有機ＥＬ素子、有機ＥＬ素子の製造方法及び有機ＥＬ表示装置
【課題】表示装置を大型化した場合でも発光領域を減少させることなく、安定して電圧を供給することができるとともに、製造工程を簡略化した狭額縁化された有機ＥＬ素子、有機ＥＬ素子の製造方法、有機ＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成された複数の第１電極と、複数の第１電極のうち一つ以上の第１電極上に形成され、外部と電気的に接続する複数のコンタクト部と、複数の第１電極及び複数のコンタクト部を区画して形成された複数の隔壁と、複数の第１電極及び複数のコンタクト部上に形成された複数の有機発光層と、複数のコンタクト部及び複数の有機発光層上に形成された複数の第２電極と、を備えることを特徴とする有機ＥＬ素子。
【解決手段】基板と、基板上に形成された複数の第１電極と、複数の第１電極のうち一つ以上の第１電極上に形成され、外部と電気的に接続する複数のコンタクト部と、複数の第１電極及び複数のコンタクト部を区画して形成された複数の隔壁と、複数の第１電極及び複数のコンタクト部上に形成された複数の有機発光層と、複数のコンタクト部及び複数の有機発光層上に形成された複数の第２電極と、を備えることを特徴とする有機ＥＬ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ素子、有機ＥＬ素子の製造方法、有機ＥＬ表示装置に関する。特に狭額縁化された有機ＥＬ素子、有機ＥＬ素子の製造方法及び有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子は、基板上に形成された第１電極（陽極又は陰極）と、その上に積層された有機発光物質を含有する有機化合物層（単層部又は多層部）すなわち有機発光層と、この有機発光層上に積層された第２電極（陰極又は陽極）とを有している。このような有機ＥＬ素子に電圧を印加すると、有機発光層に第２電極から電子（正孔）が注入され、第１電極から正孔（電子）が注入される。この電子と正孔が有機発光層において再結合し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際にエネルギーを光として放出することにより発光が得られることが知られている。
【０００３】
上述した発光原理を用いた有機ＥＬ素子は薄膜型の素子であるため、１個又は複数個の有機ＥＬ素子を基板上に形成したものをバックライト等の面光源として利用した場合には、面光源を備えた装置を容易に薄型にすることができる。また、画素としての有機ＥＬ素子を基板上に所定個数形成したものを表示装置とした場合には視認性が高い、視野角依存性がないなど、液晶表示装置では得られない利点がある。
【０００４】
ところが、有機ＥＬ表示装置においては、有機ＥＬ素子の駆動電極をガラス基板の端部に配置することによって、額縁が広くなり有機ＥＬ表示装置の狭額縁化を妨げるという問題が生じていた。そのため、近年、有機ＥＬ素子を用いた表示装置において、狭額縁化の要求が高まっていた。
【０００５】
上述した有機ＥＬ表示装置の狭額縁化の問題に対応するものとして、例えば、特許文献１の薄膜ＥＬ表示パネルが提案されている。この薄膜ＥＬ表示パネルでは、前面電極の引き出しを各前面電極と背面電極の非交差部にＥＬ層を貫通して設けたスルーホールを介して行い、前面電極と背面電極の非交差部にそれぞれ設けたリードアウト端子部によりリードアウトを行うリードピンが接続されている。また、特許文献２のパッシブ駆動マトリクス・ディスプレイでは、信号をディスプレイ素子（画素領域）に貫通ビアを介してまたはバックプレーン上で与えている。また、特許文献３の面発光装置用封止体及び面発光装置では、陽極及び陰極それぞれを封止基板側から電気的に接続させるために電極を形成して、外部への電気的な接続を封止体の絶縁樹脂層にスルーホールを形成している。
【０００６】
上述のスルーホールを用いて外部との電気的な接続を行う有機ＥＬ表示装置では、大型化した有機ＥＬ表示装置に用いた場合、安定した電圧を画素領域に供給することができなくなり、輝度のバラツキが起こる可能性がある。また、スルーホールを形成した後に、外部との電気的な接続を図るために、電極又は配線を形成する必要があり、製造工程が簡略化さていなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】実開昭６２−１１６４９６号公報
【特許文献２】特表２００４−５３３０２２号公報
【特許文献３】特開２００５−３３８４１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上述した特許文献１では、ＥＬ層を貫通して設けたスルーホールにより前面電極の引き出しを行っており、薄膜表示パネルが大型化した場合、安定した電圧を供給することができなくなる可能性がある。また、リードアウトを各前面電極及び背面電極に対して行う必要があり、製造工程が増えていた。また、特許文献２では、機能性層を形成するガラス基板上に直接貫通ビアを形成し、貫通ビアを介して配線しており、発光領域が狭くなる可能性がある。また、特許文献３では、外部に電気的に接続させる電極を陽極及び陰極それぞれに形成する必要があり、製造工程の簡略化が図れていない。
【０００９】
本発明は上記課題に鑑みてなされたもので、表示装置を大型化した場合でも発光領域を減少させることなく、安定して電圧を供給することができるとともに、製造工程を簡略化した狭額縁化された有機ＥＬ素子、有機ＥＬ素子の製造方法、有機ＥＬ表示装置を提供し、大型の表示パネル、大型の照明パネルを低コストで提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ素子は、基板と、前記基板上に形成された複数の第１電極と、前記複数の第１電極のうち一つ以上の第１電極上に形成され、外部と電気的に接続する複数のコンタクト部と、前記複数の第１電極及び前記複数のコンタクト部を区画して形成された複数の隔壁と、前記複数の第１電極及び前記複数のコンタクト部上に形成された複数の有機発光層と、前記複数のコンタクト部及び前記複数の有機発光層上に形成された複数の第２電極と、を備えることを特徴とする。
【００１１】
前記複数のコンタクト部は、前記複数の第１電極、前記複数の有機発光層及び前記複数の第２電極から構成される画素領域の外部に電気的に絶縁されてもよい。
【００１２】
前記複数のコンタクト部は、それぞれ前記第１電極上に前記複数の隔壁よりも低く、前記複数の有機発光層よりも高くなるように前記第１電極上に形成され、前記第１電極の垂直方向に対して、高さ１００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下、幅５μｍ以上１００μｍ以下であってもよい。
【００１３】
本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法は、基板上に複数の第１電極を形成し、前記複数の第１電極のうち一つ以上の第１電極上に、外部と電気的に接続する複数のコンタクト部を形成し、前記複数の第１電極及び前記複数のコンタクト部を区画する複数の隔壁を形成し、前記複数の第１電極及び前記複数のコンタクト部上に複数の有機発光層を形成し、前記複数のコンタクト部及び前記複数の有機発光層上に複数の第２電極を形成することを特徴とする。
【００１４】
本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置は、基板と、前記基板上に形成された複数の第１電極と、前記複数の第１電極のうち一つ以上の第１電極上に形成され、外部と電気的に接続する複数のコンタクト部と、前記複数の第１電極及び前記複数のコンタクト部を区画して形成された複数の隔壁と、前記複数の第１電極及び前記複数のコンタクト部上に形成された複数の有機発光層と、前記複数のコンタクト部及び前記複数の有機発光層上に形成された複数の第２電極と、前記複数の有機発光層が配置された面と向かい合い、貫通孔を有し、前記貫通孔に導電体部が形成された封止基板と、前記複数のコンタクト部と前記封止基板の前記導電体部に電気的に接続されるコンタクトバンプと、前記有機発光層を囲むように枠状に配置され、前記基板の端部と前記封止基板とを接合するシール部材と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、表示装置を大型化した場合でも発光領域を減少させることなく、安定して電圧を供給することができるとともに、製造工程を簡略化した狭額縁化された有機ＥＬ素子、有機ＥＬ素子の製造方法、有機ＥＬ表示装置及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】（ａ）は、本発明の実施形態に係るパッシブマトリックス型有機ＥＬ表示装置の一例を示す概略平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡＡ−Ａ’Ａ’線で切断したときの構成を示す概略断面図である。
【図２】図１（ａ）のパッシブマトリックス型有機ＥＬ表示装置の一例を示す概略平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ’線で切断したときの構成を示す概略断面図である。
【図４】図２のＢ−Ｂ’線で切断したときの構成を示す概略断面図である。
【図５】図１のＣ−Ｃ’線で切断したときの構成を示す概略断面図である。
【図６】本発明の実施形態に係るパッシブマトリックス型有機ＥＬ表示装置の配線例を示す概略平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々な態様で実施することができる。
【００１８】
図１（ａ）は、本発明の実施形態に係るパッシブマトリクス型有機ＥＬ表示装置を示す概略平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示すＡＡ−Ａ’Ａ’線で切断したときの構成を示す概略断面図である。図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、本発明の実施形態に係るパッシブマトリクス型有機ＥＬ表示装置１００は、大型の表示装置を構成する発光領域（画素領域という場合がある。）１２２を縦横に並べるタイリングパネルであり、縦７×横８の合計５６の発光領域１２２を有する。タイリングパネルは、第１電極１１２と第２電極１１４との交点から構成される複数の発光領域１２２、又は、第１電極１１２と第２電極１１４との間に配置される有機発光層１２０を少なくとも含む複数の有機ＥＬ素子によって構成されてもよい。以下、本発明の実施形態に係るパッシブマトリクス型有機ＥＬ表示装置１００は、いわゆるボトムエミッション型について説明するが、本発明はこれに限定されるわけではなく、いわゆるトップエミッション型に用いてもよい。また、本発明は大型の表示パネルまたは照明パネルにも用いることができる。なお、以下の説明では理解を容易とするために、同一機能を有する箇所については同一の符号を付して説明し、説明が重複する部分に対しては説明を一部省略している。
【００１９】
図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、本発明の実施形態に係るパッシブマトリクス型有機ＥＬ表示装置１００は、基板１１０と、基板１１０上に形成された複数の第１電極１１２と、複数の第１電極１１２上にパターニングして形成された複数の有機発光層１２０と、複数の有機発光層１２０をそれぞれ電気的に絶縁させ、パターニングして形成された複数の絶縁層１１９と、複数の有機発光層１２０及び複数の絶縁層１１９上に形成された第２電極１１４と、複数の絶縁層１１９上に第２電極１１４の長手方向と直交する方向にストライプ状に形成され、第２電極１４を区画する複数の第１隔壁１１６と、第２電極１１４と外部に電気的に接続され、第２電極に対して垂直方向に形成される第２コンタクトバンプ１３５と、複数の第１電極１１２のうち一つ以上の第１電極１１２上に形成された複数のコンタクト部１３０（図示せず）と、第１電極１１２に対して垂直方向に形成され、コンタクト部１３０に電気的に接続された第１コンタクトバンプ１３４と、基板１１０と向き合うように配置され、第１コンタクトバンプ１３４及び第２コンタクトバンプ１３５を内部配線１６４、第１貫通電極１６１、第２貫通電極１６２、第１取出し電極１３６、第２取出し電極１３７によって構成され、外部に電気的に接続される封止基板１６０と、封止基板１６０の第１貫通電極１６１及び第２貫通電極１６２を覆うように配置される第１バリアフィルム１６８及び第２バリアフィルム１６９と、基板１１０と封止基板１６０とを接合させるシール層１５２と、を備える。なお、絶縁層１１９上に第２電極１１４を区画させる第１隔壁１１６を配置しているが、第１隔壁１１６上に第２隔壁１１８を配置してもよい。第１隔壁１１６上に第２隔壁１１８を設けることで、隣接する発光領域１２２を絶縁することができる。
【００２０】
本発明の実施形態に係るパッシブマトリックス型有機ＥＬ表示装置１００は、第１電極１１２上の複数のコンタクト部１３０を介して接続される第１コンタクトバンプ１３４及び第２電極１１４と接続される第２コンタクトバンプ１３５を発光領域１２２の外部に設け、第１コンタクトバンプ１３４及び第２コンタクトバンプ１３５に貫通電極１６２を含む封止基板１６０を介して外部との電気的な接続を行うことに特徴がある。本発明の実施形態に係るパッシブマトリックス型有機ＥＬ表示装置１００は、発光領域１２２の外部に第１コンタクトバンプ１３４及び第２コンタクトバンプ１３５を設けて封止基板１６０を介して外部との電気的な接続を行うように構成することによって、狭額縁化を図ることができる。また、有機発光層１２０から発光される光とは逆側、すなわち、封止基板１６０側から外部との電気的な接続を行うことによって、発光領域１２２を狭くすることなく、外部との電気的な接続を図ることができる。
【００２１】
次に、図２〜図５を参照して、図１に示した本発明の実施形態に係るパッシブマトリクス型有機ＥＬ表示装置のうち縦３×横３の合計９の発光領域１２２を有する構成を例に、狭額縁化の図り方を詳細に説明する。
【００２２】
図２は、本発明の実施形態に係るパッシブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の一例を示す概略平面図である。図３は、図２のＡ−Ａ’線で切断したときの構成の一例を示す概略断面図である。図４は、図２のＢ−Ｂ’線で切断したときの構成の一例を示す概略断面図である。図５は、図２のＣ−Ｃ’線で切断したときの構成の一例を示す概略断面図である。
【００２３】
図２〜図５に示すように、本発明の実施形態に係るパッシブマトリクス型有機ＥＬ表示装置は、基板１１０と、基板１１０上にパターニングして形成された複数の第１電極１１２と、複数の第１電極１１２を区画するようにパターニングして形成された複数の絶縁層１１９と、複数の絶縁層１１９の長手方向と直交する方向にストライプ状に形成された複数の第１隔壁１１６と、複数の第１隔壁１１６上に形成された複数の第２隔壁１１８と、複数の第１電極１１２のうち一つ以上の第１電極１１２上に形成された複数のコンタクト部１３０と、複数の第１電極１１２及び複数のコンタクト部１３０上にパターニングして形成された複数の有機発光層１２０と、複数の有機発光層１２０上に形成された第２電極１１４と、第１電極１１２に対して垂直方向に形成され、複数のコンタクト部１３０に電気的に接続されるように形成され、外部と電気的に接続された複数の第１コンタクトバンプ１３４と、第２電極１１４と外部に電気的に接続されるように形成され、第２電極に対して垂直方向に形成された複数の第２コンタクトバンプ１３５と、基板１１０と向き合うように配置される封止基板１６０と、基板１１０と封止基板１６０とを接合させるシール層１５２と、を備える。また、第１電極１１２が形成された領域によって構成される第１電極幅１１３、第２電極１１４が形成された領域によって構成される第２電極幅１１５を含む。
【００２４】
封止基板１６０は、発光領域１２２における第１電極幅１１３の外部に第１コンタクトバンプ１３４と電気的に接続される内部配線１６４、内部配線１６４に第１配線１７２を介して電気的に接続される第１貫通電極１６１、第１貫通電極１６１に外部との電気的な接続を図る第１取出し電極１３６、第１貫通電極１６１を覆うように形成される第１バリアフィルム１６８と、発光領域１２２における第２電極幅１１５の内部に第２コンタクトバンプ１３５と電気的に接続される内部配線１６４（図示せず）、内部配線１６４に第２配線１７４を介して電気的に接続される第２貫通電極１６２、第２貫通電極１６２に外部との電気的な接続を図る第２取出し電極１３７、第２貫通電極１６２を覆うように形成される第２バリアフィルム１６９と、を備える。また、第１コンタクトバンプ１３４が配置される第１コンタクト幅１３１、第２コンタクトバンプ１３５が配置される第２コンタクト幅１３３を含む。
【００２５】
次に、本発明の実施形態に係るパッシブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の各構成について説明する。
【００２６】
［有機ＥＬ素子］
［基板］
本発明の実施形態に用いられる基板１１０は、有機発光層１２０を支持するとともに、有機発光層１２０の発光を外部に取出すことができ、さらには外気を遮断することができるものであれば材質は特に限定されるものではないが、光透過性、有機ＥＬ素子の安定性、耐久性等が良好なことから、ガラスであることが好ましい。より詳細には、例えば石英ガラス、ソーダ石灰ガラス、アルカリガラス、鉛アルカリガラス、ホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス、シリカガラス等のガラス板等を用いてもよい。
【００２７】
また、基板の光透過性に関しては、第１隔壁１１６及び第２隔壁１１８や第１電極１１２等が形成可能であれば特に限定されるものではないが、例えば光の取出し面により光透過性が必要か否かが適宜決定される。
【００２８】
基板として透明樹脂フィルムを使用してもよい。透明樹脂フィルムを使用する場合、樹脂フィルムの表面にはガスバリア膜が必要に応じて形成されることが好ましい。ガスバリア膜としては無機物、有機物の被膜又はその両者のハイブリッド被膜が挙げられる。ガスバリア膜の特性としては、水蒸気透過度が０．０１ｇ／ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ以下であることが好ましい。更には、酸素透過度１０−３ｍｌ／ｍ２／ｄａｙ以下、水蒸気透過度１０−５ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。
【００２９】
バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることが出来る。更に該膜の脆弱性を改良するためにこれら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。バリア膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシ法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることが出来るが、大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。
【００３０】
［第１電極］
本発明の実施形態に係る第１電極１１２は、基板１１０上にストライプ状又は全面に形成するものである。第１電極１１０は、陽極であっても陰極であってもよい。
【００３１】
第１電極１１２は透明性を有していても有していなくてもよい。第１電極１１２の透明性は、光の取出し面等によって適宜選択される。例えば第１電極１１２側から光を取出す場合は、第１電極１１２は透明または半透明である必要がある。
【００３２】
陽極としては、正孔が注入し易いように仕事関数の大きい（例えば４ｅＶ以上）導電性材料を用いることが好ましく、具体的には、ＩＴＯ、酸化インジウム、金のような仕事関数の大きい金属、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリアルキルチオフェン誘導体、ポリシラン誘導体のような導電性高分子等を挙げることができる。
【００３３】
第１電極１１２は抵抗が小さいことが好ましく、一般には金属材料が用いられるが、有機化合物または無機化合物を用いてもよい。
【００３４】
第１電極１１２の成膜方法としては、一般的な電極の成膜方法を用いることができ、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等のＰＶＤ法や、ＣＶＤ法などを挙げることができる。また、第１電極１１２のパターニング方法としては、電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィ法で所望の形状のパターンを形成してもよく、或いはパターン精度をあまり必要としない場合は（１００μｍ以上程度）、上記電極物質の蒸着時やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。
【００３５】
［コンタクト部］
本発明の実施形態に係るコンタクト部１３０は、図２に示す第１コンタクト幅１３１に発光領域１２２の一部を電気的に短絡させ、外部と電気的に接続させるために形成する。このコンタクト部１３０は、三角錐であって複数有することが好ましい。このコンタクト部１３０の形状は三角錐に限定されず、四角錐、多角錐あるいは円錐などの錐状であってもよく、第１電極１１２と電気的に接続できれば、四角柱、三角柱、多角柱あるいは円柱等の柱状であってもよい。コンタクト部１３０は、画素領域１２２で電気的に短絡させることで、非発光部となる。しかし、このコンタクト部１３０は、有機ＥＬ表示装置１００の狭額縁化を図り、大型化した場合でも、電圧を安定的に画素領域１２２（第１電極１１２及び第２電極１１４）に供給することができる。
【００３６】
コンタクト部１３０としては、Ｃｒ（クロム）を用いることが特に好ましいが、これに限定されず、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ａｇ（銀）等の合金を用いてもよい。コンタクト部１３０は、第１電極１１２を形成した後に、第１電極１２２と同様の方法で形成して、その後に、コンタクト部１３０をフォトリソグラフィ法又はレーザ法を用いてパターニングを行いに形成する。次に、有機発光層１２０及び第２電極１１４をコンタクト部１３０上に形成するとき、コンタクト部１３０を錐状に形成することによって、蒸着法を用いた場合に発生する蒸着物の回りこみを利用して第２電極１１４と電気的に接続している。
【００３７】
コンタクト部１３０は、第１電極１１２上に第１隔壁１１６よりも低く、有機発光層１２０よりも高く形成される。具体的には、第１電極１１２の垂直方向に対して、高さ１００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下、幅５μｍ以上１００μｍ以下で形成される。なお、該範囲のコンタクト部１３０を複数形成することで、第１コンタクトバンプ１３４から第１電極１１２へ電流を安定的に流すことが可能になる。
【００３８】
［第２電極］
本発明の実施形態に係る第２電極１１４は、有機発光層１２０上に形成されるものである。第２電極１１４は、陽極であっても陰極であってもよい。
【００３９】
また、第２電極１１４は、透明性を有していても有していなくてもよく、光の取出し面等によって適宜選択される。例えば第２電極１１４側から光を取出す場合は、第２電極１１４は透明または半透明である必要がある。
【００４０】
陰極としては、電子が注入し易いように仕事関数の小さい（例えば４ｅＶ以下）導電性材料を用いることが好ましく、例えばＭｇＡｇ等のマグネシウム合金、ＡｌＬｉ、ＡｌＣａ、ＡｌＭｇ等のアルミニウム合金、Ｌｉ、Ｃａをはじめとするアルカリ金属類及びアルカリ土類金属類、または、アルカリ金属類及びアルカリ土類金属類の合金などが挙げられる。
【００４１】
また、第２電極１１４は抵抗が小さいことが好ましく、一般には金属材料が用いられるが、有機化合物または無機化合物を用いてもよい。特に金属材料が好ましい。第２電極１１４の材料としては抵抗が低いものであればよく、金属材料が最も適しているからである。
【００４２】
また、第２電極１１４に上記金属を１ｎｍ〜２０ｎｍの膜厚で作製した後に、第１電極１１２の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明又は半透明の第２電極（陰極）１１４を作製することができ、これを応用することで第１電極１１２と第２電極１１４の両方が透過性を有する素子を作製することができる。
【００４３】
金属材料の成膜方法としては、一般的な電極の形成方法を用いることができ、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の一般的な蒸着法や、金属ペーストを塗布する方法等が挙げられる。特に、真空蒸着法、金属ペーストを塗布する方法が好ましい。真空蒸着法は、ドライプロセスで有機ＥＬ層１２０へのダメージが少ない方法であり、積層に適している。また、金属ペーストを塗布する方法はウェットプロセスであり、ウェットプロセスはドライプロセスよりも大面積の対応に適している。ウェットプロセスであっても、有機ＥＬ層１２０に影響を与えない溶媒が配合された金属ペーストは使用可能である。すなわち、有機ＥＬ層１２０の耐溶剤性などによって有機ＥＬ層１２０に影響を与えないように工夫することで、ウェットプロセスも適用可能となる。
【００４４】
［導電層］
図示しないが、本発明の実施形態においては、第１電極１１２と有機発光層１２０の発光層との間に導電層が形成されていてもよい。また、発光層と第２電極１１４との間に導電層が形成されていてもよい。この導電層は、発光領域にも形成されるものである。
【００４５】
導電層に用いられる材料としては、導電性を有していれば特に限定されるものではなく、例えば、導電性高分子や、アルカリ金属類及びアルカリ金属のハロゲン化物が挙げられる。導電性高分子としては、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリフェニレンビニレン及びそれらの誘導体等が挙げられる。より具体的には、ポリ３，４エチレンジオキシチオフェン−ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）を用いることができる。また、アルカリ金属類及びアルカリ金属のハロゲン化物としては、アルミリチウム合金、フッ化リチウム、ストロンチウム、フッ化マグネシウム、フッ化ストロンチウム、フッ化カルシウム、フッ化バリウム、カルシウム、リチウム、セシウム、フッ化セシウム等が挙げられる。
【００４６】
［絶縁層］
本発明の実施形態に係る絶縁層１１９は、第１電極１１２が形成された基板１１０上に、発光領域１２２内の第１電極１１２が露出するように形成されるものである。絶縁層１１９により、第１電極１１２と第２電極１１４とが接触してショートするのを防ぐことができる。
【００４７】
絶縁層１１９の形成位置としては、絶縁層１１９が、発光領域内の第１電極１１２が露出するように形成されていればよい。発光領域の大きさとしては、有機ＥＬ素子の用途等に応じて適宜選択される。
【００４８】
絶縁層１１９は、第１電極１１２の端部を覆うように形成されていることが好ましい。第１電極１１２の端部では有機発光層１２０の厚みが薄くなるため、絶縁層１１９を形成することでショートし難くすることができる。また隣り合う発光領域が電気的に接続されるのを防ぐことができる。絶縁層１１９が形成された部分は、発光に寄与しない領域とすることができる。
【００４９】
絶縁層１１９の形成材料としては、感光性ポリイミド樹脂、アクリル系樹脂等の光硬化型樹脂、または熱硬化型樹脂、及び無機材料等を挙げることができる。
【００５０】
絶縁層１１９の形成方法としては、フォトリソグラフィ法、印刷法等の一般的な方法を用いることができる。
【００５１】
［第１隔壁及び第２隔壁］
本発明の実施形態に係る第１隔壁１１６は、絶縁層１１９上に、第１電極１１２の長手方向と直交する方向にストライプ状に形成されるものであり、第２隔壁はコンタクト部を電気的に孤立させて、短絡により第１電極に電気を流し、隣の電極に電流を流さないようにするためである。この第１隔壁１１６及び第２隔壁１１８は絶縁性を有している。第１隔壁、第２隔壁ともに第２電極を分断するために設けられるものである。第２隔壁１１８と第１隔壁１１６は同じ材料で同時に形成することで低コストが可能になる。コンタクト部は、第１電極１１２上に形成する際、発光領域１２２内に設けてもよい。発光領域１２２内にコンタクト部１３０を設けることによって、さらに狭額縁化を図ることが可能となる。
【００５２】
第１隔壁１１６及び第２隔壁１１８の断面形状としては、第２電極を分断させるため逆テーパ形状等のオーバーハング形状が好ましい。
【００５３】
第１隔壁１１６及び第２隔壁１１８の高さとしては、発光領域１２２の中心部における基板１１０表面から第２電極１１４表面までの高さよりも高くなるように設定される。
【００５４】
第１隔壁１１６及び第２隔壁１１８の幅は、特に限定されるものではないが、１００μｍ以下であることが好ましい。第１隔壁１１６及び第２隔壁１１８の幅が広すぎると、発光領域が相対的に狭くなるからである。
【００５５】
第１隔壁１１６及び第２隔壁１１８により画定される領域の幅は、３００μｍ以下であることが好ましい。上記領域の幅が広すぎると、発光領域が相対的に狭くなるからである。
【００５６】
第１隔壁１１６及び第２隔壁１１８の形成材料としては、例えば、感光性ポリイミド樹脂、アクリル系樹脂、ノボラック系樹脂、スチレン系樹脂、フェノール系樹脂、メラミン系樹脂等の光硬化型樹脂、または熱硬化型樹脂、及び無機材料等を挙げることができる。
【００５７】
第１隔壁１１６及び第２隔壁１１８の形成方法としては、フォトリソグラフィ法、印刷法等の一般的な方法を用いることができる。
【００５８】
［有機発光層］
本発明の実施形態に係る有機発光層１２０は、発光領域１２２内の第１電極１１２上に形成されるものである。この有機発光層１２０は、少なくとも発光層を含んでいる。
【００５９】
有機発光層１２０の形成位置としては、有機発光層１２０が、発光領域１２２内の第１電極１１２上に形成されていればよい。すなわち、有機発光層１２０を構成する各層が、少なくとも発光領域に形成されていなければよい。したがって、例えば、有機発光層１２０は、図１〜図５に示すように第１隔壁１１６及び第２隔壁１１８の上に形成されていてもよい。
【００６０】
本発明の実施形態に用いられる有機発光層１２０は、少なくとも発光層を含む１層もしくは複数層の有機層を有するものである。すなわち、有機発光層１２０とは、少なくとも発光層を含む層であり、その層構成が有機層１層以上の層をいう。通常、塗布によるウェットプロセスで有機発光層を形成する場合は、溶媒との関係で多数の層を積層することが困難であることから、１層もしくは２層の有機層で構成される場合が多いが、有機材料を工夫したり、真空蒸着法を組み合わせたりすることにより、さらに多数層とすることも可能である。
【００６１】
発光層以外に有機発光層１２０を構成する有機層としては、正孔注入層、電子注入層、正孔輸送層、電子輸送層等を挙げることができる。正孔輸送層は、正孔注入層に正孔輸送の機能を付与することにより、正孔注入層と一体化される場合がある。また、電子輸送層は、電子注入層に電子輸送の機能を付与することにより、電子注入層と一体化される場合がある。さらに、有機発光層１２０を構成する有機層としては、キャリアブロック層のような正孔もしくは電子の突き抜けを防止し、再結合効率を高めるための層等を挙げることができる。
【００６２】
本発明の実施形態に係る発光層は、単色（赤色、緑色または青色）発光または白色発光が用いられる。発光層に用いられる材料としては、例えば、色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料等の発光材料であってもよく、一般的に用いられる材料であってもよい。
【００６３】
色素系材料としては、シクロペンタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、シロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、トリフマニルアミン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマーなどを挙げることができる。
【００６４】
また、金属錯体系材料としては、アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾール亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロビウム錯体等、中心金属にＡｌ、Ｚｎ、Ｂｅ等または、Ｔｂ、Ｅｕ、Ｄｙ等の希土類金属を有し、配位子にオキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造等を有する金属錯体を挙げることができる。
【００６５】
さらに、高分子系材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリビニルカルバゾール等、ポリフルオレン誘導体、ポリキノキサリン誘導体、及びそれらの共重合体等を挙げることができる。
【００６６】
上記発光層中には、発光効率の向上、発光波長を変化させる等の目的でドーピング剤を添加してもよい。このようなドーピング剤としては、例えば、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾリン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾン、キノキサリン誘導体、カルバゾール誘導体、フルオレン誘導体を挙げることができる。
【００６７】
発光層の厚みとしては、電子と正孔との再結合の場を提供して発光する機能を発現することができる厚みであれば特に限定されるものではなく、例えば１ｎｍ〜５００ｎｍ程度とすることができる。
【００６８】
発光層は、第１隔壁１１６及び第２隔壁１１８又は絶縁層により分断される。この際、発光層は、赤色・緑色・青色等の複数色の発光部を有するようにパターン状に形成されていてもよく、白色の発光部を有するようにパターン状に形成されていてもよい。
【００６９】
本発明の実施形態において、発光層とは青色発光層、緑色発光層、赤色発光層をいう。発光層を積層する場合の積層順としては、特に制限はなく、また各発光層間に非発光性の中間層を有していてもよい。本発明の実施形態においては、少なくとも一つの青発光層が、全発光層中最も第１電極に近い位置に設けられていることが好ましい。また、発光層を４層以上設ける場合には、第１電極に近い順から、例えば青色発光層／緑色発光層／赤色発光層／青色発光層、青色発光層／緑色発光層／赤色発光層／青色発光層／緑色発光層、青色発光層／緑色発光層／赤色発光層／青色発光層／緑色発光層／赤色発光層のように青色発光層、緑色発光層、赤色発光層を順に積層することが、輝度安定性を高める上で好ましい。発光層を多層にすることで白色素子の作製が可能になる。
【００７０】
［正孔注入層］
上述したように、正孔輸送層は、正孔注入層に正孔輸送の機能を付与することにより、正孔注入層と一体化される場合がある。すなわち、正孔注入層は、正孔注入機能のみを有していてもよく、正孔注入機能及び正孔輸送機能の両機能を有していてもよい。
【００７１】
正孔注入層に用いられる材料としては、発光層内への正孔の注入を安定化させることができる材料であれば特に限定されるものではなく、上記発光層の発光材料に例示した化合物の他、フェニルアミン系、スターバースト型アミン系、フタロシアニン系、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アルミニウム、酸化チタン等の酸化物、アモルファスカーボン、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリフェニレンビニレン誘導体等を用いることができる。具体的には、ビス（Ｎ−（１−ナフチル−Ｎ−フェニル）ベンジジン（α−ＮＰＤ）、４，４，４−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）、ポリ３，４エチレンジオキシチオフェン−ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）等が挙げられる。
【００７２】
また、正孔注入層の厚みとしては、正孔注入機能や正孔輸送機能が十分に発揮される厚みであれば特に限定されないが、具体的には０．５ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲内、特に１０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内であることが好ましい。
【００７３】
［電子注入層］
上述したように、電子輸送層は、電子注入層に電子輸送の機能を付与することにより、電子注入層と一体化される場合がある。すなわち、電子注入層は、電子注入機能のみを有していてもよく、電子注入機能及び電子輸送機能の両機能を有していてもよい。
【００７４】
電子注入層に用いられる材料としては、発光層内への電子の注入を安定化させることができる材料であれば特に限定されるものではなく、上記発光層の発光材料に例示した化合物の他、アルミリチウム合金、フッ化リチウム、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、フッ化ストロンチウム、フッ化カルシウム、フッ化バリウム、酸化アルミニウム、酸化ストロンチウム、カルシウム、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレンスルホン酸ナトリウム、リチウム、セシウム、フッ化セシウム等のようにアルカリ金属類、及びアルカリ金属類のハロゲン化物、アルカリ金属の有機錯体等を用いることができる。
【００７５】
また、電子輸送性の有機材料にアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属をドープした金属ドープ層を形成し、これを電子注入層とすることもできる。上記電子輸送性の有機材料としては、例えばバソキュプロイン、バソフェナントロリン、フェナントロリン誘導体等を挙げることができ、ドープする金属としては、Ｌｉ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｓｒ等が挙げられる。
【００７６】
上記電子注入層の厚みとしては、電子注入機能や電子輸送機能が十分に発揮される厚みであれば特に限定されない。
【００７７】
［電子輸送層］
電子輸送層に用いられる材料としては、陰極から注入された電子を発光層内へ輸送することが可能な材料であれば特に限定されるものではなく、例えばバソキュプロイン、バソフェナントロリン、フェナントロリン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）の誘導体等を挙げることができる。
【００７８】
上記電子輸送層の厚みとしては、電子輸送機能が十分に発揮される厚みであれば特に限定されない。
【００７９】
［第１コンタクトバンプ及び第２コンタクトバンプ］
本発明の実施形態に係る第１コンタクトバンプ１３４は、第１電極１１２とコンタクト部１３０を介して後述する封止基板１６０の内部配線１６４と電気的に接続され、第２コンタクトバンプ１３５は、第２電極１１４と封止基板１６０の内部配線１６４とに電気的に接続される。
【００８０】
本発明の実施形態に係る第１コンタクトバンプ１３４及び第２コンタクトバンプ１３５の高さは、第１隔壁１１６及び第２隔壁１１８より高く形成されていれば高さは限定されず、封止基板１６０の内部配線１６４に電気的に接続される。また、第１コンタクトバンプ１３４及び第２コンタクトバンプ１３５は、同じ材料を用いて同じ方法で柱状に形成される。
【００８１】
第１コンタクトバンプ１３４及び第２コンタクトバンプ１３５の形成材料としては、Ｃｒ（クロム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ａｇ（銀）等をあげることができる。第１コンタクトバンプ１３４及び第２コンタクトバンプ１３５の形成方法としては、めっきによって形成することが好ましいが、これに限定されない。
【００８２】
本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ素子は、第１電極１１２上の複数のコンタクト部１３０を介して接続される第１コンタクトバンプ１３４及び第２電極１１４と接続される第２コンタクトバンプ１３５を発光領域１２２の外部に設け、第１コンタクトバンプ１３４及び第２コンタクトバンプ１３５を介して外部との接続を図ることによって、表示装置を大型に形成した場合でも低コストで狭額縁化でき、発光領域を減少させることなく、安定して電圧を供給することができる。
【００８３】
［有機ＥＬ素子を用いた表示装置］
［封止基板］
本発明の実施形態に係る封止基板１６０は、上述した有機ＥＬ素子とは別に形成し、図２に示す第１コンタクト幅１３１に第１コンタクトバンプ１３４を介して、第１貫通電極１６１、第１貫通電極１６１に接続される内部配線１６４、第１貫通電極１６１に接続される第１取出し電極１３６と、第２コンタクト幅１３３に第２コンタクトバンプ１３５を介して、第２貫通電極１６２、第２貫通電極１６２に接続される内部配線１６４、第２貫通電極１６２に接続される第２取出し電極１３７と、を備える。封止基板１６０は、発光領域１２２の周囲を取囲むように、封止基板１６０及びシール層１５２を用いて枠封止を行う。封止基板１６０は、発光領域１２２の周辺を囲み、且つ封止基板１６０と基板１１０とを接着固定して発光領域１２２が水分や酸素に触れない様にアルゴン（Ａｒ）または窒素（Ｎ２）等の不活性ガスを充満した上で封止する。
【００８４】
封止基板１６０としてはガラスを用いることが好ましいが、ガラスに限定されず、基板１１０と同様の材料を用いてもよい。封止基板１６０に貫通孔をエッチング等によって設け、貫通孔に第１貫通電極１６１及び第２貫通電極１６２を形成する。次に、第１貫通電極１６１及び第２貫通電極１６２の基板１１０側に内部配線１６４を形成し、基板１１０の反対側に第１取出し電極１３６及び第２取出し電極１３７を形成する。次に、第１貫通電極１６１及び第２貫通電極１６２が電気的に接続された第１取出し電極１３６及び第２取出し電極１３７に対して水分及び酸素を遮断するため第１バリアフィルム１６８及び第２バリアフィルム１６９を貼り合わせて封止を行う。ここで、第１貫通電極１６１及び第２貫通電極１６２は同様の材料及び方法で形成され、第１取出し電極１３６及び第２取出し電極１３７は同様の材料及び方法で形成される。
【００８５】
封止基板に１６０の内部配線１６４、第１貫通電極１６１、第２貫通電極１６２、第１取出し電極１３６及び第２取出し電極１３７は、Ｃｒ（クロム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ａｇ（銀）等を用いて、めっき等によって形成される。
【００８６】
有機ＥＬ素子の周囲を取囲むようにして封止ガラス１５０と基板１１０とを接着固定するシール層１５８としては、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化性樹脂などからなる接着機能を有する樹脂等を用いることが好ましい。
【００８７】
ここで、封止基板１６０を介する配線の引き回しについて図６を参照して説明する。封止基板１６０には、第１配線１７２に電気的に接続された第１取出し電極１３６と、第２配線１７４に電気的に接続された第２取出し電極１３７と、が配置されている。この例では、第１取出し電極１３６は、コンタクト部１３０に電気的に接続された第１コンタクトバンプ１３４を介して封止基板２００に設けられる第１貫通電極１６１によって外部回路と接続し、第２取出し電極１３７は、第２電極１１４に電気的に接続された第２コンタクトバンプ１３５を介して封止基板２００に設けられる第２貫通電極１６２によって外部回路と接続している。
【００８８】
第１配線１７２及び第２配線１７４としては、特に、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）の少なくとも一つによって形成されることが望ましい。
【００８９】
図示はしないが、本発明の実施形態において、光を照射する基板１１０側にカラーフィルタ又は色変換層を配置してもよい。カラーフィルタ又は色変換層を用いることによって、照射する光を均一にできる。
【００９０】
上述したとおり、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００は、第１電極１１２とコンタクト部１３０を介して接続される第１コンタクトバンプ１３４及び第２電極１１４と接続される第２コンタクトバンプ１３５を外部に設け、第１コンタクトバンプ１３４及び第２コンタクトバンプ１３５を貫通電極１６２を含む封止基板１６０を介して外部との電気的な接続を行うことによって、表示装置を大型化した場合でも低コストで狭額縁化でき、発光領域を減少させることなく、安定して電圧を供給することができるとともに、製造工程を簡略化できる。
【００９１】
［パッシブマトリックス型有機ＥＬ表示装置の製造方法］
次に、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法について図２〜図５を参照して説明する。本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法は、有機ＥＬ素子を形成する。有機ＥＬ素子としては、厚さ０．７ｍｍの基板１１０上に、ＩＴＯを成膜し、次にＣｒ膜を成膜する。パターニングはＣｒから始め、第１電極１１２上（ＩＴＯ）の一部にフォトリソグラフィ法とエッチング法でＣｒの凸凹部（コンタクト部１３０）を形成する。次に第１電極（ＩＴＯ）１１２を同様にフォトリソグラフィ法とエッチング法でパターニングしてストライプ状の第１電極１１２を形成する。次に、第１電極１１２が形成された基板１１０上に、発光領域１２２内の第１電極１１２が露出するように絶縁層１１９を形成する。次に、絶縁層１１９上に、第１電極１１２の長手方向と直交する方向に延在するストライプ状の絶縁性の第１隔壁１１６、及びコンタクト部１３０を孤立させるための第２隔壁１１８を同じ隔壁材料で一括形成する。次に、この基板１１０上の全面に、蒸着法、印刷法、吐出法または転写法、例えばグラビア印刷法により有機層形成用塗工液を塗布し、有機発光層１２０を形成する。次に、有機発光層１２０上に第２電極１１４を形成する。次に、第１電極１１２とコンタクト部１３０を介して封止基板１６０の内部配線１６４と電気的に接続する第１コンタクトバンプ１３４及び第２電極１１４と封止基板１６０の内部配線１６４と電気的に接続する第２コンタクトバンプ１３５をメッキによって高さ１５μｍ±１μｍ、大きさ２０μｍφに形成して、有機ＥＬ素子が完成する。
【００９２】
封止基板１６０は、有機ＥＬ素子とは別に用意する。封止基板１６０は厚さ０．３ｍｍのガラスを用いた。この封止基板１６０に貫通孔１５０μｍφを設け、貫通孔にメッキ法を用いて厚み１μｍ、Ｌ＆Ｓが３０μｍ程度になるように内部配線１６４、第１貫通電極１６１、第２貫通電極１６２、第１取出し電極１３６及び第２取出し電極１３７を形成した。次に、封止基板１６０の第１貫通電極１６１及び第２貫通電極１６２に対して水分及び酸素を遮断するために第１取出し電極１３６及び第２取出し電極１３７の一部を覆うように第１バリアフィルム１６８及び第２バリアフィルム１６９を封止した。その後、封止基板１６０と基板１１０を精度良く貼り合わせ、コンタクト部を結合させる。次に、ガラス基板１１０及び封止ガラス１５０のどちらか一方の表面に、光硬化性樹脂接着剤からなるシール層１５４をディスペンサなどを用いて基板１１０の周囲を取囲むように塗布形成しておく。その後、基板１１０と封止基板１６０とを重ね合せる。
【００９３】
続いて、基板１１０を介して紫外線ＵＶを照射し、シール層１５２を硬化させて、封止基板１６０と基板１１０との貼り合せを行った。なお、上述の方法では、第１隔壁１１６により、コンタクト部１３０を発光領域１２２の外部に設けたが、第１隔壁１１６上にさらに第２隔壁１１８を設けて発光領域１２２の内部に設けてもよい。発光領域１２２の内部又は外部にコンタクト部１２２を設けることでより狭額縁化した有機ＥＬ表示装置を形成できる。また、第１コンタクトバンプ１３４及び第２コンタクトバンプ１３５を基板１１０に対して垂直方向に低く設けてもよい。この場合、第１隔壁１１６又は第２隔壁１１８上に形成される第２電極１１４に接触しないようにすればよい。
【００９４】
次に、封止基板１６０を含む有機ＥＬ素子とフィルム上に形成したカラーフィルタとの貼り合わせを大気圧のもと行い、本発明の実施形態に係るパッシブマトリックス型の有機ＥＬ表示装置が完成する。
【００９５】
本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００は、第１電極１１２とコンタクト部１３０を介して接続される第１コンタクトバンプ１３４及び第２電極１１４と接続される第２コンタクトバンプ１３５を外部に設け、第１コンタクトバンプ１３４及び第２コンタクトバンプ１３５を貫通電極１６２を含む封止基板１６０を介して外部との電気的な接続を行うことによって、表示装置を大型化した場合でも狭額縁化でき、発光領域を減少させることなく、安定して電圧を供給することができるとともに、製造工程を簡略化できる。
【符号の説明】
【００９６】
１００：有機ＥＬ表示パネル、１１０：基板、１１２：第１電極、１１３：第１電極幅、１１４：第２電極、１１５：第２電極幅、１１６：第１隔壁、１１８：第２隔壁、１１９：絶縁層、１２０：有機発光層、１２２：発光領域、１３０：コンタクト部、１３１：第１コンタクト部幅、１３３：第２コンタクト部幅、１３４：第１コンタクトバンプ、１３５：第２コンタクトバンプ、１３６：第１取出し電極、１３７：第２取出し電極、１５２：シール層、１６０：封止基板、１６１：第１貫通電極、１６２：第２貫通電極、１６４：内部配線、１６８：第１バリアフィルム、１６９：第２バリアフィルム、１７２：第１配線、１７４：第２配線。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ素子、有機ＥＬ素子の製造方法、有機ＥＬ表示装置に関する。特に狭額縁化された有機ＥＬ素子、有機ＥＬ素子の製造方法及び有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子は、基板上に形成された第１電極（陽極又は陰極）と、その上に積層された有機発光物質を含有する有機化合物層（単層部又は多層部）すなわち有機発光層と、この有機発光層上に積層された第２電極（陰極又は陽極）とを有している。このような有機ＥＬ素子に電圧を印加すると、有機発光層に第２電極から電子（正孔）が注入され、第１電極から正孔（電子）が注入される。この電子と正孔が有機発光層において再結合し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際にエネルギーを光として放出することにより発光が得られることが知られている。
【０００３】
上述した発光原理を用いた有機ＥＬ素子は薄膜型の素子であるため、１個又は複数個の有機ＥＬ素子を基板上に形成したものをバックライト等の面光源として利用した場合には、面光源を備えた装置を容易に薄型にすることができる。また、画素としての有機ＥＬ素子を基板上に所定個数形成したものを表示装置とした場合には視認性が高い、視野角依存性がないなど、液晶表示装置では得られない利点がある。
【０００４】
ところが、有機ＥＬ表示装置においては、有機ＥＬ素子の駆動電極をガラス基板の端部に配置することによって、額縁が広くなり有機ＥＬ表示装置の狭額縁化を妨げるという問題が生じていた。そのため、近年、有機ＥＬ素子を用いた表示装置において、狭額縁化の要求が高まっていた。
【０００５】
上述した有機ＥＬ表示装置の狭額縁化の問題に対応するものとして、例えば、特許文献１の薄膜ＥＬ表示パネルが提案されている。この薄膜ＥＬ表示パネルでは、前面電極の引き出しを各前面電極と背面電極の非交差部にＥＬ層を貫通して設けたスルーホールを介して行い、前面電極と背面電極の非交差部にそれぞれ設けたリードアウト端子部によりリードアウトを行うリードピンが接続されている。また、特許文献２のパッシブ駆動マトリクス・ディスプレイでは、信号をディスプレイ素子（画素領域）に貫通ビアを介してまたはバックプレーン上で与えている。また、特許文献３の面発光装置用封止体及び面発光装置では、陽極及び陰極それぞれを封止基板側から電気的に接続させるために電極を形成して、外部への電気的な接続を封止体の絶縁樹脂層にスルーホールを形成している。
【０００６】
上述のスルーホールを用いて外部との電気的な接続を行う有機ＥＬ表示装置では、大型化した有機ＥＬ表示装置に用いた場合、安定した電圧を画素領域に供給することができなくなり、輝度のバラツキが起こる可能性がある。また、スルーホールを形成した後に、外部との電気的な接続を図るために、電極又は配線を形成する必要があり、製造工程が簡略化さていなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】実開昭６２−１１６４９６号公報
【特許文献２】特表２００４−５３３０２２号公報
【特許文献３】特開２００５−３３８４１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上述した特許文献１では、ＥＬ層を貫通して設けたスルーホールにより前面電極の引き出しを行っており、薄膜表示パネルが大型化した場合、安定した電圧を供給することができなくなる可能性がある。また、リードアウトを各前面電極及び背面電極に対して行う必要があり、製造工程が増えていた。また、特許文献２では、機能性層を形成するガラス基板上に直接貫通ビアを形成し、貫通ビアを介して配線しており、発光領域が狭くなる可能性がある。また、特許文献３では、外部に電気的に接続させる電極を陽極及び陰極それぞれに形成する必要があり、製造工程の簡略化が図れていない。
【０００９】
本発明は上記課題に鑑みてなされたもので、表示装置を大型化した場合でも発光領域を減少させることなく、安定して電圧を供給することができるとともに、製造工程を簡略化した狭額縁化された有機ＥＬ素子、有機ＥＬ素子の製造方法、有機ＥＬ表示装置を提供し、大型の表示パネル、大型の照明パネルを低コストで提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ素子は、基板と、前記基板上に形成された複数の第１電極と、前記複数の第１電極のうち一つ以上の第１電極上に形成され、外部と電気的に接続する複数のコンタクト部と、前記複数の第１電極及び前記複数のコンタクト部を区画して形成された複数の隔壁と、前記複数の第１電極及び前記複数のコンタクト部上に形成された複数の有機発光層と、前記複数のコンタクト部及び前記複数の有機発光層上に形成された複数の第２電極と、を備えることを特徴とする。
【００１１】
前記複数のコンタクト部は、前記複数の第１電極、前記複数の有機発光層及び前記複数の第２電極から構成される画素領域の外部に電気的に絶縁されてもよい。
【００１２】
前記複数のコンタクト部は、それぞれ前記第１電極上に前記複数の隔壁よりも低く、前記複数の有機発光層よりも高くなるように前記第１電極上に形成され、前記第１電極の垂直方向に対して、高さ１００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下、幅５μｍ以上１００μｍ以下であってもよい。
【００１３】
本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法は、基板上に複数の第１電極を形成し、前記複数の第１電極のうち一つ以上の第１電極上に、外部と電気的に接続する複数のコンタクト部を形成し、前記複数の第１電極及び前記複数のコンタクト部を区画する複数の隔壁を形成し、前記複数の第１電極及び前記複数のコンタクト部上に複数の有機発光層を形成し、前記複数のコンタクト部及び前記複数の有機発光層上に複数の第２電極を形成することを特徴とする。
【００１４】
本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置は、基板と、前記基板上に形成された複数の第１電極と、前記複数の第１電極のうち一つ以上の第１電極上に形成され、外部と電気的に接続する複数のコンタクト部と、前記複数の第１電極及び前記複数のコンタクト部を区画して形成された複数の隔壁と、前記複数の第１電極及び前記複数のコンタクト部上に形成された複数の有機発光層と、前記複数のコンタクト部及び前記複数の有機発光層上に形成された複数の第２電極と、前記複数の有機発光層が配置された面と向かい合い、貫通孔を有し、前記貫通孔に導電体部が形成された封止基板と、前記複数のコンタクト部と前記封止基板の前記導電体部に電気的に接続されるコンタクトバンプと、前記有機発光層を囲むように枠状に配置され、前記基板の端部と前記封止基板とを接合するシール部材と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、表示装置を大型化した場合でも発光領域を減少させることなく、安定して電圧を供給することができるとともに、製造工程を簡略化した狭額縁化された有機ＥＬ素子、有機ＥＬ素子の製造方法、有機ＥＬ表示装置及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】（ａ）は、本発明の実施形態に係るパッシブマトリックス型有機ＥＬ表示装置の一例を示す概略平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡＡ−Ａ’Ａ’線で切断したときの構成を示す概略断面図である。
【図２】図１（ａ）のパッシブマトリックス型有機ＥＬ表示装置の一例を示す概略平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ’線で切断したときの構成を示す概略断面図である。
【図４】図２のＢ−Ｂ’線で切断したときの構成を示す概略断面図である。
【図５】図１のＣ−Ｃ’線で切断したときの構成を示す概略断面図である。
【図６】本発明の実施形態に係るパッシブマトリックス型有機ＥＬ表示装置の配線例を示す概略平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々な態様で実施することができる。
【００１８】
図１（ａ）は、本発明の実施形態に係るパッシブマトリクス型有機ＥＬ表示装置を示す概略平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示すＡＡ−Ａ’Ａ’線で切断したときの構成を示す概略断面図である。図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、本発明の実施形態に係るパッシブマトリクス型有機ＥＬ表示装置１００は、大型の表示装置を構成する発光領域（画素領域という場合がある。）１２２を縦横に並べるタイリングパネルであり、縦７×横８の合計５６の発光領域１２２を有する。タイリングパネルは、第１電極１１２と第２電極１１４との交点から構成される複数の発光領域１２２、又は、第１電極１１２と第２電極１１４との間に配置される有機発光層１２０を少なくとも含む複数の有機ＥＬ素子によって構成されてもよい。以下、本発明の実施形態に係るパッシブマトリクス型有機ＥＬ表示装置１００は、いわゆるボトムエミッション型について説明するが、本発明はこれに限定されるわけではなく、いわゆるトップエミッション型に用いてもよい。また、本発明は大型の表示パネルまたは照明パネルにも用いることができる。なお、以下の説明では理解を容易とするために、同一機能を有する箇所については同一の符号を付して説明し、説明が重複する部分に対しては説明を一部省略している。
【００１９】
図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、本発明の実施形態に係るパッシブマトリクス型有機ＥＬ表示装置１００は、基板１１０と、基板１１０上に形成された複数の第１電極１１２と、複数の第１電極１１２上にパターニングして形成された複数の有機発光層１２０と、複数の有機発光層１２０をそれぞれ電気的に絶縁させ、パターニングして形成された複数の絶縁層１１９と、複数の有機発光層１２０及び複数の絶縁層１１９上に形成された第２電極１１４と、複数の絶縁層１１９上に第２電極１１４の長手方向と直交する方向にストライプ状に形成され、第２電極１４を区画する複数の第１隔壁１１６と、第２電極１１４と外部に電気的に接続され、第２電極に対して垂直方向に形成される第２コンタクトバンプ１３５と、複数の第１電極１１２のうち一つ以上の第１電極１１２上に形成された複数のコンタクト部１３０（図示せず）と、第１電極１１２に対して垂直方向に形成され、コンタクト部１３０に電気的に接続された第１コンタクトバンプ１３４と、基板１１０と向き合うように配置され、第１コンタクトバンプ１３４及び第２コンタクトバンプ１３５を内部配線１６４、第１貫通電極１６１、第２貫通電極１６２、第１取出し電極１３６、第２取出し電極１３７によって構成され、外部に電気的に接続される封止基板１６０と、封止基板１６０の第１貫通電極１６１及び第２貫通電極１６２を覆うように配置される第１バリアフィルム１６８及び第２バリアフィルム１６９と、基板１１０と封止基板１６０とを接合させるシール層１５２と、を備える。なお、絶縁層１１９上に第２電極１１４を区画させる第１隔壁１１６を配置しているが、第１隔壁１１６上に第２隔壁１１８を配置してもよい。第１隔壁１１６上に第２隔壁１１８を設けることで、隣接する発光領域１２２を絶縁することができる。
【００２０】
本発明の実施形態に係るパッシブマトリックス型有機ＥＬ表示装置１００は、第１電極１１２上の複数のコンタクト部１３０を介して接続される第１コンタクトバンプ１３４及び第２電極１１４と接続される第２コンタクトバンプ１３５を発光領域１２２の外部に設け、第１コンタクトバンプ１３４及び第２コンタクトバンプ１３５に貫通電極１６２を含む封止基板１６０を介して外部との電気的な接続を行うことに特徴がある。本発明の実施形態に係るパッシブマトリックス型有機ＥＬ表示装置１００は、発光領域１２２の外部に第１コンタクトバンプ１３４及び第２コンタクトバンプ１３５を設けて封止基板１６０を介して外部との電気的な接続を行うように構成することによって、狭額縁化を図ることができる。また、有機発光層１２０から発光される光とは逆側、すなわち、封止基板１６０側から外部との電気的な接続を行うことによって、発光領域１２２を狭くすることなく、外部との電気的な接続を図ることができる。
【００２１】
次に、図２〜図５を参照して、図１に示した本発明の実施形態に係るパッシブマトリクス型有機ＥＬ表示装置のうち縦３×横３の合計９の発光領域１２２を有する構成を例に、狭額縁化の図り方を詳細に説明する。
【００２２】
図２は、本発明の実施形態に係るパッシブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の一例を示す概略平面図である。図３は、図２のＡ−Ａ’線で切断したときの構成の一例を示す概略断面図である。図４は、図２のＢ−Ｂ’線で切断したときの構成の一例を示す概略断面図である。図５は、図２のＣ−Ｃ’線で切断したときの構成の一例を示す概略断面図である。
【００２３】
図２〜図５に示すように、本発明の実施形態に係るパッシブマトリクス型有機ＥＬ表示装置は、基板１１０と、基板１１０上にパターニングして形成された複数の第１電極１１２と、複数の第１電極１１２を区画するようにパターニングして形成された複数の絶縁層１１９と、複数の絶縁層１１９の長手方向と直交する方向にストライプ状に形成された複数の第１隔壁１１６と、複数の第１隔壁１１６上に形成された複数の第２隔壁１１８と、複数の第１電極１１２のうち一つ以上の第１電極１１２上に形成された複数のコンタクト部１３０と、複数の第１電極１１２及び複数のコンタクト部１３０上にパターニングして形成された複数の有機発光層１２０と、複数の有機発光層１２０上に形成された第２電極１１４と、第１電極１１２に対して垂直方向に形成され、複数のコンタクト部１３０に電気的に接続されるように形成され、外部と電気的に接続された複数の第１コンタクトバンプ１３４と、第２電極１１４と外部に電気的に接続されるように形成され、第２電極に対して垂直方向に形成された複数の第２コンタクトバンプ１３５と、基板１１０と向き合うように配置される封止基板１６０と、基板１１０と封止基板１６０とを接合させるシール層１５２と、を備える。また、第１電極１１２が形成された領域によって構成される第１電極幅１１３、第２電極１１４が形成された領域によって構成される第２電極幅１１５を含む。
【００２４】
封止基板１６０は、発光領域１２２における第１電極幅１１３の外部に第１コンタクトバンプ１３４と電気的に接続される内部配線１６４、内部配線１６４に第１配線１７２を介して電気的に接続される第１貫通電極１６１、第１貫通電極１６１に外部との電気的な接続を図る第１取出し電極１３６、第１貫通電極１６１を覆うように形成される第１バリアフィルム１６８と、発光領域１２２における第２電極幅１１５の内部に第２コンタクトバンプ１３５と電気的に接続される内部配線１６４（図示せず）、内部配線１６４に第２配線１７４を介して電気的に接続される第２貫通電極１６２、第２貫通電極１６２に外部との電気的な接続を図る第２取出し電極１３７、第２貫通電極１６２を覆うように形成される第２バリアフィルム１６９と、を備える。また、第１コンタクトバンプ１３４が配置される第１コンタクト幅１３１、第２コンタクトバンプ１３５が配置される第２コンタクト幅１３３を含む。
【００２５】
次に、本発明の実施形態に係るパッシブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の各構成について説明する。
【００２６】
［有機ＥＬ素子］
［基板］
本発明の実施形態に用いられる基板１１０は、有機発光層１２０を支持するとともに、有機発光層１２０の発光を外部に取出すことができ、さらには外気を遮断することができるものであれば材質は特に限定されるものではないが、光透過性、有機ＥＬ素子の安定性、耐久性等が良好なことから、ガラスであることが好ましい。より詳細には、例えば石英ガラス、ソーダ石灰ガラス、アルカリガラス、鉛アルカリガラス、ホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス、シリカガラス等のガラス板等を用いてもよい。
【００２７】
また、基板の光透過性に関しては、第１隔壁１１６及び第２隔壁１１８や第１電極１１２等が形成可能であれば特に限定されるものではないが、例えば光の取出し面により光透過性が必要か否かが適宜決定される。
【００２８】
基板として透明樹脂フィルムを使用してもよい。透明樹脂フィルムを使用する場合、樹脂フィルムの表面にはガスバリア膜が必要に応じて形成されることが好ましい。ガスバリア膜としては無機物、有機物の被膜又はその両者のハイブリッド被膜が挙げられる。ガスバリア膜の特性としては、水蒸気透過度が０．０１ｇ／ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ以下であることが好ましい。更には、酸素透過度１０−３ｍｌ／ｍ２／ｄａｙ以下、水蒸気透過度１０−５ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。
【００２９】
バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることが出来る。更に該膜の脆弱性を改良するためにこれら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。バリア膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシ法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることが出来るが、大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。
【００３０】
［第１電極］
本発明の実施形態に係る第１電極１１２は、基板１１０上にストライプ状又は全面に形成するものである。第１電極１１０は、陽極であっても陰極であってもよい。
【００３１】
第１電極１１２は透明性を有していても有していなくてもよい。第１電極１１２の透明性は、光の取出し面等によって適宜選択される。例えば第１電極１１２側から光を取出す場合は、第１電極１１２は透明または半透明である必要がある。
【００３２】
陽極としては、正孔が注入し易いように仕事関数の大きい（例えば４ｅＶ以上）導電性材料を用いることが好ましく、具体的には、ＩＴＯ、酸化インジウム、金のような仕事関数の大きい金属、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリアルキルチオフェン誘導体、ポリシラン誘導体のような導電性高分子等を挙げることができる。
【００３３】
第１電極１１２は抵抗が小さいことが好ましく、一般には金属材料が用いられるが、有機化合物または無機化合物を用いてもよい。
【００３４】
第１電極１１２の成膜方法としては、一般的な電極の成膜方法を用いることができ、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等のＰＶＤ法や、ＣＶＤ法などを挙げることができる。また、第１電極１１２のパターニング方法としては、電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィ法で所望の形状のパターンを形成してもよく、或いはパターン精度をあまり必要としない場合は（１００μｍ以上程度）、上記電極物質の蒸着時やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。
【００３５】
［コンタクト部］
本発明の実施形態に係るコンタクト部１３０は、図２に示す第１コンタクト幅１３１に発光領域１２２の一部を電気的に短絡させ、外部と電気的に接続させるために形成する。このコンタクト部１３０は、三角錐であって複数有することが好ましい。このコンタクト部１３０の形状は三角錐に限定されず、四角錐、多角錐あるいは円錐などの錐状であってもよく、第１電極１１２と電気的に接続できれば、四角柱、三角柱、多角柱あるいは円柱等の柱状であってもよい。コンタクト部１３０は、画素領域１２２で電気的に短絡させることで、非発光部となる。しかし、このコンタクト部１３０は、有機ＥＬ表示装置１００の狭額縁化を図り、大型化した場合でも、電圧を安定的に画素領域１２２（第１電極１１２及び第２電極１１４）に供給することができる。
【００３６】
コンタクト部１３０としては、Ｃｒ（クロム）を用いることが特に好ましいが、これに限定されず、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ａｇ（銀）等の合金を用いてもよい。コンタクト部１３０は、第１電極１１２を形成した後に、第１電極１２２と同様の方法で形成して、その後に、コンタクト部１３０をフォトリソグラフィ法又はレーザ法を用いてパターニングを行いに形成する。次に、有機発光層１２０及び第２電極１１４をコンタクト部１３０上に形成するとき、コンタクト部１３０を錐状に形成することによって、蒸着法を用いた場合に発生する蒸着物の回りこみを利用して第２電極１１４と電気的に接続している。
【００３７】
コンタクト部１３０は、第１電極１１２上に第１隔壁１１６よりも低く、有機発光層１２０よりも高く形成される。具体的には、第１電極１１２の垂直方向に対して、高さ１００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下、幅５μｍ以上１００μｍ以下で形成される。なお、該範囲のコンタクト部１３０を複数形成することで、第１コンタクトバンプ１３４から第１電極１１２へ電流を安定的に流すことが可能になる。
【００３８】
［第２電極］
本発明の実施形態に係る第２電極１１４は、有機発光層１２０上に形成されるものである。第２電極１１４は、陽極であっても陰極であってもよい。
【００３９】
また、第２電極１１４は、透明性を有していても有していなくてもよく、光の取出し面等によって適宜選択される。例えば第２電極１１４側から光を取出す場合は、第２電極１１４は透明または半透明である必要がある。
【００４０】
陰極としては、電子が注入し易いように仕事関数の小さい（例えば４ｅＶ以下）導電性材料を用いることが好ましく、例えばＭｇＡｇ等のマグネシウム合金、ＡｌＬｉ、ＡｌＣａ、ＡｌＭｇ等のアルミニウム合金、Ｌｉ、Ｃａをはじめとするアルカリ金属類及びアルカリ土類金属類、または、アルカリ金属類及びアルカリ土類金属類の合金などが挙げられる。
【００４１】
また、第２電極１１４は抵抗が小さいことが好ましく、一般には金属材料が用いられるが、有機化合物または無機化合物を用いてもよい。特に金属材料が好ましい。第２電極１１４の材料としては抵抗が低いものであればよく、金属材料が最も適しているからである。
【００４２】
また、第２電極１１４に上記金属を１ｎｍ〜２０ｎｍの膜厚で作製した後に、第１電極１１２の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明又は半透明の第２電極（陰極）１１４を作製することができ、これを応用することで第１電極１１２と第２電極１１４の両方が透過性を有する素子を作製することができる。
【００４３】
金属材料の成膜方法としては、一般的な電極の形成方法を用いることができ、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の一般的な蒸着法や、金属ペーストを塗布する方法等が挙げられる。特に、真空蒸着法、金属ペーストを塗布する方法が好ましい。真空蒸着法は、ドライプロセスで有機ＥＬ層１２０へのダメージが少ない方法であり、積層に適している。また、金属ペーストを塗布する方法はウェットプロセスであり、ウェットプロセスはドライプロセスよりも大面積の対応に適している。ウェットプロセスであっても、有機ＥＬ層１２０に影響を与えない溶媒が配合された金属ペーストは使用可能である。すなわち、有機ＥＬ層１２０の耐溶剤性などによって有機ＥＬ層１２０に影響を与えないように工夫することで、ウェットプロセスも適用可能となる。
【００４４】
［導電層］
図示しないが、本発明の実施形態においては、第１電極１１２と有機発光層１２０の発光層との間に導電層が形成されていてもよい。また、発光層と第２電極１１４との間に導電層が形成されていてもよい。この導電層は、発光領域にも形成されるものである。
【００４５】
導電層に用いられる材料としては、導電性を有していれば特に限定されるものではなく、例えば、導電性高分子や、アルカリ金属類及びアルカリ金属のハロゲン化物が挙げられる。導電性高分子としては、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリフェニレンビニレン及びそれらの誘導体等が挙げられる。より具体的には、ポリ３，４エチレンジオキシチオフェン−ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）を用いることができる。また、アルカリ金属類及びアルカリ金属のハロゲン化物としては、アルミリチウム合金、フッ化リチウム、ストロンチウム、フッ化マグネシウム、フッ化ストロンチウム、フッ化カルシウム、フッ化バリウム、カルシウム、リチウム、セシウム、フッ化セシウム等が挙げられる。
【００４６】
［絶縁層］
本発明の実施形態に係る絶縁層１１９は、第１電極１１２が形成された基板１１０上に、発光領域１２２内の第１電極１１２が露出するように形成されるものである。絶縁層１１９により、第１電極１１２と第２電極１１４とが接触してショートするのを防ぐことができる。
【００４７】
絶縁層１１９の形成位置としては、絶縁層１１９が、発光領域内の第１電極１１２が露出するように形成されていればよい。発光領域の大きさとしては、有機ＥＬ素子の用途等に応じて適宜選択される。
【００４８】
絶縁層１１９は、第１電極１１２の端部を覆うように形成されていることが好ましい。第１電極１１２の端部では有機発光層１２０の厚みが薄くなるため、絶縁層１１９を形成することでショートし難くすることができる。また隣り合う発光領域が電気的に接続されるのを防ぐことができる。絶縁層１１９が形成された部分は、発光に寄与しない領域とすることができる。
【００４９】
絶縁層１１９の形成材料としては、感光性ポリイミド樹脂、アクリル系樹脂等の光硬化型樹脂、または熱硬化型樹脂、及び無機材料等を挙げることができる。
【００５０】
絶縁層１１９の形成方法としては、フォトリソグラフィ法、印刷法等の一般的な方法を用いることができる。
【００５１】
［第１隔壁及び第２隔壁］
本発明の実施形態に係る第１隔壁１１６は、絶縁層１１９上に、第１電極１１２の長手方向と直交する方向にストライプ状に形成されるものであり、第２隔壁はコンタクト部を電気的に孤立させて、短絡により第１電極に電気を流し、隣の電極に電流を流さないようにするためである。この第１隔壁１１６及び第２隔壁１１８は絶縁性を有している。第１隔壁、第２隔壁ともに第２電極を分断するために設けられるものである。第２隔壁１１８と第１隔壁１１６は同じ材料で同時に形成することで低コストが可能になる。コンタクト部は、第１電極１１２上に形成する際、発光領域１２２内に設けてもよい。発光領域１２２内にコンタクト部１３０を設けることによって、さらに狭額縁化を図ることが可能となる。
【００５２】
第１隔壁１１６及び第２隔壁１１８の断面形状としては、第２電極を分断させるため逆テーパ形状等のオーバーハング形状が好ましい。
【００５３】
第１隔壁１１６及び第２隔壁１１８の高さとしては、発光領域１２２の中心部における基板１１０表面から第２電極１１４表面までの高さよりも高くなるように設定される。
【００５４】
第１隔壁１１６及び第２隔壁１１８の幅は、特に限定されるものではないが、１００μｍ以下であることが好ましい。第１隔壁１１６及び第２隔壁１１８の幅が広すぎると、発光領域が相対的に狭くなるからである。
【００５５】
第１隔壁１１６及び第２隔壁１１８により画定される領域の幅は、３００μｍ以下であることが好ましい。上記領域の幅が広すぎると、発光領域が相対的に狭くなるからである。
【００５６】
第１隔壁１１６及び第２隔壁１１８の形成材料としては、例えば、感光性ポリイミド樹脂、アクリル系樹脂、ノボラック系樹脂、スチレン系樹脂、フェノール系樹脂、メラミン系樹脂等の光硬化型樹脂、または熱硬化型樹脂、及び無機材料等を挙げることができる。
【００５７】
第１隔壁１１６及び第２隔壁１１８の形成方法としては、フォトリソグラフィ法、印刷法等の一般的な方法を用いることができる。
【００５８】
［有機発光層］
本発明の実施形態に係る有機発光層１２０は、発光領域１２２内の第１電極１１２上に形成されるものである。この有機発光層１２０は、少なくとも発光層を含んでいる。
【００５９】
有機発光層１２０の形成位置としては、有機発光層１２０が、発光領域１２２内の第１電極１１２上に形成されていればよい。すなわち、有機発光層１２０を構成する各層が、少なくとも発光領域に形成されていなければよい。したがって、例えば、有機発光層１２０は、図１〜図５に示すように第１隔壁１１６及び第２隔壁１１８の上に形成されていてもよい。
【００６０】
本発明の実施形態に用いられる有機発光層１２０は、少なくとも発光層を含む１層もしくは複数層の有機層を有するものである。すなわち、有機発光層１２０とは、少なくとも発光層を含む層であり、その層構成が有機層１層以上の層をいう。通常、塗布によるウェットプロセスで有機発光層を形成する場合は、溶媒との関係で多数の層を積層することが困難であることから、１層もしくは２層の有機層で構成される場合が多いが、有機材料を工夫したり、真空蒸着法を組み合わせたりすることにより、さらに多数層とすることも可能である。
【００６１】
発光層以外に有機発光層１２０を構成する有機層としては、正孔注入層、電子注入層、正孔輸送層、電子輸送層等を挙げることができる。正孔輸送層は、正孔注入層に正孔輸送の機能を付与することにより、正孔注入層と一体化される場合がある。また、電子輸送層は、電子注入層に電子輸送の機能を付与することにより、電子注入層と一体化される場合がある。さらに、有機発光層１２０を構成する有機層としては、キャリアブロック層のような正孔もしくは電子の突き抜けを防止し、再結合効率を高めるための層等を挙げることができる。
【００６２】
本発明の実施形態に係る発光層は、単色（赤色、緑色または青色）発光または白色発光が用いられる。発光層に用いられる材料としては、例えば、色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料等の発光材料であってもよく、一般的に用いられる材料であってもよい。
【００６３】
色素系材料としては、シクロペンタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、シロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、トリフマニルアミン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマーなどを挙げることができる。
【００６４】
また、金属錯体系材料としては、アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾール亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロビウム錯体等、中心金属にＡｌ、Ｚｎ、Ｂｅ等または、Ｔｂ、Ｅｕ、Ｄｙ等の希土類金属を有し、配位子にオキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造等を有する金属錯体を挙げることができる。
【００６５】
さらに、高分子系材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリビニルカルバゾール等、ポリフルオレン誘導体、ポリキノキサリン誘導体、及びそれらの共重合体等を挙げることができる。
【００６６】
上記発光層中には、発光効率の向上、発光波長を変化させる等の目的でドーピング剤を添加してもよい。このようなドーピング剤としては、例えば、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾリン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾン、キノキサリン誘導体、カルバゾール誘導体、フルオレン誘導体を挙げることができる。
【００６７】
発光層の厚みとしては、電子と正孔との再結合の場を提供して発光する機能を発現することができる厚みであれば特に限定されるものではなく、例えば１ｎｍ〜５００ｎｍ程度とすることができる。
【００６８】
発光層は、第１隔壁１１６及び第２隔壁１１８又は絶縁層により分断される。この際、発光層は、赤色・緑色・青色等の複数色の発光部を有するようにパターン状に形成されていてもよく、白色の発光部を有するようにパターン状に形成されていてもよい。
【００６９】
本発明の実施形態において、発光層とは青色発光層、緑色発光層、赤色発光層をいう。発光層を積層する場合の積層順としては、特に制限はなく、また各発光層間に非発光性の中間層を有していてもよい。本発明の実施形態においては、少なくとも一つの青発光層が、全発光層中最も第１電極に近い位置に設けられていることが好ましい。また、発光層を４層以上設ける場合には、第１電極に近い順から、例えば青色発光層／緑色発光層／赤色発光層／青色発光層、青色発光層／緑色発光層／赤色発光層／青色発光層／緑色発光層、青色発光層／緑色発光層／赤色発光層／青色発光層／緑色発光層／赤色発光層のように青色発光層、緑色発光層、赤色発光層を順に積層することが、輝度安定性を高める上で好ましい。発光層を多層にすることで白色素子の作製が可能になる。
【００７０】
［正孔注入層］
上述したように、正孔輸送層は、正孔注入層に正孔輸送の機能を付与することにより、正孔注入層と一体化される場合がある。すなわち、正孔注入層は、正孔注入機能のみを有していてもよく、正孔注入機能及び正孔輸送機能の両機能を有していてもよい。
【００７１】
正孔注入層に用いられる材料としては、発光層内への正孔の注入を安定化させることができる材料であれば特に限定されるものではなく、上記発光層の発光材料に例示した化合物の他、フェニルアミン系、スターバースト型アミン系、フタロシアニン系、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アルミニウム、酸化チタン等の酸化物、アモルファスカーボン、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリフェニレンビニレン誘導体等を用いることができる。具体的には、ビス（Ｎ−（１−ナフチル−Ｎ−フェニル）ベンジジン（α−ＮＰＤ）、４，４，４−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）、ポリ３，４エチレンジオキシチオフェン−ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）等が挙げられる。
【００７２】
また、正孔注入層の厚みとしては、正孔注入機能や正孔輸送機能が十分に発揮される厚みであれば特に限定されないが、具体的には０．５ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲内、特に１０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内であることが好ましい。
【００７３】
［電子注入層］
上述したように、電子輸送層は、電子注入層に電子輸送の機能を付与することにより、電子注入層と一体化される場合がある。すなわち、電子注入層は、電子注入機能のみを有していてもよく、電子注入機能及び電子輸送機能の両機能を有していてもよい。
【００７４】
電子注入層に用いられる材料としては、発光層内への電子の注入を安定化させることができる材料であれば特に限定されるものではなく、上記発光層の発光材料に例示した化合物の他、アルミリチウム合金、フッ化リチウム、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、フッ化ストロンチウム、フッ化カルシウム、フッ化バリウム、酸化アルミニウム、酸化ストロンチウム、カルシウム、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレンスルホン酸ナトリウム、リチウム、セシウム、フッ化セシウム等のようにアルカリ金属類、及びアルカリ金属類のハロゲン化物、アルカリ金属の有機錯体等を用いることができる。
【００７５】
また、電子輸送性の有機材料にアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属をドープした金属ドープ層を形成し、これを電子注入層とすることもできる。上記電子輸送性の有機材料としては、例えばバソキュプロイン、バソフェナントロリン、フェナントロリン誘導体等を挙げることができ、ドープする金属としては、Ｌｉ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｓｒ等が挙げられる。
【００７６】
上記電子注入層の厚みとしては、電子注入機能や電子輸送機能が十分に発揮される厚みであれば特に限定されない。
【００７７】
［電子輸送層］
電子輸送層に用いられる材料としては、陰極から注入された電子を発光層内へ輸送することが可能な材料であれば特に限定されるものではなく、例えばバソキュプロイン、バソフェナントロリン、フェナントロリン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）の誘導体等を挙げることができる。
【００７８】
上記電子輸送層の厚みとしては、電子輸送機能が十分に発揮される厚みであれば特に限定されない。
【００７９】
［第１コンタクトバンプ及び第２コンタクトバンプ］
本発明の実施形態に係る第１コンタクトバンプ１３４は、第１電極１１２とコンタクト部１３０を介して後述する封止基板１６０の内部配線１６４と電気的に接続され、第２コンタクトバンプ１３５は、第２電極１１４と封止基板１６０の内部配線１６４とに電気的に接続される。
【００８０】
本発明の実施形態に係る第１コンタクトバンプ１３４及び第２コンタクトバンプ１３５の高さは、第１隔壁１１６及び第２隔壁１１８より高く形成されていれば高さは限定されず、封止基板１６０の内部配線１６４に電気的に接続される。また、第１コンタクトバンプ１３４及び第２コンタクトバンプ１３５は、同じ材料を用いて同じ方法で柱状に形成される。
【００８１】
第１コンタクトバンプ１３４及び第２コンタクトバンプ１３５の形成材料としては、Ｃｒ（クロム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ａｇ（銀）等をあげることができる。第１コンタクトバンプ１３４及び第２コンタクトバンプ１３５の形成方法としては、めっきによって形成することが好ましいが、これに限定されない。
【００８２】
本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ素子は、第１電極１１２上の複数のコンタクト部１３０を介して接続される第１コンタクトバンプ１３４及び第２電極１１４と接続される第２コンタクトバンプ１３５を発光領域１２２の外部に設け、第１コンタクトバンプ１３４及び第２コンタクトバンプ１３５を介して外部との接続を図ることによって、表示装置を大型に形成した場合でも低コストで狭額縁化でき、発光領域を減少させることなく、安定して電圧を供給することができる。
【００８３】
［有機ＥＬ素子を用いた表示装置］
［封止基板］
本発明の実施形態に係る封止基板１６０は、上述した有機ＥＬ素子とは別に形成し、図２に示す第１コンタクト幅１３１に第１コンタクトバンプ１３４を介して、第１貫通電極１６１、第１貫通電極１６１に接続される内部配線１６４、第１貫通電極１６１に接続される第１取出し電極１３６と、第２コンタクト幅１３３に第２コンタクトバンプ１３５を介して、第２貫通電極１６２、第２貫通電極１６２に接続される内部配線１６４、第２貫通電極１６２に接続される第２取出し電極１３７と、を備える。封止基板１６０は、発光領域１２２の周囲を取囲むように、封止基板１６０及びシール層１５２を用いて枠封止を行う。封止基板１６０は、発光領域１２２の周辺を囲み、且つ封止基板１６０と基板１１０とを接着固定して発光領域１２２が水分や酸素に触れない様にアルゴン（Ａｒ）または窒素（Ｎ２）等の不活性ガスを充満した上で封止する。
【００８４】
封止基板１６０としてはガラスを用いることが好ましいが、ガラスに限定されず、基板１１０と同様の材料を用いてもよい。封止基板１６０に貫通孔をエッチング等によって設け、貫通孔に第１貫通電極１６１及び第２貫通電極１６２を形成する。次に、第１貫通電極１６１及び第２貫通電極１６２の基板１１０側に内部配線１６４を形成し、基板１１０の反対側に第１取出し電極１３６及び第２取出し電極１３７を形成する。次に、第１貫通電極１６１及び第２貫通電極１６２が電気的に接続された第１取出し電極１３６及び第２取出し電極１３７に対して水分及び酸素を遮断するため第１バリアフィルム１６８及び第２バリアフィルム１６９を貼り合わせて封止を行う。ここで、第１貫通電極１６１及び第２貫通電極１６２は同様の材料及び方法で形成され、第１取出し電極１３６及び第２取出し電極１３７は同様の材料及び方法で形成される。
【００８５】
封止基板に１６０の内部配線１６４、第１貫通電極１６１、第２貫通電極１６２、第１取出し電極１３６及び第２取出し電極１３７は、Ｃｒ（クロム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ａｇ（銀）等を用いて、めっき等によって形成される。
【００８６】
有機ＥＬ素子の周囲を取囲むようにして封止ガラス１５０と基板１１０とを接着固定するシール層１５８としては、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化性樹脂などからなる接着機能を有する樹脂等を用いることが好ましい。
【００８７】
ここで、封止基板１６０を介する配線の引き回しについて図６を参照して説明する。封止基板１６０には、第１配線１７２に電気的に接続された第１取出し電極１３６と、第２配線１７４に電気的に接続された第２取出し電極１３７と、が配置されている。この例では、第１取出し電極１３６は、コンタクト部１３０に電気的に接続された第１コンタクトバンプ１３４を介して封止基板２００に設けられる第１貫通電極１６１によって外部回路と接続し、第２取出し電極１３７は、第２電極１１４に電気的に接続された第２コンタクトバンプ１３５を介して封止基板２００に設けられる第２貫通電極１６２によって外部回路と接続している。
【００８８】
第１配線１７２及び第２配線１７４としては、特に、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）の少なくとも一つによって形成されることが望ましい。
【００８９】
図示はしないが、本発明の実施形態において、光を照射する基板１１０側にカラーフィルタ又は色変換層を配置してもよい。カラーフィルタ又は色変換層を用いることによって、照射する光を均一にできる。
【００９０】
上述したとおり、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００は、第１電極１１２とコンタクト部１３０を介して接続される第１コンタクトバンプ１３４及び第２電極１１４と接続される第２コンタクトバンプ１３５を外部に設け、第１コンタクトバンプ１３４及び第２コンタクトバンプ１３５を貫通電極１６２を含む封止基板１６０を介して外部との電気的な接続を行うことによって、表示装置を大型化した場合でも低コストで狭額縁化でき、発光領域を減少させることなく、安定して電圧を供給することができるとともに、製造工程を簡略化できる。
【００９１】
［パッシブマトリックス型有機ＥＬ表示装置の製造方法］
次に、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法について図２〜図５を参照して説明する。本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法は、有機ＥＬ素子を形成する。有機ＥＬ素子としては、厚さ０．７ｍｍの基板１１０上に、ＩＴＯを成膜し、次にＣｒ膜を成膜する。パターニングはＣｒから始め、第１電極１１２上（ＩＴＯ）の一部にフォトリソグラフィ法とエッチング法でＣｒの凸凹部（コンタクト部１３０）を形成する。次に第１電極（ＩＴＯ）１１２を同様にフォトリソグラフィ法とエッチング法でパターニングしてストライプ状の第１電極１１２を形成する。次に、第１電極１１２が形成された基板１１０上に、発光領域１２２内の第１電極１１２が露出するように絶縁層１１９を形成する。次に、絶縁層１１９上に、第１電極１１２の長手方向と直交する方向に延在するストライプ状の絶縁性の第１隔壁１１６、及びコンタクト部１３０を孤立させるための第２隔壁１１８を同じ隔壁材料で一括形成する。次に、この基板１１０上の全面に、蒸着法、印刷法、吐出法または転写法、例えばグラビア印刷法により有機層形成用塗工液を塗布し、有機発光層１２０を形成する。次に、有機発光層１２０上に第２電極１１４を形成する。次に、第１電極１１２とコンタクト部１３０を介して封止基板１６０の内部配線１６４と電気的に接続する第１コンタクトバンプ１３４及び第２電極１１４と封止基板１６０の内部配線１６４と電気的に接続する第２コンタクトバンプ１３５をメッキによって高さ１５μｍ±１μｍ、大きさ２０μｍφに形成して、有機ＥＬ素子が完成する。
【００９２】
封止基板１６０は、有機ＥＬ素子とは別に用意する。封止基板１６０は厚さ０．３ｍｍのガラスを用いた。この封止基板１６０に貫通孔１５０μｍφを設け、貫通孔にメッキ法を用いて厚み１μｍ、Ｌ＆Ｓが３０μｍ程度になるように内部配線１６４、第１貫通電極１６１、第２貫通電極１６２、第１取出し電極１３６及び第２取出し電極１３７を形成した。次に、封止基板１６０の第１貫通電極１６１及び第２貫通電極１６２に対して水分及び酸素を遮断するために第１取出し電極１３６及び第２取出し電極１３７の一部を覆うように第１バリアフィルム１６８及び第２バリアフィルム１６９を封止した。その後、封止基板１６０と基板１１０を精度良く貼り合わせ、コンタクト部を結合させる。次に、ガラス基板１１０及び封止ガラス１５０のどちらか一方の表面に、光硬化性樹脂接着剤からなるシール層１５４をディスペンサなどを用いて基板１１０の周囲を取囲むように塗布形成しておく。その後、基板１１０と封止基板１６０とを重ね合せる。
【００９３】
続いて、基板１１０を介して紫外線ＵＶを照射し、シール層１５２を硬化させて、封止基板１６０と基板１１０との貼り合せを行った。なお、上述の方法では、第１隔壁１１６により、コンタクト部１３０を発光領域１２２の外部に設けたが、第１隔壁１１６上にさらに第２隔壁１１８を設けて発光領域１２２の内部に設けてもよい。発光領域１２２の内部又は外部にコンタクト部１２２を設けることでより狭額縁化した有機ＥＬ表示装置を形成できる。また、第１コンタクトバンプ１３４及び第２コンタクトバンプ１３５を基板１１０に対して垂直方向に低く設けてもよい。この場合、第１隔壁１１６又は第２隔壁１１８上に形成される第２電極１１４に接触しないようにすればよい。
【００９４】
次に、封止基板１６０を含む有機ＥＬ素子とフィルム上に形成したカラーフィルタとの貼り合わせを大気圧のもと行い、本発明の実施形態に係るパッシブマトリックス型の有機ＥＬ表示装置が完成する。
【００９５】
本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００は、第１電極１１２とコンタクト部１３０を介して接続される第１コンタクトバンプ１３４及び第２電極１１４と接続される第２コンタクトバンプ１３５を外部に設け、第１コンタクトバンプ１３４及び第２コンタクトバンプ１３５を貫通電極１６２を含む封止基板１６０を介して外部との電気的な接続を行うことによって、表示装置を大型化した場合でも狭額縁化でき、発光領域を減少させることなく、安定して電圧を供給することができるとともに、製造工程を簡略化できる。
【符号の説明】
【００９６】
１００：有機ＥＬ表示パネル、１１０：基板、１１２：第１電極、１１３：第１電極幅、１１４：第２電極、１１５：第２電極幅、１１６：第１隔壁、１１８：第２隔壁、１１９：絶縁層、１２０：有機発光層、１２２：発光領域、１３０：コンタクト部、１３１：第１コンタクト部幅、１３３：第２コンタクト部幅、１３４：第１コンタクトバンプ、１３５：第２コンタクトバンプ、１３６：第１取出し電極、１３７：第２取出し電極、１５２：シール層、１６０：封止基板、１６１：第１貫通電極、１６２：第２貫通電極、１６４：内部配線、１６８：第１バリアフィルム、１６９：第２バリアフィルム、１７２：第１配線、１７４：第２配線。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された複数の第１電極と、
前記複数の第１電極のうち一つ以上の第１電極上に形成され、外部と電気的に接続する複数のコンタクト部と、
前記複数の第１電極及び前記複数のコンタクト部を区画して形成された複数の隔壁と、
前記複数の第１電極及び前記複数のコンタクト部上に形成された複数の有機発光層と、
前記複数のコンタクト部及び前記複数の有機発光層上に形成された複数の第２電極と、
を備えることを特徴とする有機ＥＬ素子。
【請求項２】
前記複数のコンタクト部は、前記複数の第１電極、前記複数の有機発光層及び前記複数の第２電極から構成される画素領域の外部に電気的に絶縁されることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項３】
前記複数のコンタクト部は、それぞれ前記第１電極上に前記複数の隔壁よりも低く、前記複数の有機発光層よりも高くなるように前記第１電極上に形成され、前記第１電極の垂直方向に対して、高さ１００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下、幅５μｍ以上１００μｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項４】
基板上に複数の第１電極を形成し、
前記複数の第１電極のうち一つ以上の第１電極上に、外部と電気的に接続する複数のコンタクト部を形成し、
前記複数の第１電極及び前記複数のコンタクト部を区画する複数の隔壁を形成し、
前記複数の第１電極及び前記複数のコンタクト部上に複数の有機発光層を形成し、
前記複数のコンタクト部及び前記複数の有機発光層上に複数の第２電極を形成することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項５】
前記複数のコンタクト部は、前記複数の第１電極、前記複数の有機発光層及び前記複数の第２電極から構成される画素領域の外部に電気的に絶縁されるように形成することを特徴とする請求項４に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項６】
前記複数のコンタクト部は、それぞれ前記第１電極上に前記複数の隔壁よりも低く、前記複数の有機発光層よりも高くなるように前記第１電極上に形成され、前記第１電極の垂直方向に対して、高さ１００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下、幅５μｍ以上１００μｍ以下に形成することを特徴とする請求項４または５に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項７】
基板と、
前記基板上に形成された複数の第１電極と、
前記複数の第１電極のうち一つ以上の第１電極上に形成され、外部と電気的に接続する複数のコンタクト部と、
前記複数の第１電極及び前記複数のコンタクト部を区画して形成された複数の隔壁と、
前記複数の第１電極及び前記複数のコンタクト部上に形成された複数の有機発光層と、
前記複数のコンタクト部及び前記複数の有機発光層上に形成された複数の第２電極と、
前記複数の有機発光層が配置された面と向かい合い、貫通孔を有し、前記貫通孔に導電体部が形成された封止基板と、
前記複数のコンタクト部と前記封止基板の前記導電体部に電気的に接続されるコンタクトバンプと、
前記有機発光層を囲むように枠状に配置され、前記基板の端部と前記封止基板とを接合するシール部材と、
を備えることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
前記複数のコンタクト部は、前記複数の第１電極、前記複数の有機発光層及び前記複数の第２電極から構成される画素領域の外部に電気的に絶縁されることを特徴とする請求項７に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
前記複数のコンタクト部は、それぞれ前記第１電極上に前記複数の隔壁よりも低く、前記複数の有機発光層よりも高くなるように前記第１電極上に形成され、前記第１電極の垂直方向に対して、高さ１００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下、幅５μｍ以上１００μｍ以下であることを特徴とする請求項７または８に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された複数の第１電極と、
前記複数の第１電極のうち一つ以上の第１電極上に形成され、外部と電気的に接続する複数のコンタクト部と、
前記複数の第１電極及び前記複数のコンタクト部を区画して形成された複数の隔壁と、
前記複数の第１電極及び前記複数のコンタクト部上に形成された複数の有機発光層と、
前記複数のコンタクト部及び前記複数の有機発光層上に形成された複数の第２電極と、
を備えることを特徴とする有機ＥＬ素子。
【請求項２】
前記複数のコンタクト部は、前記複数の第１電極、前記複数の有機発光層及び前記複数の第２電極から構成される画素領域の外部に電気的に絶縁されることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項３】
前記複数のコンタクト部は、それぞれ前記第１電極上に前記複数の隔壁よりも低く、前記複数の有機発光層よりも高くなるように前記第１電極上に形成され、前記第１電極の垂直方向に対して、高さ１００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下、幅５μｍ以上１００μｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項４】
基板上に複数の第１電極を形成し、
前記複数の第１電極のうち一つ以上の第１電極上に、外部と電気的に接続する複数のコンタクト部を形成し、
前記複数の第１電極及び前記複数のコンタクト部を区画する複数の隔壁を形成し、
前記複数の第１電極及び前記複数のコンタクト部上に複数の有機発光層を形成し、
前記複数のコンタクト部及び前記複数の有機発光層上に複数の第２電極を形成することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項５】
前記複数のコンタクト部は、前記複数の第１電極、前記複数の有機発光層及び前記複数の第２電極から構成される画素領域の外部に電気的に絶縁されるように形成することを特徴とする請求項４に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項６】
前記複数のコンタクト部は、それぞれ前記第１電極上に前記複数の隔壁よりも低く、前記複数の有機発光層よりも高くなるように前記第１電極上に形成され、前記第１電極の垂直方向に対して、高さ１００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下、幅５μｍ以上１００μｍ以下に形成することを特徴とする請求項４または５に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項７】
基板と、
前記基板上に形成された複数の第１電極と、
前記複数の第１電極のうち一つ以上の第１電極上に形成され、外部と電気的に接続する複数のコンタクト部と、
前記複数の第１電極及び前記複数のコンタクト部を区画して形成された複数の隔壁と、
前記複数の第１電極及び前記複数のコンタクト部上に形成された複数の有機発光層と、
前記複数のコンタクト部及び前記複数の有機発光層上に形成された複数の第２電極と、
前記複数の有機発光層が配置された面と向かい合い、貫通孔を有し、前記貫通孔に導電体部が形成された封止基板と、
前記複数のコンタクト部と前記封止基板の前記導電体部に電気的に接続されるコンタクトバンプと、
前記有機発光層を囲むように枠状に配置され、前記基板の端部と前記封止基板とを接合するシール部材と、
を備えることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
前記複数のコンタクト部は、前記複数の第１電極、前記複数の有機発光層及び前記複数の第２電極から構成される画素領域の外部に電気的に絶縁されることを特徴とする請求項７に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
前記複数のコンタクト部は、それぞれ前記第１電極上に前記複数の隔壁よりも低く、前記複数の有機発光層よりも高くなるように前記第１電極上に形成され、前記第１電極の垂直方向に対して、高さ１００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下、幅５μｍ以上１００μｍ以下であることを特徴とする請求項７または８に記載の有機ＥＬ表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１３−４３１３（Ｐ２０１３−４３１３Ａ）
【公開日】平成２５年１月７日（２０１３．１．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１３４４６１（Ｐ２０１１−１３４４６１）
【出願日】平成２３年６月１６日（２０１１．６．１６）
【出願人】（０００００２８９７）大日本印刷株式会社 (14,506)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年１月７日（２０１３．１．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年６月１６日（２０１１．６．１６）
【出願人】（０００００２８９７）大日本印刷株式会社 (14,506)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]