【課題】 アクティブマトリクス基板に形成される走査線、信号線の配線の構造を複雑化することなく、Ａｌヒロックを抑制し、かつ接続抵抗を低減して接続部の信頼性を向上する。
【解決手段】 透明絶縁性基板１０上に薄膜トランジスタ１４及び画素部１３が形成されたアクティブマトリクス基板１を含むアクティブマトリクス型液晶表示装置において、薄膜トランジスタ１４のゲート電極１５及びこれに接続される走査線１１をＴｉＮ／Ｔｉ／Ａｌ構造、あるいは、ＴｉＮ／Ａｌ／Ｔｉ構造、さらには、ＴｉＮ／Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ構造とする。Ａｌ膜に接してＴｉ膜が存在することで、Ａｌ膜でのＡｌヒロックの発生を抑制する。また、最上層にＴｉＮ膜が存在し、このＴｉＮ膜には上層に透明導電膜が接していないことで、走査線端子部２２での表面腐食を抑制し、かつ接続抵抗の増加を抑制して信頼性を高める。 （もっと読む）

【課題】低階調における色再現性を高め、かつ高階調における輝度を高めることができる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る液晶表示装置は、互いに対向する第１基板と第２基板、前記第１基板上に配置される複数の信号線、前記複数の信号線に接続されて、互いに分離されている第１画素電極と第２画素電極、及び前記第１基板と前記第２基板との間に介されて、液晶分子を含む液晶層を含み、前記第１副画素電極が占める領域に配置される液晶層に充電される電圧は、前記第２副画素電極が占める領域に配置される液晶層に充電される電圧より低く、前記第１副画素電極の一部と前記第２副画素電極が占める領域は第１色を表示し、前記第１副画素電極の残り一部が占める領域は第２色を表示する。 （もっと読む）

【課題】静電気によるＴＦＴ、層間絶縁膜の絶縁破壊を、面積を小さく抑え、かつ低コストで実現する。
【解決手段】端子２００よりも内側に形成された表示領域および制御領域においては、映像信号線ＤＬ、あるいは映像信号線と同層で形成された配線Ｇ１、Ｇ２と、走査線ＧＬ、あるいは走査線と同層で形成された配線が交差する部分においては、間に層間絶縁膜とａ−Ｓｉ膜を介して絶縁する。一方、端子２００よりも外側に形成された静電気防止線２３０とアース線２１０との間には層間絶縁膜のみを形成する。これによって、静電気が誘起した場合は、端子２００の外側の領域において絶縁破壊を発生させ、表示領域および制御領域を静電気から保護する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタと、酸化物半導体以外の半導体材料を用いたトランジスタとを積層して、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】第１のトランジスタと、第１のトランジスタ上に絶縁層と、絶縁層上に第２のトランジスタと、を有し、第１のトランジスタは、第１のチャネル形成領域を含み、第２のトランジスタは、第２のチャネル形成領域を含み、第１のチャネル形成領域は、第２のチャネル形成領域と異なる半導体材料を含んで構成され、絶縁層は、二乗平均平方根粗さが１ｎｍ以下の表面を有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】誤整列を少なくすることができると共に開口率を確保することができる液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板は、絶縁基板の上に形成されているデータ配線と、画素に形成されている赤、緑、青のカラーフィルターと、データ配線及びカラーフィルターを覆う絶縁膜と、データ線と交差して画素を定義するゲート線及びゲート線に連結されたゲート電極を含むゲート配線と、ゲート配線を覆っており絶縁膜と共にデータ線の一部を露出させる第１接触孔を有するゲート絶縁膜と、ゲート電極のゲート絶縁膜の上部に形成されている半導体層パターンと、第１接触孔を通じてデータ線と連結されているソース用電極とゲート電極を中心にしてソース用電極と分離されて対向するドレーン用電極とドレーン用電極と連結されており画素に形成されている画素電極とを含む画素配線を含む。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、高密度な保持容量及びＴＦＴに対する高い遮光性能を実現する。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に画素毎に設けられた画素電極（９ａ）と、基板と画素電極との間に画素電極に対応して設けられたトランジスタ（３０）と、画素電極とトランジスタとの間に設けられ、画素電極及びトランジスタに電気的に接続された第１容量電極（７１）と、画素電極と第１容量電極との間に、容量絶縁膜（７５）を介して第１容量電極と対向配置されており、所定の電位が供給される第２容量電極（７２）と、画素電極と第２容量電極との間にトランジスタと少なくとも部分的に重なるように設けられ、第２容量電極との間に配置された絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して第２容量電極に電気的に接続される遮光膜（２００）とを備える。 （もっと読む）

【課題】サブ画素がストライプ配列された表示領域の配列方向の両端で擬色が視認される
のをできるだけ抑制することができるようにした電気光学表示装置を提供すること。
【解決手段】同色のサブ画素が一方向に直線状に配置されたサブ画素列が、他色のサブ画
素列と共にストライプ配列されてなる表示領域を有する電気光学表示装置において、表示
領域のサブ画素列の配列方向の両端に位置するそれぞれ少なくとも１列のサブ画素列の各
サブ画素の開口率を、表示領域の中央部の同色のサブ画素の開口率よりも小さくする。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、コントラスト比の高い高品質な画像を表示する。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、画素毎に設けられた画素電極（９ａ）と、画素電極が配列された画素領域において、電気光学動作を行うための配線、電極及び電子素子の少なくとも一部を構成する導電層（２１１）と、導電層の上層に形成された保護層（２１２）と、導電層より光反射率の低い材料を含んでおり、導電層及び保護層の上層に形成されると共に、導電層及び保護層の端面を少なくとも部分的に覆う反射防止膜（２２０）と、反射防止膜の上層に形成された絶縁膜（４０）と、絶縁膜における導電層及び保護層と平面的に重なる位置に、反射防止膜又は保護層を露出させるように形成されたコンタクトホール（８１）とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、３マスク工程による液晶表示装置用アレイ基板で島状に半導体層を構成することにより、マスク数の減少と信頼性を向上する。また、マスク数の減少のために３マスク工程で液晶表示装置用アレイ基板を製作する過程で、リフトオフ工程による不良を最小化することができる。
【解決手段】本発明は液晶表示装置及びその製造方法に係り、３マスク工程の核心工程であるリフトオフ工程時スパターリング法を利用して保護膜パターンを形成することによってリフトオフ不良を最小化する。また、アクティブ及びオーミックコンタクト層を含む半導体層をデータ配線、ソース及びドレイン電極と別個のマスクを利用して島状にゲート電極内に形成することによって漏れ電流を防止する。 （もっと読む）

【課題】遮光層に帯電する静電気による表示の不具合を抑制し、且つバックライトからの
光漏れをも抑制した横電界方式の液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶４３が封入され、周囲がシール材３６で貼り合わされた第１基板１１及
び第２基板２８と、両基板１１、２８のシール材３６で囲まれた内側に形成された表示領
域３７及びその周囲に形成された非表示領域３８と、第１基板１１に形成された下電極２
２及び上電極２４と、第２基板２８の表示領域３７及び非表示領域３８に跨って形成され
た遮光層３２とを有するノーマリーブラックモードの横電界方式の液晶表示装置１０であ
って、遮光層３２は、非表示領域３８において、表示領域３７を囲むように遮光層非形成
領域３２ａを有し、上電極２４は、平面視で遮光層非形成領域３２ａの全てと重畳する位
置まで延在されている。 （もっと読む）

【課題】 画素電極とデータ線との間で発生する寄生容量が均一な薄膜トランジスタ表示板及びこれを含む液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 液晶表示装置は、ゲート電極を有するゲート線、画素電極と重畳して維持容量を形成する維持電極、ゲート線上に形成されているゲート絶縁膜、ゲート絶縁膜上に形成されている半導体層、半導体層上に形成されゲート線と直交するデータ線、ゲート電極上でソース電極とそれぞれ対向しているドレイン電極、半導体層を覆い有機絶縁物質からなる保護膜、ドレイン電極と電気的に接続されている画素電極及び二重に形成されたデータ線を覆い、隣接するそれぞれの画素電極が二重に形成された一側のデータラインをそれぞれ完全に覆って、画素電極とデータ線間の寄生容量の差が工程の各層間の誤整列によって影響を受けないように形成する薄膜トランジスタ基板と、画素電極と対向して液晶容量を形成する対向電極が形成されている基板を有する液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、製造コストの削減を可能ならしめつつ、表示画像のコントラスト比を向上させることにより、画像表示の高品位化を図る。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、画素電極（９）と、導電層（６、７、１１、７１）と、導電層の端面の少なくとも一部を導電層よりも光反射率の低い遮光性材料で覆うように形成された反射防止膜（８０）とを備える。反射防止膜は、基板上で導電層の下地をなす下地面に、接する又は面する先端部並びにこの先端部に繋がる本体部を有し、先端部の膜厚が本体部の膜厚より薄くなるように、且つその表面が導電層の端面に比して湾曲して又は斜めになるように、形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、液晶表示装置に係り、特に、高画質を具現する横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板とその製造方法に関する。
【解決手段】本発明による横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板は、４マスク工程によって製作されデータ配線の両側に半導体層が露出する構造において、第１特徴は、半導体層の下部に光を遮断する第１遮断パターンを構成して、第２特徴は、データ配線の上部に、これと接触しながら半導体層による影響を遮断する第２遮断パターンを構成する。第１及び第２特徴による構成によって、波縞雑音が発生しない高画質の液晶パネルを製作することができる。 （もっと読む）

【課題】表示特性を向上させることができる電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】液晶層を囲むシール材を介して対向配置された素子基板と、液晶層側に凸状の形状を有する対向基板と、を貼り合わせてなる電気光学装置の製造方法であって、素子基板にＴＦＴ素子を形成する工程Ｓ１１と、ＴＦＴ素子を覆うように素子基板上に層間絶縁膜を形成する工程Ｓ１２と、シール材によって囲まれる領域の少なくとも一部の層間絶縁膜の表面の高さが、シール材と平面的に重なる領域の層間絶縁膜の高さよりも低くなるようにエッチング処理を施す工程Ｓ１４と、を有する。 （もっと読む）

【課題】接着層の厚さを増加させることなく、銅の下部層との接着性が向上し、銅が下部層に拡散することを防止することができる薄膜形成方法、表示板用金属配線、及びこれを含む薄膜トランジスタ表示板とその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜形成方法は、基板上にスパッタリング方法により薄膜を形成する方法であって、薄膜は、電力密度が１．５〜３Ｗ／ｃｍ^２、非活性気体の圧力が０．２〜０．３Ｐａで形成する。薄膜は、非晶質構造を有することができ、チタニウム、タンタル、又はモリブデンのうちのいずれか一つで形成することができる。 （もっと読む）

【課題】従来のＦＦＳ方式の液晶表示装置では、画素の上部電極の隙間部や枝電極部の幅が、液晶層にかかる電界強度に関連し、光透過率に影響を与えた。上部電極の露光やエッチング等のアレイ製造工程の寸法ばらつきが、液晶表示装置の表示ムラとして視認されやすいという問題点があった。
【解決手段】 液晶表示装置１００の画素３０は、走査配線２と、信号配線５と、ＴＦＴと、下部電極６と、この上層に保護膜７を介して配置された上部電極８とを有し、上部電極８は電気的に共通に接続された複数の枝電極部８２と、枝電極部８２間の隙間部８１とを有する。上部電極８は、隙間部８１の幅Ｃと隣接する枝電極部８２の幅Ｗに対する比率Ｒ（＝Ｃ／Ｗ）が異なる領域Ｓを有しており、寸法ばらつきによる比率Ｒの変化に対して、光透過率Ｔが増加する領域Ｓと減少する領域Ｓの両方を有している。 （もっと読む）

【課題】周囲が薄暗い環境下でも画像表示が認識できる液晶表示装置を提供することを課題の一とする。また、外光を照明光源とする反射モードと、バックライトを用いる透過モードの両モードでの画像表示を可能とした液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】１つの画素において、液晶層を介して入射する光を反射する領域と、透光性を有する領域との双方を有する画素電極を設け、外光を照明光源とする反射モードと、バックライトを用いる透過モードの両モードでの画像表示を可能とする。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型基板において、薄膜トランジスタと、その端子接続部を同時に作り込み、少ないマスク数で歩留まりの良い表示装置を提供する。
【解決手段】画素部および外部入力端子を有する表示装置であって、画素部は、ゲート電極と、半導体膜と、ゲート電極上に形成された絶縁膜、および絶縁膜上に半導体膜と電気的に接続された電極を有するＴＦＴを有し、外部入力端子は、ゲート電極と同じ層に形成された第１の配線と、電極と同じ層に形成され、絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介し第１の配線と接続された第２の配線と、第２の配線に接続され、第２の配線上に形成された透明導電膜と、第２の配線と透明導電膜が接続している位置で透明導電膜と電気的に接続するフレキシブルプリント配線板を有する表示装置。 （もっと読む）

【課題】画素の開口領域内にディスクリネーションを発生させること無く良好な品質の表示を行う。
【解決手段】第一基板１上に、各画素電極３が互いに隣り合う部分にそれぞれ対応させて、画素電極の形成面よりも第二基板２側に突出する絶縁層を設け、画素電極３を、所定の側の第一縁部３ａを該第一縁部側の絶縁層１６の下に入り込ませ、第一縁部３ａとは反対側の第二縁部３ｂを該第二縁部側の絶縁層１６の上に重ねて形成する。そして、画素電極３及び絶縁層１６を覆って形成された第一配向膜１７を、画素電極３の第一縁部３ａから第二縁部３ｂに向かう方向にラビングする。 （もっと読む）

【課題】接触検出機能を兼ね備えた液晶表示装置を低コストで提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に配置され第１方向に延在した第１検出要素と、第１方向に交差する第２方向に延在する第２検出要素と、前記第１検出要素と前記第２検出要素との間に介在する絶縁膜と、を備えた第１基板と、前記第１基板に対向した第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、前記第１検出要素と前記第２検出要素との間の静電容量の変化を検出する検出回路と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）