電気光学装置及び電子機器
【課題】液晶装置における表示領域の外側の遮光性を向上させる。
【解決手段】遮光膜５４は、ＴＦＴアレイ基板１０上において、画像表示領域１０ａの外側に延びる周辺領域のうち額縁遮光膜５３が形成された額縁領域の外側に形成されている。データ線駆動回路１０１及び引き回し配線９０は、遮光膜５４に覆われている。引回配線９０は、外部回接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、及び上下導通端子１０６等とを電気的に接続している。遮光膜５４は、額縁遮光膜５３によって遮光しきれなかった入射光、及び当該遮光膜５３及び額縁遮光膜５４によってＴＦＴアレイ基板１側に反射された反射光を額縁領域の外側で遮光できる。
【解決手段】遮光膜５４は、ＴＦＴアレイ基板１０上において、画像表示領域１０ａの外側に延びる周辺領域のうち額縁遮光膜５３が形成された額縁領域の外側に形成されている。データ線駆動回路１０１及び引き回し配線９０は、遮光膜５４に覆われている。引回配線９０は、外部回接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、及び上下導通端子１０６等とを電気的に接続している。遮光膜５４は、額縁遮光膜５３によって遮光しきれなかった入射光、及び当該遮光膜５３及び額縁遮光膜５４によってＴＦＴアレイ基板１側に反射された反射光を額縁領域の外側で遮光できる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、液晶パネル等の電気光学装置、及び該電気光学装置を具備してなる液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置の一例である液晶装置では、例えば、画素電極や画素スイッチング用素子が形成される素子基板と、対向電極が形成される対向基板とが所定の隙間を介して、例えば紫外線硬化樹脂等のシール材によって貼り合わされ、これらの基板間に液晶が封入される。例えば、液晶装置を、液晶プロジェクタにおけるライトバルブとして用いる場合、ライトバルブの表面にごみや埃等（以下、単に「粉塵」という。）が付着すると、映写幕上にその粉塵の像もまた投影されてしまうことで、画像の品質を低下させる可能性がある。このため、液晶装置を構成する基板の外側表面に防塵用基板が設けられることが多い。
【０００３】
また、対向基板には、液晶装置における表示領域の額縁（即ち、表示の外枠）を規定する額縁遮光膜が設けられるのが一般的である。加えて、防塵用基板には、額縁遮光膜の外側から素子基板に入射する光を遮るために、額縁遮光膜の外側に額縁遮光膜とは別の遮光膜が形成されることもある（特許文献１参照。）。このような遮光膜は、額縁遮光膜の外側において素子基板の表面或いはその内部に形成された端子、配線及び各種回路等のパターンの像が映写幕上に投影されることを防止するために設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−２９５６８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、額縁遮光膜によって反射された光が、素子基板側で反射され、当該反射された光が防塵用基板に設けられた遮光膜によって再度反射された場合、再度反射された光によって、素子基板に設けられた回路部或いは端子等のパターンの像が映写幕に投影されてしまい、液晶プロジェクタ等の表示品位を低下させてしまう問題点がある。加えて、特許文献１に開示されているように、防塵用基板に遮光膜を設けた場合、液晶パネル等の電気光学装置、及び液晶プロジェクタ等の電子機器の製造コストを増大させてしまう問題点もある。
【０００６】
よって、本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、製造コストを増大させることなく、表示領域の外側の遮光性を向上させることが可能な電気光学装置、及びこれを備えた電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の発明に係る電気光学装置は上記課題を解決するために、素子基板上の表示領域を構成する複数の画素部と、前記素子基板上において、前記画素部の一部及び前記素子基板上に形成された配線のうち少なくとも一つを構成する遮光性導電膜と同層に形成されており、前記表示領域の外側に位置する周辺領域に重なる遮光膜とを備える。
【０００８】
本発明の第１の発明に係る電気光学装置によれば、素子基板及び対向基板間には、例えば液晶等の電気光学物質が挟持されている。素子基板上の表示領域は、マトリクス状に配置された複数の画素部によって構成されている。このような画素部は、例えばＴＦＴ等の半導体素子を含んでおり、表示領域に延びる配線に電気的に接続されている。尚、素子基板は、例えばガラス基板或いは石英基板等の透明基板及びこの透明基板上に絶縁膜を含む多層構造が形成されたものであってもよい。
【０００９】
遮光性導電膜は、例えば、画素部の一部であるＴＦＴ等の素子の一部、及び当該ＴＦＴ等の素子に電気的に接続された配線のうち少なくとも一つを構成している。
【００１０】
遮光膜は、遮光性導電膜と同層に、例えば遮光性導電膜を形成する工程と同一工程によって、形成されている。このような遮光膜は、素子基板上において、表示領域の外側に延びる周辺領域に重なるように形成されている。
【００１１】
したがって、遮光膜は、素子基板上における周辺領域に入射する光を遮ることができ、電気光学装置の表示品位を高めることが可能である。このような遮光膜によれば、周辺領域において、素子基板の表面、或いは内部に設けられた端子等のパターンの像が映写幕に投影されることを低減できる。より具体的には、遮光膜によれば、例えば防塵用基板に設けられた遮光膜によって反射された反射光が周辺領域に入射した場合でも、当該反射光が周辺領域から素子基板に入射することを低減でき、上述したパターンの像が映写膜に投影されることを低減することが可能である。
【００１２】
加えて、遮光膜は、画素部の一部及び電気的に接続された配線のうち少なくとも一つを構成する遮光導電膜と同層に形成されているため、別途防塵用基板に遮光膜を形成する場合に比べて、工程数を増大させることなく形成可能である。特に、遮光性導電膜を形成する工程と同一工程によって当該遮光性導電膜と同一膜として形成されることによって、一の工程で遮光性導電膜及び遮光膜の２つの膜を形成でき、別途防塵用基板に遮光膜を形成する場合に比べて電気光学装置の製造に要するコストを低減できる。
【００１３】
よって、本発明の第１の発明に係る電気光学装置によれば、電気光学装置の表示品位を高めることができると共に、当該電気光学装置の製造に要するコストを低減することが可能である。
【００１４】
本発明の第１の発明に係る電気光学装置の一の態様では、前記素子基板に対向配置された対向基板と、前記対向基板に設けられており、前記画素部が有する画素電極と対向配置された対向電極とを備え、前記遮光膜の電位は、前記対向電極の電位と同電位であってもよい。
【００１５】
この態様では、例えば定電位とされる対向電極の対向電極電位と遮光膜の電位とを同電位に維持することによって、電気光学装置の表示品位を高めることが可能である。より具体的には、遮光膜は、例えば対向電極に定電位を供給する電源、或いは複数の対向電極に定電位を供給するための固定電位線に電気的に接続されている。対向電極と同電位とされる遮光膜によれば、対向基板に設けられた配線等に遮光膜が接触している場合でも、電気光学装置の動作時に、液晶等の電気光学物質に印加される電圧に直流成分が加わることを低減でき、画素部が備える画素電極及び対向電極間の電位差に応じて液晶等の所定の配向制御がなされる。このような配向制御によって表示領域に所定の画像が表示可能となる。
【００１６】
本発明の第１の発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記遮光膜は、前記対向電極に電気的に接続されていてもよい。
【００１７】
この態様によれば、対向電極及び画素部を電気的に接続する上下導通端子を設けることなく、遮光膜を介して対向電極及び画素部を相互に電気的に接続可能である。この態様によれば、電気光学装置に上下導通端子を形成する工程が不要となり、電気光学装置の製造コストを低減できる。
【００１８】
本発明の第１の発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記素子基板上において前記周辺領域のうち前記遮光膜が形成された領域より外側に形成されており、前記遮光膜と電気的に接続された入力端子を備え、前記遮光膜は、前記遮光性導電膜と電気的に接続されていてもよい。
【００１９】
この態様によれば、入力端子、遮光膜、及び遮光性導電膜が電気的に接続されていることになり、入力端子を介して装置外部から画素部又は配線に電位を供給可能である。
【００２０】
本発明の第１の発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記遮光膜は、前記周辺領域のうち前記表示領域を規定する額縁領域において、前記表示領域を囲うように形成されていてもよい。
【００２１】
この態様によれば、遮光膜によって表示領域を規定できるため、別途額縁遮光膜を設ける必要がない。したがって、額縁遮光膜を設けない分、電気光学装置の製造コストを低減できる。
【００２２】
本発明の第１の発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記対向基板に設けられており、且つ前記表示領域を規定する額縁遮光膜とを備え、前記遮光膜は、前記周辺領域のうち前記額縁遮光膜が形成された額縁領域の外側に形成されていてもよい。
【００２３】
この態様によれば、額縁遮光膜に遮光しきれなかった入射光、及び当該遮光膜で反射された光が再度額縁遮光膜によって反射されることによって額縁領域の外側に照射された場合でも、当該光を遮光できる。したがって、周辺領域のうち額縁領域の外側から素子基板に入射する光を遮ることができ、端子等のパターンの像が映写幕に投影されることを低減できる。
【００２４】
本発明の第１の発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記画素の一部は、前記画素部に供給された画像信号を保持する保持容量が有する一対の電極のうち一方の電極であってもよい。
【００２５】
この態様によれば、素子基板に作り込まれた保持容量が有する一対の電極の一方の電極、容量配線、又はデータ線と同一膜として遮光膜が形成されている。このような電極、容量配線、及びデータ線は、電気光学装置を動作させるために必須となる回路に含まれる要素である。したがって、これら要素と同一膜として遮光膜を形成することによって、これら要素とは別の工程によって遮光膜を形成する必要がない、したがって、工程数を増大させることなく、電気光学装置の表示品位を高めることが可能となる。
【００２６】
本発明の第１の発明に係る電気光学装置の他の態様では、
前記配線は、前記画素部に供給された画像信号を保持する保持容量が有する一対の電極のうち一方の電極に電気的に接続された容量配線、又は前記画像信号を供給するデータ線であってもよい。
【００２７】
この態様によれば、素子基板上における配線のレイアウトを簡便な構成にできる。
【００２８】
本発明の第１の発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記遮光性導電膜は、前記素子基板上で互いに異なる層に形成された複数の金属膜のうち最上層に形成された一の金属膜であり、前記遮光膜は、前記一の金属膜と同一膜であってもよい。
【００２９】
この態様によれば、一の金属膜の下層側に形成された部分に照射される光を遮ることが可能である。したがって、素子基板に形成された各種配線及び素子等のうち一の金属膜の下層側に形成された配線等が映写幕に投影されることを確実に防止できる。尚、この態様における“金属膜”とは、単層或いは多層構造を有する金属膜のみに限定されず、金属膜、及び当該金属膜に積層された窒化物或いは酸化物からなる遮光性を有する膜を含む多層膜も意味する。
【００３０】
この態様では、前記周辺領域において、前記複数の金属膜のうち前記一の金属膜の下層側に形成された他の金属膜と同層に形成された金属膜を含む周辺回路部を備えていてもよい。
【００３１】
この態様によれば、例えばデータ線駆動回路等の周辺回路部の一部として他の金属膜と同層に形成された金属膜を共用でき、且つ一の金属膜と同一膜とされる遮光膜によって、データ線駆動回路等に含まれるトランジスタに生じる光リーク電流を低減できる。
【００３２】
本発明の第１の発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記周辺領域において、前記一の金属膜の下層側に形成された半導体膜と同層に形成された半導体膜を含む周辺回路部を備えていてもよい。
【００３３】
この態様によれば、一の金属膜の下層側に形成された半導体膜と同層に形成された半導体膜を含むデータ線駆動回路等の周辺回路部を遮光膜によって遮光できる。したがって、データ線駆動回路等の一部を構成するトランジスタに生じる光リーク電流を低減できる。
【００３４】
本発明の第２の発明に係る電気光学装置は上記課題を解決するために、素子基板上の表示領域を構成する複数の画素部と、前記素子基板上において、前記表示領域の外枠を規定する額縁遮光膜であるとともに、所定の電位が供給される配線でもある遮光膜とを備えている。
【００３５】
本発明の第２の発明に係る電気光学装置によれば、本発明の第１の発明に係る電気光学装置と同様に、電気光学装置の表示品位を高めることができると共に、素子基板上に配線を形成する工程とは別の工程によって遮光膜を形成する必要がない、したがって、電気光学装置の製造コストを低減できる。
【００３６】
本発明の第１及び第２の発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記遮光膜は、光反射防止膜を含んでいてもよい。
【００３７】
この態様によれば、例えば金属膜のみによって遮光膜を形成する場合に比べて、遮光膜によって反射される反射光を低減できる。したがって、遮光膜によって反射された反射光に起因して素子基板に入射する光を低減できる。
【００３８】
本発明の第１及び第２の発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記遮光膜のＯＤ値は、４以上であってもよい。
【００３９】
この態様によれば、遮光膜によって反射される反射光を十分に低減でき、素子基板に入射する光を低減できる。
【００４０】
本発明に係る電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を備えている。
【００４１】
本発明に係る電子機器によれば、上述した本発明に係る電気光学装置を具備してなるので、高品位の表示が可能な、液晶プロジェクタ等の投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明に係る電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置等も実現することが可能である。
【００４２】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示す平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ´線断面図である。
【図３】第１実施形態に係る電気光学装置の画像表示領域に形成された画素部における各種素子、配線等の等価回路図である。
【図４】第１実施形態に係る電気光学装置の積層構造のうち下層部分を示す図である。
【図５】第１実施形態に係る電気光学装置の積層構造のうち上層部分を示す図である。
【図６】図４及び図５を重ね合わせた拡大図である。
【図７】図４及び図５の夫々におけるＶＩＩ−ＶＩＩ´線断面図である。
【図８】第１実施形態に係る電気光学装置の一変形例に係る液晶装置の構成を示す平面図である。
【図９】図８のＩＸ−ＩＸ´線断面図である。
【図１０】第１実施形態に係る電気光学装置の他の変形例に係る液晶装置の構成を示す平面図である。
【図１１】図１０のＸＩ−ＸＩ´線断面図である。
【図１２】第２実施形態に係る電気光学装置の構成を示す平面図である。
【図１３】第２実施形態に係る電気光学装置の具体的な構成を表す部分平面図（その１）である。
【図１４】第２実施形態に係る電気光学装置の具体的な構成を表す部分平面図（その２）である。
【図１５】図１３及び図１４のＸＶ−ＸＶ´線断面図である。
【図１６】第３実施形態に係る電気光学装置の構成を示す平面図である。
【図１７】本発明に係る電子機器の一実施形態に係る液晶プロジェクタの構成を表す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４４】
＜第１実施形態＞
＜１−１：電気光学装置の全体構成＞
先ず、図１及び図２を参照しながら、本実施形態に係る電気光学装置の一例である液晶装置の全体構成を説明する。図１は、本実施形態に係る液晶装置の構成を示す平面図であり、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ´線断面図である。本実施形態に係る液晶装置１は、ＴＦＴアレイ基板１０上において、後に詳細に説明する画素部７２の一部及び画素部７２に電気的に接続された配線と同層に形成された、本発明の第１の発明に係る「遮光膜」の一例である遮光膜５４を備えている点に特徴を有している。
【００４５】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置１では、本発明の第１の発明に係る「素子基板」の一例であるＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、本発明の第１の発明に係る「表示領域」の一例である画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。ＴＦＴアレイ基板１０の下面には、ガラス等の透明材料で構成された防塵用基板１２０ｂが配置されており、対向基板２０の上面には、防塵用基板１２０ｂと同様の材料で構成された防塵用基板１２０ａが配置されている。
【００４６】
ＴＦＴアレイ基板１０上における画像表示領域１０ａには、後に詳細に説明するようにマトリクス状に配置された複数の画素部７２が形成されている。このような画素部７２は、例えばスイッチング素子としてのＴＦＴ等の半導体素子を含んでおり、画像表示領域１０ａに延びる走査線及びデータ線に電気的に接続されている。尚、ＴＦＴアレイ基板１０は、例えばガラス基板或いは石英基板等の透明基板及びこの透明基板上に絶縁膜を含む多層構造が形成された基板である。対向基板２０も、ＴＦＴアレイ基板１０と同様にガラス基板等の透明基板、及び当該透明基板上に形成された多層構造を有している。
【００４７】
図１において、シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの周辺に延びる周辺領域のうち画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。ＴＦＴアレイ基板１０上において、額縁遮光膜５３が形成された額縁領域に重なる領域にサンプリング回路７及び走査線駆動回路１０４が形成されている。したがって、サンプリング回路７及び走査線駆動回路１０４は、額縁遮光膜５３によって遮光されている。
【００４８】
画像表示領域１０ａの周辺に延びる周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、本発明の「入力端子」の一例である外部回路接続端子１０２が、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側に延びる額縁領域に重なるように、サンプリング回路７が設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域の内側に延びる額縁領域に設けられている。ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これら上下導通端子１０６により、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００４９】
図１及び図２において、遮光膜５４は、ＴＦＴアレイ基板１０上において、画像表示領域１０ａの外側に延びる周辺領域のうち額縁遮光膜５３が形成された額縁領域の外側に形成されている。データ線駆動回路１０１及び引回配線９０は、遮光膜５４に覆われている。引回配線９０は、外部回接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、上下導通端子１０６等とを電気的に接続している。尚、図２において、遮光膜５４及びデータ線駆動回路１０１は、不図示の絶縁膜によって相互に電気的に絶縁されている。このような絶縁膜は、後述する各変形例及び各実施形態でも同様に設けられている。
【００５０】
遮光膜５４は、額縁遮光膜５３によって遮光しきれなかった入射光、及び遮光膜５４で反射された光が額縁遮光膜５３によって反射され、額縁領域の外側からＴＦＴアレイ基板１０に入射する当該反射光を遮る。したがって、画像表示領域１０ａの周辺領域において、ＴＦＴアレイ基板１０に作り込まれた回路部、素子、配線或いは端子等のパターンの像が映写幕に投影されることを低減できる。例えば、データ線駆動回路１０１及び引回配線９０に照射される光が遮光膜５４によって遮られるため、データ線駆動回路１０１及び引回配線９０のパターンの像が映写幕に投影されることを低減できる。
【００５１】
加えて、遮光膜５４は、防塵用基板１２０ａに遮光膜が設けられている場合に、防塵用基板１２０ａに設けられた遮光膜によって反射された反射光が周辺領域に入射したとしても、当該反射光が周辺領域からＴＦＴアレイ基板１０に入射することを低減でき、上述したパターンの像が映写膜に投影されることを低減することが可能である。
【００５２】
遮光膜５４は、画像表示領域１０ａに設けられた画素部の一部及び当該画素部に電気的に接続された配線を含むＴＦＴアレイ基板上に形成された配線のうち少なくとも一方を構成する遮光導電膜と同層に形成されているため、別途防塵用基板に遮光膜を形成する場合に比べて、簡便に形成可能である。特に、このような遮光性導電膜を形成する工程と同一工程によって当該遮光性導電膜と同一膜として遮光膜５４は形成されているため、一の工程で遮光性導電膜及び遮光膜５４の２つの膜を形成でき、別途防塵用基板１２０ａに遮光膜を形成する場合に比べて液晶装置１の製造に要するコストを低減できる。
【００５３】
遮光膜５４は、遮光性を有する金属膜からなる単層或いは複数の金属膜が相互に積層された多層構造を有する膜であってもよいし、当該金属膜に加えて光反射防止膜を含んでいてもよい。遮光膜５４が光反射膜防止膜を含んでいる場合には、金属膜のみによって遮光膜５４が形成されている場合に比べて、遮光膜５４によって反射される反射光を低減できる。したがって、遮光膜によって反射された反射光のうちＴＦＴアレイ基板１０に入射する迷光の割合を低減できる。特に、遮光膜５４によって反射される反射光を実践的に十分に低減するためには、遮光膜５４のＯＤ（Optical Density）値を４以上にしておくほうが好ましい。
【００５４】
遮光膜５４及び対向電極２１は、対向電極電位線９９及び上下導通端子１０６を介して相互に電気的に接続されている。上下導通端子１０６は、外部接続端子１０２のうち対向電極電位（ＬＣＣＯＭ）を供給する電源に電気的に接続された外部接続端子１０２に対向電極電位線９９を介して電気的に接続されている。したがって、遮光膜５４及び対向電極２１の夫々の電位は同電位である。よって額縁領域にある液晶（遮光膜５４と対向電極との間にあり、表示に寄与しない液晶分子）は常に電圧無印加状態であり、画像表示領域１０ａ（特に額縁に沿った領域）の液晶に余分な電圧が印加されることがないので、表示に悪影響を及ぼすことがない。
【００５５】
また、額縁の液晶に直流成分が印加されることがないので、液晶が劣化することがない。何故なら、額縁領域の液晶が劣化すると、画像表示領域１０ａの液晶にも劣化が伝播してしまうからである。
【００５６】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、液晶を配向制御するための駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴ（Thin Film Transistor）や走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に画素電極９ａが設けられている。他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、画像表示領域１０ａにおける各画素の開口領域、即ち画素において実質的に光が透過する領域を規定する不図示の遮光膜が形成されている。対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０に臨む側の面には、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向して形成されている。配向膜１６及び２２の夫々は、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の夫々に形成されている。
【００５７】
液晶層５０は、画素電極９ａ及び対向電極２１間の電位差、即ち液晶に印加される印加電圧に応じて配向状態が制御され、画像表示領域１０ａに所定の画像が表示される。尚、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路、検査用パターン等が形成されていてもよい。
【００５８】
＜１−２：画素部の電気的な接続構成及び動作原理＞
次に、図３を参照しながら、ＴＦＴアレイ基板１０上における画像表示領域１０ａに形成された画素部７２の電気的な接続構成及び動作原理を説明する。図３は、液晶装置１の画像表示領域１０ａに形成された画素部７２における各種素子、配線等の等価回路図である。
【００５９】
図３において、液晶装置１の画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素部７２には、それぞれ、画素電極９ａと、この画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００６０】
ＴＦＴ３０のゲートに走査線１１ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線１１ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００６１】
画素電極９ａを介して電気光学物質の一例である液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、対向基板２０に形成された対向電極２１との間で一定期間保持される。液晶５０は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置１からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００６２】
ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に保持容量７０が付加されている。保持容量７０の一方の電極は、画素電極９ａと並列してＴＦＴ３０のドレインに接続され、他方の電極は、定電位となるように、固定電位が供給される容量配線４００に接続されている。
【００６３】
＜１−３：画素部の具体的な構成＞
次に、図４乃至図７を参照しながら、液晶装置１の画素部の具体的な構成を説明する。図４乃至図６は、ＴＦＴアレイ基板１０上の画素部に係る部分構成を表す平面図である。図４及び図５は、夫々、後述する積層構造のうち下層部分（図４）と上層部分(図５)に相当する。図６は、積層構造を拡大した平面図であり、図４及び図５を重ね合わせたようになっている。図７は、図４及び図５を重ね合わせた場合のＶＩＩ−ＶＩＩ´線断面図である。尚、図７においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００６４】
図４乃至図７では、上述した画素部７２の各回路要素が、パターン化され、積層された導電膜としてＴＦＴアレイ基板１０上に構築されている。各回路要素は、下から順に、走査線１１ａを含む第１層、ＴＦＴ３０等を含む第２層、データ線６ａ等を含む第３層、保持容量７０等を含む第４層、画素電極９ａ等を含む第５層からなる。また、第１層−第２層間には下地絶縁膜１２、第２層−第３層間には第１層間絶縁膜４１、第３層−第４層間には第２層間絶縁膜４２、第４層−第５層間には第３層間絶縁膜４３がそれぞれ設けられ、前述の各要素間が短絡することを防止している。尚、このうち、第１層から第３層が下層部分として図４に示され、第４層から第５層が上層部分として図５に示されている。
【００６５】
（第１層の構成―走査線等―）
第１層は、走査線１１ａで構成されている。走査線１１ａは、図４のＸ方向に沿って延びる本線部と、データ線６ａが延在する図４のＹ方向に延びる突出部とからなる形状にパターニングされている。走査線１１ａは、例えば導電性ポリシリコンからなり、その他にもチタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド又はこれらの積層体等により形成することができる。本実施形態では特に、走査線１１ａは、ＴＦＴ３０の下層側に、チャネル領域１ａに対向する領域を含むように配置された導電膜である。このため、ＴＦＴアレイ基板１０における裏面反射や、液晶装置をライトバルブとして用いて複板式のプロジェクタを構築した場合に、他の液晶装置から発せられプリズム等の合成光学系を突き抜けてくる光などの、戻り光についても、走査線１１ａによりチャネル領域１ａを下層側から遮光できる。
【００６６】
（第２層の構成―ＴＦＴ等―）
第２層は、ＴＦＴ３０で構成されている。ＴＦＴ３０は、例えばＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造とされ、ゲート電極３ａ、半導体層１ａ、ゲート電極３ａと半導体層１ａを絶縁するゲート絶縁膜を含んだ絶縁膜２を備えている。ゲート電極３ａは、例えば導電性ポリシリコンで形成される。半導体層１ａは、例えばポリシリコンからなり、チャネル領域１ａ´、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅからなる。尚、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有することが好ましいが、低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃに不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよいし、ゲート電極３ａをマスクとして不純物を高濃度に打ち込んで高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成する自己整合型であってもよい。
【００６７】
ＴＦＴ３０のゲート電極３ａは、その一部分３ｂにおいて、下地絶縁膜１２に形成されたコンタクトホール１２ｃｖを介して走査線１１ａに電気的に接続されている。下地絶縁膜１２は、例えばシリコン酸化膜等からなり、第１層と第２層の層間絶縁機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることで、基板表面の研磨による荒れや汚れ等が惹き起こすＴＦＴ３０の素子特性の変化を防止する機能を有している。尚、本実施形態に係るＴＦＴ３０は、トップゲート型であるが、ボトムゲート型であってもかまわない。
【００６８】
（第３層の構成―データ線等―）
第３層は、データ線６ａ及び中継層６００で構成されている。
【００６９】
データ線６ａは、下から順にアルミニウム、窒化チタン、窒化シリコンの３層膜として形成されている。データ線６ａは、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´を部分的に覆うように形成されている。このため、チャネル領域１ａ´に近接配置可能なデータ線６ａによって、上層側からの入射光に対して、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´を遮光できる。また、データ線６ａは、第１層間絶縁膜４１を貫通するコンタクトホール８１を介して、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄと電気的に接続されている。
【００７０】
中継層６００は、データ線６ａと同一膜として形成されている。中継層６００とデータ線６ａとは、図４に示したように、夫々が分断されるように形成されている。また、中継層６００は、第１層間絶縁膜４１を貫通するコンタクトホール８３を介して、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと電気的に接続されている。
【００７１】
第１層間絶縁膜４１は、例えばＮＳＧ（ノンシリケートガラス）によって形成されている。その他、第１層間絶縁膜４１には、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等を用いることができる。
【００７２】
（第４層の構成―保持容量等―）
第４層は、保持容量７０で構成されている。保持容量７０は、容量電極３００と下部電極７１とが誘電体膜７５を介して対向配置された構成となっている。容量電極３００及び下部電極７１が、本発明の第１の発明に係る「一対の電極」の一例である。容量電極３００の延在部は、第２層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール８４を介して、中継層６００と電気的に接続されている。
【００７３】
容量電極３００及び下部電極７１は、例えば、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の金属のうちの少なくとも一つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライドこれらを積層したものからなる。このため、データ線６ａ上に層間絶縁膜４２を介して近接配置可能な保持容量７０によって、上層側からの入射光に対してＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´を、より一層確実に遮光できる。
【００７４】
加えて、図５に示すように、容量電極３００は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、下部電極７１よりも小さい領域に形成されている。即ち、下部電極７１の縁付近において、誘電体膜７５を介して対向する側に容量電極３００が形成されていないので、縁付近における製造不良でショートが生じる可能性や、電界集中により欠陥が生じる可能性を低減できる。
【００７５】
図５に示すように、誘電体膜７５は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て画素毎の開口領域の間隙に位置する非開口領域に形成されている。即ち、誘電体膜７５は、開口領域に殆ど形成されていない。よって、誘電体膜７５が、仮に不透明な膜であっても、開口領域における透過率を低下させないで済む。従って、誘電体膜７５は、透過率を考慮せず、誘電率が高いシリコン窒化膜等から形成されている。このため更に、誘電体膜７５は、水分や湿気を防ぐための膜としても機能させることが可能となり、耐水性、耐湿性を高めることも可能となる。尚、誘電体膜としては、シリコン窒化膜の他、例えば、酸化ハフニュウム（ＨｆＯ2）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）等の単層膜又は多層膜を用いてもよい。
【００７６】
（第５層の構成―画素電極等―）
第４層の全面には第３層間絶縁膜４３が形成され、更にその上に、第５層として画素電極９ａが形成されている。第３層間絶縁膜４３は、例えばＮＳＧによって形成されている。その他、第３層間絶縁膜４３には、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等を用いることができる。第３層間絶縁膜４３の表面は、第２層間絶縁膜４２と同様にＣＭＰ等の平坦化処理がなされている。
【００７７】
画素電極９ａ（図５中、破線９ａ´で輪郭が示されている）は、縦横に区画配列された画素領域の各々に配置され、その境界にデータ線６ａ及び走査線１１ａが格子状に配列するように形成されている（図４及び図５参照）。また、画素電極９ａは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電性膜からなる。
【００７８】
画素電極９ａは、層間絶縁膜４３を貫通するコンタクトホール８５を介して、容量電極３００の延在部と電気的に接続されている（図７参照）。よって、画素電極９ａの直下の導電膜である容量電極３００の電位は、画素電位となっている。従って、液晶装置の動作時に、画素電極９ａとその下層の導電膜との間の寄生容量により、画素電位が悪影響を受けることはない。
【００７９】
更に上述したように、容量電極３００の延在部及び中継層６００と、中継層６００及びＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとは、夫々コンタクトホール８４及び８３を介して、電気的に接続されている。即ち、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとは、中継層６００及び容量電極３００の延在部を中継して中継接続されている。従って、画素電極及びドレイン間の層間距離が長くて一つのコンタクトホールで両者間を接続するのが困難となる事態を回避できる。しかも、積層構造及び製造工程の複雑化を招かない。画素電極９ａの上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。以上が、ＴＦＴアレイ基板１０側の画素部の構成である。
【００８０】
他方、対向基板２０には、その対向面の全面に対向電極２１が設けられており、更にその上（図７では対向電極２１の下側）に配向膜２２が設けられている。対向電極２１は、画素電極９ａと同様、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。尚、対向基板２０と対向電極２１の間には、ＴＦＴ３０における光リーク電流の発生等を防止するため、少なくともＴＦＴ３０と正対する領域を覆うように遮光膜２３が設けられている。
【００８１】
このように構成されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０の間には、液晶層５０が設けられている。液晶層５０は、基板１０及び２０の周縁部をシール材により封止して形成した空間に液晶を封入して形成される。液晶層５０は、画素電極９ａと対向電極２１との間に電界が印加されていない状態において、ラビング処理等の配向処理が施された配向膜１６及び配向膜２２によって、所定の配向状態をとるようになっている。
【００８２】
以上に説明した画素部の構成は、図４及び図５に示すように、各画素部に共通である。前述の画像表示領域１０ａ（図１参照）には、かかる画素部が周期的に形成されていることになる。他方、このような液晶装置１では、画像表示領域１０ａの周囲に位置する周辺領域に、図１及び図２を参照して説明したように、走査線駆動回路１０４及びデータ線駆動回路１０１等の駆動回路が形成されている。
【００８３】
このような画素部７２を有する液晶装置１において、容量電極３００、下部電極７１及びデータ線６ａが、本発明の第１の発明に係る「複数の金属膜」の一例である。容量電極３００、下部電極７１及びデータ線６ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上において互いに異なる層に形成されており、容量電極３００、下部電極７１及びデータ線６ａのうち最上層に形成された容量電極３００が、本発明の第１の発明に係る「一の金属膜」の一例である。本実施形態では、容量電極３００が、本発明の第１の発明に係る「遮光性導電膜」の一例として選択されている。
【００８４】
図１乃至図２に示した遮光膜５４は、ＴＦＴアレイ基板１０上において、容量電極３００と同層に同一膜として形成されている。したがって、遮光膜５４によれば、画像表示領域１０ａの周辺に延びる周辺領域において、下部電極７１及びデータ線６ａの夫々と同層に同一膜として形成された金属膜で構成された配線或いは当該金属膜を含む各種素子に照射される光を遮ることが可能である。したがって、遮光膜５４は、これら配線或いは各種素子のパターンの像が映写幕に投影されることを低減できる。
【００８５】
遮光膜５４は、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成された複数の金属膜のうち最上層に形成された容量電極３００と同層に形成されていなくてもよく、例えば、画像表示領域１０ａの周辺に延びる周辺領域において、下部電極７１或いはデータ線６ａと同層に同一膜として形成されていてもよいし、図３に示した容量配線４００と同層に形成された同一膜であってもよい。遮光膜５４が、複数の金属膜のうち最上層に形成された金属膜より下層側に形成された金属膜と同層に形成された膜であっても、周辺領域に設けられた配線或いは各種素子等のパターンの像が映写幕に投影されることを低減する効果は相応に得られる。
【００８６】
加えて、遮光膜５４は、不図示の配線を介して上下導通端子１０６に電気的に接続されているため、固定電位を供給する電源に電気的に接続された外部接続端子１０２を介して固定電位が供給されている。したがって、遮光膜５４が下部電極７１と同層に形成されている場合、下部電極７１及び遮光膜５４を電気的に接続しておくことにより、固定電位を供給する配線として遮光膜５４を共用し、下部電極７１に固定電位を供給することも可能である。
【００８７】
液晶装置１は、ＴＦＴアレイ基板１０上において、下部電極７１及びデータ線６ａと同層に同一膜として形成された金属膜を画像表示領域１０ａの周辺に延びる周辺領域に有している。このような金属膜は、図１及び図２に示した本発明の第１の発明に係る「周辺回路部」の夫々一例であるデータ線駆動回路１０１或いはサンプリング回路７の構成要素として、データ線駆動回路１０１或いはサンプリング回路７に含まれている。
【００８８】
したがって、液晶装置１によれば、下部電極７１或いはデータ線６ａのように、遮光膜５４と同層に形成されていない金属膜と同層に形成された金属膜を利用して周辺領域に配線或いは各種素子、又は端子等を形成することができ、液晶装置１の表示品位の向上を可能としつつ、同一工程によって画素部及び周辺回路部を形成できる。このような液晶装置１によれば、製造工程を簡便化することによって、表示品位を向上させつつ、液晶装置１の製造コストを低減できる。加えて、図２に示した防塵用基板１２０ａに遮光膜を形成しなくても、上述した周辺領域においてＴＦＴアレイ基板１０を遮光できる。したがって、防塵用基板１２０ａに遮光膜を形成する工程をなくすことができ、液晶装置１の製造に要する製造コストを低減できる。
【００８９】
また、遮光膜５４によれば、データ線駆動回路１０１或いはサンプリング回路７に含まれるＴＦＴ等のトランジスタに光が照射されることを低減でき、当該トランジスタに生じる光リーク電流を低減することも可能である。
【００９０】
以上説明したように、本実施形態に係る電気光学装置によれば、電気光学装置の表示品位を高めることができると共に、当該電気光学装置の製造に要するコストを低減することが可能である。
【００９１】
（変形例１）
次に、図８及び図９を参照しながら、本実施形態に係る電気光学装置の一変形例を説明する。尚、以下で説明する各変形例及び実施形態に係る液晶装置では、液晶装置１と共通する部分に共通の参照符号を付し、詳細な説明を省略する。図８は、本例に係る液晶装置１Ａの構成を示す平面図であり、図９は、図８のＩＸ−ＩＸ´線断面図である。
【００９２】
図８において、本例に係る液晶装置１Ａは、画像表示領域１０ａを規定する額縁領域に形成された遮光膜５４ａを備えており、遮光膜５４ａの外側に配置されたシール材５２によってＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０が相互に接着されている。遮光膜５４ａは、上述した遮光膜５４と同様に、容量電極３００、下部電極７１或いはデータ線６ａの何れか一つの金属膜と同層に同一膜として形成されている。画像表示領域１０ａの周辺領域に形成されたデータ線駆動回路１０１等の映写幕への写り込みをより効果的に低減するためには、遮光膜５４ａは容量電極３００と同層に同一膜として形成されているほうが好ましい。
【００９３】
また、図８に示すように、遮光膜５４ａは、走査線駆動回路１０４、データ線駆動回路１０１及びサンプリング回路７を覆うように形成されているため、これら各回路のパターンの像が映写幕に写り込むことを低減できる。
【００９４】
図８及び図９に示すように、遮光膜５４ａは、シール材５２に重ならないように形成されている。したがって、シール材５２として紫外線硬化樹脂を用いた場合、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０を相互に重ね合わせた状態でシール材５２に照射された紫外線が遮光膜５４ａによって遮られることがなく、ＴＦＴアレイ基板１０に遮光膜５４ａが形成された状態で、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０相互を接着することが可能である。加えて、遮光膜５４ａによって画像表示領域１０ａを規定できるため、別途額縁遮光膜を設ける必要がなく、電気光学装置の製造コストを低減できる。
【００９５】
（変形例２）
次に、図１０及び図１１を参照しながら、本実施形態に係る電気光学装置の他の変形例を説明する。図１０は、本例に係る液晶装置１Ｂの構成を示す平面図であり、図１１は、図１０のＸＩ−ＸＩ´線断面図である。
【００９６】
図１０及び図１１に示すように、本例に係る液晶装置１Ｂは、画像表示領域１０ａの周辺に延びる周辺領域において、対向基板２０に遮光膜が形成されておらず、ＴＦＴアレイ基板１０側でシール材５２に重なる遮光膜５４ｂを有している点に特徴を有している。
【００９７】
図１０及び図１１において、遮光膜５４ｂは、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０が相互に重なる領域のうち画素電極９ａが配列された画像表示量領域１０ａの外側全体に延在されており、且つシール材５２の下側に延在されている。遮光膜５４ｂは、ＴＦＴアレイ基板１０に形成されたデータ線駆動回路１０１、サンプリング回路７、走査線駆動回路１０４、及び引回配線９０を覆っている。したがって、液晶装置１Ｂによれば、画像表示領域１０ａの周辺領域において、外部回路接続端子１０２を除いたデータ線駆動回路１０１等の回路部及び引回配線９０全体が遮光膜５４ｂによって覆われているため、周辺領域において対向基板２０側に遮光膜を設けなくても、ＴＦＴアレイ基板１０に入射する光を低減でき、データ線駆動回路１０１等が映写幕に写り込むことを低減することが可能である。さらに、本変形例によれば、図１における対向電極電位線９９を遮光膜５４ａが兼ねており、配線数を削減することが可能である。
【００９８】
＜第２実施形態＞
次に、図１２乃至図１５を参照しながら、本発明の第２の発明に係る電気光学装置の実施形態を説明する。尚、本実施形態に係る電気光学装置は、画素部の構成が第１実施形態に係る電気光学装置と異なるため、特に、当該画素部の構成を詳細に説明する。図１２は、本実施形態に係る電気光学装置の一例である液晶装置１Ｃの平面図である。図１３及び図１４は、本実施形態に係る電気光学装置の具体的な構成を表す部分平面図である。図１５は、図１３及び図１４のＸＶ−ＸＶ´線断面図である。
【００９９】
＜２−１：電気光学装置の全体構成＞
図１２において、液晶装置１Ｃは、図１に示した遮光膜５４と同様に画像表示領域１０ａの周辺に延びる周辺領域に重なる遮光膜５４ｃを備えている。遮光膜５４ｃは、後述するように、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成された容量配線４００と同層に同一膜として形成された遮光性導電膜であり、画像表示領域１０ａから周辺領域に渡って延在されている。したがって、遮光膜５４ｃによれば、第１実施形態で説明した遮光膜５４、５４ａ及び５４ｂと同様に、画像表示領域１０ａの周辺領域においてＴＦＴアレイ基板１０に入射する光を遮光でき、当該周辺領域に形成された配線及び各種素子、並びに回路部をパターンの像が映写幕に写り込むことを低減できる。
【０１００】
＜２−２：画素部の具体的な構成＞
図１３乃至図１５において、画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成されている。本実施形態に係る電気光学装置が備える回路要素は画素電極９ａを駆動するために設けられ、ここでは、ＴＦＴアレイ基板１０の直上から画素電極９ａの直下までの範囲内に積層された、走査線１１ａから第４層間絶縁膜４４までを指している（図１５参照）。画素電極９ａ（図中、破線９ａ´で輪郭が示されている）は縦横に区画配列された画素領域の各々に配置され、その境界にデータ線６ａ及び走査線１１ａが格子状に配列するように形成されている（図１３及び図１４参照）。
【０１０１】
各回路要素を構成するパターニングされた導電膜は、下から順に走査線１１ａを含む第１層、ゲート電極３ａを含む第２層、保持容量７０の固定電位側容量電極を含む第３層、データ線６ａ等を含む第４層、本発明の「遮光性導電膜」の一例である容量配線４００等を含む第５層からなる。また、第１層−第２層間には下地絶縁膜１２、第２層−第３層間には第１層間絶縁膜４１、第３層−第４層間には第２層間絶縁膜４２、第４層−第５層間には第３層間絶縁膜４３、第５層と画素電極９ａの間には第４層間絶縁膜４４が夫々設けられ、前述の各要素間が短絡することを防止している。尚、このうち、第１層から第３層が下層部分として図１３に示され、第４層、第５層及び画素電極９ａが上層部分として図１４に示されている。
【０１０２】
（第１層の構成−走査線等−）
第１層は、走査線１１ａで構成される。走査線１１ａは、図１３のＸ方向に沿って延びる本線部と、データ線６ａ或いは容量配線４００が延在する図１３のＹ方向に延びる突出部とからなる形状にパターニングされている。このような走査線１１ａは、例えば導電性ポリシリコンからなり、その他にもＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド又はこれらの積層体等により形成することができる。
【０１０３】
（第２層の構成−ＴＦＴ等−）
第２層は、ＴＦＴ３０及び中継電極７１９で構成されている。ＴＦＴ３０は、例えばＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造とされ、ゲート電極３ａ、半導体層１ａ、ゲート電極３ａと半導体層１ａを絶縁するゲート絶縁膜を含んだ絶縁膜２を備えている。ゲート電極３ａは、例えば導電性ポリシリコンで形成される。半導体層１ａは、チャネル領域１ａ´、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅからなる。尚、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有することが好ましいが、低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃに不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよいし、ゲート電極３ａをマスクとして不純物を高濃度に打ち込んで高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成する自己整合型であってもよい。また、中継電極７１９は、例えばゲート電極３ａと同一膜として形成される。
【０１０４】
ＴＦＴ３０のゲート電極３ａは、下地絶縁膜１２に形成されたコンタクトホール１２ｃｖを介して走査線１１ａに電気的に接続されている。下地絶縁膜１２は、例えばシリコン酸化膜等からなり、第１層と第２層の層間絶縁機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることで、基板表面の研磨による荒れや汚れ等が惹き起こすＴＦＴ３０の素子特性の変化を防止する機能を有している。
【０１０５】
（第３層の構成−保持容量等−）
第３層は、保持容量７０で構成されている。保持容量７０は、容量電極３００と下部電極７１とが誘電体層７５を介して対向配置された構成となっている。このうち、容量電極３００は、容量配線４００に電気的に接続されている。下部電極７１は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａの夫々に電気的に接続されている。
【０１０６】
下部電極７１と高濃度ドレイン領域１ｅとは、第１層間絶縁膜４１に開孔されたコンタクトホール８３を介して接続されている。また、下部電極７１と画素電極９ａとは、コンタクトホール８８１、８８２、８０４、及び中継電極７１９、第２中継電極６ａ２、第３中継電極４０２により各層を中継し、コンタクトホール８９において電気的に接続されている。
【０１０７】
このような下部電極７１には、例えば導電性のポリシリコンが用いられ、誘電体層には酸化シリコンが用いられる。容量電極３００は、例えばアルミニウム等の金属膜を含む単層構造或いは多層構造を有している。尚、容量電極３００は、金属膜に窒化チタンを積層した二層構造となっていてもよい。また、容量電極３００は、導電性ポリシリコンで構成されていてもよい。
【０１０８】
第１層間絶縁膜４１は、例えば、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）によって形成されている。その他、第１層間絶縁膜４１には、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等を用いることができる。
【０１０９】
尚、この場合の保持容量７０は、図１３の平面図からわかるように、画素電極９ａの形成領域にほぼ対応する画素領域に至らないように（遮光領域内に収まるように）形成されているので、画素の開口率が比較的大きく維持されている。
【０１１０】
（第４層の構成−データ線等−）
第４層は、データ線６ａで構成されている。データ線６ａは、アルミニウム等の金属膜を含む単層構造、或いは多層構造を有している。また、データ線６ａは、下から順にアルミニウム、窒化チタン、窒化シリコンの三層膜として形成されていてもよい。窒化シリコン層は、その下層のアルミニウム層と窒化チタン層を覆うように少し大きなサイズにパターニングされている。第４層には、データ線６ａと同一膜として、容量配線用中継層６ａ１及び第２中継電極６ａ２が形成されている。これらは、図１４に示したように、夫々が分断されるように形成されている。データ線６ａ、容量電極３００、及び後述する容量配線４００が、本発明の第１の発明に係る「複数の金属膜」の一例を構成している。
【０１１１】
データ線６ａは、第１層間絶縁膜４１及び第２層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール８１を介して、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄと電気的に接続されている。
【０１１２】
容量配線用中継層６ａ１は、第２層間絶縁膜４２に開孔されたコンタクトホール８０１を介して容量電極３００と電気的に接続され、容量電極３００と容量配線４００との間を中継している。容量配線用中継層６ａ２は、前述したように、第１層間絶縁膜４１及び第２層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール８８２を介して中継電極７１９に電気的に接続されている。このような層間絶縁膜４２は、例えばＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等によって形成することができる。
【０１１３】
（第５層の構成−容量配線等−）
第５層は、本発明の第１の発明に係る「遮光性導電膜」の一例として選択された容量配線４００及び第３中継電極４０２により構成されている。容量配線４００は、データ線６ａ、容量電極３００、及び容量配線４００のうちＴＦＴアレイ基板１０上において最上層に形成された導電膜である。容量配線４００は、ＴＦＴアレイ基板１０上において画像表示領域１０ａから画像表示領域１０ａの周辺領域まで延設され、定電位源と電気的に接続されることで、固定電位とされている。容量配線４００は、図１４に示すように、Ｘ方向、Ｙ方向に延在する格子状に形成され、Ｘ方向に延在する部分には、第３中継電極４０２の形成領域を確保するために切り欠きが設けられている。容量配線４００は、その下層のデータ線６ａ、走査線１１ａ、ＴＦＴ３０等を覆うように、これら回路要素の構造よりも幅広に形成されている。これにより、各回路要素は遮光され、入射光を反射させて投射画像における画素の輪郭がぼやける等の悪影響が防止されている。
【０１１４】
更に、容量配線４００のＸ方向延在部分とＹ方向延在部分とが丁度交差する角部は、略三角形の庇部がわずかに突き出すような形状となっている。この庇部により、ＴＦＴ３０の半導体層１ａに対する光の遮蔽を効果的に行うことができる。即ち、半導体層１ａに対して斜め上方から進入する光を、庇部が反射又は吸収することにより、ＴＦＴ３０における光リーク電流の発生を抑制し、フリッカ等のない高品質な画像を表示することが可能となる。
【０１１５】
容量配線４００は、第３層間絶縁膜４３に開孔されたコンタクトホール８０３を介して、容量配線用中継層６ａ１と電気的に接続されている。第４層には、容量配線４００と同一膜として、第３中継電極４０２が形成されている。第３中継電極４０２は、前述のように、コンタクトホール８０４及びコンタクトホール８９を介して、第２中継電極６ａ２−画素電極９ａ間を中継している。尚、これら容量配線４００及び第３中継電極４０２は、例えばアルミニウム、窒化チタンを積層した二層構造となっている。
【０１１６】
第４層の上には、全面に第４層間絶縁膜４４が形成されている。第４層間絶縁膜４４には、画素電極９ａ及び第３中継電極４０２間を電気的に接続するためのコンタクトホール８９が開孔されている。コンタクトホール８９は、画素電極９ａと、画素電極９ａの下層側に形成された第３中継電極４０２とを電気的に接続している。
【０１１７】
以上のように画素部が構成された液晶装置１Ｃでは、遮光膜５４ｃが、画像表示領域１０ａの周辺領域においてＴＦＴアレイ基板１０に入射する光を遮光する。したがって、データ線駆動回路１０１のパターンの像が映写幕に投影されることを低減できる。
【０１１８】
第１実施形態における変形例１及び２で説明した遮光膜５４ａ及び５４ｂと同様のレイアウトパターンで遮光膜５４ｃを形成しておくことによって、サンプリング回路７及び走査線駆動回路１０４に照射される光も遮光でき、これら回路部のパターンの像が映写幕に投影されることを低減できる。尚、遮光膜５４ｃは、当該遮光膜５４ｃによって反射された反射光を低減するために、反射防止膜を有しているほうが好ましい。また、同様の理由により、遮光膜５４ｃのＯＤ値は４以上であるほうが好ましい。
【０１１９】
液晶装置１Ｃによれば、ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａの周辺領域において、容量配線４００の下層側に形成されたゲート電極３ａ、或いは下部電極７１等の半導体層と同層に形成された半導体層をデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、或いはサンプリング回路７等の周辺回路部の一部として共用することが可能である。したがって、画素部を構成する工程と、データ線駆動回路１０１等の周辺回路部を形成する工程とを共用でき、液晶装置１Ｃを製造する工程を簡便化できる。
【０１２０】
＜第３実施形態＞
次に、図１６を参照しながら、本発明の第２の発明に係る電気光学装置の一例である液晶装置１Ｄを説明する。図１６は、本実施形態に係る液晶装置１Ｄの構成を示す平面図である。
【０１２１】
図１６において、液晶装置１Ｄは、図１０に示した液晶装置１Ｂと比べて上下導通端子１０６が設けられておらず、対向電極電位を供給する外部回路接続端子１０２に電気的に接続された遮光膜５４ｄが上下導通端子並びに共通電極電位線を兼ねている点に特徴を有している。
【０１２２】
遮光膜５４ｄは、第１実施形態における容量電極３００と同層に形成されており、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０が相互に接着された状態で、対向基板２０側に形成された対向電極と接触し、当該対向電極と電気的に接続されている。したがって、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０が遮光膜５４ｄを介して電気的に接続されており、遮光膜５４ｄがＴＦＴアレイ基板１０における対向電極電位線として共用されている。
【０１２３】
液晶装置１Ｄによれば、画像表示領域１０ａの周辺領域からＴＦＴアレイ基板１０の回路部に対して光が入射することが低減できると共に、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成される配線数も低減できる。加えて、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０を電気的に接続する上下導通端子が不要となるため、当該上下導通端子を形成する工程をなくすことができ、液晶装置１Ｄの製造プロセスを簡略化できる。加えて、第１実施形態に係る液晶装置と同様に画像表示領域１０ａの周辺領域からＴＦＴアレイ基板１０に入射する光を遮光でき、ＴＦＴアレイ基板１０における周辺領域に形成された回路部等が映写幕に投影されることを低減できる。
【０１２４】
（電子機器）
次に、上述した液晶装置を各種電子機器に適用する場合について説明する。
【０１２５】
まず、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。図１７は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。図１７に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇに入射される。
【０１２６】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等の構成を有しており、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、ＲおよびＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【０１２７】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【０１２８】
なお、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【０１２９】
このようなプロジェクタ１１００によれば、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇに形成されたデータ線駆動回路等のパターンの像が映写幕に写り込むことが低減されているため、高品位の画像表示が可能である。
【符号の説明】
【０１３０】
１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ・・・液晶装置、１０・・・ＴＦＴアレイ基板、２０・・・対向基板、７２・・・画素部、５３・・・額縁遮光膜、５４、５４ａ、５４ｂ、５４ｃ、５４ｄ・・・遮光膜。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、液晶パネル等の電気光学装置、及び該電気光学装置を具備してなる液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置の一例である液晶装置では、例えば、画素電極や画素スイッチング用素子が形成される素子基板と、対向電極が形成される対向基板とが所定の隙間を介して、例えば紫外線硬化樹脂等のシール材によって貼り合わされ、これらの基板間に液晶が封入される。例えば、液晶装置を、液晶プロジェクタにおけるライトバルブとして用いる場合、ライトバルブの表面にごみや埃等（以下、単に「粉塵」という。）が付着すると、映写幕上にその粉塵の像もまた投影されてしまうことで、画像の品質を低下させる可能性がある。このため、液晶装置を構成する基板の外側表面に防塵用基板が設けられることが多い。
【０００３】
また、対向基板には、液晶装置における表示領域の額縁（即ち、表示の外枠）を規定する額縁遮光膜が設けられるのが一般的である。加えて、防塵用基板には、額縁遮光膜の外側から素子基板に入射する光を遮るために、額縁遮光膜の外側に額縁遮光膜とは別の遮光膜が形成されることもある（特許文献１参照。）。このような遮光膜は、額縁遮光膜の外側において素子基板の表面或いはその内部に形成された端子、配線及び各種回路等のパターンの像が映写幕上に投影されることを防止するために設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−２９５６８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、額縁遮光膜によって反射された光が、素子基板側で反射され、当該反射された光が防塵用基板に設けられた遮光膜によって再度反射された場合、再度反射された光によって、素子基板に設けられた回路部或いは端子等のパターンの像が映写幕に投影されてしまい、液晶プロジェクタ等の表示品位を低下させてしまう問題点がある。加えて、特許文献１に開示されているように、防塵用基板に遮光膜を設けた場合、液晶パネル等の電気光学装置、及び液晶プロジェクタ等の電子機器の製造コストを増大させてしまう問題点もある。
【０００６】
よって、本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、製造コストを増大させることなく、表示領域の外側の遮光性を向上させることが可能な電気光学装置、及びこれを備えた電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の発明に係る電気光学装置は上記課題を解決するために、素子基板上の表示領域を構成する複数の画素部と、前記素子基板上において、前記画素部の一部及び前記素子基板上に形成された配線のうち少なくとも一つを構成する遮光性導電膜と同層に形成されており、前記表示領域の外側に位置する周辺領域に重なる遮光膜とを備える。
【０００８】
本発明の第１の発明に係る電気光学装置によれば、素子基板及び対向基板間には、例えば液晶等の電気光学物質が挟持されている。素子基板上の表示領域は、マトリクス状に配置された複数の画素部によって構成されている。このような画素部は、例えばＴＦＴ等の半導体素子を含んでおり、表示領域に延びる配線に電気的に接続されている。尚、素子基板は、例えばガラス基板或いは石英基板等の透明基板及びこの透明基板上に絶縁膜を含む多層構造が形成されたものであってもよい。
【０００９】
遮光性導電膜は、例えば、画素部の一部であるＴＦＴ等の素子の一部、及び当該ＴＦＴ等の素子に電気的に接続された配線のうち少なくとも一つを構成している。
【００１０】
遮光膜は、遮光性導電膜と同層に、例えば遮光性導電膜を形成する工程と同一工程によって、形成されている。このような遮光膜は、素子基板上において、表示領域の外側に延びる周辺領域に重なるように形成されている。
【００１１】
したがって、遮光膜は、素子基板上における周辺領域に入射する光を遮ることができ、電気光学装置の表示品位を高めることが可能である。このような遮光膜によれば、周辺領域において、素子基板の表面、或いは内部に設けられた端子等のパターンの像が映写幕に投影されることを低減できる。より具体的には、遮光膜によれば、例えば防塵用基板に設けられた遮光膜によって反射された反射光が周辺領域に入射した場合でも、当該反射光が周辺領域から素子基板に入射することを低減でき、上述したパターンの像が映写膜に投影されることを低減することが可能である。
【００１２】
加えて、遮光膜は、画素部の一部及び電気的に接続された配線のうち少なくとも一つを構成する遮光導電膜と同層に形成されているため、別途防塵用基板に遮光膜を形成する場合に比べて、工程数を増大させることなく形成可能である。特に、遮光性導電膜を形成する工程と同一工程によって当該遮光性導電膜と同一膜として形成されることによって、一の工程で遮光性導電膜及び遮光膜の２つの膜を形成でき、別途防塵用基板に遮光膜を形成する場合に比べて電気光学装置の製造に要するコストを低減できる。
【００１３】
よって、本発明の第１の発明に係る電気光学装置によれば、電気光学装置の表示品位を高めることができると共に、当該電気光学装置の製造に要するコストを低減することが可能である。
【００１４】
本発明の第１の発明に係る電気光学装置の一の態様では、前記素子基板に対向配置された対向基板と、前記対向基板に設けられており、前記画素部が有する画素電極と対向配置された対向電極とを備え、前記遮光膜の電位は、前記対向電極の電位と同電位であってもよい。
【００１５】
この態様では、例えば定電位とされる対向電極の対向電極電位と遮光膜の電位とを同電位に維持することによって、電気光学装置の表示品位を高めることが可能である。より具体的には、遮光膜は、例えば対向電極に定電位を供給する電源、或いは複数の対向電極に定電位を供給するための固定電位線に電気的に接続されている。対向電極と同電位とされる遮光膜によれば、対向基板に設けられた配線等に遮光膜が接触している場合でも、電気光学装置の動作時に、液晶等の電気光学物質に印加される電圧に直流成分が加わることを低減でき、画素部が備える画素電極及び対向電極間の電位差に応じて液晶等の所定の配向制御がなされる。このような配向制御によって表示領域に所定の画像が表示可能となる。
【００１６】
本発明の第１の発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記遮光膜は、前記対向電極に電気的に接続されていてもよい。
【００１７】
この態様によれば、対向電極及び画素部を電気的に接続する上下導通端子を設けることなく、遮光膜を介して対向電極及び画素部を相互に電気的に接続可能である。この態様によれば、電気光学装置に上下導通端子を形成する工程が不要となり、電気光学装置の製造コストを低減できる。
【００１８】
本発明の第１の発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記素子基板上において前記周辺領域のうち前記遮光膜が形成された領域より外側に形成されており、前記遮光膜と電気的に接続された入力端子を備え、前記遮光膜は、前記遮光性導電膜と電気的に接続されていてもよい。
【００１９】
この態様によれば、入力端子、遮光膜、及び遮光性導電膜が電気的に接続されていることになり、入力端子を介して装置外部から画素部又は配線に電位を供給可能である。
【００２０】
本発明の第１の発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記遮光膜は、前記周辺領域のうち前記表示領域を規定する額縁領域において、前記表示領域を囲うように形成されていてもよい。
【００２１】
この態様によれば、遮光膜によって表示領域を規定できるため、別途額縁遮光膜を設ける必要がない。したがって、額縁遮光膜を設けない分、電気光学装置の製造コストを低減できる。
【００２２】
本発明の第１の発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記対向基板に設けられており、且つ前記表示領域を規定する額縁遮光膜とを備え、前記遮光膜は、前記周辺領域のうち前記額縁遮光膜が形成された額縁領域の外側に形成されていてもよい。
【００２３】
この態様によれば、額縁遮光膜に遮光しきれなかった入射光、及び当該遮光膜で反射された光が再度額縁遮光膜によって反射されることによって額縁領域の外側に照射された場合でも、当該光を遮光できる。したがって、周辺領域のうち額縁領域の外側から素子基板に入射する光を遮ることができ、端子等のパターンの像が映写幕に投影されることを低減できる。
【００２４】
本発明の第１の発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記画素の一部は、前記画素部に供給された画像信号を保持する保持容量が有する一対の電極のうち一方の電極であってもよい。
【００２５】
この態様によれば、素子基板に作り込まれた保持容量が有する一対の電極の一方の電極、容量配線、又はデータ線と同一膜として遮光膜が形成されている。このような電極、容量配線、及びデータ線は、電気光学装置を動作させるために必須となる回路に含まれる要素である。したがって、これら要素と同一膜として遮光膜を形成することによって、これら要素とは別の工程によって遮光膜を形成する必要がない、したがって、工程数を増大させることなく、電気光学装置の表示品位を高めることが可能となる。
【００２６】
本発明の第１の発明に係る電気光学装置の他の態様では、
前記配線は、前記画素部に供給された画像信号を保持する保持容量が有する一対の電極のうち一方の電極に電気的に接続された容量配線、又は前記画像信号を供給するデータ線であってもよい。
【００２７】
この態様によれば、素子基板上における配線のレイアウトを簡便な構成にできる。
【００２８】
本発明の第１の発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記遮光性導電膜は、前記素子基板上で互いに異なる層に形成された複数の金属膜のうち最上層に形成された一の金属膜であり、前記遮光膜は、前記一の金属膜と同一膜であってもよい。
【００２９】
この態様によれば、一の金属膜の下層側に形成された部分に照射される光を遮ることが可能である。したがって、素子基板に形成された各種配線及び素子等のうち一の金属膜の下層側に形成された配線等が映写幕に投影されることを確実に防止できる。尚、この態様における“金属膜”とは、単層或いは多層構造を有する金属膜のみに限定されず、金属膜、及び当該金属膜に積層された窒化物或いは酸化物からなる遮光性を有する膜を含む多層膜も意味する。
【００３０】
この態様では、前記周辺領域において、前記複数の金属膜のうち前記一の金属膜の下層側に形成された他の金属膜と同層に形成された金属膜を含む周辺回路部を備えていてもよい。
【００３１】
この態様によれば、例えばデータ線駆動回路等の周辺回路部の一部として他の金属膜と同層に形成された金属膜を共用でき、且つ一の金属膜と同一膜とされる遮光膜によって、データ線駆動回路等に含まれるトランジスタに生じる光リーク電流を低減できる。
【００３２】
本発明の第１の発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記周辺領域において、前記一の金属膜の下層側に形成された半導体膜と同層に形成された半導体膜を含む周辺回路部を備えていてもよい。
【００３３】
この態様によれば、一の金属膜の下層側に形成された半導体膜と同層に形成された半導体膜を含むデータ線駆動回路等の周辺回路部を遮光膜によって遮光できる。したがって、データ線駆動回路等の一部を構成するトランジスタに生じる光リーク電流を低減できる。
【００３４】
本発明の第２の発明に係る電気光学装置は上記課題を解決するために、素子基板上の表示領域を構成する複数の画素部と、前記素子基板上において、前記表示領域の外枠を規定する額縁遮光膜であるとともに、所定の電位が供給される配線でもある遮光膜とを備えている。
【００３５】
本発明の第２の発明に係る電気光学装置によれば、本発明の第１の発明に係る電気光学装置と同様に、電気光学装置の表示品位を高めることができると共に、素子基板上に配線を形成する工程とは別の工程によって遮光膜を形成する必要がない、したがって、電気光学装置の製造コストを低減できる。
【００３６】
本発明の第１及び第２の発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記遮光膜は、光反射防止膜を含んでいてもよい。
【００３７】
この態様によれば、例えば金属膜のみによって遮光膜を形成する場合に比べて、遮光膜によって反射される反射光を低減できる。したがって、遮光膜によって反射された反射光に起因して素子基板に入射する光を低減できる。
【００３８】
本発明の第１及び第２の発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記遮光膜のＯＤ値は、４以上であってもよい。
【００３９】
この態様によれば、遮光膜によって反射される反射光を十分に低減でき、素子基板に入射する光を低減できる。
【００４０】
本発明に係る電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を備えている。
【００４１】
本発明に係る電子機器によれば、上述した本発明に係る電気光学装置を具備してなるので、高品位の表示が可能な、液晶プロジェクタ等の投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明に係る電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置等も実現することが可能である。
【００４２】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示す平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ´線断面図である。
【図３】第１実施形態に係る電気光学装置の画像表示領域に形成された画素部における各種素子、配線等の等価回路図である。
【図４】第１実施形態に係る電気光学装置の積層構造のうち下層部分を示す図である。
【図５】第１実施形態に係る電気光学装置の積層構造のうち上層部分を示す図である。
【図６】図４及び図５を重ね合わせた拡大図である。
【図７】図４及び図５の夫々におけるＶＩＩ−ＶＩＩ´線断面図である。
【図８】第１実施形態に係る電気光学装置の一変形例に係る液晶装置の構成を示す平面図である。
【図９】図８のＩＸ−ＩＸ´線断面図である。
【図１０】第１実施形態に係る電気光学装置の他の変形例に係る液晶装置の構成を示す平面図である。
【図１１】図１０のＸＩ−ＸＩ´線断面図である。
【図１２】第２実施形態に係る電気光学装置の構成を示す平面図である。
【図１３】第２実施形態に係る電気光学装置の具体的な構成を表す部分平面図（その１）である。
【図１４】第２実施形態に係る電気光学装置の具体的な構成を表す部分平面図（その２）である。
【図１５】図１３及び図１４のＸＶ−ＸＶ´線断面図である。
【図１６】第３実施形態に係る電気光学装置の構成を示す平面図である。
【図１７】本発明に係る電子機器の一実施形態に係る液晶プロジェクタの構成を表す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４４】
＜第１実施形態＞
＜１−１：電気光学装置の全体構成＞
先ず、図１及び図２を参照しながら、本実施形態に係る電気光学装置の一例である液晶装置の全体構成を説明する。図１は、本実施形態に係る液晶装置の構成を示す平面図であり、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ´線断面図である。本実施形態に係る液晶装置１は、ＴＦＴアレイ基板１０上において、後に詳細に説明する画素部７２の一部及び画素部７２に電気的に接続された配線と同層に形成された、本発明の第１の発明に係る「遮光膜」の一例である遮光膜５４を備えている点に特徴を有している。
【００４５】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置１では、本発明の第１の発明に係る「素子基板」の一例であるＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、本発明の第１の発明に係る「表示領域」の一例である画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。ＴＦＴアレイ基板１０の下面には、ガラス等の透明材料で構成された防塵用基板１２０ｂが配置されており、対向基板２０の上面には、防塵用基板１２０ｂと同様の材料で構成された防塵用基板１２０ａが配置されている。
【００４６】
ＴＦＴアレイ基板１０上における画像表示領域１０ａには、後に詳細に説明するようにマトリクス状に配置された複数の画素部７２が形成されている。このような画素部７２は、例えばスイッチング素子としてのＴＦＴ等の半導体素子を含んでおり、画像表示領域１０ａに延びる走査線及びデータ線に電気的に接続されている。尚、ＴＦＴアレイ基板１０は、例えばガラス基板或いは石英基板等の透明基板及びこの透明基板上に絶縁膜を含む多層構造が形成された基板である。対向基板２０も、ＴＦＴアレイ基板１０と同様にガラス基板等の透明基板、及び当該透明基板上に形成された多層構造を有している。
【００４７】
図１において、シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの周辺に延びる周辺領域のうち画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。ＴＦＴアレイ基板１０上において、額縁遮光膜５３が形成された額縁領域に重なる領域にサンプリング回路７及び走査線駆動回路１０４が形成されている。したがって、サンプリング回路７及び走査線駆動回路１０４は、額縁遮光膜５３によって遮光されている。
【００４８】
画像表示領域１０ａの周辺に延びる周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、本発明の「入力端子」の一例である外部回路接続端子１０２が、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側に延びる額縁領域に重なるように、サンプリング回路７が設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域の内側に延びる額縁領域に設けられている。ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これら上下導通端子１０６により、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００４９】
図１及び図２において、遮光膜５４は、ＴＦＴアレイ基板１０上において、画像表示領域１０ａの外側に延びる周辺領域のうち額縁遮光膜５３が形成された額縁領域の外側に形成されている。データ線駆動回路１０１及び引回配線９０は、遮光膜５４に覆われている。引回配線９０は、外部回接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、上下導通端子１０６等とを電気的に接続している。尚、図２において、遮光膜５４及びデータ線駆動回路１０１は、不図示の絶縁膜によって相互に電気的に絶縁されている。このような絶縁膜は、後述する各変形例及び各実施形態でも同様に設けられている。
【００５０】
遮光膜５４は、額縁遮光膜５３によって遮光しきれなかった入射光、及び遮光膜５４で反射された光が額縁遮光膜５３によって反射され、額縁領域の外側からＴＦＴアレイ基板１０に入射する当該反射光を遮る。したがって、画像表示領域１０ａの周辺領域において、ＴＦＴアレイ基板１０に作り込まれた回路部、素子、配線或いは端子等のパターンの像が映写幕に投影されることを低減できる。例えば、データ線駆動回路１０１及び引回配線９０に照射される光が遮光膜５４によって遮られるため、データ線駆動回路１０１及び引回配線９０のパターンの像が映写幕に投影されることを低減できる。
【００５１】
加えて、遮光膜５４は、防塵用基板１２０ａに遮光膜が設けられている場合に、防塵用基板１２０ａに設けられた遮光膜によって反射された反射光が周辺領域に入射したとしても、当該反射光が周辺領域からＴＦＴアレイ基板１０に入射することを低減でき、上述したパターンの像が映写膜に投影されることを低減することが可能である。
【００５２】
遮光膜５４は、画像表示領域１０ａに設けられた画素部の一部及び当該画素部に電気的に接続された配線を含むＴＦＴアレイ基板上に形成された配線のうち少なくとも一方を構成する遮光導電膜と同層に形成されているため、別途防塵用基板に遮光膜を形成する場合に比べて、簡便に形成可能である。特に、このような遮光性導電膜を形成する工程と同一工程によって当該遮光性導電膜と同一膜として遮光膜５４は形成されているため、一の工程で遮光性導電膜及び遮光膜５４の２つの膜を形成でき、別途防塵用基板１２０ａに遮光膜を形成する場合に比べて液晶装置１の製造に要するコストを低減できる。
【００５３】
遮光膜５４は、遮光性を有する金属膜からなる単層或いは複数の金属膜が相互に積層された多層構造を有する膜であってもよいし、当該金属膜に加えて光反射防止膜を含んでいてもよい。遮光膜５４が光反射膜防止膜を含んでいる場合には、金属膜のみによって遮光膜５４が形成されている場合に比べて、遮光膜５４によって反射される反射光を低減できる。したがって、遮光膜によって反射された反射光のうちＴＦＴアレイ基板１０に入射する迷光の割合を低減できる。特に、遮光膜５４によって反射される反射光を実践的に十分に低減するためには、遮光膜５４のＯＤ（Optical Density）値を４以上にしておくほうが好ましい。
【００５４】
遮光膜５４及び対向電極２１は、対向電極電位線９９及び上下導通端子１０６を介して相互に電気的に接続されている。上下導通端子１０６は、外部接続端子１０２のうち対向電極電位（ＬＣＣＯＭ）を供給する電源に電気的に接続された外部接続端子１０２に対向電極電位線９９を介して電気的に接続されている。したがって、遮光膜５４及び対向電極２１の夫々の電位は同電位である。よって額縁領域にある液晶（遮光膜５４と対向電極との間にあり、表示に寄与しない液晶分子）は常に電圧無印加状態であり、画像表示領域１０ａ（特に額縁に沿った領域）の液晶に余分な電圧が印加されることがないので、表示に悪影響を及ぼすことがない。
【００５５】
また、額縁の液晶に直流成分が印加されることがないので、液晶が劣化することがない。何故なら、額縁領域の液晶が劣化すると、画像表示領域１０ａの液晶にも劣化が伝播してしまうからである。
【００５６】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、液晶を配向制御するための駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴ（Thin Film Transistor）や走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に画素電極９ａが設けられている。他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、画像表示領域１０ａにおける各画素の開口領域、即ち画素において実質的に光が透過する領域を規定する不図示の遮光膜が形成されている。対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０に臨む側の面には、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向して形成されている。配向膜１６及び２２の夫々は、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の夫々に形成されている。
【００５７】
液晶層５０は、画素電極９ａ及び対向電極２１間の電位差、即ち液晶に印加される印加電圧に応じて配向状態が制御され、画像表示領域１０ａに所定の画像が表示される。尚、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路、検査用パターン等が形成されていてもよい。
【００５８】
＜１−２：画素部の電気的な接続構成及び動作原理＞
次に、図３を参照しながら、ＴＦＴアレイ基板１０上における画像表示領域１０ａに形成された画素部７２の電気的な接続構成及び動作原理を説明する。図３は、液晶装置１の画像表示領域１０ａに形成された画素部７２における各種素子、配線等の等価回路図である。
【００５９】
図３において、液晶装置１の画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素部７２には、それぞれ、画素電極９ａと、この画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００６０】
ＴＦＴ３０のゲートに走査線１１ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線１１ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００６１】
画素電極９ａを介して電気光学物質の一例である液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、対向基板２０に形成された対向電極２１との間で一定期間保持される。液晶５０は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置１からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００６２】
ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に保持容量７０が付加されている。保持容量７０の一方の電極は、画素電極９ａと並列してＴＦＴ３０のドレインに接続され、他方の電極は、定電位となるように、固定電位が供給される容量配線４００に接続されている。
【００６３】
＜１−３：画素部の具体的な構成＞
次に、図４乃至図７を参照しながら、液晶装置１の画素部の具体的な構成を説明する。図４乃至図６は、ＴＦＴアレイ基板１０上の画素部に係る部分構成を表す平面図である。図４及び図５は、夫々、後述する積層構造のうち下層部分（図４）と上層部分(図５)に相当する。図６は、積層構造を拡大した平面図であり、図４及び図５を重ね合わせたようになっている。図７は、図４及び図５を重ね合わせた場合のＶＩＩ−ＶＩＩ´線断面図である。尚、図７においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００６４】
図４乃至図７では、上述した画素部７２の各回路要素が、パターン化され、積層された導電膜としてＴＦＴアレイ基板１０上に構築されている。各回路要素は、下から順に、走査線１１ａを含む第１層、ＴＦＴ３０等を含む第２層、データ線６ａ等を含む第３層、保持容量７０等を含む第４層、画素電極９ａ等を含む第５層からなる。また、第１層−第２層間には下地絶縁膜１２、第２層−第３層間には第１層間絶縁膜４１、第３層−第４層間には第２層間絶縁膜４２、第４層−第５層間には第３層間絶縁膜４３がそれぞれ設けられ、前述の各要素間が短絡することを防止している。尚、このうち、第１層から第３層が下層部分として図４に示され、第４層から第５層が上層部分として図５に示されている。
【００６５】
（第１層の構成―走査線等―）
第１層は、走査線１１ａで構成されている。走査線１１ａは、図４のＸ方向に沿って延びる本線部と、データ線６ａが延在する図４のＹ方向に延びる突出部とからなる形状にパターニングされている。走査線１１ａは、例えば導電性ポリシリコンからなり、その他にもチタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド又はこれらの積層体等により形成することができる。本実施形態では特に、走査線１１ａは、ＴＦＴ３０の下層側に、チャネル領域１ａに対向する領域を含むように配置された導電膜である。このため、ＴＦＴアレイ基板１０における裏面反射や、液晶装置をライトバルブとして用いて複板式のプロジェクタを構築した場合に、他の液晶装置から発せられプリズム等の合成光学系を突き抜けてくる光などの、戻り光についても、走査線１１ａによりチャネル領域１ａを下層側から遮光できる。
【００６６】
（第２層の構成―ＴＦＴ等―）
第２層は、ＴＦＴ３０で構成されている。ＴＦＴ３０は、例えばＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造とされ、ゲート電極３ａ、半導体層１ａ、ゲート電極３ａと半導体層１ａを絶縁するゲート絶縁膜を含んだ絶縁膜２を備えている。ゲート電極３ａは、例えば導電性ポリシリコンで形成される。半導体層１ａは、例えばポリシリコンからなり、チャネル領域１ａ´、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅからなる。尚、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有することが好ましいが、低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃに不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよいし、ゲート電極３ａをマスクとして不純物を高濃度に打ち込んで高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成する自己整合型であってもよい。
【００６７】
ＴＦＴ３０のゲート電極３ａは、その一部分３ｂにおいて、下地絶縁膜１２に形成されたコンタクトホール１２ｃｖを介して走査線１１ａに電気的に接続されている。下地絶縁膜１２は、例えばシリコン酸化膜等からなり、第１層と第２層の層間絶縁機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることで、基板表面の研磨による荒れや汚れ等が惹き起こすＴＦＴ３０の素子特性の変化を防止する機能を有している。尚、本実施形態に係るＴＦＴ３０は、トップゲート型であるが、ボトムゲート型であってもかまわない。
【００６８】
（第３層の構成―データ線等―）
第３層は、データ線６ａ及び中継層６００で構成されている。
【００６９】
データ線６ａは、下から順にアルミニウム、窒化チタン、窒化シリコンの３層膜として形成されている。データ線６ａは、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´を部分的に覆うように形成されている。このため、チャネル領域１ａ´に近接配置可能なデータ線６ａによって、上層側からの入射光に対して、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´を遮光できる。また、データ線６ａは、第１層間絶縁膜４１を貫通するコンタクトホール８１を介して、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄと電気的に接続されている。
【００７０】
中継層６００は、データ線６ａと同一膜として形成されている。中継層６００とデータ線６ａとは、図４に示したように、夫々が分断されるように形成されている。また、中継層６００は、第１層間絶縁膜４１を貫通するコンタクトホール８３を介して、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと電気的に接続されている。
【００７１】
第１層間絶縁膜４１は、例えばＮＳＧ（ノンシリケートガラス）によって形成されている。その他、第１層間絶縁膜４１には、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等を用いることができる。
【００７２】
（第４層の構成―保持容量等―）
第４層は、保持容量７０で構成されている。保持容量７０は、容量電極３００と下部電極７１とが誘電体膜７５を介して対向配置された構成となっている。容量電極３００及び下部電極７１が、本発明の第１の発明に係る「一対の電極」の一例である。容量電極３００の延在部は、第２層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール８４を介して、中継層６００と電気的に接続されている。
【００７３】
容量電極３００及び下部電極７１は、例えば、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の金属のうちの少なくとも一つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライドこれらを積層したものからなる。このため、データ線６ａ上に層間絶縁膜４２を介して近接配置可能な保持容量７０によって、上層側からの入射光に対してＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´を、より一層確実に遮光できる。
【００７４】
加えて、図５に示すように、容量電極３００は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、下部電極７１よりも小さい領域に形成されている。即ち、下部電極７１の縁付近において、誘電体膜７５を介して対向する側に容量電極３００が形成されていないので、縁付近における製造不良でショートが生じる可能性や、電界集中により欠陥が生じる可能性を低減できる。
【００７５】
図５に示すように、誘電体膜７５は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て画素毎の開口領域の間隙に位置する非開口領域に形成されている。即ち、誘電体膜７５は、開口領域に殆ど形成されていない。よって、誘電体膜７５が、仮に不透明な膜であっても、開口領域における透過率を低下させないで済む。従って、誘電体膜７５は、透過率を考慮せず、誘電率が高いシリコン窒化膜等から形成されている。このため更に、誘電体膜７５は、水分や湿気を防ぐための膜としても機能させることが可能となり、耐水性、耐湿性を高めることも可能となる。尚、誘電体膜としては、シリコン窒化膜の他、例えば、酸化ハフニュウム（ＨｆＯ2）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）等の単層膜又は多層膜を用いてもよい。
【００７６】
（第５層の構成―画素電極等―）
第４層の全面には第３層間絶縁膜４３が形成され、更にその上に、第５層として画素電極９ａが形成されている。第３層間絶縁膜４３は、例えばＮＳＧによって形成されている。その他、第３層間絶縁膜４３には、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等を用いることができる。第３層間絶縁膜４３の表面は、第２層間絶縁膜４２と同様にＣＭＰ等の平坦化処理がなされている。
【００７７】
画素電極９ａ（図５中、破線９ａ´で輪郭が示されている）は、縦横に区画配列された画素領域の各々に配置され、その境界にデータ線６ａ及び走査線１１ａが格子状に配列するように形成されている（図４及び図５参照）。また、画素電極９ａは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電性膜からなる。
【００７８】
画素電極９ａは、層間絶縁膜４３を貫通するコンタクトホール８５を介して、容量電極３００の延在部と電気的に接続されている（図７参照）。よって、画素電極９ａの直下の導電膜である容量電極３００の電位は、画素電位となっている。従って、液晶装置の動作時に、画素電極９ａとその下層の導電膜との間の寄生容量により、画素電位が悪影響を受けることはない。
【００７９】
更に上述したように、容量電極３００の延在部及び中継層６００と、中継層６００及びＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとは、夫々コンタクトホール８４及び８３を介して、電気的に接続されている。即ち、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとは、中継層６００及び容量電極３００の延在部を中継して中継接続されている。従って、画素電極及びドレイン間の層間距離が長くて一つのコンタクトホールで両者間を接続するのが困難となる事態を回避できる。しかも、積層構造及び製造工程の複雑化を招かない。画素電極９ａの上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。以上が、ＴＦＴアレイ基板１０側の画素部の構成である。
【００８０】
他方、対向基板２０には、その対向面の全面に対向電極２１が設けられており、更にその上（図７では対向電極２１の下側）に配向膜２２が設けられている。対向電極２１は、画素電極９ａと同様、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。尚、対向基板２０と対向電極２１の間には、ＴＦＴ３０における光リーク電流の発生等を防止するため、少なくともＴＦＴ３０と正対する領域を覆うように遮光膜２３が設けられている。
【００８１】
このように構成されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０の間には、液晶層５０が設けられている。液晶層５０は、基板１０及び２０の周縁部をシール材により封止して形成した空間に液晶を封入して形成される。液晶層５０は、画素電極９ａと対向電極２１との間に電界が印加されていない状態において、ラビング処理等の配向処理が施された配向膜１６及び配向膜２２によって、所定の配向状態をとるようになっている。
【００８２】
以上に説明した画素部の構成は、図４及び図５に示すように、各画素部に共通である。前述の画像表示領域１０ａ（図１参照）には、かかる画素部が周期的に形成されていることになる。他方、このような液晶装置１では、画像表示領域１０ａの周囲に位置する周辺領域に、図１及び図２を参照して説明したように、走査線駆動回路１０４及びデータ線駆動回路１０１等の駆動回路が形成されている。
【００８３】
このような画素部７２を有する液晶装置１において、容量電極３００、下部電極７１及びデータ線６ａが、本発明の第１の発明に係る「複数の金属膜」の一例である。容量電極３００、下部電極７１及びデータ線６ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上において互いに異なる層に形成されており、容量電極３００、下部電極７１及びデータ線６ａのうち最上層に形成された容量電極３００が、本発明の第１の発明に係る「一の金属膜」の一例である。本実施形態では、容量電極３００が、本発明の第１の発明に係る「遮光性導電膜」の一例として選択されている。
【００８４】
図１乃至図２に示した遮光膜５４は、ＴＦＴアレイ基板１０上において、容量電極３００と同層に同一膜として形成されている。したがって、遮光膜５４によれば、画像表示領域１０ａの周辺に延びる周辺領域において、下部電極７１及びデータ線６ａの夫々と同層に同一膜として形成された金属膜で構成された配線或いは当該金属膜を含む各種素子に照射される光を遮ることが可能である。したがって、遮光膜５４は、これら配線或いは各種素子のパターンの像が映写幕に投影されることを低減できる。
【００８５】
遮光膜５４は、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成された複数の金属膜のうち最上層に形成された容量電極３００と同層に形成されていなくてもよく、例えば、画像表示領域１０ａの周辺に延びる周辺領域において、下部電極７１或いはデータ線６ａと同層に同一膜として形成されていてもよいし、図３に示した容量配線４００と同層に形成された同一膜であってもよい。遮光膜５４が、複数の金属膜のうち最上層に形成された金属膜より下層側に形成された金属膜と同層に形成された膜であっても、周辺領域に設けられた配線或いは各種素子等のパターンの像が映写幕に投影されることを低減する効果は相応に得られる。
【００８６】
加えて、遮光膜５４は、不図示の配線を介して上下導通端子１０６に電気的に接続されているため、固定電位を供給する電源に電気的に接続された外部接続端子１０２を介して固定電位が供給されている。したがって、遮光膜５４が下部電極７１と同層に形成されている場合、下部電極７１及び遮光膜５４を電気的に接続しておくことにより、固定電位を供給する配線として遮光膜５４を共用し、下部電極７１に固定電位を供給することも可能である。
【００８７】
液晶装置１は、ＴＦＴアレイ基板１０上において、下部電極７１及びデータ線６ａと同層に同一膜として形成された金属膜を画像表示領域１０ａの周辺に延びる周辺領域に有している。このような金属膜は、図１及び図２に示した本発明の第１の発明に係る「周辺回路部」の夫々一例であるデータ線駆動回路１０１或いはサンプリング回路７の構成要素として、データ線駆動回路１０１或いはサンプリング回路７に含まれている。
【００８８】
したがって、液晶装置１によれば、下部電極７１或いはデータ線６ａのように、遮光膜５４と同層に形成されていない金属膜と同層に形成された金属膜を利用して周辺領域に配線或いは各種素子、又は端子等を形成することができ、液晶装置１の表示品位の向上を可能としつつ、同一工程によって画素部及び周辺回路部を形成できる。このような液晶装置１によれば、製造工程を簡便化することによって、表示品位を向上させつつ、液晶装置１の製造コストを低減できる。加えて、図２に示した防塵用基板１２０ａに遮光膜を形成しなくても、上述した周辺領域においてＴＦＴアレイ基板１０を遮光できる。したがって、防塵用基板１２０ａに遮光膜を形成する工程をなくすことができ、液晶装置１の製造に要する製造コストを低減できる。
【００８９】
また、遮光膜５４によれば、データ線駆動回路１０１或いはサンプリング回路７に含まれるＴＦＴ等のトランジスタに光が照射されることを低減でき、当該トランジスタに生じる光リーク電流を低減することも可能である。
【００９０】
以上説明したように、本実施形態に係る電気光学装置によれば、電気光学装置の表示品位を高めることができると共に、当該電気光学装置の製造に要するコストを低減することが可能である。
【００９１】
（変形例１）
次に、図８及び図９を参照しながら、本実施形態に係る電気光学装置の一変形例を説明する。尚、以下で説明する各変形例及び実施形態に係る液晶装置では、液晶装置１と共通する部分に共通の参照符号を付し、詳細な説明を省略する。図８は、本例に係る液晶装置１Ａの構成を示す平面図であり、図９は、図８のＩＸ−ＩＸ´線断面図である。
【００９２】
図８において、本例に係る液晶装置１Ａは、画像表示領域１０ａを規定する額縁領域に形成された遮光膜５４ａを備えており、遮光膜５４ａの外側に配置されたシール材５２によってＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０が相互に接着されている。遮光膜５４ａは、上述した遮光膜５４と同様に、容量電極３００、下部電極７１或いはデータ線６ａの何れか一つの金属膜と同層に同一膜として形成されている。画像表示領域１０ａの周辺領域に形成されたデータ線駆動回路１０１等の映写幕への写り込みをより効果的に低減するためには、遮光膜５４ａは容量電極３００と同層に同一膜として形成されているほうが好ましい。
【００９３】
また、図８に示すように、遮光膜５４ａは、走査線駆動回路１０４、データ線駆動回路１０１及びサンプリング回路７を覆うように形成されているため、これら各回路のパターンの像が映写幕に写り込むことを低減できる。
【００９４】
図８及び図９に示すように、遮光膜５４ａは、シール材５２に重ならないように形成されている。したがって、シール材５２として紫外線硬化樹脂を用いた場合、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０を相互に重ね合わせた状態でシール材５２に照射された紫外線が遮光膜５４ａによって遮られることがなく、ＴＦＴアレイ基板１０に遮光膜５４ａが形成された状態で、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０相互を接着することが可能である。加えて、遮光膜５４ａによって画像表示領域１０ａを規定できるため、別途額縁遮光膜を設ける必要がなく、電気光学装置の製造コストを低減できる。
【００９５】
（変形例２）
次に、図１０及び図１１を参照しながら、本実施形態に係る電気光学装置の他の変形例を説明する。図１０は、本例に係る液晶装置１Ｂの構成を示す平面図であり、図１１は、図１０のＸＩ−ＸＩ´線断面図である。
【００９６】
図１０及び図１１に示すように、本例に係る液晶装置１Ｂは、画像表示領域１０ａの周辺に延びる周辺領域において、対向基板２０に遮光膜が形成されておらず、ＴＦＴアレイ基板１０側でシール材５２に重なる遮光膜５４ｂを有している点に特徴を有している。
【００９７】
図１０及び図１１において、遮光膜５４ｂは、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０が相互に重なる領域のうち画素電極９ａが配列された画像表示量領域１０ａの外側全体に延在されており、且つシール材５２の下側に延在されている。遮光膜５４ｂは、ＴＦＴアレイ基板１０に形成されたデータ線駆動回路１０１、サンプリング回路７、走査線駆動回路１０４、及び引回配線９０を覆っている。したがって、液晶装置１Ｂによれば、画像表示領域１０ａの周辺領域において、外部回路接続端子１０２を除いたデータ線駆動回路１０１等の回路部及び引回配線９０全体が遮光膜５４ｂによって覆われているため、周辺領域において対向基板２０側に遮光膜を設けなくても、ＴＦＴアレイ基板１０に入射する光を低減でき、データ線駆動回路１０１等が映写幕に写り込むことを低減することが可能である。さらに、本変形例によれば、図１における対向電極電位線９９を遮光膜５４ａが兼ねており、配線数を削減することが可能である。
【００９８】
＜第２実施形態＞
次に、図１２乃至図１５を参照しながら、本発明の第２の発明に係る電気光学装置の実施形態を説明する。尚、本実施形態に係る電気光学装置は、画素部の構成が第１実施形態に係る電気光学装置と異なるため、特に、当該画素部の構成を詳細に説明する。図１２は、本実施形態に係る電気光学装置の一例である液晶装置１Ｃの平面図である。図１３及び図１４は、本実施形態に係る電気光学装置の具体的な構成を表す部分平面図である。図１５は、図１３及び図１４のＸＶ−ＸＶ´線断面図である。
【００９９】
＜２−１：電気光学装置の全体構成＞
図１２において、液晶装置１Ｃは、図１に示した遮光膜５４と同様に画像表示領域１０ａの周辺に延びる周辺領域に重なる遮光膜５４ｃを備えている。遮光膜５４ｃは、後述するように、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成された容量配線４００と同層に同一膜として形成された遮光性導電膜であり、画像表示領域１０ａから周辺領域に渡って延在されている。したがって、遮光膜５４ｃによれば、第１実施形態で説明した遮光膜５４、５４ａ及び５４ｂと同様に、画像表示領域１０ａの周辺領域においてＴＦＴアレイ基板１０に入射する光を遮光でき、当該周辺領域に形成された配線及び各種素子、並びに回路部をパターンの像が映写幕に写り込むことを低減できる。
【０１００】
＜２−２：画素部の具体的な構成＞
図１３乃至図１５において、画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成されている。本実施形態に係る電気光学装置が備える回路要素は画素電極９ａを駆動するために設けられ、ここでは、ＴＦＴアレイ基板１０の直上から画素電極９ａの直下までの範囲内に積層された、走査線１１ａから第４層間絶縁膜４４までを指している（図１５参照）。画素電極９ａ（図中、破線９ａ´で輪郭が示されている）は縦横に区画配列された画素領域の各々に配置され、その境界にデータ線６ａ及び走査線１１ａが格子状に配列するように形成されている（図１３及び図１４参照）。
【０１０１】
各回路要素を構成するパターニングされた導電膜は、下から順に走査線１１ａを含む第１層、ゲート電極３ａを含む第２層、保持容量７０の固定電位側容量電極を含む第３層、データ線６ａ等を含む第４層、本発明の「遮光性導電膜」の一例である容量配線４００等を含む第５層からなる。また、第１層−第２層間には下地絶縁膜１２、第２層−第３層間には第１層間絶縁膜４１、第３層−第４層間には第２層間絶縁膜４２、第４層−第５層間には第３層間絶縁膜４３、第５層と画素電極９ａの間には第４層間絶縁膜４４が夫々設けられ、前述の各要素間が短絡することを防止している。尚、このうち、第１層から第３層が下層部分として図１３に示され、第４層、第５層及び画素電極９ａが上層部分として図１４に示されている。
【０１０２】
（第１層の構成−走査線等−）
第１層は、走査線１１ａで構成される。走査線１１ａは、図１３のＸ方向に沿って延びる本線部と、データ線６ａ或いは容量配線４００が延在する図１３のＹ方向に延びる突出部とからなる形状にパターニングされている。このような走査線１１ａは、例えば導電性ポリシリコンからなり、その他にもＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド又はこれらの積層体等により形成することができる。
【０１０３】
（第２層の構成−ＴＦＴ等−）
第２層は、ＴＦＴ３０及び中継電極７１９で構成されている。ＴＦＴ３０は、例えばＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造とされ、ゲート電極３ａ、半導体層１ａ、ゲート電極３ａと半導体層１ａを絶縁するゲート絶縁膜を含んだ絶縁膜２を備えている。ゲート電極３ａは、例えば導電性ポリシリコンで形成される。半導体層１ａは、チャネル領域１ａ´、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅからなる。尚、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有することが好ましいが、低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃに不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよいし、ゲート電極３ａをマスクとして不純物を高濃度に打ち込んで高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成する自己整合型であってもよい。また、中継電極７１９は、例えばゲート電極３ａと同一膜として形成される。
【０１０４】
ＴＦＴ３０のゲート電極３ａは、下地絶縁膜１２に形成されたコンタクトホール１２ｃｖを介して走査線１１ａに電気的に接続されている。下地絶縁膜１２は、例えばシリコン酸化膜等からなり、第１層と第２層の層間絶縁機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることで、基板表面の研磨による荒れや汚れ等が惹き起こすＴＦＴ３０の素子特性の変化を防止する機能を有している。
【０１０５】
（第３層の構成−保持容量等−）
第３層は、保持容量７０で構成されている。保持容量７０は、容量電極３００と下部電極７１とが誘電体層７５を介して対向配置された構成となっている。このうち、容量電極３００は、容量配線４００に電気的に接続されている。下部電極７１は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａの夫々に電気的に接続されている。
【０１０６】
下部電極７１と高濃度ドレイン領域１ｅとは、第１層間絶縁膜４１に開孔されたコンタクトホール８３を介して接続されている。また、下部電極７１と画素電極９ａとは、コンタクトホール８８１、８８２、８０４、及び中継電極７１９、第２中継電極６ａ２、第３中継電極４０２により各層を中継し、コンタクトホール８９において電気的に接続されている。
【０１０７】
このような下部電極７１には、例えば導電性のポリシリコンが用いられ、誘電体層には酸化シリコンが用いられる。容量電極３００は、例えばアルミニウム等の金属膜を含む単層構造或いは多層構造を有している。尚、容量電極３００は、金属膜に窒化チタンを積層した二層構造となっていてもよい。また、容量電極３００は、導電性ポリシリコンで構成されていてもよい。
【０１０８】
第１層間絶縁膜４１は、例えば、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）によって形成されている。その他、第１層間絶縁膜４１には、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等を用いることができる。
【０１０９】
尚、この場合の保持容量７０は、図１３の平面図からわかるように、画素電極９ａの形成領域にほぼ対応する画素領域に至らないように（遮光領域内に収まるように）形成されているので、画素の開口率が比較的大きく維持されている。
【０１１０】
（第４層の構成−データ線等−）
第４層は、データ線６ａで構成されている。データ線６ａは、アルミニウム等の金属膜を含む単層構造、或いは多層構造を有している。また、データ線６ａは、下から順にアルミニウム、窒化チタン、窒化シリコンの三層膜として形成されていてもよい。窒化シリコン層は、その下層のアルミニウム層と窒化チタン層を覆うように少し大きなサイズにパターニングされている。第４層には、データ線６ａと同一膜として、容量配線用中継層６ａ１及び第２中継電極６ａ２が形成されている。これらは、図１４に示したように、夫々が分断されるように形成されている。データ線６ａ、容量電極３００、及び後述する容量配線４００が、本発明の第１の発明に係る「複数の金属膜」の一例を構成している。
【０１１１】
データ線６ａは、第１層間絶縁膜４１及び第２層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール８１を介して、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄと電気的に接続されている。
【０１１２】
容量配線用中継層６ａ１は、第２層間絶縁膜４２に開孔されたコンタクトホール８０１を介して容量電極３００と電気的に接続され、容量電極３００と容量配線４００との間を中継している。容量配線用中継層６ａ２は、前述したように、第１層間絶縁膜４１及び第２層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール８８２を介して中継電極７１９に電気的に接続されている。このような層間絶縁膜４２は、例えばＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等によって形成することができる。
【０１１３】
（第５層の構成−容量配線等−）
第５層は、本発明の第１の発明に係る「遮光性導電膜」の一例として選択された容量配線４００及び第３中継電極４０２により構成されている。容量配線４００は、データ線６ａ、容量電極３００、及び容量配線４００のうちＴＦＴアレイ基板１０上において最上層に形成された導電膜である。容量配線４００は、ＴＦＴアレイ基板１０上において画像表示領域１０ａから画像表示領域１０ａの周辺領域まで延設され、定電位源と電気的に接続されることで、固定電位とされている。容量配線４００は、図１４に示すように、Ｘ方向、Ｙ方向に延在する格子状に形成され、Ｘ方向に延在する部分には、第３中継電極４０２の形成領域を確保するために切り欠きが設けられている。容量配線４００は、その下層のデータ線６ａ、走査線１１ａ、ＴＦＴ３０等を覆うように、これら回路要素の構造よりも幅広に形成されている。これにより、各回路要素は遮光され、入射光を反射させて投射画像における画素の輪郭がぼやける等の悪影響が防止されている。
【０１１４】
更に、容量配線４００のＸ方向延在部分とＹ方向延在部分とが丁度交差する角部は、略三角形の庇部がわずかに突き出すような形状となっている。この庇部により、ＴＦＴ３０の半導体層１ａに対する光の遮蔽を効果的に行うことができる。即ち、半導体層１ａに対して斜め上方から進入する光を、庇部が反射又は吸収することにより、ＴＦＴ３０における光リーク電流の発生を抑制し、フリッカ等のない高品質な画像を表示することが可能となる。
【０１１５】
容量配線４００は、第３層間絶縁膜４３に開孔されたコンタクトホール８０３を介して、容量配線用中継層６ａ１と電気的に接続されている。第４層には、容量配線４００と同一膜として、第３中継電極４０２が形成されている。第３中継電極４０２は、前述のように、コンタクトホール８０４及びコンタクトホール８９を介して、第２中継電極６ａ２−画素電極９ａ間を中継している。尚、これら容量配線４００及び第３中継電極４０２は、例えばアルミニウム、窒化チタンを積層した二層構造となっている。
【０１１６】
第４層の上には、全面に第４層間絶縁膜４４が形成されている。第４層間絶縁膜４４には、画素電極９ａ及び第３中継電極４０２間を電気的に接続するためのコンタクトホール８９が開孔されている。コンタクトホール８９は、画素電極９ａと、画素電極９ａの下層側に形成された第３中継電極４０２とを電気的に接続している。
【０１１７】
以上のように画素部が構成された液晶装置１Ｃでは、遮光膜５４ｃが、画像表示領域１０ａの周辺領域においてＴＦＴアレイ基板１０に入射する光を遮光する。したがって、データ線駆動回路１０１のパターンの像が映写幕に投影されることを低減できる。
【０１１８】
第１実施形態における変形例１及び２で説明した遮光膜５４ａ及び５４ｂと同様のレイアウトパターンで遮光膜５４ｃを形成しておくことによって、サンプリング回路７及び走査線駆動回路１０４に照射される光も遮光でき、これら回路部のパターンの像が映写幕に投影されることを低減できる。尚、遮光膜５４ｃは、当該遮光膜５４ｃによって反射された反射光を低減するために、反射防止膜を有しているほうが好ましい。また、同様の理由により、遮光膜５４ｃのＯＤ値は４以上であるほうが好ましい。
【０１１９】
液晶装置１Ｃによれば、ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａの周辺領域において、容量配線４００の下層側に形成されたゲート電極３ａ、或いは下部電極７１等の半導体層と同層に形成された半導体層をデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、或いはサンプリング回路７等の周辺回路部の一部として共用することが可能である。したがって、画素部を構成する工程と、データ線駆動回路１０１等の周辺回路部を形成する工程とを共用でき、液晶装置１Ｃを製造する工程を簡便化できる。
【０１２０】
＜第３実施形態＞
次に、図１６を参照しながら、本発明の第２の発明に係る電気光学装置の一例である液晶装置１Ｄを説明する。図１６は、本実施形態に係る液晶装置１Ｄの構成を示す平面図である。
【０１２１】
図１６において、液晶装置１Ｄは、図１０に示した液晶装置１Ｂと比べて上下導通端子１０６が設けられておらず、対向電極電位を供給する外部回路接続端子１０２に電気的に接続された遮光膜５４ｄが上下導通端子並びに共通電極電位線を兼ねている点に特徴を有している。
【０１２２】
遮光膜５４ｄは、第１実施形態における容量電極３００と同層に形成されており、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０が相互に接着された状態で、対向基板２０側に形成された対向電極と接触し、当該対向電極と電気的に接続されている。したがって、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０が遮光膜５４ｄを介して電気的に接続されており、遮光膜５４ｄがＴＦＴアレイ基板１０における対向電極電位線として共用されている。
【０１２３】
液晶装置１Ｄによれば、画像表示領域１０ａの周辺領域からＴＦＴアレイ基板１０の回路部に対して光が入射することが低減できると共に、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成される配線数も低減できる。加えて、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０を電気的に接続する上下導通端子が不要となるため、当該上下導通端子を形成する工程をなくすことができ、液晶装置１Ｄの製造プロセスを簡略化できる。加えて、第１実施形態に係る液晶装置と同様に画像表示領域１０ａの周辺領域からＴＦＴアレイ基板１０に入射する光を遮光でき、ＴＦＴアレイ基板１０における周辺領域に形成された回路部等が映写幕に投影されることを低減できる。
【０１２４】
（電子機器）
次に、上述した液晶装置を各種電子機器に適用する場合について説明する。
【０１２５】
まず、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。図１７は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。図１７に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇに入射される。
【０１２６】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等の構成を有しており、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、ＲおよびＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【０１２７】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【０１２８】
なお、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【０１２９】
このようなプロジェクタ１１００によれば、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇに形成されたデータ線駆動回路等のパターンの像が映写幕に写り込むことが低減されているため、高品位の画像表示が可能である。
【符号の説明】
【０１３０】
１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ・・・液晶装置、１０・・・ＴＦＴアレイ基板、２０・・・対向基板、７２・・・画素部、５３・・・額縁遮光膜、５４、５４ａ、５４ｂ、５４ｃ、５４ｄ・・・遮光膜。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子基板上の表示領域を構成する複数の画素部と、
前記素子基板上において、前記画素部の一部及び前記素子基板上に形成された配線のうち少なくとも一つを構成する遮光性導電膜と同層に形成されており、前記表示領域の外側に位置する周辺領域に重なる遮光膜と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記素子基板に対向配置された対向基板と、
前記対向基板に設けられており、前記画素部が有する画素電極と対向配置された対向電極とを備え、
前記遮光膜の電位は、前記対向電極の電位と同電位であること
を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記遮光膜は、前記対向電極に電気的に接続されていること
を特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記素子基板上において前記周辺領域のうち前記遮光膜が形成された領域より外側に形成されており、前記遮光膜と電気的に接続された入力端子を備え、
前記遮光膜は、前記遮光性導電膜と電気的に接続されていること
を特徴とする請求項１から３の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記遮光膜は、前記周辺領域のうち前記表示領域を規定する額縁領域において、前記表示領域を囲うように形成されていること
を特徴とする請求項１から４の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記対向基板に設けられており、且つ前記表示領域を規定する額縁遮光膜とを備え、
前記遮光膜は、前記周辺領域のうち前記額縁遮光膜が形成された額縁領域の外側に形成されていること
を特徴とする請求項１から４の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記画素の一部は、前記画素部に供給された画像信号を保持する保持容量が有する一対の電極のうち一方の電極であること
を特徴とする請求項１から６の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記配線は、前記画素部に供給された画像信号を保持する保持容量が有する一対の電極のうち一方の電極に電気的に接続された容量配線、又は前記画像信号を供給するデータ線であること
を特徴とする請求項１から６の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記遮光性導電膜は、前記素子基板上で互いに異なる層に形成された複数の金属膜のうち最上層に形成された一の金属膜であり、
前記遮光膜は、前記一の金属膜と同一膜であること
を特徴とする請求項１から８の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記周辺領域において、前記複数の金属膜のうち前記一の金属膜の下層側に形成された他の金属膜と同層に形成された金属膜を含む周辺回路部を備えたこと
を特徴とする請求項９に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
前記周辺領域において、前記一の金属膜の下層側に形成された半導体膜と同層に形成された半導体膜を含む周辺回路部を備えたこと
を特徴とする請求項８の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
素子基板上の表示領域を構成する複数の画素部と、
前記素子基板上において、前記表示領域の外枠を規定する額縁遮光膜であるとともに、所定の電位が供給される配線でもある遮光膜と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１３】
前記遮光膜は、光反射防止膜を含んでいること
を特徴とする請求項１から１２の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１４】
前記遮光膜のＯＤ値は、４以上であること
を特徴とする請求項１から１２の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１５】
請求項１から１４の何れか一項に記載の電気光学装置を具備してなること
を特徴とする電子機器。
【請求項１】
素子基板上の表示領域を構成する複数の画素部と、
前記素子基板上において、前記画素部の一部及び前記素子基板上に形成された配線のうち少なくとも一つを構成する遮光性導電膜と同層に形成されており、前記表示領域の外側に位置する周辺領域に重なる遮光膜と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記素子基板に対向配置された対向基板と、
前記対向基板に設けられており、前記画素部が有する画素電極と対向配置された対向電極とを備え、
前記遮光膜の電位は、前記対向電極の電位と同電位であること
を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記遮光膜は、前記対向電極に電気的に接続されていること
を特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記素子基板上において前記周辺領域のうち前記遮光膜が形成された領域より外側に形成されており、前記遮光膜と電気的に接続された入力端子を備え、
前記遮光膜は、前記遮光性導電膜と電気的に接続されていること
を特徴とする請求項１から３の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記遮光膜は、前記周辺領域のうち前記表示領域を規定する額縁領域において、前記表示領域を囲うように形成されていること
を特徴とする請求項１から４の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記対向基板に設けられており、且つ前記表示領域を規定する額縁遮光膜とを備え、
前記遮光膜は、前記周辺領域のうち前記額縁遮光膜が形成された額縁領域の外側に形成されていること
を特徴とする請求項１から４の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記画素の一部は、前記画素部に供給された画像信号を保持する保持容量が有する一対の電極のうち一方の電極であること
を特徴とする請求項１から６の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記配線は、前記画素部に供給された画像信号を保持する保持容量が有する一対の電極のうち一方の電極に電気的に接続された容量配線、又は前記画像信号を供給するデータ線であること
を特徴とする請求項１から６の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記遮光性導電膜は、前記素子基板上で互いに異なる層に形成された複数の金属膜のうち最上層に形成された一の金属膜であり、
前記遮光膜は、前記一の金属膜と同一膜であること
を特徴とする請求項１から８の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記周辺領域において、前記複数の金属膜のうち前記一の金属膜の下層側に形成された他の金属膜と同層に形成された金属膜を含む周辺回路部を備えたこと
を特徴とする請求項９に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
前記周辺領域において、前記一の金属膜の下層側に形成された半導体膜と同層に形成された半導体膜を含む周辺回路部を備えたこと
を特徴とする請求項８の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
素子基板上の表示領域を構成する複数の画素部と、
前記素子基板上において、前記表示領域の外枠を規定する額縁遮光膜であるとともに、所定の電位が供給される配線でもある遮光膜と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１３】
前記遮光膜は、光反射防止膜を含んでいること
を特徴とする請求項１から１２の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１４】
前記遮光膜のＯＤ値は、４以上であること
を特徴とする請求項１から１２の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１５】
請求項１から１４の何れか一項に記載の電気光学装置を具備してなること
を特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【公開番号】特開２０１２−１２８４４３（Ｐ２０１２−１２８４４３Ａ）
【公開日】平成２４年７月５日（２０１２．７．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−２３８７６（Ｐ２０１２−２３８７６）
【出願日】平成２４年２月７日（２０１２．２．７）
【分割の表示】特願２００６−１７３９１６（Ｐ２００６−１７３９１６）の分割
【原出願日】平成１８年６月２３日（２００６．６．２３）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年７月５日（２０１２．７．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年２月７日（２０１２．２．７）
【分割の表示】特願２００６−１７３９１６（Ｐ２００６−１７３９１６）の分割
【原出願日】平成１８年６月２３日（２００６．６．２３）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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