【課題】トランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好適な材料を提供する。
【解決手段】ジルコニウムを含ませた酸化物半導体材料は結晶化しやすい材料とすることができ、成膜直後において、結晶構造を有する酸化物半導体膜を形成することができる。従って、酸化物半導体膜の成膜後の加熱処理を省略することができるため、量産に適したプロセスである。具体的には、少なくともインジウムと亜鉛を含む酸化物半導体材料に、４族元素の一つであるジルコニウムを含ませる。少なくともインジウムと亜鉛を含む酸化物半導体材料にジルコニウムを含ませた酸化物半導体材料膜（ＩｎＺｒＺｎＯ_Ｘ膜）を提供する。 （もっと読む）

【課題】活性層となる酸化物導電体層への光の入射を防ぎ、ＴＦＴ特性の低下を抑制することが可能な表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本技術の表示装置は、活性層が酸化物導電体よりなる薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタ上に設けられた発光素子と、薄膜トランジスタおよび発光素子の各端面、並びに発光素子の上面の一部を覆う遮光膜とを備える。 （もっと読む）

【課題】被検出物が表示パネルに非接触の場合でも、被検出物の位置及び動きの検出を行うことを可能とする表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、フォトセンサ及び酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタが配置された表示パネルを有し、被対象物が表示パネルに接近する際に、被検出物が外光を遮ることで表示パネルに投影される被検出物の影がフォトセンサによって検出される。影の位置又は動きを検出することで、被検出物の位置又は動きが検出され、被検出物が表示パネルに非接触の場合でも検出可能となる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタの作製工程において、非晶質酸化物半導体膜を形成し、該非晶質酸化物半導体膜に酸素を導入して酸素を過剰に含む非晶質酸化物半導体膜を形成する。該非晶質酸化物半導体膜上に酸化アルミニウム膜を形成した後、加熱処理を行い該非晶質酸化物半導体膜の少なくとも一部を結晶化させて、結晶性酸化物半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタに含まれる不純物による汚染の問題を解決する。
【解決手段】薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに電気的に接続されるソース電極及
びドレイン電極と、薄膜トランジスタ、ソース電極及びドレイン電極上の第１の絶縁膜と
、第１の絶縁膜上のカラーフィルタと、カラーフィルタ上の第２の絶縁膜と、第２の絶縁
膜上の画素電極とを有し、第１の絶縁膜は窒化シリコンを有し、カラーフィルタは第１の
開口部を有し、第２の絶縁膜は第２の開口部を有し、第２の開口部は第１の開口部の内側
に設けられ、画素電極は、第１の開口部及び第２の開口部を介してソース電極及びドレイ
ン電極の一方に電気的に接続され、カラーフィルタは、画素電極、ソース電極及びドレイ
ン電極に接触しない。 （もっと読む）

【課題】動作性能および信頼性の高いＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】第１のチャネル形成領域と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第１のゲート電極とを備えた第１のＴＦＴと、第２のチャネル形成領域と、第２のソース領域及び第２のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第２のゲート電極とを備えた第２のＴＦＴと、第１のＴＦＴ及び第２のＴＦＴ上に設けられた第１の絶縁膜と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域の一方と接続されたソース配線と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域の他方と接続し、且つ第２のゲート電極に接続された第１のドレイン配線と、第１の絶縁膜上に設けられ、第２のソース領域及び第２のドレイン領域の一方に接続された第２のドレイン配線と、第１の絶縁膜上に設けられ、第２のソース領域及び第２のドレイン領域の他方に接続された電流供給線と、を有する。 （もっと読む）

【課題】微小なコンタクトホールを形成し、集積回路を微細化することを目的とする。
【解決手段】スイッチング素子および各配線を覆う層間絶縁膜１１１として有機材料を用い、且つ、金属膜１１２のマスクを用い、ドライエッチング法によってコンタクトホールを形成し、配線１１４を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体を基板とする液晶パネルは、ウェル領域があるため、漏れ光がトランジスタ部分のみでなくそこから離れた半導体基板を通過しただけで光リーク電流が流れることがある。この光リーク電流が、ガラス基板上にスイッチング素子としてのＴＦＴを配置した液晶パネルに比べて多くなるという欠点がある。
【解決手段】反射電極となる画素電極（１４）と、画素電極への電圧印加を制御するスイッチング素子とを有する画素単位が基板上にマトリックス状に配置されてなる液晶パネル用基板において、両素電極とスイッチング素子の端子電極を構成する導電層（６ａ）との間に、両者を接続するためのコンタクトホールを形成し、このコンタクトホールの形成箇所を囲む開口を有し、隣接する複数の画素電極の間の領域には開口を有さない遮光層を、画素電極と導電層との間に設けることにより、画素電極どうしの隙間から漏込む光による弊害を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタに含まれる不純物による汚染の問題を解決する。
【解決手段】薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに電気的に接続されるソース電極及びドレイン電極と、薄膜トランジスタ、ソース電極及びドレイン電極上の第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜上のカラーフィルタと、カラーフィルタ上の第２の絶縁膜と、第２の絶縁膜上の画素電極とを有し、第１の絶縁膜は窒化シリコンを有し、カラーフィルタは第１の開口部を有し、第２の絶縁膜は第２の開口部を有し、第２の開口部は第１の開口部の内側に設けられ、画素電極は、第１の開口部及び第２の開口部を介してソース電極及びドレイン電極の一方に電気的に接続され、カラーフィルタは、画素電極、ソース電極及びドレイン電極に接触しない。 （もっと読む）

【課題】ＷＳｉ膜上にＳｉＯ₂膜を形成し、ＳｉＯ₂膜を緻密化するため成膜温度より高い温度でアニールを行った場合、ＳｉＯ₂膜中にクラックが入る欠陥が生じる場合がある。このクラックの発生を抑えるために、アニール時の温度変化速度を抑え、急激な熱膨張／熱収縮を避けているが、クラック欠陥を十分抑えられないという課題がある。
【解決手段】ＷＳｉ膜を用いた、走査線前駆体１１ｃをスパッタリングにより２００ｎｍの膜厚に堆積させる。そして、パターニング後、無機絶縁膜１００としてＳｉＯ₂膜を堆積する。そして、約７００℃で熱処理を行う。そして、無機絶縁膜１００を除去する。走査線前駆体１１ｃの改質に伴い、無機絶縁膜１００との間には応力が掛かっている。ここで、無機絶縁膜１００を除去することで、走査線前駆体１１ｃの改質に伴う応力をパターン側面を含めて開放することが可能となり、クラック欠陥の発生を抑えることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＷＳｉ膜上にＳｉＯ₂膜を形成し、ＳｉＯ₂膜を緻密化するため成膜温度より高い温度でアニールを行った場合、ＳｉＯ₂膜中にクラックが入る欠陥が生じる場合がある。このクラックの発生を抑えるために、アニール時の温度変化速度を抑え、急激な熱膨張／熱収縮を避けているが、クラック欠陥を十分抑えられないという課題がある。
【解決手段】ＷＳｉ膜を用いた、走査線前駆体１１ｃをスパッタリングにより２００ｎｍの膜厚に堆積させる。そして、無機絶縁膜１００としてＳｉＯ₂膜を堆積する。そして、約７００℃で熱処理を行う。そして、無機絶縁膜１００を除去する。走査線前駆体１１ｃの改質に伴い、無機絶縁膜１００との間には応力が掛かっている。ここで、無機絶縁膜１００を除去することで、走査線前駆体１１ｃの改質に伴う応力を開放することが可能となり、クラック欠陥の発生を抑えることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子などによって発生した基板上の凹凸を完全に平坦化でき、かつ、静電気などから半導体素子を保護することのできる半導体装置、および電気光学装置を提供すること。
【解決手段】支持基板１０ｄに電界効果型トランジスタ３０が形成された半導体装置１０ｓにおいて、電界効果型トランジスタ３０の上層側には、下層側絶縁膜７１、平坦化膜７４および上層側絶縁膜７５が順に形成されている。平坦化膜７４は導電膜からなり、導電パターン９ｓと電界効果型トランジスタ３０とを電気的に接続するためのコンタクト部７０では、平坦化膜７４に第１コンタクトホール７４ａが形成され、かかる第１コンタクトホール７４ａの内側に、下層側絶縁膜７２および上層側絶縁膜７５を貫通する第２コンタクトホール７５ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】動作性能および信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の薄膜トランジスタと、第２の薄膜トランジスタとを有する画素部を有する。前記第１の薄膜トランジスタは、第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された第１のゲート電極とを有し、前記第２の薄膜トランジスタは、第２の半導体層と、前記第２の半導体層上に形成された前記ゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された第２のゲート電極とを有する。前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極は、それぞれ端部にテーパー部を有し、前記第１の半導体層は、第１のチャネル形成領域、一対の第１の不純物領域、及び一対の第２の不純物領域を有し、前記第２の半導体層は、第２のチャネル形成領域、及び一対の第３の不純物領域を有する。 （もっと読む）

【課題】下地絶縁層の下層側に支持基板と別の材料からなる層を形成する場合でも、支持基板と半導体基板との貼り合わせ技術を好適に適用することのできる半導体装置、電気光学装置、および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】液晶装置などといった電気光学装置の素子基板などとして用いられる半導体層１０ｘでは、支持基板１０ｄの上に下地絶縁層１２が形成されているとともに、下地絶縁層１２の表面に電界効果型トランジスタ１０ｙが形成されている。支持基板１０ｅにおいて、電界効果型トランジスタ１０ｙのチャネル領域１ｘに対向する位置には凹部１０ｅが形成され、この凹部１０ｅには埋め込みゲート電極４ｘが形成されている。 （もっと読む）

【課題】多数の画素のそれぞれにスイッチング用の薄膜トランジスタを配置し、各画素電極に出入りする電荷をこの薄膜トランジスタで制御する液晶表示装置、ＥＬ表示装置等の半導体装置において、良好な表示特性を有し、長期の信頼性を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】基板上方にゲイト電極、ゲイト電極上方のゲイト絶縁膜、及びゲイト絶縁膜上方の活性層を有する薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタ上方の窒化珪素でなる絶縁膜と、絶縁膜上方の樹脂膜と、樹脂膜上方に薄膜トランジスタに接続する画素電極とを有することにより、良好な表示特性を有し、長期の信頼性を有する半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】十分な補助容量を有し、且つ、開口率の高いアクティブマトリクス型表示装置を提供することを課題とする
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に薄膜トランジスタを形成し、前記薄膜トランジスタを覆って第１の層間絶縁膜を形成し、前記第１の層間絶縁膜を覆って有機性樹脂で構成される第２の層間絶縁膜を形成し、前記第２の層間絶縁膜を覆ってブラックマスクを形成し、前記ブラックマスクを覆って無機絶縁膜を形成し、前記ブラックマスク及び無機絶縁膜とを選択的に除去し、前記ブラックマスク及び無機絶縁膜を覆って第３の層間絶縁膜を形成し、前記第３の層間絶縁膜を選択的に除去し、前記無機絶縁膜を露出し、前記第３の層間絶縁膜を覆って透明性導電膜からなる画素電極を形成し、前記無機絶縁膜を誘電体として、前記ブラックマスク、前記画素電極及び前記無機絶縁膜によって補助容量を形成する。 （もっと読む）