量線３ｂの機能を果たしている。
【００４３】
これにより、双方が同じ形状の容量電極である場合に比べて実質的な表面積を増やすことができ、保持容量１６において所望の電気容量が確保されている。また、容量線３ｂ（第１容量電極）は、固定電位に接続されている。
【００４４】
なお、図１（ａ）に示した検査回路１０３には、データ線６ａが接続されており、液晶装置１００の製造過程において、上記画像信号を検出することで液晶装置１００の動作欠陥などを確認できる構成となっているが、図２の等価回路では省略している。
【００４５】
また、検査回路１０３は、上記画像信号をサンプリングしてデータ線６ａに供給するサンプリング回路、データ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して供給するプリチャージ回路を含むものとしてもよい。
【００４６】
このような液晶装置１００は透過型であって、画素Ｐが非駆動時に明表示となるノーマリーホワイトモードや、非駆動時に暗表示となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。
【００４７】
図３は、液晶装置における画素の配置を示す模式平面図である。図４（ａ）及び（ｂ）は、液晶装置における画素の構成を示す模式平面図である。図５は、図４に示す画素のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図である。以下、画素の平面的な配置と断面構造について、図３〜図５を参照しながら説明する。
【００４８】
図３に示すように、液晶装置１００における画素Ｐは、例えば平面的に略四角形の開口領域を有する。開口領域は、Ｘ方向とＹ方向とに延在し格子状に設けられた遮光性の非開口領域により囲まれている。
【００４９】
Ｘ方向に延在する非開口領域には、図２に示した走査線３ａが設けられている。走査線３ａは遮光性の導電部材が用いられており、走査線３ａによって非開口領域の少なくとも一部が構成されている。
【００５０】
同じく、Ｙ方向に延在する非開口領域には、図２に示したデータ線６ａと容量線３ｂが設けられている。データ線６ａおよび容量線３ｂも遮光性の導電部材が用いられており、これらによって非開口領域の少なくとも一部が構成されている。
【００５１】
非開口領域は、素子基板１０側に設けられた上記信号線類によって構成されるだけでなく、対向基板２０側において格子状にパターニングされた遮光膜２１（図１参照）によっても構成することができる。
【００５２】
非開口領域の交差部付近には、図２に示したＴＦＴ３０や保持容量１６が設けられている。遮光性を有する非開口領域の交差部付近にＴＦＴ３０を設けることにより、ＴＦＴ３０の光誤動作を防止すると共に、開口領域における開口率を確保している。詳しい画素Ｐの構造については後述するが、交差部付近にＴＦＴ３０や保持容量１６を設ける関係上、交差部付近の非開口領域の幅は、他の部分に比べて広くなっている。
【００５３】
図４（ａ）は、走査線３ａが設けられた層から、データ線６ａが設けられた層までの平面的な構造を示している。図４（ｂ）は、データ線６ａが設けられた層から、画素電極１５が設けられた層までの平面的な構造を示している。
【００５４】
図４に示すように、画素Ｐは、走査線３ａとデータ線６ａの交差部に設けられたＴＦＴ３０を有している。ＴＦＴ３０は、データ線側ソースドレイン領域３０ｓと、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄと、チャネル領域３０ｃと、データ線側ソースドレイン領域３０ｓとチャネル領域３０ｃとの間に設けられた接合領域３０ｅと、チャネル領域３０ｃと画素電極側ソースドレイン領域３０ｄとの間に設けられた接合領域３０ｆとを有するＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造の半導体層３０ａを有している。半導体層３０ａは上記交差部を通過して、走査線３ａと重なるように配置されている。
【００５５】
走査線３ａはデータ線６ａとの交差部において、Ｘ，Ｙ方向に拡張された平面視で四角形の拡張部を有している。当該拡張部に平面的に重なると共に接合領域３０ｆおよび画素電極側ソースドレイン領域３０ｄと重ならない開口部を有する折れ曲がった形状のゲート電極３０ｇが設けられている。
【００５６】
ゲート電極３０ｇは、Ｙ方向に延在した部分が平面的にチャネル領域３０ｃと重なっている。また、チャネル領域３０ｃと重なった部分から折り曲げられてＸ方向に延在し、互いに対向する部分がそれぞれ走査線３ａの拡張部との間に設けられたコンタクトホールＣＮＴ５，ＣＮＴ６によって、電気的に走査線３ａと接続している。
【００５７】
コンタクトホールＣＮＴ５，ＣＮＴ６は、平面視でＸ方向が長い矩形状（長方形）であって、半導体層３０ａのチャネル領域３０ｃと接合領域３０ｆとに沿って接合領域３０ｆを挟むように両側に設けられている。
【００５８】
データ線６ａは、Ｙ方向に延在すると共に、走査線３ａとの交差部において同じく拡張部を有し、当該拡張部からＸ方向に突出した部分に設けられたコンタクトホールＣＮＴ１によってデータ線側ソースドレイン領域３０ｓと電気的に接続している。コンタクトホールＣＮＴ１を含む部分がデータ線側ソースドレイン電極３１となっている。一方、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄの端部にもコンタクトホールＣＮＴ２，ＣＮＴ３が設けられており、コンタクトホールＣＮＴ２を含む部分が画素電極側ソースドレイン電極３２（図５参照）となっている。
【００５９】
拡張部の一部と平面的に重なるようにコンタクトホールＣＮＴ４が設けられており、コンタクトホールＣＮＴ２とコンタクトホールＣＮＴ３とは島状に設けられた中継電極６ｂによって電気的に接続している。コンタクトホールＣＮＴ３とコンタクトホールＣＮＴ４とは、保持容量１６の第２容量電極１６ｂによって中継されて電気的に接続されている。詳しいコンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ２，ＣＮＴ３，ＣＮＴ４の構造については、後述する。
【００６０】
画素電極１５は、走査線３ａやデータ線６ａと外縁部が重なるように設けられており、本実施形態では走査線３ａと重なる位置に設けられた２つのコンタクトホールＣＮＴ３，ＣＮＴ４を介して画素電極側ソースドレイン電極３２に電気的に接続されている。
【００６１】
図４（ｂ）に示すように、保持容量１６は、第１容量電極１６ａと、第１容量電極１６ａに対向配置された第２容量電極１６ｂとを有している。第１容量電極１６ａは、走査線３ａの拡張部と重なる部分と、該拡張部と重なった部分から走査線３ａの延在方向とデータ線６ａの延在方向とに延出された部分とを有しており、非開口領域（図３参照）に配置されている。
【００６２】
一方、第２容量電極１６ｂは、画素Ｐごとに独立して島状に設けられている。１つの画素Ｐを囲むようにして当該画素Ｐの第２容量電極１６ｂと隣り合う画素Ｐの第２容量電極１６ｂとが配置され、遮光性の非開口領域（図３参照）を構成している。
【００６３】
より具体的には、第２容量電極１６ｂは、データ線６ａと走査線３ａとの交差部における拡張部と平面的に重なる四角形部分と、四角形部分からデータ線６ａに沿ってＹ方向に突出した突出部と、同じく四角形部分から走査線３ａに沿って突出した突出部とを有している。突出部の一部はコンタクトホールＣＮＴ４と重なる位置まで突出し、コンタクトホールＣＮＴ３とコンタクトホールＣＮＴ４とを電気的に接続させる中継層としても機能している。
【００６４】
次に、図５を参照して、画素Ｐの構造について、さらに詳しく説明する。図５に示すように、素子基板１０上には、まず走査線３ａが形成される。走査線３ａは、例えばＡｌ、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）などの金属のうちの少なくとも１つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライド、あるいはこれらが積層されたものを用いることができ、遮光性を有している。
【００６５】
走査線３ａを覆うように例えば酸化シリコンなどからなる下地絶縁膜１１ａが形成され、下地絶縁膜１１ａ上に島状に半導体層３０ａが形成される。半導体層３０ａは例えば多結晶シリコン膜からなり、不純物イオンが注入されて、前述したデータ線側ソースドレイン領域３０ｓ、接合領域３０ｅ、チャネル領域３０ｃ、接合領域３０ｆ、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄを有するＬＤＤ構造が形成されている。
【００６６】
半導体層３０ａを覆うように第１絶縁膜（ゲート絶縁膜）１１ｂが形成される。さらに第１絶縁膜１１ｂを挟んでチャネル領域３０ｃに対向する位置にゲート電極３０ｇが形成される。
【００６７】
ゲート電極３０ｇと第１絶縁膜１１ｂとを覆うようにして第２絶縁膜１１ｃが形成され、半導体層３０ａのそれぞれの端部と重なる位置に第１絶縁膜１１ｂ、第２絶縁膜１１ｃを貫通する２つのコンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ２が形成される。
【００６８】
そして、２つのコンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ２を埋めると共に第２絶縁膜１１ｃを覆うようにＡｌ（アルミニウム）などの遮光性の導電部材料を用いて導電膜を成膜し、これをパターニングすることにより、コンタクトホールＣＮＴ１を介してデータ線側ソースドレイン領域３０ｓに繋がるデータ線側ソースドレイン電極３１ならびにデータ線６ａが形成される。同時にコンタクトホールＣＮＴ２を介して画素電極側ソースドレイン領域３０ｄに繋がる画素電極側ソースドレイン電極３２（中継電極６ｂ）が形成される。
【００６９】
次に、データ線６ａおよび中継電極６ｂと第２絶縁膜１１ｃを覆って層間絶縁膜１２が形成される。層間絶縁膜１２は、例えばシリコンの酸化物や窒化物からなり、ＴＦＴ３０が設けられた領域を覆うことによって生ずる表面の凹凸を平坦化する平坦化処理が施される。平坦化処理の方法としては、例えば化学的研磨処理（Chamical Mechanical Polishing：ＣＭＰ処理）やスピンコート処理などが挙げられる。
【００７０】
層間絶縁膜１２を覆うように導電膜が形成され、これを後にコンタクトホールＣＮＴ３が形成される部分を除去してパターニングすることにより、第１容量電極１６ａが形成される。
【００７１】
第１容量電極１６ａを覆って誘電体層１３ｂが成膜される。誘電体層１３ｂとしては、シリコン窒化膜や、酸化ハウニュウム（ＨｆＯ2）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）などの単層膜、またはこれらの単層膜のうち少なくとも２種の単層膜を積層した多層膜を用いてもよい。
【００７２】
平面的に中継電極６ｂと重なる位置に層間絶縁膜１２と誘電体層１３ｂとを貫通するコンタクトホールＣＮＴ３が形成される。このコンタクトホールＣＮＴ３を埋めるとともに誘電体層１３ｂを覆う導電膜が形成され、これをパターニングすることにより、第１容量電極１６ａに対向配置され、コンタクトホールＣＮＴ３を介して中継電極６ｂに繋がる第２容量電極１６ｂが形成される。
【００７３】
次に、第２容量電極１６ｂと誘電体層１３ｂとを覆う層間絶縁膜１４が形成される。層間絶縁膜１４も例えばシリコンの酸化物や窒化物からなり、層間絶縁膜１２と同様に平坦化処理を施してもよい。
【００７４】
層間絶縁膜１４を貫通するコンタクトホールＣＮＴ４が第２容量電極１６ｂと重なる位置に形成され、このコンタクトホールＣＮＴ４を埋めるようにしてＩＴＯなどの透明導電膜が成膜される。この透明導電膜をパターニングしてコンタクトホールＣＮＴ４を介して第２容量電極１６ｂと繋がる画素電極１５が形成される。
【００７５】
上述したように第２容量電極１６ｂはコンタクトホールＣＮＴ３および中継電極６ｂを介してＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン電極３２と電気的に接続すると共に、コンタクトホールＣＮＴ４を介して画素電極１５と電気的に接続している。
【００７６】
第１容量電極１６ａの本線部は上述したようにデータ線６ａの延在方向（Ｙ方向）において複数の画素Ｐに跨るように形成され、等価回路（図２参照）における容量線３ｂとしても機能している。これにより、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン電極３２を介して画素電極１５に与えられた電位を第１容量電極１６ａと第２容量電極１６ｂとの間において保持することができる。
【００７７】
第１容量電極１６ａは、例えば、低抵抗配線材料であるＡｌ（アルミニウム）を用いて形成され、厚みはおよそ３００ｎｍ〜５００ｎｍである。
【００７８】
第２容量電極１６ｂを構成する導電膜は、例えば、アモルファス金属シリサイドを用いることができる。具体的には、例えば、アモルファスタングステンシリサイド（ａＷＳｉ）である。厚みはおよそ２００ｎｍである。第２容量電極１６ｂの形成方法としては、例えば、ターゲットとしてＷＳｉを用いたスパッタ法、成膜温度はアルミニウム配線が溶解しにくい４００℃以下とする。
【００７９】
このように、アルミニウムなどが用いられるデータ線６ａや第１容量電極１６ａが形成された後に、アモルファスタングステンシリサイド膜を用いて第２容量電極１６ｂを形成するので、塩素系のエッチャントを用いずに第２容量電極１６ｂをパターニング可能となり、エッチャントの成分の残留に起因する配線や電極の断線あるいは短絡（ショート）などの不具合が、ＴＦＴ３０や配線などを設けた後に発生することを抑えることができる。
【００８０】
＜電子機器の構成＞
図６は、上記した液晶装置を備えた電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図である。以下、液晶装置を備えた投射型表示装置の構成を、図６を参照しながら説明する。
【００８１】
図６に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【００８２】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【００８３】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【００８４】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【００８５】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【００８６】
液晶ライトバルブ１２１０は、上述した液晶装置１００が適用されたものである。液晶装置１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
【００８７】
このような投射型表示装置１０００によれば、上記した液晶装置１００が採用された液晶モジュールを介すことによって、かかるコストを抑え、効率よく組み立てることができる。
【００８８】
以上詳述したように、本実施形態の電気光学装置としての液晶装置１００、及び電子機器によれば、以下に示す効果が得られる。
【００８９】
（１）本実施形態の液晶装置１００によれば、例えば、遮光性の金属配線材料としてアルミニウムが用いられるデータ線６ａや第１容量電極１６ａが形成された後に、アモルファスタングステンシリサイド膜を用いて第２容量電極１６ｂを形成し、その後に、透明導電膜が用いられる画素電極１５を形成する。第２容量電極１６ｂをアモルファスタングステンシリサイド膜から形成するため、塩素系のエッチャントを用いずに第２容量電極１６ｂをパターニング可能となる。これにより、当該エッチャントの成分の残留に起因する配線や電極の断線あるいは短絡（ショート）などの不具合が、ＴＦＴ３０や配線などを設けた後に発生することを低減できる。言い換えれば、付加価値が付いた状態で不良が発生することが低減されるので、高いコストパフォーマンスを有する液晶装置１００を提供できる。加えて、第２容量電極１６ｂの材料としてアモルファスタングステンシリサイドを用いるので、他の金属に比べて比抵抗を低くすることができる。
【００９０】
（２）本実施形態の電子機器によれば、上記のような液晶装置１００を備えているので、高いコストパフォーマンスを有する電子機器を提供することができる。
【００９１】
なお、実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。
【００９２】
（変形例１）
上記したように、画素Ｐごとに設けられる第２容量電極１６ｂは、画素Ｐが高精細になると電極面積を稼ぐことが難しくなる。よって、データ線６ａと走査線３ａの交差部と重ねるだけでなく、当該部分から隣接する画素Ｐに沿うデータ線６ａや走査線３ａの延在方向に突出させた突出部を設けることが好ましい。
【００９３】
（変形例２）
上記したように、ＴＦＴ３０における半導体層３０ａの配置は、上記実施形態のように走査線３ａと重ねる配置に限定されない。例えば、データ線６ａと重ねる配置や半導体層３０ａを途中で折り曲げて、走査線３ａとデータ線６ａとに重ねるように配置したとしても、本願の保持容量１６の構成を適用することができる。
【００９４】
（変形例３）
上記したように、液晶装置１００が適用される電子機器は、上記実施形態の投射型表示装置１０００に限定されない。例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディプレイ）、または電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、ＰＯＳなどの情報端末機器の表示部として好適に用いることができる。
【００９５】
（変形例４）
上記素子基板１０の配線構造を適用可能な電気光学装置は、上記液晶装置１００に限定されない。例えば、トランジスターを備えたアクティブ駆動型の電気光学装置であって、有機ＥＬ（Electro Luminessence）装置、電気泳動装置などの表示装置にも適用することができる。
【符号の説明】
【００９６】
３ａ…走査線、３ｂ…容量線、６ａ…データ線、６ｂ…中継電極、１０…素子基板、１１ａ…下地絶縁膜、１１ｂ…第１絶縁膜（ゲート絶縁膜）、１１ｃ…第２絶縁膜、１２…層間絶縁膜、１３ｂ…誘電体層、１４…層間絶縁膜、１５…画素電極、１６…保持容量、１６ａ…第１容量電極、１６ｂ…第２容量電極、１８…配向膜、２０…対向基板、２１…遮光膜、２２…層間膜層、２３…共通電極、２４…配向膜、３０…ＴＦＴ、３０ａ…半導体層、３０ｓ…データ線側ソースドレイン領域、３０ｃ…チャネル領域、３０ｅ，３０ｆ…接合領域、３０ｄ…画素電極側ソースドレイン領域、３０ｇ…ゲート電極、３１…データ線側ソースドレイン電極、３２…画素電極側ソースドレイン電極、４０…シール材、５０…液晶層、１００…液晶装置、１０１…データ線駆動回路、１０２…走査線駆動回路、１０３…検査回路、１０４…外部接続端子、１０５…配線、１０６…上下導通部、１０００…投射型表示装置、１１００…偏光照明装置、１１０１…ランプユニット、１１０２…インテグレーターレンズ、１１０３…偏光変換素子、１１０４，１１０５…ダイクロイックミラー、１１０６，１１０７，１１０８…反射ミラー、１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５…リレーレンズ、１２０６…クロスダイクロイックプリズム、１２０７…投射レンズ、１２１０，１２２０，１２３０…液晶ライトバルブ、１３００…スクリーン。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にトランジスターと、
前記トランジスターに対応する画素電極と、
前記トランジスターと前記画素電極との間に配置されたデータ線と、
前記データ線と前記画素電極との間に配置された第１容量電極と、
前記第１容量電極と前記画素電極との間に配置され、前記第１容量電極の一部に誘電体層を介して対向配置されると共に、電気的に前記トランジスターと前記画素電極とに接続された第２容量電極と、を備え、
前記第２容量電極は、アモルファス金属シリサイド膜からなることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置であって、
前記データ線と交差するように配置された走査線を備え、
前記トランジスターは、前記データ線と前記走査線との交差部に設けられ、
前記第２容量電極は、前記トランジスターの半導体層と平面的に重なるように設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項２に記載の電気光学装置であって、
前記トランジスターの半導体層は、前記データ線と交差する方向に延在して設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記画素電極と前記第２容量電極とを電気的に接続させるコンタクトホールを有し、
前記コンタクトホールは、前記トランジスターのゲート電極、前記データ線、前記第１容量電極と平面的に重なる位置に設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記第２容量電極は、アモルファスタングステンシリサイド膜からなることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項１】
基板上にトランジスターと、
前記トランジスターに対応する画素電極と、
前記トランジスターと前記画素電極との間に配置されたデータ線と、
前記データ線と前記画素電極との間に配置された第１容量電極と、
前記第１容量電極と前記画素電極との間に配置され、前記第１容量電極の一部に誘電体層を介して対向配置されると共に、電気的に前記トランジスターと前記画素電極とに接続された第２容量電極と、を備え、
前記第２容量電極は、アモルファス金属シリサイド膜からなることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置であって、
前記データ線と交差するように配置された走査線を備え、
前記トランジスターは、前記データ線と前記走査線との交差部に設けられ、
前記第２容量電極は、前記トランジスターの半導体層と平面的に重なるように設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項２に記載の電気光学装置であって、
前記トランジスターの半導体層は、前記データ線と交差する方向に延在して設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記画素電極と前記第２容量電極とを電気的に接続させるコンタクトホールを有し、
前記コンタクトホールは、前記トランジスターのゲート電極、前記データ線、前記第１容量電極と平面的に重なる位置に設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記第２容量電極は、アモルファスタングステンシリサイド膜からなることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１３−３４９２（Ｐ２０１３−３４９２Ａ）
【公開日】平成２５年１月７日（２０１３．１．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１３７０７４（Ｐ２０１１−１３７０７４）
【出願日】平成２３年６月２１日（２０１１．６．２１）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年１月７日（２０１３．１．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年６月２１日（２０１１．６．２１）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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