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Fターム[3K107CC36]の内容

エレクトロルミネッセンス光源 (181,921) | 目的、効果 (41,328) | 表示性能 (7,327) | 高開口率化 (484)

Fターム[3K107CC36]に分類される特許

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【課題】開口率が向上した表示装置およびこれを備えた電子機器を提供する。
【解決手段】本技術の表示装置は、単一色の画素を含む第1領域と、互いに共通な発光層を含む有機層を有すると共に、画素とは異なる複数色の画素を含む第2領域と、第1領域および第2領域を分離する隔壁とを備える。 (もっと読む)


【課題】画素部に形成される画素電極やゲート配線及びソース配線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁表面上のゲート電極及びソース配線と、前記ゲート電極及びソース配線上の第1の絶縁層と、前記第1の絶縁膜上の半導体層と、前記半導体膜上の第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層上の前記ゲート電極と接続するゲート配線と、前記ソース電極と前記半導体層とを接続する接続電極と、前記半導体層と接続する画素電極とを有することを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】同一基板上に駆動回路と画素部を形成した場合において、さらなる狭額縁化を図ることを課題とする。また、大型基板を用いた多面取りに有利な構造を有する発光装置とし、面取り数を増やして生産性を上げることを課題とする。また、フルカラーの発光装置において、R(赤色)、G(緑色)、B(青色)の発光素子のそれぞれの信頼性が異なっている場合において、3種類の発光素子の信頼性をほぼ同一とすることも課題とする。
【解決手段】本発明は、周辺回路部309と重なる位置に端子電極310を設け、該端子電極と、FPC306とを異方性導電接着材で接続する。加えて、基板301の端面および基板周縁部に接するシール材304でカバー材303を固着する。また、3種類の発光素子の信頼性をほぼ同一とするため、他の発光素子の信頼性に比べて低い発光素子の発光面積のみを拡大する。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と、表示部(画素部ともいう)とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極及びドレイン電極が金属によって構成され且つチャネル層が酸化物半導体によって構成された駆動回路用チャネルエッチ型薄膜トランジスタと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有し、当該表示部は、ソース電極層及びドレイン電極層が酸化物導電体によって構成され且つ半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用ボトムコンタクト型薄膜トランジスタと、酸化物導電体によって構成された表示部用配線とを有する半導体装置である。多階調マスクを用いたフォトリソグラフィ工程を用いることで、作製工程を簡略化できる。 (もっと読む)


【課題】高精細な発光装置を提供する。
【解決手段】第1の電極の一方の端部上の領域と、第1の電極の一方の端部と隣合った第2の電極の一方の端部上の領域と、第1の電極の一方の端部と第2の電極の一方の端部の間の領域とを覆う絶縁物領域と、第1の電極および絶縁物領域の上に形成された第1の発光層と、第2の電極および絶縁物領域の上に形成された第2の発光層と、が設けられた第1の基板と、第1の基板と対し、カラーフィルタが設けられた第2の基板と、を有し、絶縁物領域および第1の電極の上で第1の発光層と第2の発光層が重なっており、カラーフィルタは、第1の発光層と対向して設けられた第1の着色層と、第2の着色層と、第1の着色層と第2の着色層の間に、絶縁物領域および第1の電極の上で第1の発光層と第2の発光層が重なっている領域と対向して設けられた遮光部とを有する。 (もっと読む)


【課題】活性層となる酸化物導電体層への光の入射を防ぎ、TFT特性の低下を抑制することが可能な表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本技術の表示装置は、活性層が酸化物導電体よりなる薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタ上に設けられた発光素子と、薄膜トランジスタおよび発光素子の各端面、並びに発光素子の上面の一部を覆う遮光膜とを備える。 (もっと読む)


【課題】開口率の向上された発光装置である。
【解決手段】薄膜トランジスタと、容量と、発光素子と、発光素子へ電流を供給することができる機能を有する配線とを、プラスチック基板上に有する発光装置であって、配線は、容量の上に設けられ、容量は、配線の少なくとも一部と重なる領域を有する。発光素子は、陰極と、陽極と、陰極と陽極との間に設けられたEL材料とを有し、容量は、第2の領域と、第2の領域上に第1の絶縁膜を介して設けられる第3の領域とを有する。第1の絶縁膜は、薄膜トランジスタのゲート絶縁膜となり、さらに容量の絶縁膜となることができる。 (もっと読む)


【課題】開口率を向上することができるEL表示装置である。
【解決手段】薄膜トランジスタと、容量と、発光素子と、発光素子へ電流を供給することができる機能を有する配線と有するEL表示装置である。発光素子は、陰極と、陽極と、陰極と陽極との間に設けられたEL材料とを有し、容量は、第2の領域と、第2の領域上に第1の絶縁膜を介して設けられる第3の領域とを有する。第1の絶縁膜は、薄膜トランジスタのゲート絶縁膜となり、さらに容量の絶縁膜となることができる。 (もっと読む)


【課題】半導体装置において生じるTFTのバラツキを低減する。
【解決手段】トランジスタと、第1のソース配線と、隣り合う第2のソース配線と、電源供給線とを有し、第1のソース配線は、トランジスタと電気的に接続することができ、記トランジスタは、チャネル形成領域を有し、チャネル形成領域は、電源供給線と重なる領域を有し、チャネル形成領域は、第2のソース配線と重なる領域を有し、電源供給線は、第2のソース配線と重ならない半導体装置である。その結果、チャネル長Lに対するチャネル幅Wの比が0.1〜0.01であるTFTを提供することができ、各TFT間のバラツキを低減することができる。さらに、電源供給線は第1のソース配線よりも幅の広い領域を有し、電源供給線は、第2のソース配線よりも幅の広い領域を有する。 (もっと読む)


【課題】歩留まりや信頼性の低下を防止すると共に構成部材である有機EL素子の性能を向上させるための有機EL装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】下部電極21と、上部電極と、前記下部電極21と前記上部電極との間に配置される有機化合物層と、からなる有機EL素子を有する画素を複数備える有機EL装置の製造方法において、前記下部電極21が設けられた基板上に保護層を形成する工程と、少なくとも一部の画素に対応する領域に開口部31を有するマスク30を前記保護層に密着させた状態で、前記開口部31に対応する領域に設けられている保護層を選択的に除去する工程と、前記保護層が除去された領域において、前記下部電極21上に有機化合物層を形成する工程と、を有することを特徴とする、有機EL装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】画像表示フレームにおいて画像にちらつきが生じ難い画像表示装置の駆動方法を提供することにある。
【解決手段】画像表示装置は、第1、第2、第3及び第4副画素から構成された画素が、2次元マトリクス状に配列されて成る画像表示パネルと、信号処理部とを備えており、3原色に第4の色を加えることで拡大されたHSV色空間における彩度Sを変数とした明度の最大値Vmax(S)が求められており、第i番目のフレームにあっては、信号処理部において、複数の画素における副画素・入力信号値に基づき彩度Si及び明度Vi(S)を求め、Vmax(S)/Vi(S)の少なくとも1つの値に基づいて伸長係数αi-0を求め、第(i−j)番目のフレームにおいて既に適用された補正伸長係数α’(i-j)-0と、第i番目のフレームにおいて求められた伸長係数αi-0とに基づき、補正伸長係数α’i-0を決定する。 (もっと読む)


【課題】従来と比べてより狭額縁化を図ることが可能な表示装置等を提供する。
【解決手段】表示装置は、有効表示領域と、この有効表示領域の外縁に位置する額縁領域とを有する表示パネルと、この表示パネルの観察面側に配設され、少なくとも周縁領域の一部分にレンズ機能部を有するレンズ部材とを備えている。レンズ部材におけるレンズ機能部側の外形線が、表示パネルにおける額縁領域の外形線よりも外側に配置されている。 (もっと読む)


【課題】駆動回路等を制御するための駆動制御信号の信号線を基板の所定部位に配設することで、基板面の有効利用と、駆動制御信号への外的影響を防止ないし抑制することが可能な表示装置、及びそれを備えた電子機器を提供する。
【解決手段】基板20上に、バンク層221と該バンク層221により区画形成された凹状区画領域223とを所定のマトリクスパターンで配列するとともに、表示部たる画素部110に、表示に寄与する実画素部111と、表示に寄与しないダミー画素部112とを構成する。さらに基板20上には、走査線を導通する走査信号の出力制御を行う走査線駆動回路80と、該走査線駆動回路80を駆動させるための駆動制御信号が導通する駆動制御信号導通部320とが設けられ、基板20を平面視した場合に、駆動制御信号導通部320が、少なくともダミー画素部112のバンク層221と重畳配置する部分を含むように配置されている。 (もっと読む)


【課題】高い開口率を有し、安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼
性のよい表示装置を作製し、提供することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と、表示部(画素部ともいう)とを有し、当該駆動
回路部は、ソース電極及びドレイン電極が金属によって構成され且つチャネル層が酸化物
半導体によって構成された駆動回路用薄膜トランジスタと、金属によって構成された駆動
回路用配線とを有し、当該表示部は、ソース電極層及びドレイン電極層が酸化物導電体に
よって構成され且つ半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用薄膜トランジスタ
と、酸化物導電体によって構成された表示部用配線とを有する。 (もっと読む)


【課題】開口率を増大させて寿命を向上させ、知覚画質が低下するという問題を改善できる有機発光表示装置を提供する。
【解決手段】六角形構造に配置された複数のサブピクセルと、サブピクセルにそれぞれ備えられた複数の有機発光素子とを備え、複数のサブピクセルは、第1色の光を放出する複数の第1サブピクセルと、第1色と異なる第2色の光を放出する複数の第2サブピクセルと、第1色及び第2色と異なる第3色の光を放出する複数の第3サブピクセルとを備え、互いに隣接した一つの第1サブピクセル、一つの第2サブピクセル及び一つの第3サブピクセルの各中心が三角形をなすが、三角形の三辺のうち一辺の長さが残りの辺より短いことを特徴とする有機発光表示装置である。 (もっと読む)


【課題】接続孔での短絡を抑えると共に開口率を向上させることが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】基板に、複数の有機発光素子の各々に対応して形成された駆動素子と、前記有機発光素子の発光領域内の第1接続孔を有し、前記第1接続孔の側面が順テーパー形状である1層以上の平坦化膜と、前記複数の有機発光素子の各々に対応して、前記第1接続孔を含む領域に形成された下部電極と、発光層を含む有機層と、上部電極とを備えた表示装置。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と、表示部(画素部ともいう)とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極及びドレイン電極が金属によって構成され且つチャネル層が酸化物半導体によって構成された駆動回路用チャネルエッチ型薄膜トランジスタと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有し、当該表示部は、ソース電極層及びドレイン電極層が酸化物導電体によって構成され且つ半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用チャネル保護型薄膜トランジスタと、酸化物導電体によって構成された表示部用配線とを有する半導体装置である。半導体装置に設けられる該薄膜トランジスタは多階調マスクによって形成されたレジストマスクを用いて作製する。 (もっと読む)


【課題】表示装置を大型化した場合でも発光領域を減少させることなく、安定して電圧を供給することができるとともに、製造工程を簡略化した狭額縁化された有機EL素子、有機EL素子の製造方法、有機EL表示装置を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成された複数の第1電極と、複数の第1電極のうち一つ以上の第1電極上に形成され、外部と電気的に接続する複数のコンタクト部と、複数の第1電極及び複数のコンタクト部を区画して形成された複数の隔壁と、複数の第1電極及び複数のコンタクト部上に形成された複数の有機発光層と、複数のコンタクト部及び複数の有機発光層上に形成された複数の第2電極と、を備えることを特徴とする有機EL素子。 (もっと読む)


【課題】短チャネルを実現し、薄膜トランジスタの性能を向上させる酸化物薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による酸化物薄膜トランジスタの製造方法は、基板110上に第1導電膜からなるゲート電極121及びゲートライン116を形成する段階と、ゲート電極121及びゲートライン116が形成された基板110上にゲート絶縁膜115aを形成する段階と、ハーフトーン露光を用いて、ゲート絶縁膜115aが形成されたゲート電極121の上部に第2導電膜からなるソース電極122、第1ドレイン電極123、及び第1データライン117を形成し、かつ第1ドレイン電極123の延長部及び第1データライン117上に第3導電膜からなる第2ドレイン電極123’及び第2データライン117’を形成する段階と、ソース電極122及び第1ドレイン電極123上に酸化物半導体からなるアクティブ層124を形成する段階とを含む。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを具備する画素において、開口率の向上
を図ることのできる発光表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】薄膜トランジスタ、及び発光素子を有する複数の画素を有し、画素は、走査
線として機能する第1の配線に電気的に接続されており、薄膜トランジスタは、第1の配
線上にゲート絶縁膜を介して設けられた酸化物半導体層を有し、酸化物半導体層は、第1
の配線が設けられた領域をはみ出て設けられており、発光素子と、酸化物半導体層とが重
畳して設けられる。 (もっと読む)


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