表示装置およびその製造方法
【課題】活性層となる酸化物導電体層への光の入射を防ぎ、ＴＦＴ特性の低下を抑制することが可能な表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本技術の表示装置は、活性層が酸化物導電体よりなる薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタ上に設けられた発光素子と、薄膜トランジスタおよび発光素子の各端面、並びに発光素子の上面の一部を覆う遮光膜とを備える。
【解決手段】本技術の表示装置は、活性層が酸化物導電体よりなる薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタ上に設けられた発光素子と、薄膜トランジスタおよび発光素子の各端面、並びに発光素子の上面の一部を覆う遮光膜とを備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、活性層が酸化物導電体よりなる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）を備えた表示装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＴＦＴは液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置等の基盤技術として広く応用されている。ＴＦＴの活性層となる半導体層には、一般的にはアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）またはポリシリコンが用いられているが、近年では、スパッタ法等の安価な装置で形成することが可能な金属酸化物等の酸化物導電体が半導体層に用いられている。但し、酸化物導電体を用いた半導体層は、光（特に４２０ｎｍ以下の紫外光）が照射されると光誘起によってＴＦＴ特性が変化、具体的には閾値電圧（Ｖｔｈ）が負（−）方向にシフトするという問題があった。
【０００３】
この問題を解決するために、例えば特許文献１では基板の裏面に遮光膜を有するＴＦＴが開示されている。また、例えば特許文献２では、ゲート電極と活性層との間に光吸収層を設けたボトムゲート型のＴＦＴが、特許文献３では、基材（基板）にバンドギャップエネルギーよりも波長の短い光の透過率が１０％以下の材料を用いたＴＦＴがそれぞれ開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１１５９０２号公報
【特許文献２】特開２００９−２２４３５４号公報
【特許文献３】特開２００７−１５０１５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１〜３に開示された方法では、基板裏面方向から活性層への入射光は遮光されるが、基板側面方向から照射された光に対しては十分な遮光効果は得らない。近年、表示装置、特にモバイルディスプレイでは狭額縁化が求められており周辺領域（額縁領域）に設けられた端子部と、表示領域（画素領域）に設けられた画素間との距離が非常に短くなる。このため額縁領域側、即ち、斜め方向から照射された光がＴＦＴの半導体層（酸化物導電体層）に入射し、これによりＴＦＴの特性が低下するという問題があった。
【０００６】
本技術はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、活性層となる酸化物導電体層への光の入射を防ぎ、ＴＦＴ特性の低下を抑制することが可能な表示装置およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本技術の表示装置は、活性層が酸化物導電体よりなる薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタ上に設けられた発光素子と、薄膜トランジスタおよび発光素子の各端面、並びに発光素子の上面の一部を覆う遮光膜とを備えたものである。
【０００８】
本技術の表示装置の製造方法は、以下の（Ａ）〜（Ｃ）の工程を含むものである。
（Ａ）基板上の画素部に活性層が酸化物導電体からなる薄膜トランジスタを形成する工程
（Ｂ）薄膜トランジスタ上に発光素子を形成する工程
（Ｃ）少なくとも前記薄膜トランジスタおよび発光素子の端面および発光素子の上面の一部を覆う遮光膜を形成する工程
【０００９】
本技術の表示装置およびその製造方法では、薄膜トランジスタおよび発光素子を形成したのち、薄膜トランジスタおよび発光素子の側面および上面の一部を遮光膜で覆うことにより、斜め方向、特に額縁領域から薄膜トランジスタへの入射光が遮光される。
【発明の効果】
【００１０】
本技術の表示装置およびその製造方法によれば、薄膜トランジスタおよび発光素子の側面および上面の一部を遮光膜で覆うようにしたので、薄膜トランジスタへの斜め方向、特に額縁領域からの入射光が遮光され、薄膜トランジスタの特性の低下を抑制することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本開示の一実施の形態に係る表示装置の構成の一例を表す断面図である。
【図２】図１に示した表示装置の平面図である。
【図３】各材料における紫外線（ＵＶ）透過率を表す特性図である。
【図４】ＵＶ照射量と閾値との関係を表す特性図である。
【図５】図１に示した表示装置のブロック図である。
【図６】図５に示した表示装置の画素駆動回路の一例を表す図である。
【図７】図１に示した表示装置の一部の断面図である。
【図８】図１に示した表示装置の製造方法の流れを表す図である。
【図９】図８に示した製造方法を工程順に表す断面図である。
【図１０】図９に続く工程を表す断面図である。
【図１１】図１０に続く工程を表す断面図である。
【図１２】比較例におけるＴＦＴの特性図である。
【図１３】比較例に係る表示装置の模式図である。
【図１４】本開示の表示装置におけるＴＦＴの特性図である。
【図１５】（Ａ）は適用例１の裏側から見た外観を表す斜視図、（Ｂ）は表側から見た外観を表す斜視図である。
【図１６】適用例２の外観を表す斜視図である。
【図１７】（Ａ）は適用例３の表側から見た外観を表す斜視図、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図１８】適用例４の外観を表す斜視図である。
【図１９】適用例５の外観を表す斜視図である。
【図２０】（Ａ）は適用例６の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側断面、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本開示の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態
１−１．全体構成
１−２．ＴＦＴおよび発光素子の構成
１−３．製造方法
２．適用例
【００１３】
１．実施の形態
（１−１．全体構成）
図１は本開示の一実施の形態に係る表示装置１の一部の断面構成を表したものである。この表示装置１は、基板１１上画素領域２に、複数の画素（図示せず）がマトリクス状（格子状）に配置されている。複数の画素は、例えば赤色画素Ｒ，緑色画素Ｇ，青色画素Ｂであり、それぞれ色ごとにライン状に配置されている。これら各画素（Ｒ，Ｇ，Ｂ）にはそれぞれ対応する色を発する有機ＥＬ素子２０（発光素子）が設けられている。この有機ＥＬ素子２０は、それぞれ素子駆動用の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１０上に形成されている。なお、ここでは赤色画素Ｒ，緑色画素Ｇおよび青色画素Ｂの組み合わせが一つの表示画素（ピクセル）を構成している。画素領域２の周囲には額縁領域３が設けられており、この額縁領域３の周縁部には、端子部４が設けられている。
【００１４】
本実施の形態の表示装置１では、図１および図２（Ａ）に示したように額縁領域３（画素領域２と端子部４との間）に遮光膜５が設けられている。この遮光膜５は、光、特に４２０ｎｍ以下の波長を有する光（紫外光）を散乱または吸収することで遮光機能を有する材料により構成されている。遮光膜５は、画素領域２に設けられたＴＦＴ１０および有機ＥＬ素子２０の側面と有機ＥＬ素子２０の上面の一部とを覆うように形成されている。これにより、後述する表示装置１の製造工程における端子部４に防湿補強材３５Ａ，３５Ｂを設ける際に照射される紫外（ＵＶ）光のＴＦＴ１０への入射が抑制されるようになっている。本実施の形態では、遮光膜５（５Ａ，５Ｂ；図１０参照）はＴＦＴ１０および有機ＥＬ素子２０の側面と有機ＥＬ素子２０の上面の一部に加えて、ＴＦＴ１０の端部よりもはみ出して形成された有機ＥＬ素子２０を構成する層上にも設けられ、有機ＥＬ素子２０を挟み込むように形成されている。但しこれに限らず、例えば、遮光膜５は少なくとも有機ＥＬ素子２０の上面の一部からその側面、更に有機ＥＬ素子２０側面から基板１１に達する延長線上に設けられていれば、上述したＵＶ光のＴＦＴ１０への入射は抑制される。
【００１５】
また、図２（Ｂ）に示したように、本実施の形態では遮光膜５の表面（基板１１上および有機ＥＬ素子２０の上面，図１参照）に１以上の凹部５ａが設けられている。この凹部５ａを設けることにより、遮光膜５を構成する材料の特性によるＵＶ光の遮光機能に加えて、形状（凹部５ａ）による反射機能が追加され、ＴＦＴ１０に対して斜め方向から入射するＵＶ光がより確実に遮光されるようになっている。遮光膜５を構成する具体的な材料としては、酸化チタン（ＴｉＯ2）または酸化亜鉛（ＺｎＯ）が挙げられるが、上述したようにＵＶ光を遮光する機能を有していればこれに限らない。また、遮光膜５は遮光機能を有する材料以外の材料を含んでいても構わない。
【００１６】
遮光膜５の膜厚は３８０ｎｍ以上とすることが好ましい。例えば、図３に示したように、ＴｉＯ2（図３（Ｂ））はＩＴＯ（図３（Ａ））およびシリカ（図３（Ｃ））と比較して、紫外領域の光を遮光する機能を有する。具体的には、膜厚５００ｎｍで９０％のＵＶ遮光能を有する。上述した防湿補強材を硬化する際に照射するＵＶ照射量は一般的に１０００ｍＪ／ｃｍ2程度であるため、膜厚５００ｎｍのＴｉＯ2膜で遮光した際には１０％（１００ｍＪ／ｃｍ2）程度のＵＶ光が透過する。図４はＵＶ照射量と、ＵＶ照射前後におけるＴＦＴ１０の閾値（Ｖｔｈ）の変化量（ΔＶｔｈ）との関係を表したものである。この図４から、１００ｍＪ／ｃｍ2のＵＶ光が照射された際の閾値（Ｖｔｈ）は０．１Ｖ程度シフトすることがわかる。一般的に、ＴＦＴの許容可能なΔＶｔｈは０．２Ｖ以下である。ΔＶｔｈが０．２ＶとなるＵＶ照射量は、図４から１７５ｍＪ／ｃｍ2であることがわかる。一方、ＵＶ入射光の強さをＬ0とした場合の透過光の強度Ｌは、単位長さ（膜厚）当たりの透過率をηとすると、Ｌ（ｔ）＝Ｌ0×ηtの関係がある。入射光の強さＬ0を、防湿補強材３５Ａ，３５Ｂを硬化する際に照射するＵＶ照射量（１０００ｍＪ／ｃｍ2）とし、単位長さ（膜厚）当たりの透過率ηを、膜厚５００ｎｍにおける透過率、η＝１０％＝０．１とする。また、透過光の強度Ｌ（ｔ）をＴＦＴの許容可能なΔＶｔｈ（０．２Ｖ）とした場合、１７５＝１０００×０．１(t/500)となり、ｔ＝３７８．５ｎｍとなる。即ち、ＴＦＴ１０へのＵＶ光の入射を効果的に抑制するための遮光膜５の膜厚は、３７８．５ｎｍ以上であることが好ましく、より好ましくは３８０ｎｍ以上であることがわかる。
【００１７】
（１−２．表示装置の全体構成）
次に、表示装置１の断面構成について説明する。図５は、本実施の形態の表示装置１のブロック構成を表したものである。この表示装置１は、例えば有機ＥＬテレビジョン装置などとして用いられるものであり、上述したように、基板１１の上に、複数の有機ＥＬ素子２０（２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ）がマトリクス状に配置された画素領域２が形成されており、画素領域２を囲うように額縁領域３が配置されている。額縁領域３には、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が設けられている。
【００１８】
画素領域２内には画素駆動回路１４０が設けられている。図６は、画素駆動回路１４０の一例を表したものである。画素駆動回路１４０は、後述する下部電極２１の下層に形成されたアクティブ型の駆動回路である。すなわち、この画素駆動回路１４０は、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、これらトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓと、第１電源ライン（Ｖｃｃ）および第２電源ライン（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された赤色有機ＥＬ素子２０Ｒ（または緑色有機ＥＬ素子２０Ｇ，青色有機ＥＬ素子２０Ｂ）とを有する。駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、一般的なＴＦＴにより構成され、その構成は、例えば逆スタガ構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガ構造（トップゲート型）でもよく特に限定されない。
【００１９】
画素駆動回路１４０において、列方向には信号線１２０Ａが複数配置され、行方向には走査線１３０Ａが複数配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの交差点が、赤色有機ＥＬ素子２０Ｒ，緑色有機ＥＬ素子２０Ｇ，青色有機ＥＬ素子２０Ｂのいずれか一つに対応している。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。
【００２０】
図７は、表示装置１の一部の断面構成を表したものである。表示装置１は、基板１１上に、例えばアクティブマトリックス方式により駆動するＴＦＴ１０が設けられ、このＴＦＴ１０上には、画素（Ｒ，Ｇ，Ｂ）に対応する発光層２３Ｃを有する有機ＥＬ素子２０（２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ）が設けられている。
【００２１】
（ＴＦＴ）
ＴＦＴ１０は、いわゆるボトムゲート型のＴＦＴであり、チャネル（活性層）に、例えば酸化物半導体を用いたものである。このＴＦＴ１０では、ガラス等よりなる基板１１上に、ゲート電極１２、ゲート絶縁膜１３、酸化物半導体層１４、チャネル保護膜１５およびソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂがこの順に形成されている。ソース電極１６Ａおよびドレイン電極１６Ｂ上には、基板１１の全面に渡ってＴＦＴ１０の凹凸を平坦化させるための平坦化膜１８が形成されている。
【００２２】
ゲート電極１２は、ＴＦＴ１０に印加されるゲート電圧によって酸化物半導体層１４中のキャリア密度（ここでは、電子密度）を制御する役割を果たすものである。このゲート電極１２は、例えばモリブデン（Ｍｏ），アルミニウム（Ａｌ）およびアルミニウム合金等のうちの１種よりなる単層膜、または２種以上よりなる積層膜により構成されている。なお、アルミニウム合金としては、例えばアルミニウム−ネオジム合金が挙げられる。
【００２３】
ゲート絶縁膜１３は、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、シリコン窒化酸化物（ＳｉＯＮ）および酸化ハフニウム（ＨｆＯ）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化タンタル（ＴａＯ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ）等あるいはこれらの酸窒化物のうちの１種よりなる単層膜である。また、これらのうちの２種以上よりなる積層膜としてもよい。これにより、酸化物半導体層１４との界面特性を改善したり、基板１１に含まれる不純物が酸化物半導体層１４へ拡散することを防ぐことができる。ゲート絶縁膜１３の膜厚は、例えば２００ｎｍ〜３００ｎｍである。
【００２４】
酸化物半導体層１４は、例えばインジウム（Ｉｎ），ガリウム（Ｇａ），亜鉛（Ｚｎ），スズ（Ｓｎ），Ｔｉのうちの少なくとも１種の酸化物を主成分として含んでいる。この酸化物半導体層１４は、ゲート電圧の印加によりソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂ間にチャネルを形成するものである。この酸化物半導体層２４の膜厚は、例えば５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【００２５】
チャネル保護膜１５は、酸化物半導体層１４上に形成され、ソース・ドレイン電極２６Ａ，２６Ｂ形成時におけるチャネルの損傷を防止するものである。チャネル保護膜２５の厚みは、例えば２０〜３００ｎｍである。また、チャネル保護膜１５の材料は、ゲート絶縁膜１３と同様の材料を用いることができる。
【００２６】
ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂは、例えばＭｏ，Ａｌ，銅（Ｃｕ）およびＴｉ等の金属あるいはこれらの合金、またはＩＴＯおよびＴｉＯ等の導電体のうち１種よりなる単層膜またはこれらのうちの２種以上よりなる積層膜である。例えば、Ｍｏ，Ａｌ，Ｍｏの順に、５０ｎｍ，５００ｎｍ，５０ｎｍの膜厚で積層した３層膜や、ＩＴＯおよび酸化チタン等の酸素を含む金属化合物のような酸素との結びつきの弱い金属または金属化合物を用いることが望ましい。これにより、酸化物半導体の電気特性を安定して保持することができる。
【００２７】
平坦化膜１８は、例えばＡｌ2Ｏ3，ＴｉＯ2あるいはこれらの窒化物等の無機絶縁材料が用いられる。この平坦化膜１８の厚みは、例えば２０ｎｍ〜２００ｎｍであり、好ましくは５０ｎｍ以下である。平坦化膜１８はその膜密度を３．０ｇ／ｃｍ3以上とすることにより、酸素および水素に対する高いバリア性能を有する。平坦化膜１８上には、有機ＥＬ素子２０の下部電極２１が形成されている。
【００２８】
（有機ＥＬ素子）
有機ＥＬ素子２０は、下部電極２１（アノード電極）から注入された正孔と上部電極２４（カソード電極）から注入された電子が発光層２３Ｃ内で再結合する際に生じた発光光を基板１１と反対側（カソード電極側）から光を取り出す上面発光型（トップエミッション型）の発光素子である。上面発光型の有機ＥＬ素子２０を用いることにより表示装置の発光部の開口率が向上する。なお、本発明の有機ＥＬ素子２０は、このような構成に限定されることはなく、例えば基板１１側から光を取り出す透過型、即ち下面発光型（ボトムエミッション型）の発光素子としてもよい。
【００２９】
有機ＥＬ素子２０では、平坦化膜１８上に、例えば表示装置１が上面発光型である場合には、高反射性材料、例えば、Ａｌ，Ｔｉ，Ｃｒ等からなる下部電極１２が形成されている。また、表示装置１が透過型である場合には、透明材料、例えばＩＴＯ，ＩＺＯ，ＩＧＺＯ等が用いられる。
【００３０】
ここで、下部電極２１上および平坦化膜１８上には、下部電極２１と、後述する上部電極２４との絶縁性を確保する隔壁２２が設けられている。この隔壁２２は、ＴＦＴ２０のゲート・ソース電極１６Ａ，１６Ｂと下部電極２１との接続部上に設けられている。隔壁２２は、例えばポリイミドまたはノボラック等の有機材料、具体的にはポジ型感光性ポリイミドなどの感光性樹脂により形成されており、プラズマ処理することにより、撥液性が付加される。
【００３１】
有機層２３は、例えば、図７に示したように、下部電極１３側から順に、正孔注入層２３Ａ，正孔輸送層２３Ｂ，発光層２３Ｃおよび電子輸送層２３Ｄを積層した構成を有する。有機層２３は、詳細は後述するが、例えば真空蒸着法やスピンコート法等によって形成される。この有機層２３の上面は上部電極２３によって被覆されている。有機層２３を構成する各層の膜厚および構成材料等は特に限定されないが、一例を以下に示す。
【００３２】
正孔注入層２３Ａは、発光層２３Ｃへの正孔注入効率を高めると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔注入層２３Ａの厚みは例えば５ｎｍ〜２００ｎｍであることが好ましく、さらに好ましくは８ｎｍ〜２３０ｎｍである。正孔注入層１６Ａの構成材料は、電極や隣接する層の材料との関係で適宜選択すればよく、例えばポリアニリン，ポリチオフェン，ポリピロール，ポリフェニレンビニレン，ポリチエニレンビニレン，ポリキノリン，ポリキノキサリンおよびそれらの誘導体、芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体などの導電性高分子，金属フタロシアニン（銅フタロシアニン等），カーボンなどが挙げられる。導電性高分子の具体例としてはオリゴアニリンおよびポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）などのポリジオキシチオフェンが挙げられる。
【００３３】
正孔輸送層２３Ｂは、発光層２３Ｃへの正孔輸送効率を高めるためのものである。正孔輸送層２３Ｂの厚みは、素子の全体構成にもよるが、例えば５ｎｍ〜２００ｎｍであることが好ましく、さらに好ましくは８ｎｍ〜２３０ｎｍである。正孔輸送層２３Ｂを構成する材料としては、有機溶媒に可溶な発光材料、例えば、ポリビニルカルバゾール，ポリフルオレン，ポリアニリン，ポリシランまたはそれらの誘導体、側鎖または主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体，ポリチオフェンおよびその誘導体，ポリピロールまたはＡｌｑ３などを用いることができる。
【００３４】
発光層２３Ｃでは、電界がかかると電子と正孔との再結合が起こり発光する。発光層２３Ｃの厚みは、素子の全体構成にもよるが、例えば１０ｎｍ〜２００ｎｍであることが好ましく、さらに好ましくは２０ｎｍ〜２３０ｎｍである。発光層２３Ｃは、それぞれ単層あるいは積層構造であってもよい。具体的には、本実施の形態の有機ＥＬ素子２０のように、正孔輸送層２３Ｂ上に赤色，緑色，青色の発光層２３ＣＲ，２３ＣＧ，２３ＣＢが単層設けられている以外に、例えば、青色発光層を各有機ＥＬ素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの共通層としてもよい。この場合、赤色有機ＥＬ素子２０Ｒには赤色発光層２３ＣＲ上に青色発光層２３ＣＢが積層され、緑色有機ＥＬ素子２０Ｇには緑色発光層２３ＣＧ上に青色発光層２３ＣＢが積層されている。また、ここには示していないが、赤色発光層２３ＣＲ，緑色発光層２３ＣＧおよび青色発光層２３ＣＢを積層してもよく、これらを積層することにより白色有機ＥＬ素子が形成される。
【００３５】
発光層２３Ｃを構成する材料は、それぞれの発光色に応じた材料を用いればよく、例えばポリフルオレン系高分子誘導体や、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体，ポリフェニレン誘導体，ポリビニルカルバゾール誘導体，ポリチオフェン誘導体，ペリレン系色素，クマリン系色素，ローダミン系色素，あるいは上記高分子に有機ＥＬ材料をドープしたものが挙げられる。ドープ材料としては、例えばルブレン，ペリレン，９，１０−ジフェニルアントラセン，テトラフェニルブタジエン，ナイルレッド，クマリン６等を用いることができる。なお、発光層２３Ｃを構成する材料は、上記材料を２種類以上混合して用いてもよい。また、上記高分子量の材料に限らず、低分子量の材料を組み合わせて用いてもよい。低分子材料の例としては、ベンジン，スチリルアミン，トリフェニルアミン，ポルフィリン，トリフェニレン，アザトリフェニレン，テトラシアノキノジメタン，トリアゾール，イミダゾール，オキサジアゾール，ポリアリールアルカン，フェニレンジアミン，アリールアミン，オキザゾール，アントラセン，フルオレノン，ヒドラゾン，スチルベンあるいはこれらの誘導体、または、ポリシラン系化合物，ビニルカルバゾール系化合物，チオフェン系化合物あるいはアニリン系化合物等の複素環式共役系のモノマーあるいはオリゴマーが挙げられる。
【００３６】
発光層２３Ｃを構成する材料としては、上記材料の他に発光性ゲスト材料として、発光効率が高い材料、例えば、低分子蛍光材料、りん光色素あるいは金属錯体等の有機発光材料を用いることができる。
【００３７】
なお、発光層２３Ｃは、例えば上述した正孔輸送層２３Ｂを兼ねた正孔輸送性の発光層としてもよく、また、後述する電子輸送層２３Ｄを兼ねた電子輸送性の発光層としてもよい。
【００３８】
電子輸送層２３Ｄは、発光層２３Ｃへの電子輸送効率を高めるためのものである。電子輸送層２３Ｄの総膜厚は素子の全体構成にもよるが、例えば５ｎｍ〜２００ｎｍであることが好ましく、より好ましくは１０ｎｍ〜１８０ｎｍである。
【００３９】
電子輸送層２３Ｄの材料としては、優れた電子輸送能を有する有機材料を用いることが好ましい。発光層２３Ｃへの電子の輸送効率を高めることにより、電界強度による発光色の変化が抑制される。具体的には、例えばアリールピリジン誘導体およびベンゾイミダゾール誘導体などを用いることが好ましい。これにより、低い駆動電圧でも高い電子の供給効率が維持される。電子注入層２３Ｅの材料としては、アルカリ金属，アルカリ土類金属，希土類金属およびその酸化物，複合酸化物，フッ化物，炭酸塩等が挙げられる。
【００４０】
上部電極２４は、例えば、厚みが１０ｎｍ程度であり、光透過性が良好で仕事関数が小さい材料により構成されている。また、酸化物を用いて透明導電膜を形成することによっても光取り出しを担保することができる。この場合には、ＺｎＯ，ＩＴＯ，ＩＺｎＯ，ＩｎＳｎＺｎＯ等を用いる事が可能である。更に、上部電極２４は単層でもよいが、ここでは例えばアノード電極２４側から順に第１層２４Ａ、第２層２４Ｂ、第3層２４Ｃと積層した構造となっている。
【００４１】
第１層２４Ａは、仕事関数が小さく、且つ、光透過性の良好な材料により形成されることが好ましい。具体的には、例えばカルシウム（Ｃａ），バリウム（Ｂａ）等のアルカリ土類金属、リチウム（Ｌｉ），セシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、インジウム（Ｉｎ），マグネシウム（Ｍｇ），銀（Ａｇ）が挙げられる。更に、Ｌｉ2Ｏ，Ｃｓ2Ｃｏ3，Ｃｓ2ＳＯ4，ＭｇＦ，ＬｉＦやＣａＦ2等のアルカリ金属酸化物，アルカリ金属フッ化物，アルカリ土類金属酸化物，アルカリ土類フッ化物が挙げられる。
【００４２】
第２層２４Ｂは、薄膜のＭｇＡｇ電極やＣａ電極などの光透過性を有し、且つ、導電性が良好な材料で構成されている。第３層２４Ｃは、電極の劣化を抑制するために透明なランタノイド系酸化物を用いることが好ましい。これにより、上面から光を取り出すことが可能な封止電極として用いることが可能となる。また、ボトムエミッション型の場合には、第３層２３Ｃの材料として金（Ａｕ），白金（Ｐｔ）またはＡｕＧｅ等が用いられる。
【００４３】
なお、第１層２４Ａ、第２層２４Ｂおよび第３層２４Ｃは、真空蒸着法、スパッタリング法、あるいはプラズマＣＶＤ法などの手法によって形成される。また、この発光素子を用いて構成される表示装置の駆動方式がアクティブマトリックス方式である場合、上部電極２４は、アノード電極２１の一部を覆う隔壁２２および有機層２３によって、アノード電極２１に対して絶縁された状態で基板１１上にベタ膜状で形成され、各画素に対して共通な電極として用いてもよい。
【００４４】
また、上部電極２４には、アルミキノリン錯体，スチリルアミン誘導体，フタロシアニン誘導体等の有機発光材料を含有した混合層でもよい。この場合には、さらに第３層２４Ｃ（図示なし）としてＭｇＡｇのような光透過性を有する層を別途有していてもよい。また、上部電極２４は上記のような積層構造に限定されることはなく、作製されるデバイスの構造に応じて最適な組み合わせ、積層構造を取ればよいことは言うまでもない。例えば、上記本実施の形態の上部電極２４の構成は、電極各層の機能分離、即ち有機層２３への電子注入を促進させる無機層（第１層２４Ａ）と、電極を司る無機層（第２層２４Ｂ）と、電極を保護する無機層（第３層２４Ｃ）とを分離した積層構造である。しかしながら、有機層２３への電子注入を促進させる無機層が、電極を司る無機層を兼ねてもよく、これらの層を単層構造としてもよい。
【００４５】
更に、この有機ＥＬ素子２０が、キャビティ構造となっている場合には、上部電極２４が半透過半反射材料を用いて構成されることが好ましい。これにより、アノード電極２１側の光反射面と、上部電極２４側の光反射面との間で多重干渉させた発光光が上部電極２４側から取り出される。この場合、アノード電極２１側の光反射面と上部電極２４側の光反射面との間の光学的距離は、取り出したい光の波長によって規定され、この光学的距離を満たすように各層の膜厚が設定されていることとする。このような上面発光型の発光素子においては、このキャビティ構造を積極的に用いることにより、外部への光取り出し効率の改善や発光スペクトルの制御を行うことが可能となる。
【００４６】
保護膜２５は、有機層２３への水分の浸入を防止するためのものであり、透過性および透水性の低い材料を用いて、例えば厚さ２〜３μｍで形成される。保護膜２５の材料としては、絶縁性材料または導電性材料のいずれにより構成されていてもよい。絶縁性材料としては、無機アモルファス性の絶縁性材料、例えばアモルファスシリコン（α−Ｓｉ），アモルファス炭化シリコン（α−ＳｉＣ），アモルファス窒化シリコン（α−Ｓｉ1-xＮx）、アモルファスカーボン（α−Ｃ）などが好ましい。このような無機アモルファス性の絶縁性材料は、グレインを構成しないため透水性が低く、良好な保護膜となる。
【００４７】
封止用基板２７は、有機ＥＬ素子２０の上部電極２３側に位置しており、接着層２６と共に有機ＥＬ素子２０を封止するものである。封止用基板２７は、有機ＥＬ素子２０で発生した光に対して透明なガラスなどの材料により構成されている。封止用基板２７には、例えば、カラーフィルタ２７Ａおよびブラックマトリクス２７Ｂが設けられており、有機ＥＬ素子２０で発生した光を取り出すと共に、各有機ＥＬ素子２０間の配線において反射された外光を吸収し、コントラストを改善するようになっている。
【００４８】
封止用基板２７上には、例えばカラーフィルタ２７Ａおよびブラックマトリクス２７Ｂが設けられている。カラーフィルタ２７Ａは、赤色フィルタ２７ＡＲ，緑色フィルタ２７ＡＧおよび青色フィルタ２７ＡＢを有しており、対応する有機ＥＬ素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ上に配置されている。赤色フィルタ２７ＡＲ，緑色フィルタ２７ＡＧおよび青色フィルタ２７ＡＢは、それぞれ例えば矩形形状で隙間なく形成されている。これら赤色フィルタ２７ＡＲ，緑色フィルタ２７ＡＧおよび青色フィルタ２７ＡＢは、顔料を混入した樹脂によりそれぞれ構成されており、顔料を選択することにより、目的とする赤，緑あるいは青の波長域における光透過率が高く、他の波長域における光透過率が低くなるように調整されている。
【００４９】
ブラックマトリクス２７Ｂは、例えば黒色の着色剤を混入した光学濃度が１以上の黒色の樹脂膜、または薄膜の干渉を利用した薄膜フィルタにより構成されている。このうち黒色の樹脂膜により構成するようにすれば、安価で容易に形成することができるので好ましい。薄膜フィルタは、例えば、金属，金属窒化物あるいは金属酸化物よりなる薄膜を１層以上積層し、薄膜の干渉を利用して光を減衰させるものである。薄膜フィルタとしては、具体的には、Ｃｒと酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ2Ｏ3）とを交互に積層したものが挙げられる。
【００５０】
また、有機層２３は、以上の方法に加えてスピンコート法，ディッピング法，ドクターブレード法，吐出コート法，スプレーコート法などの塗布法、インクジェット法，オフセット印刷法，凸版印刷法，凹版印刷法，スクリーン印刷法，マイクログラビアコート法などの印刷法などによる形成も可能であり、各有機層や各部材の性質に応じて、ドライプロセスとウエットプロセスを併用しても構わない。
【００５１】
この表示装置１は、例えば次のようにして製造することができる。
【００５２】
図８は、この表示装置１の製造方法の流れを表したものである。また、図９〜図１１は、表示装置１の製造方法を工程順に表したものである。まず、図９（Ａ）に示したように、画素領域２に上述した材料よりなる基板１１の上にＴＦＴ１０を含む画素駆動回路１４０を、額縁領域３（図１参照）に引き出し電極３１（図１参照）を形成する（ステップＳ１０１）。
【００５３】
続いて、ＴＦＴ１０の額縁領域３側、換言すると画素領域２と端子部４との間に下部遮光膜５Ａを形成する（ステップＳ１０２）。まず、図９（Ａ）に示したようにＴＦＴ１０の額縁領域２側の基板１１上に、エリアマスク４１を用いて例えば厚さ５００ｎｍのＳｉＯ2膜を、例えばスパッタリングまたはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition；化学気相成長）法により形成する。次に、図９（Ｂ）に示したように、フォトレジスト膜４２を例えばスピンコート法によりＴＦＴ１０およびＳｉＯ2膜上に塗布したのち、図９（Ｃ）に示したように、フォトマスク４３を用いて露光を行い、例えばパドル式現像装置にて現像を行う。続いて、図９（Ｄ）に示したようにフォトレジスト膜４２を加工したのち、例えばウェットエッチングまたはドライエッチングにより露出したＳｉＯ2膜を除去する。次に、残っているフォトレジスト膜４２を除去することで、例えばφ＝１０００ｎｍの円柱形状の凹部１７Ａ（図１０（Ａ））を形成する。続いて、次に、図１０（Ｂ）に示したように、エリアマスク４４を用い、画素領域２と端子部４との間（額縁領域３）に例えばＴｉＯ2膜を、例えばスパッタリングまたはＣＶＤ法により形成することにより、下部遮光膜５Ａの下面および平坦化膜１８と接する上面に凹凸を形成する。
【００５４】
（平坦化膜１８を形成する工程）
続いて、図１０（Ｃ）に示したように、ＴＦＴ１０上および一部の下部遮光膜５Ａ上に平坦化膜１８を形成したのち、有機ＥＬ素子２０および上部遮光膜５Ｂを形成する（ステップＳ１０３〜Ｓ１０５）。まず、ＴＦＴ１０上および一部の下部遮光膜５Ａ上に、ポジ型感光性の絶縁材料として、例えばポリイミドを例えばスピンコート法により塗布し、露光装置にて露光を行う。次に、例えばパドル式現像装置にて現像を行い所定の形状を有するポリイミド膜を形成したのち、例えばクリーンベーク炉にて熱硬化させてコンタクトホール１８Ａを有する厚さ２μｍの平坦化膜１８を形成する。
【００５５】
（下部電極２１を形成する工程）
次いで、平坦化膜１８上に例えばＡｌ合金よりなる導電膜をパターニングすることにより、下部電極２１を赤色有機ＥＬ素子２０Ｒ，緑色有機ＥＬ素子２０Ｇおよび青色有機ＥＬ素子２０Ｂの各々ごとに形成する。その際、下部電極２１を、平坦化膜１８のコンタクトホール１８Ａを介してトランジスタ１０のドレイン電極１６Ｂと導通させる。具体的には、例えば平坦化膜１８上にＡｌ合金を例えば２００ｎｍの膜厚で成膜したのち、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングして下部電極２１を形成する。
【００５６】
（隔壁２２を形成する工程）
続いて、下部電極２１および平坦化膜１８上に隔壁２２を形成する。具体的には、例えばスピンコート法によりポリイミドを塗布したのち、露光および現像を行い所定の形状にパターニングし隔壁２２を形成する。
【００５７】
（有機層２３および上部電極２４を形成する工程）
次に、上部電極２１上に上述した材料よりなる正孔注入層２３Ａ，正孔輸送層２３Ｂ，発光層２３Ｃ，電子輸送層２３Ｄおよび上部電極２４を順に形成する。具体的には、例えばＮ2雰囲気下において基板１１をベークしたのち、Ｏ2プラズマで処理し、例えば真空蒸着法を用いて有機層２３（正孔注入層２３Ａ，正孔輸送層２３Ｂ，発光層２３Ｃおよび電子輸送層２３Ｄ）および上部電極２４を順に形成する。なお、有機層２３および上部電極２４の形成方法としては、真空蒸着法の他に、例えばスピンコート法、スプレーコート法またはスリット印刷により形成してもよい。
【００５８】
上部電極２４を形成したのち、保護膜２５形成する。具体的には、まず保護膜２５を下地に対して影響を及ぼすことのない程度に、成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法、例えば蒸着法やＣＶＤ法により形成する。例えば、ＳｉＯ２からなる保護膜２５を形成する場合には、ＣＶＤ法によって例えば５μｍの膜厚に形成する。この際、有機層２３の劣化による輝度の低下を防止するため、成膜温度を常温に設定すると共に、保護膜２５の剥がれを防止するために膜のストレスが最小になる条件で成膜することが望ましい。
【００５９】
なお、下部電極２１と同一工程で補助電極（図示せず）を形成した場合、補助電極の上部にベタ膜で形成された有機層２３を、上部電極２４を形成する前にレーザアブレーションなどの手法によって除去してもよい。これにより上部電極２４を補助電極に直接接続させることが可能となり、接触性が向上する。
【００６０】
（上部遮光膜５Ｂを形成する工程）
保護膜２５を形成したのち、有機ＥＬ素子２０の側面および上面の一部に上部遮光膜５Ｂを形成する。具体的には、例えばスパッタリングまたはＣＶＤ法により、エリアマスク４５を用いて額縁領域３の間に、例えば厚さ１５００ｎｍＴｉＯ2膜を成膜する。次に、図１０（Ｄ）に示したように、保護膜２５およびＴｉＯ2膜上にスピンコート法によりフォトレジスト膜４６を塗布する。続いて、図１１（Ａ）に示したようにフォトマスク４７を用いて露光および現像を行い、図１１（Ｂ）に示したようにフォトレジスト膜４６を加工する。次に、図１１（Ｃ）に示したように、例えばウェットエッチングまたはドライエッチングにより露出したＴｉＯ2膜に凹部５ａを形成したのち、残っているフォトレジスト膜４６を除去し上部遮光膜５Ｂを形成する。これにより、ＴＦＴ１０の側面から有機ＥＬ素子２０の上面の一部にかけて被覆する遮光膜５が完成する。
【００６１】
上部遮光膜５Ｂを形成したのち、例えば、上述した材料よりなる封止用基板２７に、上述した材料よりなるブラックマトリクス２７Ｂを形成する。続いて、封止用基板２７に赤色フィルタ２７ＡＲの材料をスピンコートなどにより塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングして焼成することにより赤色フィルタ２７ＡＲを形成する。続いて、赤色フィルタ２７Ｒと同様にして、緑色フィルタ２７Ｇを順次形成する。こののち、保護膜２５，遮光膜５および基板１１上に接着層２６を形成し、この接着層２６を介して封止用基板２７を張り合わせる。
【００６２】
続いて、ドライバＩＣ３４等を有するＣＯＦ（Chip On Film）３３上に、例えばフィルム上に成形された異方性導電膜３２を配置し仮止めしたのち、額縁領域３の基板１１上に形成した引き出し電極３１とＣＯＦ３３との位置合わせを行う。この状態で異方性導電膜３２を介して、引き出し電極３１とＣＯＦ３３とを押し圧しながら加熱し、異方性導電膜３２に含まれる導電性微粒子によって引き出し電極３１とＣＯＦ３３の配線とを電気的に接続させると共に、基板１１の額縁領域に３にＣＯＦ３３を形成する。次に、ＴＦＴ１０および有機ＥＬ素子２０等を封止する接着層２６およびその上に設けられた封止用基板２７の側面からＣＯＦ３３の一部にかけて封止するように紫外線硬化性樹脂を塗布する。更に、引き出し電極３１および異方性導電膜３２端面を封止するように基板１１の裏面方向にも紫外線硬化性樹脂を塗布する。こののち、紫外線硬化性樹脂に１０００ｍＪ／ｃｍ2のＵＶ光（波長３６５ｎｍ）を照射することで硬化し、防湿補強材３５Ａ，３５Ｂを形成する。以上により図１，図３〜図５に示した表示装置１が完成する。
【００６３】
この表示装置１では、各画素に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。すなわち、この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これにより、赤色有機ＥＬ素子２０Ｒ，緑色有機ＥＬ素子２０Ｇ，青色有機ＥＬ素子２０Ｂに駆動電流Ｉｄが注入され、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、下面発光（ボトムエミッション）の場合には下部電極２１および基板１１を透過して、上面発光（トップエミッション）の場合には上部電極２４，封止基板２７に設けられたカラーフィルタ２７Ａを透過して取り出される。
【００６４】
前述したように、モバイルディスプレイ等の表示装置では狭額縁化が求められている。このため額縁領域に設けられた端子部と、画素領域に設けられた画素間との距離が非常に短くなっている。ＴＦＴおよび発光素子等の実装工程では、ＣＯＦの圧着後のＣＯＦの膜剥がれや水分の浸入による端子部の腐食を防止するために端子部に防湿補強材を設ける。この防湿補強材には、上述したように紫外線硬化性樹脂が用いられているため、その製造工程においてＵＶ光を照射する。このＵＶ光の照射の際、狭額縁化された表示装置では、硬化のために照射されたＵＶ光が防湿補強材を透過し、画素領域の周縁部に配置されたＴＦＴの半導体層に入射することでＴＦＴ特性が低下するという問題があった。
【００６５】
図１２は従来の表示装置１００における画素領域１０２の周縁部に配置されたＴＦＴへのＵＶ照射前および照射後における電流電圧特性を表したものである。図１２から照射後の閾値電圧（Ｖｔｈ）がＵＶ照射前よりも負（−）の方向にシフトしていることがわかる。これにより、表示装置１００では画素領域１０２の周縁部分のＴＦＴ特性が低下し、図１３に示したように画素領域１０２の周縁部分の輝度が低下した輝度落ち領域１０２Ａが形成され、輝度むらが生じるという問題があった。
【００６６】
これに対して本実施の形態の表示装置１では、ＴＦＴ１０および有機ＥＬ素子２０の側面、並びに上面の一部にＴｉＯ2（図３（Ｂ））等からなる遮光膜５を設けるようにした。図１４は、本実施の形態における表示装置１の画素領域２の周縁部分のＴＦＴ１０へのＵＶ照射前および照射後における電流電圧特性を表したものである。図１４からＵＶ照射前後における閾値電圧（Ｖｔｈ）のシフトが発生していないことがわかる。このように、防湿補強材３５Ａ，３５Ｂを形成する際等にＴＦＴ１０に対して斜め方向に照射されるＵＶ光のＴＦＴ１０への入射が抑制され、ＴＦＴ特性の低下が抑制される。
【００６７】
以上のように、本実施の形態の表示装置１およびその製造方法では、ＴＦＴ１０および有機ＥＬ素子２０を形成したのち、ＴＦＴ１０の端面等を覆う遮光膜５を形成するようにしたので、ＴＦＴ１０に対して斜め方向、特に額縁領域３側から入射するＵＶ光を効果的に遮光することが可能となる。これにより、ＴＦＴ特性の低下が抑制され、画素領域２における輝度むらの発生が低減される。即ち、輝度むらの少ない高品質な表示装置を提供することが可能となる。
【００６８】
また、本実施の形態では、遮光膜５の表面に凹部５ａを設けるようにしたので、斜め方向から入射するＵＶ光をより効果的に遮光することが可能となる。更に、遮光膜５の凹凸によってＵＶ光が額縁領域３側、即ち防湿補強材３５Ａ，３５Ｂ側へ反射されるため、より少ないＵＶ光の照射により防湿補強材３５Ａ，３５Ｂを構成する紫外線硬化性樹脂を硬化することができる。
【００６９】
上記表示装置１は、例えば次の適用例１〜６に示した電子機器に搭載することができる。
【００７０】
（モジュールおよび適用例）
以下、上記実施の形態で説明した表示装置１の適用例について説明する。上記実施の形態の表示装置１は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
【００７１】
（モジュール）
上記実施の形態等の表示装置１は、例えば、図１５に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板１１の一辺に、保護膜２０および封止用基板３０から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。
【００７２】
（適用例１）
図１６は、上記実施の形態の表示装置１が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記実施の形態に係る表示装置１により構成されている。
【００７３】
（適用例２）
図１７は、上記実施の形態の表示装置１が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記実施の形態に係る表示装置１により構成されている。
【００７４】
（適用例３）
図１８は、上記実施の形態の表示装置１が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記実施の形態に係る表示装置１により構成されている。
【００７５】
（適用例４）
図１９は、上記実施の形態の表示装置１が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記実施の形態に係る表示装置１により構成されている。
【００７６】
（適用例５）
図２０は、上記実施の形態の表示装置１が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記実施の形態に係る表示装置１により構成されている。
【００７７】
以上、一実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、発光層２３Ｃとして各画素に対応した赤色発光層、緑色発光層、青色発光層をそれぞれ設けるようにしたが、これに限らず、各発光層を積層して白色の有機ＥＬ素子としてもよい。その際には、赤色発光層および緑色発光層の２層を黄色発光層に置き換えてもよい。
【００７８】
また、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件等は限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。例えば、上記実施の形態では、ＴＦＴ１０におけるチャネルとして酸化物導電体を用いたが、これに限らず、シリコンまたは有機半導体等を用いてもよい。
【００７９】
更に、上記実施の形態では、有機ＥＬ素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ等の構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。例えば、正孔注入層２３Ａ上に正孔輸送層２３Ｂを形成せず、直接発光層１３Ｃを形成してもよく、電子輸送層２３Ｄ上に電子注入層を設けてもよい。
【００８０】
更にまた、上記実施の形態では、アクティブマトリクス型の表示装置の場合について説明したが、本発明はパッシブマトリクス型の表示装置への適用も可能である。更にまた、アクティブマトリクス駆動のための画素駆動回路の構成は、上記実施の形態で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加してもよい。その場合、画素駆動回路の変更に応じて、上述した信号線駆動回路１２０や走査線駆動回路１３０のほかに、必要な駆動回路を追加してもよい。
【００８１】
なお、本技術は以下のような構成もとることができる。
（１）活性層が酸化物導電体よりなる薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に設けられた発光素子と、前記薄膜トランジスタおよび発光素子の各端面、並びに前記発光素子の上面の一部を覆う遮光膜とを備えた表示装置。
（２）前記遮光膜は表面に凹凸を有する、前記（１）に記載の表示装置。
（３）前記遮光膜は紫外線散乱能および紫外線吸収能を有する、前記（１）または（２）に記載の表示装置。
（４）前記遮光膜は酸化チタン（ＴｉＯ2）および酸化亜鉛（ＺｎＯ）の少なくとも一方を含む、前記（１）乃至（３）のいずれか１つに記載の表示装置。
（５）前記薄膜トランジスタおよび発光素子を含む画素領域の周辺に設けられた額縁領域の周縁には端子部が形成されている、前記（１）乃至（４）のいずれか１つに記載の表示装置。
（６）基板上の画素領域に活性層が酸化物導電体からなる薄膜トランジスタを形成する工程と、前記薄膜トランジスタ上に発光素子を形成する工程と、少なくとも前記薄膜トランジスタおよび発光素子の端面および前記発光素子の上面の一部を覆う遮光膜を形成する工程とを含む表示装置の製造方法。
（７）前記薄膜トランジスタを形成したのち、前記基板上の前記薄膜トランジスタと前記端子部との間に凸部を設けることにより前記遮光膜の下面に凹凸を形成する、前記（６）に記載の表示装置の製造方法。
（８）前記遮光膜を形成したのち、前記遮光膜の上面に凹凸を形成する、前記（６）または（７）に記載の表示装置の製造方法。
【００８２】
１…表示装置、２…画素領域、３…額縁領域、４…端子部、５…遮光膜、５Ａ…下部遮光膜、５Ｂ…上部遮光膜、１０…ＴＦＴ、２０…有機ＥＬ素子。
【技術分野】
【０００１】
本開示は、活性層が酸化物導電体よりなる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）を備えた表示装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＴＦＴは液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置等の基盤技術として広く応用されている。ＴＦＴの活性層となる半導体層には、一般的にはアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）またはポリシリコンが用いられているが、近年では、スパッタ法等の安価な装置で形成することが可能な金属酸化物等の酸化物導電体が半導体層に用いられている。但し、酸化物導電体を用いた半導体層は、光（特に４２０ｎｍ以下の紫外光）が照射されると光誘起によってＴＦＴ特性が変化、具体的には閾値電圧（Ｖｔｈ）が負（−）方向にシフトするという問題があった。
【０００３】
この問題を解決するために、例えば特許文献１では基板の裏面に遮光膜を有するＴＦＴが開示されている。また、例えば特許文献２では、ゲート電極と活性層との間に光吸収層を設けたボトムゲート型のＴＦＴが、特許文献３では、基材（基板）にバンドギャップエネルギーよりも波長の短い光の透過率が１０％以下の材料を用いたＴＦＴがそれぞれ開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１１５９０２号公報
【特許文献２】特開２００９−２２４３５４号公報
【特許文献３】特開２００７−１５０１５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１〜３に開示された方法では、基板裏面方向から活性層への入射光は遮光されるが、基板側面方向から照射された光に対しては十分な遮光効果は得らない。近年、表示装置、特にモバイルディスプレイでは狭額縁化が求められており周辺領域（額縁領域）に設けられた端子部と、表示領域（画素領域）に設けられた画素間との距離が非常に短くなる。このため額縁領域側、即ち、斜め方向から照射された光がＴＦＴの半導体層（酸化物導電体層）に入射し、これによりＴＦＴの特性が低下するという問題があった。
【０００６】
本技術はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、活性層となる酸化物導電体層への光の入射を防ぎ、ＴＦＴ特性の低下を抑制することが可能な表示装置およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本技術の表示装置は、活性層が酸化物導電体よりなる薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタ上に設けられた発光素子と、薄膜トランジスタおよび発光素子の各端面、並びに発光素子の上面の一部を覆う遮光膜とを備えたものである。
【０００８】
本技術の表示装置の製造方法は、以下の（Ａ）〜（Ｃ）の工程を含むものである。
（Ａ）基板上の画素部に活性層が酸化物導電体からなる薄膜トランジスタを形成する工程
（Ｂ）薄膜トランジスタ上に発光素子を形成する工程
（Ｃ）少なくとも前記薄膜トランジスタおよび発光素子の端面および発光素子の上面の一部を覆う遮光膜を形成する工程
【０００９】
本技術の表示装置およびその製造方法では、薄膜トランジスタおよび発光素子を形成したのち、薄膜トランジスタおよび発光素子の側面および上面の一部を遮光膜で覆うことにより、斜め方向、特に額縁領域から薄膜トランジスタへの入射光が遮光される。
【発明の効果】
【００１０】
本技術の表示装置およびその製造方法によれば、薄膜トランジスタおよび発光素子の側面および上面の一部を遮光膜で覆うようにしたので、薄膜トランジスタへの斜め方向、特に額縁領域からの入射光が遮光され、薄膜トランジスタの特性の低下を抑制することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本開示の一実施の形態に係る表示装置の構成の一例を表す断面図である。
【図２】図１に示した表示装置の平面図である。
【図３】各材料における紫外線（ＵＶ）透過率を表す特性図である。
【図４】ＵＶ照射量と閾値との関係を表す特性図である。
【図５】図１に示した表示装置のブロック図である。
【図６】図５に示した表示装置の画素駆動回路の一例を表す図である。
【図７】図１に示した表示装置の一部の断面図である。
【図８】図１に示した表示装置の製造方法の流れを表す図である。
【図９】図８に示した製造方法を工程順に表す断面図である。
【図１０】図９に続く工程を表す断面図である。
【図１１】図１０に続く工程を表す断面図である。
【図１２】比較例におけるＴＦＴの特性図である。
【図１３】比較例に係る表示装置の模式図である。
【図１４】本開示の表示装置におけるＴＦＴの特性図である。
【図１５】（Ａ）は適用例１の裏側から見た外観を表す斜視図、（Ｂ）は表側から見た外観を表す斜視図である。
【図１６】適用例２の外観を表す斜視図である。
【図１７】（Ａ）は適用例３の表側から見た外観を表す斜視図、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図１８】適用例４の外観を表す斜視図である。
【図１９】適用例５の外観を表す斜視図である。
【図２０】（Ａ）は適用例６の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側断面、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本開示の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態
１−１．全体構成
１−２．ＴＦＴおよび発光素子の構成
１−３．製造方法
２．適用例
【００１３】
１．実施の形態
（１−１．全体構成）
図１は本開示の一実施の形態に係る表示装置１の一部の断面構成を表したものである。この表示装置１は、基板１１上画素領域２に、複数の画素（図示せず）がマトリクス状（格子状）に配置されている。複数の画素は、例えば赤色画素Ｒ，緑色画素Ｇ，青色画素Ｂであり、それぞれ色ごとにライン状に配置されている。これら各画素（Ｒ，Ｇ，Ｂ）にはそれぞれ対応する色を発する有機ＥＬ素子２０（発光素子）が設けられている。この有機ＥＬ素子２０は、それぞれ素子駆動用の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１０上に形成されている。なお、ここでは赤色画素Ｒ，緑色画素Ｇおよび青色画素Ｂの組み合わせが一つの表示画素（ピクセル）を構成している。画素領域２の周囲には額縁領域３が設けられており、この額縁領域３の周縁部には、端子部４が設けられている。
【００１４】
本実施の形態の表示装置１では、図１および図２（Ａ）に示したように額縁領域３（画素領域２と端子部４との間）に遮光膜５が設けられている。この遮光膜５は、光、特に４２０ｎｍ以下の波長を有する光（紫外光）を散乱または吸収することで遮光機能を有する材料により構成されている。遮光膜５は、画素領域２に設けられたＴＦＴ１０および有機ＥＬ素子２０の側面と有機ＥＬ素子２０の上面の一部とを覆うように形成されている。これにより、後述する表示装置１の製造工程における端子部４に防湿補強材３５Ａ，３５Ｂを設ける際に照射される紫外（ＵＶ）光のＴＦＴ１０への入射が抑制されるようになっている。本実施の形態では、遮光膜５（５Ａ，５Ｂ；図１０参照）はＴＦＴ１０および有機ＥＬ素子２０の側面と有機ＥＬ素子２０の上面の一部に加えて、ＴＦＴ１０の端部よりもはみ出して形成された有機ＥＬ素子２０を構成する層上にも設けられ、有機ＥＬ素子２０を挟み込むように形成されている。但しこれに限らず、例えば、遮光膜５は少なくとも有機ＥＬ素子２０の上面の一部からその側面、更に有機ＥＬ素子２０側面から基板１１に達する延長線上に設けられていれば、上述したＵＶ光のＴＦＴ１０への入射は抑制される。
【００１５】
また、図２（Ｂ）に示したように、本実施の形態では遮光膜５の表面（基板１１上および有機ＥＬ素子２０の上面，図１参照）に１以上の凹部５ａが設けられている。この凹部５ａを設けることにより、遮光膜５を構成する材料の特性によるＵＶ光の遮光機能に加えて、形状（凹部５ａ）による反射機能が追加され、ＴＦＴ１０に対して斜め方向から入射するＵＶ光がより確実に遮光されるようになっている。遮光膜５を構成する具体的な材料としては、酸化チタン（ＴｉＯ2）または酸化亜鉛（ＺｎＯ）が挙げられるが、上述したようにＵＶ光を遮光する機能を有していればこれに限らない。また、遮光膜５は遮光機能を有する材料以外の材料を含んでいても構わない。
【００１６】
遮光膜５の膜厚は３８０ｎｍ以上とすることが好ましい。例えば、図３に示したように、ＴｉＯ2（図３（Ｂ））はＩＴＯ（図３（Ａ））およびシリカ（図３（Ｃ））と比較して、紫外領域の光を遮光する機能を有する。具体的には、膜厚５００ｎｍで９０％のＵＶ遮光能を有する。上述した防湿補強材を硬化する際に照射するＵＶ照射量は一般的に１０００ｍＪ／ｃｍ2程度であるため、膜厚５００ｎｍのＴｉＯ2膜で遮光した際には１０％（１００ｍＪ／ｃｍ2）程度のＵＶ光が透過する。図４はＵＶ照射量と、ＵＶ照射前後におけるＴＦＴ１０の閾値（Ｖｔｈ）の変化量（ΔＶｔｈ）との関係を表したものである。この図４から、１００ｍＪ／ｃｍ2のＵＶ光が照射された際の閾値（Ｖｔｈ）は０．１Ｖ程度シフトすることがわかる。一般的に、ＴＦＴの許容可能なΔＶｔｈは０．２Ｖ以下である。ΔＶｔｈが０．２ＶとなるＵＶ照射量は、図４から１７５ｍＪ／ｃｍ2であることがわかる。一方、ＵＶ入射光の強さをＬ0とした場合の透過光の強度Ｌは、単位長さ（膜厚）当たりの透過率をηとすると、Ｌ（ｔ）＝Ｌ0×ηtの関係がある。入射光の強さＬ0を、防湿補強材３５Ａ，３５Ｂを硬化する際に照射するＵＶ照射量（１０００ｍＪ／ｃｍ2）とし、単位長さ（膜厚）当たりの透過率ηを、膜厚５００ｎｍにおける透過率、η＝１０％＝０．１とする。また、透過光の強度Ｌ（ｔ）をＴＦＴの許容可能なΔＶｔｈ（０．２Ｖ）とした場合、１７５＝１０００×０．１(t/500)となり、ｔ＝３７８．５ｎｍとなる。即ち、ＴＦＴ１０へのＵＶ光の入射を効果的に抑制するための遮光膜５の膜厚は、３７８．５ｎｍ以上であることが好ましく、より好ましくは３８０ｎｍ以上であることがわかる。
【００１７】
（１−２．表示装置の全体構成）
次に、表示装置１の断面構成について説明する。図５は、本実施の形態の表示装置１のブロック構成を表したものである。この表示装置１は、例えば有機ＥＬテレビジョン装置などとして用いられるものであり、上述したように、基板１１の上に、複数の有機ＥＬ素子２０（２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ）がマトリクス状に配置された画素領域２が形成されており、画素領域２を囲うように額縁領域３が配置されている。額縁領域３には、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が設けられている。
【００１８】
画素領域２内には画素駆動回路１４０が設けられている。図６は、画素駆動回路１４０の一例を表したものである。画素駆動回路１４０は、後述する下部電極２１の下層に形成されたアクティブ型の駆動回路である。すなわち、この画素駆動回路１４０は、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、これらトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓと、第１電源ライン（Ｖｃｃ）および第２電源ライン（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された赤色有機ＥＬ素子２０Ｒ（または緑色有機ＥＬ素子２０Ｇ，青色有機ＥＬ素子２０Ｂ）とを有する。駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、一般的なＴＦＴにより構成され、その構成は、例えば逆スタガ構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガ構造（トップゲート型）でもよく特に限定されない。
【００１９】
画素駆動回路１４０において、列方向には信号線１２０Ａが複数配置され、行方向には走査線１３０Ａが複数配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの交差点が、赤色有機ＥＬ素子２０Ｒ，緑色有機ＥＬ素子２０Ｇ，青色有機ＥＬ素子２０Ｂのいずれか一つに対応している。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。
【００２０】
図７は、表示装置１の一部の断面構成を表したものである。表示装置１は、基板１１上に、例えばアクティブマトリックス方式により駆動するＴＦＴ１０が設けられ、このＴＦＴ１０上には、画素（Ｒ，Ｇ，Ｂ）に対応する発光層２３Ｃを有する有機ＥＬ素子２０（２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ）が設けられている。
【００２１】
（ＴＦＴ）
ＴＦＴ１０は、いわゆるボトムゲート型のＴＦＴであり、チャネル（活性層）に、例えば酸化物半導体を用いたものである。このＴＦＴ１０では、ガラス等よりなる基板１１上に、ゲート電極１２、ゲート絶縁膜１３、酸化物半導体層１４、チャネル保護膜１５およびソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂがこの順に形成されている。ソース電極１６Ａおよびドレイン電極１６Ｂ上には、基板１１の全面に渡ってＴＦＴ１０の凹凸を平坦化させるための平坦化膜１８が形成されている。
【００２２】
ゲート電極１２は、ＴＦＴ１０に印加されるゲート電圧によって酸化物半導体層１４中のキャリア密度（ここでは、電子密度）を制御する役割を果たすものである。このゲート電極１２は、例えばモリブデン（Ｍｏ），アルミニウム（Ａｌ）およびアルミニウム合金等のうちの１種よりなる単層膜、または２種以上よりなる積層膜により構成されている。なお、アルミニウム合金としては、例えばアルミニウム−ネオジム合金が挙げられる。
【００２３】
ゲート絶縁膜１３は、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、シリコン窒化酸化物（ＳｉＯＮ）および酸化ハフニウム（ＨｆＯ）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化タンタル（ＴａＯ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ）等あるいはこれらの酸窒化物のうちの１種よりなる単層膜である。また、これらのうちの２種以上よりなる積層膜としてもよい。これにより、酸化物半導体層１４との界面特性を改善したり、基板１１に含まれる不純物が酸化物半導体層１４へ拡散することを防ぐことができる。ゲート絶縁膜１３の膜厚は、例えば２００ｎｍ〜３００ｎｍである。
【００２４】
酸化物半導体層１４は、例えばインジウム（Ｉｎ），ガリウム（Ｇａ），亜鉛（Ｚｎ），スズ（Ｓｎ），Ｔｉのうちの少なくとも１種の酸化物を主成分として含んでいる。この酸化物半導体層１４は、ゲート電圧の印加によりソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂ間にチャネルを形成するものである。この酸化物半導体層２４の膜厚は、例えば５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【００２５】
チャネル保護膜１５は、酸化物半導体層１４上に形成され、ソース・ドレイン電極２６Ａ，２６Ｂ形成時におけるチャネルの損傷を防止するものである。チャネル保護膜２５の厚みは、例えば２０〜３００ｎｍである。また、チャネル保護膜１５の材料は、ゲート絶縁膜１３と同様の材料を用いることができる。
【００２６】
ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂは、例えばＭｏ，Ａｌ，銅（Ｃｕ）およびＴｉ等の金属あるいはこれらの合金、またはＩＴＯおよびＴｉＯ等の導電体のうち１種よりなる単層膜またはこれらのうちの２種以上よりなる積層膜である。例えば、Ｍｏ，Ａｌ，Ｍｏの順に、５０ｎｍ，５００ｎｍ，５０ｎｍの膜厚で積層した３層膜や、ＩＴＯおよび酸化チタン等の酸素を含む金属化合物のような酸素との結びつきの弱い金属または金属化合物を用いることが望ましい。これにより、酸化物半導体の電気特性を安定して保持することができる。
【００２７】
平坦化膜１８は、例えばＡｌ2Ｏ3，ＴｉＯ2あるいはこれらの窒化物等の無機絶縁材料が用いられる。この平坦化膜１８の厚みは、例えば２０ｎｍ〜２００ｎｍであり、好ましくは５０ｎｍ以下である。平坦化膜１８はその膜密度を３．０ｇ／ｃｍ3以上とすることにより、酸素および水素に対する高いバリア性能を有する。平坦化膜１８上には、有機ＥＬ素子２０の下部電極２１が形成されている。
【００２８】
（有機ＥＬ素子）
有機ＥＬ素子２０は、下部電極２１（アノード電極）から注入された正孔と上部電極２４（カソード電極）から注入された電子が発光層２３Ｃ内で再結合する際に生じた発光光を基板１１と反対側（カソード電極側）から光を取り出す上面発光型（トップエミッション型）の発光素子である。上面発光型の有機ＥＬ素子２０を用いることにより表示装置の発光部の開口率が向上する。なお、本発明の有機ＥＬ素子２０は、このような構成に限定されることはなく、例えば基板１１側から光を取り出す透過型、即ち下面発光型（ボトムエミッション型）の発光素子としてもよい。
【００２９】
有機ＥＬ素子２０では、平坦化膜１８上に、例えば表示装置１が上面発光型である場合には、高反射性材料、例えば、Ａｌ，Ｔｉ，Ｃｒ等からなる下部電極１２が形成されている。また、表示装置１が透過型である場合には、透明材料、例えばＩＴＯ，ＩＺＯ，ＩＧＺＯ等が用いられる。
【００３０】
ここで、下部電極２１上および平坦化膜１８上には、下部電極２１と、後述する上部電極２４との絶縁性を確保する隔壁２２が設けられている。この隔壁２２は、ＴＦＴ２０のゲート・ソース電極１６Ａ，１６Ｂと下部電極２１との接続部上に設けられている。隔壁２２は、例えばポリイミドまたはノボラック等の有機材料、具体的にはポジ型感光性ポリイミドなどの感光性樹脂により形成されており、プラズマ処理することにより、撥液性が付加される。
【００３１】
有機層２３は、例えば、図７に示したように、下部電極１３側から順に、正孔注入層２３Ａ，正孔輸送層２３Ｂ，発光層２３Ｃおよび電子輸送層２３Ｄを積層した構成を有する。有機層２３は、詳細は後述するが、例えば真空蒸着法やスピンコート法等によって形成される。この有機層２３の上面は上部電極２３によって被覆されている。有機層２３を構成する各層の膜厚および構成材料等は特に限定されないが、一例を以下に示す。
【００３２】
正孔注入層２３Ａは、発光層２３Ｃへの正孔注入効率を高めると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔注入層２３Ａの厚みは例えば５ｎｍ〜２００ｎｍであることが好ましく、さらに好ましくは８ｎｍ〜２３０ｎｍである。正孔注入層１６Ａの構成材料は、電極や隣接する層の材料との関係で適宜選択すればよく、例えばポリアニリン，ポリチオフェン，ポリピロール，ポリフェニレンビニレン，ポリチエニレンビニレン，ポリキノリン，ポリキノキサリンおよびそれらの誘導体、芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体などの導電性高分子，金属フタロシアニン（銅フタロシアニン等），カーボンなどが挙げられる。導電性高分子の具体例としてはオリゴアニリンおよびポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）などのポリジオキシチオフェンが挙げられる。
【００３３】
正孔輸送層２３Ｂは、発光層２３Ｃへの正孔輸送効率を高めるためのものである。正孔輸送層２３Ｂの厚みは、素子の全体構成にもよるが、例えば５ｎｍ〜２００ｎｍであることが好ましく、さらに好ましくは８ｎｍ〜２３０ｎｍである。正孔輸送層２３Ｂを構成する材料としては、有機溶媒に可溶な発光材料、例えば、ポリビニルカルバゾール，ポリフルオレン，ポリアニリン，ポリシランまたはそれらの誘導体、側鎖または主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体，ポリチオフェンおよびその誘導体，ポリピロールまたはＡｌｑ３などを用いることができる。
【００３４】
発光層２３Ｃでは、電界がかかると電子と正孔との再結合が起こり発光する。発光層２３Ｃの厚みは、素子の全体構成にもよるが、例えば１０ｎｍ〜２００ｎｍであることが好ましく、さらに好ましくは２０ｎｍ〜２３０ｎｍである。発光層２３Ｃは、それぞれ単層あるいは積層構造であってもよい。具体的には、本実施の形態の有機ＥＬ素子２０のように、正孔輸送層２３Ｂ上に赤色，緑色，青色の発光層２３ＣＲ，２３ＣＧ，２３ＣＢが単層設けられている以外に、例えば、青色発光層を各有機ＥＬ素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの共通層としてもよい。この場合、赤色有機ＥＬ素子２０Ｒには赤色発光層２３ＣＲ上に青色発光層２３ＣＢが積層され、緑色有機ＥＬ素子２０Ｇには緑色発光層２３ＣＧ上に青色発光層２３ＣＢが積層されている。また、ここには示していないが、赤色発光層２３ＣＲ，緑色発光層２３ＣＧおよび青色発光層２３ＣＢを積層してもよく、これらを積層することにより白色有機ＥＬ素子が形成される。
【００３５】
発光層２３Ｃを構成する材料は、それぞれの発光色に応じた材料を用いればよく、例えばポリフルオレン系高分子誘導体や、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体，ポリフェニレン誘導体，ポリビニルカルバゾール誘導体，ポリチオフェン誘導体，ペリレン系色素，クマリン系色素，ローダミン系色素，あるいは上記高分子に有機ＥＬ材料をドープしたものが挙げられる。ドープ材料としては、例えばルブレン，ペリレン，９，１０−ジフェニルアントラセン，テトラフェニルブタジエン，ナイルレッド，クマリン６等を用いることができる。なお、発光層２３Ｃを構成する材料は、上記材料を２種類以上混合して用いてもよい。また、上記高分子量の材料に限らず、低分子量の材料を組み合わせて用いてもよい。低分子材料の例としては、ベンジン，スチリルアミン，トリフェニルアミン，ポルフィリン，トリフェニレン，アザトリフェニレン，テトラシアノキノジメタン，トリアゾール，イミダゾール，オキサジアゾール，ポリアリールアルカン，フェニレンジアミン，アリールアミン，オキザゾール，アントラセン，フルオレノン，ヒドラゾン，スチルベンあるいはこれらの誘導体、または、ポリシラン系化合物，ビニルカルバゾール系化合物，チオフェン系化合物あるいはアニリン系化合物等の複素環式共役系のモノマーあるいはオリゴマーが挙げられる。
【００３６】
発光層２３Ｃを構成する材料としては、上記材料の他に発光性ゲスト材料として、発光効率が高い材料、例えば、低分子蛍光材料、りん光色素あるいは金属錯体等の有機発光材料を用いることができる。
【００３７】
なお、発光層２３Ｃは、例えば上述した正孔輸送層２３Ｂを兼ねた正孔輸送性の発光層としてもよく、また、後述する電子輸送層２３Ｄを兼ねた電子輸送性の発光層としてもよい。
【００３８】
電子輸送層２３Ｄは、発光層２３Ｃへの電子輸送効率を高めるためのものである。電子輸送層２３Ｄの総膜厚は素子の全体構成にもよるが、例えば５ｎｍ〜２００ｎｍであることが好ましく、より好ましくは１０ｎｍ〜１８０ｎｍである。
【００３９】
電子輸送層２３Ｄの材料としては、優れた電子輸送能を有する有機材料を用いることが好ましい。発光層２３Ｃへの電子の輸送効率を高めることにより、電界強度による発光色の変化が抑制される。具体的には、例えばアリールピリジン誘導体およびベンゾイミダゾール誘導体などを用いることが好ましい。これにより、低い駆動電圧でも高い電子の供給効率が維持される。電子注入層２３Ｅの材料としては、アルカリ金属，アルカリ土類金属，希土類金属およびその酸化物，複合酸化物，フッ化物，炭酸塩等が挙げられる。
【００４０】
上部電極２４は、例えば、厚みが１０ｎｍ程度であり、光透過性が良好で仕事関数が小さい材料により構成されている。また、酸化物を用いて透明導電膜を形成することによっても光取り出しを担保することができる。この場合には、ＺｎＯ，ＩＴＯ，ＩＺｎＯ，ＩｎＳｎＺｎＯ等を用いる事が可能である。更に、上部電極２４は単層でもよいが、ここでは例えばアノード電極２４側から順に第１層２４Ａ、第２層２４Ｂ、第3層２４Ｃと積層した構造となっている。
【００４１】
第１層２４Ａは、仕事関数が小さく、且つ、光透過性の良好な材料により形成されることが好ましい。具体的には、例えばカルシウム（Ｃａ），バリウム（Ｂａ）等のアルカリ土類金属、リチウム（Ｌｉ），セシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、インジウム（Ｉｎ），マグネシウム（Ｍｇ），銀（Ａｇ）が挙げられる。更に、Ｌｉ2Ｏ，Ｃｓ2Ｃｏ3，Ｃｓ2ＳＯ4，ＭｇＦ，ＬｉＦやＣａＦ2等のアルカリ金属酸化物，アルカリ金属フッ化物，アルカリ土類金属酸化物，アルカリ土類フッ化物が挙げられる。
【００４２】
第２層２４Ｂは、薄膜のＭｇＡｇ電極やＣａ電極などの光透過性を有し、且つ、導電性が良好な材料で構成されている。第３層２４Ｃは、電極の劣化を抑制するために透明なランタノイド系酸化物を用いることが好ましい。これにより、上面から光を取り出すことが可能な封止電極として用いることが可能となる。また、ボトムエミッション型の場合には、第３層２３Ｃの材料として金（Ａｕ），白金（Ｐｔ）またはＡｕＧｅ等が用いられる。
【００４３】
なお、第１層２４Ａ、第２層２４Ｂおよび第３層２４Ｃは、真空蒸着法、スパッタリング法、あるいはプラズマＣＶＤ法などの手法によって形成される。また、この発光素子を用いて構成される表示装置の駆動方式がアクティブマトリックス方式である場合、上部電極２４は、アノード電極２１の一部を覆う隔壁２２および有機層２３によって、アノード電極２１に対して絶縁された状態で基板１１上にベタ膜状で形成され、各画素に対して共通な電極として用いてもよい。
【００４４】
また、上部電極２４には、アルミキノリン錯体，スチリルアミン誘導体，フタロシアニン誘導体等の有機発光材料を含有した混合層でもよい。この場合には、さらに第３層２４Ｃ（図示なし）としてＭｇＡｇのような光透過性を有する層を別途有していてもよい。また、上部電極２４は上記のような積層構造に限定されることはなく、作製されるデバイスの構造に応じて最適な組み合わせ、積層構造を取ればよいことは言うまでもない。例えば、上記本実施の形態の上部電極２４の構成は、電極各層の機能分離、即ち有機層２３への電子注入を促進させる無機層（第１層２４Ａ）と、電極を司る無機層（第２層２４Ｂ）と、電極を保護する無機層（第３層２４Ｃ）とを分離した積層構造である。しかしながら、有機層２３への電子注入を促進させる無機層が、電極を司る無機層を兼ねてもよく、これらの層を単層構造としてもよい。
【００４５】
更に、この有機ＥＬ素子２０が、キャビティ構造となっている場合には、上部電極２４が半透過半反射材料を用いて構成されることが好ましい。これにより、アノード電極２１側の光反射面と、上部電極２４側の光反射面との間で多重干渉させた発光光が上部電極２４側から取り出される。この場合、アノード電極２１側の光反射面と上部電極２４側の光反射面との間の光学的距離は、取り出したい光の波長によって規定され、この光学的距離を満たすように各層の膜厚が設定されていることとする。このような上面発光型の発光素子においては、このキャビティ構造を積極的に用いることにより、外部への光取り出し効率の改善や発光スペクトルの制御を行うことが可能となる。
【００４６】
保護膜２５は、有機層２３への水分の浸入を防止するためのものであり、透過性および透水性の低い材料を用いて、例えば厚さ２〜３μｍで形成される。保護膜２５の材料としては、絶縁性材料または導電性材料のいずれにより構成されていてもよい。絶縁性材料としては、無機アモルファス性の絶縁性材料、例えばアモルファスシリコン（α−Ｓｉ），アモルファス炭化シリコン（α−ＳｉＣ），アモルファス窒化シリコン（α−Ｓｉ1-xＮx）、アモルファスカーボン（α−Ｃ）などが好ましい。このような無機アモルファス性の絶縁性材料は、グレインを構成しないため透水性が低く、良好な保護膜となる。
【００４７】
封止用基板２７は、有機ＥＬ素子２０の上部電極２３側に位置しており、接着層２６と共に有機ＥＬ素子２０を封止するものである。封止用基板２７は、有機ＥＬ素子２０で発生した光に対して透明なガラスなどの材料により構成されている。封止用基板２７には、例えば、カラーフィルタ２７Ａおよびブラックマトリクス２７Ｂが設けられており、有機ＥＬ素子２０で発生した光を取り出すと共に、各有機ＥＬ素子２０間の配線において反射された外光を吸収し、コントラストを改善するようになっている。
【００４８】
封止用基板２７上には、例えばカラーフィルタ２７Ａおよびブラックマトリクス２７Ｂが設けられている。カラーフィルタ２７Ａは、赤色フィルタ２７ＡＲ，緑色フィルタ２７ＡＧおよび青色フィルタ２７ＡＢを有しており、対応する有機ＥＬ素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ上に配置されている。赤色フィルタ２７ＡＲ，緑色フィルタ２７ＡＧおよび青色フィルタ２７ＡＢは、それぞれ例えば矩形形状で隙間なく形成されている。これら赤色フィルタ２７ＡＲ，緑色フィルタ２７ＡＧおよび青色フィルタ２７ＡＢは、顔料を混入した樹脂によりそれぞれ構成されており、顔料を選択することにより、目的とする赤，緑あるいは青の波長域における光透過率が高く、他の波長域における光透過率が低くなるように調整されている。
【００４９】
ブラックマトリクス２７Ｂは、例えば黒色の着色剤を混入した光学濃度が１以上の黒色の樹脂膜、または薄膜の干渉を利用した薄膜フィルタにより構成されている。このうち黒色の樹脂膜により構成するようにすれば、安価で容易に形成することができるので好ましい。薄膜フィルタは、例えば、金属，金属窒化物あるいは金属酸化物よりなる薄膜を１層以上積層し、薄膜の干渉を利用して光を減衰させるものである。薄膜フィルタとしては、具体的には、Ｃｒと酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ2Ｏ3）とを交互に積層したものが挙げられる。
【００５０】
また、有機層２３は、以上の方法に加えてスピンコート法，ディッピング法，ドクターブレード法，吐出コート法，スプレーコート法などの塗布法、インクジェット法，オフセット印刷法，凸版印刷法，凹版印刷法，スクリーン印刷法，マイクログラビアコート法などの印刷法などによる形成も可能であり、各有機層や各部材の性質に応じて、ドライプロセスとウエットプロセスを併用しても構わない。
【００５１】
この表示装置１は、例えば次のようにして製造することができる。
【００５２】
図８は、この表示装置１の製造方法の流れを表したものである。また、図９〜図１１は、表示装置１の製造方法を工程順に表したものである。まず、図９（Ａ）に示したように、画素領域２に上述した材料よりなる基板１１の上にＴＦＴ１０を含む画素駆動回路１４０を、額縁領域３（図１参照）に引き出し電極３１（図１参照）を形成する（ステップＳ１０１）。
【００５３】
続いて、ＴＦＴ１０の額縁領域３側、換言すると画素領域２と端子部４との間に下部遮光膜５Ａを形成する（ステップＳ１０２）。まず、図９（Ａ）に示したようにＴＦＴ１０の額縁領域２側の基板１１上に、エリアマスク４１を用いて例えば厚さ５００ｎｍのＳｉＯ2膜を、例えばスパッタリングまたはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition；化学気相成長）法により形成する。次に、図９（Ｂ）に示したように、フォトレジスト膜４２を例えばスピンコート法によりＴＦＴ１０およびＳｉＯ2膜上に塗布したのち、図９（Ｃ）に示したように、フォトマスク４３を用いて露光を行い、例えばパドル式現像装置にて現像を行う。続いて、図９（Ｄ）に示したようにフォトレジスト膜４２を加工したのち、例えばウェットエッチングまたはドライエッチングにより露出したＳｉＯ2膜を除去する。次に、残っているフォトレジスト膜４２を除去することで、例えばφ＝１０００ｎｍの円柱形状の凹部１７Ａ（図１０（Ａ））を形成する。続いて、次に、図１０（Ｂ）に示したように、エリアマスク４４を用い、画素領域２と端子部４との間（額縁領域３）に例えばＴｉＯ2膜を、例えばスパッタリングまたはＣＶＤ法により形成することにより、下部遮光膜５Ａの下面および平坦化膜１８と接する上面に凹凸を形成する。
【００５４】
（平坦化膜１８を形成する工程）
続いて、図１０（Ｃ）に示したように、ＴＦＴ１０上および一部の下部遮光膜５Ａ上に平坦化膜１８を形成したのち、有機ＥＬ素子２０および上部遮光膜５Ｂを形成する（ステップＳ１０３〜Ｓ１０５）。まず、ＴＦＴ１０上および一部の下部遮光膜５Ａ上に、ポジ型感光性の絶縁材料として、例えばポリイミドを例えばスピンコート法により塗布し、露光装置にて露光を行う。次に、例えばパドル式現像装置にて現像を行い所定の形状を有するポリイミド膜を形成したのち、例えばクリーンベーク炉にて熱硬化させてコンタクトホール１８Ａを有する厚さ２μｍの平坦化膜１８を形成する。
【００５５】
（下部電極２１を形成する工程）
次いで、平坦化膜１８上に例えばＡｌ合金よりなる導電膜をパターニングすることにより、下部電極２１を赤色有機ＥＬ素子２０Ｒ，緑色有機ＥＬ素子２０Ｇおよび青色有機ＥＬ素子２０Ｂの各々ごとに形成する。その際、下部電極２１を、平坦化膜１８のコンタクトホール１８Ａを介してトランジスタ１０のドレイン電極１６Ｂと導通させる。具体的には、例えば平坦化膜１８上にＡｌ合金を例えば２００ｎｍの膜厚で成膜したのち、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングして下部電極２１を形成する。
【００５６】
（隔壁２２を形成する工程）
続いて、下部電極２１および平坦化膜１８上に隔壁２２を形成する。具体的には、例えばスピンコート法によりポリイミドを塗布したのち、露光および現像を行い所定の形状にパターニングし隔壁２２を形成する。
【００５７】
（有機層２３および上部電極２４を形成する工程）
次に、上部電極２１上に上述した材料よりなる正孔注入層２３Ａ，正孔輸送層２３Ｂ，発光層２３Ｃ，電子輸送層２３Ｄおよび上部電極２４を順に形成する。具体的には、例えばＮ2雰囲気下において基板１１をベークしたのち、Ｏ2プラズマで処理し、例えば真空蒸着法を用いて有機層２３（正孔注入層２３Ａ，正孔輸送層２３Ｂ，発光層２３Ｃおよび電子輸送層２３Ｄ）および上部電極２４を順に形成する。なお、有機層２３および上部電極２４の形成方法としては、真空蒸着法の他に、例えばスピンコート法、スプレーコート法またはスリット印刷により形成してもよい。
【００５８】
上部電極２４を形成したのち、保護膜２５形成する。具体的には、まず保護膜２５を下地に対して影響を及ぼすことのない程度に、成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法、例えば蒸着法やＣＶＤ法により形成する。例えば、ＳｉＯ２からなる保護膜２５を形成する場合には、ＣＶＤ法によって例えば５μｍの膜厚に形成する。この際、有機層２３の劣化による輝度の低下を防止するため、成膜温度を常温に設定すると共に、保護膜２５の剥がれを防止するために膜のストレスが最小になる条件で成膜することが望ましい。
【００５９】
なお、下部電極２１と同一工程で補助電極（図示せず）を形成した場合、補助電極の上部にベタ膜で形成された有機層２３を、上部電極２４を形成する前にレーザアブレーションなどの手法によって除去してもよい。これにより上部電極２４を補助電極に直接接続させることが可能となり、接触性が向上する。
【００６０】
（上部遮光膜５Ｂを形成する工程）
保護膜２５を形成したのち、有機ＥＬ素子２０の側面および上面の一部に上部遮光膜５Ｂを形成する。具体的には、例えばスパッタリングまたはＣＶＤ法により、エリアマスク４５を用いて額縁領域３の間に、例えば厚さ１５００ｎｍＴｉＯ2膜を成膜する。次に、図１０（Ｄ）に示したように、保護膜２５およびＴｉＯ2膜上にスピンコート法によりフォトレジスト膜４６を塗布する。続いて、図１１（Ａ）に示したようにフォトマスク４７を用いて露光および現像を行い、図１１（Ｂ）に示したようにフォトレジスト膜４６を加工する。次に、図１１（Ｃ）に示したように、例えばウェットエッチングまたはドライエッチングにより露出したＴｉＯ2膜に凹部５ａを形成したのち、残っているフォトレジスト膜４６を除去し上部遮光膜５Ｂを形成する。これにより、ＴＦＴ１０の側面から有機ＥＬ素子２０の上面の一部にかけて被覆する遮光膜５が完成する。
【００６１】
上部遮光膜５Ｂを形成したのち、例えば、上述した材料よりなる封止用基板２７に、上述した材料よりなるブラックマトリクス２７Ｂを形成する。続いて、封止用基板２７に赤色フィルタ２７ＡＲの材料をスピンコートなどにより塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングして焼成することにより赤色フィルタ２７ＡＲを形成する。続いて、赤色フィルタ２７Ｒと同様にして、緑色フィルタ２７Ｇを順次形成する。こののち、保護膜２５，遮光膜５および基板１１上に接着層２６を形成し、この接着層２６を介して封止用基板２７を張り合わせる。
【００６２】
続いて、ドライバＩＣ３４等を有するＣＯＦ（Chip On Film）３３上に、例えばフィルム上に成形された異方性導電膜３２を配置し仮止めしたのち、額縁領域３の基板１１上に形成した引き出し電極３１とＣＯＦ３３との位置合わせを行う。この状態で異方性導電膜３２を介して、引き出し電極３１とＣＯＦ３３とを押し圧しながら加熱し、異方性導電膜３２に含まれる導電性微粒子によって引き出し電極３１とＣＯＦ３３の配線とを電気的に接続させると共に、基板１１の額縁領域に３にＣＯＦ３３を形成する。次に、ＴＦＴ１０および有機ＥＬ素子２０等を封止する接着層２６およびその上に設けられた封止用基板２７の側面からＣＯＦ３３の一部にかけて封止するように紫外線硬化性樹脂を塗布する。更に、引き出し電極３１および異方性導電膜３２端面を封止するように基板１１の裏面方向にも紫外線硬化性樹脂を塗布する。こののち、紫外線硬化性樹脂に１０００ｍＪ／ｃｍ2のＵＶ光（波長３６５ｎｍ）を照射することで硬化し、防湿補強材３５Ａ，３５Ｂを形成する。以上により図１，図３〜図５に示した表示装置１が完成する。
【００６３】
この表示装置１では、各画素に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。すなわち、この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これにより、赤色有機ＥＬ素子２０Ｒ，緑色有機ＥＬ素子２０Ｇ，青色有機ＥＬ素子２０Ｂに駆動電流Ｉｄが注入され、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、下面発光（ボトムエミッション）の場合には下部電極２１および基板１１を透過して、上面発光（トップエミッション）の場合には上部電極２４，封止基板２７に設けられたカラーフィルタ２７Ａを透過して取り出される。
【００６４】
前述したように、モバイルディスプレイ等の表示装置では狭額縁化が求められている。このため額縁領域に設けられた端子部と、画素領域に設けられた画素間との距離が非常に短くなっている。ＴＦＴおよび発光素子等の実装工程では、ＣＯＦの圧着後のＣＯＦの膜剥がれや水分の浸入による端子部の腐食を防止するために端子部に防湿補強材を設ける。この防湿補強材には、上述したように紫外線硬化性樹脂が用いられているため、その製造工程においてＵＶ光を照射する。このＵＶ光の照射の際、狭額縁化された表示装置では、硬化のために照射されたＵＶ光が防湿補強材を透過し、画素領域の周縁部に配置されたＴＦＴの半導体層に入射することでＴＦＴ特性が低下するという問題があった。
【００６５】
図１２は従来の表示装置１００における画素領域１０２の周縁部に配置されたＴＦＴへのＵＶ照射前および照射後における電流電圧特性を表したものである。図１２から照射後の閾値電圧（Ｖｔｈ）がＵＶ照射前よりも負（−）の方向にシフトしていることがわかる。これにより、表示装置１００では画素領域１０２の周縁部分のＴＦＴ特性が低下し、図１３に示したように画素領域１０２の周縁部分の輝度が低下した輝度落ち領域１０２Ａが形成され、輝度むらが生じるという問題があった。
【００６６】
これに対して本実施の形態の表示装置１では、ＴＦＴ１０および有機ＥＬ素子２０の側面、並びに上面の一部にＴｉＯ2（図３（Ｂ））等からなる遮光膜５を設けるようにした。図１４は、本実施の形態における表示装置１の画素領域２の周縁部分のＴＦＴ１０へのＵＶ照射前および照射後における電流電圧特性を表したものである。図１４からＵＶ照射前後における閾値電圧（Ｖｔｈ）のシフトが発生していないことがわかる。このように、防湿補強材３５Ａ，３５Ｂを形成する際等にＴＦＴ１０に対して斜め方向に照射されるＵＶ光のＴＦＴ１０への入射が抑制され、ＴＦＴ特性の低下が抑制される。
【００６７】
以上のように、本実施の形態の表示装置１およびその製造方法では、ＴＦＴ１０および有機ＥＬ素子２０を形成したのち、ＴＦＴ１０の端面等を覆う遮光膜５を形成するようにしたので、ＴＦＴ１０に対して斜め方向、特に額縁領域３側から入射するＵＶ光を効果的に遮光することが可能となる。これにより、ＴＦＴ特性の低下が抑制され、画素領域２における輝度むらの発生が低減される。即ち、輝度むらの少ない高品質な表示装置を提供することが可能となる。
【００６８】
また、本実施の形態では、遮光膜５の表面に凹部５ａを設けるようにしたので、斜め方向から入射するＵＶ光をより効果的に遮光することが可能となる。更に、遮光膜５の凹凸によってＵＶ光が額縁領域３側、即ち防湿補強材３５Ａ，３５Ｂ側へ反射されるため、より少ないＵＶ光の照射により防湿補強材３５Ａ，３５Ｂを構成する紫外線硬化性樹脂を硬化することができる。
【００６９】
上記表示装置１は、例えば次の適用例１〜６に示した電子機器に搭載することができる。
【００７０】
（モジュールおよび適用例）
以下、上記実施の形態で説明した表示装置１の適用例について説明する。上記実施の形態の表示装置１は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
【００７１】
（モジュール）
上記実施の形態等の表示装置１は、例えば、図１５に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板１１の一辺に、保護膜２０および封止用基板３０から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。
【００７２】
（適用例１）
図１６は、上記実施の形態の表示装置１が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記実施の形態に係る表示装置１により構成されている。
【００７３】
（適用例２）
図１７は、上記実施の形態の表示装置１が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記実施の形態に係る表示装置１により構成されている。
【００７４】
（適用例３）
図１８は、上記実施の形態の表示装置１が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記実施の形態に係る表示装置１により構成されている。
【００７５】
（適用例４）
図１９は、上記実施の形態の表示装置１が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記実施の形態に係る表示装置１により構成されている。
【００７６】
（適用例５）
図２０は、上記実施の形態の表示装置１が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記実施の形態に係る表示装置１により構成されている。
【００７７】
以上、一実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、発光層２３Ｃとして各画素に対応した赤色発光層、緑色発光層、青色発光層をそれぞれ設けるようにしたが、これに限らず、各発光層を積層して白色の有機ＥＬ素子としてもよい。その際には、赤色発光層および緑色発光層の２層を黄色発光層に置き換えてもよい。
【００７８】
また、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件等は限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。例えば、上記実施の形態では、ＴＦＴ１０におけるチャネルとして酸化物導電体を用いたが、これに限らず、シリコンまたは有機半導体等を用いてもよい。
【００７９】
更に、上記実施の形態では、有機ＥＬ素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ等の構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。例えば、正孔注入層２３Ａ上に正孔輸送層２３Ｂを形成せず、直接発光層１３Ｃを形成してもよく、電子輸送層２３Ｄ上に電子注入層を設けてもよい。
【００８０】
更にまた、上記実施の形態では、アクティブマトリクス型の表示装置の場合について説明したが、本発明はパッシブマトリクス型の表示装置への適用も可能である。更にまた、アクティブマトリクス駆動のための画素駆動回路の構成は、上記実施の形態で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加してもよい。その場合、画素駆動回路の変更に応じて、上述した信号線駆動回路１２０や走査線駆動回路１３０のほかに、必要な駆動回路を追加してもよい。
【００８１】
なお、本技術は以下のような構成もとることができる。
（１）活性層が酸化物導電体よりなる薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に設けられた発光素子と、前記薄膜トランジスタおよび発光素子の各端面、並びに前記発光素子の上面の一部を覆う遮光膜とを備えた表示装置。
（２）前記遮光膜は表面に凹凸を有する、前記（１）に記載の表示装置。
（３）前記遮光膜は紫外線散乱能および紫外線吸収能を有する、前記（１）または（２）に記載の表示装置。
（４）前記遮光膜は酸化チタン（ＴｉＯ2）および酸化亜鉛（ＺｎＯ）の少なくとも一方を含む、前記（１）乃至（３）のいずれか１つに記載の表示装置。
（５）前記薄膜トランジスタおよび発光素子を含む画素領域の周辺に設けられた額縁領域の周縁には端子部が形成されている、前記（１）乃至（４）のいずれか１つに記載の表示装置。
（６）基板上の画素領域に活性層が酸化物導電体からなる薄膜トランジスタを形成する工程と、前記薄膜トランジスタ上に発光素子を形成する工程と、少なくとも前記薄膜トランジスタおよび発光素子の端面および前記発光素子の上面の一部を覆う遮光膜を形成する工程とを含む表示装置の製造方法。
（７）前記薄膜トランジスタを形成したのち、前記基板上の前記薄膜トランジスタと前記端子部との間に凸部を設けることにより前記遮光膜の下面に凹凸を形成する、前記（６）に記載の表示装置の製造方法。
（８）前記遮光膜を形成したのち、前記遮光膜の上面に凹凸を形成する、前記（６）または（７）に記載の表示装置の製造方法。
【００８２】
１…表示装置、２…画素領域、３…額縁領域、４…端子部、５…遮光膜、５Ａ…下部遮光膜、５Ｂ…上部遮光膜、１０…ＴＦＴ、２０…有機ＥＬ素子。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性層が酸化物導電体よりなる薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に設けられた発光素子と、
前記薄膜トランジスタおよび発光素子の各端面、並びに前記発光素子の上面の一部を覆う遮光膜と
を備えた表示装置。
【請求項２】
前記遮光膜は表面に凹凸を有する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記遮光膜は紫外線散乱能および紫外線吸収能を有する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記遮光膜は酸化チタン（ＴｉＯ2）および酸化亜鉛（ＺｎＯ）の少なくとも一方を含む、請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記薄膜トランジスタおよび発光素子を含む画素領域の周辺に設けられた額縁領域の周縁には端子部が形成されている、請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
基板上の画素領域に活性層が酸化物導電体からなる薄膜トランジスタを形成する工程と、
前記薄膜トランジスタ上に発光素子を形成する工程と、
少なくとも前記薄膜トランジスタおよび発光素子の端面および前記発光素子の上面の一部を覆う遮光膜を形成する工程と
を含む表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記薄膜トランジスタを形成したのち、前記基板上の前記薄膜トランジスタと前記端子部との間に凸部を設けることにより前記遮光膜の下面に凹凸を形成する、請求項６に記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記遮光膜を形成したのち、前記遮光膜の上面に凹凸を形成する、請求項６に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１】
活性層が酸化物導電体よりなる薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に設けられた発光素子と、
前記薄膜トランジスタおよび発光素子の各端面、並びに前記発光素子の上面の一部を覆う遮光膜と
を備えた表示装置。
【請求項２】
前記遮光膜は表面に凹凸を有する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記遮光膜は紫外線散乱能および紫外線吸収能を有する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記遮光膜は酸化チタン（ＴｉＯ2）および酸化亜鉛（ＺｎＯ）の少なくとも一方を含む、請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記薄膜トランジスタおよび発光素子を含む画素領域の周辺に設けられた額縁領域の周縁には端子部が形成されている、請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
基板上の画素領域に活性層が酸化物導電体からなる薄膜トランジスタを形成する工程と、
前記薄膜トランジスタ上に発光素子を形成する工程と、
少なくとも前記薄膜トランジスタおよび発光素子の端面および前記発光素子の上面の一部を覆う遮光膜を形成する工程と
を含む表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記薄膜トランジスタを形成したのち、前記基板上の前記薄膜トランジスタと前記端子部との間に凸部を設けることにより前記遮光膜の下面に凹凸を形成する、請求項６に記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記遮光膜を形成したのち、前記遮光膜の上面に凹凸を形成する、請求項６に記載の表示装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【公開番号】特開２０１３−４５５２２（Ｐ２０１３−４５５２２Ａ）
【公開日】平成２５年３月４日（２０１３．３．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１８０７７８（Ｐ２０１１−１８０７７８）
【出願日】平成２３年８月２２日（２０１１．８．２２）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年３月４日（２０１３．３．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年８月２２日（２０１１．８．２２）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
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