【課題】赤色発光層を構成するＥＬ材料の発光輝度が青色発光層を構成するＥＬ材料及び緑色発光層を構成するＥＬ材料の発光輝度よりも低いＥＬ表示装置において、色バランスの良いＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】ＴＦＴと、ＴＦＴに電気的に接続された画素電極と、画素電極を陰極または陽極とするＥＬ素子と、ＥＬ素子を封入する絶縁層と、ＥＬ素子にビデオ信号を印加する手段と、ビデオ信号をガンマ補正する手段と、を同一基板上に有し、ＥＬ素子は、青色発光層を有する第１の画素と、緑色発光層を有する第２の画素と、赤色発光層を有する第３の画素と、を有し、赤色発光層を構成するＥＬ材料の発光輝度は、青色発光層を構成するＥＬ材料及び緑色発光層を構成するＥＬ材料の発光輝度よりも低く、ガンマ補正によって、赤色の信号を増幅させ、青色または緑色の信号を減衰させるＥＬ表示装置である。 （もっと読む）

【課題】画像表示領域の端部と素子基板の端部との間で光硬化性のシール材に沿って配線を延在させた場合でも、シール材を確実に光硬化させることができるとともに、画像表示領域の外側でシール材および配線が占有する領域の幅寸法を縮小することのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００では、素子基板１０の辺１０ｆと画像表示領域１０ａの端部とによって挟まれた領域に設けられた第１配線１１および第２配線１６のうち、配線幅寸法が広い第２配線１６は、シール材８０の内縁８１と画像表示領域１０ａの端部との間に設けられている。また、配線幅寸法が狭い第１配線１１は、シール材８０と重なる領域に設けられているが、シール材８０と重なる領域における第１配線１１の配線密度は、４０％から６０％である。 （もっと読む）

【課題】ＥＬ表示パネルは自己発光による光により、また、カソード電極を光透過電極とすることにより、画素トランジスタが内外光を受けて特性等が変化し、良好な画像表示を実現できない。
【解決手段】トランジスタ１１ａとトランジスタ１１ｂを同一極性のトランジスタとし、トランジスタ１１ｂをマルチゲートとする。画素に映像信号を書き込むときは、トランジスタ１１ｂをオンさせて、トランジスタ１１ｄをオフさせてコンデンサ１９に安定に信号を書込み、ＥＬ素子１５を発光させる時は、トランジスタ１１ｂをオフし、トランジスタ１１ｄをオンさせて安定にＥＬ素子１５に電流が流れるように制御する。 （もっと読む）

【課題】改善された有機発光ダイオード表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に定義され、映像を表示する表示領域と、表示領域を囲むように定義され、表示領域に含まれたピクセルに信号を提供する非表示領域と、基板の非表示領域に形成された第１薄膜トランジスタと、基板の表示領域に形成された第２薄膜トランジスタと、第１および第２薄膜トランジスタの上部に形成された平坦化膜１４０と、非表示領域内の平坦化膜上に形成され、少なくとも１つの第１開口を含む第１電極１７５と、平坦化膜上に形成され、第２薄膜トランジスタの電極に連結される第２電極１４５と、第２電極と第１電極の上に形成され、第２電極の一部を露出させるように構成され、第１電極に隣接するように配置されたバンクパターン１５０と、第２電極上に形成された有機発光層１５５と、有機発光層上に形成された第３電極１６０とを含む。 （もっと読む）

【課題】液晶の配向不良を抑制するために画素電極を平坦化し、開口率を下げずに十分な
容量を得られる容量素子を有する半導体装置を実現することを課題とする。
【解決手段】薄膜トランジスタ上の遮光膜、前記遮光膜上の容量絶縁膜、前記容量絶縁膜
上に導電層、前記導電層と電気的に接続するように画素電極を有する半導体装置であり、
前記遮光膜、前記容量絶縁膜および前記導電層から保持容量素子を形成することにより、
容量素子として機能する領域の面積を増やすことができる。 （もっと読む）

【課題】ＥＬ素子の色のバランスが良く、なおかつ発光輝度のバランスが良い、色鮮やか
な画像を表示することが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】ＥＬ素子に流す電流を大きくしたい画素ほど、該画素のＥＬ素子に電圧また
は電流を供給する引き回し配線の幅を大きくした。これによって、ＥＬ素子に流す電流を
大きくしたい画素ほど、該画素のＥＬ素子に電圧または電流を供給する引き回し配線の配
線抵抗が小さくなる。配線抵抗が小さくなると、引き回し配線における電位降下が小さく
なり、ＥＬ素子に流す電流を大きくすることが可能になる。なお実際のパネルでは、引き
回し配線を配置するスペースは限られているので、各色における引き回し配線の幅の比を
変えることで、各色のＥＬ素子に流れる電流の大きさのバランスを取ることが可能である
。 （もっと読む）

【課題】テーパー形状のＡｌ配線膜を容易かつ安定的に得る。
【解決手段】Ａｌ配線膜１０１は、ＡｌもしくはＡｌ合金から成る第１のＡｌ合金層１０１ａと、その上に配設され、Ｎｉ、ＰｄおよびＰｔのいずれか１以上の元素を含み第１のＡｌ合金層１０１ａとは異なる組成のＡｌ合金から成る第２のＡｌ合金層１０１ｂとから成る二層構造を有する。フォトレジスト１０２の現像処理に用いるアルカリ性薬液により、第２のＡｌ合金層１０１ｂはエッチングされ、その端部はフォトレジスト１０２の端部よりも後退する。その後、フォトレジスト１０２をマスクとするウェットエッチングを行うことにより、Ａｌ配線膜１０１の断面はテーパー形状となる。 （もっと読む）

【課題】３次元表示を行う表示装置におけるクロストークを抑制する。
【解決手段】３次元表示を行うに際して複数の画素の一部のそれぞれが所望の色表示を行い、残部の全てが黒表示を行う。よって、複数の画素の全部のそれぞれが所望の色表示を行う場合と比較して、クロストークの発生を抑制することが可能である。また、表示状態に応じて所望の色表示が行われる複数の画素を変更する。よって、３次元表示を行う際に所望の色表示を行う複数の画素が固定されている場合と比較して、画素における表示の変化が顕在化するまでの期間を長期化（長寿命化）すること及び複数の画素間における表示のバラツキを低減することが可能である。 （もっと読む）

【課題】可撓性を有する基板上に有機化合物を含む層を有する素子が設けられた半導体装
置を歩留まり高く作製することを課題とする。
【解決手段】基板上に剥離層を形成し、剥離層上に、無機化合物層、第１の導電層、及び
有機化合物を含む層を形成し、有機化合物を含む層及び無機化合物層に接する第２の導電
層を形成して素子形成層を形成し、第２の導電層上に第１の可撓性を有する基板を貼りあ
わせた後、剥離層と素子形成層とを剥す半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】ブラックマトリックス層の幅を設計値以上に拡張しなくても、位置合わせずれによる光漏れが生じることを抑制する。
【解決手段】ボトムゲート電極１２ａと第１のブラックマトリックス層１７ａで第１の半導体層１４を挟むシングルゲート型の薄膜トランジスタを有する半導体装置であって、前記第１の半導体層と前記第１のブラックマトリックス層は重畳している半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】動作特性に優れ低温で製造可能な酸化物半導体を用いた表示装置の特性を活かす
には、適切な構成を備えた保護回路等が必要となる。
【解決手段】ゲート電極１０１を被覆するゲート絶縁層１０２と、ゲート絶縁層１０２上
においてゲート電極１０１と重畳する第１酸化物半導体層１０３と、第１酸化物半導体層
１０３上においてゲート電極と端部が重畳し、導電層１０５ａと第２酸化物半導体層１０
４ａが積層された一対の第１配線層３８及び第２配線層３９とを有する非線形素子１７０
ａを用いて保護回路を構成する。ゲート絶縁層１０２上において物性の異なる酸化物半導
体層同士の接合を形成することで、ショットキー接合に比べて安定動作をさせることが可
能となり、接合リークが低減し、非線形素子１７０ａの特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】画像表示の最小単位となるサブ画素をより密に配置して、画素の高開口率化や表示の高精細化を図ることができる有機ＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の有機ＥＬ表示装置では、有機ＥＬ素子と、この有機ＥＬ素子を画素回路に電気的に接続するためのコンタクト部２０とを含む複数のサブ画素１５を素子形成用基板３上に行列状に並べて配置するとともに、サブ画素１５の並び方向となる行方向及び列方向のうち、行方向で隣り合うサブ画素１５のコンタクト部２０の位置を、行方向で反転した状態に配置している。 （もっと読む）

【課題】黒を表示するときの液晶素子からの光漏れを低減もしくは克服して、コントラストを向上する表示装置を提供する。
【解決手段】液晶素子２０４の画素ごとにバックライトとなる発光素子２１２を設け、表示を行う階調に応じて個別に発光素子２１２の点灯、非点灯を制御する機能を画素回路に設ける。これにより、バックライトの点灯状態を画素ごとに制御することができ、黒の階調を表示するときには、バックライトとなる発光素子２１２を消灯する。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタによる画素回路への電気的影響を緩和して表示画質の劣化を抑制することが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】有機ＥＬ表示装置１は、駆動基板１０側にカラーフィルタ１５を有する構造において、表示機能層（有機ＥＬ層１９）へ駆動電流を供給するための第１電極１７および第２電極２０に加え、第３電極１４を設けた構造となっている。画素回路において、カラーフィルタ１５に起因して誘電正接が生じた場合であっても、第１電極１７と第３電極１３との電気的遮蔽効果によって、画素回路における保持電位の変動を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】製造過程における静電気対策が強化され、歩留まりよく製造可能な電気光学装置用基板、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器を提供する。
【解決手段】第１基板１２上に設けられたデータ線駆動回路２２及び走査線駆動回路２４と、データ線駆動回路２２及び走査線駆動回路２４における電源配線（信号配線２９、第１外部接続用端子２３ａ及び第２外部接続用端子２３ｂ）をスクライブライン６５より外側において接続させる短絡配線６６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】安価な表示装置およびそれを用いた電気器具を提供する。
【解決手段】同一の絶縁体上に画素部および駆動回路を含む表示装置において、駆動回路
は、並列に接続されたｐチャネル型ＴＦＴ１０４〜１０６および直列に接続されたｐチャ
ネル型ＴＦＴ１０７〜１０９を含む複数のＮＡＮＤ回路を有したデコーダ１００と、三つ
のｐチャネル型ＴＦＴ１１４〜１１６を含む複数のバッファを有したバッファ部１０１と
を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス駆動方式の電気光学装置において、相展開数の増加による画像信号線の増加という条件下で、画像信号中の高周波のクロックノイズ等の発生を低減する。
【解決手段】液晶装置（２００）は、一対の基板間に挟持された液晶層と、基板（１）にマトリクス状に設けられた画素電極（１１）と、これをスイッチング制御するＴＦＴ（３０）とを備える。さらにデータ線駆動回路（１０１）にクロック信号を供給する配線（ＣＬＸ，ＣＬＸ’）と、データ線駆動回路（１０１）及び配線（ＣＬＸ，ＣＬＸ’）を囲むように配設されたシールド線（８０’）と、シールド線（８０’）の外側に配設された画像信号線（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ１２）を備える。 （もっと読む）

【課題】電源線の抵抗を抑制しながら各要素を電源線と同層から形成する。
【解決手段】基板１０の面上には駆動トランジスタＴdrと素子導通部７１と初期化トランジスタＴintと接続部６１とが配置される。駆動トランジスタＴdrは、電源線１５から発光素子Ｅに供給される電流量を制御する。素子導通部７１は、駆動トランジスタＴdrと発光素子Ｅとを電気的に接続する。初期化トランジスタＴintは、オン状態に遷移することで駆動トランジスタＴdrをダイオード接続する。接続部６１は、駆動トランジスタＴdrと初期化トランジスタＴintとを電気的に接続する。電源線１５はＸ方向に延在する。素子導通部７１および接続部６１は、電源線１５と同層から形成され、基板１０に垂直な方向からみて、駆動トランジスタＴdrを挟んで電源線１５の幅方向（Ｙ方向）における一方の側に位置する。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型の表示装置の作製工程又は完成品における静電気による不良の発生を抑制する。
【解決手段】本発明に係る表示装置は、アクティブマトリクス回路の角の部分に隣接して、前記アクティブマトリクス回路に接続されていない格子状の放電パターンが形成されていることを特徴とする。また、本発明に係る表示装置は、アクティブマトリクス回路の周辺に、前記アクティブマトリクス回路を構成するゲイト線又はソース線と交わる放電パターンが形成され、前記放電パターンの長さは、前記アクティブマトリクス回路の画素ピッチよりも長いことを特徴とする。これらにより、各種静電破壊によるアクティブマト
クス型表示装置の不良の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】任意のアドレス行で切断することで、任意のサイズの表示装置を簡便に実現する。
【解決手段】少なくとも第２の配線５を駆動する第２の駆動回路７と画素ＰＸ（１，１），ＰＸ（１，２），…、ＰＸ（ｎ，ｍ）とを同一の基板１上に有した表示装置であって、第２の駆動回路７は検出線７３と判定回路７２と出力回路７４とを有した複数の単位回路７０から成り、出力回路７４は判定回路７２からの信号に従って出力信号を変えることを特徴とする表示装置。 （もっと読む）