説明

Fターム[2H092JB33]の内容

Fターム[2H092JB33]に分類される特許

81 - 100 / 493


【課題】平板表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜トランジスタの半導体層を形成する第1マスク工程と、ゲート絶縁膜をはさんで半導体層上にゲート電極を形成し、半導体層のソース及びドレイン領域にイオン不純物をドーピングする第2マスク工程と、第1導電層、第1絶縁層及び第2導電層を順次に形成し、薄膜トランジスタと離隔された領域に第1導電層、第1絶縁層及び第2導電層をパターニングして、キャパシタを形成する第3マスク工程と、第2絶縁層を形成し、第2絶縁層を貫通してソース及びドレイン領域及び第2導電層を露出させるコンタクトホールを形成する第4マスク工程と、コンタクトホールを通じてソース及びドレイン領域及び第2導電層に接続するソース及びドレイン電極を形成する第5マスク工程と、を含む平板表示装置の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】配線破断を軽減する構造を有する液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にゲート配線及び信号配線、ゲート絶縁膜、半導体パターン、データ配線、保護膜、ドレーン電極を露出させる第1接触孔及び信号配線を露出させ、側辺の長さが幅より大きく形成される複数の第2接触孔、第1及び第2接触孔を通じてドレーン電極に連結される画素電極及び信号配線に連結される信号配線補助パッドを形成する液晶表示装置の製造方法であって、信号配線を形成する段階では、信号配線に一対一に対応する複数の信号リードを有する信号伝送用フィルムを含み、信号伝送用フィルムには複数の信号リードのうちの高電圧信号を伝送する第1信号リードと低電圧信号を伝送する第2信号リードとの間にダミーリードが形成され、ダミーリードに対応するダミー配線が基板に形成され、ダミー配線は信号配線より酸化傾向が小さい特性を有する導電物質で形成される。 (もっと読む)


【課題】液晶表示装置において、製造工程中に残留する導電膜によって画素電極及びデータ配線が互いに短絡されることを防止して画素欠陥を減少させる。
【解決手段】液晶表示装置は、絶縁基板と、絶縁基板の上に位置するゲート線と、ゲート線を覆っているゲート絶縁膜30と、ゲート絶縁膜上に位置し、ドレーン電極とデータ線とを含むデータ配線と、データ配線を覆っている保護膜70と、保護膜の上に位置してデータ配線と電気的に連結されている画素電極80とを含み、ゲート絶縁膜は第1開口部を有し、保護膜は第2開口部と接触口72とを含み、第2開口部は前記第1開口部を露出させ、第1開口部と前記第2開口部は画素の縁領域に位置し、接触口72は前記ドレーン電極の一部分を露出させる。 (もっと読む)


【課題】液晶装置等の電気光学装置において、高い信頼性を実現する。
【解決手段】電気光学装置は、画素電極(9a)と、画素電極に対応して設けられたトランジスター(30)と、トランジスターと電気的に接続されたデータ線(6a)と、画素電極及びトランジスター間に設けられ、第1電極(72)及び第2電極(71)が容量絶縁膜(75)を介して対向配置されることで形成される蓄積容量(70)と、第1電極と同一層に設けられた第1付加容量電極(401)と、第1電極及び第2電極とは異なる層に設けられた第2付加容量電極(402)とが、付加容量絶縁膜(42)を介して対向配置されることで形成され、データ線と電気的に接続された付加容量(400)とを備える。 (もっと読む)


【課題】シリコン半導体層および/または透明導電膜との間のバリアメタル層を省略しても、AlとSiの相互拡散を抑制でき、低抵抗のオーミック特性を有する電気的接触が得られると共に、十分な耐熱性を有する表示装置用Al合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置の基板上で、透明導電膜および/または薄膜トランジスタの半導体層と直接接続されるAl合金膜であって、Al合金膜は、30原子%以上のMoを含有するAl−Mo合金、またはMoと、Mn、Nd、Ni、Mg、およびFeよりなるX群から選択される少なくとも1種とを含有するAl−Mo−X合金の単層から構成されている。 (もっと読む)


【課題】透光性導電膜を配線や電極として備えるものにあって、透光性導電膜の抵抗を低減させることができる表示装置を提供することである。
【解決手段】
複数のゲート線と、前記ゲート線と交差する複数のドレイン線とを有し、画素の領域毎に、前記ゲート線とドレイン線とに接続される薄膜トランジスが形成される表示装置であって、前記ゲート線及び前記ドレイン線、並びに前記ゲート線又は前記ドレイン線から伸延される引き出し配線の少なくとも1つが透光性パターン化導電膜で形成され、前記透光性パターン化導電膜は、少なくとも、第1透光性パターン化導電膜と、前記第1透光性パターン化導電膜上に積層された第2透光性パターン化導電膜とから構成され、前記第2透光性パターン化導電膜は、前記第1透光性パターン化導電膜の側壁面を含む表面のみを被って形成される導電膜からなる表示装置である。 (もっと読む)


【課題】迷光の発生あるいはヒロックの発生を防止しつつ、素子基板に入射した光を効率よく反射して、表示光量を増大させることのできる液晶装置、液晶装置の製造方法、および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】反射型の液晶装置100において、反射性の画素電極9aより下層側には、隣り合う画素電極9aにより挟まれた隙間領域9s、9tに重なるアルミニウム配線からなる反射性配線(データ線6aおよび容量線5b)が設けられ、隙間領域9s、9tに入射した光を反射性配線(データ線6aおよび容量線5b)で反射し画像の表示に利用することができる。データ線6aおよび容量線5bの表面には、隙間領域9s、9tと重なる領域を露出させる遮光性保護層86a、85bが窒化シリコン膜等により形成されている。 (もっと読む)


【課題】液晶が封入される一対の基板間での短絡の虞を低減させ得る構造の液晶パネルと、そのようなパネルの構築に好適な液晶パネル用アレイ基板を提供すること。
【解決手段】本発明により提供される液晶パネル用アレイ基板において、薄膜トランジスタ30は、少なくともゲート電極32とソース電極36とドレイン電極37とを備えた積層構造に形成されている。そして、基板本体(ガラス基板)12aは、少なくとも薄膜トランジスタ形成部分の一部において、該薄膜トランジスタ形成部分の周囲よりも凹んだ凹部96,97を備えており、ソース電極およびドレイン電極は、凹部内に少なくともその一部が埋設されるようにして形成されている。 (もっと読む)


【課題】フリッカー等の表示不具合の発生を抑制して表示品位の向上を図ることが可能な液晶装置、液晶装置の駆動方法及び電子機器を提供する。
【解決手段】素子基板10の液晶層の側に画素電極12に接して設けられた第1配向膜13と、対向基板20の液晶層の側に設けられた第2配向膜23と、対向電極20と第2配向膜23との間に設けられた、液晶層よりも膜厚が薄く、かつ、液晶層よりも高比抵抗の、SiOからなる誘電体膜38と、を備え、対向電極22には、スイッチング素子40の寄生容量に起因するフリッカーを低減するように設定された対向電極電位が印加され、画素電極12には、対向電極電位を基準として高位の電圧を正極性、低位の電圧を負極性としたときに、正極性の電圧と負極性の電圧とが交互に印加され、正極性の電圧が印加される第1の期間の長さが負極性の電圧が印加される第2の期間の長さに比べて短く設定される。 (もっと読む)


【課題】液晶層の電荷の偏りを減らす。
【解決手段】本発明の液晶装置は、画素電極35、スイッチング素子34、対向電極82、液晶層28、第1配向膜71、および第2配向膜83を備える。液晶層28のダイレクターが液晶層の厚み方向となすプレチルト角が、対向電極82側で画素電極35側よりも大きくなっている。画素電極35にスイッチング素子34を介して対向電極電位に対する高電位と低電位とが交互に印加される。画素電極35に高電位が印加されているときのスイッチング素子34の寄生容量による画素電極35の電位の変化量と、画素電極35に前記低電位が印加されているときの寄生容量による画素電極35の電位の変化量との平均値の分だけ、高電位と前記低電位との平均電位をシフトさせた電位を基準電位としたときに、対向電極電位が基準電位よりも高い。 (もっと読む)


【課題】使用者が、場所を選ばず情報を閲覧、さらには画面に表示されたキーボードに直接またはスタイラスペンなどを用いて間接的に触れることにより情報を入力でき、その入力情報を利用することができる新規の電子機器を提供することを課題の一とする。
【解決手段】フレキシブル基板上に反射電極と電気的に接続する第1のトランジスタと、フォトセンサとを有し、表示部の第1画面領域にタッチ入力ボタンを静止画として表示し、表示部の第2画面領域に動画として出力表示する。表示部に表示される画像が静止画である場合と、動画である場合とで異なる信号供給を表示部の表示素子に行う映像信号処理部を有し、静止画を書き込んだ後に表示素子制御回路を非動作とすることで、消費電力の節約ができる。 (もっと読む)


【課題】フリッカー等の表示不具合の発生を抑制して表示品位の向上を図ることが可能な液晶装置、液晶装置の駆動方法及び電子機器を提供する。
【解決手段】素子基板10の液晶層の側に設けられた第1配向膜13と、対向基板20の液晶層の側に対向電極22に接して設けられた第2配向膜23と、画素電極12と第1配向膜13との間に設けられた、液晶層よりも膜厚が薄く、かつ、液晶層よりも高比抵抗の、SiOからなる誘電体膜38と、を備え、対向電極22には、スイッチング素子40の寄生容量に起因するフリッカーを低減するように設定された対向電極電位が印加され、画素電極12には、対向電極電位を基準として高位の電圧を正極性、低位の電圧を負極性としたときに、正極性の電圧と負極性の電圧とが交互に印加され、正極性の電圧が印加される第1の期間の長さが負極性の電圧が印加される第2の期間の長さに比べて長く設定される。 (もっと読む)


【課題】液晶層の電荷の偏りを減らす。
【解決手段】本発明の液晶装置は、画素電極35と、スイッチング素子34と、対向電極82と、液晶層28と、第1配向膜71と、第1配向膜71と画素電極35との間に設けられた酸化シリコンからなる誘電体層70と、液晶層28と対向電極82との間に、対向電極82と当接して設けられた第2配向膜83と、を備える。画素電極35にスイッチング素子34を介して対向電極電位に対する高電位と低電位とが交互に印加される。画素電極35に高電位が印加されているときのスイッチング素子34の寄生容量による画素電極35の電位の変化量と、画素電極35に低電位が印加されているときの寄生容量による画素電極35の電位の変化量との平均値の分だけ、高電位と低電位との平均電位をシフトさせた電位を基準電位としたときに、対向電極電位が、基準電位よりも低い。 (もっと読む)


【課題】本発明は、走査回路の動作の安定性と静電気対策の両方を兼ね備えた表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】表示装置は、1つのグループの画素10をそれぞれ選択するための複数の走査線38と、走査信号が入力される少なくとも1つの走査線38を選択する制御のためのパルス信号が供給される制御線42と、パルス信号によって制御される薄膜トランジスタを含み複数の走査線38に接続され表示領域12の外側に配置された走査回路40と、交差する方向に延びる複数の導電線からなる導電メッシュ46と、を有する。導電メッシュ46は、画素10領域を避けて、薄膜トランジスタ及び走査線38の上方に配置されている。導電メッシュ46を構成するそれぞれの導電線は、走査線38の上方では、走査線38と平行にならないように立体交差する。 (もっと読む)


【課題】 マトリクス状の交叉画素電極を有するモノドメイン配向の垂直配向表示素子において、表示画素のエッジ部分で液晶分子の配向方向が所望の方向からずれる配向異常が発生し、表示の均一性が損なわれる。
【解決手段】 電極構造を積層構造にすることにより発生する斜め電界を利用して、表示画素のエッジ部分で液晶分子の配向をコントロールし、均一な表示を実現する。そのために、透明電極31の上の、隣接する対向電極36間のスペースに対向する部位に補助電極35を設け、この補助電極36に透明電極31に印加される駆動信号と同一の駆動信号を印加することとした。 (もっと読む)


【課題】画素部に形成される画素電極やゲート配線及びソース配線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁表面上のゲート電極及びソース配線と、前記ゲート電極及びソース配線上の第1の絶縁層と、前記第1の絶縁膜上の半導体層と、前記半導体膜上の第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層上の前記ゲート電極と接続するゲート配線と、前記ソース電極と前記半導体層とを接続する接続電極と、前記半導体層と接続する画素電極とを有することを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】より良い動作を実現する半導体装置を提供する。
【解決手段】第1のトランジスタと、第1のトランジスタのゲートに電気的に接続される第2のトランジスタとを有し、第1のトランジスタの第1の端子は第1の配線に電気的に接続され、第1のトランジスタの第2の端子は第2の配線に電気的に接続され、第1のトランジスタのゲートは第2のトランジスタの第1の端子又は第2の端子に電気的に接続されることにより半導体装置が構成されるものである。上記において、第1乃至第2のトランジスタは、少なくともチャネル領域に酸化物半導体を有し、かつ、オフ電流が小さなものを用いることができる。 (もっと読む)


【課題】安定した電気光学特性を有する電気光学装置を製造可能な電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本適用例の電気光学装置の製造方法は、基板上に画素回路と、画素回路を駆動制御する駆動回路とを形成するステップS1〜ステップS5と、画素回路および駆動回路を構成する構造物上に第1層間絶縁膜を形成するステップS6と、第1層間絶縁膜の高さが他の部分に比べて高い部分の第1層間絶縁膜の表面に少なくとも1つの凹部を形成するステップS7と、凹部が形成された第1層間絶縁膜に平坦化処理を施すステップS8と、を備えた。 (もっと読む)


【課題】ソース・ドレイン電極に、剥離やストレスマイグレーションによるボイドが発生するのを抑制する。
【解決手段】複数の薄膜トランジスタが配列された基板を有する表示装置であって、薄膜トランジスタは、半導体層6と、半導体層6上に形成されるコンタクト層7と、コンタクト層7上に形成されるソース電極10及びドレイン電極9とを有し、ソース電極10およびドレイン電極9は、コンタクト層7の上側に形成される第1の導電層9a,10aと、第1の導電層9a,10aの上側に形成される第2の導電層9b,10bとを有し、第2導電層9b,10bは、第1添加元素と、銅とを含有する銅合金層であり、前記第1添加元素は、ジルコニウム、チタン、銀、インジウム、金、錫、クロム、ケイ素から選ばれた少なくとも1種類の元素である、ことを特徴とする表示装置。 (もっと読む)


【課題】液晶装置等において、主配線を効率的に低抵抗化し、主配線間における信号の相互干渉を抑制することで、高品位な画像表示を行う。
【解決手段】基板(10)上における画像表示領域(10a)の周辺に位置する周辺領域に、複数の外部回路接続端子(102)と、これらに夫々一端が接続された複数の主配線(108)と、該主配線の他端に接続されており外部回路接続端子から主配線を介して供給される電気信号に基づいて画素部を駆動するための周辺駆動回路(101、104)とを備える。複数の主配線は、同一導電膜から形成されていると共に相互に交差しないように周辺領域内に平面レイアウトされている。 (もっと読む)


81 - 100 / 493