【課題】十分なコントラストが得られる表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係る表示装置によれば、間隙Ｄにおいて、容量線７７と走査線１１とが重ねて構成されているため、２本の配線の重なり分、反射電極９間における配線が占める割合を小さくすることができる。詳しくは、Ｘ軸方向における間隙Ｄに露出する配線を容量線７７のみとすることができる。よって、間隙Ｄにおいて配線によって反射される光量が減るため、表示コントラストを高めることが可能となり、所期の表示コントラストを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】極性の偏向による画質の低下を防止することのできる表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、基板の上に具備され、第１方向に延長された複数のゲートライン２０と、複数のゲートライン２０と交差する複数のデータライン３０と、各々が四つの副画素を含む複数の主画素と、複数のデータライン３０に連結され、第１伝送部８１と第２伝送部８２とを有し、複数のデータ信号を副画素に伝達する伝送部８０と、を含み、第１伝送部８１は、互いに交差する少なくとも一対の伝送ライン４０を含み、第２伝送部８２は、互いに交差しない少なくとも一対の伝送ライン４０を含む。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、大画面化しても低消費電力を実現した半導体装置の構造を提供する。
【解決手段】 絶縁表面上に形成されたゲート電極と、前記絶縁表面上に形成された第１の配線と、前記ゲート電極上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された半導体膜と、第１の配線上に形成された第２の配線と、を有し、前記第１の配線は、前記ゲート電極と同じ材料からなり、表面に前記ゲート電極よりも低抵抗な材料を有し、前記第２の配線を介して前記半導体層と電気的に接続し、前記第１の配線の低抵抗化を図る。 （もっと読む）

【課題】表示装置の薄膜トランジスタ基板において、水素プラズマ処理時の水素による影響を低減する。
【解決手段】非晶質ケイ素の膜により形成された非晶質ケイ素層上に形成される銅配線において、第１添加元素として水素化物の生成エネルギーが負の元素、さらに第２添加元素を含む銅を主成分とする合金により形成された銅合金層１０７Ａと、前記銅合金層の上に純銅により形成された純銅層１０７Ｂとを有する薄膜トランジスタ基板を備える。 （もっと読む）

【課題】微結晶半導体層を量産性良く作製する技術を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置の反応室内に、互いに向かい合って概略平行に配置された上部電極と下部電極が備えられ、上部電極は中空部が形成され、かつ、下部電極と向かい合う面に複数の孔を有するシャワー板を有し、下部電極上には基板が配置され、堆積性気体と水素を含むガスを上部電極の中空部を通ってシャワー板から反応室内に供給し、希ガスを上部電極と異なる部位から反応室内に供給し、上部電極に高周波電力を供給してプラズマを発生させ、基板上に微結晶半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】結晶性シリコン薄膜トランジスタのオフ電流を低減させ、表示コントラストを向上させることが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】基板ＳＵＢ１上に形成されるゲート絶縁膜ＧＩを介してゲート電極ＧＴの上層に形成される第１の半導体層ＭＳＦと、第１の半導体層ＭＳＦの上面に形成され、凹部が形成される第２の半導体層ＡＳＦとからなる活性層と、凹部を挟んで対向配置される一対のコンタクト層ＣＮＬと、コンタクト層ＣＮＬの一方の上層に形成されるドレイン電極ＤＴと、他方の上層に形成されるソース電極ＳＴと、活性層の上面及び前記ドレイン電極ＤＴと前記ソース電極ＳＴの上面に連続して形成される保護膜ＰＡＳｉとを有する薄膜トランジスタを備え、凹部が形成されている領域の膜厚は１６０ｎｍ以上である装置。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタをスイッチング素子として用い、信頼性の高い半導体装置を作製することを課題とする。
【解決手段】加熱処理により脱水化または脱水素化され、表面にナノ結晶からなる微結晶群が形成された酸化物半導体層を形成し、酸化物半導体層上に非晶質で透光性のある酸化物導電層を用いてソース電極層及びドレイン電極層を形成し、酸化物半導体層上の酸化物導電層を選択的にエッチングすることで透光性のあるボトムゲート型のトランジスタを形成し、同一基板上に駆動回路部と画素部を設けた信頼性及び表示品質の高い半導体装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】シフトレジスタ又は該シフトレジスタを有する表示装置の消費電力を低減すること。
【解決手段】シフトレジスタは、クロック信号が１本の配線によって供給されるのではなく、複数の配線によって供給される。さらに、該複数の配線のいずれか一は、シフトレジスタの動作期間を通してクロック信号を供給するのではなく一部の期間においてのみクロック信号を供給する。そのため、クロック信号の供給に伴い駆動される容量負荷を低減することができる。その結果、シフトレジスタの消費電力を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、工程を単純化することのできる液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による液晶表示装置は、第１及び第２基板と、第１基板上のゲートラインと、ゲートライン１０２とゲート絶縁膜１４４を間に置いて交差された画素領域を定義するデータライン１０４と、この画素領域でゲート絶縁膜１４４を貫通する画素ホールに透明導電膜で形成された画素電極１１８及び、ゲート電極とソース電極とドレイン電極及びソース電極とドレイン電極の間にチャネルを定義する半導体層を含む薄膜トランジスタを含み、この半導体層は、データライン１０４と、ソース電極及びドレイン電極を含むソース・ドレイン金属パターンと重畳され、ドレイン電極は上記半導体層から画素電極１１８の内側に突出され画素電極１１８と接続される。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置において、上下基板間の短絡を防止することを目的とする。
【解決手段】液晶表示装置は、絶縁第１基板と、第１基板上に形成されており、走査信号を伝達するゲート線と、ゲート線と絶縁されて交差しており、画像信号を伝達するデータ線と、ゲート線と前記データ線とが交差してなされる領域に形成されている画素電極と、画素電極と同一の層に形成されている冗長データ線と、ゲート線、データ線及び画素電極に連結されており、走査信号によって画像信号を画素電極に伝達したり遮断したりするスイッチング素子と、第１基板と対向している絶縁第２基板と、第２基板上に形成されている共通電極と、少なくとも共通電極上の冗長データ線に対応する領域に形成されており、絶縁物質からなる突起パターンとを含む。 （もっと読む）

【課題】銅配線層の接着性を改善するとともに、銅配線層の抵抗値が大きくなることを抑制する配線構造を提供する。
【解決手段】配線構造１０では、ガラス基板１１上に、チタンからなる接着層１２と、酸化銅からなるバリア層１３と、純銅からなる銅配線層１４とが順に積層されている。接着層１２は、銅配線層１４をガラス基板１１に確実に接着させて、銅配線層１４がガラス基板１１から剥がれるのを防止する。バリア層１３は、配線構造１０を熱処理したときに、接着層１２を構成するチタン原子が銅配線層１４内に拡散しないようにして、銅配線層１４の抵抗値が大きくならないようにする。このため、銅配線層１４は、熱処理された後も、比抵抗を小さな値に保つことができるので、信号の遅延を防止できる。 （もっと読む）

【課題】同一基板上の画素回路及び駆動回路を該回路の特性にそれぞれ合わせた構造の異なるトランジスタで形成し、表示特性の優れた表示装置を提供する。
【解決手段】同一基板上に画素部と駆動回路部を有し、該駆動回路部は、ゲート電極層、ソース電極層及びドレイン電極層が金属膜によって構成され、且つチャネル層が酸化物半導体によって構成された駆動回路用トランジスタを有する。また、当該画素部は、ゲート電極層、ソース電極層及びドレイン電極層が酸化物導電体によって構成され、且つ半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用トランジスタを有する。該画素用トランジスタは透光性を有する材料で形成されており、高開口率の表示装置を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】尾引き等の画質ムラを発生させずに高品位で明るい表示が安定して得られる反射型アクティブマトリクス駆動方式の高分子分散型液晶表示素子を提供する。
【解決手段】各画素電極１３に画像信号電圧を供給するソースライン１１の上方に、それよりも幅広の傘電極１４がソースライン１１を確実に覆う配置で延在配設されており、この傘電極１４には、対向側の前ガラス基板１の内面に設けられている共通電極１５に印加されるコモン電圧と同電位（接地電位）が印加され、ソースライン１１に供給される画像信号電圧による電界が傘電極１４によりシールドされ、画素列間領域Ｄ2に挟持される高分子分散液晶層１６には及ばない。 （もっと読む）

【課題】アレイ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】前記アレイ基板の製造方法は、ゲートラインとゲート電極を含むパターンを形成するステップと、活性層と、データラインと、ソース電極と、ドレイン電極とを含むパターンを形成するするとともに、上記パターン以外の領域のゲート絶縁層を除去するステップと、露光・現像により、感光樹脂層に第１ビアホールと、第２ビアホールと、第３ビアホールとを含むパターンを形成するステップと、第３ビアホールを介してドレイン電極に接続する画素電極と、第１接続電極と、第２接続電極とを含むパターンを形成するステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールのテーパ角を大きく、かつ、色重ね部のテーパ角を小さく形成した、ＣＯＡ型の液晶表示装置およびその製造方法の提供する。
【解決手段】ＣＯＡ型の液晶表示装置およびその製造方法にあって、
カラーフィルタをフォトリソグラフィ技術によって形成する際に、カラーフィルタのコンタクトホールと色重ね部のいずれか一方あるいは双方をハーフトーン露光することによって、色重ね部のテーパ角がコンタクトホールのテーパ角よりも小さく形成する。 （もっと読む）

【課題】画素欠けや、輝度ムラなどの表示不良を低減した表示装置を提供すること。
【解決手段】１つのダミー画素Ｐｄに対して、複数のダミーコンタクトホールＤｃが形成されており、１つはダミー画素遮光膜９ｄの角部に配置され、２つは走査線８３の幹線に沿って角部のダミーコンタクトホールと連続して配置されている。換言すれば、ダミーコンタクトホールＤｃは、ダミー領域における第１遮光膜としての走査線８３に沿って形成されており、走査線８３近傍の下地絶縁膜１２の強度を下げる役割を荷っている。つまり、後続の層間絶縁膜の形成工程において熱衝撃が加わった場合、ダミーコンタクトホールＤｃが形成されたダミー画素領域における走査線８３部分が、衝撃吸収部分として機能することになる。よって、有効画素領域における画素欠けや、輝度ムラなどの表示不良を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】開口率の高い半導体装置またはその製造方法を提供する。また、消費電力の低い半導体装置またはその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の薄膜トランジスタを有する画素部と第２の薄膜トランジスタを有する駆動回路を有し、第１の薄膜トランジスタは、ゲート電極層とゲート絶縁層と半導体層とソース電極層及びドレイン電極層を有し、第１の薄膜トランジスタのゲート電極層、ゲート絶縁層、半導体層、ソース電極層、ドレイン電極層は透光性を有し、第２の薄膜トランジスタのゲート電極層は、第１の薄膜トランジスタのゲート電極層と材料が異なり、第１の薄膜トランジスタのゲート電極層よりも低抵抗の導電層を有し、第２の薄膜トランジスタのソース電極層及びドレイン電極層は、第１の薄膜トランジスタのソース電極層及びドレイン電極層と材料が異なり、第１の薄膜トランジスタのソース電極層及びドレイン電極層よりも低抵抗の導電層を有する。 （もっと読む）

【課題】透明基板との高い密着性、および低い電気抵抗率を有する、Ｃｕ合金膜を備えた表示装置を提供する。
【解決手段】透明基板と直接接触する表示装置用Ｃｕ合金膜であって、前記合金膜は、Ｚｎ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｗ，ＮｂおよびＭｎよりなる群から選択される少なくとも１種の元素を合計で２〜２０原子％含むＣｕ合金からなる第一層（Ｙ）と、純Ｃｕ、またはＣｕを主成分とするＣｕ合金であって前記第一層（Ｙ）よりも電気抵抗率の低いＣｕ合金からなる第二層（Ｘ）と、を含む積層構造を有し、前記第一層（Ｙ）が前記透明基板と接触している表示装置である。 （もっと読む）

【課題】高開口率化及び高精細化に対応した液晶表示装置を提供する。
【解決手段】複数の走査線１２と、走査線を覆って形成した絶縁膜２１と、各走査線１２に交差する交差部１３Ｄを有する複数の信号線１３と、走査線と信号線とに隣接して配設した画素電極と、半導体層、ゲート絶縁膜、前記走査線に接続したゲート電極と、ドレイン電極１４ｂ及びソース電極１４ａの何れかで信号線に接続された一方の電極と、画素電極に接続されたドレイン電極及びソース電極の他方の電極と、ドレイン電極及びソース電極が信号線に沿う方向に直線状に配置された複数の薄膜トランジスタ１４と、第１の重ね合わせ部１７ａが交差部１３Ｄ上に重なり第２の重ね合わせ部１７ｃが一方の電極上に重なり一方の電極と信号線とを接続する複数の中継電極１７と、を具備し、中継電極の第１の重ね合せ部は走査線１２の幅方向の両側端部１２ｂ、１２ｃに対応する絶縁膜２１の段差部１３Ｅ，１３Ｄを覆う長さを有する。 （もっと読む）

【課題】基板とめっき層との密着性に優れた積層体、その製造方法、積層体を備える薄膜トランジスタ、積層体を備えるプリント配線基板を提供する。
【解決手段】
積層体１では、基板２上にシリカ層３および有機層４を介し、めっき層５が形成されている。シリカ層３はポリシラザンを前駆体として形成されているので、基板２との密着性が良好で、上面に無数の微細な凹凸が存在するシリカ層３が形成される。有機層４は、シリカ層３の上面の凹凸によって発現するアンカー効果により、シリカ層３と強固に結合する。また、有機層４の上面には、シリカ層３の上面の無数の微細な凹凸を反映して凹凸が形成されるので、めっき層５と有機層４とは、化学的もしくは電気的な結合に加え、アンカー効果により強固に結合される。よって、シリカ層３および有機層４を介して基板２上に形成されるめっき層５の基板２に対する密着性を向上できる。 （もっと読む）