【課題】本発明は、低温かつ簡便で安価な製造工程により作製可能であり、トランジスタ特性に優れる、ダブルゲート構造を有する薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板上に形成された第１ゲート電極と、上記第１ゲート電極を覆うように形成された第１ゲート絶縁層と、上記第１ゲート絶縁層上に形成され、低抵抗領域であるソースコンタクト領域およびドレインコンタクト領域ならびに高抵抗領域であるチャネル領域を有する酸化物半導体層と、上記ソースコンタクト領域に接して形成されたソース電極と、上記ドレインコンタクト領域に接して形成されたドレイン電極と、上記酸化物半導体層上に形成され、絶縁性有機材料を含む第２ゲート絶縁層と、上記第２ゲート絶縁層上に形成された第２ゲート電極とを有することを特徴とする薄膜トランジスタを提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明はＴＦＴ−ＬＣＤアレイ基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明はＴＦＴ−ＬＣＤアレイ基板及びその製造方法に関し、アレイ基板はベース基板と、ベース基板上に形成され画素領域を限定するゲートライン及びデータラインを含み、前記画素領域内には画素電極、薄膜トランジスタと共通電極が形成される。また、導電性薄膜材料により製造されるブラックマトリクスを含み、前記ブラックマトリクスは前記共通電極と接続される。 （もっと読む）

【課題】特性のバラツキが少なく、電気特性が良好なトランジスタを作製する。
【解決手段】ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に微結晶半導体を含む半導体層を形成し、半導体層上に不純物半導体層を形成し、不純物半導体層上にマスクを形成した後、マスクを用いて半導体層及び不純物半導体層をエッチングして、半導体積層体を形成し、マスクを除去した後に半導体積層体を希ガスを含む雰囲気で発生させたプラズマに曝して半導体積層体の側面に障壁領域を形成し、半導体積層体の不純物半導体層に接する配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ外部からの光による悪影響を軽減又は防止したトランジスタ、発光装置、及び、電子機器を提供する。
【解決手段】トランジスタＴｒは、ゲート電極１２と、透光性を有する絶縁層を介してゲート電極１２と対向配置される、ゲート電極１２側の面に光の反射面を有する導電体層２２と、ゲート電極１２と導電体層２２との間に位置し、チャネルが形成される半導体層１４と、を備える。光を吸収する光吸収層２１は、導電体層２２と半導体層１４との間、並びにゲート電極１２と半導体層１４との間の少なくともいずれか一方に位置する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性を向上させる。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、第１３族元素および酸素を含む材料を用いて酸化物半導体膜と接する絶縁膜を形成することにより、酸化物半導体膜との界面の状態を良好に保つ。さらに該絶縁膜が、化学量論的組成比より酸素が多い領域を含むことにより、酸化物半導体膜に酸素を供給し、酸化物半導体膜中の酸素欠陥を低減する。また、酸化物半導体膜と接する絶縁膜を積層構造として、酸化物半導体膜の上下に、アルミニウムを含む膜を設けることで、酸化物半導体膜への水の侵入を防止する。 （もっと読む）

【課題】エキシマレーザーにより、α−Ｓｉ層に加えられた熱は、絶縁層を介して金属遮光層へ伝わり、冷却されることで再結晶化される。この場合、金属層のパターン形状により、α−Ｓｉ層の冷却速度は影響を受ける。そのため、多結晶シリコン層の特性は金属層のパターン形状の影響によりばらつくという課題がある。
【解決手段】形状および間隔を揃えた矩形の金属遮光層１０５の、長手方向に向けてエキシマレーザーを走査し、α−Ｓｉ層を多結晶シリコン層１１５に改質する。長手方向に向けてエキシマレーザーを走査することから、金属遮光層１０５が連続した状態でレーザーアニールが進む。そのため、金属遮光層１０５上での多結晶シリコン層１１５は均質性が高くなる。そのため、金属遮光層１０５上に形成されるＴＦＴ１０１の電気的特性が均質化し、液晶装置１００の表示均一性を高めることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】基板に形成された複数のゲートライン及び複数のデータラインを含み、ゲートラインとデータラインにより複数の画素領域が画定され、画素領域ごとに画素電極及びスイッチング素子としての薄膜トランジスタが形成されるＴＦＴ−ＬＣＤアレイ基板を提供する。
【解決手段】本発明は、ＴＦＴ−ＬＣＤアレイ基板及びその製造方法に関する。アレイ基板には、基板に形成された複数のゲートライン及び複数のデータラインが含まれる。前記ゲートラインとデータラインにより複数の画素領域が画定され、画素領域ごとに画素電極及びスイッチング素子としての薄膜トランジスタが形成されている。前記薄膜トランジスタのゲート電極は連結電極を介して対応したゲートラインに電気的に接続され、前記ゲート電極と前記ゲートラインは異なる材料層により形成される。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層との間のコンタクト抵抗を低減し、電気特性を安定させた薄膜トランジスタを提供する。また、該薄膜トランジスタの作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層の上に、酸化物半導体層より導電率の高いバッファ層を形成し、該バッファ層の上にソース電極層及びドレイン電極層を形成し、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層とがバッファ層を介して電気的に接続されるように薄膜トランジスタを形成する。また、バッファ層に逆スパッタ処理及び窒素雰囲気下での熱処理を行うことにより、酸化物半導体層より導電率の高いバッファ層を形成する。 （もっと読む）

【課題】電界効果移動度が高く、オン電流が大きい薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極を覆って設けられたゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に、ゲート電極と重畳して設けられた半導体層と、半導体層上の一部に設けられてソース領域及びドレイン領域を形成する不純物半導体層と、不純物半導体層上に設けられた配線層と、を有し、ソース領域及びドレイン領域の幅は、半導体層の幅よりも小さく、半導体層の幅は、少なくともソース領域とドレイン領域の間において拡大された薄膜トランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】シフトレジスタ、バッファ回路など駆動回路を同一基板上に組込んだアクティブマトリクス型液晶表示装置において、画素部の開口率を向上させると共に最適なＴＦＴの構成を提供する。
【解決手段】バッファ回路にはゲート電極とオーバーラップするＬＤＤを設けたｎチャネル型ＴＦＴを形成し、画素部のｎチャネル型ＴＦＴにはゲート電極とオーバーラップしないＬＤＤを設けた構造とする。画素部に設ける保持容量は、遮光膜と遮光膜上に形成される誘電体膜と画素電極で形成し、特に遮光膜にＡｌを用い、誘電体膜を陽極酸化法で形成し、酸化Ａｌ膜を用いる。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコン層を貼り付けた高価な基板や、触媒金属を拡散させたシリコン膜を用いなくても、トランジスター特性の優れた薄膜トランジスターを備えた半導体装置の製造方法、半導体装置、および電気光学装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置の製造工程では、非晶質のシリコン膜１の一部の領域にゲルマニウムを導入して熱処理を行う。その結果、核形成用元素導入領域１ｓに結晶核が生成するとともに、かかる結晶核を起点として結晶粒が成長する。このため、シリコン結晶粒の位置制御が可能となり、チャネル領域１ｈに含まれる粒界の量を制御することができる。また、ゲルマニウムは、チャネル領域形成予定領域１ｉやその周辺の領域１ｋ、１ｍなどに拡散しない。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタに適した液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタを有する液晶表示装置において、少なくとも該酸化物半導体層を覆う層間膜に、透過する可視光の光強度を減衰させる機能を有する膜を用いる。透過する可視光の光強度を減衰させる機能を有する膜としては、着色層を用いることができ、有彩色の透光性樹脂層を用いるとよい。また、有彩色の透光性樹脂層及び遮光層を含む層間膜とし、透過する可視光の光強度を減衰させる機能を有する膜として遮光層を用いてもよい。画素電極層及び共通電極層は上方に形成される方を開口パターンを有する形状とし、下方に形成される方を平板状とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタに適した液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタを有する液晶表示装置において、少なくとも該酸化物半導体層を覆う層間膜に、透過する可視光の光強度を減衰させる機能を有する膜を用いる。透過する可視光の光強度を減衰させる機能を有する膜としては、着色層を用いることができ、有彩色の透光性樹脂層を用いるとよい。また、有彩色の透光性樹脂層及び遮光層を含む層間膜とし、透過する可視光の光強度を減衰させる機能を有する膜として遮光層を用いてもよい。 （もっと読む）

【課題】、ポリシリコン膜に含まれる結晶欠陥を電気的に略不活性化させた場合でも、その後の工程での処理温度が限定されることがなく、かつ、能動層とゲート絶縁層との間に良好な界面を形成することができる半導体装置の製造方法、半導体装置および電気光学装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置１０ｔの製造工程では、電界効果型トランジスタ３０ｎの能動層となるシリコン膜１ｓを結晶化させた後、シリコン膜１ｓに酸素プラズマ照射ＯＰを行う酸素プラズマ照射工程と、酸素プラズマ照射工程によりシリコン膜１ｓに形成された表面酸化物１ｒを除去する表面酸化物除去工程とを行う。その後、シリコン膜１ｓをパターニングする。 （もっと読む）

【課題】半導体素子などによって発生した基板上の凹凸を完全に平坦化でき、かつ、静電気などから半導体素子を保護することのできる半導体装置、および電気光学装置を提供すること。
【解決手段】支持基板１０ｄに電界効果型トランジスタ３０が形成された半導体装置１０ｓにおいて、電界効果型トランジスタ３０の上層側には、下層側絶縁膜７１、平坦化膜７４および上層側絶縁膜７５が順に形成されている。平坦化膜７４は導電膜からなり、導電パターン９ｓと電界効果型トランジスタ３０とを電気的に接続するためのコンタクト部７０では、平坦化膜７４に第１コンタクトホール７４ａが形成され、かかる第１コンタクトホール７４ａの内側に、下層側絶縁膜７２および上層側絶縁膜７５を貫通する第２コンタクトホール７５ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性を向上させる。特に、遮光膜を用いながら貼り合わせ精度の向上を図ることのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置を、支持基板（１０Ｓ）上の全面に遮光性膜（１３）を堆積する工程と、支持基板上の全面に堆積された遮光性膜上に絶縁膜（１５）を堆積する工程と、絶縁膜（１５）上に半導体基板を貼り合わせる工程と、半導体基板を薄膜化し、半導体膜（２０）を形成する工程と、遮光性膜、絶縁膜および半導体膜を、連続してパターニングする工程と、半導体膜（２０Ｐ）上に半導体素子を形成する工程と、により形成する。かかる方法によれば、遮光性膜を支持基板上の全面に堆積する（デポ膜とする）ことで、その表面が平坦な状態で半導体基板と貼り合わせることが可能となり、貼り合わせ精度の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの光リーク電流を低減させる装置及び方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタアレイパネルの製造方法であって、下記のステップを含む。即ち、（i）基板上に、ゲートライン及び遮蔽パターンを含むパターン化された第１導電層を形成するステップと、（ii）前記パターン化された第１導電層及び基板上に、ゲート絶縁層を形成するステップと、（iiｉ）前記ゲート絶縁層上に、パターン化された半導体層を形成するステップと、（iv）前記パターン化された半導体層上に、ソース及びドレインを有するパターン化された第２導電層を形成し、且つ、データラインがソースに電気的接続されるステップと、（v）前記パターン化された第２導電層及び基板上に、パターン化された保護層を形成するステップと（vi）前記パターン化された保護層上に、パターン化された透明導電層を形成するステップとを含む方法。 （もっと読む）

【課題】透過型液晶表示素子基板に形成する遮光膜による接着時の熱拡散対策と遮光膜を有効利用した製造方法の提供。
【解決手段】透明基板２０上に遮光膜２１をトランジスタ形成領域２５にあわせパターン形成する工程と、全面に酸化シリコン膜２２を形成する工程と、酸化シリコン膜２２の平坦化処理をする工程と、シリコン基板２３を酸化シリコン膜２２上に接着する工程と、所定の位置に水素イオン注入で水素リッチ層２４を形成する工程と、水素リッチ層２４部でシリコン基板２３を分離する工程と、水素リッチ層２４を研磨して除去する工程と、シリコン膜２２上に集積回路を形成する工程を具備する製造方法において、遮光膜２１のパターン形成では、認識マーク２１ＡとＩＤ刻印部２１Ｂを形成し。接着する工程では、透明基板２０側から酸化シリコン膜２２に遮光膜２１の有無によりレーザーの照射量を変えてレーザーを照射する。 （もっと読む）

【課題】製造工程及び製造費用を減少させて、生産収率を向上させることができる液晶ディスプレイ装置用アレー基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は液晶ディスプレイ装置用アレー基板及びその製造方法に関する。液晶ディスプレイ装置用アレー基板は、薄膜を蒸着して写真エッチングする工程を通してなされるが、写真エッチング工程は多様な工程を伴っているので写真エッチング工程を減らすことによって、製造費用を減少させて不良発生率を減らすことができる。本発明による液晶ディスプレイ装置用アレー基板は、４枚のマスクを利用して製造することによって製造費用を節減でき、回折露光を利用してアクティブ層とソース及びドレイン電極を一回の写真エッチング工程で形成することにおいて、薄膜トランジスタのチャネルをラウンディングされた“Ｕ”字形態で形成することによって安定的で向上された製造収率を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】隔壁上からの成膜による分断された微細な半導体層を備えながらも、その上層を平坦化することにより、多層化および高集積化が可能な半導体装置の提供。
【解決手段】基板１上のゲート電極３を覆うゲート絶縁膜５上にソース電極７ｓおよびドレイン電極７ｄが設けられる。上部に設けられる隔壁９は、電極７ｓ，７ｄの電極間におけるゲート絶縁膜５に達する第１開口９ａと、電極７ｓ，７ｄの少なくとも一方に達する第２開口９ｂとを備える。隔壁９の上部に成膜された半導体層１１と、これとは分断された状態で第１開口９ａの底部にチャネル部半導体層１１ａが設けられ、さらに隔壁９の段差を埋め込む状態で絶縁性の保護膜１３が備えられ、保護膜１３および第２開口９ｂの底部の半導体層１１には、隔壁９上の半導体層１１に対して絶縁性を保った状態で、第２開口９ｂの内側においてソース電極７ｓまたはドレイン電極７ｄに達する接続孔１３ａが設けられる。 （もっと読む）