表示装置
【課題】接続孔での短絡を抑えると共に開口率を向上させることが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】基板に、複数の有機発光素子の各々に対応して形成された駆動素子と、前記有機発光素子の発光領域内の第１接続孔を有し、前記第１接続孔の側面が順テーパー形状である１層以上の平坦化膜と、前記複数の有機発光素子の各々に対応して、前記第１接続孔を含む領域に形成された下部電極と、発光層を含む有機層と、上部電極とを備えた表示装置。
【解決手段】基板に、複数の有機発光素子の各々に対応して形成された駆動素子と、前記有機発光素子の発光領域内の第１接続孔を有し、前記第１接続孔の側面が順テーパー形状である１層以上の平坦化膜と、前記複数の有機発光素子の各々に対応して、前記第１接続孔を含む領域に形成された下部電極と、発光層を含む有機層と、上部電極とを備えた表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に複数の有機発光素子を形成する表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶ディスプレイに代わる表示装置として、有機発光素子を用いた有機ＥＬ表示装置が実用化されている。有機ＥＬ表示装置は、自発光型であるので、液晶などに比較して視野角が広く、また、高精細度の高速ビデオ信号に対しても十分な応答性を有するものと考えられている。
【０００３】
従来の有機ＥＬ表示装置では、下部電極と上部電極との短絡を防止するため、下部電極の周囲に画素分離絶縁膜を形成している（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−１７５２００号公報
【特許文献２】特開２００１−１１０５７５号公報
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】「５８．１：Invited Paper:Views on the Present and Future Promise of OLED Displays」、Nobuki Ibaraki，外１名、「ＳＩＤ ０６ ＤＩＧＥＳＴ」、ｐ．１７６０−１７６３
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、画素分離絶縁膜を設けることにより開口率が低下してしまうという問題があり、有機発光材料の寿命という観点から開口率を上げることが望まれていた。
【０００７】
ちなみに、特許文献２では、下部電極の側面を順テーパー形状にすることによって上部電極と下部電極との短絡を防止することが記載されている。しかしながら、下部電極は、平坦化層に設けられた接続孔（コンタクトホール）を介して駆動素子との電気的接続をとることが必要であり、この接続孔でも上部電極と下部電極との短絡の可能性があった。
【０００８】
また、従来では、下部電極および画素分離絶縁膜はフォトリソグラフィにより成形されており、位置精度が高いのに対して、発光層を含む有機層は蒸着マスクを用いた蒸着法により形成されていた。そのため、大型化した場合に、蒸着マスクの歪みによる有機層の蒸着位置ズレが大きくなっていた。
【０００９】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、接続孔での短絡を抑えると共に開口率を向上させることが可能な表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明による表示装置は、基板に、複数の有機発光素子の各々に対応して形成された駆動素子と、有機発光素子の発光領域内の第１接続孔を有し、第１接続孔の側面が順テーパー形状である平坦化膜と、複数の有機発光素子の各々に対応して、第１接続孔を含む領域に形成された下部電極と、発光層を含む有機層と、上部電極とを備えたものである。
【００１１】
本発明による表示装置では、平坦化膜の第１接続孔の側面が順テーパー形状であると共に、この第１接続孔を含む領域に下部電極が形成されているので、第１接続孔での下部電極と上部電極との短絡が抑えられると共に開口率が向上する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の表示装置によれば、平坦化膜の第１接続孔の側面を順テーパー形状とすると共に、この第１接続孔を含む領域に下部電極を形成するようにしたので、第１接続孔での下部電極と上部電極との短絡を抑えると共に開口率を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表す図である。
【図２】図１に示した画素駆動回路の一例を表す図である。
【図３】図１に示した表示領域の構成を表す断面図である。
【図４】図１に示した表示装置の製造方法を工程順に表す断面図である。
【図５】図４に続く工程を表す断面図である。
【図６】図５に続く工程を表す断面図である。
【図７】図６に続く工程を表す断面図である。
【図８】図７に続く工程を表す断面図である。
【図９】図８に続く工程を表す断面図である。
【図１０】図９に続く工程を表す断面図である。
【図１１】図１０に続く工程を表す断面図である。
【図１２】図１１に続く工程を表す断面図である。
【図１３】図１２に続く工程を表す断面図である。
【図１４】図１３に続く工程を表す断面図である。
【図１５】図１４に続く工程を表す断面図である。
【図１６】図１５に続く工程を表す断面図である。
【図１７】図１６に続く工程を表す断面図である。
【図１８】図１７に続く工程を表す断面図である。
【図１９】本発明の第２の実施の形態に係る表示装置の表示領域の構成を表す断面図である。
【図２０】接続孔と下部電極との平面的位置関係を説明するための図である。
【図２１】図１９に示した表示装置の製造方法を工程順に表す断面図である。
【図２２】図２１に続く工程を表す断面図である。
【図２３】図２２に続く工程を表す断面図である。
【図２４】図２３に続く工程を表す断面図である。
【図２５】図２４に続く工程を表す断面図である。
【図２６】図２５に続く工程を表す断面図である。
【図２７】図２６に続く工程を表す断面図である。
【図２８】図１０に続く工程を表す断面図である。
【図２９】変形例１に係る表示装置の製造方法を工程順に表す断面図である。
【図３０】図２９に続く工程を表す断面図である。
【図３１】図３０に続く工程を表す断面図である。
【図３２】変形例２に係る表示装置の表示領域の構成を表す断面図である。
【図３３】変形例３に係る表示装置の表示領域の構成を表す断面図である。
【図３４】変形例４に係る表示装置の表示領域の構成を表す断面図である。
【図３５】変形例５に係る表示装置の表示領域の構成を表す断面図である。
【図３６】変形例６に係る表示装置の表示領域の構成を表す断面図である。
【図３７】変形例７に係る表示装置の表示領域の構成を表す断面図である。
【図３８】変形例８に係る表示装置の表示領域の構成を表す断面図である。
【図３９】本発明の第２の実施の形態に係る表示装置の製造方法を工程順に表す断面図である。
【図４０】図３９に続く工程を表す断面図である。
【図４１】図４０に続く工程を表す断面図である。
【図４２】図４１に続く工程を表す断面図である。
【図４３】従来の蒸着マスクと下部電極との平面的位置関係を説明するための図である。
【図４４】図４３の画面中央および画面端における断面図である。
【図４５】上記実施の形態の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。
【図４６】上記実施の形態の表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。
【図４７】（Ａ）は適用例２の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図４８】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図４９】適用例４の外観を表す斜視図である。
【図５０】（Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（下部電極材料膜をエッチングするためのフォトレジスト膜、および画素分離絶縁膜を形成するための感光性膜を、蒸着マスクを用いて露光する例）
２．第２の実施の形態（接続孔の側面を順テーパー形状とすると共に、この接続孔を含む領域に下部電極を形成した例）
３．変形例
４．第３の実施の形態（下部電極を、蒸着マスクを用いた電子ビーム蒸着法またはスパッタ法により形成する例）
【００１５】
＜第１の実施の形態＞
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る有機発光素子を用いた表示装置の構成を表すものである。この表示装置は、極薄型の有機発光カラーディスプレイ装置などとして用いられるものであり、例えば、ガラスなどの基板１１の上に、後述する複数の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂがマトリクス状に配置されてなる表示領域１１０が形成されたものである。表示領域１１０の周辺には、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が形成されている。
【００１６】
表示領域１１０内には画素駆動回路１４０が形成されている。図２は、画素駆動回路１４０の一例を表したものである。この画素駆動回路１４０は、後述する下部電極１３の下層に形成され、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、その間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓと、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された有機発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）とを有するアクティブ型の駆動回路である。駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、一般的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））により構成され、その構成は例えば逆スタガ構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガ構造（トップゲート型）でもよく特に限定されない。
【００１７】
画素駆動回路１４０において、列方向には信号線１２０Ａが複数配置され、行方向には走査線１３０Ａが複数配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの交差点が、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか一つ（サブピクセル）に対応している。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。
【００１８】
図３は、表示領域１１０の断面構成の一例を表したものである。表示領域１１０には、赤色の光を発生する有機発光素子１０Ｒと、緑色の光を発生する有機発光素子１０Ｇと、青色の光を発生する有機発光素子１０Ｂとが、順に全体としてマトリクス状に形成されている。有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、長方形の平面形状を有し、各色別に長手方向（列方向）に配列されている。
【００１９】
有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、それぞれ、基板１１の側から、上述した画素駆動回路１４０の駆動トランジスタＴｒ１および平坦化膜１２を間にして、陽極としての下部電極１３、画素分離絶縁膜１４、赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢを含む有機層１５、および陰極としての上部電極１６がこの順に積層された構成を有している。
【００２０】
このような有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、窒化ケイ素（ＳｉＮx ）などの保護膜１７により被覆され、更にこの保護膜１７上に、熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂などよりなる接着層３０を間にして、ガラスなどよりなる封止用基板２０が全面にわたって貼り合わされることにより封止されている。
【００２１】
平坦化膜１２は、画素駆動回路１４０が形成された基板１１の表面を平坦化するためのものであり、例えば、アクリル，ポリイミド等の有機材料、あるいは酸化シリコン（ＳｉＯ２ ）または酸化窒素（Ｓｉ3Ｎ4）などの無機材料により構成されている。平坦化膜１
２には、駆動トランジスタＴｒ１と下部電極１３との電気的接続をとるための接続孔１２Ａが設けられている。
【００２２】
下部電極１３は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各々に対応して形成されている。下部電極１３は、例えば、赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢで発生した光を下部電極１３側から取り出す場合（ボトムエミッション）には、ＩＴＯ（インジウム・スズ複合酸化物；Indium Tin Oxide），ＩＺＯ（インジウム・亜鉛複合酸化物），またはＳｎＯ2などの透明電極により構成されている。一方、赤色発光
層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢで発生した光を上部電極１６側から取り出す場合（トップエミッション）には、下部電極１３は、金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），クロム（Ｃｒ），銅（Ｃｕ），タングステン（Ｗ），アルミニウム（Ａｌ），モリブデン（Ｍｏ）あるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金よりなる反射電極により構成されている。また、下部電極１３は、透明電極と反射電極との複合膜により構成されていてもよい。
【００２３】
平坦化膜１２の接続孔１２Ａの側面は順テーパー形状とされており、下部電極１３は、接続孔１２Ａを含む領域に形成されている。これにより、この表示装置では、接続孔１２Ａでの短絡を抑えると共に開口率を向上させることが可能となっている。
【００２４】
画素分離絶縁膜１４は、下部電極１３と上部電極１６との絶縁性を確保すると共に発光領域を正確に所望の形状にするためのものであり、例えば、厚みが１μｍ程度であり、酸化シリコンまたはポリイミドなどの感光性樹脂により構成されている。画素分離絶縁膜１４には、発光領域に対応して開口部が設けられている。なお、有機層１５および上部電極１６は、画素分離絶縁膜１４の上にも連続して設けられているが、発光が生じるのは画素分離絶縁膜１４の開口部だけである。
【００２５】
有機層１５は、例えば、下部電極１３の側から順に、正孔注入層および正孔輸送層１５ＡＢ，赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢ、並びに電子輸送層および電子注入層１５ＤＥを積層した構成を有するが、これらのうち赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢ以外の層は必要に応じて設ければよい。また、有機層１５は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光色によってそれぞれ構成が異なっていてもよい。正孔注入層は、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔輸送層は、赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢへの正孔輸送効率を高めるためのものである。赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢは、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。電子輸送層は、赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢへの電子輸送効率を高めるためのものである。電子注入層は、例えば厚みが０．３ｎｍ程度であり、ＬｉＦ，Ｌｉ２ Ｏなどにより構成されている。なお、図３では、正孔注入層および正孔輸送層
を一層（正孔注入層および正孔輸送層１５ＡＢ）、電子輸送層および電子注入層を一層（電子輸送層および電子注入層１５ＤＥ）として表している。
【００２６】
有機発光素子１０Ｒの正孔注入層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）あるいは４，４’，４”−トリス（２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ）により構成されている。有機発光素子１０Ｒの正孔輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン（α−ＮＰＤ）により構成されている。有機発光素子１０Ｒの赤色発光層１５ＣＲは、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、９，１０−ジ−（２−ナフチル）アントラセン（ＡＤＮ）に２，６≡ビス［４´≡メトキシジフェニルアミノ）スチリル］≡１，５≡ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合したものにより構成されている。有機発光素子１０Ｒの電子輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、８≡ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３ ）により構
成されている。
【００２７】
有機発光素子１０Ｇの正孔注入層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ｍ−ＭＴＤＡＴＡあるいは２−ＴＮＡＴＡにより構成されている。有機発光素子１０Ｇの正孔輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、α−ＮＰＤにより構成されている。有機発光素子１０Ｇの緑色発光層１５ＣＧは、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、ＡＤＮにクマリン６（Ｃｏｕｍａｒｉｎ６）を５体積％混合したものにより構成されている。有機発光素子１０Ｇの電子輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ３ により構成されている。
【００２８】
有機発光素子１０Ｂの正孔注入層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ｍ−ＭＴＤＡＴＡあるいは２−ＴＮＡＴＡにより構成されている。有機発光素子１０Ｂの正孔輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、α−ＮＰＤにより構成されている。有機発光素子１０Ｂの青色発光層１５ＣＢは、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、ＡＤＮに４，４´≡ビス［２≡｛４≡（Ｎ，Ｎ≡ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％混合したものにより構成されている。有機発光素子１０Ｂの電子輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ３ により構成されている。
【００２９】
上部電極１６は、例えば、厚みが５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ），ナトリウム（Ｎａ）などの金属元素の単体または合金により構成されている。中でも、マグネシウムと銀との合金（ＭｇＡｇ合金）、またはアルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）との合金（ＡｌＬｉ合金）が好ましい。また、上部電極１６は、これらの金属元素の単体または合金よりなる層と、第１電極１３と同様の透明電極との複合膜により構成されていてもよい。
【００３０】
封止用基板２０は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの上部電極１６の側に位置しており、接着層３０と共に有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを封止するものである。封止用基板２０は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光に対して透明なガラスなどの材料により構成されている。
【００３１】
この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。
【００３２】
図４ないし図１８は、この表示装置の製造方法を工程順に表すものである。まず、図４に示したように、上述した材料よりなる基板１１の上に駆動トランジスタＴｒ１を含む画素駆動回路１４０を形成する。次いで、同じく図４に示したように、基板１１の全面に感光性樹脂を塗布し、露光および現像することにより、駆動トランジスタＴｒ１に対応する位置に側面が順テーパー形状の接続孔１２Ａを有する平坦化膜１２を形成し、焼成する。このとき、平坦化膜１２の材料としてポジ型の感光性樹脂を用いることにより、容易に接続孔１２Ａの側面を順テーパー形状とすることができる。
【００３３】
続いて、同じく図４に示したように、平坦化膜１２の上に、上述した下部電極１３の材料よりなる下部電極材料膜１３Ａを形成する。
【００３４】
そののち、図５ないし図７に示したように、下部電極材料膜１３Ａの上にネガ型のフォトレジスト膜４１を形成し、このフォトレジスト膜４１に対して、赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢを形成するための蒸着マスク５１を用いて３回露光する。
【００３５】
まず１回目では、図５に示したように、フォトレジスト膜４１に対して蒸着マスク５１の開口部５２を、有機発光素子１０Ｒの下部電極１３の形成予定領域１３ＲＡに位置合わせして露光する。下部電極１３の形成予定領域１３ＲＡは、接続孔１２Ａを含むようにする。露光の際には、開口部５２よりも広めに下部電極１３を形成するために、蒸着マスク５１と基板１１との間の距離を広くする、露光量を多くする、または露光光Ｌの直線性を下げるなどを行うことが好ましい。
【００３６】
２回目では、図６に示したように、フォトレジスト膜４１に対して蒸着マスク５１の開口部５２を、有機発光素子１０Ｇの下部電極１３の形成予定領域１３ＧＡに位置合わせして露光する。下部電極１３の形成予定領域１３ＧＡは、接続孔１２Ａを含むようにする。
【００３７】
３回目では、図７に示したように、フォトレジスト膜４１に対して蒸着マスク５１の開口部５２を、有機発光素子１０Ｂの下部電極１３の形成予定領域１３ＢＡに位置合わせして露光する。下部電極１３の形成予定領域１３ＢＡは、接続孔１２Ａを含むようにする。
【００３８】
このようにしてフォトレジスト膜４１を蒸着マスク５１を用いて３回露光したのち、フォトレジスト膜４１を現像する。続いて、図８に示したように、フォトレジスト膜４１をマスクとしたエッチングにより下部電極材料膜１３Ａを選択的に除去する。これにより、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各々に対応した下部電極１３を、接続孔１２Ａを含む領域に形成する。
【００３９】
下部電極１３を形成したのち、図９ないし図１１に示したように、基板１１の全面に、上述した画素分離絶縁膜１４の材料よりなる感光性膜４２を形成し、この感光性膜４２に対して、蒸着マスク５１を用いて３回露光する。
【００４０】
まず１回目では、図９に示したように、感光性膜４２に対して蒸着マスク５１の開口部５２を、有機発光素子１０Ｒの下部電極１３に位置合わせして露光する。露光の際には、同じ露光マスク５１によって、下部電極１３と画素分離絶縁膜１４とに重なりがあるようにする、すなわち、画素分離絶縁膜１４の開口部を下部電極１３よりも小さくする必要がある。そのため、蒸着マスク５１と基板１１との間の距離を狭くする、露光量を少なくする、または露光光Ｌの直線性を上げるなどを行うことが好ましい。
【００４１】
２回目では、図１０に示したように、感光性膜４２に対して蒸着マスク５１の開口部５２を、有機発光素子１０Ｇの下部電極１３に位置合わせして露光する。
【００４２】
３回目では、図１１に示したように、感光性膜４２に対して蒸着マスク５１の開口部５２を、有機発光素子１０Ｂの下部電極１３に位置合わせして露光する。
【００４３】
このようにして感光性膜４２を蒸着マスク５１を用いて３回露光したのち、感光性膜４２を現像する。これにより、図１２に示したように、下部電極１３の間の領域に画素分離絶縁膜１４を形成する。本実施の形態では、下部電極材料膜１３Ａをエッチングするためのフォトレジスト膜４１、および画素分離絶縁膜１４を形成するための感光性膜４２を、蒸着マスク５１を用いて露光するようにしたので、下部電極１３および画素分離絶縁膜１４と有機層１５との位置ズレを小さくすることが可能となる。
【００４４】
画素分離絶縁膜１４を形成したのち、図１３に示したように、基板１１の全面に、例えば蒸着法により、上述した材料よりなる正孔注入層および正孔輸送層１５ＡＢを形成する。続いて、同じく図１３に示したように、蒸着マスク５１の開口部５２を有機発光素子１０Ｒの下部電極１３に位置合わせして、有機発光素子１０Ｒの下部電極１３の上に赤色発光層１５ＣＲを、蒸着マスク５１を用いた蒸着法により形成する。
【００４５】
赤色発光層１５ＣＲを形成したのち、図１４に示したように、蒸着マスク５１の開口部５２を有機発光素子１０Ｇの下部電極１３に位置合わせして、有機発光素子１０Ｇの下部電極１３の上に緑色発光層１５ＣＧを、蒸着マスク５１を用いた蒸着法により形成する。
【００４６】
緑色発光層１５ＣＧを形成したのち、図１５に示したように、蒸着マスク５１の開口部５２を有機発光素子１０Ｂの下部電極１３に位置合わせして、有機発光素子１０Ｂの下部電極１３の上に青色発光層１５ＣＢを、蒸着マスク５１を用いた蒸着法により形成する。これにより、図１６に示したように、赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢが形成される。
【００４７】
そののち、図１７に示したように、基板１１の全面に、例えば蒸着法により、上述した材料よりなる電子輸送層および電子注入層１５ＤＥを形成する。これにより、有機層１５が形成される。続いて、同じく図１７に示したように、有機層１５の上に、例えば蒸着法により、上述した材料よりなる上部電極１６を形成する。これにより、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが形成される。
【００４８】
有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成したのち、図１８に示したように、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの上に上述した材料よりなる保護膜１７を形成する。そののち、保護膜１７の上に、接着層３０を形成し、この接着層３０を間にして封止用基板２０を貼り合わせる。以上により、図３に示した表示装置が完成する。
【００４９】
この表示装置では、各画素に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。すなわち、この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これにより、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動電流Ｉｄが注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、下部電極１３および基板１１を透過して（ボトムエミッション）、または第２電極１６および封止用基板２０を透過して（トップエミッション）取り出される。ここでは、接続孔１２Ａの側面が順テーパー形状であると共に、この接続孔１２Ａを含む領域に下部電極１３が形成されているようにしたので、接続孔１２Ａでの下部電極１３と上部電極１６との短絡が抑えられる。これにより、従来は画素分離絶縁膜１４で覆うようにしていた接続孔１２Ａを発光領域に含ませることができ、開口率の向上が可能となる。よって、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの寿命を延ばすことが可能となる。
【００５０】
このように本実施の形態の表示装置の製造方法では、下部電極材料膜１３Ａをエッチングするためのフォトレジスト膜４１、および画素分離絶縁膜１４を形成するための感光性膜４２を、蒸着マスク５１を用いて露光するようにしたので、下部電極１３および画素分離絶縁膜１４と有機層１５との位置ズレを小さくすることが可能となる。
【００５１】
本実施の形態の表示装置では、接続孔１２Ａの側面を順テーパー形状とすると共に、この接続孔１２Ａを含む領域に下部電極１３を形成するようにしたので、接続孔１２Ａでの下部電極１３と上部電極１６との短絡を抑えると共に開口率を向上させることが可能となる。
【００５２】
なお、上記実施の形態では、赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢで発生した光を下部電極１３側から取り出す場合（ボトムエミッション）または上部電極１６側から取り出す場合（トップエミッション）について説明したが、本実施の形態は、上部電極１６が半透過性反射層としての機能を有しており、下部電極１３と上部電極１６とにより、赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢにおいて発生した光を共振させる共振器構造が構成されている場合にも適用可能である。
【００５３】
また、上記実施の形態では、画素分離絶縁膜１４がポリイミドなどの感光性樹脂により構成されている場合について説明したが、画素分離絶縁膜１４は、酸化シリコン（ＳｉＯ2）または酸化窒素（Ｓｉ3Ｎ4）などの無機材料により構成されていてもよい。その場合
、画素分離絶縁膜１４は、例えば、次のようにして形成することができる。まず、上述した画素分離絶縁膜１４の材料よりなる無機材料膜を形成する。次いで、無機材料膜の上にフォトレジスト膜を形成し、このフォトレジスト膜に対して、図５ないし図７に示した工程により、蒸着マスク５１を用いて３回露光したのち、フォトレジスト膜を現像する。続いて、このフォトレジスト膜をマスクとしたエッチングにより無機材料膜を選択的に除去する。これにより、画素分離絶縁膜１４が形成される。
【００５４】
＜第２の実施の形態＞
図１９は、本発明の第２の実施の形態に係る表示装置の表示領域１１０の断面構成を表したものである。この表示装置は、画素分離絶縁膜１４が設けられておらず、有機層１５が、下部電極１３の上面１３Ｃおよび側面１３Ｄの全部を覆って形成されていること、および、駆動トランジスタＴｒ１と下部電極１３とが中間電極を介して接続されていることにおいて上記第１の実施の形態と異なるものである。よって、対応する構成要素には同一の符号を付して説明する。
【００５５】
基板１１と、駆動トランジスタＴｒ１を含む画素駆動回路１４０とについては、第１の実施の形態と同様である。
【００５６】
基板１１と下部電極１３との間には、第１平坦化膜１２Ｂ、中間電極１８および第２平坦化膜１２Ｃが順に設けられている。
【００５７】
第１平坦化膜１２Ｂは、駆動トランジスタＴｒ１と中間電極１８との間の層間絶縁膜としての機能を有するものであり、例えば、アクリル，ポリイミド等の有機材料、あるいは酸化シリコン（ＳｉＯ2）または窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）などの無機材料により構成されている。第１平坦化膜１２Ｂには、駆動トランジスタＴｒ１に対応する位置に、駆動トランジスタＴｒ１と中間電極１８との電気的接続をとるための接続孔１２ＢＡが設けられている。接続孔１２ＢＡは、側面が順テーパー形状となっていることが望ましい。
【００５８】
第２平坦化膜１２Ｃは、画素駆動回路１４０が形成された基板１１の表面を平坦化するためのものであり、例えば、アクリル，ポリイミド等の有機材料、あるいは酸化シリコン（ＳｉＯ2）または窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）などの無機材料により構成されている。第２平坦化膜１２Ｃには、中間電極１８と下部電極１３との電気的接続をとるための接続孔１２ＣＡが設けられている。接続孔１２ＣＡは、中間電極１８に対応する位置に設けられると共に、側面が順テーパー形状とされている。下部電極１３は、接続孔１２ＣＡを含む領域に形成されている。これにより、この表示装置では、第１の実施の形態と同様に、接続孔１２ＣＡでの短絡を抑えると共に開口率を向上させることが可能となっている。
【００５９】
中間電極１８は、第１平坦化膜１２Ｂの接続孔１２ＢＡを含む領域に形成され、その構成材料は導電性材料であれば特に限定されない。中間電極１８を設けることにより、駆動トランジスタＴｒ１の厚いアルミニウム（Ａｌ）膜よりなる配線電極１９の表面の凹凸に起因して、接続孔１２ＣＡ内で下部電極１３と上部電極１４とが短絡するのを抑えることが可能となる。
【００６０】
本実施の形態では、有機層１５が、下部電極１３の上面１３Ｃおよび側面１３Ｄの全部を覆って形成されている。このようにすることにより、画素分離絶縁膜１４を設ける必要がなくなり、開口率を更に高め、素子寿命を更に改善することが可能となる。ちなみに、ボトムエミッションの場合でも駆動トランジスタＴｒ１との接続面積は軽微であり、画素分離絶縁膜１４による開口率減少のほうが影響が大きい。また、画素分離絶縁膜１４を形成する工程を省くことができ、工程を大幅に簡素化すると共にコスト低減が可能となる。更に、画素分離絶縁膜１４の成膜およびパターニングによる下部電極１３の上面１３Ｃのダメージがなくなり、上面１３Ｃの凹凸も発生させないので、素子特性が良好になる。加えて、画素分離絶縁膜１４の厚みに起因する凹凸がなくなるので、保護膜１７のカバレージが良好となり信頼性の向上につながる。
【００６１】
下部電極１３の側面１３Ｄは順テーパー形状であることが好ましい。下部電極１３の側面１３Ｄで有機層１５が途切れるおそれが小さくなり、下部電極１３と上部電極１６とが短絡するのを抑えることができるからである。ここに「下部電極１３の側面１３Ｄが順テーパー形状である」とは、下部電極１３の寸法が、基板１１側から円錐状または角錐状に次第に減少している形状をいう。
【００６２】
または、下部電極１３の厚みは有機層１５の厚みよりも薄いことが好ましい。下部電極１３が十分に薄ければ、下部電極１３の側面１３Ｄで有機層１５が途切れるおそれが小さくなり、下部電極１３と上部電極１６とが短絡するのを抑えることができるからである。この場合は、下部電極１３の側面１３Ｄは必ずしも順テーパー形状である必要はない。具体的には、例えば４０型でＦＨＤの表示装置では、図２０に示したように、１画素の大きさが１５３μｍ×４５９μｍ程度、下部電極１３の大きさが１４３μｍ×４４９μｍである。非特許文献１によれば２００８年に実現できる性能として１画素に必要な最大電流は２μＡ程度とされ、更にその後の改善でその３分の１（１／３）程度まで必要電流が小さくなると予想されている。このときの必要電圧を５Ｖとすると、１画素の有機層１５の抵抗は２．５ＭΩとなる。駆動トランジスタＴｒ１との接続孔１２ＣＡを１０μｍ角とし画素の中央に配置すると、接続孔１２ＣＡの対角長さは１４．１μｍ、接続孔１２ＣＡが画素端にずれた場合の横方向のずれ量は６６．５μｍ、縦方向のずれ量は２１９．５μｍである。よって、画素端までの抵抗はシート抵抗の１６倍以下の大きさ（√（６６．５2＋２１９．５2）／１４．１≒１６）となる。１画素内での発光輝度の差を小さくするために下部電極１３のシート抵抗による電圧降下量を±０．１％までとするとシート抵抗は１５６Ω／□まで許容されることになる。下部電極１３が抵抗率の高いＩＴＯにより構成されている場合でも、ＩＴＯの抵抗率を１．５×１０-4Ω・ｃｍとすれば、１０ｎｍ以上の厚みであればよいことになる。通常の有機層１５の厚みは５０ｎｍ以上であり、下部電極１３は有機層１５に比べて十分に薄いものとなる。
【００６３】
この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。
【００６４】
図２１ないし図２８は、この表示装置の製造方法を工程順に表すものである。まず、図２１に示したように、第１の実施の形態と同様にして、基板１１の上に駆動トランジスタＴｒ１を含む画素駆動回路１４０を形成する。
【００６５】
次いで、同じく図２１に示したように、基板１１の全面に感光性樹脂を塗布し、露光および現像することにより、駆動トランジスタＴｒ１に対応する位置に側面が順テーパー形状の接続孔１２ＢＡを有する第１平坦化膜１２Ｂを形成し、焼成する。このとき、第１平坦化膜１２Ｂの材料としてポジ型の感光性樹脂を用いることにより、容易に接続孔１２ＢＡの側面を順テーパー形状とすることができる。
【００６６】
続いて、同じく図２１に示したように、第１平坦化膜１２Ｂの上に、上述した中間電極１８の材料よりなる中間電極材料膜（図示せず）を形成し、例えばフォトリソグラフィにより所定の形状に成形することにより、中間電極１８を形成する。
【００６７】
そののち、同じく図２１に示したように、基板１１の全面に感光性樹脂を塗布し、露光および現像することにより、中間電極１８に対応する位置に側面が順テーパー形状の接続孔１２ＣＡを有する第２平坦化膜１２Ｃを形成し、焼成する。このとき、第２平坦化膜１２Ｃの材料としてポジ型の感光性樹脂を用いることにより、容易に接続孔１２ＣＡの側面を順テーパー形状とすることができる。
【００６８】
第２平坦化膜１２Ｃを形成したのち、同じく図２１に示したように、第２平坦化膜１２Ｃの上に、上述した下部電極１３の材料よりなる下部電極材料膜１３Ａを形成する。
【００６９】
下部電極材料膜１３を形成したのち、図２２に示したように、下部電極材料膜１３Ａの上にネガ型のフォトレジスト膜４１を形成し、このフォトレジスト膜４１に対して、露光マスク５３を用いて露光し、現像する。続いて、このフォトレジスト膜４１をマスクとしたエッチングにより下部電極材料膜１３Ａを選択的に除去する。これにより、図２３に示したように、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各々に対応した下部電極１３を、接続孔１２Ａを含む領域に形成する。その際、エッチング条件の調整により、下部電極１３の側面１３Ｄを順テーパー形状とする。または、下部電極１３の厚みを有機層１５の厚みよりも薄くする。
【００７０】
下部電極１３を形成したのち、図２４に示したように、基板１１の全面に、例えば蒸着法により、上述した材料よりなる正孔注入層および正孔輸送層１５ＡＢを形成する。続いて、同じく図２３に示したように、蒸着マスク５１の開口部５２を有機発光素子１０Ｒの下部電極１３に位置合わせして、有機発光素子１０Ｒの下部電極１３の上に赤色発光層１５ＣＲを、蒸着マスク５１を用いた蒸着法により形成する。
【００７１】
赤色発光層１５ＣＲを形成したのち、図２５に示したように、蒸着マスク５１の開口部５２を有機発光素子１０Ｇの下部電極１３に位置合わせして、有機発光素子１０Ｇの下部電極１３の上に緑色発光層１５ＣＧを、蒸着マスク５１を用いた蒸着法により形成する。
【００７２】
緑色発光層１５ＣＧを形成したのち、図２６に示したように、蒸着マスク５１の開口部５２を有機発光素子１０Ｂの下部電極１３に位置合わせして、有機発光素子１０Ｂの下部電極１３の上に青色発光層１５ＣＢを、蒸着マスク５１を用いた蒸着法により形成する。これにより、赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢが形成される。
【００７３】
そののち、図２７に示したように、基板１１の全面に、例えば蒸着法により、上述した材料よりなる電子輸送層および電子注入層１５ＤＥを形成する。これにより、有機層１５が形成される。続いて、同じく図２７に示したように、有機層１５の上に、例えば蒸着法により、上述した材料よりなる上部電極１６を形成する。これにより、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが形成される。
【００７４】
有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成したのち、図２８に示したように、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの上に上述した材料よりなる保護膜１７を形成する。そののち、保護膜１７の上に、接着層３０を形成し、この接着層３０を間にして封止用基板２０を貼り合わせる。以上により、図１９に示した表示装置が完成する。
【００７５】
この表示装置では、各画素に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。すなわち、この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これにより、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動電流Ｉｄが注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、下部電極１３および基板１１を透過して（ボトムエミッション）、または上部電極１６および封止用基板２０を透過して（トップエミッション）取り出される。ここでは、第１の実施の形態と同様に、接続孔１２Ａの側面が順テーパー形状であると共に、この接続孔１２Ａを含む領域に下部電極１３が形成されているようにしたので、接続孔１２Ａでの下部電極１３と上部電極１６との短絡が抑えられる。これにより、従来は画素分離絶縁膜１４で覆うようにしていた接続孔１２Ａを発光領域に含ませることができ、開口率の向上が可能となる。よって、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの寿命を延ばすことが可能となる。
【００７６】
また、有機層１５が、下部電極１３の上面１３Ｃおよび側面１３Ｄの全部を覆って形成されているので、画素分離絶縁膜１４が不要となり、開口率が更に高くなる。
【００７７】
このように本実施の形態の表示装置では、第１の実施の形態の効果に加えて、有機層１５を、下部電極１３の上面１３Ｃおよび側面１３Ｄの全部を覆って形成するようにしたので、画素分離絶縁膜１４を不要とし、開口率を更に高め、素子寿命を更に改善することが可能となる。また、画素分離絶縁膜１４を形成する工程を省くことができ、工程を大幅に簡素化すると共にコスト低減が可能となる。
【００７８】
なお、本実施の形態もまた、第１の実施の形態と同様に、上部電極１６が半透過性反射層としての機能を有しており、下部電極１３と上部電極１６とにより、赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢにおいて発生した光を共振させる共振器構造が構成されている場合に適用可能である。
【００７９】
次に、第２の実施の形態の変形例について説明する。
【００８０】
＜変形例１＞
図２９ないし図３１は、変形例１に係る表示装置の製造方法を工程順に表したものである。本変形例は、下部電極材料膜１３Ａをエッチングするためのフォトレジスト膜４１を、蒸着マスク５１を用いて露光するようにしたことを除いては、上記第２の実施の形態の製造方法と同一である。よって、第２の実施の形態と重複する工程については図２０ないし図２７を参照して説明する。
【００８１】
まず、第２の実施の形態と同様にして、図２１に示した工程により、基板１１の上に駆動トランジスタＴｒ１を含む画素駆動回路１４０，第１平坦化膜１２Ｂ，中間電極１８，第２平坦化膜１２Ｃおよび下部電極材料膜１３Ａを形成する。
【００８２】
次いで、図２９に示したように、下部電極材料膜１３Ａの上にネガ型のフォトレジスト膜４１を形成し、このフォトレジスト膜４１に対して、赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢを形成するための蒸着マスク５１を用いて３回露光する。このようにすることにより、第１の実施の形態と同様に、下部電極１３と有機層１５との位置ズレを小さくすることが可能となる。
【００８３】
まず１回目では、図２９に示したように、フォトレジスト膜４１に対して蒸着マスク５１の開口部５２を、有機発光素子１０Ｒの下部電極１３の形成予定領域１３ＲＡに位置合わせして露光する。下部電極１３の形成予定領域１３ＲＡは、接続孔１２Ａを含むようにする。露光の際には、開口部５２よりも広めに下部電極１３を形成するために、蒸着マスク５１と基板１１との間の距離を広くする、露光量を多くする、または露光光Ｌの直線性を下げるなどを行うことが好ましい。
【００８４】
２回目では、図３０に示したように、フォトレジスト膜４１に対して蒸着マスク５１の開口部５２を、有機発光素子１０Ｇの下部電極１３の形成予定領域１３ＧＡに位置合わせして露光する。下部電極１３の形成予定領域１３ＧＡは、接続孔１２Ａを含むようにする。
【００８５】
３回目では、図３１に示したように、フォトレジスト膜４１に対して蒸着マスク５１の開口部５２を、有機発光素子１０Ｂの下部電極１３の形成予定領域１３ＢＡに位置合わせして露光する。下部電極１３の形成予定領域１３ＢＡは、接続孔１２Ａを含むようにする。
【００８６】
このようにしてフォトレジスト膜４１を蒸着マスク５１を用いて３回露光したのち、フォトレジスト膜４１を現像する。続いて、第２の実施の形態と同様にして、図２３に示した工程により、フォトレジスト膜４１をマスクとしたエッチングにより下部電極材料膜１３Ａを選択的に除去する。これにより、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各々に対応した下部電極１３を、接続孔１２Ａを含む領域に形成する。その際、エッチング条件の調整により、下部電極１３の側面１３Ｄを順テーパー形状とする。または、下部電極１３の厚みを有機層１５の厚みよりも薄くする。
【００８７】
下部電極１３を形成したのち、第２の実施の形態と同様にして、図２４に示した工程により、基板１１の全面に、例えば蒸着法により、上述した材料よりなる正孔注入層および正孔輸送層１５ＡＢを形成する。続いて、第２の実施の形態と同様にして、図２４ないし図２６に示した工程により、赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢを、蒸着マスク５１を用いた蒸着法により形成する。
【００８８】
赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢを形成したのち、第２の実施の形態と同様にして、図２７に示した工程により、電子輸送層および電子注入層１５ＤＥと、上部電極１６を形成する。これにより、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが形成される。
【００８９】
有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成したのち、第２の実施の形態と同様にして、図２８に示した工程により、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの上に保護膜１７を形成する。そののち、保護膜１７の上に、接着層３０を形成し、この接着層３０を間にして封止用基板２０を貼り合わせる。以上により、図１９に示した表示装置が完成する。
【００９０】
＜変形例２＞
図３２は、変形例２に係る表示装置の表示領域１１０の断面構成を表したものである。この表示装置は、中間電極１８を設けず、駆動トランジスタＴｒ１と下部電極１３とを平坦化膜１２の接続孔１２Ａを介して接続したことを除いては第２の実施の形態と同一の構成、作用および効果を有し、同様にして製造することができる。
【００９１】
＜変形例３＞
図３３は、変形例３に係る表示装置の表示領域１１０の断面構成を表したものである。この表示装置は、正孔注入層および正孔輸送層１５ＡＢを有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂごとに形成したことを除いては第２の実施の形態と同一の構成、作用および効果を有している。また、この表示装置は、正孔注入層および正孔輸送層１５ＡＢと、赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢとを、蒸着マスク５１を用いて形成することを除いては、第２の実施の形態と同様にして製造することができる。
【００９２】
＜変形例４＞
図３４は、変形例４に係る表示装置の表示領域１１０の断面構成を表したものである。この表示装置は、有機層１５のすべての層、すなわち、正孔注入層および正孔輸送層１５ＡＢと、赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢと、電子輸送層および電子注入層１５ＤＥとを、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂごとに形成したことを除いては第２の実施の形態と同一の構成、作用および効果を有している。また、この表示装置は、有機層１５のすべてを蒸着マスク５１を用いて形成することを除いては、第２の実施の形態と同様にして製造することができる。なお、本変形例では、有機層１５が下部電極１３の上面１３Ｃおよび側面１３Ｄを覆うことが必要である。
【００９３】
＜変形例５＞
図３５は、変形例５に係る表示装置の表示領域１１０の断面構成を表したものである。この表示装置は、赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢに代えて白色発光層１５ＣＷを形成すると共に、封止用基板２０にカラーフィルタ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂおよびブラックマトリクスとしての遮光膜２２を設けたことを除いては第２の実施の形態と同一の構成、作用および効果を有し、同様にして製造することができる。なお、カラーフィルタ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂに代えてＣＣＭ（Color Changing Medium）を設けてもよい。
【００９４】
＜変形例６＞
図３６は、変形例６に係る表示装置の表示領域１１０の断面構成を表したものである。本変形例は、中間電極１８を下部電極１３と同じ領域に設けることによって、中間電極１８に反射電極としての機能を付与したものである。これにより、下部電極１３を透明電極により構成した場合に、赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢで発生した光を上部電極１６側から取り出す（トップエミッション）ことが可能となる。このことを除いては、この表示装置は第２の実施の形態と同一の構成、作用および効果を有し、同様にして製造することができる。
【００９５】
＜変形例７＞
図３７は、変形例７に係る表示装置の表示領域１１０の断面構成を表したものである。本変形例は、駆動トランジスタＴｒ１の配線電極１９を下部電極１３と同じ領域に設けることによって、この配線電極１９に反射電極としての機能を付与し、簡素な構成で変形例６と同様の効果を得られるようにしたものである。このことを除いては、この表示装置は第２の実施の形態と同一の構成、作用および効果を有し、同様にして製造することができる。
【００９６】
＜変形例８＞
図３８は、変形例８に係る表示装置の表示領域１１０の断面構成を表したものである。本変形例は、第２平坦化膜１２Ｃを設けず、中間電極１８の上に下部電極１３を設けることによって、簡素な構成で短絡を抑えることを可能にするものである。このことを除いては、この表示装置は第２の実施の形態と同一の構成、作用および効果を有し、同様にして製造することができる。
【００９７】
＜第３の実施の形態＞
図３９ないし図４４は、本発明の第３の実施の形態に係る表示装置の製造方法を工程順に表したものである。本実施の形態は、下部電極１３を蒸着マスク５１を用いて形成するようにしたものである。このことを除いては、上記第２の実施の形態の製造方法と同一である。よって、第２の実施の形態と重複する工程については図２１ないし図２８を参照して説明する。
【００９８】
まず、図３９に示したように、第２の実施の形態と同様にして、図２１に示した工程により、基板１１の上に駆動トランジスタＴｒ１を含む画素駆動回路１４０，第１平坦化膜１２Ｂ，中間電極１８および第２平坦化膜１２Ｃを形成する。
【００９９】
次いで、図４０に示したように、第２平坦化膜１２Ｃに対して蒸着マスク５１の開口部５２を、有機発光素子１０Ｒの下部電極１３の形成予定領域１３ＲＡに位置合わせして、蒸着法またはスパッタ法などにより、下部電極１３を形成する。下部電極１３の形成予定領域１３ＲＡは、接続孔１２ＣＡを含むようにする。また、成膜条件の調整により、下部電極１３の側面１３Ｄを順テーパー形状とすることが好ましい。
【０１００】
続いて、図４１に示したように、有機発光素子１０Ｒの下部電極１３の場合と同様にして、第２平坦化膜１２Ｃに対して蒸着マスク５１の開口部５２を、有機発光素子１０Ｇの下部電極１３の形成予定領域１３ＧＡに位置合わせして、蒸着法またはスパッタ法などにより、下部電極１３を形成する。
【０１０１】
そののち、図４２に示したように、有機発光素子１０Ｒの下部電極１３の場合と同様にして、第２平坦化膜１２Ｃに対して蒸着マスク５１の開口部５２を、有機発光素子１０Ｂの下部電極１３の形成予定領域１３ＢＡに位置合わせして、蒸着法またはスパッタ法などにより、下部電極１３を形成する。
【０１０２】
下部電極１３を形成したのち、第２の実施の形態と同様にして、図２４に示した工程により、基板１１の全面に、例えば蒸着法により、上述した材料よりなる正孔注入層および正孔輸送層１５ＡＢを形成する。続いて、第２の実施の形態と同様にして、図２４ないし図２６に示した工程により、赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢを、蒸着マスク５１を用いた蒸着法により形成する。
【０１０３】
このように、下部電極１３を蒸着マスク５１を用いて形成することにより、大型化により開口部５２の位置精度が低くなっても、下部電極１３と有機層１５との位置ズレを小さくすることが可能となる。
【０１０４】
具体的には、第２の実施の形態で図２０を参照して説明したように、例えば４０型でＦＨＤの表示装置では、１画素の大きさは１５３μｍ×４５９μｍ程度である。接続孔１２ＣＡを１０μｍ角とすると、接続孔１２ＣＡと蒸着マスク５１の開口部５２との最大の位置合わせずれ量は、画素間スペースを１０μｍとして、±６６．５μｍでよいことになり、蒸着マスク５１に要求される位置精度が非常に緩くなる。
【０１０５】
この場合も、下部電極１３の厚みは、第２の実施の形態で図２０を参照して説明したのと同様に、１０ｎｍ以上であればよいことになる。
【０１０６】
これに対して、従来では、下部電極のパターニングでフォトリソグラフィを用いているので、パターンの位置精度はステッパーやミラープロジェクションアライナーの位置精度で決まり、通常の位置精度は１μｍ以下にすることができる。一方、有機層は蒸着マスクを用いた真空蒸着により形成される。真空蒸着では蒸着マスクの影を少なくするために、通常蒸着マスクは厚み５μｍ〜１００μｍの薄板で作製される。この蒸着マスクを高位置精度で作製するためには、蒸着マスクに張力をかけてフレームに固定する必要がある。張力が大きいほど高位置精度が得やすいので、フレームの重量が重くなる。蒸着マスクに高位置精度が要求され、フレームの重量が大きくなるので、従来では有機ＥＬ表示装置の大型化は極めて難しかった。
【０１０７】
例えば図４３および図４４に示したように、蒸着マスク８５１の開口部８５２の位置がずれると、画面中央では下部電極８１３および画素分離絶縁膜８１４と開口部８５２とが合うが、画面端では下部電極８１３と開口部８５２とが合わなくなる。４０型でＦＨＤの場合、１画素の大きさが１５３μｍ×４５９μｍ程度であり、開口部８５２の位置精度が±２０μｍであれば、開口部８５２を狭くして対応することになり開口率は６７％以下となってしまう。本実施の形態では、下部電極１３を蒸着マスク５１を用いて形成することにより、大型化により開口部５２の位置精度が低くなっても、下部電極１３と有機層１５との位置ズレを小さくすることが可能となる。
【０１０８】
このように赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢを形成したのち、第２の実施の形態と同様にして、図２６に示した工程により、電子輸送層および電子注入層１５ＤＥと、上部電極１６を形成する。これにより、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが形成される。
【０１０９】
有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成したのち、第２の実施の形態と同様にして、図２７に示した工程により、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの上に保護膜１７を形成する。そののち、保護膜１７の上に、接着層３０を形成し、この接着層３０を間にして封止用基板２０を貼り合わせる。以上により、図１９に示した表示装置が完成する。
【０１１０】
このように本実施の形態では、下部電極１３を蒸着マスク５１を用いて形成し、この蒸着マスク５１を用いた蒸着法により、有機層１５を、下部電極１３の上面１３Ｃおよび側面１３Ｄの全部を覆って形成するようにしたので、下部電極１３と有機層１５との位置ズレを小さくすることが可能となり、特に大型化に有効である。
【０１１１】
（モジュールおよび適用例）
以下、上述した実施の形態で説明した表示装置の適用例について説明する。上記実施の形態の表示装置は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
【０１１２】
（モジュール）
上記実施の形態の表示装置は、例えば、図４５に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板１１の一辺に、封止用基板２０および接着層３０から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。
【０１１３】
（適用例１）
図４６は、上記実施の形態の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【０１１４】
（適用例２）
図４７は、上記実施の形態の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【０１１５】
（適用例３）
図４８は、上記実施の形態の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【０１１６】
（適用例４）
図４９は、上記実施の形態の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【０１１７】
（適用例５）
図５０は、上記実施の形態の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【０１１８】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。
【０１１９】
また、例えば、上記実施の形態においては、基板１１の上に、下部電極１３，有機層１５および上部電極１６を基板１１の側から順で積層し、封止用基板２０の側から光を取り出すようにした場合について説明したが、積層順序を逆にして、基板１１の上に、上部電極１６，有機層１５および下部第１電極１３を基板１１の側から順に積層し、基板１１の側から光を取り出すようにすることもできる。
【０１２０】
更に、例えば、上記実施の形態では、下部電極１３を陽極、上部電極１６を陰極とする場合について説明したが、陽極および陰極を逆にして、下部電極１３を陰極、上部電極１６を陽極としてもよい。さらに、下部電極１３を陰極、上部電極１６を陽極とすると共に、基板１１の上に、上部電極１６，有機層１５および下部電極１３を基板１１の側から順に積層し、基板１１の側から光を取り出すようにすることもできる。
【０１２１】
加えて、上記実施の形態では、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。
【０１２２】
更にまた、上記実施の形態では、アクティブマトリクス型の表示装置の場合について説明したが、本発明はパッシブマトリクス型の表示装置への適用も可能である。加えてまた、アクティブマトリクス駆動のための画素駆動回路の構成は、上記実施の形態で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加してもよい。その場合、画素駆動回路の変更に応じて、上述した信号線駆動回路１２０や走査線駆動回路１３０のほかに、必要な駆動回路を追加してもよい。
【０１２３】
加えてまた、本発明は、蒸着法だけでなく版を用いた印刷法にも適用可能である。
【符号の説明】
【０１２４】
１０…画素、１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ…有機発光素子、１１…基板、１２…平坦化膜、１３…下部電極、１４…画素分離絶縁膜、１５…有機層、１５ＡＢ…正孔注入層および正孔輸送層、１５ＣＲ…赤色発光層、１５ＣＧ…緑色発光層、１５ＣＢ…青色発光層、１５ＤＥ…電子輸送層および電子注入層、１６…上部電極、１７…保護膜、２０…封止用基板、２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂ…カラーフィルタ、３０…接着層、４１…フォトレジスト膜、５１…蒸着マスク、５２…開口部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に複数の有機発光素子を形成する表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶ディスプレイに代わる表示装置として、有機発光素子を用いた有機ＥＬ表示装置が実用化されている。有機ＥＬ表示装置は、自発光型であるので、液晶などに比較して視野角が広く、また、高精細度の高速ビデオ信号に対しても十分な応答性を有するものと考えられている。
【０００３】
従来の有機ＥＬ表示装置では、下部電極と上部電極との短絡を防止するため、下部電極の周囲に画素分離絶縁膜を形成している（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−１７５２００号公報
【特許文献２】特開２００１−１１０５７５号公報
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】「５８．１：Invited Paper:Views on the Present and Future Promise of OLED Displays」、Nobuki Ibaraki，外１名、「ＳＩＤ ０６ ＤＩＧＥＳＴ」、ｐ．１７６０−１７６３
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、画素分離絶縁膜を設けることにより開口率が低下してしまうという問題があり、有機発光材料の寿命という観点から開口率を上げることが望まれていた。
【０００７】
ちなみに、特許文献２では、下部電極の側面を順テーパー形状にすることによって上部電極と下部電極との短絡を防止することが記載されている。しかしながら、下部電極は、平坦化層に設けられた接続孔（コンタクトホール）を介して駆動素子との電気的接続をとることが必要であり、この接続孔でも上部電極と下部電極との短絡の可能性があった。
【０００８】
また、従来では、下部電極および画素分離絶縁膜はフォトリソグラフィにより成形されており、位置精度が高いのに対して、発光層を含む有機層は蒸着マスクを用いた蒸着法により形成されていた。そのため、大型化した場合に、蒸着マスクの歪みによる有機層の蒸着位置ズレが大きくなっていた。
【０００９】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、接続孔での短絡を抑えると共に開口率を向上させることが可能な表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明による表示装置は、基板に、複数の有機発光素子の各々に対応して形成された駆動素子と、有機発光素子の発光領域内の第１接続孔を有し、第１接続孔の側面が順テーパー形状である平坦化膜と、複数の有機発光素子の各々に対応して、第１接続孔を含む領域に形成された下部電極と、発光層を含む有機層と、上部電極とを備えたものである。
【００１１】
本発明による表示装置では、平坦化膜の第１接続孔の側面が順テーパー形状であると共に、この第１接続孔を含む領域に下部電極が形成されているので、第１接続孔での下部電極と上部電極との短絡が抑えられると共に開口率が向上する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の表示装置によれば、平坦化膜の第１接続孔の側面を順テーパー形状とすると共に、この第１接続孔を含む領域に下部電極を形成するようにしたので、第１接続孔での下部電極と上部電極との短絡を抑えると共に開口率を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表す図である。
【図２】図１に示した画素駆動回路の一例を表す図である。
【図３】図１に示した表示領域の構成を表す断面図である。
【図４】図１に示した表示装置の製造方法を工程順に表す断面図である。
【図５】図４に続く工程を表す断面図である。
【図６】図５に続く工程を表す断面図である。
【図７】図６に続く工程を表す断面図である。
【図８】図７に続く工程を表す断面図である。
【図９】図８に続く工程を表す断面図である。
【図１０】図９に続く工程を表す断面図である。
【図１１】図１０に続く工程を表す断面図である。
【図１２】図１１に続く工程を表す断面図である。
【図１３】図１２に続く工程を表す断面図である。
【図１４】図１３に続く工程を表す断面図である。
【図１５】図１４に続く工程を表す断面図である。
【図１６】図１５に続く工程を表す断面図である。
【図１７】図１６に続く工程を表す断面図である。
【図１８】図１７に続く工程を表す断面図である。
【図１９】本発明の第２の実施の形態に係る表示装置の表示領域の構成を表す断面図である。
【図２０】接続孔と下部電極との平面的位置関係を説明するための図である。
【図２１】図１９に示した表示装置の製造方法を工程順に表す断面図である。
【図２２】図２１に続く工程を表す断面図である。
【図２３】図２２に続く工程を表す断面図である。
【図２４】図２３に続く工程を表す断面図である。
【図２５】図２４に続く工程を表す断面図である。
【図２６】図２５に続く工程を表す断面図である。
【図２７】図２６に続く工程を表す断面図である。
【図２８】図１０に続く工程を表す断面図である。
【図２９】変形例１に係る表示装置の製造方法を工程順に表す断面図である。
【図３０】図２９に続く工程を表す断面図である。
【図３１】図３０に続く工程を表す断面図である。
【図３２】変形例２に係る表示装置の表示領域の構成を表す断面図である。
【図３３】変形例３に係る表示装置の表示領域の構成を表す断面図である。
【図３４】変形例４に係る表示装置の表示領域の構成を表す断面図である。
【図３５】変形例５に係る表示装置の表示領域の構成を表す断面図である。
【図３６】変形例６に係る表示装置の表示領域の構成を表す断面図である。
【図３７】変形例７に係る表示装置の表示領域の構成を表す断面図である。
【図３８】変形例８に係る表示装置の表示領域の構成を表す断面図である。
【図３９】本発明の第２の実施の形態に係る表示装置の製造方法を工程順に表す断面図である。
【図４０】図３９に続く工程を表す断面図である。
【図４１】図４０に続く工程を表す断面図である。
【図４２】図４１に続く工程を表す断面図である。
【図４３】従来の蒸着マスクと下部電極との平面的位置関係を説明するための図である。
【図４４】図４３の画面中央および画面端における断面図である。
【図４５】上記実施の形態の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。
【図４６】上記実施の形態の表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。
【図４７】（Ａ）は適用例２の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図４８】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図４９】適用例４の外観を表す斜視図である。
【図５０】（Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（下部電極材料膜をエッチングするためのフォトレジスト膜、および画素分離絶縁膜を形成するための感光性膜を、蒸着マスクを用いて露光する例）
２．第２の実施の形態（接続孔の側面を順テーパー形状とすると共に、この接続孔を含む領域に下部電極を形成した例）
３．変形例
４．第３の実施の形態（下部電極を、蒸着マスクを用いた電子ビーム蒸着法またはスパッタ法により形成する例）
【００１５】
＜第１の実施の形態＞
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る有機発光素子を用いた表示装置の構成を表すものである。この表示装置は、極薄型の有機発光カラーディスプレイ装置などとして用いられるものであり、例えば、ガラスなどの基板１１の上に、後述する複数の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂがマトリクス状に配置されてなる表示領域１１０が形成されたものである。表示領域１１０の周辺には、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が形成されている。
【００１６】
表示領域１１０内には画素駆動回路１４０が形成されている。図２は、画素駆動回路１４０の一例を表したものである。この画素駆動回路１４０は、後述する下部電極１３の下層に形成され、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、その間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓと、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された有機発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）とを有するアクティブ型の駆動回路である。駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、一般的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））により構成され、その構成は例えば逆スタガ構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガ構造（トップゲート型）でもよく特に限定されない。
【００１７】
画素駆動回路１４０において、列方向には信号線１２０Ａが複数配置され、行方向には走査線１３０Ａが複数配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの交差点が、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか一つ（サブピクセル）に対応している。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。
【００１８】
図３は、表示領域１１０の断面構成の一例を表したものである。表示領域１１０には、赤色の光を発生する有機発光素子１０Ｒと、緑色の光を発生する有機発光素子１０Ｇと、青色の光を発生する有機発光素子１０Ｂとが、順に全体としてマトリクス状に形成されている。有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、長方形の平面形状を有し、各色別に長手方向（列方向）に配列されている。
【００１９】
有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、それぞれ、基板１１の側から、上述した画素駆動回路１４０の駆動トランジスタＴｒ１および平坦化膜１２を間にして、陽極としての下部電極１３、画素分離絶縁膜１４、赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢを含む有機層１５、および陰極としての上部電極１６がこの順に積層された構成を有している。
【００２０】
このような有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、窒化ケイ素（ＳｉＮx ）などの保護膜１７により被覆され、更にこの保護膜１７上に、熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂などよりなる接着層３０を間にして、ガラスなどよりなる封止用基板２０が全面にわたって貼り合わされることにより封止されている。
【００２１】
平坦化膜１２は、画素駆動回路１４０が形成された基板１１の表面を平坦化するためのものであり、例えば、アクリル，ポリイミド等の有機材料、あるいは酸化シリコン（ＳｉＯ２ ）または酸化窒素（Ｓｉ3Ｎ4）などの無機材料により構成されている。平坦化膜１
２には、駆動トランジスタＴｒ１と下部電極１３との電気的接続をとるための接続孔１２Ａが設けられている。
【００２２】
下部電極１３は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各々に対応して形成されている。下部電極１３は、例えば、赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢで発生した光を下部電極１３側から取り出す場合（ボトムエミッション）には、ＩＴＯ（インジウム・スズ複合酸化物；Indium Tin Oxide），ＩＺＯ（インジウム・亜鉛複合酸化物），またはＳｎＯ2などの透明電極により構成されている。一方、赤色発光
層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢで発生した光を上部電極１６側から取り出す場合（トップエミッション）には、下部電極１３は、金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），クロム（Ｃｒ），銅（Ｃｕ），タングステン（Ｗ），アルミニウム（Ａｌ），モリブデン（Ｍｏ）あるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金よりなる反射電極により構成されている。また、下部電極１３は、透明電極と反射電極との複合膜により構成されていてもよい。
【００２３】
平坦化膜１２の接続孔１２Ａの側面は順テーパー形状とされており、下部電極１３は、接続孔１２Ａを含む領域に形成されている。これにより、この表示装置では、接続孔１２Ａでの短絡を抑えると共に開口率を向上させることが可能となっている。
【００２４】
画素分離絶縁膜１４は、下部電極１３と上部電極１６との絶縁性を確保すると共に発光領域を正確に所望の形状にするためのものであり、例えば、厚みが１μｍ程度であり、酸化シリコンまたはポリイミドなどの感光性樹脂により構成されている。画素分離絶縁膜１４には、発光領域に対応して開口部が設けられている。なお、有機層１５および上部電極１６は、画素分離絶縁膜１４の上にも連続して設けられているが、発光が生じるのは画素分離絶縁膜１４の開口部だけである。
【００２５】
有機層１５は、例えば、下部電極１３の側から順に、正孔注入層および正孔輸送層１５ＡＢ，赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢ、並びに電子輸送層および電子注入層１５ＤＥを積層した構成を有するが、これらのうち赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢ以外の層は必要に応じて設ければよい。また、有機層１５は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光色によってそれぞれ構成が異なっていてもよい。正孔注入層は、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔輸送層は、赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢへの正孔輸送効率を高めるためのものである。赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢは、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。電子輸送層は、赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢへの電子輸送効率を高めるためのものである。電子注入層は、例えば厚みが０．３ｎｍ程度であり、ＬｉＦ，Ｌｉ２ Ｏなどにより構成されている。なお、図３では、正孔注入層および正孔輸送層
を一層（正孔注入層および正孔輸送層１５ＡＢ）、電子輸送層および電子注入層を一層（電子輸送層および電子注入層１５ＤＥ）として表している。
【００２６】
有機発光素子１０Ｒの正孔注入層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）あるいは４，４’，４”−トリス（２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ）により構成されている。有機発光素子１０Ｒの正孔輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン（α−ＮＰＤ）により構成されている。有機発光素子１０Ｒの赤色発光層１５ＣＲは、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、９，１０−ジ−（２−ナフチル）アントラセン（ＡＤＮ）に２，６≡ビス［４´≡メトキシジフェニルアミノ）スチリル］≡１，５≡ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合したものにより構成されている。有機発光素子１０Ｒの電子輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、８≡ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３ ）により構
成されている。
【００２７】
有機発光素子１０Ｇの正孔注入層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ｍ−ＭＴＤＡＴＡあるいは２−ＴＮＡＴＡにより構成されている。有機発光素子１０Ｇの正孔輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、α−ＮＰＤにより構成されている。有機発光素子１０Ｇの緑色発光層１５ＣＧは、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、ＡＤＮにクマリン６（Ｃｏｕｍａｒｉｎ６）を５体積％混合したものにより構成されている。有機発光素子１０Ｇの電子輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ３ により構成されている。
【００２８】
有機発光素子１０Ｂの正孔注入層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ｍ−ＭＴＤＡＴＡあるいは２−ＴＮＡＴＡにより構成されている。有機発光素子１０Ｂの正孔輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、α−ＮＰＤにより構成されている。有機発光素子１０Ｂの青色発光層１５ＣＢは、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、ＡＤＮに４，４´≡ビス［２≡｛４≡（Ｎ，Ｎ≡ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％混合したものにより構成されている。有機発光素子１０Ｂの電子輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ３ により構成されている。
【００２９】
上部電極１６は、例えば、厚みが５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ），ナトリウム（Ｎａ）などの金属元素の単体または合金により構成されている。中でも、マグネシウムと銀との合金（ＭｇＡｇ合金）、またはアルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）との合金（ＡｌＬｉ合金）が好ましい。また、上部電極１６は、これらの金属元素の単体または合金よりなる層と、第１電極１３と同様の透明電極との複合膜により構成されていてもよい。
【００３０】
封止用基板２０は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの上部電極１６の側に位置しており、接着層３０と共に有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを封止するものである。封止用基板２０は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光に対して透明なガラスなどの材料により構成されている。
【００３１】
この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。
【００３２】
図４ないし図１８は、この表示装置の製造方法を工程順に表すものである。まず、図４に示したように、上述した材料よりなる基板１１の上に駆動トランジスタＴｒ１を含む画素駆動回路１４０を形成する。次いで、同じく図４に示したように、基板１１の全面に感光性樹脂を塗布し、露光および現像することにより、駆動トランジスタＴｒ１に対応する位置に側面が順テーパー形状の接続孔１２Ａを有する平坦化膜１２を形成し、焼成する。このとき、平坦化膜１２の材料としてポジ型の感光性樹脂を用いることにより、容易に接続孔１２Ａの側面を順テーパー形状とすることができる。
【００３３】
続いて、同じく図４に示したように、平坦化膜１２の上に、上述した下部電極１３の材料よりなる下部電極材料膜１３Ａを形成する。
【００３４】
そののち、図５ないし図７に示したように、下部電極材料膜１３Ａの上にネガ型のフォトレジスト膜４１を形成し、このフォトレジスト膜４１に対して、赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢを形成するための蒸着マスク５１を用いて３回露光する。
【００３５】
まず１回目では、図５に示したように、フォトレジスト膜４１に対して蒸着マスク５１の開口部５２を、有機発光素子１０Ｒの下部電極１３の形成予定領域１３ＲＡに位置合わせして露光する。下部電極１３の形成予定領域１３ＲＡは、接続孔１２Ａを含むようにする。露光の際には、開口部５２よりも広めに下部電極１３を形成するために、蒸着マスク５１と基板１１との間の距離を広くする、露光量を多くする、または露光光Ｌの直線性を下げるなどを行うことが好ましい。
【００３６】
２回目では、図６に示したように、フォトレジスト膜４１に対して蒸着マスク５１の開口部５２を、有機発光素子１０Ｇの下部電極１３の形成予定領域１３ＧＡに位置合わせして露光する。下部電極１３の形成予定領域１３ＧＡは、接続孔１２Ａを含むようにする。
【００３７】
３回目では、図７に示したように、フォトレジスト膜４１に対して蒸着マスク５１の開口部５２を、有機発光素子１０Ｂの下部電極１３の形成予定領域１３ＢＡに位置合わせして露光する。下部電極１３の形成予定領域１３ＢＡは、接続孔１２Ａを含むようにする。
【００３８】
このようにしてフォトレジスト膜４１を蒸着マスク５１を用いて３回露光したのち、フォトレジスト膜４１を現像する。続いて、図８に示したように、フォトレジスト膜４１をマスクとしたエッチングにより下部電極材料膜１３Ａを選択的に除去する。これにより、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各々に対応した下部電極１３を、接続孔１２Ａを含む領域に形成する。
【００３９】
下部電極１３を形成したのち、図９ないし図１１に示したように、基板１１の全面に、上述した画素分離絶縁膜１４の材料よりなる感光性膜４２を形成し、この感光性膜４２に対して、蒸着マスク５１を用いて３回露光する。
【００４０】
まず１回目では、図９に示したように、感光性膜４２に対して蒸着マスク５１の開口部５２を、有機発光素子１０Ｒの下部電極１３に位置合わせして露光する。露光の際には、同じ露光マスク５１によって、下部電極１３と画素分離絶縁膜１４とに重なりがあるようにする、すなわち、画素分離絶縁膜１４の開口部を下部電極１３よりも小さくする必要がある。そのため、蒸着マスク５１と基板１１との間の距離を狭くする、露光量を少なくする、または露光光Ｌの直線性を上げるなどを行うことが好ましい。
【００４１】
２回目では、図１０に示したように、感光性膜４２に対して蒸着マスク５１の開口部５２を、有機発光素子１０Ｇの下部電極１３に位置合わせして露光する。
【００４２】
３回目では、図１１に示したように、感光性膜４２に対して蒸着マスク５１の開口部５２を、有機発光素子１０Ｂの下部電極１３に位置合わせして露光する。
【００４３】
このようにして感光性膜４２を蒸着マスク５１を用いて３回露光したのち、感光性膜４２を現像する。これにより、図１２に示したように、下部電極１３の間の領域に画素分離絶縁膜１４を形成する。本実施の形態では、下部電極材料膜１３Ａをエッチングするためのフォトレジスト膜４１、および画素分離絶縁膜１４を形成するための感光性膜４２を、蒸着マスク５１を用いて露光するようにしたので、下部電極１３および画素分離絶縁膜１４と有機層１５との位置ズレを小さくすることが可能となる。
【００４４】
画素分離絶縁膜１４を形成したのち、図１３に示したように、基板１１の全面に、例えば蒸着法により、上述した材料よりなる正孔注入層および正孔輸送層１５ＡＢを形成する。続いて、同じく図１３に示したように、蒸着マスク５１の開口部５２を有機発光素子１０Ｒの下部電極１３に位置合わせして、有機発光素子１０Ｒの下部電極１３の上に赤色発光層１５ＣＲを、蒸着マスク５１を用いた蒸着法により形成する。
【００４５】
赤色発光層１５ＣＲを形成したのち、図１４に示したように、蒸着マスク５１の開口部５２を有機発光素子１０Ｇの下部電極１３に位置合わせして、有機発光素子１０Ｇの下部電極１３の上に緑色発光層１５ＣＧを、蒸着マスク５１を用いた蒸着法により形成する。
【００４６】
緑色発光層１５ＣＧを形成したのち、図１５に示したように、蒸着マスク５１の開口部５２を有機発光素子１０Ｂの下部電極１３に位置合わせして、有機発光素子１０Ｂの下部電極１３の上に青色発光層１５ＣＢを、蒸着マスク５１を用いた蒸着法により形成する。これにより、図１６に示したように、赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢが形成される。
【００４７】
そののち、図１７に示したように、基板１１の全面に、例えば蒸着法により、上述した材料よりなる電子輸送層および電子注入層１５ＤＥを形成する。これにより、有機層１５が形成される。続いて、同じく図１７に示したように、有機層１５の上に、例えば蒸着法により、上述した材料よりなる上部電極１６を形成する。これにより、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが形成される。
【００４８】
有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成したのち、図１８に示したように、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの上に上述した材料よりなる保護膜１７を形成する。そののち、保護膜１７の上に、接着層３０を形成し、この接着層３０を間にして封止用基板２０を貼り合わせる。以上により、図３に示した表示装置が完成する。
【００４９】
この表示装置では、各画素に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。すなわち、この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これにより、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動電流Ｉｄが注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、下部電極１３および基板１１を透過して（ボトムエミッション）、または第２電極１６および封止用基板２０を透過して（トップエミッション）取り出される。ここでは、接続孔１２Ａの側面が順テーパー形状であると共に、この接続孔１２Ａを含む領域に下部電極１３が形成されているようにしたので、接続孔１２Ａでの下部電極１３と上部電極１６との短絡が抑えられる。これにより、従来は画素分離絶縁膜１４で覆うようにしていた接続孔１２Ａを発光領域に含ませることができ、開口率の向上が可能となる。よって、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの寿命を延ばすことが可能となる。
【００５０】
このように本実施の形態の表示装置の製造方法では、下部電極材料膜１３Ａをエッチングするためのフォトレジスト膜４１、および画素分離絶縁膜１４を形成するための感光性膜４２を、蒸着マスク５１を用いて露光するようにしたので、下部電極１３および画素分離絶縁膜１４と有機層１５との位置ズレを小さくすることが可能となる。
【００５１】
本実施の形態の表示装置では、接続孔１２Ａの側面を順テーパー形状とすると共に、この接続孔１２Ａを含む領域に下部電極１３を形成するようにしたので、接続孔１２Ａでの下部電極１３と上部電極１６との短絡を抑えると共に開口率を向上させることが可能となる。
【００５２】
なお、上記実施の形態では、赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢで発生した光を下部電極１３側から取り出す場合（ボトムエミッション）または上部電極１６側から取り出す場合（トップエミッション）について説明したが、本実施の形態は、上部電極１６が半透過性反射層としての機能を有しており、下部電極１３と上部電極１６とにより、赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢにおいて発生した光を共振させる共振器構造が構成されている場合にも適用可能である。
【００５３】
また、上記実施の形態では、画素分離絶縁膜１４がポリイミドなどの感光性樹脂により構成されている場合について説明したが、画素分離絶縁膜１４は、酸化シリコン（ＳｉＯ2）または酸化窒素（Ｓｉ3Ｎ4）などの無機材料により構成されていてもよい。その場合
、画素分離絶縁膜１４は、例えば、次のようにして形成することができる。まず、上述した画素分離絶縁膜１４の材料よりなる無機材料膜を形成する。次いで、無機材料膜の上にフォトレジスト膜を形成し、このフォトレジスト膜に対して、図５ないし図７に示した工程により、蒸着マスク５１を用いて３回露光したのち、フォトレジスト膜を現像する。続いて、このフォトレジスト膜をマスクとしたエッチングにより無機材料膜を選択的に除去する。これにより、画素分離絶縁膜１４が形成される。
【００５４】
＜第２の実施の形態＞
図１９は、本発明の第２の実施の形態に係る表示装置の表示領域１１０の断面構成を表したものである。この表示装置は、画素分離絶縁膜１４が設けられておらず、有機層１５が、下部電極１３の上面１３Ｃおよび側面１３Ｄの全部を覆って形成されていること、および、駆動トランジスタＴｒ１と下部電極１３とが中間電極を介して接続されていることにおいて上記第１の実施の形態と異なるものである。よって、対応する構成要素には同一の符号を付して説明する。
【００５５】
基板１１と、駆動トランジスタＴｒ１を含む画素駆動回路１４０とについては、第１の実施の形態と同様である。
【００５６】
基板１１と下部電極１３との間には、第１平坦化膜１２Ｂ、中間電極１８および第２平坦化膜１２Ｃが順に設けられている。
【００５７】
第１平坦化膜１２Ｂは、駆動トランジスタＴｒ１と中間電極１８との間の層間絶縁膜としての機能を有するものであり、例えば、アクリル，ポリイミド等の有機材料、あるいは酸化シリコン（ＳｉＯ2）または窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）などの無機材料により構成されている。第１平坦化膜１２Ｂには、駆動トランジスタＴｒ１に対応する位置に、駆動トランジスタＴｒ１と中間電極１８との電気的接続をとるための接続孔１２ＢＡが設けられている。接続孔１２ＢＡは、側面が順テーパー形状となっていることが望ましい。
【００５８】
第２平坦化膜１２Ｃは、画素駆動回路１４０が形成された基板１１の表面を平坦化するためのものであり、例えば、アクリル，ポリイミド等の有機材料、あるいは酸化シリコン（ＳｉＯ2）または窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）などの無機材料により構成されている。第２平坦化膜１２Ｃには、中間電極１８と下部電極１３との電気的接続をとるための接続孔１２ＣＡが設けられている。接続孔１２ＣＡは、中間電極１８に対応する位置に設けられると共に、側面が順テーパー形状とされている。下部電極１３は、接続孔１２ＣＡを含む領域に形成されている。これにより、この表示装置では、第１の実施の形態と同様に、接続孔１２ＣＡでの短絡を抑えると共に開口率を向上させることが可能となっている。
【００５９】
中間電極１８は、第１平坦化膜１２Ｂの接続孔１２ＢＡを含む領域に形成され、その構成材料は導電性材料であれば特に限定されない。中間電極１８を設けることにより、駆動トランジスタＴｒ１の厚いアルミニウム（Ａｌ）膜よりなる配線電極１９の表面の凹凸に起因して、接続孔１２ＣＡ内で下部電極１３と上部電極１４とが短絡するのを抑えることが可能となる。
【００６０】
本実施の形態では、有機層１５が、下部電極１３の上面１３Ｃおよび側面１３Ｄの全部を覆って形成されている。このようにすることにより、画素分離絶縁膜１４を設ける必要がなくなり、開口率を更に高め、素子寿命を更に改善することが可能となる。ちなみに、ボトムエミッションの場合でも駆動トランジスタＴｒ１との接続面積は軽微であり、画素分離絶縁膜１４による開口率減少のほうが影響が大きい。また、画素分離絶縁膜１４を形成する工程を省くことができ、工程を大幅に簡素化すると共にコスト低減が可能となる。更に、画素分離絶縁膜１４の成膜およびパターニングによる下部電極１３の上面１３Ｃのダメージがなくなり、上面１３Ｃの凹凸も発生させないので、素子特性が良好になる。加えて、画素分離絶縁膜１４の厚みに起因する凹凸がなくなるので、保護膜１７のカバレージが良好となり信頼性の向上につながる。
【００６１】
下部電極１３の側面１３Ｄは順テーパー形状であることが好ましい。下部電極１３の側面１３Ｄで有機層１５が途切れるおそれが小さくなり、下部電極１３と上部電極１６とが短絡するのを抑えることができるからである。ここに「下部電極１３の側面１３Ｄが順テーパー形状である」とは、下部電極１３の寸法が、基板１１側から円錐状または角錐状に次第に減少している形状をいう。
【００６２】
または、下部電極１３の厚みは有機層１５の厚みよりも薄いことが好ましい。下部電極１３が十分に薄ければ、下部電極１３の側面１３Ｄで有機層１５が途切れるおそれが小さくなり、下部電極１３と上部電極１６とが短絡するのを抑えることができるからである。この場合は、下部電極１３の側面１３Ｄは必ずしも順テーパー形状である必要はない。具体的には、例えば４０型でＦＨＤの表示装置では、図２０に示したように、１画素の大きさが１５３μｍ×４５９μｍ程度、下部電極１３の大きさが１４３μｍ×４４９μｍである。非特許文献１によれば２００８年に実現できる性能として１画素に必要な最大電流は２μＡ程度とされ、更にその後の改善でその３分の１（１／３）程度まで必要電流が小さくなると予想されている。このときの必要電圧を５Ｖとすると、１画素の有機層１５の抵抗は２．５ＭΩとなる。駆動トランジスタＴｒ１との接続孔１２ＣＡを１０μｍ角とし画素の中央に配置すると、接続孔１２ＣＡの対角長さは１４．１μｍ、接続孔１２ＣＡが画素端にずれた場合の横方向のずれ量は６６．５μｍ、縦方向のずれ量は２１９．５μｍである。よって、画素端までの抵抗はシート抵抗の１６倍以下の大きさ（√（６６．５2＋２１９．５2）／１４．１≒１６）となる。１画素内での発光輝度の差を小さくするために下部電極１３のシート抵抗による電圧降下量を±０．１％までとするとシート抵抗は１５６Ω／□まで許容されることになる。下部電極１３が抵抗率の高いＩＴＯにより構成されている場合でも、ＩＴＯの抵抗率を１．５×１０-4Ω・ｃｍとすれば、１０ｎｍ以上の厚みであればよいことになる。通常の有機層１５の厚みは５０ｎｍ以上であり、下部電極１３は有機層１５に比べて十分に薄いものとなる。
【００６３】
この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。
【００６４】
図２１ないし図２８は、この表示装置の製造方法を工程順に表すものである。まず、図２１に示したように、第１の実施の形態と同様にして、基板１１の上に駆動トランジスタＴｒ１を含む画素駆動回路１４０を形成する。
【００６５】
次いで、同じく図２１に示したように、基板１１の全面に感光性樹脂を塗布し、露光および現像することにより、駆動トランジスタＴｒ１に対応する位置に側面が順テーパー形状の接続孔１２ＢＡを有する第１平坦化膜１２Ｂを形成し、焼成する。このとき、第１平坦化膜１２Ｂの材料としてポジ型の感光性樹脂を用いることにより、容易に接続孔１２ＢＡの側面を順テーパー形状とすることができる。
【００６６】
続いて、同じく図２１に示したように、第１平坦化膜１２Ｂの上に、上述した中間電極１８の材料よりなる中間電極材料膜（図示せず）を形成し、例えばフォトリソグラフィにより所定の形状に成形することにより、中間電極１８を形成する。
【００６７】
そののち、同じく図２１に示したように、基板１１の全面に感光性樹脂を塗布し、露光および現像することにより、中間電極１８に対応する位置に側面が順テーパー形状の接続孔１２ＣＡを有する第２平坦化膜１２Ｃを形成し、焼成する。このとき、第２平坦化膜１２Ｃの材料としてポジ型の感光性樹脂を用いることにより、容易に接続孔１２ＣＡの側面を順テーパー形状とすることができる。
【００６８】
第２平坦化膜１２Ｃを形成したのち、同じく図２１に示したように、第２平坦化膜１２Ｃの上に、上述した下部電極１３の材料よりなる下部電極材料膜１３Ａを形成する。
【００６９】
下部電極材料膜１３を形成したのち、図２２に示したように、下部電極材料膜１３Ａの上にネガ型のフォトレジスト膜４１を形成し、このフォトレジスト膜４１に対して、露光マスク５３を用いて露光し、現像する。続いて、このフォトレジスト膜４１をマスクとしたエッチングにより下部電極材料膜１３Ａを選択的に除去する。これにより、図２３に示したように、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各々に対応した下部電極１３を、接続孔１２Ａを含む領域に形成する。その際、エッチング条件の調整により、下部電極１３の側面１３Ｄを順テーパー形状とする。または、下部電極１３の厚みを有機層１５の厚みよりも薄くする。
【００７０】
下部電極１３を形成したのち、図２４に示したように、基板１１の全面に、例えば蒸着法により、上述した材料よりなる正孔注入層および正孔輸送層１５ＡＢを形成する。続いて、同じく図２３に示したように、蒸着マスク５１の開口部５２を有機発光素子１０Ｒの下部電極１３に位置合わせして、有機発光素子１０Ｒの下部電極１３の上に赤色発光層１５ＣＲを、蒸着マスク５１を用いた蒸着法により形成する。
【００７１】
赤色発光層１５ＣＲを形成したのち、図２５に示したように、蒸着マスク５１の開口部５２を有機発光素子１０Ｇの下部電極１３に位置合わせして、有機発光素子１０Ｇの下部電極１３の上に緑色発光層１５ＣＧを、蒸着マスク５１を用いた蒸着法により形成する。
【００７２】
緑色発光層１５ＣＧを形成したのち、図２６に示したように、蒸着マスク５１の開口部５２を有機発光素子１０Ｂの下部電極１３に位置合わせして、有機発光素子１０Ｂの下部電極１３の上に青色発光層１５ＣＢを、蒸着マスク５１を用いた蒸着法により形成する。これにより、赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢが形成される。
【００７３】
そののち、図２７に示したように、基板１１の全面に、例えば蒸着法により、上述した材料よりなる電子輸送層および電子注入層１５ＤＥを形成する。これにより、有機層１５が形成される。続いて、同じく図２７に示したように、有機層１５の上に、例えば蒸着法により、上述した材料よりなる上部電極１６を形成する。これにより、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが形成される。
【００７４】
有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成したのち、図２８に示したように、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの上に上述した材料よりなる保護膜１７を形成する。そののち、保護膜１７の上に、接着層３０を形成し、この接着層３０を間にして封止用基板２０を貼り合わせる。以上により、図１９に示した表示装置が完成する。
【００７５】
この表示装置では、各画素に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。すなわち、この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これにより、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動電流Ｉｄが注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、下部電極１３および基板１１を透過して（ボトムエミッション）、または上部電極１６および封止用基板２０を透過して（トップエミッション）取り出される。ここでは、第１の実施の形態と同様に、接続孔１２Ａの側面が順テーパー形状であると共に、この接続孔１２Ａを含む領域に下部電極１３が形成されているようにしたので、接続孔１２Ａでの下部電極１３と上部電極１６との短絡が抑えられる。これにより、従来は画素分離絶縁膜１４で覆うようにしていた接続孔１２Ａを発光領域に含ませることができ、開口率の向上が可能となる。よって、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの寿命を延ばすことが可能となる。
【００７６】
また、有機層１５が、下部電極１３の上面１３Ｃおよび側面１３Ｄの全部を覆って形成されているので、画素分離絶縁膜１４が不要となり、開口率が更に高くなる。
【００７７】
このように本実施の形態の表示装置では、第１の実施の形態の効果に加えて、有機層１５を、下部電極１３の上面１３Ｃおよび側面１３Ｄの全部を覆って形成するようにしたので、画素分離絶縁膜１４を不要とし、開口率を更に高め、素子寿命を更に改善することが可能となる。また、画素分離絶縁膜１４を形成する工程を省くことができ、工程を大幅に簡素化すると共にコスト低減が可能となる。
【００７８】
なお、本実施の形態もまた、第１の実施の形態と同様に、上部電極１６が半透過性反射層としての機能を有しており、下部電極１３と上部電極１６とにより、赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢにおいて発生した光を共振させる共振器構造が構成されている場合に適用可能である。
【００７９】
次に、第２の実施の形態の変形例について説明する。
【００８０】
＜変形例１＞
図２９ないし図３１は、変形例１に係る表示装置の製造方法を工程順に表したものである。本変形例は、下部電極材料膜１３Ａをエッチングするためのフォトレジスト膜４１を、蒸着マスク５１を用いて露光するようにしたことを除いては、上記第２の実施の形態の製造方法と同一である。よって、第２の実施の形態と重複する工程については図２０ないし図２７を参照して説明する。
【００８１】
まず、第２の実施の形態と同様にして、図２１に示した工程により、基板１１の上に駆動トランジスタＴｒ１を含む画素駆動回路１４０，第１平坦化膜１２Ｂ，中間電極１８，第２平坦化膜１２Ｃおよび下部電極材料膜１３Ａを形成する。
【００８２】
次いで、図２９に示したように、下部電極材料膜１３Ａの上にネガ型のフォトレジスト膜４１を形成し、このフォトレジスト膜４１に対して、赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢを形成するための蒸着マスク５１を用いて３回露光する。このようにすることにより、第１の実施の形態と同様に、下部電極１３と有機層１５との位置ズレを小さくすることが可能となる。
【００８３】
まず１回目では、図２９に示したように、フォトレジスト膜４１に対して蒸着マスク５１の開口部５２を、有機発光素子１０Ｒの下部電極１３の形成予定領域１３ＲＡに位置合わせして露光する。下部電極１３の形成予定領域１３ＲＡは、接続孔１２Ａを含むようにする。露光の際には、開口部５２よりも広めに下部電極１３を形成するために、蒸着マスク５１と基板１１との間の距離を広くする、露光量を多くする、または露光光Ｌの直線性を下げるなどを行うことが好ましい。
【００８４】
２回目では、図３０に示したように、フォトレジスト膜４１に対して蒸着マスク５１の開口部５２を、有機発光素子１０Ｇの下部電極１３の形成予定領域１３ＧＡに位置合わせして露光する。下部電極１３の形成予定領域１３ＧＡは、接続孔１２Ａを含むようにする。
【００８５】
３回目では、図３１に示したように、フォトレジスト膜４１に対して蒸着マスク５１の開口部５２を、有機発光素子１０Ｂの下部電極１３の形成予定領域１３ＢＡに位置合わせして露光する。下部電極１３の形成予定領域１３ＢＡは、接続孔１２Ａを含むようにする。
【００８６】
このようにしてフォトレジスト膜４１を蒸着マスク５１を用いて３回露光したのち、フォトレジスト膜４１を現像する。続いて、第２の実施の形態と同様にして、図２３に示した工程により、フォトレジスト膜４１をマスクとしたエッチングにより下部電極材料膜１３Ａを選択的に除去する。これにより、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各々に対応した下部電極１３を、接続孔１２Ａを含む領域に形成する。その際、エッチング条件の調整により、下部電極１３の側面１３Ｄを順テーパー形状とする。または、下部電極１３の厚みを有機層１５の厚みよりも薄くする。
【００８７】
下部電極１３を形成したのち、第２の実施の形態と同様にして、図２４に示した工程により、基板１１の全面に、例えば蒸着法により、上述した材料よりなる正孔注入層および正孔輸送層１５ＡＢを形成する。続いて、第２の実施の形態と同様にして、図２４ないし図２６に示した工程により、赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢを、蒸着マスク５１を用いた蒸着法により形成する。
【００８８】
赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢを形成したのち、第２の実施の形態と同様にして、図２７に示した工程により、電子輸送層および電子注入層１５ＤＥと、上部電極１６を形成する。これにより、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが形成される。
【００８９】
有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成したのち、第２の実施の形態と同様にして、図２８に示した工程により、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの上に保護膜１７を形成する。そののち、保護膜１７の上に、接着層３０を形成し、この接着層３０を間にして封止用基板２０を貼り合わせる。以上により、図１９に示した表示装置が完成する。
【００９０】
＜変形例２＞
図３２は、変形例２に係る表示装置の表示領域１１０の断面構成を表したものである。この表示装置は、中間電極１８を設けず、駆動トランジスタＴｒ１と下部電極１３とを平坦化膜１２の接続孔１２Ａを介して接続したことを除いては第２の実施の形態と同一の構成、作用および効果を有し、同様にして製造することができる。
【００９１】
＜変形例３＞
図３３は、変形例３に係る表示装置の表示領域１１０の断面構成を表したものである。この表示装置は、正孔注入層および正孔輸送層１５ＡＢを有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂごとに形成したことを除いては第２の実施の形態と同一の構成、作用および効果を有している。また、この表示装置は、正孔注入層および正孔輸送層１５ＡＢと、赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢとを、蒸着マスク５１を用いて形成することを除いては、第２の実施の形態と同様にして製造することができる。
【００９２】
＜変形例４＞
図３４は、変形例４に係る表示装置の表示領域１１０の断面構成を表したものである。この表示装置は、有機層１５のすべての層、すなわち、正孔注入層および正孔輸送層１５ＡＢと、赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢと、電子輸送層および電子注入層１５ＤＥとを、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂごとに形成したことを除いては第２の実施の形態と同一の構成、作用および効果を有している。また、この表示装置は、有機層１５のすべてを蒸着マスク５１を用いて形成することを除いては、第２の実施の形態と同様にして製造することができる。なお、本変形例では、有機層１５が下部電極１３の上面１３Ｃおよび側面１３Ｄを覆うことが必要である。
【００９３】
＜変形例５＞
図３５は、変形例５に係る表示装置の表示領域１１０の断面構成を表したものである。この表示装置は、赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢに代えて白色発光層１５ＣＷを形成すると共に、封止用基板２０にカラーフィルタ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂおよびブラックマトリクスとしての遮光膜２２を設けたことを除いては第２の実施の形態と同一の構成、作用および効果を有し、同様にして製造することができる。なお、カラーフィルタ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂに代えてＣＣＭ（Color Changing Medium）を設けてもよい。
【００９４】
＜変形例６＞
図３６は、変形例６に係る表示装置の表示領域１１０の断面構成を表したものである。本変形例は、中間電極１８を下部電極１３と同じ領域に設けることによって、中間電極１８に反射電極としての機能を付与したものである。これにより、下部電極１３を透明電極により構成した場合に、赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢで発生した光を上部電極１６側から取り出す（トップエミッション）ことが可能となる。このことを除いては、この表示装置は第２の実施の形態と同一の構成、作用および効果を有し、同様にして製造することができる。
【００９５】
＜変形例７＞
図３７は、変形例７に係る表示装置の表示領域１１０の断面構成を表したものである。本変形例は、駆動トランジスタＴｒ１の配線電極１９を下部電極１３と同じ領域に設けることによって、この配線電極１９に反射電極としての機能を付与し、簡素な構成で変形例６と同様の効果を得られるようにしたものである。このことを除いては、この表示装置は第２の実施の形態と同一の構成、作用および効果を有し、同様にして製造することができる。
【００９６】
＜変形例８＞
図３８は、変形例８に係る表示装置の表示領域１１０の断面構成を表したものである。本変形例は、第２平坦化膜１２Ｃを設けず、中間電極１８の上に下部電極１３を設けることによって、簡素な構成で短絡を抑えることを可能にするものである。このことを除いては、この表示装置は第２の実施の形態と同一の構成、作用および効果を有し、同様にして製造することができる。
【００９７】
＜第３の実施の形態＞
図３９ないし図４４は、本発明の第３の実施の形態に係る表示装置の製造方法を工程順に表したものである。本実施の形態は、下部電極１３を蒸着マスク５１を用いて形成するようにしたものである。このことを除いては、上記第２の実施の形態の製造方法と同一である。よって、第２の実施の形態と重複する工程については図２１ないし図２８を参照して説明する。
【００９８】
まず、図３９に示したように、第２の実施の形態と同様にして、図２１に示した工程により、基板１１の上に駆動トランジスタＴｒ１を含む画素駆動回路１４０，第１平坦化膜１２Ｂ，中間電極１８および第２平坦化膜１２Ｃを形成する。
【００９９】
次いで、図４０に示したように、第２平坦化膜１２Ｃに対して蒸着マスク５１の開口部５２を、有機発光素子１０Ｒの下部電極１３の形成予定領域１３ＲＡに位置合わせして、蒸着法またはスパッタ法などにより、下部電極１３を形成する。下部電極１３の形成予定領域１３ＲＡは、接続孔１２ＣＡを含むようにする。また、成膜条件の調整により、下部電極１３の側面１３Ｄを順テーパー形状とすることが好ましい。
【０１００】
続いて、図４１に示したように、有機発光素子１０Ｒの下部電極１３の場合と同様にして、第２平坦化膜１２Ｃに対して蒸着マスク５１の開口部５２を、有機発光素子１０Ｇの下部電極１３の形成予定領域１３ＧＡに位置合わせして、蒸着法またはスパッタ法などにより、下部電極１３を形成する。
【０１０１】
そののち、図４２に示したように、有機発光素子１０Ｒの下部電極１３の場合と同様にして、第２平坦化膜１２Ｃに対して蒸着マスク５１の開口部５２を、有機発光素子１０Ｂの下部電極１３の形成予定領域１３ＢＡに位置合わせして、蒸着法またはスパッタ法などにより、下部電極１３を形成する。
【０１０２】
下部電極１３を形成したのち、第２の実施の形態と同様にして、図２４に示した工程により、基板１１の全面に、例えば蒸着法により、上述した材料よりなる正孔注入層および正孔輸送層１５ＡＢを形成する。続いて、第２の実施の形態と同様にして、図２４ないし図２６に示した工程により、赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢを、蒸着マスク５１を用いた蒸着法により形成する。
【０１０３】
このように、下部電極１３を蒸着マスク５１を用いて形成することにより、大型化により開口部５２の位置精度が低くなっても、下部電極１３と有機層１５との位置ズレを小さくすることが可能となる。
【０１０４】
具体的には、第２の実施の形態で図２０を参照して説明したように、例えば４０型でＦＨＤの表示装置では、１画素の大きさは１５３μｍ×４５９μｍ程度である。接続孔１２ＣＡを１０μｍ角とすると、接続孔１２ＣＡと蒸着マスク５１の開口部５２との最大の位置合わせずれ量は、画素間スペースを１０μｍとして、±６６．５μｍでよいことになり、蒸着マスク５１に要求される位置精度が非常に緩くなる。
【０１０５】
この場合も、下部電極１３の厚みは、第２の実施の形態で図２０を参照して説明したのと同様に、１０ｎｍ以上であればよいことになる。
【０１０６】
これに対して、従来では、下部電極のパターニングでフォトリソグラフィを用いているので、パターンの位置精度はステッパーやミラープロジェクションアライナーの位置精度で決まり、通常の位置精度は１μｍ以下にすることができる。一方、有機層は蒸着マスクを用いた真空蒸着により形成される。真空蒸着では蒸着マスクの影を少なくするために、通常蒸着マスクは厚み５μｍ〜１００μｍの薄板で作製される。この蒸着マスクを高位置精度で作製するためには、蒸着マスクに張力をかけてフレームに固定する必要がある。張力が大きいほど高位置精度が得やすいので、フレームの重量が重くなる。蒸着マスクに高位置精度が要求され、フレームの重量が大きくなるので、従来では有機ＥＬ表示装置の大型化は極めて難しかった。
【０１０７】
例えば図４３および図４４に示したように、蒸着マスク８５１の開口部８５２の位置がずれると、画面中央では下部電極８１３および画素分離絶縁膜８１４と開口部８５２とが合うが、画面端では下部電極８１３と開口部８５２とが合わなくなる。４０型でＦＨＤの場合、１画素の大きさが１５３μｍ×４５９μｍ程度であり、開口部８５２の位置精度が±２０μｍであれば、開口部８５２を狭くして対応することになり開口率は６７％以下となってしまう。本実施の形態では、下部電極１３を蒸着マスク５１を用いて形成することにより、大型化により開口部５２の位置精度が低くなっても、下部電極１３と有機層１５との位置ズレを小さくすることが可能となる。
【０１０８】
このように赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢを形成したのち、第２の実施の形態と同様にして、図２６に示した工程により、電子輸送層および電子注入層１５ＤＥと、上部電極１６を形成する。これにより、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが形成される。
【０１０９】
有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成したのち、第２の実施の形態と同様にして、図２７に示した工程により、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの上に保護膜１７を形成する。そののち、保護膜１７の上に、接着層３０を形成し、この接着層３０を間にして封止用基板２０を貼り合わせる。以上により、図１９に示した表示装置が完成する。
【０１１０】
このように本実施の形態では、下部電極１３を蒸着マスク５１を用いて形成し、この蒸着マスク５１を用いた蒸着法により、有機層１５を、下部電極１３の上面１３Ｃおよび側面１３Ｄの全部を覆って形成するようにしたので、下部電極１３と有機層１５との位置ズレを小さくすることが可能となり、特に大型化に有効である。
【０１１１】
（モジュールおよび適用例）
以下、上述した実施の形態で説明した表示装置の適用例について説明する。上記実施の形態の表示装置は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
【０１１２】
（モジュール）
上記実施の形態の表示装置は、例えば、図４５に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板１１の一辺に、封止用基板２０および接着層３０から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。
【０１１３】
（適用例１）
図４６は、上記実施の形態の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【０１１４】
（適用例２）
図４７は、上記実施の形態の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【０１１５】
（適用例３）
図４８は、上記実施の形態の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【０１１６】
（適用例４）
図４９は、上記実施の形態の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【０１１７】
（適用例５）
図５０は、上記実施の形態の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【０１１８】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。
【０１１９】
また、例えば、上記実施の形態においては、基板１１の上に、下部電極１３，有機層１５および上部電極１６を基板１１の側から順で積層し、封止用基板２０の側から光を取り出すようにした場合について説明したが、積層順序を逆にして、基板１１の上に、上部電極１６，有機層１５および下部第１電極１３を基板１１の側から順に積層し、基板１１の側から光を取り出すようにすることもできる。
【０１２０】
更に、例えば、上記実施の形態では、下部電極１３を陽極、上部電極１６を陰極とする場合について説明したが、陽極および陰極を逆にして、下部電極１３を陰極、上部電極１６を陽極としてもよい。さらに、下部電極１３を陰極、上部電極１６を陽極とすると共に、基板１１の上に、上部電極１６，有機層１５および下部電極１３を基板１１の側から順に積層し、基板１１の側から光を取り出すようにすることもできる。
【０１２１】
加えて、上記実施の形態では、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。
【０１２２】
更にまた、上記実施の形態では、アクティブマトリクス型の表示装置の場合について説明したが、本発明はパッシブマトリクス型の表示装置への適用も可能である。加えてまた、アクティブマトリクス駆動のための画素駆動回路の構成は、上記実施の形態で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加してもよい。その場合、画素駆動回路の変更に応じて、上述した信号線駆動回路１２０や走査線駆動回路１３０のほかに、必要な駆動回路を追加してもよい。
【０１２３】
加えてまた、本発明は、蒸着法だけでなく版を用いた印刷法にも適用可能である。
【符号の説明】
【０１２４】
１０…画素、１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ…有機発光素子、１１…基板、１２…平坦化膜、１３…下部電極、１４…画素分離絶縁膜、１５…有機層、１５ＡＢ…正孔注入層および正孔輸送層、１５ＣＲ…赤色発光層、１５ＣＧ…緑色発光層、１５ＣＢ…青色発光層、１５ＤＥ…電子輸送層および電子注入層、１６…上部電極、１７…保護膜、２０…封止用基板、２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂ…カラーフィルタ、３０…接着層、４１…フォトレジスト膜、５１…蒸着マスク、５２…開口部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に、複数の有機発光素子の各々に対応して形成された駆動素子と、
前記有機発光素子の発光領域内の第１接続孔を有し、前記第１接続孔の側面が順テーパー形状である平坦化膜と、
前記複数の有機発光素子の各々に対応して、前記第１接続孔を含む領域に形成された下部電極と、
発光層を含む有機層と、
上部電極と
を備えた表示装置。
【請求項２】
前記有機層は、前記下部電極の上面および側面の全部を覆って形成されている
請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記下部電極の側面は順テーパー形状である
請求項１または２記載の表示装置。
【請求項４】
前記下部電極の厚みは前記有機層の厚みよりも薄い
請求項１乃至３のうちいずれか１つ記載の表示装置。
【請求項５】
前記平坦化膜の第１接続孔を含む領域に形成されると共に前記駆動素子と前記下部電極とを接続する中間電極を有する
請求項１乃至４のうちいずれか１つ記載の表示装置。
【請求項６】
前記中間電極と前記下部電極とが同じ領域に設けられた
請求項５記載の表示装置。
【請求項７】
前記平坦化膜は複数層からなり、前記複数層のうち少なくとも最上層に前記第１接続孔を有する
請求項１乃至６のうちいずれか１つ記載の表示装置。
【請求項８】
前記平坦化膜は、
前記駆動素子に対応する位置に第２接続孔を有する第１平坦化膜と、
前記中間電極に対応する位置に前記第１接続孔を有する第２平坦化膜とを有する
請求項７記載の表示装置。
【請求項１】
基板に、複数の有機発光素子の各々に対応して形成された駆動素子と、
前記有機発光素子の発光領域内の第１接続孔を有し、前記第１接続孔の側面が順テーパー形状である平坦化膜と、
前記複数の有機発光素子の各々に対応して、前記第１接続孔を含む領域に形成された下部電極と、
発光層を含む有機層と、
上部電極と
を備えた表示装置。
【請求項２】
前記有機層は、前記下部電極の上面および側面の全部を覆って形成されている
請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記下部電極の側面は順テーパー形状である
請求項１または２記載の表示装置。
【請求項４】
前記下部電極の厚みは前記有機層の厚みよりも薄い
請求項１乃至３のうちいずれか１つ記載の表示装置。
【請求項５】
前記平坦化膜の第１接続孔を含む領域に形成されると共に前記駆動素子と前記下部電極とを接続する中間電極を有する
請求項１乃至４のうちいずれか１つ記載の表示装置。
【請求項６】
前記中間電極と前記下部電極とが同じ領域に設けられた
請求項５記載の表示装置。
【請求項７】
前記平坦化膜は複数層からなり、前記複数層のうち少なくとも最上層に前記第１接続孔を有する
請求項１乃至６のうちいずれか１つ記載の表示装置。
【請求項８】
前記平坦化膜は、
前記駆動素子に対応する位置に第２接続孔を有する第１平坦化膜と、
前記中間電極に対応する位置に前記第１接続孔を有する第２平坦化膜とを有する
請求項７記載の表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図３９】
【図４０】
【図４１】
【図４２】
【図４３】
【図４４】
【図４５】
【図４６】
【図４７】
【図４８】
【図４９】
【図５０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図３９】
【図４０】
【図４１】
【図４２】
【図４３】
【図４４】
【図４５】
【図４６】
【図４７】
【図４８】
【図４９】
【図５０】
【公開番号】特開２０１３−１２４９２（Ｐ２０１３−１２４９２Ａ）
【公開日】平成２５年１月１７日（２０１３．１．１７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−１９８２０３（Ｐ２０１２−１９８２０３）
【出願日】平成２４年９月１０日（２０１２．９．１０）
【分割の表示】特願２００９−２７６４５（Ｐ２００９−２７６４５）の分割
【原出願日】平成２１年２月９日（２００９．２．９）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年１月１７日（２０１３．１．１７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年９月１０日（２０１２．９．１０）
【分割の表示】特願２００９−２７６４５（Ｐ２００９−２７６４５）の分割
【原出願日】平成２１年２月９日（２００９．２．９）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
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