【課題】新規な電極構造を有する、横電界方式の液晶表示装置とその作製方法の提案。
【解決手段】絶縁表面を有する第１基板と、絶縁表面上の第１導電膜及び第２導電膜と、第１導電膜上の第１絶縁膜と、第２導電膜上の第２絶縁膜と、第１基板と対峙する第２基板と、第１基板と第２基板の間に位置する液晶層と、を有し、第１導電膜の一部は第１絶縁膜の側部にも位置し、なおかつ、第２導電膜の一部は第２絶縁膜の側部にも位置し、液晶層は、ブルー相を示す液晶を含んでいる液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】画素間領域に設けた絶縁膜によって画素電極に起因する凹凸を緩和する場合でも、画素電極の厚さを適正に制御することができる電気光学装置の製造方法、かかる方法により製造された電気光学装置、当該電気光学装置を備えた投射型表示装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置の素子基板に画素電極９ａを形成する際、画素間領域１０ｆに沿って延在する格子状の凸部４７ｆを備えた第１絶縁膜４７を形成した後、第１絶縁膜４７にコンタクトホール４７ａを形成し、その後、導電膜９および第２絶縁膜４９を順次積層する。次に、研磨工程では、凸部４７ｆが露出するまで研磨し、第２絶縁膜４９および導電膜９を凸部４７ｆ（画素間領域１０ｆ）により分割する。 （もっと読む）

【課題】テトラエトキシシラン等のシラン系有機材料を用いたプラズマＣＶＤ法によりシリケートガラスを形成した場合でも、シリケートガラスから半導体層へのフッ素の侵入を防止することのできる電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】液晶装置の製造方法において、ゲート電極３ｃの形成工程、低濃度不純物導入工程、および高濃度不純物導入工程を行った後、シランガス等のシラン系無機原料を用いたＣＶＤ法により第１絶縁膜４１１を形成する。次に、第１アニール工程において第１絶縁膜４１１をアニールした後、テトラエトキシシラン等のシラン系有機原料を用いたプラズマＣＶＤ法によりシリケートガラスからなる第２絶縁膜４１２を形成する。 （もっと読む）

【課題】横電界モードを用いた液晶表示装置において、配線の抵抗の抑制を図り、画素数を増加させても液晶表示装置の駆動速度の低下を抑えることができる、液晶表示装置とその作製方法を提案する。
【解決手段】第１の配線と第２の配線の交差部において、一方の配線を分断し、分断した配線を絶縁膜上の接続電極で架橋し、寄生容量を低減することができる。また、画素電極である第１の電極層、共通電極である第２の電極層と同時に接続電極を形成し、これらの膜厚を厚くし、配線抵抗の小さい金属を用いることで配線による抵抗を小さくすることができ、液晶表示装置の駆動速度の低下を抑制することができる液晶表示装置および液晶表示装置の作製方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の穴内に設けたプラグ電極によって導電層同士の導通を行うにあたって、研磨時間やプラグ電極形成用導電膜の成膜時間を短縮することのできる電気光学装置の製造方法、電気光学装置、投射型表示装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置の素子基板において、第２電極層７ａと画素電極９ａとを層間絶縁膜４８の穴４８ａ内に設けたプラグ電極８ａを介して電気的に接続するにあたって、第１絶縁膜４６に設けたコンタクトホール４６ａを埋めるようにプラグ電極８ａを形成した後、第２絶縁膜４７を成膜する。そして、第２絶縁膜４７を表面側から研磨してプラグ電極８ａを露出させた後、第２絶縁膜４７の表面側に画素電極９ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】配線パターンの修正において、修正抵抗を低減することが可能となる、パターン修正方法を提供する。
【解決手段】パターン修正方法は、導電性パターン２０の欠陥部２１を修正するパターン修正方法であって、導電性インクを塗布することにより第１のインク層３１を形成する工程と、第１のインク層３１を焼成することにより第１の修正層３２を形成する工程と、少なくとも一部が第１の修正層３２に重なるように導電性インクを塗布することにより、第２のインク層３３を形成する工程と、第２のインク層３３を焼成することにより第２の修正層３４を形成する工程とを備え、第１の修正層３２および第２の修正層３４により欠陥部２１を挟んで配置される導電性パターン２０間の電気的接続が確保される。 （もっと読む）

【課題】ウエットエッチングによる加工性に優れた特性を有する新規な配線用膜を提供する。
【解決手段】表示装置またはタッチパネルセンサーの配線用膜であって、合金成分としてＸ群元素（Ｘは、希土類元素、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｆｅ、及びＮｉよりなる群から選択される少なくとも一種の元素）を３〜５０原子％、および／または酸素を０．２〜３．０質量％含有し、残部Ｔｉおよび不可避不純物からなるＴｉ合金層と、純ＣｕまたはＣｕ合金からなる層とを含む２層以上の積層構造を有することに要旨を有する配線用膜。 （もっと読む）

【課題】遮光層の遮光性能を低下させずに、素子基板に対する加熱処理を行うことのできる電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】液晶装置の製造工程において、素子基板用の基板本体１０ｗの一方面１０ｓに走査線３ａ（遮光層）、絶縁膜１２を形成した後、半導体層１ａを形成する半導体層形成工程、および半導体層１ａに導入した不純物を拡散させる不純物拡散工程では、レーザーアニール装置やランプアニール装置等の加熱装置９２０によって、一方面１０ｓ側を他方面１０ｔ側より温度を高くした状態で加熱する。このため、走査線３ａは高い温度に加熱されないので、走査線３ａに用いたアルミニウム膜やタングステンシリサイド膜に溶融や再結晶化等が発生しない。 （もっと読む）

【課題】薄くて軽くかつフレキシブル性を有した電気装置を提供する。
【解決手段】本発明の電気装置は、機能素子を挟んで対向配置された第１基板および第２基板と、機能素子よりも第１基板側に設けられた第１電極（裏面電極）と、第２基板に設けられ第１電極と電気的に接続された第２電極と、第１基板と第２基板とが重なる領域であって第１電極と第２電極との間に挟まれた領域に、機能素子と、当該機能素子を駆動する電子部品とが設けられている。 （もっと読む）

【課題】オフ電流が小さく、好ましくはオン電流及び移動度も高く、工程が簡略化された半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】チャネルエッチ型の薄膜トランジスタの作製に際して、ゲート絶縁層上に少なくとも半導体層を形成し、半導体層上に導電膜を形成し、導電膜上にエッチングマスクを形成し、基板を反応室内に搬入し、導電膜を加工してソース電極及びドレイン電極層を形成し、反応室内に半導体エッチング用のガスを導入し、反応室内で半導体エッチング用のガスでエッチングを行い、基板を反応室から搬出し、その後エッチングマスクを除去する。すなわち、導電膜の加工から半導体エッチング用のガスで行うエッチングまでを同一チャンバー内で連続して行い、半導体エッチング用のガスで行うエッチングはエッチングマスクを除去する前に行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アクティブマトリクス型の表示装置において、配線の断面積を増大させることなく、相性の悪い２つの膜（ＩＴＯ膜とアルミニウム膜）からなる配線や電極等を接続し、且つ、大画面化しても低消費電力を実現することを課題とする。
【解決手段】本発明は、上層と、上層よりも広い幅を有する下層とからなる２層構造とする。ＴｉまたはＭｏからなる第１導電層を設け、その上に電気抵抗値の低いアルミニウム単体（純アルミニウム）からなる第２導電層を設ける。上層の端面から突出させた下層部分と、ＩＴＯとを接合させる。 （もっと読む）

【課題】表示品位を改善することが可能な表示装置及び表示装置用アレイ基板を提供する。
【解決手段】 絶縁基板と、前記絶縁基板の上に配置され可視光領域での透過率が０．５以上の下地層、前記下地層より厚い膜厚を有するとともに前記下地層の上に積層された透明材料からなる透明層、及び、前記透明層の上に積層された主配線材料からなる主配線層の積層体によって形成された信号配線と、を備え、前記透明層の膜厚をｄ（ｎｍ）とし、前記透明層の屈折率をｎとしたとき、積ｎ×ｄが４００より小さいことを特徴とする表示装置用アレイ基板。 （もっと読む）

【課題】コントラスト比と広視野角を同時に確保することができ、液晶分子の応答速度を速くすることができるだけでなく、優れた表示特性を示す液晶表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態にかかる液晶表示装置は、互いに対向する第１基板および第２基板と、第１および第２基板の間に介在しており、液晶分子を含む液晶層と、第１基板の上に配置されており、互いに分離されている第１画素電極および第２画素電極とを含み、第１画素電極および第２画素電極の１つは、データ線を介して第１電圧が印加され、第１画素電極および第２画素電極の残りの１つは、電圧伝達線を介して第２電圧が印加され、第１画素電極および第２画素電極は、幹部と、幹部から延びた複数の枝電極とを含み、第１画素電極の枝電極と第２画素電極の枝電極は交互に配置されており、第１画素電極および第２画素電極の幹部は、電圧伝達線と少なくとも一部重畳する。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、積層構造の単純化を図り、しかも高品質な表示を可能とする。
【解決手段】電気光学装置は、基板上に、データ線（６）に接続された第１ソースドレイン領域、及び画素電極（９）に接続された第２ソースドレイン領域を含んでなる半導体層（３０ａ）と、半導体層と画素電極との間に配置され、一の走査線（１１）に接続されたゲート電極（３０ｂ）とを有するトランジスター（３０）と、一の走査線に隣り合う走査線に接続された第２トランジスターのゲート電極が延在してなる第１容量電極と、第１容量電極と画素電極との間に設けられるとともに第２ソースドレイン領域に接続された第２容量電極とを有する蓄積容量（７０）とを備える。蓄積容量は、半導体層とゲート電極との間の絶縁膜及び半導体層と基板との間の絶縁膜を貫通するとともに基板に設けられた溝内の少なくとも一部に設けられている。 （もっと読む）

【課題】本発明はＴＦＴ−ＬＣＤアレイ基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明はＴＦＴ−ＬＣＤアレイ基板及びその製造方法に関し、アレイ基板はベース基板と、ベース基板上に形成され画素領域を限定するゲートライン及びデータラインを含み、前記画素領域内には画素電極、薄膜トランジスタと共通電極が形成される。また、導電性薄膜材料により製造されるブラックマトリクスを含み、前記ブラックマトリクスは前記共通電極と接続される。 （もっと読む）

【課題】開口率の低減を抑制することが可能な液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】各画素の中央を通り直線状に延在した信号配線と、前記信号配線を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜を介して前記信号配線の直上に位置し且つ前記信号配線と略平行な直線状に延在した帯状の画素電極と、を備えた第１基板と、隣接する画素の間にそれぞれ配置され前記画素電極と略平行な直線状に延在した帯状の対向電極を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス基板の開口率を向上させる。
【解決手段】複数のトランジスタ素子を備えたアクティブマトリクス基板１０１Ａであって、可視光を透過させることが可能な基板１０と、基板上に形成され、亜鉛錫酸化物から構成される導電体材料よりなり、可視光を透過させることが可能な配線（Ｌ_Ｇ、Ｌ_Ｄ、Ｌ_Ｐ、Ｌ１、Ｌ２等）であってトランジスタ素子における電極として機能している、配線と、基板の垂直方向からみて配線の少なくとも一部と重なり、配線よりもキャリア濃度が低く、亜鉛錫酸化物から構成される半導体材料よりなり、かつ可視光を透過させることが可能な半導体層４４と、配線および半導体層の少なくとも一部を覆い、可視光を透過させることが可能な絶縁膜（４０、５０）と、を備えることを特徴とするアクティブマトリクス基板。 （もっと読む）

【課題】画素部に形成される画素電極やゲート配線及びソース配線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁表面上のゲート電極及びソース配線と、前記ゲート電極及びソース配線上の第１の絶縁層と、前記第１の絶縁膜上の半導体層と、前記半導体膜上の第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上の前記ゲート電極と接続するゲート配線と、前記ソース電極と前記半導体層とを接続する接続電極と、前記半導体層と接続する画素電極とを有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、所望の色温度を実現する。
【解決手段】電気光学装置は、半導体層（１ａ）を有する画素トランジスター（３０）と、画素トランジスターに対応して設けられた画素電極（９ａ）と、画素電極に対応して設けられたカラーフィルター（２２０）と、平面的に見てカラーフィルターと少なくとも部分的に重なるように、且つ半導体層と同じ層に形成されており、透過する光の色温度を調整する色温度調整層（５００）とを備える。 （もっと読む）

【課題】液晶装置における表示領域の外側の遮光性を向上させる。
【解決手段】遮光膜５４は、ＴＦＴアレイ基板１０上において、画像表示領域１０ａの外側に延びる周辺領域のうち額縁遮光膜５３が形成された額縁領域の外側に形成されている。データ線駆動回路１０１及び引き回し配線９０は、遮光膜５４に覆われている。引回配線９０は、外部回接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、及び上下導通端子１０６等とを電気的に接続している。遮光膜５４は、額縁遮光膜５３によって遮光しきれなかった入射光、及び当該遮光膜５３及び額縁遮光膜５４によってＴＦＴアレイ基板１側に反射された反射光を額縁領域の外側で遮光できる。 （もっと読む）