【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
ることを目的の一とする。
【解決手段】第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜に酸素ドープ処理を行って、第１の絶
縁膜に酸素原子を供給し、第１の絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極、ならびに
、ソース電極およびドレイン電極と電気的に接続する酸化物半導体膜を形成し、酸化物半
導体膜に熱処理を行って、酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、水素原子が除去された
酸化物半導体膜上に、第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜上の酸化物半導体膜と重畳す
る領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低比誘電率かつ高ＯＤ値を達成することが可能な樹脂製遮光部を有し、画素部の面積が大きく、かつ、液晶表示装置に用いた場合に、コンタクトホール内における画素電極の断線を好適に防止することが可能なスイッチング素子基板およびこれを用いた液晶表示装置を提供することを主目的とする。
【解決手段】基材と、上記基材上に形成されたスイッチング素子と、上記基材上に設けられた画素部と、上記スイッチング素子上に形成され、上記スイッチング素子に用いられる電極上にコンタクトホールを有する樹脂製遮光部と、上記コンタクトホールの側面および端部を覆うように形成され、絶縁性を有する断線防止層とを有し、上記コンタクトホールの縦断面形状が、垂直形状または逆テーパー形状であり、上記断線防止層が、上記断線防止層の形成部分の縦断面形状が順テーパー形状となるように形成されていることを特徴とするスイッチング素子基板を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】低電圧および広い周波数範囲で安定に駆動することができ、滑らかで連続的な光学位相差特性を有し良好な光学特性を持つ液晶光学デバイスを実現する。
【解決手段】透明な電極２１を有する第１の基板１１、透明な電極を有する第２の基板１２の問に収容された液晶分子を一方向に配向させた液晶層３１を備え、少なくとも一方の基板面における電極は所定の電圧に保持された複数のパターン電極群から形成され、前記液晶層の実効的な屈折率の分布を可変調整することで動作する液晶光学デバイスであって、複数の透明なパターン電極と前記液晶層の間に透明な絶縁層及び透明なインピーダンス層による二重層を配置する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜をチャネルに用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】加熱処理により第１の結晶構造となりうる酸化物半導体膜と、加熱処理により第２の結晶構造となりうる酸化物半導体膜を積層して形成し、その後加熱処理を行うことによって、第２の結晶構造を有する酸化物半導体膜を種として第１の結晶構造を有する酸化物半導体膜へ結晶成長する。このようにして形成した酸化物半導体膜を、トランジスタの活性層に用いる。 （もっと読む）

【課題】スパッタ法でトランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好適な材料を提供する。具体的には結晶性の高い酸化物半導体膜を形成する作製プロセスを提供する。
【解決手段】意図的に窒素を酸化物半導体に対して添加することにより、六方晶であり、ウルツ鉱型結晶構造を有する酸化物半導体膜を形成する。酸化物半導体膜において、窒素を含む領域の結晶性は、窒素をあまり含まない領域、或いは窒素を意図的に添加していない領域に比べて高くなる。この結晶性の高いウルツ鉱型結晶構造を有する酸化物半導体膜をトランジスタのチャネル形成領域として用いる。 （もっと読む）

【課題】ボトムコンタクト構造で、かつセルフアラインのＴＡＯＳ ＴＦＴ、このＴＡＯＳ ＴＦＴを用いた表示装置用電極基板およびそれらの製造方法を得る。
【解決手段】ガラス基板１１上に形成されたゲート電極１２と、ゲート電極１２上に形成されたゲート絶縁膜１３と、ゲート絶縁膜１３上に、ゲート電極１２と重ならないように形成されたソース電極１４およびドレイン電極１５と、ゲート電極１２、ソース電極１４およびドレイン電極１５上に、ゲート電極１２を跨いでソース電極１４とドレイン電極１５とを繋ぐように形成された第１、第２ＴＡＯＳ層１６、１７と、第１、第２ＴＡＯＳ層１６、１７上に、ゲート電極１２をマスクとしたガラス基板１１側からの露光により形成された島状絶縁膜１８とを備え、第１、第２ＴＡＯＳ層１６、１７の島状絶縁膜１８と重ならない領域の抵抗値は、島状絶縁膜１８と重なる領域の抵抗値よりも低くなっている。 （もっと読む）

【課題】 表示品位の低下を抑制できる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 本発明の液晶表示装置１は、画素電極218と共通電極216とは、平面視してＸ方向に沿って交互に配置されており、絶縁部材217は、画素電極218側の第１面217ａ
と、第１基体21の第１主面21ａ側の、Ｘ方向における両端が第１面217ａの両端に比べて
内側に位置している第２面217ｂとを有しており、画素電極218は、絶縁部材217の第１面217ａを被覆しているとともに、平面視してＸ方向における両端部が隣り合う共通電極216
に重なっていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】同一の層間膜上に画素電極と、ゲート配線を形成した半導体装置において、マスク枚数を追加することなく、液晶の焼きつきや特性劣化を低減する。
【解決手段】ゲート配線上に絶縁膜を設けることで、ゲート配線が非選択の期間に液晶にかかるゲート電圧の絶対値を減少させることができる。絶縁膜は遮光性樹脂膜、柱状スペーサーで形成すると、マスク枚数の増加を抑えることができる。また、絶縁膜上に画素電極を形成し、ゲート配線と画素電極が重なり合うようにすることで、画素電極の電界遮蔽効果によって、液晶にかかるゲート電圧を減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、電界効果移動度が大きい酸化物半導体層を用いた半導体装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。また、高速動作可能な半導体装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】酸化物半導体層をハロゲン元素により終端化させて、酸化物半導体層と、酸化物半導体層と接する導電層のコンタクト抵抗の増大を抑制することで、酸化物半導体層と導電層のコンタクト抵抗が良好になり、電界効果移動度が高いトランジスタを作製することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを有する半導体装置において、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することを課題とする。
【解決手段】酸化物半導体を用いたトランジスタにおいて、トップゲート構造の場合は下地絶縁層に、ボトムゲート構造の場合は保護絶縁層に、酸素が過剰な酸化シリコン（ＳｉＯ_Ｘ（Ｘ＞２））を用いる。酸素が過剰な酸化シリコンを用いることにより、絶縁層から酸素が放出され、酸化物半導体層中の酸素欠損及び下地絶縁層もしくは保護絶縁層と酸化物半導体層の界面準位密度を低減することができ、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬディスプレイや液晶ディスプレイ等の表示素子パネルに接続する、透明性の高いフレキシブルプリント配線板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明ガラス層１と透明プラスチック層２との積層体を基材とし、そのガラス層１を貫通する溝１４内に配線３有するフレキシブルプリント配線板１０により、上記課題を解決する。このとき、配線の幅Ｗを１μｍ〜２ｍｍとし、配線の高さＨを５μｍ〜２００μｍとすることができる。こうした配線板１０は、エッチャントに対して異なる被エッチング能を持つ少なくとも２種の透明層１，２が積層されてなる積層体を準備する工程と、そのエッチャントでエッチングされる側の透明層１を所定パターンでエッチングを行って貫通させる工程と、その貫通した溝１４内に導電材３’を形成する工程とを有する方法で製造する。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、製造コストの削減を可能ならしめつつ、表示画像のコントラスト比を向上させることにより、画像表示の高品位化を図る。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、画素電極（９）と、導電層（６、７、１１、７１）と、導電層の端面の少なくとも一部を導電層よりも光反射率の低い遮光性材料で覆うように形成された反射防止膜（８０）とを備える。反射防止膜は、基板上で導電層の下地をなす下地面に、接する又は面する先端部並びにこの先端部に繋がる本体部を有し、先端部の膜厚が本体部の膜厚より薄くなるように、且つその表面が導電層の端面に比して湾曲して又は斜めになるように、形成されている。 （もっと読む）

液晶層を通過する光の伝播を制御する可変液晶装置は、周波数依存性材料を利用して前記装置内に有効な電極構造を動的に再構築させる。前記装置内で電場を発生させる駆動信号の周波数は可変であり、周波数依存性材料は周波数毎に異なる電荷移動度を有する。周波数依存性材料は、電荷移動度が低いと、現行の電極構造にはほとんど影響を及ぼさないが、電荷移動度が高いと、固定電極を拡張させると考えられる。これを利用すれば、有効な電極構造や、ひいては電場の空間プロファイルを変更することも可能である。更にはこれにより液晶の光学特性が変化して、光学装置の周波数制御が可能となる。 （もっと読む）

【課題】結晶性シリコン薄膜トランジスタのオフ電流を低減させ、表示コントラストを向上させることが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】基板ＳＵＢ１上に形成されるゲート絶縁膜ＧＩを介してゲート電極ＧＴの上層に形成される第１の半導体層ＭＳＦと、第１の半導体層ＭＳＦの上面に形成され、凹部が形成される第２の半導体層ＡＳＦとからなる活性層と、凹部を挟んで対向配置される一対のコンタクト層ＣＮＬと、コンタクト層ＣＮＬの一方の上層に形成されるドレイン電極ＤＴと、他方の上層に形成されるソース電極ＳＴと、活性層の上面及び前記ドレイン電極ＤＴと前記ソース電極ＳＴの上面に連続して形成される保護膜ＰＡＳｉとを有する薄膜トランジスタを備え、凹部が形成されている領域の膜厚は１６０ｎｍ以上である装置。 （もっと読む）

【課題】ブルー相を呈する液晶を用い、新規な構成を有する液晶表示装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】同一基板上に、複数の構造体（リブ、突起、凸部とも呼ぶ）を形成し、その上に画素電極とその画素電極に対応する電極（固定電位の共通電極）を形成する。画素電極に傾斜をつけ、その画素電極に対応する電極にも傾斜をつけることにより、ブルー相を呈する液晶層に電界をかける構造とする。隣り合う構造体の間隔を狭くすることにより、液晶層に強い電界を印加することができ、液晶を駆動させるための消費電力を少なくすることができる。 （もっと読む）

【課題】基板のクラックによる断線を回避して電気光学装置の信頼性や歩留りを向上させる。
【解決手段】本発明に係る電気光学装置は、基板(S1)と、基板上(S1)に配置され、画素領域(A1)と、画素領域(A1)の外周に位置する周辺領域(A2)とを有する絶縁層(12)と、上記画素領域に配置された電気光学素子と、周辺領域(A2)に配置され、上記電気光学素子を駆動する駆動回路(DC1,DC2)と、上記周辺領域に配置された外部端子(P)と、上記周辺領域に配置され、上記外部端子と上記駆動回路を電気的に接続する配線である引出配線(L1,L2)と、を有し、引出配線の少なくとも一部(L1)が基板(S1)と絶縁層(12)との間に配置される。 （もっと読む）

【課題】プラスチックフィルム基板と電界効果型トランジスタとの密着性を下地層を形成することで化学的に高め、フォトリソグラフィ工程で用いる強酸や強アルカリへの浸漬によっても電界効果型トランジスタがプラスチックフィルム基板から剥離することなく再現性良く製造する電界効果型トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置を提供する。
【解決手段】基板、ゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極、ドレイン電極及び半導体を有して形成された電界効果型トランジスタであって、基板上に高分子化合物と金属化合物との混合物を含有する下地層を備えることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】
課題は、回路基板の有機ＴＦＴ素子の接続部において接続用電極配線のショートや寸法精度不良を改善するため、層間絶縁膜（絶縁バンク）を素子の電極間のみに形成することで接続用電極の隣接パターンショートを確実に回避することである。
【解決手段】
解決手段は、回路基板において、基板と、基板上に形成された薄膜トランジスタ素子と、該薄膜トランジスタ素子の金属電極群に外部回路基板の接続端子を電気的に接続するための接続部において、当該接続部の各々の金属電極間のみを覆う絶縁膜が形成された接続部と、上記薄膜トランジスタ素子の金属電極と上記絶縁膜の両方に接する接続用電極群とを有することであり、そしてまた、上記薄膜トランジスタ素子の金属電極は接続部で周期的に配列され、上記絶縁膜はライン形状であり上記薄膜トランジスタ素子の金属電極間に周期的に配置され、上記絶縁膜の算術平均粗さＲａは２μｍ以下であることである。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、蓄積容量の単位面積あたりの容量値を大きくすると共に、例えば液晶等の電気光学物質の配向不良を低減し、高画質な画像表示を行う。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、画素電極（９）と、画素電極上に形成された配向膜（１６）と、画素電極の下層側に誘電体膜を介して画素電極に対向する容量電極（７１）とを備える。画素電極のグレインサイズは、容量電極のグレインサイズよりも小さい。 （もっと読む）

【課題】開口率、透過率の改善が図られる電気光学装置及び電気光学装置の製造方法を提
供する。
【解決手段】電気光学装置２は、基板１２上に電極３４を有する電気光学装置であって、
基板１２上に設けられた絶縁膜７６と、絶縁膜７６上に設けられた線状部８０を有する下
地層７８と、少なくとも下地層７８の線状部８０の一部を覆うように設けられ、線状部８
０に沿った方向に延在する電極３４と、を含み、下地層７８は、絶縁膜７６より電極３４
の成膜時に電極３４の結晶の成長を促進させる。 （もっと読む）