【課題】液晶装置等の電気光学装置において、保持容量を十分に確保することができ、高品質な画像を表示可能とする。
【解決手段】ゲート電極３０ｇと電気的に接続された走査線３ａと、データ線側ソースドレイン領域３０ｓと電気的に接続されたデータ線６ａと、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄと電気的に接続された画素電極２７と、容量線３ｂに電気的に接続された第１容量電極１６ａと、第１容量電極１６ａと対向して設けられた第２容量電極１６ｃと、第１容量電極１６ａと第２容量電極１６ｃとに挟持された誘電体層１６ｂと、を有する容量素子１６と、を備え、層間絶縁膜１１ｅに設けられた複数の第１コンタクトホールＣＮＴ４を介して第１容量電極１６ａと容量線３ｂとは電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】液晶装置において、高品質な画像を表示可能とする。
【解決手段】液晶装置１００は、素子基板と対向基板とに挟持された液晶層と、素子基板に設けられたＴＦＴ３０と、ＴＦＴ３０と電気的に接続された容量電極１６ａと誘電体層１６ｂと画素電極１６ｃとを有する容量素子１６とを備え、容量電極１６ａは、平面的に隣り合う画素電極１６ｃ間の領域に窪み５５を有する。 （もっと読む）

【課題】製造性を損なうことなく電圧印加による電気光学物質の劣化を抑制可能とした電気光学装置を提供する。
【解決手段】本発明の電気光学装置は、電気光学物質層を挟持して対向配置された第１基板及び第２基板と、第１基板と第２基板とを貼り合わせるシール材と、複数の画素が配列された画素領域と、画素領域とシール材との間に電極が備えられたイオントラップ部と、第１基板及び第２基板の電気光学物質層側の表面に形成された配向膜と、を有する電気光学装置であって、イオントラップ部は、電気光学物質層に直流電圧を印加する第１トラップ電極と第２トラップ電極とを有しており、第１トラップ電極と配向膜との間、及び第２トラップ電極と配向膜との間の少なくとも一方に、電気光学物質層中のイオン性不純物を吸着保持するトラップ部絶縁膜が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の穴内に設けたプラグ電極によって導電層同士の導通を行うにあたって、研磨時間やプラグ電極形成用導電膜の成膜時間を短縮することのできる電気光学装置の製造方法、電気光学装置、投射型表示装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置の素子基板において、第２電極層７ａと画素電極９ａとを層間絶縁膜４８の穴４８ａ内に設けたプラグ電極８ａを介して電気的に接続するにあたって、第１絶縁膜４６に設けたコンタクトホール４６ａを埋めるようにプラグ電極８ａを形成した後、第２絶縁膜４７を成膜する。そして、第２絶縁膜４７を表面側から研磨してプラグ電極８ａを露出させた後、第２絶縁膜４７の表面側に画素電極９ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】光配向を用いたＩＰＳ方式の液晶表示装置において、配向膜が柱状スペーサによって削れることを防止する。
【解決手段】対向基板２００に形成された柱状スペーサ２０４がＴＦＴ基板１００に接触する部分に、画素電極１０８よりも高い、台座１１４を形成する。画素電極１０８および台座１１４の上に２層構造の配向膜１１３を塗布すると、レベリング効果によって、台座１１４上の配向膜１１３は薄くなる。この状態で光配向すると、台座上の光分解した上配向膜１１２は消失し、機械的な強度の大きい下配向膜１１１が残る。したがって、配向膜削れを防止できる。一方、画素電極１０８上では、上配向膜１１２は元々厚いので、液晶を配向させるための所定の膜厚を確保できる。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥が低減されて結晶性が良好な半導体膜の形成方法及びその成方法を用いて製造された半導体装置並びにディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板１１上に非晶質シリコン膜１２を形成する工程と、非晶質シリコン膜１２の表面に、結晶化を促進する触媒物質であるニッケルを含むニッケル薄膜１３を形成する工程と、非晶質シリコン膜１２を熱処理して、非晶質シリコン膜１２を結晶性シリコン膜１２に結晶化する工程と、結晶性シリコン膜１２に、隣接する各結晶粒の結晶方位角度差が、概略１０°以下あるいは５８°〜６２°を保持する最も高い値になるようなエネルギー密度を有するエキシマレーザーを照射して、結晶性シリコン膜１２の結晶性をさらに向上させて多結晶半導体膜とする工程とを包含する。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス基板の開口率を向上させる。
【解決手段】複数のトランジスタ素子を備えたアクティブマトリクス基板１０１Ａであって、可視光を透過させることが可能な基板１０と、基板上に形成され、亜鉛錫酸化物から構成される導電体材料よりなり、可視光を透過させることが可能な配線（Ｌ_Ｇ、Ｌ_Ｄ、Ｌ_Ｐ、Ｌ１、Ｌ２等）であってトランジスタ素子における電極として機能している、配線と、基板の垂直方向からみて配線の少なくとも一部と重なり、配線よりもキャリア濃度が低く、亜鉛錫酸化物から構成される半導体材料よりなり、かつ可視光を透過させることが可能な半導体層４４と、配線および半導体層の少なくとも一部を覆い、可視光を透過させることが可能な絶縁膜（４０、５０）と、を備えることを特徴とするアクティブマトリクス基板。 （もっと読む）

【課題】横電界方式の液晶表示装置において、画素の開口率を向上させたアレイ基板および液晶表示装置を提供する。
【解決手段】共通電極、画素電極、薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタを覆って設けられた複数色の着色画素、および保護層より構成される横電界方式の液晶表示装置に用いられるアレイ基板において、前記着色画素上に共通電極が配置され、さらに前記共通電極上に絶縁層を介して画素電極を備えたことを特徴とするアレイ基板を用いる。 （もっと読む）

【課題】有機物からなる一軸の形状異方性粉体を含む液晶材料を用いた液晶表示装置において、短絡による表示不良の改善。
【解決手段】第一の基板と、第二の基板と、前記第一の基板と前記第二の基板の間に配置された液晶層，画素電極、及び共通電極とを有し、前記液晶層において、有機物で一軸の形状異方性を有するカーボンナノチューブが含有されており、前記カーボンナノチューブの長軸は、前記液晶層の厚さ、及び前記画素電極から前記共通電極までの距離のうち、どちらか短い距離以下であり、前記カーボンナノチューブの表面は、アモルファス状態を有することを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】視野角が広く、液晶分子の応答速度が速く、表示特性および長期信頼性に優れる液晶表示素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】上記液晶表示素子の製造方法は、導電膜を有する一対の基板の該導電膜上に、それぞれ、（Ａ）重合体および（Ｂ）有機溶媒を含有する重合体組成物を塗布して塗膜を形成し、前記塗膜を形成した一対の基板を、液晶分子の層を介して前記塗膜が相対するように対向配置して液晶セルを形成し、前記一対の基板の有する導電膜間に電圧を印加した状態で前記液晶セルに光照射する工程を経る液晶表示素子の製造方法であって、前記（Ａ）重合体が、光照射によりラジカルを発生する構造および光増感機能を有する構造のうちの少なくとも１種の構造と、重合性不飽和結合と、の双方を有する重合体を含むものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】対向基板上にカラーフィルタ層を形成する場合と同様に、複雑な工程によることなくカラーフィルタ層を形成し、アレイ基板上にカラーフィルタ層が設けられた表示装置を得る。
【解決手段】表示装置１０は、各画素毎にスイッチング素子２６が形成されたアレイ基板２０と、アレイ基板２０に対向して配置された対向基板３０と、を有する。アレイ基板２０は、アレイ基板本体２１と、アレイ基板本体２１上に設けられ、各画素に対応する複数の着色層２４、及びこれらの着色層２４の間に位置する遮光層２３からなるカラーフィルタ層２２と、カラーフィルタ層２２の上層に設けられたスイッチング素子層と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】同一基板上に複数種の回路を形成し、複数種の回路の特性にそれぞれ合わせた複数種の薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】画素用薄膜トランジスタとしてソース電極層及びドレイン電極層上に重なる酸化物半導体層を有する逆コプラナ型を用い、駆動回路用薄膜トランジスタとして、チャネル保護型を用い、かつ、画素用薄膜トランジスタの主要な部分を透光性材料で構成することにより、開口率を上げる。 （もっと読む）

【課題】電界生成電極に複数の微細スリットが形成された液晶表示装置の視認性を向上させると共に、テクスチャなどの表示不良を減らす。
【解決手段】液晶表示装置は、第１基板と、第１基板上に形成され、複数の微細枝部を含む画素電極とを含み、画素電極は、隣接する微細枝部の間の間隔が第１距離の第１領域、隣接する微細枝部の間の間隔が第１距離より大きい第２距離の第２領域、及び第１領域と前記第２領域との間に位置し、微細枝部の間の間隔が段階的に変化する第３領域を含む。 （もっと読む）

【課題】ハードマスクを使用して斜方蒸着層を形成する限り、ハードマスク起因の合わせずれや寸法誤差によるずれを解決することは困難である。特に、上下導通領域の構成要素である素子電極を覆うように蒸着粒子が回り込んだ場合、上下導通領域は蒸着粒子の付着により電気抵抗値が高くなり、液晶装置の表示にむらが発生するという課題がある。
【解決手段】素子電極１２２を覆うよう付着した斜方蒸着層前駆体１８ａ’を除去して斜方蒸着層１８ａを形成する。素子電極１２２を覆う斜方蒸着層前駆体１８ａ’の除去にはＣＭＰ法が好適な手段となる。自己整合的に位置合わせが行えるため、アライメントずれ等が発生せず、高い形状精度を持った状態で斜方蒸着層前駆体１８ａ’を除去でき、液晶装置の表示むらが抑えられる。 （もっと読む）

【課題】横方向電界で液晶分子を回転させる方式を用いた場合、液晶は電極に対して基板から離れた方向に配置される。つまり、基板側に生じる電界は液晶分子の回転に寄与しない。そのため、電界の利用率が低下する。また、電気抵抗が低い結晶型ＩＴＯを用いた場合、ドライエッチングでは残渣が残り、ウェットエッチングでは寸法精度が出せないという課題がある。
【解決手段】電極間に位置する誘電体をエッチングして逆テーパー状に窪ませることで、電界強度が強い電極間に液晶が入る領域を設けた。窪ませた部分の液晶分子も電界により回転するため電界の利用率を向上させることができる。また、逆テーパー状に誘電体が形成されているため、スパッター法等で結晶型ＩＴＯ膜を形成した場合、自己整合的にＩＴＯ膜が分離されるため、ＩＴＯをエッチングすることなく所望のパターンを形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】画素間の横電界による光漏れを低減可能な液晶装置の製造方法、液晶装置、電子機器を提供すること。
【解決手段】対向配置された第１基板としての素子基板１０および第２基板としての対向基板２０と、素子基板１０と対向基板２０とに挟持された液晶層５０と、複数の画素Ｇ１とを備え、素子基板１０において画素Ｇ１ごとに設けられた第１電極としての共通電極１９と第２電極としての画素電極９との間に生ずる電界により液晶層５０が配向制御される液晶装置１００の製造方法であって、少なくとも素子基板１０の画素内の領域に第１配向処理を施すと共に、少なくとも一方の方向における素子基板１０の画素間の領域に第１配向処理とは異なる第２配向処理を施す配向処理工程を備えた。 （もっと読む）

【課題】色再現性を高め、かつインクの充填率を高めることのできる液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】表示装置は、第１絶縁基板と、第１絶縁基板の上に形成されているゲート線と、ゲート線と交差するデータ線と、ゲート線及びデータ線と接続される薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタ、ゲート線及びデータ線の上に形成され、断面の形状が上部ａと下部ａ’の幅が中心部ｂの幅より大きいことを特徴とする隔壁と、薄膜トランジスタと接続される画素電極とを含む。 （もっと読む）

【課題】第１引き回し配線と第２引き回し配線との間のブリッジ接続部において、透明導
電性部材からなる接続電極の表面を被覆する有機樹脂膜のカバレッジ不良を抑制して、接
続電極の腐食を抑制した液晶表示パネルを提供すること。
【解決手段】ゲート絶縁膜１７及びパッシベーション膜２０及び平坦化膜ＯＶＬで被覆さ
れた第１引き回し配線１６ａと、ゲート絶縁膜１７の表面に形成され、パッシベーション
膜２０及び平坦化膜ＯＶＬで被覆された第２引き回し配線１６ｂとを有し、第１引き回し
配線１６ａの表面を露出させる第１コンタクトホール２１と、第２引き回し配線１６ｂの
表面を露出させる第２コンタクトホール２２とを被覆した接続電極２３によりブリッジ接
続する際、配線切り替え領域のブリッジ接続部分Ａでは平坦化膜を除去しておき、その接
続電極２３の表面を配向膜２４で被覆する。 （もっと読む）

【課題】外部からの静電気に起因する画像の乱れを抑制した液晶装置および電子機器なら
びに液晶装置の製造方法を提供する。
【解決手段】液晶装置１は、第１基板としての素子基板１０と第２基板としての対向基板
２０との間に液晶層５０が挟持され、素子基板１０上に画素電極９と共通電極１９とが形
成され、画素電極９と共通電極１９との間に発生する電界によって液晶層５０が駆動され
、対向基板２０の液晶層５０側の面に静電遮蔽層としての静電シールド層４０が形成され
、静電シールド層４０の液晶層５０側に絶縁層を介して配向膜２５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】より高コントラスト化を可能とするブルー相を示す液晶材料を用いた液晶表示装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ブルー相を示す液晶層を含む液晶表示装置において、第１の電極層（画素電極層）上に第１の構造体、同様に第２の電極層（共通電極層）上に第２の構造体を設ける構成とする。第１の構造体及び第２の構造体は、液晶層に用いられる液晶材料の誘電率より高い誘電率を有する絶縁体であり、液晶層に突出するように設けられる。 （もっと読む）