【課題】有機ＥＬ素子を用いた表示装置において、金属を接合部材として用いることによって外部の水分や酸素の影響を防止すると同時に、金属接合部に起因する寄生容量の発生を防止する。
【解決手段】有機ＥＬ素子を形成した第１基板２６と、第２基板２７とを、共通電極１１を介して金属接合部２５により接合する。 （もっと読む）

【課題】本発明者らは、前面に発光できる有機発光素子において、素子の発光層から出る光に対して透過度（ｔｒａｎｓｍｉｔｔａｎｃｅ）が８０％以上である上部電極を使う場合であっても、上部電極と空気層との間の屈折率の差によってｍｉｃｒｏｃａｖｉｔｙ ｅｆｆｅｃｔを示すことができ、この場合、上部電極上にさらに層を形成して光路長を調節することができるという事実を明らかにした。このような方法により、従来技術に比べて遥かに容易に光路長を調節して、発光効率に優れた有機発光素子を提供することができる。
【解決手段】前記目的を達成するために、本発明は、下部電極、発光層をはじめとする１層以上の有機物層、および上部電極を含む有機発光素子であって、赤色、緑色および青色が各々透過する領域のうちの少なくとも一つの領域の前記上部電極上に屈折率が１．３〜３である層がさらに備えられることを特徴とする有機発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、新規の構成を有する画素回路を用いることにより、従来
の構成の画素よりも高い開口率を実現することを目的とする。
【解決手段】ｉ行目を除くゲート信号線の電位は、ｉ行目のゲート信号線１０６が選択さ
れている以外の期間においては定電位となっていることを利用し、ｉ−１行目のゲート信
号線１１１をｉ行目のゲート信号線１０６によって制御されるＥＬ素子１０３への電流供
給線として兼用することで配線数を減らし、高開口率を実現する。 （もっと読む）

【課題】額縁の領域をより狭くすることを可能とした表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の表示装置は、配列された複数の表示素子（１２０）と外周側に電源の配線層（１０７）とを有する基板（１００）と、表示素子の相互間を分離するバンク層（１１３）と、複数の表示素子とバンク層とを覆う電極層（１２３）と、基板の外周部分と外周を一周する封止部（２０２）において接着剤などの接合手段（３０１）を介して接合して電極層を更に覆う封止基板（２００）と、を備え、封止基板の外周を基板の外周の内側に位置し、電極層の外周部を封止基板の封止部（ｂ＋ｃ）内にて電源の配線（１０７）と接続する。それにより、電極（１２３）と配線（１０７）との接続領域（ｃ）を基板と封止基板との接合領域（ｂ＋ｃ）として活用し、ガスバリア等のために所要の接合幅を確保しつつ表示装置の額縁の構成要素となる部分を減らす。 （もっと読む）

【課題】隣接する開口部の内部へ有機半導体インクを塗布した際に、互いのインクの混合を抑制し、高い品質を備える薄膜トランジスタ装置とその製造方法、有機ＥＬ表示素子、および有機ＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】隔壁１０１６における開口部１０１６ｂを臨む側面部のうち、隣接する開口部１０１６ｃの側の側面部１０１６ｅは、側面部１０１６ｄを含む他の側面部よりも傾斜が相対的に急峻な斜面となっている。隔壁１０１６における開口部１０１６ｃを臨む側面部のうち、隣接する開口部１０１６ｂの側の側面部１０１６ｆは、側面部１０１６ｇを含む他の側面部よりも傾斜が急峻な斜面となっている。開口部１０１６ｂと開口部１０１６ｃとの各内部に対して、有機半導体インクを塗布した場合、Ｘ軸方向に互いに離れる方向に偏った表面プロファイルを有することになる。 （もっと読む）

【課題】抵抗負荷型インバータを用いて画素の点灯又は非点灯を制御すると、抵抗負荷型
インバータを構成するトランジスタの特性のバラツキにともなって、画素毎の発光にばら
つきが生じる。
【解決手段】画素内のインバータとしてＮチャネル型トランジスタとＰチャネル型トラン
ジスタを用いてＣＭＯＳインバータを適用する。ＣＭＯＳインバータを構成するトランジ
スタの特性がばらつき、インバータ伝達特性がばらついても、画素の点灯又は非点灯の制
御に影響を与えることがなくなり、画素毎の発光のばらつきを無くすことができる。また
、インバータの片方の電源電位として走査線の信号電位を用いることにより画素の開口率
を高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】画素部に形成される画素電極や走査線（ゲート線）及びデータ線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供する。
【解決手段】半導体膜107と基板との間に第１の絶縁膜を介して設けられた第１の配線102を、半導体膜107と重ねて設け、遮光膜として用いる。さらに半導体膜上にゲート絶縁膜として用いる第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜上にゲート電極と第２の配線134を形成する。第１及び第２の配線は、第１及び第２の絶縁膜を介して交差する。第２の配線134の上層には、層間絶縁膜として第３の絶縁膜を形成し、その上に画素電極147を形成する。画素電極147は、第１の配線及び第２の配線とオーバーラップさせて形成することが可能であり、反射型の表示装置において画素電極147の面積を大型化できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は改良された性能を提供しつつ簡単な制御構造を有するＯＬＥＤ制御装置を提供することを目的とする。
【解決手段】制御信号に応答してフレーム期間内で蓄積回路に輝度値を蓄積する制御回路を含む、ＬＥＤ表示画素を制御するためのアクティブマトリクス回路。駆動回路が蓄積回路に応答してＬＥＤの電流を制御して輝度値により決定される輝度レベルで発光させる。蓄積回路に接続された輝度値減少回路がフレーム期間における蓄積回路に蓄積された輝度値の制御された減少をもたらす。 （もっと読む）

【課題】消費電力が抑制された表示装置を提供することを課題の一とする。また、消費電力が抑制された自発光型の表示装置を提供することを課題の一とする。また、暗所でも長時間の利用が可能な、消費電力が抑制された自発光型の表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】高純度化された酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタで回路を構成し、画素が一定の状態（映像信号が書き込まれた状態）を保持することを可能とする。その結果、静止画を表示する場合にも安定した動作が容易になる。また、駆動回路の動作間隔を長くできるため、表示装置の消費電力を低減できる。また、自発光型の表示装置の画素部に蓄光材料を適用し、発光素子の光を蓄えれば、暗所でも長時間の利用が可能になる。 （もっと読む）

【課題】画面が高精細になり、また画面が大画面化した場合でも、各画素の充電期間を充分に確保できるとともに、開口率の低下を抑えることが可能な電気光学装置を提供する。
【解決手段】複数のデータ線と、複数の走査線と、データ線と走査線とが交わる領域に設けられ、発光素子を含む複数の画素領域と、を備え、発光素子を発光させるための画素回路を１つだけ備える画素領域が１行おきに設けられ、１つの画素回路を備える画素領域の間の行に、発光素子を発光させるための画素回路を２つ備える画素領域が１行おきに設けられ、２つの画素回路を備える画素領域は、一方の画素回路で発光素子を発光させている期間に他方の画素回路で該発光素子を発光させるための書き込み処理を実行することを特徴とする、電気光学装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】開口率の高い表示装置又は素子の面積の大きい半導体装置を提供することを課題
とする。
【解決手段】隣接する画素電極（又は素子の電極）の間に設けられた配線との下方にマル
チゲート構造のＴＦＴのチャネル形成領域を設ける。そして、複数のチャネル形成領域の
チャネル幅の方向を前記画素電極の形状における長尺方向と平行な方向とする。また、チ
ャネル幅の長さをチャネル長の長さよりも長くすることでチャネル形成領域の面積を大き
くする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造コストを低減することを課題の一とする。半導体装置の開口率
を向上することを課題の一とする。半導体装置の表示部を高精細化することを課題の一と
する。高速駆動が可能な半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と表示部とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極
及びドレイン電極が金属によって構成され、且つチャネル層が酸化物半導体によって構成
された駆動回路用ＴＦＴと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有すればよい。
また、当該表示部はソース電極及びドレイン電極が酸化物導電体によって構成され、且つ
半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用ＴＦＴと、酸化物導電体によって構成
された表示部用配線とを有すればよい。 （もっと読む）

【課題】開口部をシンプルにしてシュリンクの問題を解決する。
【解決手段】駆動トランジスタと、スイッチングトランジスタと、消去用トランジスタと、を画素内に有する３トランジスタ型の発光装置の場合において、スイッチング用ＴＦＴ５５０５と消去用ＴＦＴ５５０６の２つのＴＦＴを、第１のゲート信号線５５０２と第２のゲート信号線５５０３の間に配置する。このように配置することで開口率を上げ、開口部もシンプルな形状にすることが出来る。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを具備する画素において、開口率の向上
を図ることのできる発光表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】薄膜トランジスタ、及び発光素子を有する複数の画素を有し、画素は、走査
線として機能する第１の配線に電気的に接続されており、薄膜トランジスタは、第１の配
線上にゲート絶縁膜を介して設けられた酸化物半導体層を有し、酸化物半導体層は、第１
の配線が設けられた領域をはみ出て設けられており、発光素子と、酸化物半導体層とが重
畳して設けられる。 （もっと読む）

【課題】発光素子の劣化を極力抑えるための構造を提供すると共に、各画素に必要とされ
る容量素子（コンデンサ）を十分に確保するための構造を提供する。
【解決手段】トランジスタ上に、第１パッシベーション膜、第２の金属層、平坦化膜、バ
リア膜及び第３の金属層の順に積層され、平坦化膜に設けられた第１開口部の側面がバリ
ア膜に覆われ、第１開口部の内側に第２開口部を有し、かつ、第３の金属層は前記第１開
口部及び第２開口部を介して前記半導体に接続され、トランジスタの半導体、ゲート絶縁
膜、ゲート電極、第１パッシベーション膜及び前記第２の金属層で積層形成された容量素
子を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、保持容量を十分に確保することができ、高品質な画像を表示可能とする。
【解決手段】ゲート電極３０ｇと電気的に接続された走査線３ａと、データ線側ソースドレイン領域３０ｓと電気的に接続されたデータ線６ａと、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄと電気的に接続された画素電極２７と、容量線３ｂに電気的に接続された第１容量電極１６ａと、第１容量電極１６ａと対向して設けられた第２容量電極１６ｃと、第１容量電極１６ａと第２容量電極１６ｃとに挟持された誘電体層１６ｂと、を有する容量素子１６と、を備え、トランジスター３０と走査線３ａとデータ線６ａとが設けられた層と、画素電極２７が設けられた層との間において、第１容量電極１６ａは、誘電体層１６ｂ及び第２容量電極１６ｃに覆われて配置されている。 （もっと読む）

【課題】高精細、高開口率を有する発光装置を提供する。
【解決手段】トランジスタを有し、トランジスタ上に、層間絶縁膜を有し、層間絶縁膜上に、電極を有し、電極の端部上、及び層間絶縁膜上に、絶縁物を有し、電極上、及び絶縁物上に、赤色の発光層を有し、封止基板を有し、層間絶縁膜は、コンタクトホールを有し、電極は、コンタクトホールに設けられた領域を有し、電極は、トランジスタと、電気的に接続され、赤色の発光層は、絶縁物上に第１の領域を有し、第１の領域上で重なる、緑色の発光層、又は青色の発光層を有し、封止基板は、赤色のカラーフィルタを有し、封止基板は、遮光部を有し、赤色のカラーフィルタは、赤色の発光層と重なる領域を有し、遮光部は、赤色のカラーフィルタと接する領域を有し、遮光部は、第１の領域と重なる領域を有し、遮光部は、コンタクトホールに設けられた電極と重なる領域を有する。 （もっと読む）

【課題】ＥＬ層の劣化を抑制し、陽極などの電極のエッジ部における電界集中の影響を抑制させた軽量な発光装置。
【解決手段】基板上に薄膜トランジスタを有し、薄膜トランジスタ上に絶縁膜を有する。絶縁膜はコンタクトホールを有し、コンタクトホールを介して、陽極が薄膜トランジスタと電気的に接続されている。当該コンタクトホール内には、陽極及び別の絶縁膜を有し、当該陽極はコンタクトホール内で凹形状となる。別の絶縁膜は、樹脂を有することができ、凹形状を埋めることができる。 （もっと読む）

【課題】開口率が向上した表示装置およびこれを備えた電子機器を提供する。
【解決手段】本技術の表示装置は、単一色の画素を含む第１領域と、互いに共通な発光層を含む有機層を有すると共に、画素とは異なる複数色の画素を含む第２領域と、第１領域および第２領域を分離する隔壁とを備える。 （もっと読む）