表示装置及び電子機器
【課題】画像表示の最小単位となるサブ画素をより密に配置して、画素の高開口率化や表示の高精細化を図ることができる有機ＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の有機ＥＬ表示装置では、有機ＥＬ素子と、この有機ＥＬ素子を画素回路に電気的に接続するためのコンタクト部２０とを含む複数のサブ画素１５を素子形成用基板３上に行列状に並べて配置するとともに、サブ画素１５の並び方向となる行方向及び列方向のうち、行方向で隣り合うサブ画素１５のコンタクト部２０の位置を、行方向で反転した状態に配置している。
【解決手段】本発明の有機ＥＬ表示装置では、有機ＥＬ素子と、この有機ＥＬ素子を画素回路に電気的に接続するためのコンタクト部２０とを含む複数のサブ画素１５を素子形成用基板３上に行列状に並べて配置するとともに、サブ画素１５の並び方向となる行方向及び列方向のうち、行方向で隣り合うサブ画素１５のコンタクト部２０の位置を、行方向で反転した状態に配置している。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置及び電子機器に関し、特に電気光学素子を含む画素が行列状（マトリクス状）に配置されてなる平面型（フラットパネル型）の表示装置とこれを有する電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、画像の表示を行なう表示装置の分野では、発光素子を含む画素を行列状に配置した平面型の表示装置が急速に普及している。平面型の表示装置としては、画素の発光素子として、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化するいわゆる電流駆動型の電気光学素子、例えば有機薄膜に電界をかけると発光する現象を利用した有機ＥＬ(Electro Luminescence)素子を用いた有機ＥＬ表示装置が開発され、商品化が進められている。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置は次のような特長を持っている。すなわち、有機ＥＬ素子が１０Ｖ以下の印加電圧で駆動できるために低消費電力であり、また自発光素子であることから、液晶セルを含む画素ごとに当該液晶セルにて光源（バックライト）からの光強度を制御することによって画像を表示する液晶表示装置に比べて、画像の視認性が高く、しかも液晶表示装置には必須なバックライト等の照明部材を必要としないために軽量化や薄型化が容易である。さらに、有機ＥＬ素子の応答速度が数μｓｅｃ程度と非常に高速であるため、動画を表示するときに残像が発生しない。
【０００４】
有機ＥＬ表示装置では、液晶表示装置と同様、その駆動方式として単純（パッシブ）マトリクス方式とアクティブマトリクス方式を採ることができる。ただし、単純マトリクス方式の表示装置は、構造が簡単であるものの、電気光学素子の発光期間が走査線の増加によって減少するために、大型でかつ高精細な表示装置の実現が難しいなどの問題がある。
【０００５】
そのため現在では、電気光学素子に流れる電流を、当該電気光学素子に対応する画素回路内に設けた能動素子、例えば絶縁ゲート型の電界効果トランジスタ（一般には、ＴＦＴ(Thin Film Transistor;薄膜トランジスタ)）によって制御するアクティブマトリクス方式の表示装置が主流になっている（例えば、特許文献１及び特許文献２を参照）。アクティブマトリクス方式の表示装置は、電気光学素子が１フレームの期間にわたって発光を持続するために、大型でかつ高精細な表示装置の実現が容易である。
【０００６】
一般に、有機ＥＬ表示装置に用いられる有機ＥＬ素子は、有機材料からなる有機層をカソード電極とアノード電極でサンドイッチ状に挟み込んだ構造になっている。そして、有機ＥＬ素子を発光させる場合は、アノード電極に正の電圧、カソード電極に負の電圧をそれぞれ印加する。これにより、有機層に対して、アノード電極側から正孔が注入されるとともに、カソード電極側から電子が注入され、それらが有機層の内部（発光層）で再結合することにより発光する仕組みになっている。
【０００７】
有機ＥＬ表示装置で画像表示の最小単位となる画素（以下、「サブ画素」と記す）は、光の三原色であるＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の色ごとに区分して設けられる。各々のサブ画素（サブピクセル）は、電気光学素子となる有機ＥＬ素子と、この有機ＥＬ素子を画素回路に電気的に接続するためのコンタクト部とを含む。画素回路とは、電気光学素子（有機ＥＬ素子）に流れる電流を制御するための回路である。通常、画素回路はサブ画素と１：１の対応関係で設けられる。
【０００８】
図２０は従来の有機ＥＬ表示装置における画素のレイアウトを示す概略平面図である。有機ＥＬ素子を形成するための基板（以下、「素子形成用基板」と記す）５１には、透明絶縁基板として、透明なガラス基板が用いられる。素子形成用基板５１上には矩形の枠状に補助電極５２が形成されており、この補助電極５２に囲まれた領域（以下、「画素領域」と記す）内に複数のサブ画素５３が行列状に並べて配置されている。各々のサブ画素５３にはコンタクト部５４が設けられている。コンタクト部５４は、上述のように有機層を挟むカソード電極及びアノード電極のうち、サブ画素５３ごとに区画形成される電極（以下、「画素電極」と記す）を、図示しない画素回路に電気的に接続するために設けられるものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００１−１９５００８号公報
【特許文献２】特開２００４−２０７２１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
一般に、有機ＥＬ表示装置における画素の開口率は単位面積あたりに占めるサブ画素の面積に依存し、表示の精細度は単位面積あたりのサブ画素の数に依存したものとなる。したがって、画素の高開口率化や表示の高精細化を実現するためには、限られた画素領域内に、より広い面積で、より多くのサブ画素を配置することが必要になる。
【００１１】
しかしながら、上記従来の有機ＥＬ表示装置においては、画素領域に配置されたすべてのサブ画素５３に対して、同じ位置（サブ画素５３の左下）にコンタクト部５４を設けているため、行方向（垂直方向）で隣り合うすべてのサブ画素５３の間にコンタクト部５４が存在している。このため、製造プロセス上のルールや設計ルールなどにしたがって、行方向（垂直方向）で隣り合うすべてのサブ画素５３の間に、コンタクト部５４を形成するための領域を確保する必要があった。その結果、行方向でサブ画素５３の配置が疎らな状態になっていた。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明に係る表示装置は、電気光学素子と、前記電気光学素子を画素回路に電気的に接続するためのコンタクト部とを含む複数のサブ画素を行列状に並べて配置するとともに、 前記サブ画素の並び方向となる行方向及び列方向のうち、第１の方向で隣り合うサブ画素のコンタクト部の位置を、当該第１の方向で反転した状態に配置してなることを特徴とする。
【００１３】
本発明に係る表示装置とこれを有する電子機器においては、サブ画素の並び方向となる行方向及び列方向のうち、第１の方向で隣り合うサブ画素のコンタクト部の位置を、当該第１の方向で反転した状態に配置することにより、従来よりも密にサブ画素を第１の方向に配置することが可能となる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、従来よりもサブ画素を密に配置することができる。このため、画素の高開口率化や表示の高精細化を実現することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明が適用される表示装置の主要部の構成を示す断面図である。
【図２】有機ＥＬ素子の積層構造の一例を示す断面図である。
【図３】有機ＥＬ表示装置の駆動回路の構成例を示す図である。
【図４】画素回路の構成例を示す図である。
【図５】有機ＥＬ表示装置の一部断面図である。
【図６】本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素のレイアウトを示す概略平面図である。
【図７】本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素のレイアウトを示す概略平面図である。
【図８】本発明の第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素のレイアウトを示す概略平面図である。
【図９】本発明の第４実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素のレイアウトを示す概略平面図である。
【図１０】本発明の第５実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素のレイアウトを示す概略平面図である。
【図１１】本発明の実施形態における画素の色配列を示す概略図（その１）である。
【図１２】本発明の実施形態における画素の色配列を示す概略図（その２）である。
【図１３】本発明の第６実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素のレイアウトを示す概略平面図である。
【図１４】本発明の第７実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素の色配列を示す概略図である。
【図１５】第１適用例となるテレビを示す斜視図である。
【図１６】第２適用例となるデジタルカメラを示す図である。
【図１７】第３適用例となるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。
【図１８】第４適用例となるビデオカメラを示す斜視図である。
【図１９】第５適用例となる携帯端末装置を示す図である。
【図２０】従来の有機ＥＬ表示装置における画素のレイアウトを示す概略平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の具体的な実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００１７】
＜表示装置の構成＞
図１は本発明が適用される表示装置の主要部の構成を示す断面図である。ここでは、一例として、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子、例えば有機ＥＬ素子（有機電界発光素子）を画素の発光素子として用いたアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明する。
【００１８】
有機ＥＬ表示装置１は複数（多数）の有機ＥＬ素子２を用いて構成されるものである。有機ＥＬ素子２は、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の発光色の違いでサブ画素ごとに区分されている。ただし、図１では、そのうちの１つだけを示している。
【００１９】
有機ＥＬ素子２は素子形成用基板３を用いて構成されている。素子形成用基板３上には、図示しない能動素子（例えば、薄膜トランジスタ）を含む画素回路とともに、下部電極４、絶縁層５、有機層６及び上部電極７が順に積層されている。さらに、上部電極７は保護層８によって覆われ、この保護層８の上に接着層９を介して対向基板１０が配置されている。
【００２０】
素子形成用基板３と対向基板１０は、それぞれ透明なガラス基板（絶縁基板）によって構成されるものである。素子形成用基板３と対向基板１０は、それら２枚の基板の間に、下部電極４、絶縁層５、有機層６、上部電極７、保護層８、接着層９を挟み込むかたちで、互いに対向する状態に配置されている。
【００２１】
下部電極４及び上部電極７は、一方がアノード電極となり、他方がカソード電極となる。下部電極４は、有機ＥＬ表示装置１が上面発光型である場合には高反射性材料で構成され、有機ＥＬ表示装置１が透過型である場合は透明材料で構成される。
【００２２】
ここでは、一例として、有機ＥＬ表示装置１が上面発光型で、下部電極４がアノード電極、上部電極７がカソード電極である場合を想定している。この場合、下部電極４は、サブ画素ごとに区画形成されることから、画素電極に相当するものとなる。これに対して、上部電極７は、すべてのサブ画素に共通する共通電極となる。このため、上部電極７は、有機層６を覆う状態で素子形成用基板３の全面にベタ状に形成される。下部電極４は、例えば銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ)、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、プラチナ（Ｐｔ）さらには金（Ａｕ）のように、反射率の高い導電性材料、又はその合金で構成される。
【００２３】
なお、有機ＥＬ表示装置１が上面発光型で、下部電極４がカソード電極である場合は、下部電極４は、例えばアルミニウム（Ａｌ）,インジウム（Ｉｎ）,マグネシウム（Ｍｇ）−銀(Ａｇ)合金,リチウム(Ｌｉ)−フッ素(Ｆ)化合物、リチウム-酸素（Ｏ）化合物のように、仕事関数が小さく、かつ、光反射率の高い導電性材料で構成される。
【００２４】
また、有機ＥＬ表示装置１が透過型で、下部電極４がアノード電極である場合は、下部電極４は、例えばＩＴＯ(Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ)やＩＺＯ（Ｉｎｉｄｉｕｍ−Ｚｉｎｃ−Ｏｘｉｄｅ）のように、透過率の高い導電性材料で構成される。また、有機ＥＬ表示装置１が透過型で、下部電極４がカソード電極である場合は、下部電極４は、仕事関数が小さく、かつ、光透過率の高い導電性材料で構成される。
【００２５】
絶縁層５は、下部電極４の周辺部を覆う状態で素子形成用基板３の上面に形成されている。絶縁層５にはサブ画素ごとに窓が形成されており、この窓の開口部分で下部電極４が露出している。絶縁層５は、例えばポリイミドやフォトレジスト等の有機絶縁材料や、酸化シリコンのような無機絶縁材料を用いて形成されるものである。
【００２６】
有機層６は、例えば図２に示すように、素子形成用基板３側から順に、正孔注入層６１、正孔輸送層６２、発光層６３（６３ｒ，６３ｇ，６３ｂ）及び電子輸送層６４を積層した４層の積層構造を有するものである。
【００２７】
正孔注入層６１は、例えば、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ〔4,4,4 -tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine〕によって形成されるものである。正孔輸送層６２は、例えば、α−ＮＰＤ[4,4-bis(N-1-naphthyl-N-phenylamino)biphenyl]によって形成されるものである。なお、材料はこれに限定されず、例えばベンジジン誘導体、スチリルアミン誘導体、トリフェニルメタン誘導体、ヒドラゾン誘導体などの正孔輸送材料を用いることができる。また、正孔注入層６１及び正孔輸送層６２は、それぞれ複数層からなる積層構造であってもよい。
【００２８】
発光層６３は、ＲＧＢの色成分ごとに異なる有機発光材料によって形成されるものである。具体的には、赤色発光層６３ｒは、例えば、ホスト材料となるＡＤＮに、ドーパント材料として２，６≡ビス［（４’≡メトキシジフェニルアミノ）スチリル］≡１，５≡ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合したものにより構成される。緑色発光層６３ｇは、例えば、ホスト材料となるＡＤＮに、ドーパント材料としてクマリン６を５重量％混合したものにより構成される。青色発光層６３ｂは、例えば、ゲスト材料となるＡＤＮに、ドーパント材料として４，４’≡ビス［２≡｛４≡（Ｎ，Ｎ≡ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％混合したものにより構成される。各色の発光層６３ｒ，６３ｇ，６３ｂは、画素の色配列に応じて、サブ画素と同様の行列状、又はサブ画素の行方向に平行なスリット状に配置される。
【００２９】
電子輸送層６４は、例えば、８≡ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ3 ）によって形成されるものである。なお、有機層６については、ここで例示する４層の構造に限らず、少なくとも発光層を含む層であればよい。具体的には、有機層６は、上述した４層（正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層）の構造以外にも、図示しない電子注入層を加えた５層の構造であってもよいし、それよりも層数が少ない又は多い構造であってもよい。
【００３０】
上部電極７は、有機ＥＬ表示装置１が上面発光型である場合は、透明又は半透明の導電性材料で構成され、有機ＥＬ表示装置１が透過型である場合は、高反射性材料で構成される。
【００３１】
以上の素子形成用基板３、下部電極４、絶縁層５、有機層６、上部電極７により、有機ＥＬ素子２（赤色有機ＥＬ素子２ｒ、緑色有機ＥＬ素子２ｇ、青色有機ＥＬ素子２ｂ）が構成されている。
【００３２】
保護層８は、上部電極７や有機層６への水分の到達を防止するなどの目的で形成されるものである。このため、保護層８は、透水性及び吸水性の低い材料を用いて十分な膜厚で形成される。また、保護層８は、有機ＥＬ表示装置１が上面発光型である場合には、有機層６で発光させた光を透過させる必要があるため、例えば８０％程度の光透過率を有する材料で構成される。
【００３３】
また、上部電極７を金属薄膜で形成し、この金属薄膜の上に直接、絶縁性の保護層８を形成するものとすると、保護層８の形成材料として、無機アモルファス性の絶縁性材料、例えばアモルファスシリコン（α−Ｓｉ）、アモルファス炭化シリコン（α−ＳｉＣ）、アモルファス窒化シリコン（α−Ｓｉ1-x Ｎx ）、さらにはアモルファスカーボン（α−Ｃ）等を好適に用いることができる。このような無機アモルファス性の絶縁性材料は、グレインを構成しないため透水性が低く、良好な保護層８となる。
【００３４】
接着層９は、例えばＵＶ（紫外線）硬化型樹脂によって形成されるものである。接着層９は、対向基板１０を固着させるためのものである。
【００３５】
なお、ここでの図示は省略したが、このような構成の有機ＥＬ表示装置１にカラーフィルタを組み合わせて設ける場合には、ＲＧＢの各色に対応する有機ＥＬ素子２ｒ，２ｇ，２ｂから発せられる発光のスペクトルのピーク波長近傍の光のみを透過するカラーフィルタを、各色の有機ＥＬ素子２ｒ，２ｇ，２ｂの光取り出し面側に設けることになる。
【００３６】
＜駆動回路の構成＞
図３は有機ＥＬ表示装置の駆動回路の構成例を示す図である。有機ＥＬ表示装置１の駆動回路は、素子形成用基板３上に形成されている。さらに詳述すると、素子形成用基板３上には、画素領域を含む表示領域１１とその周辺領域１２とが設定されている。表示領域１１には、複数の走査線１３と複数の信号線１４とが縦横に配線されている。走査線１３と信号線１４の各交差部にはサブ画素１５が１つずつ設けられている。表示領域１１内には複数（多数）のサブ画素１５が行列状に並べて配置されている。素子形成用基板３上におけるサブ画素１５の並び方向は、表示画面上で垂直方向に相当する行方向（図の上下方向）と、表示画面上で水平方向に相当する列方向（図の左右方向）に分けられる。各々のサブ画素１５は、上述した有機ＥＬ素子２を含むものである。周辺領域１１には、走査線１３を走査駆動する走査線駆動回路１６と、輝度情報に応じた映像信号（すなわち入力信号）を信号線１４に供給する信号線駆動回路１７とが配置されている。
【００３７】
＜画素回路の構成＞
図４は画素回路の構成例を示す図である。この画素回路１８は、有機ＥＬ素子２に流れる電流を制御する回路である。ここでは一例として、駆動トランジスタＴｒ１、書き込みトランジスタＴｒ２及び保持容量Ｃｓを用いて、１つのサブ画素に対応する画素回路１８が構成されている。この画素回路１８では、走査線駆動回路１６の駆動により、書き込みトランジスタＴｒ２を介して信号線１４から書き込まれた映像信号が保持容量Ｃｓに保持され、保持された信号量に応じた電流が駆動トランジスタＴｒ１から有機ＥＬ素子２に供給され、この電流値に応じた輝度で有機ＥＬ素子２が発光する仕組みになっている。
【００３８】
上記構成の画素回路１８は、有機ＥＬ素子２とともに素子形成用基板３上に形成されるものである。例えば、図５に示すように、素子形成用基板３には公知の薄膜形成技術やパターニング技術等を用いて画素回路１８が形成され、この画素回路１８を覆う絶縁性の平坦化膜１９の上に有機ＥＬ素子２が形成されている。有機ＥＬ素子２の下部電極（本形態例ではアノード電極）４はコンタクト部２０を介して画素回路１８に電気的に接続されている。コンタクト部２０は、例えば、有機ＥＬ表示装置１の製造工程のなかで、素子形成用基板３上に画素回路１８を覆うように平坦化膜１９を形成した後、画素回路１８に達するように平坦化膜１９に接続孔を形成し、この接続孔に導電性材料を埋め込むことにより形成されるものである。
【００３９】
なお、上記のような画素回路の構成は、あくまでも一例であり、必要に応じて画素回路内に容量素子を設けたり、さらに複数のトランジスタを設けたりして画素回路を構成してもよい。また、周辺領域１２には、画素回路の変更に応じて必要な駆動回路を追加してもよい。
【００４０】
＜第１実施形態＞
図６は本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素のレイアウトを示す概略平面図である。
【００４１】
図６においては、素子形成用基板３上に補助電極２１が矩形の枠状に形成され、この補助電極２１の枠内、すなわち画素領域内に複数のサブ画素１５が行列状に並べて配置されている。ここでは、説明の便宜上、画素領域内に５行×５列で合計２５個のサブ画素１５を配置し、一番上の行を１行目、一番左端の列を１列目とする。
【００４２】
補助電極２１は、上記平坦化膜１９の上に下部電極４と同時に形成されるものである。補助電極２１と下部電極４は、電気的に絶縁された状態で同じ層に形成されている。補助電極２１は、当該補助電極２１の形成領域に設けられた複数のコンタクト部２２によって上部電極（本形態例ではカソード電極）７に電気的に接続されている。
【００４３】
各々のサブ画素１５には、上記画素回路１８との電気的な接続のためのコンタクト部２０が１つずつ設けられている。コンタクト部２０は、サブ画素１５の平面的な大きさ（面積）を規定する下部電極４を平面視矩形状に形成した場合に、この矩形の一辺から部分的に突出する突出部１５Ａに形成されている。このようにコンタクト部２０をサブ画素１５の突出部１５Ａに形成する理由は、次のような事情による。
【００４４】
すなわち、有機ＥＬ素子２に通電して発光させた場合、コンタクト部２０の形成部位は所望の発光状態とならない。このため、通常はコンタクト部２０の形成部位を遮蔽して非発光部としている。そうした場合、例えば突出部１５Ａを含むようにサブ画素１５の領域を拡大して、当該サブ画素１５の外形を矩形にすると、矩形の一部（コンタクト部２０の形成部位）が非発光部となり、発光画素の外形が、矩形の一部を切り欠いたような、いびつな形状になってしまう。これに対して、上述のようにサブ画素１５の突出部１５Ａにコンタクト部２０を形成すれば、発光画素の外形は矩形の整った形状となり、画像表示に適したものとなる。
【００４５】
ここで、サブ画素１５の並び方向を行方向（垂直方向）と列方向（水平方向）に分けて考えると、上記図６に示す画素のレイアウトでは、行方向で隣り合うサブ画素１５のコンタクト部２０の位置を、行方向で反転（上下反転）した状態に配置している。
【００４６】
すなわち、行方向で隣り合う１行目のサブ画素１５と２行目のサブ画素１５に関しては、１行目のサブ画素１５のコンタクト部２０が当該サブ画素１５の左下に配置され、２行目のサブ画素１５のコンタクト部２０が当該サブ画素１５の右上に配置されている。このため、１行目のサブ画素１５と２行目のサブ画素１５で、それぞれコンタクト部２０を設ける位置が行方向で反転し、かつ列方向でも反転（左右反転）している。
【００４７】
また、行方向で隣り合う２行目のサブ画素１５と３行目のサブ画素１５に関しては、２行目のサブ画素１５のコンタクト部２０が当該サブ画素１５の右上に配置され、３行目のサブ画素１５のコンタクト部２０が当該サブ画素１５の左下に配置されている。このため、２行目のサブ画素１５と３行目のサブ画素１５で、それぞれコンタクト部２０を設ける位置が行方向で反転し、かつ列方向でも反転している。
【００４８】
さらに、行方向で隣り合う３行目のサブ画素１５と４行目のサブ画素１５に関しては、上述した１行目のサブ画素１５及び２行目のサブ画素１５と同様の位置関係でコンタクト部２０が設けられ、行方向で隣り合う４行目のサブ画素１５と５行目のサブ画素１５に関しては、上述した２行目のサブ画素１５及び３行目のサブ画素１５と同様の位置関係でコンタクト部２０が設けられている。
【００４９】
これにより、１行目と２行目のサブ画素１５の各コンタクト部２０は、１行目のサブ画素１５と２行目のサブ画素１５間の領域にまとめて配置されている。また、３行目と４行目のサブ画素１５の各コンタクト部２０は、３行目のサブ画素１５と４行目のサブ画素１５間の領域にまとめて配置されている。これに対して、２行目のサブ画素１５と３行目のサブ画素１５間の領域にはコンタクト部２０が形成されておらず、４行目のサブ画素１５と５行目のサブ画素１５間の領域にもコンタクト部２０が形成されていない。
【００５０】
このような画素レイアウトを採用することにより、１行目のサブ画素１５と２行目のサブ画素１５の間には、コンタクト部２０を形成するための領域を確保する必要があるが、２行目のサブ画素１５と３行目のサブ画素１５の間には、コンタクト部２０を形成するための領域を確保する必要がなくなる。同様に、３行目のサブ画素１５と４行目のサブ画素１５の間には、コンタクト部２０を形成するための領域を確保する必要があるが、４行目のサブ画素１５と５行目のサブ画素１５の間には、コンタクト部２０を形成するための領域を確保する必要がなくなる。
【００５１】
このため、１行目と２行目のサブ画素１５は、３行目と４行目のサブ画素１５と同じ間隔で配置し、２行目と３行目のサブ画素１５は、４行目と５行目のサブ画素１５と同じ間隔で配置している。また、２行目と３行目のサブ画素１５は、１行目と２行目のサブ画素１５よりも狭い間隔で配置し、４行目と５行目のサブ画素１５は、３行目と４行目のサブ画素１５よりも狭い間隔で配置している。
【００５２】
したがって、従来（図２０参照）の画素レイアウトと比較して、より密にサブ画素１５を行方向に配置することができる。その結果、画素領域におけるサブ画素１５（下部電極４）の占有面積を広げることができる。このため、画素の高開口率化を実現することができる。画素の高開口率化は、各々の有機ＥＬ素子２に流す単位面積あたりの電流値（電流密度）を低く抑えることができるため、有機ＥＬ素子２の長寿命化に寄与するものとなる。また、同じ画素サイズで比較した場合は、より多くのサブ画素１５を画素領域内に配置することができる。このため、表示の高精細化を実現することができる。
【００５３】
＜第２実施形態＞
図７は本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素のレイアウトを示す概略平面図である。
【００５４】
この第２実施形態においては、上記第１実施形態と比較して、行方向で隣り合うサブ画素１５のコンタクト部２０の位置を、行方向で反転（上下反転）した状態に配置する点は共通しているが、列方向で隣り合うサブ画素１５のコンタクト部２０の位置関係は異なっている。すなわち、上記第１実施形態においては、列方向で隣り合うサブ画素１５のコンタクト部２０の位置を、列方向で反転せずに（つまりサブ画素１５の同じ位置）に配置しているが、本第２実施形態においては、列方向で隣り合うサブ画素１５のコンタクト部２０の位置を、列方向で反転（左右反転）した状態に配置している。
【００５５】
さらに詳述すると、本第２実施形態においては、列方向で隣り合う１列目のサブ画素１５と２列目のサブ画素１５に関して、１列目の１行目、３行目及び５行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の左下に配置され、２列目の１行目、３行目及び５行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の右下に配置されている。また、１列目の２行目及び４行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の右上に配置され、２列目の２行目及び４行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の左上に配置されている。
【００５６】
また、列方向で隣り合う２列目とサブ画素１５と３列目のサブ画素１５に関して、２列目の１行目、３行目及び５行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の右下に配置され、３列目の１行目、３行目及び５行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の左下に配置されている。また、２列目の２行目及び４行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の左上に配置され、３列目の２行目及び４行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の右上に配置されている。
【００５７】
さらに、列方向で隣り合う３列目のサブ画素１５と４列目のサブ画素１５に関しては、上述した１列目のサブ画素１５及び２列目のサブ画素１５と同様の位置関係でコンタクト部２０が設けられ、列方向で隣り合う４列目と５列目のサブ画素１５に関しては、上述した２列目のサブ画素１５及び３列目のサブ画素１５と同様の位置関係でコンタクト部２０が設けられている。
【００５８】
このような画素のレイアウトを採用した場合でも、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００５９】
＜第３実施形態＞
図８は本発明の第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素のレイアウトを示す概略平面図である。
【００６０】
この第３実施形態においては、上記第１実施形態と比較して、行方向で隣り合うサブ画素１５のコンタクト部２０の位置を、行方向で反転（上下反転）した状態に配置する点は共通しているが、行方向で隣り合うサブ画素１５の、列方向に対するコンタクト部２０の位置が異なっている。
【００６１】
すなわち、上記第１実施形態においては、行方向で隣り合うサブ画素１５のうち、一方のサブ画素１５には列方向の一方端に寄せてコンタクト部２０を配置し、他方のサブ画素１５には列方向の他方端にコンタクト部２０を配置している。これに対して、本第３実施形態においては、行方向で隣り合うサブ画素１５のうち、一方のサブ画素１５には列方向の一方端よりも画素中心側に寄せてコンタクト部２０を配置し、他方のサブ画素１５には列方向の他方端よりも画素中心側に寄せてコンタクト部２０を配置している。
【００６２】
これにより、１行目のサブ画素１５と２行目のサブ画素１５の間の領域では、各々のサブ画素１５に対応するコンタクト部２０が列方向で等間隔に配置されている。また、３行目のサブ画素１５と４行目のサブ画素１５の間の領域でも、各々のサブ画素１５に対応するコンタクト部２０が列方向で等間隔に配置されている。
【００６３】
このような画素のレイアウトを採用することにより、上記第１実施形態と同様の効果に加えて、列方向でコンタクト部２０の間隔を最大限に広く確保して、その製造性を高めることができるといった効果が得られる。
【００６４】
＜第４実施形態＞
図９は本発明の第４実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素のレイアウトを示す概略平面図である。
【００６５】
この第４実施形態においては、上記第３実施形態と比較して、列方向でコンタクト部２０を等間隔に配置する点は共通しているが、列方向で隣り合うサブ画素１５のコンタクト部２０の位置関係は異なっている。すなわち、上記第３実施形態においては、列方向で隣り合うサブ画素１５のコンタクト部２０の位置を、列方向で反転せずに（つまりサブ画素１５の同じ位置）に配置しているが、本第４実施形態においては、列方向で隣り合うサブ画素１５のコンタクト部２０の位置を、列方向で反転した状態に配置している。
【００６６】
さらに詳述すると、上記第３実施形態においては、列方向で隣り合う１列目のサブ画素１５と２列目のサブ画素１５に関して、１列目の１行目、３行目及び５行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の中心を通る仮想垂直軸よりも左寄りに配置され、２列目の１行目、３行目及び５行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の中心を通る仮想垂直軸よりも左寄りに配置されている。また、１列目の２行目及び４行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の中心を通る仮想垂直軸よりも右寄りに配置され、２列目の２行目及び４行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の中心を通る仮想垂直軸よりも右寄りに配置されている。
【００６７】
また、２列目のサブ画素１５と３列目のサブ画素１５に関しても、上記１列目のサブ画素１５及び２列目のサブ画素１５と同様の位置関係でコンタクト部２０が設けられ、３列目のサブ画素１５と４列目のサブ画素１５に関しても、上記１列目のサブ画素１５及び２列目のサブ画素１５と同様の位置関係でコンタクト部２０が設けられ、４列目のサブ画素１５と５列目のサブ画素１５に関しても、上記１列目のサブ画素１５及び２列目のサブ画素１５と同様の位置関係でコンタクト部２０が設けられている。
【００６８】
これに対して、本第４実施形態においては、列方向で隣り合う１列目のサブ画素１５と２列目のサブ画素１５に関して、１列目の１行目、３行目及び５行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の中心を通る仮想垂直軸よりも左寄りに配置され、２列目の１行目、３行目及び５行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の中心を通る仮想垂直軸よりも右寄りに配置されている。また、１列目の２行目及び４行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の中心を通る仮想垂直軸よりも右寄りに配置され、２列目の２行目及び４行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の中心を通る仮想垂直軸よりも左寄りに配置されている。
【００６９】
また、列方向で隣り合う２列目のサブ画素１５と３列目のサブ画素１５に関して、２列目の１行目、３行目及び５行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の中心を通る仮想垂直軸よりも右寄りに配置され、３列目の１行目、３行目及び５行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の中心を通る仮想垂直軸よりも左寄りに配置されている。また、２列目の２行目及び４行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の中心を通る仮想垂直軸よりも左寄りに配置され、３列目の２行目及び４行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の中心を通る仮想垂直軸よりも右寄りに配置されている。
【００７０】
また、３列目のサブ画素１５と４列目のサブ画素１５に関しては、上記１列目のサブ画素１５及び２列目のサブ画素１５と同様の位置関係でコンタクト部２０が設けられ、４列目のサブ画素１５と５列目のサブ画素１５に関しては、上記２列目のサブ画素１５及び３列目のサブ画素１５と同様の位置関係でコンタクト部２０が設けられている。
【００７１】
このような画素のレイアウトを採用した場合でも、上記第３実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００７２】
なお、列方向でコンタクト部２０を等間隔に配置するためのレイアウトとしては、上記図８や図９に示すコンタクト部２０の間隔を保ったままで、全てのコンタクト部２０の位置を列方向の一方側又は他方側にずらした形態のレイアウトであってもよい。
【００７３】
＜第５実施形態＞
図１０は本発明の第５実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素のレイアウトを示す概略平面図である。
【００７４】
この第５実施形態においては、上記第１実施形態と比較して、行方向で隣り合うサブ画素１５のコンタクト部２０の位置を、行方向で反転した状態に配置する点は共通しているが、列方向で隣り合うサブ画素１５のコンタクト部２０の位置関係は異なっている。すなわち、上記第１実施形態においては、列方向で隣り合うサブ画素１５のコンタクト部２０の位置を、行方向及び列方向で共に反転せずに（つまりサブ画素１５の同じ位置）に配置しているが、本第５実施形態においては、列方向で隣り合うサブ画素１５のコンタクト部２０の位置を、行方向及び列方向で共に反転した状態に配置している。
【００７５】
すなわち、本第５実施形態においては、列方向で隣り合う１列目のサブ画素１５と２列目のサブ画素１５に関して、１列目の１行目、３行目及び５行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の左下に配置され、２列目の１行目、３行目及び５行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の右上に配置されている。また、１列目の２行目及び４行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の右上に配置され、２列目の２行目及び４行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の左下に配置されている。
【００７６】
また、列方向で隣り合う２列目とサブ画素１５と３列目のサブ画素１５に関して、２列目の１行目、３行目及び５行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の右上に配置され、３列目の１行目、３行目及び５行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の左下に配置されている。また、２列目の２行目及び４行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の左下に配置され、３列目の２行目及び４行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の右上に配置されている。
【００７７】
さらに、列方向で隣り合う３列目のサブ画素１５と４列目のサブ画素１５に関しては、上述した１列目のサブ画素１５及び２列目のサブ画素１５と同様の位置関係でコンタクト部２０が設けられ、列方向で隣り合う４列目と５列目のサブ画素１５に関しては、上述した２列目のサブ画素１５及び３列目のサブ画素１５と同様の位置関係でコンタクト部２０が設けられている。
【００７８】
このような画素のレイアウトを採用した場合は、上記第１実施形態と同様の効果に加えて、次のような効果を得ることができる。すなわち、上記第１実施形態の場合は、上述したように１行目と２行目のサブ画素１５の間隔に比較して、２行目と３行目のサブ画素１５の間隔が狭くなっているため、ＲＧＢの色ごとにサブ画素１５を並べて配置した場合の色配列は、例えば図１１に示すような配列となる。この場合は、行方向でＲＧＢの画素間隔が広くなったり狭くなったりする部分が、画素領域全体にわたって列方向に連続して存在することになる。このため、画面の一様性（ユニフォーミティ）が損なわれる懸念がある。
【００７９】
これに対して、本第５実施形態の場合は、例えば１列目のサブ画素１５に関しては、１行目と２行目のサブ画素１５、及び３行目と４行目のサブ画素１５が、それぞれ相対的に広い間隔で配置され、２行目と３行目のサブ画素１５、及び４行目と５行目のサブ画素１５が、それぞれ相対的に狭い間隔で配置されるのに対し、２列目のサブ画素１５に関しては、２行目と３行目のサブ画素１５、及び４行目と６行目のサブ画素１５が、それぞれ相対的に広い間隔で配置され、１行目と２行目のサブ画素１５、及び３行目と４行目のサブ画素１５が、それぞれ相対的に狭い間隔で配置される。つまり、列方向で隣り合うサブ画素１５に関して、一方の列のサブ画素１５と、他方の列のサブ画素１５は、互いに１行ずつサブ画素１５の位置を相対的に列方向にずらした状態で配置されている。
【００８０】
このため、ＲＧＢの色ごとにサブ画素１５を並べて配置した場合の色配列は、例えば図１２に示すような配列となる。この場合は、行方向でＲＧＢの画素間隔が広くなったり狭くなったりする部分が、画素領域で列方向に連続せず、画素領域全体に均一に分散して存在することになる。このため、画面の一様性が良好なものとなる。
【００８１】
＜第６実施形態＞
図１３は本発明の第６実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素のレイアウトを示す概略平面図である。
【００８２】
この第６実施形態においては、上記第２実施形態と比較して、行方向で隣り合うサブ画素１５のコンタクト部２０の位置を、行方向で反転した状態に配置する点は共通しているが、列方向で隣り合うサブ画素１５のコンタクト部２０の位置関係は異なっている。すなわち、上記第２実施形態においては、列方向で隣り合うサブ画素１５のコンタクト部２０の位置を、行方向で反転せずかつ列方向で反転した状態に配置しているが、本第６実施形態においては、列方向で隣り合うサブ画素１５のコンタクト部２０の位置を、列方向で反転せずかつ行方向で反転した状態に配置している。
【００８３】
さらに詳述すると、本第６実施形態においては、列方向で隣り合う１列目のサブ画素１５と２列目のサブ画素１５に関して、１列目の１行目、３行目及び５行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の左下に配置され、２列目の１行目、３行目及び５行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の左上に配置されている。また、１列目の２行目及び４行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の右上に配置され、２列目の２行目及び４行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の右下に配置されている。
【００８４】
また、列方向で隣り合う２列目とサブ画素１５と３列目のサブ画素１５に関して、２列目の１行目、３行目及び５行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の左上に配置され、３列目の１行目、３行目及び５行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の左下に配置されている。また、２列目の２行目及び４行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の右下に配置され、３列目の２行目及び４行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の右上に配置されている。
【００８５】
さらに、列方向で隣り合う３列目のサブ画素１５と４列目のサブ画素１５に関しては、上述した１列目のサブ画素１５及び２列目のサブ画素１５と同様の位置関係でコンタクト部２０が設けられ、列方向で隣り合う４列目と５列目のサブ画素１５に関しては、上述した２列目のサブ画素１５及び３列目のサブ画素１５と同様の位置関係でコンタクト部２０が設けられている。
【００８６】
このような画素のレイアウトを採用した場合にも、上記第５実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００８７】
＜第７実施形態＞
図１４は本の第７実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素の色配列を示す概略図である。この第７実施形態においては、ＲＧＢに対応する３つのサブ画素１５を１つの組として単位画素を構成し、この単位画素を素子形成用基板３上に行列状に並べて配置している。そして、上記各実施形態と共通する構成要素として、行方向で隣り合うサブ画素１５のコンタクト部２０の位置を、行方向で反転した状態に配置したうえで、列方向で隣り合う単位画素のコンタクト部２０の位置を、行方向で反転した状態に配置している。これにより、ＲＧＢの色配列が図１４のような配列となる。
【００８８】
この場合も、上記第５実施形態や第６実施形態と同様に、行方向でＲＧＢの画素間隔が広くなったり狭くなったりする部分が、画素領域で列方向に連続せず、画素領域全体に均一に分散して存在することになる。このため、画面の一様性が良好なものとなる。
【００８９】
なお、上記各実施形態においては、それぞれに共通する構成要素として、行方向で隣り合うサブ画素１５のコンタクト部２０の位置を、行方向で反転した状態に配置しているが、本発明はこれに限らず、列方向で隣り合うサブ画素１５のコンタクト部２０を、列方向で反転した状態に配置してもよい。つまり、上記各実施形態においては、行方向を「第１の方向」、列方向を「第２の方向」として説明したが、これに限らず、行方向を「第２の方向」、列方向を「第１の方向」として、画素のレイアウトを設定してもよい。
【００９０】
＜適用例＞
上記構成からなる有機ＥＬ表示装置１は、図１５〜図１９に示す様々な電子機器、例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなど、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用可能である。
【００９１】
図１５は第１適用例となるテレビを示す斜視図である。本適用例に係るテレビは、フロントパネル１０２やフィルターガラス１０３等から構成される映像表示画面部１０１を含み、その映像表示画面部１０１に上記の有機ＥＬ表示装置１を適用可能である。
【００９２】
図１６は第２適用例となるデジタルカメラを示す図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。本適用例に係るデジタルカメラは、フラッシュ用の発光部１１１、表示部１１２、メニュースイッチ１１３、シャッターボタン１１４等を含み、その表示部１１２に上記の有機ＥＬ表示装置１を適用可能である。
【００９３】
図１７は第３適用例となるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。本適用例に係るノート型パーソナルコンピュータは、本体１２１に、文字等を入力するとき操作されるキーボード１２２、画像を表示する表示部１２３等を含み、その表示部１２３に上記の有機ＥＬ表示装置１を適用可能である。
【００９４】
図１８は第４適用例となるビデオカメラを示す斜視図である。本適用例に係るビデオカメラは、本体部１３１、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ１３２、撮影時のスタート／ストップスイッチ１３３、表示部１３４等を含み、その表示部１３４に上記の有機ＥＬ表示装置１を適用可能である。
【００９５】
図１９は第５適用例となる携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。本適用例に係る携帯電話機は、上側筐体１４１、下側筐体１４２、連結部（ここではヒンジ部）１４３、ディスプレイ１４４、サブディスプレイ１４５、ピクチャーライト１４６、カメラ１４７等を含み、そのディスプレイ１４４やサブディスプレイ１４５に上記の有機ＥＬ表示装置１を適用可能である。
【符号の説明】
【００９６】
１…有機ＥＬ表示装置、２…有機ＥＬ素子、３…素子形成用基板、４…下部電極、５…絶縁層、６…有機層、７…上部電極、１５…サブ画素、１８…画素回路、２０…コンタクト部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置及び電子機器に関し、特に電気光学素子を含む画素が行列状（マトリクス状）に配置されてなる平面型（フラットパネル型）の表示装置とこれを有する電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、画像の表示を行なう表示装置の分野では、発光素子を含む画素を行列状に配置した平面型の表示装置が急速に普及している。平面型の表示装置としては、画素の発光素子として、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化するいわゆる電流駆動型の電気光学素子、例えば有機薄膜に電界をかけると発光する現象を利用した有機ＥＬ(Electro Luminescence)素子を用いた有機ＥＬ表示装置が開発され、商品化が進められている。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置は次のような特長を持っている。すなわち、有機ＥＬ素子が１０Ｖ以下の印加電圧で駆動できるために低消費電力であり、また自発光素子であることから、液晶セルを含む画素ごとに当該液晶セルにて光源（バックライト）からの光強度を制御することによって画像を表示する液晶表示装置に比べて、画像の視認性が高く、しかも液晶表示装置には必須なバックライト等の照明部材を必要としないために軽量化や薄型化が容易である。さらに、有機ＥＬ素子の応答速度が数μｓｅｃ程度と非常に高速であるため、動画を表示するときに残像が発生しない。
【０００４】
有機ＥＬ表示装置では、液晶表示装置と同様、その駆動方式として単純（パッシブ）マトリクス方式とアクティブマトリクス方式を採ることができる。ただし、単純マトリクス方式の表示装置は、構造が簡単であるものの、電気光学素子の発光期間が走査線の増加によって減少するために、大型でかつ高精細な表示装置の実現が難しいなどの問題がある。
【０００５】
そのため現在では、電気光学素子に流れる電流を、当該電気光学素子に対応する画素回路内に設けた能動素子、例えば絶縁ゲート型の電界効果トランジスタ（一般には、ＴＦＴ(Thin Film Transistor;薄膜トランジスタ)）によって制御するアクティブマトリクス方式の表示装置が主流になっている（例えば、特許文献１及び特許文献２を参照）。アクティブマトリクス方式の表示装置は、電気光学素子が１フレームの期間にわたって発光を持続するために、大型でかつ高精細な表示装置の実現が容易である。
【０００６】
一般に、有機ＥＬ表示装置に用いられる有機ＥＬ素子は、有機材料からなる有機層をカソード電極とアノード電極でサンドイッチ状に挟み込んだ構造になっている。そして、有機ＥＬ素子を発光させる場合は、アノード電極に正の電圧、カソード電極に負の電圧をそれぞれ印加する。これにより、有機層に対して、アノード電極側から正孔が注入されるとともに、カソード電極側から電子が注入され、それらが有機層の内部（発光層）で再結合することにより発光する仕組みになっている。
【０００７】
有機ＥＬ表示装置で画像表示の最小単位となる画素（以下、「サブ画素」と記す）は、光の三原色であるＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の色ごとに区分して設けられる。各々のサブ画素（サブピクセル）は、電気光学素子となる有機ＥＬ素子と、この有機ＥＬ素子を画素回路に電気的に接続するためのコンタクト部とを含む。画素回路とは、電気光学素子（有機ＥＬ素子）に流れる電流を制御するための回路である。通常、画素回路はサブ画素と１：１の対応関係で設けられる。
【０００８】
図２０は従来の有機ＥＬ表示装置における画素のレイアウトを示す概略平面図である。有機ＥＬ素子を形成するための基板（以下、「素子形成用基板」と記す）５１には、透明絶縁基板として、透明なガラス基板が用いられる。素子形成用基板５１上には矩形の枠状に補助電極５２が形成されており、この補助電極５２に囲まれた領域（以下、「画素領域」と記す）内に複数のサブ画素５３が行列状に並べて配置されている。各々のサブ画素５３にはコンタクト部５４が設けられている。コンタクト部５４は、上述のように有機層を挟むカソード電極及びアノード電極のうち、サブ画素５３ごとに区画形成される電極（以下、「画素電極」と記す）を、図示しない画素回路に電気的に接続するために設けられるものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００１−１９５００８号公報
【特許文献２】特開２００４−２０７２１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
一般に、有機ＥＬ表示装置における画素の開口率は単位面積あたりに占めるサブ画素の面積に依存し、表示の精細度は単位面積あたりのサブ画素の数に依存したものとなる。したがって、画素の高開口率化や表示の高精細化を実現するためには、限られた画素領域内に、より広い面積で、より多くのサブ画素を配置することが必要になる。
【００１１】
しかしながら、上記従来の有機ＥＬ表示装置においては、画素領域に配置されたすべてのサブ画素５３に対して、同じ位置（サブ画素５３の左下）にコンタクト部５４を設けているため、行方向（垂直方向）で隣り合うすべてのサブ画素５３の間にコンタクト部５４が存在している。このため、製造プロセス上のルールや設計ルールなどにしたがって、行方向（垂直方向）で隣り合うすべてのサブ画素５３の間に、コンタクト部５４を形成するための領域を確保する必要があった。その結果、行方向でサブ画素５３の配置が疎らな状態になっていた。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明に係る表示装置は、電気光学素子と、前記電気光学素子を画素回路に電気的に接続するためのコンタクト部とを含む複数のサブ画素を行列状に並べて配置するとともに、 前記サブ画素の並び方向となる行方向及び列方向のうち、第１の方向で隣り合うサブ画素のコンタクト部の位置を、当該第１の方向で反転した状態に配置してなることを特徴とする。
【００１３】
本発明に係る表示装置とこれを有する電子機器においては、サブ画素の並び方向となる行方向及び列方向のうち、第１の方向で隣り合うサブ画素のコンタクト部の位置を、当該第１の方向で反転した状態に配置することにより、従来よりも密にサブ画素を第１の方向に配置することが可能となる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、従来よりもサブ画素を密に配置することができる。このため、画素の高開口率化や表示の高精細化を実現することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明が適用される表示装置の主要部の構成を示す断面図である。
【図２】有機ＥＬ素子の積層構造の一例を示す断面図である。
【図３】有機ＥＬ表示装置の駆動回路の構成例を示す図である。
【図４】画素回路の構成例を示す図である。
【図５】有機ＥＬ表示装置の一部断面図である。
【図６】本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素のレイアウトを示す概略平面図である。
【図７】本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素のレイアウトを示す概略平面図である。
【図８】本発明の第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素のレイアウトを示す概略平面図である。
【図９】本発明の第４実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素のレイアウトを示す概略平面図である。
【図１０】本発明の第５実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素のレイアウトを示す概略平面図である。
【図１１】本発明の実施形態における画素の色配列を示す概略図（その１）である。
【図１２】本発明の実施形態における画素の色配列を示す概略図（その２）である。
【図１３】本発明の第６実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素のレイアウトを示す概略平面図である。
【図１４】本発明の第７実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素の色配列を示す概略図である。
【図１５】第１適用例となるテレビを示す斜視図である。
【図１６】第２適用例となるデジタルカメラを示す図である。
【図１７】第３適用例となるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。
【図１８】第４適用例となるビデオカメラを示す斜視図である。
【図１９】第５適用例となる携帯端末装置を示す図である。
【図２０】従来の有機ＥＬ表示装置における画素のレイアウトを示す概略平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の具体的な実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００１７】
＜表示装置の構成＞
図１は本発明が適用される表示装置の主要部の構成を示す断面図である。ここでは、一例として、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子、例えば有機ＥＬ素子（有機電界発光素子）を画素の発光素子として用いたアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明する。
【００１８】
有機ＥＬ表示装置１は複数（多数）の有機ＥＬ素子２を用いて構成されるものである。有機ＥＬ素子２は、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の発光色の違いでサブ画素ごとに区分されている。ただし、図１では、そのうちの１つだけを示している。
【００１９】
有機ＥＬ素子２は素子形成用基板３を用いて構成されている。素子形成用基板３上には、図示しない能動素子（例えば、薄膜トランジスタ）を含む画素回路とともに、下部電極４、絶縁層５、有機層６及び上部電極７が順に積層されている。さらに、上部電極７は保護層８によって覆われ、この保護層８の上に接着層９を介して対向基板１０が配置されている。
【００２０】
素子形成用基板３と対向基板１０は、それぞれ透明なガラス基板（絶縁基板）によって構成されるものである。素子形成用基板３と対向基板１０は、それら２枚の基板の間に、下部電極４、絶縁層５、有機層６、上部電極７、保護層８、接着層９を挟み込むかたちで、互いに対向する状態に配置されている。
【００２１】
下部電極４及び上部電極７は、一方がアノード電極となり、他方がカソード電極となる。下部電極４は、有機ＥＬ表示装置１が上面発光型である場合には高反射性材料で構成され、有機ＥＬ表示装置１が透過型である場合は透明材料で構成される。
【００２２】
ここでは、一例として、有機ＥＬ表示装置１が上面発光型で、下部電極４がアノード電極、上部電極７がカソード電極である場合を想定している。この場合、下部電極４は、サブ画素ごとに区画形成されることから、画素電極に相当するものとなる。これに対して、上部電極７は、すべてのサブ画素に共通する共通電極となる。このため、上部電極７は、有機層６を覆う状態で素子形成用基板３の全面にベタ状に形成される。下部電極４は、例えば銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ)、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、プラチナ（Ｐｔ）さらには金（Ａｕ）のように、反射率の高い導電性材料、又はその合金で構成される。
【００２３】
なお、有機ＥＬ表示装置１が上面発光型で、下部電極４がカソード電極である場合は、下部電極４は、例えばアルミニウム（Ａｌ）,インジウム（Ｉｎ）,マグネシウム（Ｍｇ）−銀(Ａｇ)合金,リチウム(Ｌｉ)−フッ素(Ｆ)化合物、リチウム-酸素（Ｏ）化合物のように、仕事関数が小さく、かつ、光反射率の高い導電性材料で構成される。
【００２４】
また、有機ＥＬ表示装置１が透過型で、下部電極４がアノード電極である場合は、下部電極４は、例えばＩＴＯ(Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ)やＩＺＯ（Ｉｎｉｄｉｕｍ−Ｚｉｎｃ−Ｏｘｉｄｅ）のように、透過率の高い導電性材料で構成される。また、有機ＥＬ表示装置１が透過型で、下部電極４がカソード電極である場合は、下部電極４は、仕事関数が小さく、かつ、光透過率の高い導電性材料で構成される。
【００２５】
絶縁層５は、下部電極４の周辺部を覆う状態で素子形成用基板３の上面に形成されている。絶縁層５にはサブ画素ごとに窓が形成されており、この窓の開口部分で下部電極４が露出している。絶縁層５は、例えばポリイミドやフォトレジスト等の有機絶縁材料や、酸化シリコンのような無機絶縁材料を用いて形成されるものである。
【００２６】
有機層６は、例えば図２に示すように、素子形成用基板３側から順に、正孔注入層６１、正孔輸送層６２、発光層６３（６３ｒ，６３ｇ，６３ｂ）及び電子輸送層６４を積層した４層の積層構造を有するものである。
【００２７】
正孔注入層６１は、例えば、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ〔4,4,4 -tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine〕によって形成されるものである。正孔輸送層６２は、例えば、α−ＮＰＤ[4,4-bis(N-1-naphthyl-N-phenylamino)biphenyl]によって形成されるものである。なお、材料はこれに限定されず、例えばベンジジン誘導体、スチリルアミン誘導体、トリフェニルメタン誘導体、ヒドラゾン誘導体などの正孔輸送材料を用いることができる。また、正孔注入層６１及び正孔輸送層６２は、それぞれ複数層からなる積層構造であってもよい。
【００２８】
発光層６３は、ＲＧＢの色成分ごとに異なる有機発光材料によって形成されるものである。具体的には、赤色発光層６３ｒは、例えば、ホスト材料となるＡＤＮに、ドーパント材料として２，６≡ビス［（４’≡メトキシジフェニルアミノ）スチリル］≡１，５≡ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合したものにより構成される。緑色発光層６３ｇは、例えば、ホスト材料となるＡＤＮに、ドーパント材料としてクマリン６を５重量％混合したものにより構成される。青色発光層６３ｂは、例えば、ゲスト材料となるＡＤＮに、ドーパント材料として４，４’≡ビス［２≡｛４≡（Ｎ，Ｎ≡ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％混合したものにより構成される。各色の発光層６３ｒ，６３ｇ，６３ｂは、画素の色配列に応じて、サブ画素と同様の行列状、又はサブ画素の行方向に平行なスリット状に配置される。
【００２９】
電子輸送層６４は、例えば、８≡ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ3 ）によって形成されるものである。なお、有機層６については、ここで例示する４層の構造に限らず、少なくとも発光層を含む層であればよい。具体的には、有機層６は、上述した４層（正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層）の構造以外にも、図示しない電子注入層を加えた５層の構造であってもよいし、それよりも層数が少ない又は多い構造であってもよい。
【００３０】
上部電極７は、有機ＥＬ表示装置１が上面発光型である場合は、透明又は半透明の導電性材料で構成され、有機ＥＬ表示装置１が透過型である場合は、高反射性材料で構成される。
【００３１】
以上の素子形成用基板３、下部電極４、絶縁層５、有機層６、上部電極７により、有機ＥＬ素子２（赤色有機ＥＬ素子２ｒ、緑色有機ＥＬ素子２ｇ、青色有機ＥＬ素子２ｂ）が構成されている。
【００３２】
保護層８は、上部電極７や有機層６への水分の到達を防止するなどの目的で形成されるものである。このため、保護層８は、透水性及び吸水性の低い材料を用いて十分な膜厚で形成される。また、保護層８は、有機ＥＬ表示装置１が上面発光型である場合には、有機層６で発光させた光を透過させる必要があるため、例えば８０％程度の光透過率を有する材料で構成される。
【００３３】
また、上部電極７を金属薄膜で形成し、この金属薄膜の上に直接、絶縁性の保護層８を形成するものとすると、保護層８の形成材料として、無機アモルファス性の絶縁性材料、例えばアモルファスシリコン（α−Ｓｉ）、アモルファス炭化シリコン（α−ＳｉＣ）、アモルファス窒化シリコン（α−Ｓｉ1-x Ｎx ）、さらにはアモルファスカーボン（α−Ｃ）等を好適に用いることができる。このような無機アモルファス性の絶縁性材料は、グレインを構成しないため透水性が低く、良好な保護層８となる。
【００３４】
接着層９は、例えばＵＶ（紫外線）硬化型樹脂によって形成されるものである。接着層９は、対向基板１０を固着させるためのものである。
【００３５】
なお、ここでの図示は省略したが、このような構成の有機ＥＬ表示装置１にカラーフィルタを組み合わせて設ける場合には、ＲＧＢの各色に対応する有機ＥＬ素子２ｒ，２ｇ，２ｂから発せられる発光のスペクトルのピーク波長近傍の光のみを透過するカラーフィルタを、各色の有機ＥＬ素子２ｒ，２ｇ，２ｂの光取り出し面側に設けることになる。
【００３６】
＜駆動回路の構成＞
図３は有機ＥＬ表示装置の駆動回路の構成例を示す図である。有機ＥＬ表示装置１の駆動回路は、素子形成用基板３上に形成されている。さらに詳述すると、素子形成用基板３上には、画素領域を含む表示領域１１とその周辺領域１２とが設定されている。表示領域１１には、複数の走査線１３と複数の信号線１４とが縦横に配線されている。走査線１３と信号線１４の各交差部にはサブ画素１５が１つずつ設けられている。表示領域１１内には複数（多数）のサブ画素１５が行列状に並べて配置されている。素子形成用基板３上におけるサブ画素１５の並び方向は、表示画面上で垂直方向に相当する行方向（図の上下方向）と、表示画面上で水平方向に相当する列方向（図の左右方向）に分けられる。各々のサブ画素１５は、上述した有機ＥＬ素子２を含むものである。周辺領域１１には、走査線１３を走査駆動する走査線駆動回路１６と、輝度情報に応じた映像信号（すなわち入力信号）を信号線１４に供給する信号線駆動回路１７とが配置されている。
【００３７】
＜画素回路の構成＞
図４は画素回路の構成例を示す図である。この画素回路１８は、有機ＥＬ素子２に流れる電流を制御する回路である。ここでは一例として、駆動トランジスタＴｒ１、書き込みトランジスタＴｒ２及び保持容量Ｃｓを用いて、１つのサブ画素に対応する画素回路１８が構成されている。この画素回路１８では、走査線駆動回路１６の駆動により、書き込みトランジスタＴｒ２を介して信号線１４から書き込まれた映像信号が保持容量Ｃｓに保持され、保持された信号量に応じた電流が駆動トランジスタＴｒ１から有機ＥＬ素子２に供給され、この電流値に応じた輝度で有機ＥＬ素子２が発光する仕組みになっている。
【００３８】
上記構成の画素回路１８は、有機ＥＬ素子２とともに素子形成用基板３上に形成されるものである。例えば、図５に示すように、素子形成用基板３には公知の薄膜形成技術やパターニング技術等を用いて画素回路１８が形成され、この画素回路１８を覆う絶縁性の平坦化膜１９の上に有機ＥＬ素子２が形成されている。有機ＥＬ素子２の下部電極（本形態例ではアノード電極）４はコンタクト部２０を介して画素回路１８に電気的に接続されている。コンタクト部２０は、例えば、有機ＥＬ表示装置１の製造工程のなかで、素子形成用基板３上に画素回路１８を覆うように平坦化膜１９を形成した後、画素回路１８に達するように平坦化膜１９に接続孔を形成し、この接続孔に導電性材料を埋め込むことにより形成されるものである。
【００３９】
なお、上記のような画素回路の構成は、あくまでも一例であり、必要に応じて画素回路内に容量素子を設けたり、さらに複数のトランジスタを設けたりして画素回路を構成してもよい。また、周辺領域１２には、画素回路の変更に応じて必要な駆動回路を追加してもよい。
【００４０】
＜第１実施形態＞
図６は本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素のレイアウトを示す概略平面図である。
【００４１】
図６においては、素子形成用基板３上に補助電極２１が矩形の枠状に形成され、この補助電極２１の枠内、すなわち画素領域内に複数のサブ画素１５が行列状に並べて配置されている。ここでは、説明の便宜上、画素領域内に５行×５列で合計２５個のサブ画素１５を配置し、一番上の行を１行目、一番左端の列を１列目とする。
【００４２】
補助電極２１は、上記平坦化膜１９の上に下部電極４と同時に形成されるものである。補助電極２１と下部電極４は、電気的に絶縁された状態で同じ層に形成されている。補助電極２１は、当該補助電極２１の形成領域に設けられた複数のコンタクト部２２によって上部電極（本形態例ではカソード電極）７に電気的に接続されている。
【００４３】
各々のサブ画素１５には、上記画素回路１８との電気的な接続のためのコンタクト部２０が１つずつ設けられている。コンタクト部２０は、サブ画素１５の平面的な大きさ（面積）を規定する下部電極４を平面視矩形状に形成した場合に、この矩形の一辺から部分的に突出する突出部１５Ａに形成されている。このようにコンタクト部２０をサブ画素１５の突出部１５Ａに形成する理由は、次のような事情による。
【００４４】
すなわち、有機ＥＬ素子２に通電して発光させた場合、コンタクト部２０の形成部位は所望の発光状態とならない。このため、通常はコンタクト部２０の形成部位を遮蔽して非発光部としている。そうした場合、例えば突出部１５Ａを含むようにサブ画素１５の領域を拡大して、当該サブ画素１５の外形を矩形にすると、矩形の一部（コンタクト部２０の形成部位）が非発光部となり、発光画素の外形が、矩形の一部を切り欠いたような、いびつな形状になってしまう。これに対して、上述のようにサブ画素１５の突出部１５Ａにコンタクト部２０を形成すれば、発光画素の外形は矩形の整った形状となり、画像表示に適したものとなる。
【００４５】
ここで、サブ画素１５の並び方向を行方向（垂直方向）と列方向（水平方向）に分けて考えると、上記図６に示す画素のレイアウトでは、行方向で隣り合うサブ画素１５のコンタクト部２０の位置を、行方向で反転（上下反転）した状態に配置している。
【００４６】
すなわち、行方向で隣り合う１行目のサブ画素１５と２行目のサブ画素１５に関しては、１行目のサブ画素１５のコンタクト部２０が当該サブ画素１５の左下に配置され、２行目のサブ画素１５のコンタクト部２０が当該サブ画素１５の右上に配置されている。このため、１行目のサブ画素１５と２行目のサブ画素１５で、それぞれコンタクト部２０を設ける位置が行方向で反転し、かつ列方向でも反転（左右反転）している。
【００４７】
また、行方向で隣り合う２行目のサブ画素１５と３行目のサブ画素１５に関しては、２行目のサブ画素１５のコンタクト部２０が当該サブ画素１５の右上に配置され、３行目のサブ画素１５のコンタクト部２０が当該サブ画素１５の左下に配置されている。このため、２行目のサブ画素１５と３行目のサブ画素１５で、それぞれコンタクト部２０を設ける位置が行方向で反転し、かつ列方向でも反転している。
【００４８】
さらに、行方向で隣り合う３行目のサブ画素１５と４行目のサブ画素１５に関しては、上述した１行目のサブ画素１５及び２行目のサブ画素１５と同様の位置関係でコンタクト部２０が設けられ、行方向で隣り合う４行目のサブ画素１５と５行目のサブ画素１５に関しては、上述した２行目のサブ画素１５及び３行目のサブ画素１５と同様の位置関係でコンタクト部２０が設けられている。
【００４９】
これにより、１行目と２行目のサブ画素１５の各コンタクト部２０は、１行目のサブ画素１５と２行目のサブ画素１５間の領域にまとめて配置されている。また、３行目と４行目のサブ画素１５の各コンタクト部２０は、３行目のサブ画素１５と４行目のサブ画素１５間の領域にまとめて配置されている。これに対して、２行目のサブ画素１５と３行目のサブ画素１５間の領域にはコンタクト部２０が形成されておらず、４行目のサブ画素１５と５行目のサブ画素１５間の領域にもコンタクト部２０が形成されていない。
【００５０】
このような画素レイアウトを採用することにより、１行目のサブ画素１５と２行目のサブ画素１５の間には、コンタクト部２０を形成するための領域を確保する必要があるが、２行目のサブ画素１５と３行目のサブ画素１５の間には、コンタクト部２０を形成するための領域を確保する必要がなくなる。同様に、３行目のサブ画素１５と４行目のサブ画素１５の間には、コンタクト部２０を形成するための領域を確保する必要があるが、４行目のサブ画素１５と５行目のサブ画素１５の間には、コンタクト部２０を形成するための領域を確保する必要がなくなる。
【００５１】
このため、１行目と２行目のサブ画素１５は、３行目と４行目のサブ画素１５と同じ間隔で配置し、２行目と３行目のサブ画素１５は、４行目と５行目のサブ画素１５と同じ間隔で配置している。また、２行目と３行目のサブ画素１５は、１行目と２行目のサブ画素１５よりも狭い間隔で配置し、４行目と５行目のサブ画素１５は、３行目と４行目のサブ画素１５よりも狭い間隔で配置している。
【００５２】
したがって、従来（図２０参照）の画素レイアウトと比較して、より密にサブ画素１５を行方向に配置することができる。その結果、画素領域におけるサブ画素１５（下部電極４）の占有面積を広げることができる。このため、画素の高開口率化を実現することができる。画素の高開口率化は、各々の有機ＥＬ素子２に流す単位面積あたりの電流値（電流密度）を低く抑えることができるため、有機ＥＬ素子２の長寿命化に寄与するものとなる。また、同じ画素サイズで比較した場合は、より多くのサブ画素１５を画素領域内に配置することができる。このため、表示の高精細化を実現することができる。
【００５３】
＜第２実施形態＞
図７は本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素のレイアウトを示す概略平面図である。
【００５４】
この第２実施形態においては、上記第１実施形態と比較して、行方向で隣り合うサブ画素１５のコンタクト部２０の位置を、行方向で反転（上下反転）した状態に配置する点は共通しているが、列方向で隣り合うサブ画素１５のコンタクト部２０の位置関係は異なっている。すなわち、上記第１実施形態においては、列方向で隣り合うサブ画素１５のコンタクト部２０の位置を、列方向で反転せずに（つまりサブ画素１５の同じ位置）に配置しているが、本第２実施形態においては、列方向で隣り合うサブ画素１５のコンタクト部２０の位置を、列方向で反転（左右反転）した状態に配置している。
【００５５】
さらに詳述すると、本第２実施形態においては、列方向で隣り合う１列目のサブ画素１５と２列目のサブ画素１５に関して、１列目の１行目、３行目及び５行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の左下に配置され、２列目の１行目、３行目及び５行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の右下に配置されている。また、１列目の２行目及び４行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の右上に配置され、２列目の２行目及び４行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の左上に配置されている。
【００５６】
また、列方向で隣り合う２列目とサブ画素１５と３列目のサブ画素１５に関して、２列目の１行目、３行目及び５行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の右下に配置され、３列目の１行目、３行目及び５行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の左下に配置されている。また、２列目の２行目及び４行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の左上に配置され、３列目の２行目及び４行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の右上に配置されている。
【００５７】
さらに、列方向で隣り合う３列目のサブ画素１５と４列目のサブ画素１５に関しては、上述した１列目のサブ画素１５及び２列目のサブ画素１５と同様の位置関係でコンタクト部２０が設けられ、列方向で隣り合う４列目と５列目のサブ画素１５に関しては、上述した２列目のサブ画素１５及び３列目のサブ画素１５と同様の位置関係でコンタクト部２０が設けられている。
【００５８】
このような画素のレイアウトを採用した場合でも、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００５９】
＜第３実施形態＞
図８は本発明の第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素のレイアウトを示す概略平面図である。
【００６０】
この第３実施形態においては、上記第１実施形態と比較して、行方向で隣り合うサブ画素１５のコンタクト部２０の位置を、行方向で反転（上下反転）した状態に配置する点は共通しているが、行方向で隣り合うサブ画素１５の、列方向に対するコンタクト部２０の位置が異なっている。
【００６１】
すなわち、上記第１実施形態においては、行方向で隣り合うサブ画素１５のうち、一方のサブ画素１５には列方向の一方端に寄せてコンタクト部２０を配置し、他方のサブ画素１５には列方向の他方端にコンタクト部２０を配置している。これに対して、本第３実施形態においては、行方向で隣り合うサブ画素１５のうち、一方のサブ画素１５には列方向の一方端よりも画素中心側に寄せてコンタクト部２０を配置し、他方のサブ画素１５には列方向の他方端よりも画素中心側に寄せてコンタクト部２０を配置している。
【００６２】
これにより、１行目のサブ画素１５と２行目のサブ画素１５の間の領域では、各々のサブ画素１５に対応するコンタクト部２０が列方向で等間隔に配置されている。また、３行目のサブ画素１５と４行目のサブ画素１５の間の領域でも、各々のサブ画素１５に対応するコンタクト部２０が列方向で等間隔に配置されている。
【００６３】
このような画素のレイアウトを採用することにより、上記第１実施形態と同様の効果に加えて、列方向でコンタクト部２０の間隔を最大限に広く確保して、その製造性を高めることができるといった効果が得られる。
【００６４】
＜第４実施形態＞
図９は本発明の第４実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素のレイアウトを示す概略平面図である。
【００６５】
この第４実施形態においては、上記第３実施形態と比較して、列方向でコンタクト部２０を等間隔に配置する点は共通しているが、列方向で隣り合うサブ画素１５のコンタクト部２０の位置関係は異なっている。すなわち、上記第３実施形態においては、列方向で隣り合うサブ画素１５のコンタクト部２０の位置を、列方向で反転せずに（つまりサブ画素１５の同じ位置）に配置しているが、本第４実施形態においては、列方向で隣り合うサブ画素１５のコンタクト部２０の位置を、列方向で反転した状態に配置している。
【００６６】
さらに詳述すると、上記第３実施形態においては、列方向で隣り合う１列目のサブ画素１５と２列目のサブ画素１５に関して、１列目の１行目、３行目及び５行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の中心を通る仮想垂直軸よりも左寄りに配置され、２列目の１行目、３行目及び５行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の中心を通る仮想垂直軸よりも左寄りに配置されている。また、１列目の２行目及び４行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の中心を通る仮想垂直軸よりも右寄りに配置され、２列目の２行目及び４行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の中心を通る仮想垂直軸よりも右寄りに配置されている。
【００６７】
また、２列目のサブ画素１５と３列目のサブ画素１５に関しても、上記１列目のサブ画素１５及び２列目のサブ画素１５と同様の位置関係でコンタクト部２０が設けられ、３列目のサブ画素１５と４列目のサブ画素１５に関しても、上記１列目のサブ画素１５及び２列目のサブ画素１５と同様の位置関係でコンタクト部２０が設けられ、４列目のサブ画素１５と５列目のサブ画素１５に関しても、上記１列目のサブ画素１５及び２列目のサブ画素１５と同様の位置関係でコンタクト部２０が設けられている。
【００６８】
これに対して、本第４実施形態においては、列方向で隣り合う１列目のサブ画素１５と２列目のサブ画素１５に関して、１列目の１行目、３行目及び５行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の中心を通る仮想垂直軸よりも左寄りに配置され、２列目の１行目、３行目及び５行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の中心を通る仮想垂直軸よりも右寄りに配置されている。また、１列目の２行目及び４行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の中心を通る仮想垂直軸よりも右寄りに配置され、２列目の２行目及び４行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の中心を通る仮想垂直軸よりも左寄りに配置されている。
【００６９】
また、列方向で隣り合う２列目のサブ画素１５と３列目のサブ画素１５に関して、２列目の１行目、３行目及び５行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の中心を通る仮想垂直軸よりも右寄りに配置され、３列目の１行目、３行目及び５行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の中心を通る仮想垂直軸よりも左寄りに配置されている。また、２列目の２行目及び４行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の中心を通る仮想垂直軸よりも左寄りに配置され、３列目の２行目及び４行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の中心を通る仮想垂直軸よりも右寄りに配置されている。
【００７０】
また、３列目のサブ画素１５と４列目のサブ画素１５に関しては、上記１列目のサブ画素１５及び２列目のサブ画素１５と同様の位置関係でコンタクト部２０が設けられ、４列目のサブ画素１５と５列目のサブ画素１５に関しては、上記２列目のサブ画素１５及び３列目のサブ画素１５と同様の位置関係でコンタクト部２０が設けられている。
【００７１】
このような画素のレイアウトを採用した場合でも、上記第３実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００７２】
なお、列方向でコンタクト部２０を等間隔に配置するためのレイアウトとしては、上記図８や図９に示すコンタクト部２０の間隔を保ったままで、全てのコンタクト部２０の位置を列方向の一方側又は他方側にずらした形態のレイアウトであってもよい。
【００７３】
＜第５実施形態＞
図１０は本発明の第５実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素のレイアウトを示す概略平面図である。
【００７４】
この第５実施形態においては、上記第１実施形態と比較して、行方向で隣り合うサブ画素１５のコンタクト部２０の位置を、行方向で反転した状態に配置する点は共通しているが、列方向で隣り合うサブ画素１５のコンタクト部２０の位置関係は異なっている。すなわち、上記第１実施形態においては、列方向で隣り合うサブ画素１５のコンタクト部２０の位置を、行方向及び列方向で共に反転せずに（つまりサブ画素１５の同じ位置）に配置しているが、本第５実施形態においては、列方向で隣り合うサブ画素１５のコンタクト部２０の位置を、行方向及び列方向で共に反転した状態に配置している。
【００７５】
すなわち、本第５実施形態においては、列方向で隣り合う１列目のサブ画素１５と２列目のサブ画素１５に関して、１列目の１行目、３行目及び５行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の左下に配置され、２列目の１行目、３行目及び５行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の右上に配置されている。また、１列目の２行目及び４行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の右上に配置され、２列目の２行目及び４行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の左下に配置されている。
【００７６】
また、列方向で隣り合う２列目とサブ画素１５と３列目のサブ画素１５に関して、２列目の１行目、３行目及び５行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の右上に配置され、３列目の１行目、３行目及び５行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の左下に配置されている。また、２列目の２行目及び４行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の左下に配置され、３列目の２行目及び４行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の右上に配置されている。
【００７７】
さらに、列方向で隣り合う３列目のサブ画素１５と４列目のサブ画素１５に関しては、上述した１列目のサブ画素１５及び２列目のサブ画素１５と同様の位置関係でコンタクト部２０が設けられ、列方向で隣り合う４列目と５列目のサブ画素１５に関しては、上述した２列目のサブ画素１５及び３列目のサブ画素１５と同様の位置関係でコンタクト部２０が設けられている。
【００７８】
このような画素のレイアウトを採用した場合は、上記第１実施形態と同様の効果に加えて、次のような効果を得ることができる。すなわち、上記第１実施形態の場合は、上述したように１行目と２行目のサブ画素１５の間隔に比較して、２行目と３行目のサブ画素１５の間隔が狭くなっているため、ＲＧＢの色ごとにサブ画素１５を並べて配置した場合の色配列は、例えば図１１に示すような配列となる。この場合は、行方向でＲＧＢの画素間隔が広くなったり狭くなったりする部分が、画素領域全体にわたって列方向に連続して存在することになる。このため、画面の一様性（ユニフォーミティ）が損なわれる懸念がある。
【００７９】
これに対して、本第５実施形態の場合は、例えば１列目のサブ画素１５に関しては、１行目と２行目のサブ画素１５、及び３行目と４行目のサブ画素１５が、それぞれ相対的に広い間隔で配置され、２行目と３行目のサブ画素１５、及び４行目と５行目のサブ画素１５が、それぞれ相対的に狭い間隔で配置されるのに対し、２列目のサブ画素１５に関しては、２行目と３行目のサブ画素１５、及び４行目と６行目のサブ画素１５が、それぞれ相対的に広い間隔で配置され、１行目と２行目のサブ画素１５、及び３行目と４行目のサブ画素１５が、それぞれ相対的に狭い間隔で配置される。つまり、列方向で隣り合うサブ画素１５に関して、一方の列のサブ画素１５と、他方の列のサブ画素１５は、互いに１行ずつサブ画素１５の位置を相対的に列方向にずらした状態で配置されている。
【００８０】
このため、ＲＧＢの色ごとにサブ画素１５を並べて配置した場合の色配列は、例えば図１２に示すような配列となる。この場合は、行方向でＲＧＢの画素間隔が広くなったり狭くなったりする部分が、画素領域で列方向に連続せず、画素領域全体に均一に分散して存在することになる。このため、画面の一様性が良好なものとなる。
【００８１】
＜第６実施形態＞
図１３は本発明の第６実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素のレイアウトを示す概略平面図である。
【００８２】
この第６実施形態においては、上記第２実施形態と比較して、行方向で隣り合うサブ画素１５のコンタクト部２０の位置を、行方向で反転した状態に配置する点は共通しているが、列方向で隣り合うサブ画素１５のコンタクト部２０の位置関係は異なっている。すなわち、上記第２実施形態においては、列方向で隣り合うサブ画素１５のコンタクト部２０の位置を、行方向で反転せずかつ列方向で反転した状態に配置しているが、本第６実施形態においては、列方向で隣り合うサブ画素１５のコンタクト部２０の位置を、列方向で反転せずかつ行方向で反転した状態に配置している。
【００８３】
さらに詳述すると、本第６実施形態においては、列方向で隣り合う１列目のサブ画素１５と２列目のサブ画素１５に関して、１列目の１行目、３行目及び５行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の左下に配置され、２列目の１行目、３行目及び５行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の左上に配置されている。また、１列目の２行目及び４行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の右上に配置され、２列目の２行目及び４行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の右下に配置されている。
【００８４】
また、列方向で隣り合う２列目とサブ画素１５と３列目のサブ画素１５に関して、２列目の１行目、３行目及び５行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の左上に配置され、３列目の１行目、３行目及び５行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の左下に配置されている。また、２列目の２行目及び４行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の右下に配置され、３列目の２行目及び４行目に配置されたサブ画素１５のコンタクト部２０は、それぞれに対応するサブ画素１５の右上に配置されている。
【００８５】
さらに、列方向で隣り合う３列目のサブ画素１５と４列目のサブ画素１５に関しては、上述した１列目のサブ画素１５及び２列目のサブ画素１５と同様の位置関係でコンタクト部２０が設けられ、列方向で隣り合う４列目と５列目のサブ画素１５に関しては、上述した２列目のサブ画素１５及び３列目のサブ画素１５と同様の位置関係でコンタクト部２０が設けられている。
【００８６】
このような画素のレイアウトを採用した場合にも、上記第５実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００８７】
＜第７実施形態＞
図１４は本の第７実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素の色配列を示す概略図である。この第７実施形態においては、ＲＧＢに対応する３つのサブ画素１５を１つの組として単位画素を構成し、この単位画素を素子形成用基板３上に行列状に並べて配置している。そして、上記各実施形態と共通する構成要素として、行方向で隣り合うサブ画素１５のコンタクト部２０の位置を、行方向で反転した状態に配置したうえで、列方向で隣り合う単位画素のコンタクト部２０の位置を、行方向で反転した状態に配置している。これにより、ＲＧＢの色配列が図１４のような配列となる。
【００８８】
この場合も、上記第５実施形態や第６実施形態と同様に、行方向でＲＧＢの画素間隔が広くなったり狭くなったりする部分が、画素領域で列方向に連続せず、画素領域全体に均一に分散して存在することになる。このため、画面の一様性が良好なものとなる。
【００８９】
なお、上記各実施形態においては、それぞれに共通する構成要素として、行方向で隣り合うサブ画素１５のコンタクト部２０の位置を、行方向で反転した状態に配置しているが、本発明はこれに限らず、列方向で隣り合うサブ画素１５のコンタクト部２０を、列方向で反転した状態に配置してもよい。つまり、上記各実施形態においては、行方向を「第１の方向」、列方向を「第２の方向」として説明したが、これに限らず、行方向を「第２の方向」、列方向を「第１の方向」として、画素のレイアウトを設定してもよい。
【００９０】
＜適用例＞
上記構成からなる有機ＥＬ表示装置１は、図１５〜図１９に示す様々な電子機器、例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなど、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用可能である。
【００９１】
図１５は第１適用例となるテレビを示す斜視図である。本適用例に係るテレビは、フロントパネル１０２やフィルターガラス１０３等から構成される映像表示画面部１０１を含み、その映像表示画面部１０１に上記の有機ＥＬ表示装置１を適用可能である。
【００９２】
図１６は第２適用例となるデジタルカメラを示す図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。本適用例に係るデジタルカメラは、フラッシュ用の発光部１１１、表示部１１２、メニュースイッチ１１３、シャッターボタン１１４等を含み、その表示部１１２に上記の有機ＥＬ表示装置１を適用可能である。
【００９３】
図１７は第３適用例となるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。本適用例に係るノート型パーソナルコンピュータは、本体１２１に、文字等を入力するとき操作されるキーボード１２２、画像を表示する表示部１２３等を含み、その表示部１２３に上記の有機ＥＬ表示装置１を適用可能である。
【００９４】
図１８は第４適用例となるビデオカメラを示す斜視図である。本適用例に係るビデオカメラは、本体部１３１、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ１３２、撮影時のスタート／ストップスイッチ１３３、表示部１３４等を含み、その表示部１３４に上記の有機ＥＬ表示装置１を適用可能である。
【００９５】
図１９は第５適用例となる携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。本適用例に係る携帯電話機は、上側筐体１４１、下側筐体１４２、連結部（ここではヒンジ部）１４３、ディスプレイ１４４、サブディスプレイ１４５、ピクチャーライト１４６、カメラ１４７等を含み、そのディスプレイ１４４やサブディスプレイ１４５に上記の有機ＥＬ表示装置１を適用可能である。
【符号の説明】
【００９６】
１…有機ＥＬ表示装置、２…有機ＥＬ素子、３…素子形成用基板、４…下部電極、５…絶縁層、６…有機層、７…上部電極、１５…サブ画素、１８…画素回路、２０…コンタクト部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学素子と、前記電気光学素子を画素回路に電気的に接続するためのコンタクト部とを含む複数のサブ画素を行列状に並べて配置するとともに、
前記サブ画素の並び方向となる行方向及び列方向のうち、第１の方向で隣り合うサブ画素のコンタクト部の位置を、当該第１の方向で反転した状態に配置してなる
ことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記行方向及び列方向のうち、前記第１の方向と異なる第２の方向で隣り合うサブ画素のコンタクト部を、前記第２の方向で等間隔に配置してなる
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記行方向及び列方向のうち、前記第１の方向と異なる第２の方向で隣り合うサブ画素のコンタクト部の位置を、前記第１の方向で反転した状態に配置してなる
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項４】
前記複数のサブ画素は、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）に対応する３つのサブ画素を１つの組として単位画素を構成し、
前記複数の単位画素を行列状に並べて配置してなり、
前記行方向及び列方向のうち、前記第１の方向と異なる第２の方向で隣り合う前記単位画素のコンタクト部の位置を、前記第１の方向で反転した状態に配置してなる
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項５】
電気光学素子と、前記電気光学素子を画素回路に電気的に接続するためのコンタクト部とを含む複数のサブ画素を行列状に並べて配置するとともに、前記サブ画素の並び方向となる行方向及び列方向のうち、第１の方向で隣り合うサブ画素のコンタクト部の位置を、当該第１の方向で反転した状態に配置してなる表示装置を有する
ことを特徴とする電子機器。
【請求項１】
電気光学素子と、前記電気光学素子を画素回路に電気的に接続するためのコンタクト部とを含む複数のサブ画素を行列状に並べて配置するとともに、
前記サブ画素の並び方向となる行方向及び列方向のうち、第１の方向で隣り合うサブ画素のコンタクト部の位置を、当該第１の方向で反転した状態に配置してなる
ことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記行方向及び列方向のうち、前記第１の方向と異なる第２の方向で隣り合うサブ画素のコンタクト部を、前記第２の方向で等間隔に配置してなる
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記行方向及び列方向のうち、前記第１の方向と異なる第２の方向で隣り合うサブ画素のコンタクト部の位置を、前記第１の方向で反転した状態に配置してなる
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項４】
前記複数のサブ画素は、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）に対応する３つのサブ画素を１つの組として単位画素を構成し、
前記複数の単位画素を行列状に並べて配置してなり、
前記行方向及び列方向のうち、前記第１の方向と異なる第２の方向で隣り合う前記単位画素のコンタクト部の位置を、前記第１の方向で反転した状態に配置してなる
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項５】
電気光学素子と、前記電気光学素子を画素回路に電気的に接続するためのコンタクト部とを含む複数のサブ画素を行列状に並べて配置するとともに、前記サブ画素の並び方向となる行方向及び列方向のうち、第１の方向で隣り合うサブ画素のコンタクト部の位置を、当該第１の方向で反転した状態に配置してなる表示装置を有する
ことを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【公開番号】特開２０１２−２１５８９７（Ｐ２０１２−２１５８９７Ａ）
【公開日】平成２４年１１月８日（２０１２．１１．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−１３９３２４（Ｐ２０１２−１３９３２４）
【出願日】平成２４年６月２１日（２０１２．６．２１）
【分割の表示】特願２００７−２７８２９０（Ｐ２００７−２７８２９０）の分割
【原出願日】平成１９年１０月２６日（２００７．１０．２６）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１１月８日（２０１２．１１．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年６月２１日（２０１２．６．２１）
【分割の表示】特願２００７−２７８２９０（Ｐ２００７−２７８２９０）の分割
【原出願日】平成１９年１０月２６日（２００７．１０．２６）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
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