【課題】マスク数の少ない薄膜トランジスタの作製方法を提供する。
【解決手段】第１の導電膜１０２と、絶縁膜１０４と、半導体膜１０６と、不純物半導体膜１０８と、第２の導電膜１１０とを積層し、この上に多階調マスクを用いて凹部を有するレジストマスク１１２を形成し、第１のエッチングを行って薄膜積層体を形成し、第１の導電膜１０２がエッチングされた膜１１３に対してサイドエッチングを伴う第２のエッチングを行ってゲート電極層１１６Ａを形成し、その後ソース電極及びドレイン電極等を形成することで、薄膜トランジスタを作製する。半導体膜としては結晶性半導体膜１０６を用いる。 （もっと読む）

【課題】表面がＭｏで形成された金属配線の表面を被覆する絶縁膜として従来の保護絶縁
膜よりも極めて薄い絶縁膜を使用しながらも、トップゲート型ＴＦＴの耐湿性を確保し、
更に、層間樹脂膜の浮きや剥がれを抑制することができる液晶表示パネル及びその製造方
法を提供すること。
【解決手段】本発明の液晶表示パネル１は信号線１６の表面がＭｏで形成されており、信
号線１６の表面は厚さが０．００５μｍ以上、０．０２μｍ以下の窒化ケイ素からなる絶
縁膜１９で被覆され、更に絶縁膜１９の表面は層間樹脂膜２０で被覆されている。画素電
極２１とＴＦＴのドレイン電極Ｄは層間樹脂膜２０に設けられたコンタクトホール２２を
経て電気的に接続されており、この第２開口部１９ａは画素電極形成前のフッ酸溶液によ
る洗浄工程により洗浄と同時に形成される。 （もっと読む）

【課題】液晶分子を駆動するための画素電極と共通電極が、平面視上、重畳領域を有するＴＦＴアレイ基板において、製造工程の短縮化を実現する。
【解決手段】本発明に係るＴＦＴアレイ基板は、ドレイン領域１０Ｄから延在される画素電極１１を備える島状の結晶性半導体層３と、結晶性半導体層３の上層に形成されたゲート絶縁膜２１と、ゲート絶縁膜上２１であって、チャネル領域１０Ｃと対向配置されるゲート電極１２と、ゲート電極１２より上層に配置され、絶縁層２５に形成されたコンタクトホールＣＨを介してソース領域１０Ｓと電気的に接続されたソース電極１３と、絶縁層２５より上層に形成され、画素電極１１と重畳する領域を有する共通電極１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】表示装置の薄膜トランジスタ基板において、窒化ケイ素膜上への銅の微細配線を、より簡易に行う。
【解決手段】微細配線がされたＴＦＴ基板は、無アルカリガラスからなるガラス基板１０１と、インジウム錫酸化物からなる透明導電膜１０２と、アルミニウムを４原子％含有し銅を主成分とする合金からなる第一の導電層１０３及び１０９と、９９．９９％純度の純銅からなる銅配線である第二の導電層１０４及び１１０と、窒化ケイ素からなるゲート絶縁膜１０６と、非晶質ケイ素からなる半導体層１０７と、ｎ＋型非晶質ケイ素からなるコンタクト層１０８と、透明導電膜１０２と第一の導電層１０３との界面の金属酸化物層１０５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、スイッチング素子が形成されたアレイ基板側にカラーフィルタを形成したＣＦ−ｏｎ−ＴＦＴ構造の液晶表示装置用基板に関し、フォトリソグラフィ工程を代表とする製造プロセスを簡略化でき、且つ高い信頼性を有する液晶表示装置用基板を提供することを目的とする。
【解決手段】ガラス基板３上にマトリクス状に配列された複数の画素領域Ｐから引き出されたゲートバスライン６に電気的に接続された第１の端子電極５２ａと、画素電極の形成材料でガラス基板３上に直接形成された第２の端子電極５２ｂと、第１及び第２の端子電極５２ａ、５２ｂを電気的に接続する電極繋ぎ換え領域５２ｃとを備え、外部回路とゲートバスライン６とを電気的に接続する外部接続端子を有するように構成する。 （もっと読む）

【課題】開口率の高い半導体装置又はその作製方法を提供することを目的の一とする。また、消費電力の低い半導体装置又はその作製方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に設けられた半導体層と、半導体層を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた第１の導電層と第２の導電層とで積層されたゲート電極を含むゲート配線と、半導体層と前記ゲート電極を含む前記ゲート配線を覆う絶縁膜と、絶縁膜上に設けられ、半導体層と電気的に接続され、第３の導電層と第４の導電層とで積層されたソース電極を含むソース配線と、を有し、ゲート電極は、第１の導電層で形成され、ゲート配線は、第１の導電層と第２の導電層で形成され、ソース電極は、第３の導電層で形成され、ソース配線は、第３の導電層と第４の導電層で形成されている。 （もっと読む）

【課題】 クロストークを防止する。
【解決手段】電気光学装置は、基板（７）上に第１電極（１３１）及び第２電極（１３２）からなる電気光学素子と、データ電位が供給される第１データ線（６ａ）及び第１電極間に設けられ、第１期間でオン状態、第２期間でオフ状態となる第１スイッチング素子と、データ電位が供給される第２データ線（６ｂ）及び第２電極間に設けられ、第１期間でオフ状態、第２期間でオン状態となる第２スイッチング素子と、を備える。そして、基板を平面視すると、第２電極は、その少なくとも一部が第１及び第２データ線と重なるように形成され、第１電極は、その両側辺がそれぞれ第１及び第２データ線それぞれの幅の内に収まるように、形成される。 （もっと読む）

【課題】表層がＴｉからなる金属配線の表面に形成される絶縁膜としてプラズマＣＶＤ法
により形成された窒化ケイ素膜を用いても、金属配線と導電部材との間の接触抵抗が抑制
された電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも表層がＴｉからなる金属配線１７、１８の表面に、プラズマＣＶ
Ｄ法によって、第１の絶縁膜３７ａないし３８ａを形成した後に窒化ケイ素からなる第２
の絶縁膜３７ｂないし３８ｂを形成し、第２の絶縁膜３７ｂないし３８ｂ及び第１の絶縁
膜３７ａないし３８ａにプラズマエッチング法によってコンタクトホール５１、５２を形
成して前記Ｔｉからなる金属配線１７、１８の表面を露出させる工程を備える電気光学装
置の製造方法であって、前記第１の絶縁膜３７ａないし３８ａを、前記窒化ケイ素からな
る第２の絶縁膜３７ｂないし３８ｂの形成時にボール状窒化ケイ素が形成しない材料で形
成する。 （もっと読む）

【課題】ＦＦＳモードの液晶表示装置において、半透過マスクを用いることなくフォトリソグラフィー工程数を削減することができる薄膜トランジスタアレイ基板、その製造方法、及び液晶表示装置を提供すること
【解決手段】本発明にかかる薄膜トランジスタアレイ基板は、ゲート配線４３を覆うゲート絶縁膜１１上に形成されたソース配線４４と、ゲート絶縁膜１１上に形成され、ドレイン電極５の下のほぼ全面と、ソース電極４の下のほぼ全面と、ソース配線４４の下のほぼ全面と、ゲート電極の対面とに配設された半導体層２と、ドレイン電極５の上に直接重なり形成された画素電極６と、ソース電極４及びソース配線４４の上に、画素電極６と同じ層によって直接重なり形成された透明導電パターン６ａと、画素電極６及び透明導電パターン６ａを覆う層間絶縁膜１２上に形成され、画素電極６との間でフリンジ電界を発生させる対向電極８と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】共通配線の低抵抗および高開口率を維持しつつ、外光の映り込みがない横電界方式の液晶表示装置及びそれを用いた電子機器の提供。
【解決手段】第１の基板と第２の基板と、該２枚の基板に狭持された液晶層とを有し、該第１の基板には２次元的にマトリクス状に画素が配置され、各画素には少なくとも薄膜トランジスタと画素電極と共通電極とを有し、該マトリクスは複数の映像信号線と複数の走査信号線が交差して形成された横電界方式の液晶表示装置であって、該映像信号線および該走査信号線上には透明絶縁膜が設けられ、該透明絶縁膜上に画素電極と共通電極と共通配線とが設けられ、該共通配線は格子状に形成され、その一方向は金属よりも可視光の反射率が小さい第１の導体からなり、他の一方向は金属層を含む第２の導体からなる。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板への密着性が高いと共に、Ｓｉを含んだ層へのＣｕの拡散を抑制し、配線とＳｉを含んだ層とのコンタクト抵抗を低くすることができる配線を提供することができ、また、当該配線材料を用いた回路基板と、当該配線材料用のターゲット材とを提供する。
【解決手段】本発明に係る回路基板用の配線材料は、Ｃｕよりも優先的にＳｉとの間でシリサイドを形成するシリサイド形成材と、Ｓｉの酸化物生成自由エネルギーよりも酸化物生成自由エネルギーが低い少なくとも１種類の添加物とが添加され、残部がＣｕ及び不可避的不純物からなる。 （もっと読む）

【課題】表示欠陥を完全にリペアすることができ、開口率の低下を伴わない液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】紫外線の照射によって高導電率化されたＩｎ、Ｇａ及びＺｎを含むアモルファス酸化物のソース領域及びドレイン領域を有する主ＴＦＴ及び冗長ＴＦＴを備え、冗長ＴＦＴの透明なドレイン領域を画素電極と重なり合うようにして信号線に設けられたリペア領域にまで延ばして形成する。リペア領域と冗長ＴＦＴのドレイン領域の端部とは絶縁層によって絶縁されている。表示欠陥の生じた画素部に対して、主ＴＦＴを画素電極から切り離すとともに、冗長ＴＦＴのドレイン領域の端部と信号線とをリペア領域において溶着させる。これにより、冗長ＴＦＴがスイッチング素子として機能し表示欠陥が完全にリペアされる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、情報機器等の表示部に用いられ、輝度が高く表示特性の良好な表示装置が得られる液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】各画素は左右方向に延びるゲートバスライン２５と、上下方向に延びるドレインバスライン２６とで画定されている。各バスライン２５、２６の交差位置近傍にはＴＦＴが形成され、その上部にＴＦＴを遮光する樹脂重ね部３２が形成されている。ＴＦＴ基板８に対向して配置される共通電極基板上にはＢＭが形成されず、基板ＴＦＴ基板８に形成された各バスライン２５、２６及び樹脂重ね部３２がＢＭの機能を奏するようになっている。 （もっと読む）

【課題】表示パネルに設けられた配線の微細化、低抵抗化
【解決手段】画素領域の周縁部には複数の集積回路２１２、２２２が配置されている。また、画素領域の周縁部に沿って複数の配線２４１〜２４３が形成されている。かかる複数の配線２４１〜２４３は、集積回路２１２、２２２を接続している。また、複数の配線２４１〜２４３は絶縁層２８０によって覆われている。また、配線２４１〜２４３の長さ方向には、部分的に、配線２４１〜２４３の幅方向の断面を大きくした断面拡大部２６１〜２６６を備えている。断面拡大部２６１〜２６６は、配線２４１〜２４３からガラス基板１２１の厚さ方向に延びた柱部２６１ａ〜２６６ａと、他の配線との間に絶縁層２８０を介在させた状態で、柱部２６１ａ〜２６６ａから配線２４１〜２４３の幅方向に広がった拡大部２６１ｂ〜２６６ｂとを備えている。 （もっと読む）

【課題】金属配線と金属酸化物を有する層を形成する際、電蝕といわれる腐食の発生をおさえることにより、半導体装置の動作特性および信頼性を向上させ、歩留まりの向上を実現することを目的とする。
【解決手段】配線は、耐酸化性金属からなる第１の層と、その上に形成されたアルミニウムもしくはアルミニウムを主成分とする第２の層と、その上に形成された耐酸化性金属からなる第３の層からなる３層構造とし、前記配線と電気的に接続する金属酸化物を有する層を有する。また、第２の層の上面及び下面は第１及び第３の層と接し、側面は酸素とアルミニウムを含む酸化層と接する。 （もっと読む）

【課題】電気特性のバラツキが少ないＴＦＴを備えた電気光学装置の製造方法及び電気光
学装置を提供すること。
【解決手段】本発明の電気光学装置１０の製造方法は、表示領域１２の周囲の少なくとも
１箇所に、ＴＦＴの製造時に、同時に、同条件で、同じ層構造の半導体層を備える膜厚測
定用素子Ｘ部分を形成する工程と、前記ＴＦＴのチャネルエッチング時に前記膜厚測定用
素子Ｘ部分の半導体層も同時にエッチングする工程と、得られた膜厚測定用素子Ｘの半導
体層の膜厚を測定することによって前記ＴＦＴのチャネル領域の半導体層の膜厚を求める
工程と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電気特性の制御された酸化物半導体層を用いて作製された抵抗素子及び薄膜トランジスタを利用した論理回路、並びに該論理回路を利用した半導体装置を提供する。
【解決手段】抵抗素子３５４に適用される酸化物半導体層９０５上にシラン（ＳｉＨ_４）及びアンモニア（ＮＨ_３）などの水素化合物を含むガスを用いたプラズマＣＶＤ法によって形成された窒化シリコン層９１０が直接接するように設けられ、且つ薄膜トランジスタ３５５に適用される酸化物半導体層９０６には、バリア層として機能する酸化シリコン層９０９を介して、窒化シリコン層９１０が設けられる。そのため、酸化物半導体層９０５には、酸化物半導体層９０６よりも高濃度に水素が導入される。結果として、抵抗素子３５４に適用される酸化物半導体層９０５の抵抗値が、薄膜トランジスタ３５５に適用される酸化物半導体層９０６の抵抗値よりも低くなる。 （もっと読む）

【課題】開口率を小さくすることのない垂直配向型の薄膜トランジスタアレイ基板を提供すること。
【解決手段】絶縁層上に形成されたエッチング停止層と、前記エッチング停止層を含む前記絶縁層上に形成されたパッシベーション層と、前記パッシベーション層に形成されるとともに前記エッチング停止層に通ずる凹部と、前記凹部を含む前記パッシベーション層上に形成されるとともに前記凹部に対応して凹んだ画素電極と、を備え、前記エッチング停止層は、透明半導体よりなる。 （もっと読む）

【課題】燐酸を主成分とすることなくモリブデン層とアルミニウム層とを一括的にエッチングすることができるエッチング液及びこれを用いたパターン形成方法並びに液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るエッチング液及びこれを用いたパターン形成方法並びに液晶表示装置の製造方法は、モリブデン又はモリブデンを主成分とする合金からなるモリブデン層（２ｂ，３ａ，３ｃ，４ａ，４ｃ）と、アルミニウム又はアルミニウムを主成分とする合金からなるアルミニウム層（２ａ，３ｂ，４ｂ）と、を含む金属積層膜を一括でエッチングするためのエッチング液であって、ｐＨが４以上１２以下であり、アルミニウムと錯体を形成できる化合物と酸化物とを含有するエッチング液及びこれを用いたパターン形成方法並びに液晶表示装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタにおいて、ソース／ドレイン領域へのコンタクトの方法を改良することにより、配線抵抗を減らす。
【解決手段】酸化珪素膜上の第１及び第２のシリサイド、チャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域を有する結晶性珪素膜と、チャネル形成領域上のゲイト絶縁膜と、ゲイト絶縁膜上のゲイト電極と、ゲイト電極の側面に設けられた側壁と、第１のシリサイドに接して設けられた第１の金属配線と、第２のシリサイドに接して設けられた第２の金属配線と、を有し、第１のシリサイドは、ソース領域の上面の一部及び側面に設けられ、第２のシリサイドは、ドレイン領域の上面の一部及び側面に設けられ、第１の金属配線と第２の金属配線は同一金属膜をエッチングして形成された構造であり、第１及び第２のシリサイドは、金属膜に用いられる金属を用いて形成されたシリサイドである。 （もっと読む）