【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを有する信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板上に設けられたボトムゲート構造のスタガ型トランジスタを有する半導体装置において、ゲート電極層上に組成を異なる第１のゲート絶縁膜及び第２のゲート絶縁膜が順に積層されたゲート絶縁膜を設ける。又は、ボトムゲート構造のスタガ型トランジスタにおいて、ガラス基板とゲート電極層との間に保護絶縁膜を設ける。第１のゲート絶縁膜と第２のゲート絶縁膜との界面、又はゲート電極層とゲート絶縁膜との界面における、ガラス基板中に含まれる金属元素の濃度を、５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下（好ましくは１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下）とする。 （もっと読む）

【課題】端子金属が保護用ＩＴＯのピンホールまたは亀裂から侵入した水分による水和反応によって侵され、接続不良が生ずることを防止する。
【解決手段】端子部は、表示領域から延在する引き出し線３０と、端子金属１０と、端子金属１０から外側に延在する検査用配線４０を有している。端子部は保護用絶縁膜によって覆われ、端子金属１０の部分は、保護用絶縁膜にスルーホール２０が形成され、端子金属１０はスリット１５を介して複数に分割され、スリット１５は、表示領域側において、保護用絶縁膜によって覆われている。ＩＴＯ６０は分割された端子金属１０とスリット１５を覆っている。これによって、ＩＴＯ５０のピンホール等から水分が浸入しても、水分はスリット１５において進行を阻止される。したがって、端子金属１０全体が腐食して導通不良を引き起こすことは無い。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置、及び該半導体装置の作製方法を提供する。半導体装置を歩留まりよく作製し、高生産化を達成する。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜が順に積層され、酸化物半導体膜に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、エッチング工程により、ソース電極層及びドレイン電極層を形成後、酸化物半導体膜表面及び該近傍に存在するエッチング工程起因の不純物を除去する工程を行う。 （もっと読む）

【課題】画素の開口領域を最大化し、画素の透過率を向上させる、ＦＦＳ方式液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート配線とデータ配線１１３ａとの交差地点に形成された薄膜トランジスタＴと、薄膜トランジスタＴを含む基板１０１全面に形成され、薄膜トランジスタＴを露出する開口部を備えた有機絶縁膜１１７の上部に形成された大面積の共通電極１２３ａと、開口部から薄膜トランジスタＴに接続された補助電極パターン１２３ｃと、共通電極１２３ａ及び補助電極パターン１２３ｃを含む基板１０１全面に形成され、薄膜トランジスタＴに接続された補助電極パターン１２３ｃを露出するパッシベーション膜１２７の上部に形成され、露出した補助電極パターン１２３ｃを介して薄膜トランジスタＴに電気的に接続され、共通電極１２３ａとオーバーラップする複数の画素電極１３３ａとを含む。 （もっと読む）

【課題】結晶異方性を有する領域と結晶異方性を有さない領域とを含む結晶化半導体膜を用いて薄膜トランジスタの集積化を容易に行なうことができる半導体素子基板の製造方法および半導体素子基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板上に成膜した非晶質半導体膜５６の下方に加熱促進層３０を形成した領域と、加熱促進層３０を形成しない領域とを設け、非晶質半導体膜５６にレーザビーム１８を照射する。このとき、加熱促進層３０によってレーザビーム１８が反射または吸収されることにより、非晶質半導体膜５６は裏面側からも結晶化が促進される。これにより、加熱促進層３０が形成された領域には結晶の配向が揃った第１の結晶性半導体膜５４が形成され、形成されない領域には結晶の配向がランダムな第２の結晶性半導体膜５５が形成される。 （もっと読む）

【課題】隣接する開口部の内部へ有機半導体インクを塗布した際に、互いのインクの混合を抑制し、高い品質を備える薄膜トランジスタ装置とその製造方法、有機ＥＬ表示素子、および有機ＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】隔壁１０１６における開口部１０１６ｂを臨む側面部のうち、隣接する開口部１０１６ｃの側の側面部１０１６ｅは、側面部１０１６ｄを含む他の側面部よりも傾斜が相対的に急峻な斜面となっている。隔壁１０１６における開口部１０１６ｃを臨む側面部のうち、隣接する開口部１０１６ｂの側の側面部１０１６ｆは、側面部１０１６ｇを含む他の側面部よりも傾斜が急峻な斜面となっている。開口部１０１６ｂと開口部１０１６ｃとの各内部に対して、有機半導体インクを塗布した場合、Ｘ軸方向に互いに離れる方向に偏った表面プロファイルを有することになる。 （もっと読む）

【課題】画素の高開口率化に有効であって剥離を生じ難い絶縁膜を有するアレイ基板と、このアレイ基板の製造方法を提供する。また、輝度が高く、高い信頼性を備えた液晶表示素子を提供する。
【解決手段】カルボキシル基を有する構成単位と重合性基を有する構成単位とを含む重合体と、キノンアジド化合物あるいは重合性化合物および重合開始剤と、熱酸発生剤と、硬化促進剤である式（１）または式（２）の化合物とを含有する感放射線性樹脂組成物を用い、スイッチング能動素子８の形成された基板４上に絶縁膜１２を形成し、アレイ基板１を製造する。アレイ基板１を用い液晶表示素子を構成する。
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【課題】透明導電膜上における絶縁膜の膜浮きの発生を抑え、且つ、透明導電膜と金属膜との良好な電気的接続性を得ることができる配線構造を提供する。
【解決手段】それぞれ配線として機能する第１の導電膜２と第２の導電膜５と接続する配線変換部４５において、第２の導電膜５の内側には刳り抜き部１３が形成される。第２の導電膜５の上に設けられる第２の導電膜５は、第２の導電膜５の上面および刳り抜き部１３に露出した端面を覆い、且つ、第２の導電膜５の外周の端面を覆わないように形成される。第１の透明導電膜６の上層の第２の透明導電膜７が、第２の導電膜５と第１の導電膜２とに接続することにより、第１の導電膜２と第２の導電膜５とが電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。該半導体装置を作製する。半導体装置を歩留まりよく作製し、生産性を向上させる。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜が順に積層され、酸化物半導体膜に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、エッチング工程によりゲート電極層、又はソース電極層及びドレイン電極層を形成後、ゲート電極層又は酸化物半導体膜表面及び該近傍に存在するエッチング工程起因の残留物を除去する工程を行う。 （もっと読む）

【課題】画質の低下を防ぎつつ、消費電力の低減を実現することができる、液晶表示装置
の駆動方法を提案する。
【解決手段】液晶素子と、当該液晶素子への画像信号の供給を制御するトランジスタとを
画素に有する。上記トランジスタは、チャネル形成領域に、シリコン半導体よりもバンド
ギャップが広く、真性キャリア密度がシリコンよりも低い半導体を含み、オフ電流の極め
て小さい。そして、画素を反転駆動させる際に、画素電極を間に挟んで配置されている一
対の信号線に、互いに逆の極性を有する画像信号を入力する。上記構成により、液晶素子
に容量素子を接続しなくても、表示される画質が低下するのを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】配線間の短絡等を発生させずに、複数の配線が並列する配線領域の幅寸法を狭めることのできる電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００では、素子基板１０の辺１０ｅと画素電極配列領域１０ｐとの間で複数の配線１０５が並列する配線領域１１は、一部の配線１０５と他の配線１０５とが異なる層に位置する第２配線領域１１ｂとを備えており、かかる第２配線領域１１ｂでは、異なる層に位置する配線１０５の間に平面視で広い隙間を設けなくても短絡等の問題が発生しない。このため、第２配線領域１１ｂについては、配線１０５間の短絡等を発生させず、幅方向の寸法を第１配線領域１１ａより狭くすることができる。 （もっと読む）

【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを提供する。
【解決手段】酸化物半導体層、及びチャネル保護層を覆うようにソース電極層、及びドレイン電極層となる導電膜を形成した後、酸化物半導体層、及びチャネル保護層と重畳する領域の導電膜を化学的機械研磨処理により除去する。ソース電極層、及びドレイン電極層となる導電膜の一部を除去する工程において、レジストマスクを用いたエッチング工程を用いないため、精密な加工を正確に行うことができる。また、チャネル保護層を有することにより、導電膜の化学的機械研磨処理時に当該酸化物半導体層に与える損傷、または膜減りを低減できる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体の組成若しくは欠陥制御をすることを目的の一とし、また、薄膜ト
ランジスタの電界効果移動度を高め、オフ電流を抑えつつ十分なオンオフ比を得ることを
他の目的の一とする。
【解決手段】ＩｎＭＯ_３（ＺｎＯ）_ｎ（Ｍ＝Ｇａ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｏ及びＡｌから
選ばれた一又は複数の元素、ｎは１以上５０未満の非整数）でありさらに水素を含む。こ
の場合において、Ｚｎの濃度がＩｎ及びＭ（Ｍ＝Ｆｅ、Ｇａ、Ｎｉ及びＡｌから選ばれた
一又は複数の元素）よりも低くする。また、当該酸化物半導体はアモルファス構造を有し
ている。ここでｎの値は、好ましくは１以上５０未満の非整数、より好ましくは１０未満
の非整数とする。 （もっと読む）

【課題】保護膜溶液組成物を提供すること。
【解決手段】下記の化学式１で表わされる有機シロキサン樹脂を含む保護膜溶液組成物：



・・・化学式１
（式中、Ｒは１乃至２５個の炭素を有する飽和炭化水素または不飽和炭化水素から選ばれた少なくとも一つの置換基であり、ｘ、ｙはそれぞれ１乃至２００であり、各波線は水素原子、ｘシロキサン単位またはｙシロキサン単位との結合を示すか、あるいは、ｘシロキサン単位、ｙシロキサン単位またはこれらの組み合わせを含む他の有機シロキサン鎖のｘシロキサン単位またはｙシロキサン単位との結合を示す）。 （もっと読む）

【課題】周辺領域に形成された配線で反射する光の迷光を減らすことを目的とする。
【解決手段】表示装置は、光の透過及び遮蔽を制御して画像を表示するための表示パネル１０と、表示パネル１０に重ねられて光を供給するためのバックライト１２と、を有する。表示パネル１０は、画像が表示される表示領域２６及び表示領域２６の外側の周辺領域２８を含む基板１６を有する。基板１６は、バックライト１２側を向く下面及びバックライト１２とは反対側を向く上面を有する。基板１６の上面には、周辺領域２８に配線３０が形成されている。配線３０の基板１６側を向く面の少なくとも一部は、基板１６の下面に対する法線から基板１６の外側の方向に斜めに傾いている。 （もっと読む）

【課題】バリア性の高い保護層を有する積層構造、有機半導体素子、配線および表示装置、並びに有機半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】導体または半導体を含む有機層と、絶縁材料により構成され、前記有機層を覆う保護層と、外周が前記絶縁材料と親和性を有する親和層に覆われ、前記保護層に分散された複数の粒体とを備えた積層構造。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、オン電流の低下を抑制すること。
【解決手段】酸化物半導体膜を用いたトランジスタにおいて、ゲート電極と、ゲート電極を覆い、シリコンを含む酸化物を含むゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜と接し、少なくともゲート電極と重畳する領域に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、を有し、酸化物半導体膜において、ゲート絶縁膜との界面からの厚さが５ｎｍ以下の第１の領域は、シリコンの濃度が１．０原子％以下であり、酸化物半導体膜の第１の領域以外の領域に含まれるシリコンの濃度は、第１の領域に含まれるシリコンの濃度より小さくする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタにおいて、高いゲート電圧がゲート電極層に印加される場合、ドレイン電極層の端部近傍（及びソース電極層の端部近傍）に生じる恐れのある電界集中を緩和し、スイッチング特性の劣化を抑え、信頼性が向上された構造を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域上に重なる絶縁層の断面形状を、テーパ形状とし、チャネル形成領域上に重なる絶縁層の膜厚は、０．３μｍ以下、好ましくは５ｎｍ以上０．１μｍ以下とする。チャネル形成領域上に重なる絶縁層の断面形状の下端部のテーパ角θを６０°以下、好ましくは４５°以下、さらに好ましくは３０°以下とする。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の表示品質の劣化を抑制することである。
【解決手段】絶縁基板の上面に形成されたゲート電極１２と、ゲート電極１２を覆うように積層されたゲート絶縁膜１１と、ゲート絶縁膜１１の上方に形成されるドレイン電極７およびソース電極８と、ゲート絶縁膜１１の上面に積層されて、ゲート電極１２が発生させる電界によりドレイン電極７及びソース電極８間の電流を制御する半導体層９と、半導体層９の上方のチャネル領域１３に対応した領域に形成された開口部１４を有する共通電極２と、ドレイン電極７およびソース電極８から離間して配置された帯電防止パターン１６とを含み、帯電防止パターン１６の一端および他端を共通電極２に接続する。 （もっと読む）

【課題】映像信号線のパターニング時における映像信号線の断線を防止する。
【解決手段】映像信号線１０７、ドレイン電極１０７、ソース電極１０７は同層で同時に形成される。映像信号線１０７等はベース層１０７１、ＡｌＳｉ層１０７２、キャップ層１０７３の３層によって形成される。従来は、ＡｌＳｉ層１０７２において、キャップ層１０７３との境界にエッチングレートの早い合金が形成されて映像信号線１０７等のパターニング時、断線を生じていた。本発明では、映像信号線１０７等の形成時、ＡｌＳｉ層１０７２をスパッタリングによって形成した後、ＴＦＴを大気にさらし、ＡｌＳｉ層の表面にＡｌ酸化層を形成した後、キャップ層１０７３をスパッタリングによって形成する。これによってＡｌＳｉ層に、エッチングレートが部分的に早くなる合金が発生することを防止し、映像信号線等の断線の発生を防止する。 （もっと読む）