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Fターム[2H092JB53]の内容

Fターム[2H092JB53]に分類される特許

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【課題】アクティブマトリクス基板上の電極と対向基板上のブラックマトリクスとの間に生じる電位に起因する光漏れを抑制する。
【解決手段】スイッチング素子が配置された一方の基板とブラックマトリクスが形成された他方の基板と液晶層とを少なくとも備える液晶表示装置において、ノーマリーブラックの第1の領域とノーマリーホワイトの第2の領域とを有し、第1の領域の一方の基板にはスイッチング素子に接続された第1画素電極と第1共通電極と第1共通電極に第1共通信号を供給する第1共通電極線を有し、第2の領域の一方又は他方の基板には第2共通電極を有し、第2の領域の一方の基板にはスイッチング素子に接続された第2画素電極と第2共通電極に第2共通信号を供給する第2共通電極線を有し、第1の領域に対向するブラックマトリクスと第2の領域に対向するブラックマトリクスが電気的に分離されている。 (もっと読む)


【課題】表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】走査線GLと、走査線GLと交差する信号線SLと、信号線SLが延びる方向に延び走査線GLが延びる方向に並んで配置された複数の櫛歯画素電極PE1〜PE3を含む画素電極PEと、複数の櫛歯画素電極PE1〜PE3の間において信号線SLが延びる方向に延び、櫛歯画素電極PE1〜PE3と所定のスペースを置いて配置された複数の櫛歯共通電極CE1〜CE4を含む共通電極CEと、少なくとも信号線SLと信号線SLの近傍に配置された櫛歯画素電極PE1、PE3との間に配置され、共通電極CEと同じ電圧が印加された遮光部COM1と、を備えた第1基板101と、第1基板101と対向して配置された第2基板102と、第1基板101と第2基板102との間に挟持された液晶層LQと、を備えた液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】コントラストや透過率を向上させることができ、高品質な画像を表示可能とする液晶装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】液晶装置は、第2基板12上に設けられた、第1透明導電膜41と、第1透明導電膜41より屈折率が低い透明絶縁膜42と、透明絶縁膜42よりも屈折率が高い第2透明導電膜43と、を有する透明積層膜40と、第2基板12と透明積層膜40との間に配置された遮光層18と、を備え、第1透明導電膜41と第2透明導電膜43とは、遮光層18と平面的に重なる領域において電気的に接続されている。 (もっと読む)


【課題】高い動作信頼性を有する表示素子を提供する。
【解決手段】この液晶表示素子は、透明基板と、その一方の面に形成された透明電極とを有する透明電極基板と、液晶層と、液晶層を挟んで透明電極と対向する領域に位置する複数の画素電極、およびそれ以外の領域に位置する第1の導電膜を含む第1の層と、第1の導電膜と重複する領域に位置する第2の導電膜を含む第2の層とを順に有する画素電極基板とを備える。ここで、第1および第2の導電膜の少なくとも一方が電気的に孤立している。 (もっと読む)


【課題】粒子状スペーサを用いず、使用する液晶の特性や駆動方法に応じて自由な範囲で設計された厚みを精度よく有する、高品質な表示装置およびタッチパネルを備えた表示装
置を提供する。
【解決手段】第1の基板と、第2の基板と、第1の基板と第2の基板との間に配置された
柱状スペーサを複数備えた表示装置と、光学式の検出素子を備えたタッチパネルとを有す
る。柱状スペーサによって、機械的強度が補強され、頑丈なパネルとすることができる。 (もっと読む)


【課題】安定した電気特性を持つ、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを有する、信頼性の高い半導体装置の作製方法の提供を目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタを有する半導体装置の作製において、酸化物半導体膜を形成した後、水分、ヒドロキシ基、または水素などを吸蔵或いは吸着することができる金属、金属化合物または合金を用いた導電膜を、絶縁膜を間に挟んで酸化物半導体膜と重なるように形成する。そして、該導電膜が露出した状態で加熱処理を行うことで、導電膜の表面や内部に吸着されている水分、酸素、水素などを取り除く活性化処理を行う。 (もっと読む)


【課題】シール材に沿って延在させた周辺電極において、イオン性不純物が表示品位に影響を与えやすい領域に対して周辺電極のイオン性不純物に対するトラップ能力を高めた液晶装置、および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】液晶装置100の素子基板において、画像表示領域10aとシール材107とにより挟まれた周辺領域10bには、ダミー画素電極9b等に印加される共通電位Vcomとは異なるイオン性不純物トラップ用の電位Vtrapが印加された周辺電極8aが形成されている。周辺電極8aにおいて、シール材107の液晶注入口107aに設けた封止材105と対向する第1部分8a1の電極幅寸法Wbを他の部分の電極幅寸法Waより大に設定してある。 (もっと読む)


【課題】対向基板側の構造を変更することにより、横ストロークの発生を防止することのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】液晶装置100において、対向基板20には、共通電極21より下層側に導電性の遮光層29が設けられ、かかる遮光層29は絶縁層27のコンタクトホール27a、27b、第1導通部25aおよび第2導通部25bにおいて共通電極21と導通している。このため、共通電極21のシート抵抗を低減したのと実質的に同様な効果を得ることができる。従って、共通電極21の電位が画像信号の電位変化に伴って変動しても、共通電極21の電位は、短い時間で共通電位に復帰するので、横ストロークの発生を防止することができる。また、遮光層29の上層には絶縁層27が形成されているため、遮光層29に起因する段差が緩和されている。従って、共通電極21に段差切れが発生しない。 (もっと読む)


【課題】横電界モードの液晶表示装置であって、表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第1絶縁基板と、前記第1絶縁基板の上方に配置された画素電極及び対向電極と、を備えた第1基板と、第2絶縁基板と、前記第2絶縁基板の前記第1基板と向かい合う側において前記第2絶縁基板の基板端部よりも内側で額縁状に形成された額縁部を有する第1遮光層と、前記第2絶縁基板の前記第1基板と向かい合う側に配置され前記第1遮光層から離間し前記第2絶縁基板の基板端部まで延在した第2遮光層と、を備えた第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に保持された液晶層と、前記第1遮光層と前記第2遮光層との間を遮光する第3遮光層と、前記第2絶縁基板の前記第1基板と向かい合う側とは反対側の表面に配置され前記基板端部まで延在した光透過性を有する導電性のシールド部材と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】動作性能および信頼性の高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第1のチャネル形成領域713と、第1のソース領域及び第1のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第1のゲート電極とを備えた第1のTFTと、第2のチャネル形成領域714と、第2のソース領域及び第2のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第2のゲート電極とを備えた第2のTFTと、第1のTFT及び第2のTFT上に設けられた第1の絶縁膜664と、第1のソース領域及び第1のドレイン領域の一方と接続されたソース配線668と、第1のソース領域及び第1のドレイン領域の他方と接続し、且つ第2のゲート電極に接続された第1のドレイン配線と、第1の絶縁膜上に設けられ、第2のソース領域及び第2のドレイン領域の一方に接続された第2のドレイン配線672と、第1の絶縁膜上に設けられ、第2のソース領域及び第2のドレイン領域の他方に接続された電流供給線と、を有する。 (もっと読む)


【課題】表示領域の縁端部付近で表示品位が低下するのを抑える。
【解決手段】仮想線200の内側である表示領域では、表示画素110aがマトリクス状に配列している。仮想線200の外側では、表示領域を囲むように周辺領域が形成されて、ブラックマトリクスで遮光される。周辺領域では、ダミー画素110bが配列している。ダミー画素110bのうち、表示画素110aに隣り合う位置のダミー画素110bを、表示領域の周縁に沿った方向でみて1画素おきに白色および黒色の交互配列するように、画素電極に印加する電圧が規定される。 (もっと読む)


【課題】動作性能および信頼性の高いEL表示装置を提供する。
【解決手段】第1のチャネル形成領域と、第1のソース領域及び第1のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第1のゲート電極とを備えた第1のTFTと、第2のチャネル形成領域と、第2のソース領域及び第2のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第2のゲート電極とを備えた第2のTFTと、第1のTFT及び第2のTFT上に設けられた第1の絶縁膜と、第1のソース領域及び第1のドレイン領域の一方と接続されたソース配線と、第1のソース領域及び第1のドレイン領域の他方と接続し、且つ第2のゲート電極に接続された第1のドレイン配線と、第1の絶縁膜上に設けられ、第2のソース領域及び第2のドレイン領域の一方に接続された第2のドレイン配線と、第1の絶縁膜上に設けられ、第2のソース領域及び第2のドレイン領域の他方に接続された電流供給線と、を有する。 (もっと読む)


【課題】動作性能および信頼性の高いEL表示装置を提供する。
【解決手段】第1のチャネル形成領域と、第1のソース領域及び第1のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第1のゲート電極とを備えた第1のTFTと、第2のチャネル形成領域と、第2のソース領域及び第2のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第2のゲート電極とを備えた第2のTFTと、第1のTFT及び第2のTFT上に設けられた第1の絶縁膜と、第1のソース領域及び第1のドレイン領域の一方と接続されたソース配線と、第1のソース領域及び第1のドレイン領域の他方と接続し、且つ第2のゲート電極に接続された第1のドレイン配線と、第1の絶縁膜上に設けられ、第2のソース領域及び第2のドレイン領域の一方に接続された第2のドレイン配線と、第1の絶縁膜上に設けられ、第2のソース領域及び第2のドレイン領域の他方に接続された電流供給線と、を有する。 (もっと読む)


【課題】液晶装置における表示領域の外側の遮光性を向上させる。
【解決手段】遮光膜54は、TFTアレイ基板10上において、画像表示領域10aの外側に延びる周辺領域のうち額縁遮光膜53が形成された額縁領域の外側に形成されている。データ線駆動回路101及び引き回し配線90は、遮光膜54に覆われている。引回配線90は、外部回接続端子102と、データ線駆動回路101、走査線駆動回路104、及び上下導通端子106等とを電気的に接続している。遮光膜54は、額縁遮光膜53によって遮光しきれなかった入射光、及び当該遮光膜53及び額縁遮光膜54によってTFTアレイ基板1側に反射された反射光を額縁領域の外側で遮光できる。 (もっと読む)


【課題】 表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 各画素PXに配置された画素電極EPと、半導体層12の一部を含み画素電極EPへの映像信号Vsの書き込みを切替えるスイッチWと、半導体層12と対向して補助容量Csを形成する補助容量線CsLと、を備えた第1基板ARと、アクティブエリアDSPから遮光エリアSLDの少なくとも一部のエリアにわたって延在する対向電極ETと、を備えた第2基板CTと、第1基板ARと第2基板CTとの間に保持された液晶層LQと、を備え、アクティブエリアDSPの両端部に配置された端部画素PX(E)の画素電極EPは、他の画素電極EPよりも大きくなるようにアクティブエリアDSPから遮光エリアSLD側へ延びて配置され、前記端部画素において形成される前記補助容量は他の前記画素において形成される前記補助容量よりも大きい液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】表示領域aとダミー表示領域bとの差を、より小さくする。
【解決手段】表示領域aにおいて画素電極118は、所定のピッチでマトリクス状に配列する。表示領域aを囲むダミー表示領域bにおいて設けられるダミー画素電極131は、画素電極118と同一層からなり、かつ画素電極118に等しいサイズおよびピッチで島状に配列する。ダミー画素電極131は、画素電極118よりも下層の配線を介して互いに相互接続されている。 (もっと読む)


【課題】フレーム周波数の変化に対応させて、開口率を低減させることなく画素内に所望の保持容量を確保することを可能とした液晶表示装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体材料を用いた画素トランジスタ及び2つの容量素子を各画素に有する液晶表示装置において、一方の容量素子は、透光性を有する材料で構成し、画素の開口率を向上させる。更に透光性を有する容量素子の特性を利用して、画像の表示状態に依存して変化するフレーム周波数に対応させて容量線の電圧値を調整することで、画素内の保持容量の大きさを変化させる。 (もっと読む)


【課題】結晶性半導体膜を備え、光リーク電流の発生が抑制され、トランジスタ特性が良好なTFTを提供する。
【解決手段】アクティブマトリックス基板100において、結晶性半導体膜5はソース電極12側及び/又はドレイン電極13側がTFT108の外側でかつゲート電極2の外側の領域に引き出されており、ソース電極12又はソース配線110と結晶性半導体膜5との接触部SCとゲート電極2との間、及び/又は、ドレイン電極13と結晶性半導体膜5との接触部DCとゲート電極2との間に、ゲート電極2と同層の金属遮光膜3を備えている。結晶性半導体膜5のソース電極12又はソース配線110と結晶性半導体膜5との接触部SCとゲート電極2との間、及び/又は、ドレイン電極13と結晶性半導体膜5との接触部DCとゲート電極2との間に、n型不純物が導入された不純物導入領域を形成してもよい。 (もっと読む)


【課題】液晶の配向不良を抑制するために画素電極を平坦化し、開口率を下げずに十分な容量を得られる容量素子を有する半導体装置を実現することを課題とする。
【解決手段】薄膜トランジスタ上の遮光膜、前記遮光膜上の容量絶縁膜、前記容量絶縁膜上に導電層、前記導電層と電気的に接続するように画素電極を有する半導体装置であり、前記遮光膜、前記容量絶縁膜および前記導電層から保持容量素子を形成することにより、容量素子として機能する領域の面積を増やすことができる。 (もっと読む)


【課題】素子基板と対向基板とを貼り合わせるシール材が硬化時に収縮しても、素子基板と対向基板との離間距離がばらつくことを防止することができる液晶装置および該液晶装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置100の素子基板10において、周辺領域10bの外側領域10b2については、内側領域10b1に比して第1スルーホール72bの開口密度および第2スルーホール73bの開口密度が低い。このため、層間絶縁膜72、73を研磨すると、外側領域10b2と内側領域10b1との間には、外側領域10b2における素子基板10と対向基板20との間隔を内側領域10b1における素子基板10と対向基板20との間隔よりも狭くする段差72x、73xが構成され、かかる段差72x、73xより外側(外側領域10b2)にシール材107の内周縁107aが位置する。 (もっと読む)


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