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半導体装置
説明

半導体装置

【課題】抵抗負荷型インバータを用いて画素の点灯又は非点灯を制御すると、抵抗負荷型
インバータを構成するトランジスタの特性のバラツキにともなって、画素毎の発光にばら
つきが生じる。
【解決手段】画素内のインバータとしてNチャネル型トランジスタとPチャネル型トラン
ジスタを用いてCMOSインバータを適用する。CMOSインバータを構成するトランジ
スタの特性がばらつき、インバータ伝達特性がばらついても、画素の点灯又は非点灯の制
御に影響を与えることがなくなり、画素毎の発光のばらつきを無くすことができる。また
、インバータの片方の電源電位として走査線の信号電位を用いることにより画素の開口率
を高くすることができる。


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【特許請求の範囲】
【請求項1】
ゲート端子、ソース端子、ドレイン端子を有する第1のトランジスタと、
ゲート端子、ソース端子、ドレイン端子を有する第2のトランジスタと、
ゲート端子、ソース端子、ドレイン端子を有する第3のトランジスタと、
第1の電極と第2の電極を有する容量素子と、を有し、
前記第1のトランジスタのゲート端子は第1の走査線に接続され、
前記第2のトランジスタのソース端子又はドレイン端子の一方は電源線に接続され、
前記第3のトランジスタのソース端子又はドレイン端子の一方は第2の走査線に接続され、
前記容量素子の第1の電極が前記第2のトランジスタのゲート端子および前記第3のトランジスタのゲート端子に接続され、前記容量素子の第2の電極が信号線に接続され、
前記第2のトランジスタのソース端子又はドレイン端子の他方および前記第3のトランジスタのソース端子又はドレイン端子の他方が画素電極に接続され、
前記第1のトランジスタのソース端子又はドレイン端子の一方が、前記第2のトランジスタのソース端子又はドレイン端子の他方および前記第3のトランジスタのソース端子又はドレイン端子の他方に接続され、
前記第1のトランジスタのソース端子又はドレイン端子の他方が、前記第2のトランジスタのゲート端子および前記第3のトランジスタのゲート端子に接続されていることを特徴とする半導体装置。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【図7】
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【図8】
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【図9】
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【図10】
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【図11】
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【図12】
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【図13】
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【図14】
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【図15】
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【図16】
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【図17】
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【図18】
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【図19】
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【図20】
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【図21】
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【図22】
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【図23】
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【図24】
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【図25】
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【図26】
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【図27】
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【図28】
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【図29】
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【図30】
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【図31】
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【図32】
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【図33】
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【図34】
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【図35】
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【図36】
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【図37】
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【図38】
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【図39】
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【図40】
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【図41】
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【図42】
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【図43】
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【図44】
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【図45】
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【図46】
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【図47】
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【図48】
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【図49】
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【図50】
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【図51】
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【図52】
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【図53】
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【図54】
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【図55】
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【図56】
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【図57】
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【図58】
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【図59】
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【図60】
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【図61】
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【図62】
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【図63】
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【図64】
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【公開番号】特開2013−101357(P2013−101357A)
【公開日】平成25年5月23日(2013.5.23)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2012−270886(P2012−270886)
【出願日】平成24年12月12日(2012.12.12)
【分割の表示】特願2006−10411(P2006−10411)の分割
【原出願日】平成18年1月18日(2006.1.18)
【出願人】(000153878)株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Fターム(参考)】