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Fターム[5F110NN52]の内容

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Fターム[5F110NN52]に分類される特許

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【課題】特性のバラツキが少なく、電気特性が良好なトランジスタを作製する。
【解決手段】ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に微結晶半導体を含む半導体層を形成し、半導体層上に不純物半導体層を形成し、不純物半導体層上にマスクを形成した後、マスクを用いて半導体層及び不純物半導体層をエッチングして、半導体積層体を形成し、マスクを除去した後に半導体積層体を希ガスを含む雰囲気で発生させたプラズマに曝して半導体積層体の側面に障壁領域を形成し、半導体積層体の不純物半導体層に接する配線を形成する。 (もっと読む)


【課題】ブルー相を示す液晶材料を利用した表示装置において、消費電力の低い表示装置を提供する。
【解決手段】トランジスタを含む画素が設けられた画素部を有する第1の基板と、前記第1の基板と対向する第2の基板と、前記第1の基板及び前記第2の基板の間に配置された液晶層とを有し、前記液晶層は、ブルー相を示す液晶材料を有し、前記トランジスタは、ゲートが走査線に電気的に接続され、ソースまたはドレインの一方が信号線に電気的に接続され、ソースまたはドレインの他方が電極に電気的に接続され、前記トランジスタは、水素濃度が5×1019/cm以下である酸化物半導体層を有する。 (もっと読む)


【課題】生産性に優れた表示装置を提供する。
【解決手段】隣接する画素を区分する第1の絶縁体層と、第1の絶縁体層によって画素毎に区分されたマイクロカプセルを含む層と、マイクロカプセルを含む層を間に挟む一対の電極と、一対の電極の一方と電気的に接続される薄膜トランジスタと、を有する画素部と、画素部を間に挟む一対のプラスチック基板と、を備え、薄膜トランジスタは、開口部を有する第2の絶縁体層と、開口部内に設けられ、開口部によって隣接する薄膜トランジスタと絶縁分離された半導体層と、半導体層とゲート絶縁膜を間に介して重なるゲート電極と、を含む電気泳動表示装置である。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタに適した液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタを有する液晶表示装置において、少なくとも該酸化物半導体層を覆う層間膜に、透過する可視光の光強度を減衰させる機能を有する膜を用いる。透過する可視光の光強度を減衰させる機能を有する膜としては、着色層を用いることができ、有彩色の透光性樹脂層を用いるとよい。また、有彩色の透光性樹脂層及び遮光層を含む層間膜とし、透過する可視光の光強度を減衰させる機能を有する膜として遮光層を用いてもよい。画素電極層及び共通電極層は上方に形成される方を開口パターンを有する形状とし、下方に形成される方を平板状とする。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタに適した液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタを有する液晶表示装置において、少なくとも該酸化物半導体層を覆う層間膜に、透過する可視光の光強度を減衰させる機能を有する膜を用いる。透過する可視光の光強度を減衰させる機能を有する膜としては、着色層を用いることができ、有彩色の透光性樹脂層を用いるとよい。また、有彩色の透光性樹脂層及び遮光層を含む層間膜とし、透過する可視光の光強度を減衰させる機能を有する膜として遮光層を用いてもよい。 (もっと読む)


【課題】光の入射による記憶情報の喪失を防止することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】バックライトモジュールや表示素子からのランダムな進行方向の光が下側光学シート7に入射すると、下側光学シート7により光の進行方向が該光学シート7の法線方向に向くように揃えられる。このため、下側光学シート7のプリズム面から出射される光の殆どは、下側光学シート7の法線に対する一定の出射角度±θ度以内で出射されて、下側遮光体5により確実に遮断され、下側遮光体5の周縁を回りこんで入射することがなくなる。これにより、情報記憶保持部3への入射光が効果的に軽減され、情報記憶保持部3からの記憶情報の喪失を防止することができる。上側遮光体6と上側光学シート8についても、上側光学シート8により入射光の進行方向が該光学シート8の法線方向に向くように揃えられ、上側遮光体6により光が確実に遮断される。 (もっと読む)


【課題】半導体素子などによって発生した基板上の凹凸を完全に平坦化でき、かつ、静電気などから半導体素子を保護することのできる半導体装置、および電気光学装置を提供すること。
【解決手段】支持基板10dに電界効果型トランジスタ30が形成された半導体装置10sにおいて、電界効果型トランジスタ30の上層側には、下層側絶縁膜71、平坦化膜74および上層側絶縁膜75が順に形成されている。平坦化膜74は導電膜からなり、導電パターン9sと電界効果型トランジスタ30とを電気的に接続するためのコンタクト部70では、平坦化膜74に第1コンタクトホール74aが形成され、かかる第1コンタクトホール74aの内側に、下層側絶縁膜72および上層側絶縁膜75を貫通する第2コンタクトホール75aが形成されている。 (もっと読む)


【課題】アレイ基板の低抵抗配線を具現する。
【解決手段】アレイ基板100はベース基板101、ゲート配線GL、第1絶縁層120、第2絶縁層160、データ配線、及び画素電極PEを含む。ゲート配線GLはベース基板101に形成された第1シード層111a、111b、111c、第1シード層111a、111b、111cの上に形成された第1金属層112a、112b、112cからなる。第1絶縁層120はゲート配線GLが形成されたベース基板101の上に形成され、第2絶縁層160はその上にゲート配線GLと交差する方向に配線トレンチH3が形成される。データ配線DLは配線トレンチH3の下に形成された第2シード層141d及び配線トレンチ内に形成された第2金属層142dからなる。このように絶縁層を利用して一定の深さを有するホールを形成し、ホール内にめっき方式で金属層を形成することで、金属配線の厚さを厚く形成できる。 (もっと読む)


【課題】薄膜トランジスタの光リーク電流を低減させる装置及び方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタアレイパネルの製造方法であって、下記のステップを含む。即ち、(i)基板上に、ゲートライン及び遮蔽パターンを含むパターン化された第1導電層を形成するステップと、(ii)前記パターン化された第1導電層及び基板上に、ゲート絶縁層を形成するステップと、(iii)前記ゲート絶縁層上に、パターン化された半導体層を形成するステップと、(iv)前記パターン化された半導体層上に、ソース及びドレインを有するパターン化された第2導電層を形成し、且つ、データラインがソースに電気的接続されるステップと、(v)前記パターン化された第2導電層及び基板上に、パターン化された保護層を形成するステップと(vi)前記パターン化された保護層上に、パターン化された透明導電層を形成するステップとを含む方法。 (もっと読む)


【課題】有機電気素子の有機半導体膜が層間絶縁膜と接して形成される場合に、結晶性が低下し層間絶縁膜に対する光照射時に光酸化されることを防止するために、有機半導体膜と層間絶縁膜の間に位置する遮光性保護膜として有用に使用することができる遮光型水溶性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】本発明は遮光型水溶性樹脂組成物に関し、特に(a)水溶性樹脂;(b)水溶性染料化合物;(c)溶媒を含むことを特徴とする有機半導体保護膜用遮光型水溶性樹脂組成物に関する。 (もっと読む)


【課題】低コストの表面処理方法を提供して、電子装置の試作等に要するコストを削減する。
【解決手段】エネルギービーム照射手段412と、ガス排気手段と、基板10を保持可能な基板保持手段418と、を内部に備える真空処理室402と、ガス供給手段と、ガス排気手段と、基板10を保持可能な基板保持手段418と、を備え、基板保持手段418で保持された基板10上に液材を供給する液材供給手段422とを備える液材供給室404と、真空処理室402と液材供給室404との間を連絡する搬送路と、上記通路を開閉するゲートバルブと、真空処理室402と液材供給室404との間を基板10を搬送可能な搬送手段436と、上記真空処理室および上記液材処理室の少なくともどちらか一方に連通する基板搬入口438と、を備えることを特徴とする電子装置の製造装置。 (もっと読む)


【課題】本発明は、感光性有機半導体材料からなる有機半導体層を有する有機半導体素子であって、OFF電流の増加等が少なく、安定性に優れた有機半導体素子を低コストで提供することを主目的とするものである。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板上に形成され、感光性有機半導体材料からなる有機半導体層および上記有機半導体層上に形成され、樹脂材料と、遮光性材料とを有するパッシベーション層を備える有機半導体トランジスタと、を有することを特徴とする、有機半導体素子を提供することにより上記課題を解決するものである。 (もっと読む)


【課題】液晶装置等の電気光学装置において、走査線内を伝播する迷光を遮光する構造により遮光性を高め、明るく高品位な画像表示を実現する。
【解決手段】基板上に、画素電極(9a)と、該画素電極をスイッチング制御する薄膜トランジスタ(30)と、該薄膜トランジスタのゲート電極(3g)に走査信号を供給する走査線(3a)と、薄膜トランジスタのソース領域に画像信号を供給するデータ線(6a)とを備える。ゲート電極を構成する第1導電層と走査線を構成する第2導電層とは、別層である。 (もっと読む)


【課題】より簡略化したプロセスで自在に形成することができる光の屈折率が変化した層を備えた基板、このような基板を備えた電気光学装置および電子機器、基板の製造方法、電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】液晶表示装置20は、一対の基板1,2と、一対の基板1,2によって挟持されシール材3によって封着された液晶4と、2つの防塵ガラス11,12とを備えている。一対の基板1,2と光が入射する側の防塵ガラス12の内部に集光点を結ぶようにレーザ光を照射して多光子吸収を発生させ、各基板1,2,12の内部に表示領域Dを囲むように額縁状にそれぞれ遮光性を有する改質層7,8,13を形成した。各改質層7,8,13は、各基板1,2,12の液晶4側に面する表面から僅かに離間した位置を始点として形成した。 (もっと読む)


【課題】不揮発性であって、作製が簡単であり、追記が可能な記憶回路を有する半導体装置の提供を課題とする。
【解決手段】本発明の半導体装置は、複数のトランジスタと、前記トランジスタのソース配線又はドレイン配線として機能する導電層と、前記複数のトランジスタのうちの1つの上に設けられた記憶素子及びアンテナとして機能する導電層とを有し、前記記憶素子は、第1の導電層と、有機化合物層又は相変化層と、第2の導電層とが順に積層された素子であり、アンテナとして機能する前記導電層と前記複数のトランジスタのソース配線又はドレイン配線として機能する導電層とは、同じ層上に設けられていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】不揮発性であって、作成が簡単であり、追記が可能な記憶回路を有する半導体装置及びその作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】一対の導電層間に有機化合物層が挟まれた単純な構造の記憶素子を有する半導体装置及びその作製方法を提供する。また、不揮発性であり、作製が簡単であり、追記が可能な記憶回路を有する半導体装置及びその作製方法を提供する。絶縁層上に設けられた複数の電界効果トランジスタと、複数の電界効果トランジスタ上に設けられた複数の記憶素子とを有する。複数の電界効果トランジスタは、単結晶半導体層をチャネル部とした電界効果トランジスタである。複数の記憶素子の各々は、第1の導電層と、有機化合物層と、第2の導電層が順に積層された素子である。 (もっと読む)


【課題】 長期的には光照射による有機半導体層の劣化を防止し、短期的には照射される光の変化などが有機半導体素子の動作の不安定な要因や一種のノイズとして振舞うことを防止することが可能な有機半導体素子技術を提供すること。
【解決手段】 カーボンブラックを12重量%混入したポリカーボネート基板201上に、絶縁膜212bを設けた後、カソード電極202を作製し、この上に、有機半導体材料204を蒸着などで作製している。その上に、アノード電極203を作製する。基板材料にポリカーボネートを電気的絶縁層を兼ねて利用し、遮光層として裏面側にポリカーボネートの原料(211a)にフィラーとしてカーボンブラックを約12重量%混合したものを塗布することで作製した。有機半導体材料および電極と前記遮光性ポリカーボネートの間に絶縁性の膜212bを設けてもよいが、基板材のポリカーボネート材の絶縁性を利用してもよい。 (もっと読む)


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