【課題】配線間の短絡等を発生させずに、複数の配線が並列する配線領域の幅寸法を狭めることのできる電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００では、素子基板１０の辺１０ｅと画素電極配列領域１０ｐとの間で複数の配線１０５が並列する配線領域１１は、一部の配線１０５と他の配線１０５とが異なる層に位置する第２配線領域１１ｂとを備えており、かかる第２配線領域１１ｂでは、異なる層に位置する配線１０５の間に平面視で広い隙間を設けなくても短絡等の問題が発生しない。このため、第２配線領域１１ｂについては、配線１０５間の短絡等を発生させず、幅方向の寸法を第１配線領域１１ａより狭くすることができる。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜上における絶縁膜の膜浮きの発生を抑え、且つ、透明導電膜と金属膜との良好な電気的接続性を得ることができる配線構造を提供する。
【解決手段】それぞれ配線として機能する第１の導電膜２と第２の導電膜５と接続する配線変換部４５において、第２の導電膜５の内側には刳り抜き部１３が形成される。第２の導電膜５の上に設けられる第２の導電膜５は、第２の導電膜５の上面および刳り抜き部１３に露出した端面を覆い、且つ、第２の導電膜５の外周の端面を覆わないように形成される。第１の透明導電膜６の上層の第２の透明導電膜７が、第２の導電膜５と第１の導電膜２とに接続することにより、第１の導電膜２と第２の導電膜５とが電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】 表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 走査線ＧＬと、走査線ＧＬと交差する信号線ＳＬと、信号線ＳＬが延びる方向に延び走査線ＧＬが延びる方向に並んで配置された複数の櫛歯画素電極ＰＥ１〜ＰＥ３を含む画素電極ＰＥと、複数の櫛歯画素電極ＰＥ１〜ＰＥ３の間において信号線ＳＬが延びる方向に延び、櫛歯画素電極ＰＥ１〜ＰＥ３と所定のスペースを置いて配置された複数の櫛歯共通電極ＣＥ１〜ＣＥ４を含む共通電極ＣＥと、少なくとも信号線ＳＬと信号線ＳＬの近傍に配置された櫛歯画素電極ＰＥ１、ＰＥ３との間に配置された遮光部ＣＯＭ１と、を備えた第１基板１０１と、信号線ＳＬが延びる方向と略直交する方向において遮光部ＣＯＭ１と同じ幅であって信号線ＳＬと対向する遮光層ＢＭを備え、第１基板１０１と対向して配置された第２基板１０２と、第１基板１０１と第２基板１０２との間に挟持された液晶層ＬＱと、を備えた液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】走査線ＧＬと、走査線ＧＬと交差する信号線ＳＬと、信号線ＳＬが延びる方向に延び走査線ＧＬが延びる方向に並んで配置された複数の櫛歯画素電極ＰＥ１〜ＰＥ３を含む画素電極ＰＥと、複数の櫛歯画素電極ＰＥ１〜ＰＥ３の間において信号線ＳＬが延びる方向に延び、櫛歯画素電極ＰＥ１〜ＰＥ３と所定のスペースを置いて配置された複数の櫛歯共通電極ＣＥ１〜ＣＥ４を含む共通電極ＣＥと、少なくとも信号線ＳＬと信号線ＳＬの近傍に配置された櫛歯画素電極ＰＥ１、ＰＥ３との間に配置され、共通電極ＣＥと同じ電圧が印加された遮光部ＣＯＭ１と、を備えた第１基板１０１と、第１基板１０１と対向して配置された第２基板１０２と、第１基板１０１と第２基板１０２との間に挟持された液晶層ＬＱと、を備えた液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜上における絶縁膜の膜浮きの発生を抑え、且つ、透明導電膜と金属膜との良好な電気的接続性を得ることができる配線構造を提供する。
【解決手段】それぞれ配線として機能する第１の導電膜２と第２の導電膜５と接続する配線変換部４５において、第１の透明導電膜６は、当該第１の透明導電膜６のコーナー部近傍では第２の導電膜５の端面を覆っておらず、コーナー部近傍以外において第２の導電膜５の端面を覆う部分を有している。第１の透明導電膜６の上層の第２の透明導電膜７が、第２の導電膜５と第１の導電膜２とに接続することにより、第１の導電膜２と第２の導電膜５とが電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】バリア性の高い保護層を有する積層構造、有機半導体素子、配線および表示装置、並びに有機半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】導体または半導体を含む有機層と、絶縁材料により構成され、前記有機層を覆う保護層と、外周が前記絶縁材料と親和性を有する親和層に覆われ、前記保護層に分散された複数の粒体とを備えた積層構造。 （もっと読む）

【課題】保護膜溶液組成物を提供すること。
【解決手段】下記の化学式１で表わされる有機シロキサン樹脂を含む保護膜溶液組成物：



・・・化学式１
（式中、Ｒは１乃至２５個の炭素を有する飽和炭化水素または不飽和炭化水素から選ばれた少なくとも一つの置換基であり、ｘ、ｙはそれぞれ１乃至２００であり、各波線は水素原子、ｘシロキサン単位またはｙシロキサン単位との結合を示すか、あるいは、ｘシロキサン単位、ｙシロキサン単位またはこれらの組み合わせを含む他の有機シロキサン鎖のｘシロキサン単位またはｙシロキサン単位との結合を示す）。 （もっと読む）

【課題】周辺領域に形成された配線で反射する光の迷光を減らすことを目的とする。
【解決手段】表示装置は、光の透過及び遮蔽を制御して画像を表示するための表示パネル１０と、表示パネル１０に重ねられて光を供給するためのバックライト１２と、を有する。表示パネル１０は、画像が表示される表示領域２６及び表示領域２６の外側の周辺領域２８を含む基板１６を有する。基板１６は、バックライト１２側を向く下面及びバックライト１２とは反対側を向く上面を有する。基板１６の上面には、周辺領域２８に配線３０が形成されている。配線３０の基板１６側を向く面の少なくとも一部は、基板１６の下面に対する法線から基板１６の外側の方向に斜めに傾いている。 （もっと読む）

【課題】互いに電気的に接続された薄膜トランジスタの第２電極と配線層との間の電食の発生を防止して、安定した電気特性を得ることできる表示装置およびその製造方法、並びに電子機器を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタおよび配線層を備え、前記薄膜トランジスタは、制御電極
と、前記制御電極と対向する半導体層と、前記半導体層に電気的に接続され、光透過性材
料からなる第１電極と、前記光透過性材料よりも低抵抗の金属膜を含むと共に、前記半導
体層および前記配線層にそれぞれ電気的に接続された第２電極とを備え、前記金属膜の構
成材料と前記配線層の少なくとも一部を構成する導電材料とのイオン化傾向の差は、前記
光透過性材料と前記導電材料とのイオン化傾向の差よりも小さい表示装置。 （もっと読む）

【課題】額縁領域を大きさを抑えつつ、製造時に発生する静電気による静電破壊を防ぐダミー画素を有する表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、薄膜トランジスタを含む画素を複数有し、画像を表示するための領域である表示領域（２６０）と、表示領域の外側に形成され、ダミー画素を複数有するダミー画素領域（２７０）と、を備え、ダミー画素（３１０）は、薄膜トランジスタのゲート信号線と平行なダミーゲート信号線（３１１）と、ダミーゲート線と絶縁層を介して交差する半導体層（３１３）と、を有し、半導体層には、一の導体層（３１２）のみが接続される。 （もっと読む）

【課題】データ配線が銀や銀合金により形成されており、またデータ配線に、ゲート絶縁層によって被覆されておらずむき出しとなっている部分があった場合でも、当該むき出しとなっている部分でマイグレーション現象が生じることがないトップゲート型アクティブマトリックスを提供する。
【解決手段】基材と、前記基材上に直接または間接的に形成された、ソース電極、ドレイン電極、半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極、層間絶縁層、画素電極、および前記ソース電極と接続したデータ配線と、を有するトップゲート型アクティブマトリックス基板において、前記ソース電極と前記データ配線をともに銀または銀合金で形成し、前記ゲート電極を銀または銀合金以外で形成し、前記データ配線においてむき出しとなっている部分をゲート電極と同じ材質からなる被覆層によって被覆する。 （もっと読む）

【課題】データ線の配線構造に起因する寄生容量によって生ずるスジ状の系列的な表示ムラが改善された電気光学装置、この電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置としての液晶装置１００は、画像信号が供給される画像信号線１１１と、データ線６ａと、データ線６ａと画像信号線１１１との間に電気的に接続され、画像信号をデータ線６ａに供給する第１および第２トランジスターとしてのサンプリングトランジスター（Ｓ−ＴＦＴ）７１と、を備え、Ｓ−ＴＦＴ７１のゲート電極とデータ線６ａとが絶縁膜を介して重なるオーバーラップ量が異なる少なくとも２種のＳ−ＴＦＴ７１を備えた。これにより、ゲート電極とデータ線６ａとの間に寄生容量が生じ、オーバーラップ量を異ならせることで、それぞれのデータ線６ａが構造的に有する寄生容量を調整することができ、スジ状の系列的な表示ムラを改善できる。 （もっと読む）

【課題】映像信号線のパターニング時における映像信号線の断線を防止する。
【解決手段】映像信号線１０７、ドレイン電極１０７、ソース電極１０７は同層で同時に形成される。映像信号線１０７等はベース層１０７１、ＡｌＳｉ層１０７２、キャップ層１０７３の３層によって形成される。従来は、ＡｌＳｉ層１０７２において、キャップ層１０７３との境界にエッチングレートの早い合金が形成されて映像信号線１０７等のパターニング時、断線を生じていた。本発明では、映像信号線１０７等の形成時、ＡｌＳｉ層１０７２をスパッタリングによって形成した後、ＴＦＴを大気にさらし、ＡｌＳｉ層の表面にＡｌ酸化層を形成した後、キャップ層１０７３をスパッタリングによって形成する。これによってＡｌＳｉ層に、エッチングレートが部分的に早くなる合金が発生することを防止し、映像信号線等の断線の発生を防止する。 （もっと読む）

【課題】黒輝度特性が良好な表示品位に優れた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、第１基板と、第２基板と、Ｙ軸に略平行な方向に液晶分子ＬＭが初期配向した液晶層ＬＱと、複数の画素と、第１吸収軸（ＡＸ１）を有した第１偏光板ＰＬ１と、第２吸収軸（ＡＸ２）を有した第２偏光板ＰＬ２と、第１遅相軸ＳＡ１を有した第１位相差板３０と、第２遅相軸ＳＡ２を有した第２位相差板４０と、を備えている。各画素は、主画素電極と、一対の主共通電極と、を有している。Ｒｅ１＜Ｒｅ２である。波長５５０ｎｍの光に対して、Ｒｅ１＋Ｒｅ２＝１５０±５０ｎｍである。波長５５０ｎｍの光に対して、Ｒｔｈ１＋Ｒｔｈ２＝−１０±５０ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】液晶装置において、高品質な画像を表示可能とする。
【解決手段】液晶装置１００は、素子基板と対向基板とに挟持された液晶層と、素子基板に設けられたＴＦＴ３０と、ＴＦＴ３０と電気的に接続された容量電極１６ａと誘電体層１６ｂと画素電極１６ｃとを有する容量素子１６とを備え、容量電極１６ａは、平面的に隣り合う画素電極１６ｃ間の領域に窪み５５を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、製造工程を単純化して透明導電膜上に金属膜が積層された積層構造を有する共通電極配線を製造することができる液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】液晶表示装置の製造方法であって、透明導電膜１０上に金属膜１１が積層された積層構造を有する枠状の共通電極配線１２と、透明導電膜１０の配線幅よりも小さい配線幅を有する共通電極１３と、共通電極配線１２の透明導電膜１０の配線幅よりも小さい配線幅を有する画素電極１４とからなる横電界方式において、感光性樹脂膜１５をエッチングマスクにして等方性エッチングにより、共通電極１３および画素電極１４となる透明導電膜１０上に積層された、感光性樹脂膜１５の下側に位置する金属膜１１を除去するとともに、共通電極配線１２となる透明導電膜上１０に積層された、感光性樹脂１５の下側に位置する金属膜１１の側面の一部を除去する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】表示品位の劣化を抑制する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】マトリクス状に配置された複数の画素ＰＸを含むアクティブエリアＡＣＴと、画素ＰＸに配置された画素電極ＰＥと、画素電極ＰＥ上に配置され配向処理が成された第１配向膜ＡＬ１と、を備えた第１基板ＡＲと、画素電極ＰＥを挟んだ両側に配置された共通電極ＣＥと、共通電極ＣＥ上に配置され配向処理が成された第２配向膜ＡＬ２と、を備えた第２基板ＣＴと、第１基板ＡＲと第２基板ＣＴとの間に保持された液晶分子ＬＭを含む液晶層ＬＱと、を備え、第１配向膜ＡＬ１と第２配向膜ＡＬ２との配向処理方向は互いに平行であって、画素電極ＰＥおよび共通電極ＣＥは、配向処理方向に対して鋭角に傾いた方向に延びている液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】半導体を基板とする液晶パネルは、ウェル領域があるため、漏れ光がトランジスタ部分のみでなくそこから離れた半導体基板を通過しただけで光リーク電流が流れることがある。この光リーク電流が、ガラス基板上にスイッチング素子としてのＴＦＴを配置した液晶パネルに比べて多くなるという欠点がある。
【解決手段】反射電極となる画素電極（１４）と、画素電極への電圧印加を制御するスイッチング素子とを有する画素単位が基板上にマトリックス状に配置されてなる液晶パネル用基板において、両素電極とスイッチング素子の端子電極を構成する導電層（６ａ）との間に、両者を接続するためのコンタクトホールを形成し、このコンタクトホールの形成箇所を囲む開口を有し、隣接する複数の画素電極の間の領域には開口を有さない遮光層を、画素電極と導電層との間に設けることにより、画素電極どうしの隙間から漏込む光による弊害を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】視認性及び透過率が向上した液晶表示装置を提供する。
【解決手段】画素領域内に所定間隔離隔して相互平行に配列されている複数のサーブ電極１８２ａと各サーブ電極を電気的に連結する連結電極１８２ｂを含む第1電界形成電極及び第1電界形成電極を覆う第1方向にラビングされた第1配向膜を含む第1基板を含むか、第1基板の画素領域に対応する領域に相互平行に形成されている複数の開口部を含む第2電界形成電極及び第2電界形成電極を覆う第2方向にラビングされた第2配向膜を含む第2基板を含む液晶表示装置。 （もっと読む）